JP6903612B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6903612B2 JP6903612B2 JP2018166985A JP2018166985A JP6903612B2 JP 6903612 B2 JP6903612 B2 JP 6903612B2 JP 2018166985 A JP2018166985 A JP 2018166985A JP 2018166985 A JP2018166985 A JP 2018166985A JP 6903612 B2 JP6903612 B2 JP 6903612B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- metal
- interface
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 200
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 198
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 148
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 58
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 53
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 25
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical group [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKLVYJBZJHMRIY-UHFFFAOYSA-N technetium atom Chemical compound [Tc] GKLVYJBZJHMRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 180
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AUEPDNOBDJYBBK-UHFFFAOYSA-N [Si].[C-]#[O+] Chemical compound [Si].[C-]#[O+] AUEPDNOBDJYBBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- -1 ruthenium nitride Chemical class 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
- H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/081—Disposition
- H01L2224/0812—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/08121—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the connected bonding areas being not aligned with respect to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
- H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/081—Disposition
- H01L2224/0812—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/08135—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/08145—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geometry (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
表面に金属電極パターンを有する２枚の基板（ウェハ）同士を貼り合わせる技術（Wafer-to-Wafer(W2W)/Hybrid bonding）が開発されている。この技術では、各基板の主面側に金属電極及び絶縁層を形成し、２枚の基板同士を貼り合わせて金属電極同士を接合している。
しかしながら、２枚の基板同士を接合する界面の特性は必ずしも十分なものではなかった。
基板間の良好な界面特性を有する半導体装置を提供する。
実施形態に係る半導体装置は、第１の基板と、第２の基板と、第１の界面層と、第２の界面層とを備える。前記第１の基板は、第１の金属元素を含有する第１の金属層と、第１の元素及び酸素（Ｏ）を含有する第１の絶縁層とを含む。前記第２の基板は、第２の金属元素を含有する第２の金属層と、第２の元素及び酸素（Ｏ）を含有する第２の絶縁層とを含む。前記第１の界面層は、第１の金属層と前記第２の金属層との界面に設けられ、前記第１の金属元素及び前記第２の金属元素の少なくとも一方と第３の金属元素とを含有し、導電性を有する。前記第２の界面層は、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との界面に設けられ、前記第１の元素及び前記第２の元素の少なくとも一方と前記第３の金属元素と酸素（Ｏ）とを含有し、絶縁性を有する。
