JP6916251B2 - 放射場パターンに基づくパターン形成表面特徴部を持つled - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 97
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004141 dimensional analysis Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
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- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
arcsin(n2/n1)、 (式1)
と等しい。臨界角より大きい角度で面に当たる光は内部全反射され、境界面を通り抜けない。用語「脱出ゾーン(escape zone)」、又は「脱出コーン(escape cone)」が、光が面を通り抜ける角度の範囲を定めるために使用される。面の任意のポイントにおける脱出コーンは、その断面が面に対する法線に対する臨界角の2倍の角度を限定する面における頂点を持つ円錐である。脱出ゾーンは、表面上の全てのポイントの脱出コーンの合成である。
d=η*D/λ、 (式2)
で定められることができ、ここで、
ηは活性層と鏡との間の材料の屈折率であり、
λは放射光の波長である。
図1及び2A−2Bの例は、製造技術及びパラメータに依存して、従来の発光デバイスが非ランバートパターンを示し得ることを示すことを単に意図している。以下に明らかであるように、本発明は、任意の特定の放射パターンを導入するための双極子−鏡効果(dipole‐mirror effect)の使用に限定されず;むしろ、当業者には、本発明が、特定の放射場パターンを作るために使用される任意の特定の技術に依存しないことが明らかであろう。
(付記1)
発光素子を有する発光デバイスであって:
前記発光素子は:
N型領域、
P型領域、
前記N型領域と前記P型領域との間に挟まれる発光層、及び
前記発光層と平行な平面の中の脱出面であって、前記脱出面から前記発光層から放射される光が出る、脱出面、を有し、
光は、角度放射場パターンを持つ前記発光素子の中で放射され、
前記脱出面は、前記発光素子の前記放射場パターンに対応する傾斜を持つ傾斜面を含む表面特徴部を含む、
発光デバイス。
(付記2)
前記傾斜面と外部媒質との間の境界は、その外側で光が内部全反射される脱出ゾーンを示し、前記傾斜は、前記脱出ゾーンの中で前記傾斜面に当たる光の量を最大化するように配置される、
付記1に記載の発光デバイス。
(付記3)
前記放射場パターンは複数のローブを含み、少なくとも1つの前記ローブは、ピーク放射角度に対応し、前記傾斜は、前記ピーク放射角度に基づいて配置される、
付記1に記載の発光デバイス。
(付記4)
前記発光素子の前記放射場パターンの他のローブに対応する他の傾斜を持つ他の傾斜面を含む他の表面特徴部を含む、
付記3に記載の発光デバイス。
(付記5)
前記脱出面に向かって、前記発光層からの光を反射するリフレクタを含み、前記リフレクタは、前記放射場パターンが前記リフレクタと前記発光層との間の距離に依存するように、配置される、
付記1に記載の発光デバイス。
(付記6)
前記表面特徴部は、円錐形特徴部を含む、
付記1に記載の発光デバイス。
(付記7)
前記表面特徴部は、ピラミッド形特徴部を含む、
付記1に記載の発光デバイス。
(付記8)
前記表面特徴部は、前記表面特徴部の前記傾斜面が隣接する前記表面特徴部のいずれの前記傾斜面とも直接向き合わないように、前記面上に配置される、
付記1に記載の発光デバイス。
(付記9)
前記表面特徴部のそれぞれの前記傾斜面は、隣接する前記表面特徴部の端部を向く、
付記1に記載の発光デバイス。
(付記10)
前記脱出面の一部は粗くされる、
付記1に記載の発光デバイス。
(付記11)
前記表面特徴部は、前記脱出面の前記平面の上に延びる構造、及び前記面の前記平面の下に延びる穴を含む、
付記1に記載の発光デバイス。
(付記12)
前記表面特徴部は、前記脱出面の上にランダムに分布される、
付記1に記載の発光デバイス。
(付記13)
発光素子を有する発光デバイスであって:
前記発光素子は:
N型領域、
P型領域、
前記N型領域と前記P型領域との間に挟まれる発光層、及び
前記発光層と平行な平面の中の脱出面であって、前記脱出面から前記発光層から放射される光が出る、脱出面、を有し、
前記脱出面は、傾斜面を含む表面特徴部を含み、前記表面特徴部は、前記表面特徴部の前記傾斜面が隣接する前記表面特徴部のいずれの前記傾斜面とも直接向き合わないように、前記面上に配置される、
発光デバイス。
(付記14)
前記傾斜面の1又は複数は、前記発光素子の放射場パターンに対応する傾斜を含む、
付記13に記載の発光デバイス。
(付記15)
前記複数の表面特徴部は、ピラミッド形構造を含む、
付記13に記載の発光デバイス。
(付記16)
前記表面特徴部のそれぞれの前記傾斜面は、隣接する前記表面特徴部の端部を向く、
付記13に記載の発光デバイス。
(付記17)
前記表面特徴部は、前記面の平面の上に延びる構造、及び前記面の前記平面の下に延びる穴を含む、
付記13に記載の発光デバイス。
(付記18)
発光素子を製造する方法であって:
前記発光素子に関連付けられる放射場パターンを決定するステップであって、前記発光素子は、そこから光が前記発光素子から放射される脱出面を含む、ステップ、
1又は複数の表面特徴部を決定するステップであって、それぞれの前記表面特徴部は、前記発光素子の前記放射場パターンに対応する傾斜を持つ少なくとも1つの傾斜面を含む、ステップ、及び
前記発光素子の前記脱出面に複数の前記1又は複数の表面特徴部を作るステップ、を含む、
方法。
(付記19)
前記複数の表面特徴部を作る前記ステップは、エッチング、ミーリング、及びレーザスライシングの少なくとも1つを含む、
付記18に記載の方法。
(付記20)
前記複数の表面特徴部は、円錐形構造を含む、
付記18に記載の方法。
(付記21)
前記複数の表面特徴部は、ピラミッド形構造を含む、
付記18に記載の方法。
(付記22)
前記表面特徴部は、前記表面特徴部の前記傾斜面が隣接する前記表面特徴部のいずれの前記傾斜面とも直接向き合わないように、前記面上に配置される、
付記18に記載の方法。
(付記23)
前記傾斜面と外部媒質との間の境界は、その外側で光が内部全反射される脱出ゾーンを示し、前記傾斜は、前記脱出ゾーンの中で前記傾斜面に当たる光の量を最大化するように配置される、
付記18に記載の方法。
(付記24)
前記放射場パターンは複数のローブを含み、少なくとも1つの前記ローブは、ピーク放射角度に対応し、前記傾斜は、前記ピーク放射角度に基づいて決定される、
付記18に記載の方法。
(付記25)
前記脱出面の少なくとも一部を粗くするステップを含む、
付記18に記載の方法。
Claims (14)
- 発光素子を有する発光デバイスであって:
前記発光素子は:
N型領域、
P型領域、
前記N型領域と前記P型領域との間に挟まれる発光層、及び
前記発光層と平行な平面の中の脱出面であって、前記脱出面から前記発光層から放射される光が出る、脱出面、を有し、
前記光は、前記発光素子の中で角度放射場パターンを有して放射され、
前記脱出面は、傾斜面を含む表面特徴部を含み、前記表面特徴部は、前記脱出面の平面の上に前記平面から突出して広がる三角錐特徴部として形成され、前記表面特徴部は、前記三角錐特徴部の底部の三角形の各頂点が隣接する三角形の各辺に面して、前記表面特徴部の傾斜面が隣接する前記表面特徴部のいずれの傾斜面とも直接向き合わないように配置され、
前記脱出面はさらに、前記平面の下に延びる穴を有する、
発光デバイス。 - 前記傾斜面と外部媒質との間の境界は、範囲内で光が前記傾斜面を通って脱出する角度の前記範囲を定める脱出ゾーンを有し、前記傾斜面の傾斜の角度は、前記脱出ゾーンの中で前記傾斜面に当たる光の量を最大化するように選択される、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記角度放射場パターンは複数のローブを含み、前記ローブは、ピーク放射振幅のまわりの放射及びピーク放射角度の極座標配向によって定められ、少なくとも1つの前記ローブはピーク放射角度を有し、前記傾斜面の傾斜は、前記傾斜面への前記少なくとも1つのローブの入射角が範囲内で光が前記傾斜面を通って脱出する角度の範囲を定める脱出ゾーン内にあるように、前記ピーク放射角度に基づいて配置される、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記発光素子の前記放射場パターンの他のローブに対応する他の傾斜を持つ他の傾斜面を含み、前記他の傾斜面への前記他のローブの入射角が範囲内で光が前記他の傾斜面を通って脱出する角度の範囲を定める他の脱出ゾーン内にあるようになる、他の表面特徴部を含む、
請求項3に記載の発光デバイス。 - 前記脱出面に向かって、前記発光層からの光を反射するリフレクタを含み、前記リフレクタは、前記放射場パターンが前記リフレクタと前記発光層との間の距離に依存するように、配置される、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記三角錐特徴部は、大きい特徴部であり、前記大きい特徴部の間の前記脱出面の前記平面上のスペースの中に小さい特徴部をさらに有する、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記大きい特徴部は、前記脱出面の前記平面から凸であり、前記小さい特徴部は、前記脱出面の前記平面から凹である、
請求項6に記載の発光デバイス。 - 前記脱出面の一部は粗くされる、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記底部の三角形の前記各頂点は前記隣接する三角形の前記各辺に接する、
請求項1乃至8のいずれか1項に記載の発光デバイス。 - 発光素子を製造する方法であって:
前記発光素子に関連付けられる放射場パターンを決定するステップであって、前記発光素子は、光が前記発光素子から放射される脱出面を含む、ステップ、及び
前記発光素子の前記脱出面に複数の表面特徴部を作るステップであって、前記表面特徴部は傾斜面を含み、前記表面特徴部は、前記脱出面の平面の上に前記平面から突出して広がる三角錐特徴部として形成され、前記表面特徴部は、前記三角錐特徴部の底部の三角形の各頂点が隣接する三角形の各辺に面して、前記表面特徴部の傾斜面が隣接する前記表面特徴部のいずれの傾斜面とも直接向き合わないように配置される、ステップ、を含み、
前記脱出面はさらに、前記平面の下に延びる穴を有する、
方法。 - 前記複数の表面特徴部を作る前記ステップは、エッチング、ミーリング、及びレーザスライシングの少なくとも1つを含む、
請求項10に記載の方法。 - 前記傾斜面と外部媒質との間の境界は、範囲内で光が前記傾斜面を通って脱出する角度の範囲を定める脱出ゾーンを有し、前記傾斜面の傾斜の角度は、前記脱出ゾーンの中で前記傾斜面に当たる光の量を最大化するように選択される、
請求項10に記載の方法。 - 前記放射場パターンは複数のローブを含み、前記ローブは、ピーク放射振幅のまわりの放射及びピーク放射角度の極座標配向によって定められ、少なくとも1つの前記ローブはピーク放射角度を有し、前記傾斜面の傾斜は、前記傾斜面への前記少なくとも1つのローブの入射角が範囲内で光が前記傾斜面を通って脱出する角度の範囲を定める脱出ゾーン内にあるように、前記ピーク放射角度に基づいて配置される、
請求項10に記載の方法。 - 前記脱出面の少なくとも一部を粗くするステップを含む、
請求項10に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361836775P | 2013-06-19 | 2013-06-19 | |
US61/836,775 | 2013-06-19 | ||
JP2016520777A JP2016526787A (ja) | 2013-06-19 | 2014-06-12 | 放射場パターンに基づくパターン形成表面特徴部を持つled |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016520777A Division JP2016526787A (ja) | 2013-06-19 | 2014-06-12 | 放射場パターンに基づくパターン形成表面特徴部を持つled |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019220704A JP2019220704A (ja) | 2019-12-26 |
JP6916251B2 true JP6916251B2 (ja) | 2021-08-11 |
Family
ID=51033250
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016520777A Pending JP2016526787A (ja) | 2013-06-19 | 2014-06-12 | 放射場パターンに基づくパターン形成表面特徴部を持つled |
JP2019155143A Active JP6916251B2 (ja) | 2013-06-19 | 2019-08-28 | 放射場パターンに基づくパターン形成表面特徴部を持つled |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016520777A Pending JP2016526787A (ja) | 2013-06-19 | 2014-06-12 | 放射場パターンに基づくパターン形成表面特徴部を持つled |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9876141B2 (ja) |
EP (1) | EP3011604B1 (ja) |
JP (2) | JP2016526787A (ja) |
KR (1) | KR102222860B1 (ja) |
CN (1) | CN105283969B (ja) |
TW (1) | TWI624081B (ja) |
WO (1) | WO2014203123A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017154973A1 (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | 株式会社 東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US20190198709A1 (en) | 2017-12-22 | 2019-06-27 | Lumileds Llc | Iii-nitride multi-color on wafer micro-led enabled by tunnel junctions |
US11264530B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-03-01 | Lumileds Llc | Light emitting diode (LED) devices with nucleation layer |
US11211527B2 (en) | 2019-12-19 | 2021-12-28 | Lumileds Llc | Light emitting diode (LED) devices with high density textures |
US11289630B2 (en) | 2019-12-20 | 2022-03-29 | Lumileds Llc | Tunable lighting system with preferred color rendering |
WO2021161934A1 (ja) * | 2020-02-12 | 2021-08-19 | デクセリアルズ株式会社 | 擬似ランダムドットパターン及びその作成方法 |
CN113436983A (zh) * | 2020-03-19 | 2021-09-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | μLED基板及制备方法、EL检测方法及装置 |
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---|---|---|---|---|
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-
2014
- 2014-06-12 US US14/900,143 patent/US9876141B2/en active Active
- 2014-06-12 WO PCT/IB2014/062150 patent/WO2014203123A1/en active Application Filing
- 2014-06-12 KR KR1020167001322A patent/KR102222860B1/ko active IP Right Grant
- 2014-06-12 EP EP14734234.9A patent/EP3011604B1/en active Active
- 2014-06-12 JP JP2016520777A patent/JP2016526787A/ja active Pending
- 2014-06-12 CN CN201480035017.9A patent/CN105283969B/zh active Active
- 2014-06-19 TW TW103121268A patent/TWI624081B/zh active
-
2017
- 2017-10-11 US US15/730,459 patent/US10608140B2/en active Active
-
2019
- 2019-08-28 JP JP2019155143A patent/JP6916251B2/ja active Active
-
2020
- 2020-03-03 US US16/808,119 patent/US11201264B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105283969B (zh) | 2019-12-17 |
US10608140B2 (en) | 2020-03-31 |
US11201264B2 (en) | 2021-12-14 |
JP2016526787A (ja) | 2016-09-05 |
KR102222860B1 (ko) | 2021-03-04 |
KR20160021276A (ko) | 2016-02-24 |
WO2014203123A1 (en) | 2014-12-24 |
CN105283969A (zh) | 2016-01-27 |
EP3011604B1 (en) | 2020-04-22 |
EP3011604A1 (en) | 2016-04-27 |
US20180033916A1 (en) | 2018-02-01 |
US20200203571A1 (en) | 2020-06-25 |
TWI624081B (zh) | 2018-05-11 |
US9876141B2 (en) | 2018-01-23 |
US20160149082A1 (en) | 2016-05-26 |
JP2019220704A (ja) | 2019-12-26 |
TW201515265A (zh) | 2015-04-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190828 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210715 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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