以下、図面を参照して実施形態を説明する。
図１は、実施形態に係る半導体装置１の構成を模式的に示した断面図である。
半導体装置１は、基板１０（第１の基板）、基板２０（第２の基板）、第１の界面層４１、第２の界面層４２、第３の界面層４３、及び第４の界面層４４を備える。
図１は、実施形態に係る半導体装置１の構成を模式的に示した断面図である。
半導体装置１は、基板１０（第１の基板）、基板２０（第２の基板）、第１の界面層４１、第２の界面層４２、第３の界面層４３、及び第４の界面層４４を備える。
基板１０は、下部構造１１、金属電極１２（第１の金属層）、バリアメタル層１２ａ（第１のバリアメタル層）、及び絶縁層１３（第１の絶縁層）を有する。
下部構造１１は、例えば、半導体基板とトランジスタ等を含む回路とを有する。
金属電極１２は、基板１０の主面側表面に所定のパターンで形成されている。金属電極１２は第１の金属元素を主成分として含有する。例えば、第１の金属元素は銅（Ｃｕ）である。以下の説明においては、第１の金属元素は銅（Ｃｕ）であるとして説明する。
下部構造１１は、例えば、半導体基板とトランジスタ等を含む回路とを有する。
金属電極１２は、基板１０の主面側表面に所定のパターンで形成されている。金属電極１２は第１の金属元素を主成分として含有する。例えば、第１の金属元素は銅（Ｃｕ）である。以下の説明においては、第１の金属元素は銅（Ｃｕ）であるとして説明する。
バリアメタル層１２ａは、金属電極１２と絶縁層１３の間に形成されており、金属電極１２に含まれる金属元素（銅（Ｃｕ））が絶縁層１３に拡散するのを防止するために設けられている。バリアメタル層１２ａは、例えば、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ルテニウム（Ｒｕ）又はそれらの窒化物（窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化ルテニウム（ＲｕＮ））で形成される。また、金属電極１２は、基板１０中の図示せぬ配線と接続している。
絶縁層１３は、金属電極１２同士を絶縁するための層間絶縁膜として機能する。絶縁層１３は少なくとも第１の元素及び酸素（Ｏ）を含有する。例えば、第１の元素は、シリコン（Ｓｉ）である。絶縁層１３は、酸化膜であり、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、又はシリコン炭素酸化物（ＳｉＯＣ）などを主成分とする。以下の説明では、第１の元素は、シリコン（Ｓｉ）であり、絶縁層１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）で形成されているとして説明する。
基板２０は、下部構造２１、金属電極２２（第２の金属層）、バリアメタル層２２ａ（第２のバリアメタル層）、及び絶縁層２３（第２の絶縁層）を有する。
下部構造２１は、例えば、半導体基板とセンサ等とを含む。
金属電極２２は、基板２０の主面側表面に所定のパターンで形成される。金属電極２２は第２の金属元素を主成分として含有する。例えば、第２の金属元素は、第１の金属元素と同様、銅（Ｃｕ）である。以下の説明においては、第２の金属元素は、第１の金属元素と同様、銅（Ｃｕ）であるとして説明する。
下部構造２１は、例えば、半導体基板とセンサ等とを含む。
金属電極２２は、基板２０の主面側表面に所定のパターンで形成される。金属電極２２は第２の金属元素を主成分として含有する。例えば、第２の金属元素は、第１の金属元素と同様、銅（Ｃｕ）である。以下の説明においては、第２の金属元素は、第１の金属元素と同様、銅（Ｃｕ）であるとして説明する。
バリアメタル層２２ａは、金属電極２２と絶縁層２３の間に形成されている。バリアメタル層２２ａは、金属電極２２に含まれる金属元素（銅（Ｃｕ））が絶縁層２３に拡散するのを防止するために設けられている。バリアメタル層２２ａの主成分はバリアメタル層１２ａと同様である。また、金属電極２２は、基板２０中の図示せぬ配線と接続している。
絶縁層２３は金属電極２２同士を絶縁するための層間絶縁膜として機能する。絶縁層２３は少なくとも第２の元素及び酸素（Ｏ）を含有する。例えば、第２の元素は第１の元素と同様、シリコン（Ｓｉ）である。絶縁層２３は酸化膜であり、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、又はシリコン炭素酸化物（ＳｉＯＣ）などを主成分とする。以下の説明では、第２の元素は、シリコン（Ｓｉ）であり、絶縁層２３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）で形成されているとして説明する。
基板１０及び基板２０は、金属電極１２、２２同士が対向するように、主面同士を向い合せて貼り合わされている。基板１０及び基板２０の間には、第１の界面層４１、第２の界面層４２、第３の界面層４３、及び第４の界面層４４が形成されている。
第１の界面層４１は、金属電極１２と金属電極２２との界面に設けられている。第１の界面層４１は、第１の金属元素及び第２の金属元素の少なくとも一方と第３の金属元素とを含有する。第３の金属元素は、例えばマンガン（Ｍｎ）である。また、上述したように、第１の金属元素及び第２の金属元素が銅（Ｃｕ）である場合、第１の界面層４１には、Ｃｕ（銅）及びＭｎ（マンガン）が含有されている。また、第１の界面層４１は導電性を有しており、第１の界面層４１を介した金属電極１２、２２間の導通を実現できる。
第１の界面層４１は、金属電極１２と金属電極２２との界面に設けられている。第１の界面層４１は、第１の金属元素及び第２の金属元素の少なくとも一方と第３の金属元素とを含有する。第３の金属元素は、例えばマンガン（Ｍｎ）である。また、上述したように、第１の金属元素及び第２の金属元素が銅（Ｃｕ）である場合、第１の界面層４１には、Ｃｕ（銅）及びＭｎ（マンガン）が含有されている。また、第１の界面層４１は導電性を有しており、第１の界面層４１を介した金属電極１２、２２間の導通を実現できる。
第２の界面層４２は、絶縁層１３と絶縁層２３との界面に設けられている。第２の界面層４２は、第１の元素及び第２の元素の少なくとも一方と第３の金属元素と酸素（Ｏ）とを含有する。上述したように、第１の元素及び第２の元素はシリコン（Ｓｉ）であり、第３の金属元素は、マンガン（Ｍｎ）であることから、第２の界面層４２は、マンガン（Ｍｎ）、及びシリコン（Ｓｉ）が含有された酸化物で形成されている。
第２の界面層４２は絶縁性を有する。また、第２の界面層４２により、金属電極１２、金属電極２２、第１の界面層４１、後述する第３の界面層４３及び第４の界面層４４に含まれる第１及び第２の金属元素（ここでは、銅（Ｃｕ））が、互いに隣り合う金属電極１２間、及び互いに隣り合う金属電極２２間で拡散することを抑制することができる。
このように、第２の界面層４２により、基板１０内の金属電極１２同士の間、及び基板２０内の金属電極２２同士の間の漏れ電流を抑制することができる。
基板１０の金属電極１２の位置は基板２０の金属電極２２の位置と一致することが理想である。しかしながら、基板１０と基板２０とを貼り合わせる場合、基板１０の金属電極１２の位置と基板２０の金属電極２２の位置とがずれてしまう場合がある。このような場合、それらの界面には、第３の界面層４３、及び第４の界面層４４が形成される。
基板１０の金属電極１２の位置は基板２０の金属電極２２の位置と一致することが理想である。しかしながら、基板１０と基板２０とを貼り合わせる場合、基板１０の金属電極１２の位置と基板２０の金属電極２２の位置とがずれてしまう場合がある。このような場合、それらの界面には、第３の界面層４３、及び第４の界面層４４が形成される。
第３の界面層４３は、基板１０の金属電極１２と基板２０の絶縁層２３との界面に設けられている。第３の界面層４３は、第１の部分４３ａと第２の部分４３ｂとを有する。第１の部分４３ａは、第１の金属元素（銅（Ｃｕ））と第３の金属元素（マンガン（Ｍｎ））とを含有する。第１の部分４３ａは、第３の界面層４３における金属電極１２側に設けられている。第２の部分４３ｂは、第２の元素（シリコン（Ｓｉ））と第３の金属元素（マンガン（Ｍｎ））と酸素（Ｏ）とを含有する。また、第２の部分４３ｂは、第３の界面層４３における絶縁層２３側に設けられている。
第４の界面層４４は、基板１０の絶縁層１３と基板２０の金属電極２２との界面に設けられている。第４の界面層４４は、第１の部分４４ａと第２の部分４４ｂとを有している。
第１の部分４４ａは、第２の金属元素（銅（Ｃｕ））と第３の金属元素（Ｍｎ（マンガン））とを含有する。また、第１の部分４４ａは、第４の界面層４４における金属電極２２側に設けられている。第２の部分４４ｂは、第１の元素（シリコン（Ｓｉ））と第３の金属元素（マンガン（Ｍｎ））と酸素（Ｏ）とを含有する。また、第２の部分４４ｂは、第４の界面層４４における絶縁層１３側に設けられている。
第１の部分４４ａは、第２の金属元素（銅（Ｃｕ））と第３の金属元素（Ｍｎ（マンガン））とを含有する。また、第１の部分４４ａは、第４の界面層４４における金属電極２２側に設けられている。第２の部分４４ｂは、第１の元素（シリコン（Ｓｉ））と第３の金属元素（マンガン（Ｍｎ））と酸素（Ｏ）とを含有する。また、第２の部分４４ｂは、第４の界面層４４における絶縁層１３側に設けられている。
第３の界面層４３の第２の部分４３ｂは、基板１０の金属電極１２、第１の界面層４１及び第３の界面層４３の第１の部分４３ａから銅（Ｃｕ）が基板２０の絶縁層２３に拡散することを抑制できる。同様に、第４の界面層４４の第２の部分４４ｂは、基板２０の金属電極２２、第１の界面層４１及び第４の界面層４４の第１の部分４４ａから銅（Ｃｕ）が基板１０の絶縁層１３に拡散することを抑制できる。
次に、実施形態に係る半導体装置１の製法方法を図２及び図３を用いて説明する。
まず、図２に示すような構造を形成する。なお、以下の説明では、便宜上、基板１０の工程と基板２０の工程とを並列に記述しているが、基板１０の工程と基板２０の工程とはそれぞれ独立して行われる。
まず、図２に示すような構造を形成する。なお、以下の説明では、便宜上、基板１０の工程と基板２０の工程とを並列に記述しているが、基板１０の工程と基板２０の工程とはそれぞれ独立して行われる。
図２に示すように、基板１０においては下部構造１１を形成し、基板２０においては下部構造２１を形成する。
次に、基板１０の下部構造１１上に絶縁層１３を、基板２０の下部構造２１上に絶縁層２３を形成する。絶縁層１３及び絶縁層２３は、ＣＶＤ法等を用いて形成される。
次に、基板１０の下部構造１１上に絶縁層１３を、基板２０の下部構造２１上に絶縁層２３を形成する。絶縁層１３及び絶縁層２３は、ＣＶＤ法等を用いて形成される。
次に、基板１０においてはバリアメタル層１２ａを、基板２０においてはバリアメタル層２２ａを形成する。ここでは、基板１０の絶縁層１３上にレジスト膜を形成し、そのレジスト膜をマスクとしてドライエッチング処理を行うことで、絶縁層１３に溝を形成し、その形成された溝の側面及び底面と絶縁層１３表面にバリアメタル層１２ａを形成する。バリアメタル層１２ａは、チタン（Ｔｉ）、タリウム（Ｔａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、又はそれらの窒化物（窒化チタン（ＴｉＮ）、ＴａＮ（窒化タリウム）、窒化ルテニウム（ＲｕＮ））などをＡｒ／Ｎ２雰囲気中でスパッタリングすることで生成される。バリアメタル層２２ａも同様にして、基板２０に形成される。
次に、基板１０においてはバリアメタル層１２ａが形成された溝に金属電極１２を形成し、基板２０においてはバリアメタル層２２ａが形成された溝に金属電極２２を形成する。金属電極１２及び金属電極２２は電解メッキ法により、銅（Ｃｕ）で形成される。
さらに、基板１０においては金属電極１２及びバリアメタル層１２ａを、基板２０においては金属電極２２及びバリアメタル層２２ａをＣＭＰ等によって研磨して平坦化することで図２に示す状態になる。即ち、基板１０の表面に金属電極１２、バリアメタル層１２ａ、及び絶縁層１３が露出した状態になる。同様に、基板２０の表面に金属電極２２、バリアメタル層２２ａ、及び絶縁層２３が露出した状態になる。
次に、図３に示すように、スパッタ法を用いて、基板１０においては金属電極１２上及び絶縁層１３上にＭｎ層３０ａを形成し、基板２０においては金属電極２２上及び絶縁層２３上にＭｎ層３０ｂを形成する。この際のＭｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ｂの厚さは、例えば２ｎｍである。
次に、基板１０及び基板２０の表面に対して、１分程度Ｎ２プラズマ処理を行う。このＮ２プラズマ処理は、例えば、高周波電源の出力が２５０Ｗ、高周波電源の周波数が３５０ｋＨｚ、Ｎ２の流量が３５ｓｃｃｍ、時間が１分（６０秒）間という条件で行われる。ここでは、Ｎ２プラズマ処理を行うとしたが、Ｍｎ層３０ａ、３０ｂ表面の不純物等を取り除くために追加で水洗処理を行ってもよい。水洗処理に限らず、薬液を用いた処理を行ってもよい。
次に、図１に示すように、基板１０の主面と基板２０の主面とを向い合せて、金属電極１２の位置と金属電極２２の位置とが対応するように基板１０と基板２０とを貼り合わせる。このとき、金属電極１２の位置と金属電極２２の位置とが完全に一致せず、金属電極１２の一部に対向する位置に絶縁層２３が位置し、金属電極２２の一部に対向する位置に絶縁層１３が位置する場合がある。図１は、このような場合について示している。
基板１０及び基板２０を貼り合わせた後、基板１０と基板２０とに熱処理を行う。このとき、例えば、基板１０及び基板２０は、Ｎ２雰囲気、大気圧で、１時間、２５０℃で加熱される。
Ｎ２プラズマ処理及び熱処理を行うことで、金属電極１２及び金属電極２２に含まれる銅（Ｃｕ）が拡散し、Ｍｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ｂ中に導入される。そして、金属電極１２及び金属電極２２の界面には、マンガン（Ｍｎ）と銅（Ｃｕ）とを含む第１の界面層４１が形成される。
Ｎ２プラズマ処理及び熱処理を行うことで、金属電極１２及び金属電極２２に含まれる銅（Ｃｕ）が拡散し、Ｍｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ｂ中に導入される。そして、金属電極１２及び金属電極２２の界面には、マンガン（Ｍｎ）と銅（Ｃｕ）とを含む第１の界面層４１が形成される。
また、Ｎ２プラズマ処理及び熱処理を行うことで、絶縁層１３及び絶縁層２３に含まれるシリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）がＭｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ｂ中に導入される。これにより、絶縁層１３及び絶縁層２３の界面には、マンガン（Ｍｎ）、シリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）を含む第２の界面層４２が形成される。
なお、第２の界面層４２に含まれる酸素（Ｏ）は、絶縁層１３及び絶縁層２３から導入されたもの、基板１０、２０同士の貼り合わせ前にＭｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ｂ表面の酸化よってＭｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ａに含まれるに至ったもの、Ｍｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ｂの成膜以降の熱工程中に、基板１０及び基板２０上の絶縁層１３及び絶縁層２３に含有された水分によってＭｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ｂが酸化されることで導入されたものがある。
また、上述した貼り合わせ工程により、金属電極１２の位置と、金属電極２２の位置とが一致していない部分には、第３の界面層及び第４の界面層が形成される。
基板１０及び基板２０表面にＭｎ層を形成しないで、基板１０及び基板２０を貼り合わせる場合、即ち、基板１０の金属電極１２と基板２０の金属電極２２とを直接を接合する場合、貼り合わせずれが生じることで以下の問題が生じる。貼り合わせずれとは、基板１０の金属電極１２と基板２０の絶縁層２３とが接触する部分、基板２０の金属電極２２と基板１０の絶縁層１３とが接触する部分が生じることである。
基板１０及び基板２０表面にＭｎ層を形成しないで、基板１０及び基板２０を貼り合わせる場合、即ち、基板１０の金属電極１２と基板２０の金属電極２２とを直接を接合する場合、貼り合わせずれが生じることで以下の問題が生じる。貼り合わせずれとは、基板１０の金属電極１２と基板２０の絶縁層２３とが接触する部分、基板２０の金属電極２２と基板１０の絶縁層１３とが接触する部分が生じることである。
貼り合わせずれの部分では、一方の基板の金属電極を構成する銅（Ｃｕ）が、他方の基板の絶縁層中に拡散してしまう。これにより、半導体装置１の電気特性、信頼性が低下するおそれがある。また、絶縁層１３及び絶縁層２３同士の接合界面はバルクの絶縁層と異なり微小な欠陥が存在すると、金属電極１２及び２２を構成する銅（Ｃｕ）が拡散しやすいため、金属電極１２及び金属電極２２を構成する銅（Ｃｕ）が界面を拡散し得る。この場合、同じ基板内の金属電極間でショートしたり、金属電極間のＴＤＤＢ劣化が生じる。
また、基板１０の表面は、金属電極（銅（Ｃｕ））１２と絶縁層（シリコン酸化物（ＳｉＯ２））１３とバリアメタル層１２ａとで構成されている。即ち、基板１０表面は異なる材料で構成された複数の層が露出している。このため、基板１０及び基板２０を接合する前の処理を最適化することが難しい。例えば、絶縁層１３を接合に適した状態にするためにプラズマ処理、洗浄などを実行した場合、金属電極１２表面が酸化してしまう。基板２０についても同様である。
また、基板１０及び基板２０表面にＭｎ層を形成しない場合、基板１０及び基板２０の表面の金属電極部分に凹みを有する状態で基板１０及び基板２０を貼り合わせ、熱処理を行うことで、金属電極１２、２２を膨張させて基板１０の金属電極１２と基板２０の金属電極２２とを接合していた。この場合、貼り合わせずれ部分において隙間が生じることがあり、基板１０、２０同士を強固に貼り付けることが難しい。
これに対して、本実施形態における半導体装置１は、基板１０及び基板２０の表面にそれぞれＭｎ層３０ａ、３０ｂを形成した後、基板１０、２０同士の接合前処理（Ｎ２プラズマ処理）、基板１０、２０同士の貼り合わせ、接合後処理（熱処理）を行うことで、上述したように、基板１０及び基板２０の界面に、絶縁性を有し、金属元素（銅（Ｃｕ））の拡散を抑制する性質を有する第２の界面層４２が形成される。このため、基板１０及び基板２０を接合した後において、同一基板内の金属電極間における漏れ電流を抑制することができる。よって、同一基板内での金属電極間でのショート、金属電極間のＴＤＤＢ劣化を抑制できる。
また、基板１０及び基板２０の界面には、導電性を有する第１の界面層４１が形成されるため、基板１０の金属電極１２と基板２０の金属電極２２間の導通を確保できる。
さらに基板１０と基板２０との貼り合わせずれの部分には、第３の界面層４３と第４の界面層４４が形成されるため、金属電極１２、２２を構成する金属元素（Ｃｕ）が、他方の基板の絶縁層中へ拡散することを抑制できる。
さらに基板１０と基板２０との貼り合わせずれの部分には、第３の界面層４３と第４の界面層４４が形成されるため、金属電極１２、２２を構成する金属元素（Ｃｕ）が、他方の基板の絶縁層中へ拡散することを抑制できる。
また、基板１０及び基板２０の接合界面全面がマンガン（Ｍｎ）を主成分とする層から構成されるため、接合前処理の最適化が容易となる。例えば、Ｎ２プラズマ処理、水洗処理による金属電極の酸化を防止できる。
また、第１〜第４の界面層４１、４２、４３、４４は、高い密着性を有しており、基板１０と基板２０とを強固に接合することが可能である。
また、第１〜第４の界面層４１、４２、４３、４４は、高い密着性を有しており、基板１０と基板２０とを強固に接合することが可能である。
したがって、上述した基板１０の金属電極１２と基板２０の金属電極２２との貼り合わせずれが生じる場合の問題点を改善できる。
なお、金属電極１２に含まれる第１の金属元素として、銅（Ｃｕ）の代わりにタングステン（Ｗ）が用いられてもよい。金属電極２２に含まれる第２の金属元素についても同様、銅（Ｃｕ）の代わりにタングステン（Ｗ）が用いられてもよい。
なお、金属電極１２に含まれる第１の金属元素として、銅（Ｃｕ）の代わりにタングステン（Ｗ）が用いられてもよい。金属電極２２に含まれる第２の金属元素についても同様、銅（Ｃｕ）の代わりにタングステン（Ｗ）が用いられてもよい。
また、第１〜第４の界面層４１、４２、４３、４４の主成分である第３の金属元素はマンガン（Ｍｎ）であるとして説明したが、第１〜第４の界面層４１、４２、４３、４４には主成分として、Ｍｎ（マンガン）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、クロム（Ｃｒ）、イットリウム（Ｙ）、テクネチウム（Ｔｃ）及びレニウム（Ｒｅ）から選択された金属元素が含まれればよい。
なお、上述した説明において、図３に示すＭｎ層を形成する工程において、基板１０及び基板２０にそれぞれＭｎ層３０ａ，３０ｂを形成するとしたが、一方の基板のみにＭｎ層を形成し、基板１０と基板２０とを貼り合わせてもよい。
また、第１の界面層４１にはさらに酸素（Ｏ）が含有されていてもよい。即ち、図３に示す、基板１０及び基板２０それぞれにＭｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ｂを形成することに替えて、マンガン酸化物（ＭｎＯ２）層を形成してもよい。
また、第１の界面層４１にはさらに酸素（Ｏ）が含有されていてもよい。即ち、図３に示す、基板１０及び基板２０それぞれにＭｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ｂを形成することに替えて、マンガン酸化物（ＭｎＯ２）層を形成してもよい。
以上、本実施形態によれば、基板間の良好な界面特性を有する複数の基板同士が接合された半導体装置を提供できる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１…半導体装置 １０…基板 １１…下部構造 １２…金属電極
１２ａ…バリアメタル層 １３…絶縁層 ２０…基板 ２１…下部構造
２２…金属電極 ２２ａ…バリアメタル層 ２３…絶縁層
３０ａ，３０ｂ…Ｍｎ層 ４１…第１の界面層 ４２…第２の界面層
４３…第３の界面層 ４３ａ…第１の部分 ４３ｂ…第２の部分
４４…第４の界面層 ４４ａ…第１の部分 ４４ｂ…第２の部分
１２ａ…バリアメタル層 １３…絶縁層 ２０…基板 ２１…下部構造
２２…金属電極 ２２ａ…バリアメタル層 ２３…絶縁層
３０ａ，３０ｂ…Ｍｎ層 ４１…第１の界面層 ４２…第２の界面層
４３…第３の界面層 ４３ａ…第１の部分 ４３ｂ…第２の部分
４４…第４の界面層 ４４ａ…第１の部分 ４４ｂ…第２の部分
Claims (7)
- 第１の金属元素を含有する第１の金属層と、第１の元素及び酸素（Ｏ）を含有する第１の絶縁層とを含む第１の基板と、
第２の金属元素を含有する第２の金属層と、第２の元素及び酸素（Ｏ）を含有する第２の絶縁層とを含む第２の基板と、
前記第１の金属層と前記第２の金属層との界面に設けられ、前記第１の金属元素及び前記第２の金属元素の少なくとも一方と第３の金属元素とを含有し、導電性を有する第１の界面層と、
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との界面に設けられ、前記第１の元素及び前記第２の元素の少なくとも一方と前記第３の金属元素と酸素（Ｏ）とを含有し、絶縁性を有する第２の界面層と、
前記第１の金属層と前記第２の絶縁層との界面に設けられ、前記第１の金属元素と前記第３の金属元素とを含有し且つ前記第１の金属層側に設けられた第１の部分と、前記第２の元素と前記第３の金属元素と酸素（Ｏ）とを含有し且つ前記第２の絶縁層側に設けられた第２の部分とを含む第３の界面層と
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 第１の金属元素を含有する第１の金属層と、第１の元素及び酸素（Ｏ）を含有する第１の絶縁層とを含む第１の基板と、
第２の金属元素を含有する第２の金属層と、第２の元素及び酸素（Ｏ）を含有する第２の絶縁層とを含む第２の基板と、
前記第１の金属層と前記第２の金属層との界面に設けられ、前記第１の金属元素及び前記第２の金属元素の少なくとも一方と第３の金属元素とを含有し、導電性を有する第１の界面層と、
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との界面に設けられ、前記第１の元素及び前記第２の元素の少なくとも一方と前記第３の金属元素と酸素（Ｏ）とを含有し、絶縁性を有する第２の界面層と、
前記第２の金属層と前記第１の絶縁層との界面に設けられ、前記第２の金属元素と前記第３の金属元素とを含有し且つ前記第２の金属層側に設けられた第１の部分と、前記第１の元素と前記第３の金属元素と酸素（Ｏ）とを含有し且つ前記第１の絶縁層側に設けられた第２の部分とを含む第４の界面層と
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第１の金属元素は、銅（Ｃｕ）及びタングステン（Ｗ）から選択され、
前記第２の金属元素は、銅（Ｃｕ）及びタングステン（Ｗ）から選択されることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。 - 前記第１の元素及び前記第２の元素はシリコン（Ｓｉ）であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
- 前記第３の金属元素は、マンガン（Ｍｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、クロム（Ｃｒ）、イットリウム（Ｙ）、テクネチウム（Ｔｃ）及びレニウム（Ｒｅ）から選択されることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
- 第１の金属元素を含有する第１の金属層と、第１の元素及び酸素（Ｏ）を含有する第１の絶縁層とを含む第１の基板と、
第２の金属元素を含有する第２の金属層と、第２の元素及び酸素（Ｏ）を含有する第２の絶縁層とを含む第２の基板と、
前記第１の金属層と前記第２の金属層との界面に設けられ、前記第１の金属元素及び前記第２の金属元素の少なくとも一方と第３の金属元素とを含有し、導電性を有する第１の界面層と、
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との界面に設けられ、前記第１の元素及び前記第２の元素の少なくとも一方と前記第３の金属元素と酸素（Ｏ）とを含有し、絶縁性を有する第２の界面層と
を備え、
前記第１の界面層は、銅（Ｃｕ）、マンガン（Ｍｎ）及び酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第２の界面層は、シリコン（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）及びマンガン（Ｍｎ）を含有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018166985A JP6903612B2 (ja) | 2018-09-06 | 2018-09-06 | 半導体装置 |
| CN201910137521.4A CN110880452A (zh) | 2018-09-06 | 2019-02-25 | 半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018166985A JP6903612B2 (ja) | 2018-09-06 | 2018-09-06 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020043120A JP2020043120A (ja) | 2020-03-19 |
| JP6903612B2 true JP6903612B2 (ja) | 2021-07-14 |
Family
ID=69727529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018166985A Active JP6903612B2 (ja) | 2018-09-06 | 2018-09-06 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6903612B2 (ja) |
| CN (1) | CN110880452A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022095359A (ja) | 2020-12-16 | 2022-06-28 | キオクシア株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4589835B2 (ja) * | 2005-07-13 | 2010-12-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2007103546A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8377822B2 (en) * | 2010-05-21 | 2013-02-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP5994274B2 (ja) * | 2012-02-14 | 2016-09-21 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 |
| JP2015079901A (ja) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2016219660A (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-22 | ソニー株式会社 | 半導体装置、製造方法、固体撮像素子、および電子機器 |
| KR102505856B1 (ko) * | 2016-06-09 | 2023-03-03 | 삼성전자 주식회사 | 웨이퍼 대 웨이퍼 접합 구조체 |
-
2018
- 2018-09-06 JP JP2018166985A patent/JP6903612B2/ja active Active
-
2019
- 2019-02-25 CN CN201910137521.4A patent/CN110880452A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110880452A (zh) | 2020-03-13 |
| JP2020043120A (ja) | 2020-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6212720B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP6330151B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP5304536B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP6031765B2 (ja) | 半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法 | |
| TWI701741B (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
| JP2011054637A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| TWI712140B (zh) | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 | |
| JP2006019325A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR20070009524A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| US20190244856A1 (en) | Semiconductor device | |
| JP6903612B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR20070009966A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JP2018125325A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4910560B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2005150280A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
| JP2600593B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2005203680A (ja) | インターポーザキャパシタの製造方法 | |
| JP2019114607A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2015002219A (ja) | 半導体ウエハにおける成膜方法 | |
| KR20140038564A (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR100622637B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 구조 및 그 형성방법 | |
| JP2018060885A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4007317B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| TW202414562A (zh) | 基板接合方法及接合基板 | |
| JP2009054646A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200316 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210224 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210226 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210409 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210525 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210623 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6903612 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |