JP6900852B2 - フルオロビフェニルを有する誘電率異方性が負の液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents

Description

本発明は液晶性化合物、液晶組成物、および液晶表示素子に関する。さらに詳しくは、フルオロビフェニルを有する誘電率異方性が負の液晶性化合物、これを含有する液晶組成物、およびこの組成物を含む液晶表示素子に関する。

液晶表示素子は、パソコン、テレビなどのディスプレイに広く利用されている。この素子は、液晶性化合物の光学異方性、誘電率異方性などの物性を利用したものである。液晶表示素子の動作モードとしては、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＢＴＮ（bistable twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）、ＦＦＳ（fringe field switching）、ＰＳＡ（polymer sustained alignment）などのモードがある。ＰＳＡモードの素子では、重合体を含有する液晶組成物が用いられる。この組成物では、重合体によって液晶分子の配向を制御することが可能になる。

このような液晶表示素子では、適切な物性を有する液晶組成物が使われている。素子の特性をさらに向上させるには、この組成物に含まれる液晶性化合物が、次の（１）から（８）で示す物性を有するのが好ましい。（１）熱や光に対する高い安定性、（２）高い透明点、（３）液晶相の低い下限温度、（４）小さな粘度（η）、（５）適切な光学異方性（Δｎ）、（６）大きな誘電率異方性（Δε）、（７）適切な弾性定数（Ｋ）、（８）他の液晶性化合物との良好な相溶性。

液晶性化合物の物性が素子の特性に及ぼす効果は、次のとおりである。（１）のように、熱や光に対する高い安定性を有する化合物は、素子の電圧保持率を上げる。これによって、素子の寿命が長くなる。（２）のように、高い透明点を有する化合物は、素子の使用可能な温度範囲を広げる。（３）のように、ネマチック相、スメクチック相などのような液晶相の低い下限温度、特にネマチック相の低い下限温度を有する化合物も、素子の使用可能な温度範囲を広げる。（４）のように、粘度の小さな化合物は、素子の応答時間を短くする。

素子の設計に応じて、（５）のように適切な光学異方性、すなわち大きな光学異方性または小さな光学異方性、を有する化合物が必要である。素子のセルギャップを小さくすることにより応答時間を短くする場合には、大きな光学異方性を有する化合物が適している。（６）のように大きな誘電率異方性を有する化合物は、素子のしきい値電圧を下げる。これによって、素子の消費電力が小さくなる。一方、小さな誘電率異方性を有する化合物は、組成物の粘度を下げることによって、素子の応答時間を短くする。この化合物は、ネマチック相の上限温度を上げることによって素子の使用可能な温度範囲を広げる。

（７）に関しては、大きな弾性定数を有する化合物は、素子の応答時間を短くする。小さな弾性定数を有する化合物は、素子のしきい値電圧を下げる。したがって、向上させたい特性に応じて適切な弾性定数が必要になる。（８）のように他の液晶性化合物との良好な相溶性を有する化合物が好ましい。これは、異なった物性を有する液晶性化合物を混合して、組成物の物性を調節するからである。素子を氷点下の温度で使うこともあるので、低い温度で良好な相溶性を有する化合物が好ましい。

これまでに、大きな光学異方性を有する液晶性化合物が種々合成されてきた。粘度が小さい液晶性化合物も合成されてきた。新規な化合物には、従来の化合物にはない良好な物性が期待されるからである。新規な化合物が組成物における少なくとも２つの物性に適切なバランスを付与することもあるからである。このような状況から、上記の物性（１）から（８）に関して良好な物性と適切なバランスを有する化合物が望まれている。

特許文献１は、化合物（Ｓ−１）を２９頁に開示する。

特許文献２は、３５頁に化合物（Ｓ−２）を開示する。

特開２００５−２９８７３３号公報 国際公開第２０１６／１５２４０５号

第一の課題は、熱や光に対する高い安定性、高い透明点（またはネマチック相の高い上限温度）、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、適切な弾性定数、室温および低温における他の液晶性化合物との良好な相溶性などの物性の少なくとも１つを充足する液晶性化合物を提供することである。大きな光学的異方性、小さな粘度、低温における他の液晶性化合物との良好な相溶性を併せ持つ化合物を提供することである。第二の課題は、この化合物を含有し、熱や光に対する高い安定性、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、適切な弾性定数などの物性の少なくとも１つを充足する液晶組成物を提供することである。この課題は、少なくとも２つの物性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。第三の課題は、この組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、小さなフリッカ率、および長い寿命を有する液晶表示素子を提供することである。

式（１）で表される化合物。

式（１）において、
Ｒ^１は、１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられた炭素数２から１０のアルキルであり、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、１つの水素はフッ素または塩素で置き換えられてもよく；
Ｒ^２は、炭素数１から８のアルキルまたは炭素数２から８のアルケニルであり；
環Ａ^１は、１，４−シクロヘキシレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、または２−フルオロ−１，４−フェニレンであり；
Ｙ^１およびＹ^２は共に水素である。またはＹ^１およびＹ^２の一方は水素であり、他方はフッ素であり；
Ｚ^１は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；
ｎ^１は、１または２である。

第一の長所は、熱や光に対する高い安定性、高い透明点（またはネマチック相の高い上限温度）、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、適切な弾性定数、他の液晶性化合物との良好な相溶性などの物性の少なくとも１つを充足する液晶性化合物を提供することである。類似の化合物と比較して、光学的異方性が大きく、粘度が小さく、低温における他の化合物との良好な相溶性を併せ持つ化合物を提供することである（比較例１、比較例２）。第二の長所は、この化合物を含有し、熱や光に対する高い安定性、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、適切な弾性定数などの物性の少なくとも１つを充足する液晶組成物を提供することである。この長所は、少なくとも２つの物性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。第三の長所は、この組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、小さなフリッカ率、および長い寿命を有する液晶表示素子を提供することである。

この明細書における用語の使い方は、次のとおりである。「液晶性化合物」、「液晶組成物」、および「液晶表示素子」の用語をそれぞれ「化合物」、「組成物」、および「素子」と略すことがある。「液晶性化合物」は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物、および液晶相を有しないが、上限温度、下限温度、粘度、誘電率異方性のような組成物の物性を調節する目的で添加する化合物の総称である。この化合物は、１，４−シクロヘキシレンや１，４−フェニレンのような六員環を有し、その分子構造は棒状（rod like）である。「液晶表示素子」は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。「重合性化合物」は、組成物中に重合体を生成させる目的で添加する化合物である。

液晶組成物は、複数の液晶性化合物を混合することによって調製される。この組成物に、物性をさらに調整する目的で添加物が添加される。重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、色素、および消泡剤のような添加物が必要に応じて添加される。液晶性化合物や添加物は、このような手順で混合される。液晶性化合物の割合（含有量）は、添加物を添加した場合であっても、添加物を含まない液晶組成物の重量に基づいた重量百分率（重量％）で表される。添加物の割合（添加量）は、添加物を含まない液晶組成物の重量に基づいた重量百分率（重量％）で表される。重量百万分率（ｐｐｍ）が用いられることもある。重合開始剤および重合禁止剤の割合は、例外的に重合性化合物の重量に基づいて表される。

「透明点」は、液晶性化合物における液晶相−等方相の転移温度である。「液晶相の下限温度」は、液晶性化合物における固体−液晶相（スメクチック相、ネマチック相など）の転移温度である。「ネマチック相の上限温度」は、液晶性化合物と母液晶との混合物または液晶組成物におけるネマチック相−等方相の転移温度であり、「上限温度」と略すことがある。「ネマチック相の下限温度」を「下限温度」と略すことがある。「誘電率異方性を上げる」の表現は、誘電率異方性が正である組成物のときは、その値が正に増加することを意味し、誘電率異方性が負である組成物のときは、その値が負に増加することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期段階において室温だけでなく上限温度に近い温度でも大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく上限温度に近い温度でも大きな電圧保持率を有することを意味する。組成物や素子では、経時変化試験（加速劣化試験を含む）の前後で特性が検討されることがある。

式（１）で表される化合物を化合物（１）と略すことがある。式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を化合物（１）と略すことがある。「化合物（１）」は、式（１）で表される１つの化合物、２つの化合物の混合物、または３つ以上の化合物の混合物を意味する。これらのルールは、他の式で表される化合物についても適用される。式（１）から（１５）において、六角形で囲んだＡ^１、Ｂ^１、Ｃ^１などの記号はそれぞれ環Ａ^１、環Ｂ^１、環Ｃ^１などの環に対応する。六角形は、シクロヘキサンやベンゼンのような六員環を表す。六角形がナフタレンのような縮合環や、アダマンタンのような架橋環を表すことがある。

成分化合物の化学式において、末端基Ｒ^１１の記号を複数の化合物に用いた。これらの化合物において、任意の２つのＲ^１１が表す２つの基は同一であってもよく、または異なってもよい。例えば、化合物（２）のＲ^１１がエチルであり、化合物（３）のＲ^１１がエチルであるケースがある。化合物（２）のＲ^１１がエチルであり、化合物（３）のＲ^１１がプロピルであるケースもある。このルールは、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｚ^１１などの記号にも適用される。化合物（１５）において、ｉが２のとき、２つの環Ｅ^１が存在する。この化合物において２つの環Ｅ^１が表す２つの基は、同一であってもよく、または異なってもよい。ｉが２より大きいとき、任意の２つの環Ｅ^１にも適用される。このルールは、他の記号にも適用される。

「少なくとも１つの‘Ａ’」の表現は、‘Ａ’の数が任意であることを意味する。「少なくとも１つの‘Ａ’は、‘Ｂ’で置き換えられてもよい」の表現は、‘Ａ’の数が１つのとき、‘Ａ’の位置は任意であり、‘Ａ’の数が２つ以上のときも、それらの位置は制限なく選択できることを意味する。このルールは、「少なくとも１つの‘Ａ’が、‘Ｂ’で置き換えられた」の表現にも適用される。「少なくとも１つの‘Ａ’が、‘Ｂ’、‘Ｃ’、または‘Ｄ’で置き換えられてもよい」という表現は、任意の‘Ａ’が‘Ｂ’で置き換えられた場合、任意の‘Ａ’が‘Ｃ’で置き換えられた場合、および任意の‘Ａ’が‘Ｄ’で置き換えられた場合、さらに複数の‘Ａ’が‘Ｂ’、‘Ｃ’、および／または‘Ｄ’の少なくとも２つで置き換えられた場合を含むことを意味する。例えば、「少なくとも１つの−ＣＨ_２−が−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよいアルキル」には、アルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニル、アルコキシアルケニル、アルケニルオキシアルキルが含まれる。なお、連続する２つの−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられて、−Ｏ−Ｏ−のようになることは好ましくない。アルキルなどにおいて、メチル部分（−ＣＨ_２−Ｈ）の−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられて−Ｏ−Ｈになることも好ましくない。

「Ｒ^１１およびＲ^１２は独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよい」の表現が使われることがある。この表現において、「これらの基において」は、文言どおりに解釈してよい。この表現では、「これらの基」は、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルケニルオキシなどを意味する。すなわち、「これらの基」は、「これらの基において」の用語よりも前に記載された基の総てを表す。この常識的な解釈は、「これらの一価基において」や「これらの二価基において」の用語にも適用される。例えば、「これらの一価基」は、「これらの一価基において」の用語よりも前に記載された基の総てを表す。

ハロゲンはフッ素、塩素、臭素、およびヨウ素を意味する。好ましいハロゲンは、フッ素および塩素である。さらに好ましいハロゲンはフッ素である。液晶性化合物のアルキルは直鎖状または分岐状であり、環状アルキルを含まない。直鎖状アルキルは、一般的に分岐状アルキルよりも好ましい。これらのことは、アルコキシ、アルケニルなどの末端基についても同様である。１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、上限温度を上げるためにシスよりもトランスが好ましい。２−フルオロ−１，４−フェニレンは、下記の２つの二価基を意味する。化学式において、フッ素は左向き（Ｌ）であってもよいし、右向き（Ｒ）であってもよい。このルールは、テトラヒドロピラン−２，５−ジイルのような、環から水素を２つ除くことによって生成した非対称な二価基にも適用される。

本発明は、下記の項などである。

項１．式（１）で表される化合物。

式（１）において、
Ｒ^１は、１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられた炭素数２から１０のアルキルであり、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、１つの水素はフッ素または塩素で置き換えられてもよく；
Ｒ^２は、炭素数１から８のアルキルまたは炭素数２から８のアルケニルであり；
環Ａ^１は、１，４−シクロヘキシレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、または２−フルオロ−１，４−フェニレンであり；
Ｙ^１およびＹ^２は共に水素である。またはＹ^１およびＹ^２の一方は水素であり、他方はフッ素であり；
Ｚ^１は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；
ｎ^１は、１または２である。
項２． 式（１−１）から（１−３）のいずれか１つで表される、項１に記載の化合物。

式（１−１）から（１−３）において、
Ｒ^１は、１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられた炭素数２から１０のアルキルであり、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、１つの水素はフッ素または塩素で置き換えられてもよく；
Ｒ^２は、炭素数１から８のアルキルまたは炭素数２から８のアルケニルであり；
環Ａ^１および環Ａ^２は独立して、１，４−シクロヘキシレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、または２−フルオロ−１，４−フェニレンであり；
Ｙ^１およびＹ^２は共に水素である。またはＹ^１およびＹ^２の一方は水素であり、他方はフッ素であり；
Ｚ^１は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−である。
項３．式（１−１）から（１−３）において、
Ｒ^１が、１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられた炭素数２から８のアルキルである項２に記載の化合物。
項４． 式（１−４）または（１−５）で表される、項１に記載の化合物。

式（１−４）および（１−５）において、
Ｒ^１は、１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられた炭素数２から８のアルキルであり；
Ｒ^２は、炭素数１から６のアルキルまたは炭素数２から６のアルケニルであり；
Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、およびＹ^４は全て水素である。または、Ｙ^１およびＹ^２の一方は水素であり、他方はフッ素であり、Ｙ^３およびＹ^４の一方は水素であり、他方はフッ素であり；
；
Ｚ^１は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＣＨ＝ＣＨ−である。
項５．式（１−４）および（１−５）において、Ｚ^１が単結合である、項４に記載の化合物。
項６． 式（１−６）で表される、項１に記載の化合物。

式（１−６）において、
Ｒ^１は、１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられた炭素数２から８のアルキルであり；
Ｒ^２は、炭素数１から６のアルキルである。
項７．
項１から６のいずれか１項に記載の化合物を少なくとも１つ含有する液晶組成物。

項８．
式（２）から（４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項７に記載の液晶組成物。

式（２）から（４）において、
Ｒ^１１およびＲ^１２は独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
環Ｂ^１、環Ｂ^２、環Ｂ^３、および環Ｂ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または−Ｃ≡Ｃ−である。

ただし、式（３）において、Ｒ^１１が二重結合を含み、環Ｂ^３が２−フルオロ−１，４−フェニレンであるとき、環Ｂ^２は１，４−シクロヘキシレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
式（４）において、Ｒ^１１が二重結合を含み、環Ｂ^４が２−フルオロ−１，４−フェニレンであるとき、環Ｂ^３は１，４−シクロヘキシレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
式（３）および（４）において、Ｒ^１２が二重結合を含み、環Ｂ^１が２−フルオロ−１，４−フェニレンであるとき、環Ｂ^２は１，４−シクロヘキシレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルである。
項９．
式（１２）から（１４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項７または８に記載の液晶組成物。

式（１２）から（１４）において、
Ｒ^１６は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｘ^１１は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、または−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３であり；
環Ｄ^１、環Ｄ^２、および環Ｄ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１８、Ｚ^１９、およびＺ^２０は独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり；
Ｌ^１３およびＬ^１４は独立して、水素またはフッ素である。
項１０．
式（１５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項７から９のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（１５）において、
Ｒ^１７は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換られてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｘ^１２は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
環Ｅ^１は、１，４−シクロヘキシレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^２１は、単結合、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、または−Ｃ≡Ｃ−であり；
Ｌ^１５およびＬ^１６は独立して、水素またはフッ素であり；
ｉは、１、２、３、または４である。
項１１．
項７から１０のいずれか１項に記載の液晶組成物を含む液晶表示素子。

本発明は、次の項も含む。（ａ）少なくとも１つの光学活性化合物および／または重合性化合物をさらに含有する、上記の組成物。（ｂ）少なくとも１つの酸化防止剤および／または紫外線吸収剤をさらに含有する、上記の組成物。

本発明は、次の項も含む。（ｃ）重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、色素、および消泡剤の群から選択された１つ、２つ、または少なくとも３つの添加物をさらに含有する、上記の組成物。（ｄ）ネマチック相の上限温度が７０℃以上であり、波長５８９ｎｍにおける光学異方性（２５℃で測定）が０．０８以上であり、そして周波数１ｋＨｚにおける誘電率異方性（２５℃で測定）が−２以下である、上記の組成物。

本発明は、次の項も含む。（ｅ）上記の組成物を含有し、そしてＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡ、ＦＦＳ、ＦＰＡ、またはＰＳＡのモードを有する素子。（ｆ）上記の組成物を含むＡＭ素子。（ｇ）上記の組成物を含む透過型の素子。（ｈ）上記の組成物を、ネマチック相を有する組成物としての使用。（ｉ）上記の組成物に光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用。

化合物（１）の態様、化合物（１）の合成、液晶組成物、および液晶表示素子について順に説明する。

１．化合物（１）の態様

本発明の化合物（１）は少なくともに式（１）に示す１箇所がフッ素化されたビフェニル構造およびそのフッ素のオルト位に結合したアルコキシ基またはアルケニルオキシ基を有し、さらに末端に二重結合を含むことを特徴とする。

この化合物は、素子が通常使用される条件下において物理的および化学的に極めて安定であり、そして他の液晶性化合物との相溶性が良好である。この化合物を含有する組成物は素子が通常使用される条件下で安定である。この組成物を低い温度で保管したとき、この化合物が結晶（または、スメクチック相）として析出する傾向が小さい。この化合物は、組成物の成分に必要な一般的物性、適切な光学異方性、そして適切な誘電率異方性を有する。

化合物（１）における末端基Ｒ^１およびＲ^２、環Ａ^１、結合基Ｚ^１、側方基Ｙ^１およびＹ^２の好ましい例は、以下のとおりである。この例は化合物（１）の下位式にも適用される。化合物（１）において、これらの基を適切に組み合わせることによって、物性を任意に調整することが可能である。化合物の物性に大きな差異がないので、化合物（１）は、^２Ｈ（重水素）、^１３Ｃなどの同位体を天然存在比の量より多く含んでもよい。なお、化合物（１）の記号の定義は、項１に記載したとおりである。

式（１）において、Ｒ^１は、１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられた炭素数２から１０のアルキルであり、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、１つの水素はフッ素または塩素で置き換えられてもよい。

好ましいＲ^１は、アルケニル、アルケニルオキシ、アルケニルオキシアルキル、およびアルコキシアルケニルである。これらの基において、１つの水素がフッ素または塩素で置き換えられてもよい。１つの水素がフッ素で置き換えられた基はさらに好ましい。これらの基において、分岐鎖よりも直鎖の方が好ましい。Ｒ^１が分岐鎖であっても光学活性であるときは好ましい。さらに好ましいＲ^１はアルケニルおよびモノフルオロアルケニルである。

アルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランス配置が好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシス配置が好ましい。

具体的なＲ^１は、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、２−プロペニルオキシ、２−ブテニルオキシ、および２−ペンテニルオキシである。

具体的なＲ^１は、２−フルオロビニル、２−フルオロ−２−ビニル、３−フルオロ−１−プロペニル、および４−フルオロ−１−プロペニルでもある。

さらに好ましいＲ^１は、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、および４−ペンテニルである。最も好ましいＲ^１は、ビニル、１−プロペニル、３−ブテニル、および３−ペンテニルである。

式（１）において、Ｒ^２は、炭素数１から８のアルキルまたは炭素数２から８のアルケニルである。好ましいＲ^２は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、およびペンチルである。

式（１）において、
環Ａ^１は、１，４−シクロヘキシレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、または２−フルオロ−１，４−フェニレンである。

さらに好ましい環Ａ^１は、１，４−シクロヘキシレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、および２−フルオロ−１，４−フェニレンである。

特に好ましい環Ａ^１は、１，４−シクロヘキシレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、および１，４−フェニレンである。最も好ましい環Ａ^１は、１，４−シクロヘキシレンおよび１，４−フェニレンである。

式（１）において、
Ｙ^１およびＹ^２は共に水素である。またはＹ^１およびＹ^２の一方は水素であり、他方はフッ素である。最も好ましいＹ^１およびＹ^２は水素である。

式（１）において、
Ｚ^１は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−である。好ましいＺ^１は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、および−ＣＨ_２Ｏ−である。最も好ましいＺ^１は単結合である。

式（１）において、ｎ^１は、１または２である。
化合物（１）は、三環または四環を有する。化合物（１）が三環を有するときは、他の液晶性化合物との相溶性が良好であり、回転粘度が小さい。化合物（１）が四環を有するときは、上限温度が高く、液晶相の温度範囲が広い。

化合物（１）の末端基、環および結合基を適切に選択することによって、光学異方性、誘電率異方性などの物性を任意に調整することが可能である。末端基Ｒ^１およびＲ^２、環Ａ^１、結合基Ｚ^１の種類が、化合物（１）の物性に及ぼす効果を以下に説明する。

化合物（１）において、Ｒ^１またはＲ^２が直鎖であるときは液晶相の温度範囲が広くそして粘度が小さい。Ｒ^１またはＲ^２が分岐鎖であるとき、他の液晶性化合物との相溶性が良好である。Ｒ^１またはＲ^２が光学活性基である化合物は、キラルドーパントとして有用である。この化合物を組成物に添加することによって、素子に発生するリバース・ツイスト・ドメイン（Reverse twisted domain）を防止することができる。Ｒ^１またはＲ^２が光学活性基でない化合物は、組成物の成分として有用である。Ｒ^１またはＲ^２がアルケニルであるとき、好ましい立体配置は二重結合の位置に依存する。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有する。Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 109およびMol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 327に詳細な説明がある。

環Ａ^１が、１，４−フェニレン、または２−フルオロ−１，４−フェニレンであるとき、光学異方性が大きい。環Ａ^１が、１，４−シクロヘキシレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、または１，３−ジオキサン−２，５−ジイルであるとき、光学異方性が小さい。

環Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであるとき、上限温度が高く、光学異方性が比較的小さく、そして粘度が小さい。環Ａ^１が１，４−フェニレンのとき、光学異方性が大きく、上限温度が高く、そして配向秩序パラメーター（orientational order parameter）が大きい。

結合基Ｚ^１が単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−であるとき、粘度が小さい。結合基が単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは粘度がより小さい。結合基が−ＣＨ＝ＣＨ−であるとき、液晶相の温度範囲が広く、そして弾性定数比Ｋ_３３／Ｋ_１１（Ｋ_３３：ベンド弾性定数、Ｋ_１１：スプレイ弾性定数）が大きい。

化合物（１）が三環を有するときは粘度が小さい。化合物（１）が四環を有するときは上限温度が高い。以上のように、末端基、環、および結合基の種類、環の数を適当に選択することにより必要な物性を有する化合物を得ることができる。したがって、化合物（１）はＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＦＦＳ、ＶＡなどモードを有する素子に用いられる組成物の成分として有用である。

化合物（１）の好ましい例は、項２に記載した化合物（１−１）から（１−３）である。さらに好ましい例は、項４などにおいて下位式で示した化合物である。化合物（１）は、ＶＡ、ＩＰＳ、ＦＦＳ，ＰＳＡなどのモードを有する素子に適している。

２．化合物（１）の合成
化合物（１）の合成法を説明する。化合物（１）は、有機合成化学の方法を適切に組み合わせることによって合成できる。必要とする末端基、環および結合基を出発物に導入する方法は、「オーガニック・シンセシス」（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc.）、「オーガニック・リアクションズ」（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc.）、「コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス」（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、「新実験化学講座」（丸善）などの成書に記載されている。

２−１．結合基Ｚの生成
結合基Ｚ^１を生成する方法に関して、最初にスキームを示す。次に、方法（１）から（４）でスキームに記載した反応を説明する。このスキームにおいて、ＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）は少なくとも１つの環を有する一価の有機基である。スキームで用いた複数のＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）が表わす一価の有機基は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物（１Ａ）から（１Ｄ）は化合物（１）に相当する。

（１）単結合の生成
公知の方法で合成されるアリールホウ酸（２１）とハロゲン化物（２２）とを、炭酸塩およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような触媒の存在下で反応させて化合物（１Ａ）を合成する。この化合物（１Ａ）は、公知の方法で合成されるハロゲン化物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような触媒の存在下でハロゲン化物（２２）を反応させることによっても合成される。

（２）−ＣＨ＝ＣＨ−の生成
ハロゲン化物（２２）をｎ−ブチルリチウムで処理した後、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）と反応させてアルデヒド（２５）を得る。公知の方法で合成されるホスホニウム塩（２４）をカリウムｔ−ブトキシドのような塩基で処理してリンイリドを発生させる。このリンイリドをアルデヒド（２５）に反応させて化合物（１Ｂ）を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。

（３）−ＣＨ_２ＣＨ_２−の生成
化合物（１Ｂ）をパラジウム炭素のような触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｃ）を合成する。

（４）−ＯＣＨ_２−の生成
アルデヒド（２５）を水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元して化合物（２６）を得る。化合物（２６）を臭化水素酸などで臭素化して臭化物（２７）を得る。炭酸カリウムなどの塩基存在下で、臭化物（２７）を化合物（２８）と反応させて化合物（１Ｄ）を合成する。

２−２．環Ａ^１の生成
次に、環Ａ^１に関する生成法を説明する。１，４−シクロヘキシレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、などの環に関しては出発物が市販されているか、または生成法がよく知られている。

３．液晶組成物
３−１．成分化合物
本発明の液晶組成物について説明する。この組成物は、少なくとも１つの化合物（１）を成分（ａ）として含有する。この組成物は、２つまたは３つ以上の化合物（１）を含有してもよい。組成物の成分が化合物（１）のみであってもよい。組成物は、化合物（１）の少なくとも１つを１重量％から９９重量％の範囲で含有することが、良好な物性を発現させるために好ましい。誘電率異方性が負である組成物において、化合物（１）の好ましい含有量は５重量％から６０重量％の範囲である。誘電率異方性が正である組成物において、化合物（１）の好ましい含有量は３０重量％以下である。

ここで、化合物（５）から化合物（１１）は以下の式で表される化合物である。

式（５）から（１１）において、
Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５は独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、そしてＲ^１５は、水素またはフッ素であってもよく；
環Ｃ^１、環Ｃ^２、環Ｃ^３、および環Ｃ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
環Ｃ^５および環Ｃ^６は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
Ｚ^１４、Ｚ^１５、Ｚ^１６、およびＺ^１７は独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、または−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；
Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、フッ素または塩素であり；
Ｓ^１１は、水素またはメチルであり；
Ｘは、−ＣＨＦ−または−ＣＦ_２−であり；
ｊ、ｋ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、およびｓは独立して、０または１であり、ｋ、ｍ、ｎ、およびｐの和は、１または２であり、ｑ、ｒ、およびｓの和は、０、１、２、または３であり、ｔは、１、２、または３である。
ただし、Ｒ^１３が二重結合を含み、Ｌ^１１が水素のとき、Ｒ^１４は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよい。

この組成物は、化合物（１）を成分（ａ）として含有する。この組成物は、表１に示す成分（ｂ）から（ｅ）から選択された液晶性化合物をさらに含有することが好ましい。この組成物を調製するときには、誘電率異方性の正負と大きさとを考慮して成分（ｂ）から（ｅ）を選択することが好ましい。この組成物は、化合物（１）から（１５）とは異なる液晶性化合物を含有してもよい。この組成物は、そのような液晶性化合物を含有しなくてもよい。

成分（ｂ）は、２つの末端基がアルキルなどである化合物（２）から（４）である。成分（ｂ）の好ましい例として、化合物（２−１）から（２−１１）、化合物（３−１）から（３−１９）、および化合物（４−１）から（４−７）を挙げることができる。これらの化合物において、Ｒ^１１およびＲ^１２は独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよい。

成分（ｂ）は、小さな誘電率異方性を有する。成分（ｂ）は中性に近い。化合物（２）は、粘度を下げるまたは光学異方性を調整する効果がある。化合物（３）および（４）は、上限温度を上げることによってネマチック相の温度範囲を広げる、または光学異方性を調整する効果がある。

成分（ｂ）の含有量を増加させるにつれて組成物の粘度は小さくなるが誘電率異方性が小さくなる。そこで、素子のしきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は多いほうが好ましい。ＩＰＳ、ＶＡなどのモード用の組成物を調製する場合には、成分（ｂ）の含有量は、液晶組成物の重量に基づいて、好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは４０重量％以上である。

成分（ｃ）は、化合物（５）から（１１）である。これらの化合物は、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンのように、ラテラル位が２つのハロゲンで置換されたフェニレンを有する。成分（ｃ）の好ましい例として、化合物（５−１）から（５−８）、化合物（６−１）から（６−１８）、化合物（７−１）、化合物（８−１）から（８−３）、化合物（９−１）から（９−１１）、化合物（１０−１）から（１０−３）、および化合物（１１−１）から（１１−３）を挙げることができる。これらの化合物において、Ｒ^１３、Ｒ^１４、およびＲ^１５は独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、そしてＲ^１５は、水素またはフッ素であってもよい。

成分（ｃ）は、誘電率異方性が負に大きい。成分（ｃ）は、ＩＰＳ、ＶＡ、ＰＳＡなどのモード用の組成物を調製する場合に用いられる。成分（ｃ）の含有量を増加させるにつれて組成物の誘電率異方性が負に大きくなるが、粘度が大きくなる。そこで、素子のしきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は少ないほうが好ましい。誘電率異方性が−５程度であることを考慮すると、充分な電圧駆動をさせるには、含有量が４０重量％以上であることが好ましい。

成分（ｃ）のうち、化合物（５）は二環化合物であるので、粘度を下げる、光学異方性を調整する、または誘電率異方性を上げる効果がある。化合物（５）および（６）は三環化合物であるので、上限温度を上げる、光学異方性を上げる、または誘電率異方性を上げるという効果がある。化合物（８）から（１１）は、誘電率異方性を上げるという効果がある。

ＩＰＳ、ＶＡ、ＰＳＡなどのモード用の組成物を調製する場合には、成分（ｃ）の含有量は、液晶組成物の重量に基づいて、好ましくは４０重量％以上であり、さらに好ましくは５０重量％から９５重量％の範囲である。成分（ｃ）を誘電率異方性が正である組成物に添加する場合は、成分（ｃ）の含有量は３０重量％以下が好ましい。成分（ｃ）を添加することにより、組成物の弾性定数を調整し、素子の電圧−透過率曲線を調整することが可能となる。

成分（ｄ）は、右末端にハロゲンまたはフッ素含有基を有する化合物（１２）から（１４）である。成分（ｄ）の好ましい例として、化合物（１２−１）から（１２−１６）、化合物（１３−１）から（１３−１１３）、化合物（１４−１）から（１４−５８）を挙げることができる。これらの化合物において、Ｒ^１６は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよい。Ｘ^１１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、または−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３である。

成分（ｄ）は、誘電率異方性が正であり、熱や光に対する安定性が非常に良好であるので、ＩＰＳ、ＦＦＳ、ＯＣＢなどのモード用の組成物を調製する場合に用いられる。成分（ｄ）の含有量は、液晶組成物の重量に基づいて１重量％から９９重量％の範囲が適しており、好ましくは１０重量％から９７重量％の範囲、さらに好ましくは４０重量％から９５重量％の範囲である。成分（ｄ）を誘電率異方性が負である組成物に添加する場合、成分（ｄ）の含有量は３０重量％以下が好ましい。成分（ｄ）を添加することにより、組成物の弾性定数を調整し、素子の電圧−透過率曲線を調整することが可能となる。

成分（ｅ）は、右末端基が−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎである化合物（１５）である。成分（ｅ）の好ましい例として、化合物（１５−１）から（１５−６４）を挙げることができる。これらの化合物において、Ｒ^１７は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよい。Ｘ^１２は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎである。

成分（ｅ）は、誘電率異方性が正であり、その値が大きいので、ＴＮなどのモード用の組成物を調製する場合に用いられる。この成分（ｅ）を添加することにより、組成物の誘電率異方性を上げることができる。成分（ｅ）は、液晶相の温度範囲を広げる、粘度を調整する、または光学異方性を調整する、という効果がある。成分（ｅ）は、素子の電圧−透過率曲線の調整にも有用である。

ＴＮなどのモード用の組成物を調製する場合には、成分（ｅ）の含有量は、液晶組成物の重量に基づいて１重量％から９９重量％の範囲が適しており、好ましくは１０重量％から９７重量％の範囲、さらに好ましくは４０重量％から９５重量％の範囲である。成分（ｅ）を誘電率異方性が負である組成物に添加する場合、成分（ｅ）の含有量は３０重量％以下が好ましい。成分（ｅ）を添加することにより、組成物の弾性定数を調整し、素子の電圧−透過率曲線を調整することが可能となる。

上記の成分（ｂ）から（ｅ）から適切に選択された化合物と化合物（１）とを組み合わせることによって熱や光に対する高い安定性、高い上限温度、低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性（すなわち、大きな光学異方性または小さな光学異方性）、正または負に大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、適切な弾性定数（すなわち、大きな弾性定数または小さな弾性定数）などの物性の少なくとも１つを充足する液晶組成物を調製することができる。このような組成物を含む素子は、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、小さなフリッカ率、および長い寿命を有する。

素子を長時間使用すると、表示画面にフリッカ（flicker）が発生することがある。フリッカ率（％）は、（｜正の電圧を印加したときの輝度−負の電圧を印加したときの輝度｜）／平均輝度）×１００、によって表すことができる。フリッカ率が０％から１％の範囲である素子は、素子を長時間使用しても、表示画面にフリッカ（flicker）が発生しにくい。このフリッカは、画像の焼き付きに関連し、交流で駆動させる際に正フレームと負フレームの間の電位差によって発生すると推定される。化合物（１）を含有する組成物は、フリッカの発生を低減させるのにも有用である。

３−２．添加物
液晶組成物は公知の方法によって調製される。例えば、成分化合物を混合し、そして加熱によって互いに溶解させる。用途に応じて、この組成物に添加物を添加してよい。添加物の例は、重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、色素、消泡剤などである。このような添加物は当業者によく知られており、文献に記載されている。

ＰＳＡ（polymer sustained alignment；高分子支持配向）モードを有する液晶表示素子では、組成物が重合体を含有する。重合性化合物は、組成物中に重合体を生成させる目的で添加される。電極間に電圧を印加した状態で紫外線を照射して、重合性化合物を重合させることによって、組成物の中に重合体を生成させる。この方法によって、適切なプレチルトが達成されるので、応答時間が短縮され、画像の焼き付きが改善された素子が作製される。

重合性化合物の好ましい例は、アクリレート、メタクリレート、ビニル化合物、ビニルオキシ化合物、プロペニルエーテル、エポキシ化合物（オキシラン、オキセタン）、およびビニルケトンである。さらに好ましい例は、少なくとも１つのアクリロイルオキシを有する化合物および少なくとも１つのメタクリロイルオキシを有する化合物である。さらに好ましい例には、アクリロイルオキシとメタクリロイルオキシの両方を有する化合物も含まれる。

さらに好ましい例は、化合物（Ｍ−１）から（Ｍ−１８）である。これらの化合物において、Ｒ^２５からＲ^３１は独立して、水素またはメチルであり；Ｒ^３２、Ｒ^３３、およびＲ^３４は独立して、水素または炭素数１から５のアルキルであり、Ｒ^３２、Ｒ^３３、およびＲ^３４の少なくとも１つは炭素数１から５のアルキルであり；ｖ、ｗ、およびｘは独立して、０または１であり；ｕおよびｙは独立して、１から１０の整数である。Ｌ^２１からＬ^２６は独立して、水素またはフッ素であり；Ｌ^２７およびＬ^２８は独立して、水素、フッ素、またはメチルである。

重合性化合物は、重合開始剤を添加することによって、速やかに重合させることができる。反応条件を最適化することによって、残存する重合性化合物の量を減少させることができる。光ラジカル重合開始剤の例は、ＢＡＳＦ社のダロキュアシリーズからＴＰＯ、１１７３、および４２６５であり、イルガキュアシリーズから１８４、３６９、５００、６５１、７８４、８１９、９０７、１３００、１７００、１８００、１８５０、および２９５９である。

光ラジカル重合開始剤の追加例は、４−メトキシフェニル−２，４−ビス（トリクロロメチル）トリアジン、２−（４−ブトキシスチリル）−５−トリクロロメチル−１，３，４−オキサジアゾール、９−フェニルアクリジン、９，１０−ベンズフェナジン、ベンゾフェノン／ミヒラーズケトン混合物、ヘキサアリールビイミダゾール／メルカプトベンズイミダゾール混合物、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１−オン、２，４−ジエチルキサントン／ｐ−ジメチルアミノ安息香酸メチル混合物、ベンゾフェノン／メチルトリエタノールアミン混合物である。

液晶組成物に光ラジカル重合開始剤を添加したあと、電場を印加した状態で紫外線を照射することによって重合を行うことができる。しかし、未反応の重合開始剤または重合開始剤の分解生成物は、素子に画像の焼き付きなどの表示不良を引き起こすかもしれない。これを防ぐために重合開始剤を添加しないまま光重合を行ってもよい。照射する光の好ましい波長は１５０ｎｍから５００ｎｍの範囲である。さらに好ましい波長は２５０ｎｍから４５０ｎｍの範囲であり、最も好ましい波長は３００ｎｍから４００ｎｍの範囲である。

重合性化合物を保管するとき、重合を防止するために重合禁止剤を添加してもよい。重合性化合物は、通常は重合禁止剤を除去しないまま組成物に添加される。重合禁止剤の例は、ヒドロキノン、メチルヒドロキノンのようなヒドロキノン誘導体、４−ｔ−ブチルカテコール、４−メトキシフェノール、フェノチアジンなどである。

光学活性化合物は、液晶分子にらせん構造を誘起して必要なねじれ角を与えることによって逆ねじれを防ぐ、という効果を有する。光学活性化合物を添加することによって、らせんピッチを調整することができる。らせんピッチの温度依存性を調整する目的で２つ以上の光学活性化合物を添加してもよい。光学活性化合物の好ましい例として、下記の化合物（Ｏｐ−１）から（Ｏｐ−１８）を挙げることができる。化合物（Ｏｐ−１８）において、環Ｊは１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり、Ｒ^２８は炭素数１から１０のアルキルである。＊印は不斉炭素を表す。

酸化防止剤は、大きな電圧保持率を維持するために有効である。酸化防止剤の好ましい例として、下記の化合物（ＡＯ−１）および（ＡＯ−２）；Ｉｒｇａｎｏｘ４１５、Ｉｒｇａｎｏｘ５６５、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ１０３５、Ｉｒｇａｎｏｘ３１１４、およびＩｒｇａｎｏｘ１０９８（商品名；ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。紫外線吸収剤は、上限温度の低下を防ぐために有効である。紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などであり、具体例として下記の化合物（ＡＯ−３）および（ＡＯ−４）；Ｔｉｎｕｖｉｎ３２９、ＴｉｎｕｖｉｎＰ、Ｔｉｎｕｖｉｎ３２６、Ｔｉｎｕｖｉｎ２３４、Ｔｉｎｕｖｉｎ２１３、Ｔｉｎｕｖｉｎ４００、Ｔｉｎｕｖｉｎ３２８、およびＴｉｎｕｖｉｎ９９−２（商品名；ＢＡＳＦ社）；および１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）を挙げることができる。

立体障害のあるアミンのような光安定剤は、大きな電圧保持率を維持するために好ましい。光安定剤の好ましい例として、下記の化合物（ＡＯ−５）、（ＡＯ−６）、および（ＡＯ−７）；Ｔｉｎｕｖｉｎ１４４、Ｔｉｎｕｖｉｎ７６５、およびＴｉｎｕｖｉｎ７７０ＤＦ（商品名；ＢＡＳＦ社）；ＬＡ−７７ＹおよびＬＡ−７７G（商品名；ＡＤＥＫＡ社）を挙げることができる。熱安定剤も大きな電圧保持率を維持するために有効であり、好ましい例としてＩｒｇａｆｏｓ１６８（商品名；ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。ＧＨ（guest host）モードの素子に適合させるために、アゾ系色素、アントラキノン系色素などのような二色性色素（dichroic dye）が組成物に添加される。消泡剤は、泡立ちを防ぐために有効である。消泡剤の好ましい例は、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどである。

化合物（ＡＯ−１）において、Ｒ^４０は炭素数１から２０のアルキル、炭素数１から２０のアルコキシ、−ＣＯＯＲ^４１、または−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＲ^４１であり、ここでＲ^４１は炭素数１から２０のアルキルである。化合物（ＡＯ−２）および（ＡＯ−５）において、Ｒ^４２は炭素数１から２０のアルキルである。化合物（ＡＯ−５）において、Ｒ^４３は水素、メチルまたはＯ^・（酸素ラジカル）であり；環Ｇ^１は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；化合物（ＡＯ−７）において、環Ｇ^２は１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；化合物（ＡＯ−５）および（ＡＯ−７）において、ｚは、１、２、または３である。

４．液晶表示素子
液晶組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＯＣＢ、ＰＳＡなどの動作モードを有し、アクティブマトリックス方式で駆動する液晶表示素子に使用できる。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＯＣＢ、ＶＡ、ＩＰＳなどの動作モードを有し、パッシブマトリクス方式で駆動する液晶表示素子にも使用することができる。これらの素子は、反射型、透過型、半透過型のいずれのタイプにも適用ができる。

この組成物は、ＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子にも適しており、ここでは組成物がマイクロカプセル化されている。この組成物は、ポリマー分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）や、ポリマーネットワーク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）にも使用できる。これらの組成物においては、重合性化合物が多量に添加される。一方、重合性化合物の割合が液晶組成物の重量に基づいて１０重量％以下であるとき、ＰＳＡモードの液晶表示素子が作製される。好ましい割合は０．１重量％から２重量％の範囲である。さらに好ましい割合は、０．２重量％から１．０重量％の範囲である。ＰＳＡモードの素子は、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリクス方式のような駆動方式で駆動させることができる。このような素子は、反射型、透過型、半透過型のいずれのタイプにも適用ができる。

１．化合物（１）の実施例
実施例により本発明をさらに詳しく説明する。実施例は典型的な例であるので、本発明は実施例によって制限されない。化合物（１）は、下記の手順により合成した。合成した化合物は、ＮＭＲ分析などの方法により同定した。化合物や組成物の物性、および素子の特性は、下記の方法により測定した。

ＮＭＲ分析：測定には、ブルカーバイオスピン社製のＤＲＸ−５００を用いた。^１Ｈ−ＮＭＲの測定では、試料をＣＤＣｌ_３などの重水素化溶媒に溶解させ、室温、５００ＭＨｚ、積算回数１６回の条件で測定した。テトラメチルシランを内部標準として用いた。^１９Ｆ−ＮＭＲの測定では、ＣＦＣｌ_３を内部標準として用い、積算回数２４回で行った。核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｑｕｉｎはクインテット、ｓｅｘはセクステット、ｍはマルチプレット、ｂｒはブロードであることを意味する。

ガスクロマト分析：測定には、島津製作所製のＧＣ−２０１０型ガスクロマトグラフを用いた。カラムは、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ６０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を用いた。キャリアーガスとしてはヘリウム（１ｍＬ／分）を用いた。試料気化室の温度を３００℃、検出器（ＦＩＤ）の温度を３００℃に設定した。試料はアセトンに溶解して、１重量％の溶液となるように調製し、得られた溶液１μｌを試料気化室に注入した。記録計には島津製作所製のＧＣＳｏｌｕｔｉｏｎシステムなどを用いた。

ガスクロマトグラフ質量分析：測定には、島津製作所製のＱＰ−２０１０Ｕｌｔｒａ型ガスクロマトグラフ質量分析計を用いた。カラムは、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ６０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を用いた。キャリアーガスとしてはヘリウム（１ｍｌ／分）を用いた。試料気化室の温度を３００℃、イオン源の温度を２００℃、イオン化電圧を７０ｅＶ、エミッション電流を１５０ｕＡに設定した。試料はアセトンに溶解して、１重量％の溶液となるように調製し、得られた溶液１μｌを試料気化室に注入した。記録計には島津製作所製のＧＣＭＳｓｏｌｕｔｉｏｎシステムを用いた。

ＨＰＬＣ分析：測定には、島津製作所製のＰｒｏｍｉｎｅｎｃｅ（ＬＣ−２０ＡＤ；ＳＰＤ−２０Ａ）を用いた。カラムはワイエムシー製のＹＭＣ−Ｐａｃｋ ＯＤＳ−Ａ（長さ１５０ｍｍ、内径４．６ｍｍ、粒子径５μｍ）を用いた。溶出液はアセトニトリルと水を適宜混合して用いた。検出器としてはＵＶ検出器、ＲＩ検出器、ＣＯＲＯＮＡ検出器などを適宜用いた。ＵＶ検出器を用いた場合、検出波長は２５４ｎｍとした。試料はアセトニトリルに溶解して、０．１重量％の溶液となるように調製し、この溶液１μＬを試料室に導入した。記録計としては島津製作所製のＣ−Ｒ７Ａｐｌｕｓを用いた。

紫外可視分光分析：測定には、島津製作所製のＰｈａｒｍａＳｐｅｃ ＵＶ−１７００用いた。検出波長は１９０ｎｍから７００ｎｍとした。試料はアセトニトリルに溶解して、０．０１ｍｍｏｌ／Ｌの溶液となるように調製し、石英セル（光路長１ｃｍ）に入れて測定した。

測定試料：相構造および転移温度（透明点、融点、重合開始温度など）を測定するときには、化合物そのものを試料として用いた。ネマチック相の上限温度、粘度、光学異方性、誘電率異方性などの物性を測定するときには、化合物と母液晶との混合物を試料として用いた。

化合物を母液晶と混合した試料を用いた場合は、次のように測定した。化合物１５重量％と母液晶８５重量％とを混合して試料を調製した。この試料の測定値から、次の等式にしたがって外挿値を算出し、この値を記載した。〈外挿値〉＝（１００×〈試料の測定値〉−〈母液晶の重量％〉×〈母液晶の測定値〉）／〈化合物の重量％〉

この割合で結晶（または、スメクチック相）が２５℃で析出する場合には、化合物と母液晶との割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更をしていき、結晶（または、スメクチック相）が２５℃で析出しなくなった割合で試料の物性を測定した。なお、特に断りのない限り、化合物と母液晶との割合は、１５重量％：８５重量％である。

化合物の誘電率異方性がゼロまたは正であるときは、下記の母液晶（Ａ）を用いた。各成分の割合を、重量％で表した。

化合物の誘電率異方性がゼロまたは負であるときは、下記の母液晶（Ｂ）を用いた。各成分の割合を重量％で表した。

測定方法：物性の測定は下記の方法で行った。これらの多くは、社団法人電子情報技術産業協会（ＪＥＩＴＡ；Japan Electronics and Information Technology Industries Association）で審議制定されるＪＥＩＴＡ規格（ＪＥＩＴＡ・ＥＤ−２５２１Ｂ）に記載されている。これを修飾した方法も用いた。測定に用いたＴＮ素子には、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）を取り付けなかった。

（１）相構造：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に試料を置いた。この試料を、３℃／分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。

（２）転移温度（℃）：測定には、パーキンエルマー社製の走査熱量計、Ｄｉａｍｏｎｄ ＤＳＣシステムまたはエスアイアイ・ナノテクノロジー社製の高感度示差走査熱量計、Ｘ−ＤＳＣ７０００を用いた。試料は、３℃／分の速度で昇降温し、試料の相変化に伴う吸熱ピークまたは発熱ピークの開始点を外挿により求め、転移温度を決定した。化合物の融点、重合開始温度もこの装置を使って測定した。化合物が固体からスメクチック相、ネマチック相などの液晶相に転移する温度を「液晶相の下限温度」と略すことがある。化合物が液晶相から液体に転移する温度を「透明点」と略すことがある。

結晶はＣと表した。結晶を二種類に区別できる場合は、それぞれをＣ_１またはＣ_２と表した。スメクチック相はＳ、ネマチック相はＮと表した。スメクチックＡ相、スメクチックＢ相、スメクチックＣ相、およびスメクチックＦ相のような相の区別がつく場合は、それぞれＳ_Ａ、Ｓ_Ｂ、Ｓ_Ｃ、およびＳ_Ｆと表した。液体（アイソトロピック）はＩと表した。転移温度は、例えば、「Ｃ ５０．０ Ｎ １００．０ Ｉ」のように表記した。これは、結晶からネマチック相への転移温度が５０．０℃であり、ネマチック相から液体への転移温度が１００．０℃であることを示す。

（３）化合物の相溶性：化合物の割合が、２０重量％、１５重量％、１０重量％、５重量％、３重量％、または１重量％となるように母液晶と化合物とを混合した試料を調製した。試料をガラス瓶に入れ、−１０℃または−２０℃の冷凍庫で一定期間保管した。試料のネマチック相が維持されたか、または結晶（またはスメクチック相）が析出したかを観察した。ネマチック相が維持される条件を相溶性の尺度として用いた。必要に応じて化合物の割合や冷凍庫の温度を変更することもある。

（４）ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩまたはＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。試料が化合物（１）と母液晶との混合物であるときは、Ｔ_ＮＩの記号で示した。試料が化合物（１）と、化合物（２）から（１５）から選択された化合物との混合物であるときは、ＮＩの記号で示した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。

（５）ネマチック相の下限温度（Ｔ_Ｃ；℃）：ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、Ｔ_Ｃを＜−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

（６）粘度（バルク粘度；η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定には、東京計器株式会社製のＥ型回転粘度計を用いた。

（７）光学異方性（屈折率異方性；２５℃で測定；Δｎ）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性（Δｎ）の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の等式から計算した。

（８）比抵抗（ρ；２５℃で測定；Ωｃｍ）：電極を備えた容器に試料１．０ｍＬを注入した。この容器に直流電圧（１０Ｖ）を印加し、１０秒後の直流電流を測定した。比抵抗は次の等式から算出した。（比抵抗）＝｛（電圧）×（容器の電気容量）｝／｛（直流電流）×（真空の誘電率）｝。

（９）電圧保持率（ＶＨＲ−１；２５℃で測定；％）：測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍであった。この素子は試料を入れたあと紫外線で硬化する接着剤で密閉した。この素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積であった。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率で表した。

（１０）電圧保持率（ＶＨＲ−２；８０℃で測定；％）：２５℃の代わりに、８０℃で測定した以外は、上記の方法で電圧保持率を測定した。得られた結果をＶＨＲ−２の記号で示した。

（１１）フリッカ率（２５℃で測定；％）：測定には横河電機（株）製のマルチメディアディスプレイテスタ３２９８Ｆを用いた。光源はＬＥＤであった。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が３．５μｍであり、ラビング方向がアンチパラレルであるノーマリーブラックモード（normally black mode）のＦＦＳ素子に試料を入れた。この素子を紫外線で硬化する接着剤を用いて密閉した。この素子に電圧を印加し、素子を透過した光量が最大になる電圧を測定した。この電圧を素子に印加しながらセンサ部を素子に近づけ、表示されたフリッカ率を読み取った。

誘電率異方性が正の試料と負の試料とでは、物性の測定法が異なることがある。誘電率異方性が正であるときの測定法は、測定（１２ａ）から測定（１６ａ）に記載した。誘電率異方性が負の場合は、測定（１２ｂ）から測定（１６ｂ）に記載した。

（１２ａ）粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ；誘電率異方性が正の試料）：測定は、M. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。ツイスト角が０度であり、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５μｍであるＴＮ素子に試料を入れた。この素子に１６Ｖから１９．５Ｖまで０．５Ｖ毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とＭ．Ｉｍａｉらの論文、４０頁の等式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算で必要な誘電率異方性の値は、この回転粘度を測定した素子を用い、下に記載した方法で求めた。

（１２ｂ）粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ；誘電率異方性が負の試料）：測定は、M. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍのＶＡ素子に試料を入れた。この素子に３９Ｖから５０Ｖまで１Ｖ毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とＭ．Ｉｍａｉらの論文、４０頁の等式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算に必要な誘電率異方性は、下記の誘電率異方性の項で測定した。

（１３ａ）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定；誘電率異方性が正の試料）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（１０Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の等式から計算した。

（１３ｂ）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定；誘電率異方性が負の試料）：誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の等式から計算した。誘電率（ε‖およびε⊥）は次のように測定した。
１）誘電率（ε‖）の測定：よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであるＶＡ素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤で密閉した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。
２）誘電率（ε⊥）の測定：よく洗浄したガラス基板にポリイミド溶液を塗布した。このガラス基板を焼成した後、得られた配向膜にラビング処理をした。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。

（１４ａ）弾性定数（Ｋ；２５℃で測定；ｐＮ；誘電率異方性が正の試料）：測定には横河・ヒューレットパッカード株式会社製のＨＰ４２８４Ａ型ＬＣＲメータを用いた。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍである水平配向素子に試料を入れた。この素子に０Ｖから２０Ｖ電荷を印加し、静電容量（Ｃ）および印加電圧（Ｖ）を測定した。これらの測定値を「液晶デバイスハンドブックク」（日刊工業新聞社）、７５頁にある等式（２．９８）、等式（２．１０１）を用いてフィッティングし、等式（２．９９）からＫ_１１およびＫ_３３の値を得た。次に１７１頁にある等式（３．１８）に、先ほど求めたＫ_１１およびＫ_３３の値を用いてＫ_２２を算出した。弾性定数Ｋは、このようにして求めたＫ_１１、Ｋ_２２、およびＫ_３３の平均値で表した。

（１４ｂ）弾性定数（Ｋ_１１およびＫ_３３；２５℃で測定；ｐＮ；誘電率異方性が負の試料）：測定には株式会社東陽テクニカ製のＥＣ−１型弾性定数測定器を用いた。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍである垂直配向素子に試料を入れた。この素子に２０Ｖから０Ｖ電荷を印加し、静電容量（Ｃ）および印加電圧（Ｖ）を測定した。これらの値を、「液晶デバイスハンドブック」（日刊工業新聞社）、７５頁にある等式（２．９８）、等式（２．１０１）を用いてフィッティングし、等式（２．１００）から弾性定数の値を得た。

（１５ａ）しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ；誘電率異方性が正の試料）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が０．４５／Δｎ（μｍ）であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧（３２Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が９０％になったときの電圧で表した。

（１５ｂ）しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ；誘電率異方性が負の試料）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであり、ラビング方向がアンチパラレルであるノーマリーブラックモード（normally black mode）のＶＡ素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤を用いて密閉した。この素子に印加する電圧（６０Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから２０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が１０％になったときの電圧で表した。

（１６ａ）応答時間（τ；２５℃で測定；ｍｓ；誘電率異方性が正の試料）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５．０μｍであり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、５Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％であるとみなした。立ち上がり時間（τｒ：rise time；ミリ秒）は、透過率が９０％から１０％に変化するのに要した時間である。立ち下がり時間（τｆ：fall time；ミリ秒）は透過率１０％から９０％に変化するのに要した時間である。応答時間は、このようにして求めた立ち上がり時間と立ち下がり時間との和で表した。

（１６ｂ）応答時間（τ；２５℃で測定；ｍｓ；誘電率異方性が負の試料）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が３．２μｍであり、ラビング方向がアンチパラレルであるノーマリーブラックモード（normally black mode）のＰＶＡ素子に試料を入れた。この素子を紫外線で硬化する接着剤を用いて密閉した。この素子にしきい値電圧を若干超える程度の電圧を１分間印加し、次に５．６Ｖの電圧を印加しながら２３．５ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を８分間照射した。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、１０Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％であるとみなした。応答時間は透過率９０％から１０％に変化するのに要した時間（立ち下がり時間；fall time；ミリ秒）で表した。

［合成例１］
化合物（Ｎｏ．２）の合成

第１工程：化合物（Ｔ−２）の合成
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−１）（２１５．０ｇ）、アセトン（１０７５ｍＬ）、炭酸カリウム（１７１．１ｇ）、およびヨウ化エチル（１９３．１ｇ）を反応器に入れ、６時間加熱還流を行なった。反応混合物を水に注ぎ、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮した。残渣を減圧蒸留（０．７ｋＰａ，６７℃）で精製することにより、化合物（Ｔ−２）（２４０．５ｇ；９８％）を得た。

第２工程：化合物（Ｔ−３）の合成
窒素雰囲気下、マグネシウム（５．７６ｇ）を反応器にとり、化合物（Ｔ−２）（４０．０ｇ）のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（２５０ｍＬ）溶液を反応器にゆっくりと加え、室温で２時間攪拌した。次にホウ酸トリメチル（２８．６ｍｌ，２５５．７ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１５０ｍｌ）溶液を加え、１２時間攪拌した。次に０℃に冷却し、１Ｎ塩酸（５４８ｍｌ）を加え、２時間攪拌した。反応混合物を水に注ぎ、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮した。残渣をヘプタンからの再結晶により精製し、化合物（Ｔ−３）（２９．３ｇ；８７％）を得た。

第３工程：化合物（Ｔ−５）の合成
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−３）（２８．０ｇ）、化合物（Ｔ−４）（４１．０ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．４０ｇ）、炭酸カリウム（６０．１ｇ）、テトラブチルアンモニウムブロミド（ＴＢＡＢ）（１４．０ｇ）、トルエン（１４０ｍｌ）、ソルミックス（登録商標）Ａ−１１（１４０ｍｌ）、および水（１４０ｍｌ）を反応器に入れて、３時間加熱還流を行った。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（容積比、トルエン：ヘプタン＝１：８）で精製して、化合物（Ｔ−５）（３４．７ｇ；８１％）を得た。

第４工程：化合物（Ｔ−７）の合成
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−５）（３４．７ｇ）、およびＴＨＦ（２５０ｍｌ）を反応器に入れ、−７０℃に冷却した。そこへｎ−ブチルリチウム（１．６４Ｍ；ｎ−ヘキサン溶液；７５．３ｍｌ）をゆっくりと加え１時間撹拌した。次に化合物（Ｔ−６）（２０．２ｇ）のＴＨＦ（１００ｍｌ）溶液をゆっくりと加え室温に戻しつつ１２時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（容積比、酢酸エチル：トルエン＝１：４）で精製して、化合物（Ｔ−７）（４３．８ｇ；１００％）を得た。

第５工程：化合物（Ｔ−８）の合成
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−７）（４３．８ｇ）、エチレングリコール（８．７６ｇ）、パラトルエンスルホン酸一水和物（ＰＴＳＡ）（２．２４ｇ）、およびトルエン（４３８ｍｌ）を反応器に入れ、８時間加熱還流を行なった。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を重曹水および食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（容積比、酢酸エチル：トルエン＝１：８）で精製し、さらにトルエンとヘプタンとの混合溶媒（容積比、１：４）からの再結晶により精製して、化合物（Ｔ−８）（２７．５ｇ；６６％）を得た。

第６工程：化合物（Ｔ−９）の合成
化合物（Ｔ−８）（２７．５ｇ）、５％パラジウム炭素（１．３８ｇ）、ＴＨＦ（２７５ｍｌ）、およびイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）（１３８ｍｌ）を反応器に入れて、水素雰囲気下で１２時間攪拌した。濾過により触媒を除去したのち、減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、酢酸エチル：トルエン＝１：８）で精製して、化合物（Ｔ−９）（２６．６ｇ；９６％）を得た。

第７工程：化合物（Ｔ−１０）の合成
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−９）（２６．６ｇ）、ギ酸（５３．３ｍｌ）、ＴＢＡＢ（７．２３ｇ）、およびトルエン（１３０ｍｌ）を反応器に入れて、室温で２時間撹拌した。反応混合物を水へ注ぎ込み、重曹で中性に戻した。水層をトルエンで抽出し、一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、酢酸エチル：トルエン＝１：４）で精製し、さらにトルエンとヘプタンとの混合溶媒（容積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（Ｔ−１０）（１７．９ｇ；７７％）を得た。

第８工程：化合物（Ｔ−１１）の合成
窒素雰囲気下、（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド（２３．６ｇ）およびＴＨＦ（１４０ｍｌ）を反応器に入れて、−３０℃に冷却した。次にカリウムｔ−ブトキシド（６．７５ｇ）を加え、−３０℃を維持して１時間撹拌した。次に化合物（Ｔ−１０）（１７．９ｇ）のＴＨＦ（２２０ｍｌ）溶液をゆっくりと滴下し、滴下後室温に戻しつつ３時間攪拌した。反応混合物を食塩水へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、トルエン：ヘプタン＝１：２）で精製し、化合物（Ｔ−１１）（１９．５ｇ；１００％）を得た。

第９工程：化合物（Ｔ−１２）の合成
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−１１）（１９．５ｇ）、ＰＴＳＡ（３．２７ｇ）、メタノール（７００ｍｌ）、およびトルエン（１００ｍｌ）を反応器に入れて、１０時間加熱還流を行なった。反応混合物を重曹水へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、トルエン：ヘプタン＝１：２）で精製し、さらにトルエンとヘプタンとの混合溶媒（容積比、１：４）からの再結晶により精製して、化合物（Ｔ−１２）（１７．２ｇ；８１％）を得た。

第１０工程：化合物（Ｔ−１３）の合成
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−１２）（１７．２ｇ）、ギ酸（３４．４ｍｌ）、ＴＢＡＢ（４．４７ｇ）、およびトルエン（１７２ｍｌ）を反応器に入れて、室温で２時間撹拌した。反応混合物を水へ注ぎ込み、重曹で中性に戻した。水層をトルエンで抽出し、一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、化合物（Ｔ−１３）（１９．１ｇ；１００％）を得た。

第１１工程：化合物（Ｎｏ．２）の合成
窒素雰囲気下、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（２１．４ｇ）およびＴＨＦ（１８０ｍｌ）を反応器に入れて、−３０℃に冷却した。次にカリウムｔ−ブトキシド（６．２２ｇ）を加え、−３０℃を維持して１時間撹拌した。次に化合物（Ｔ−１３）（１９．１ｇ）のＴＨＦ（２００ｍｌ）溶液をゆっくりと滴下し、滴下後室温に戻しつつ３時間攪拌した。反応混合物を食塩水へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、トルエン：ヘプタン＝１：２）で精製し、さらに酢酸エチルとＩＰＡとの混合溶媒（容積比、１：４）からの再結晶により精製して、化合物（Ｎｏ．２）（１０．２ｇ；６８％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４７−７．４５（ｍ，２Ｈ）、７．３３−７．２６（ｍ，４Ｈ）、７．０２−６．９８（ｍ，１Ｈ）、５．８７−５．８０（ｍ，１Ｈ）、５．０４−５．００（ｍ，１Ｈ）、４．９５−４．９３（ｍ，１Ｈ）、４．１４（ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）、２．５１（ｔｔ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ）、２．０６−２．０２（ｍ，１Ｈ）、１．９７−１．９０（ｍ，４Ｈ）、１．５８−１．４６（ｍ，６Ｈ）、１．３３−１．２７（ｍ，２Ｈ）．

相転移温度：Ｃ ６７．０ Ｓ_Ｂ ７１．４ Ｓ_Ａ ９９．９ Ｎ １７１．５ Ｉ．上限温度（ＮＩ）＝１５３．０℃；誘電率異方性（Δε）＝−２．３；光学異方性（Δｎ）＝０．２１４；粘度（η）＝５１．６ｍＰａ・ｓ．

［比較例１］
物性の比較
比較化合物として下記の化合物（Ｓ−１）を選んだ。この化合物は、特開２００５−２９８７３３号公報に記載されており、本発明の化合物に類似しているからである。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４６−７．４４（ｍ，２Ｈ）、７．３３−７．２５（ｍ，４Ｈ）、７．００（ｔ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，１Ｈ）、４．１４（ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）、２．５１（ｔｔ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ）、２．０６−２．０２（ｍ，１Ｈ）、１．９３−１．８７（ｍ，４Ｈ）、１．５９−１．４４（ｍ，６Ｈ）、１．３９−１．２０（ｍ，５Ｈ）、１．１０−１．０２（ｍ，２Ｈ）、０．９１（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）．

相転移温度：Ｃ ６８．６ Ｓ_Ｂ １０８．７ Ｓ_Ａ １３４．２ Ｎ １８５．０ Ｉ．上限温度（ＮＩ）＝１６７．０℃；誘電率異方性（Δε）＝−２．２；光学異方性（Δｎ）＝０．２００．

合成例１で得られた化合物（Ｎｏ．２）と比較化合物（Ｓ−１）の物性を表２にまとめた。表２から、化合物（Ｎｏ．２）は、比較化合物（Ｓ−１）と比較して、光学的異方性が大きく、また転移温度をみると９９．９℃から１７１．５℃までの広い温度範囲でネマチック相を示しており、化合物（Ｓ−１）よりもネマチック相を取りやすい点で優れていることがわかった。

さらに、測定方法（１２ｂ）に記載の方法により化合物（Ｎｏ．２）と比較化合物（Ｓ−１）の回転粘度を測定し表３にまとめた。表３から、化合物（Ｎｏ．２）は比較化合物（Ｓ−１）よりも回転粘度が小さい点で優れた化合物であることがわかった。
以上の比較により、化合物（Ｎｏ．２）は大きな光学的異方性と小さな粘度を併せもち、液晶表示素子の応答時間を短くすることができる優れた化合物であることがわかった。

［比較例２］
物性の比較
比較化合物として下記の化合物（Ｓ−２）を選んだ。この化合物は、国際公開第２０１６／１５２４０５号に記載されており、本発明の化合物に類似しているからである。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．１４−７．１１（ｍ，１Ｈ）、７．０７−７．０６（ｍ，１Ｈ）、６．８８（ｔ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，１Ｈ）、６．０５−６．０４（ｍ，１Ｈ）、５．８２−５．７６（ｍ，１Ｈ）４．９９−４．９５（ｍ，１Ｈ）、４．９０−４．８８（ｍ，１Ｈ）、４．１０（ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）、２．４４−２．２３（ｍ，３Ｈ）、１．９６−１．８０（ｍ，７Ｈ）、１．４５−１．３０（ｍ，５Ｈ）、１．１４−１．００（ｍ，５Ｈ））．

相転移温度：Ｃ １００．５ Ｓ_Ａ １２７．８ Ｎ １７３．４ Ｉ．上限温度（ＮＩ）＝１６０．３℃；誘電率異方性（Δε）＝−２．８；光学異方性（Δｎ）＝０．１６０．

合成例１で得られた化合物（Ｎｏ．２）と比較化合物（Ｓ−２）の物性を表４にまとめた。表４から、化合物（Ｎｏ．２）は、比較化合物（Ｓ−２）と比較して、光学的異方性が大きく、また転移温度をみると９９．９℃から１７１．５℃までの広い温度範囲でネマチック相を示しており、化合物（Ｓ−２）よりもネマチック相を取りやすい点で優れていることが分かった。

さらに、化合物（Ｎｏ．２）と比較化合物（Ｓ−２）の低温における母液晶（Ｂ）への溶解性を表５にまとめた。母液晶（Ｂ）中に化合物（Ｎｏ．２）が１５重量％になるよう加えた組成物（Ｘ−１）は−１０℃のフリーザー中で３０日経過後もネマチック相を維持していたのに対し、比較化合物（Ｓ−２）がそれぞれ１５重量％、１０重量％になるよう加えた組成物（Ｘ−２）、（Ｘ−３）では結晶の析出が観察された。これは本願の化合物（Ｎｏ．２）が比較化合物（Ｓ−２）よりも低温において他の液晶化合物に対する溶解性が優れていることを示している。そのため、化合物（Ｎｏ．２）は、広い液晶温度範囲を有する液晶組成物の調製に有効な優れた化合物であると言える。

合成例に記載された方法や、「２．化合物（１）の合成」の項を参考にしながら、以下に示す化合物を合成することが可能である。

２．組成物の実施例
実施例により本発明をさらに詳しく説明する。実施例は典型的な例であるので、本発明は実施例によって制限されない。例えば、本発明は、使用例の組成物に加えて、使用例１の組成物と使用例２の組成物との混合物を含む。本発明は、使用例の組成物の少なくとも２つを混合することによって調製した混合物をも含む。使用例における化合物は、下記の表２の定義に基づいて記号により表した。表２において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。使用例において記号の後にあるかっこ内の番号は、化合物が属する化学式を表す。（−）の記号は、化合物（１）から（１５）とは異なる液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合（百分率）は、添加物を含まない液晶組成物の重量に基づいた重量百分率（重量％）である。最後に、組成物の物性値をまとめた。物性は、先に記載した方法にしたがって測定し、測定値を（外挿することなく）そのまま記載した。

［使用例１］
Ｖ−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．２） １０％

３−ＨＢ−Ｏ２ （２−５） １１％
２−ＢＴＢ−１ （２−１０） ３％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ６％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （３−１） ５％
３−ＨＨＢ−３ （３−１） １０％
３−ＨＨＢ−Ｆ （１３−１） ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３） ５％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （１３−１０） ４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （１３−１０） ４％
２−ＨＢ−Ｃ （１５−１） ５％
３−ＨＢ−Ｃ （１５−１） １２％
ＮＩ＝１０５．９℃；η＝２２．４ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．１１２；Δε＝４．２.

［使用例２］
１Ｖ−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．５） ８％

３−ＨＨ−４ （２−１） １２％
３−ＨＢ−Ｏ２ （２−５） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−５） ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−５） ５％
３−ＨＢ−ＣＬ （１２−２） １０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３） ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２４） ２５％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２４） ２３％

［使用例３］
Ｖ２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．６） ９％

３−ＨＢ−Ｏ２ （２−５） ６％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１２−４） ３％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ９％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ９％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ９％
２−ＨＢＢ−Ｆ （１３−２２） ４％
３−ＨＢＢ−Ｆ （１３−２２） ４％
５−ＨＢＢ−Ｆ （１３−２２） ３％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２３） ９％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２３） ９％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２３） １２％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２４） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２４） ９％

［使用例４］
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．１８） ７％

３−ＨＨ−４ （２−１） １２％
３−ＨＨ−５ （２−１） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ （４−１） ３％
５−ＨＢ−ＣＬ （１２−２） １１％
３−ＨＨＢ−Ｆ （１３−１） ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （１３−１） ３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ （１３−１） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ８％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ９％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ９％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２３） ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ２％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−１５） ３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−１５） ３％

［使用例５］
Ｖ−ｄｈＢＢ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．２５） １１％

１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ （４−１） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ （４−１） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３） ９％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１５） ８％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１５） ８％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１５） ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２４） １６％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２４） １７％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２７） ７％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−１５） ３％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ （１４−１７） ２％

［使用例６］
Ｖ−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．４３） ８％

５−ＨＢＢＨ−３ （４−１） ３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３ （４−２） ３％
５−ＨＢ−Ｆ （１２−２） １２％
６−ＨＢ−Ｆ （１２−２） ９％
７−ＨＢ−Ｆ （１２−２） ７％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （１３−１） ７％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （１３−１） ７％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （１３−１） ７％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （１３−１） ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ （１３−３） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１３−３） ５％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ （１３−４） ４％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ （１３−４） ４％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ （１３−５） ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２３） ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２３） ６％

［使用例７］
Ｖ−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．５９） ９％

３−ＨＨ−４ （２−１） ８％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ５％
５−ＨＢ−ＣＬ （１２−２） ９％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３） ８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１２） １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１２） ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１２） ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２４） １５％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２４） １３％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３９） ３％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３９） ５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３９） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ６％

［使用例８］
Ｖ−Ｈ２ＢＢＢ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．１０１） １０％

３−ＨＢ−ＣＬ （１２−２） ４％
５−ＨＢ−ＣＬ （１２−２） ３％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （１３−１） ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ５％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ５％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ５％
３−Ｈ２ＨＢ−ＯＣＦ３ （１３−１３） ５％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１５） ４％
５−Ｈ４ＨＢ−ＯＣＦ３ （１３−１９） １５％
３−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３ （１３−２１） ８％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３ （１３−２１） １０％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２１） ７％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２６） ５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２６） ５％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３９） ４％

［使用例９］
Ｖ−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．２） ８％

２−ＨＨ−３ （２−１） １０％
３−ＨＨ−５ （２−１） ５％
３−ＨＢ−Ｏ２ （２−５） １０％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （３−１） ５％
５−ＨＢ−ＣＬ （１２−２） １４％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１２−４） ３％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３） ６％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１５） ５％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１５） ５％
ＮＩ＝８２．２℃；η＝１８．３ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．０８５；Δε＝２．４．

［使用例１０］
１Ｖ−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．５） ６％
Ｖ２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．６） ４％

３−ＨＨ−４ （２−１） ９％
３−ＨＨ−５ （２−１） １０％
３−ＨＢ−Ｏ２ （２−５） ７％
５−ＨＢ−ＣＬ （１２−２） ３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１２−３） ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３） ５％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （１３−１０） ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （１３−１０） ８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１２） ９％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１２） ５％
３−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１０９） ５％
４−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１０９） ６％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１０９） ７％

［使用例１１］
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．１８） ８％

５−ＨＨ−ＶＦＦ （２−１） ３０％
２−ＢＴＢ−１ （２−１０） ６％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ４％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ （３−１） ８％
ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ （３−１） １１％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ （３−１７） ５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ （３−１７） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ （３−１７） ４％
３−ＨＢ−Ｃ （１５−１） １４％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ （１５−１５） ６％

［使用例１２］
Ｖ−ｄｈＢＢ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．２５） ９％

３−ＨＨ−Ｖ （２−１） ４０％
３−ＨＨ−Ｖ１ （２−１） ５％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ６％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （３−１） ５％
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−１ （３−６） ５％
３−ＨＨＥＨ−５ （３−１３） ３％
１Ｖ２−ＢＢ―Ｆ （１２−１） ３％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−６９） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ３％
５−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％

［使用例１３］
Ｖ−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．４３） ７％

３−ＨＨ−Ｖ （２−１） ３５％
３−ＨＨ−Ｖ１ （２−１） ７％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ４％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （３−１） ５％
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−１ （３−６） ５％
３−ＨＨＥＨ−５ （３−１３） ３％
１Ｖ２−ＢＢ―Ｆ （１２−１） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−９７） ５％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１１３） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ３％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ７％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−５７） ５％

［使用例１４］
Ｖ−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．５９） ６％

３−ＨＨ−Ｖ （２−１） ３３％
３−ＨＨ−Ｖ１ （２−１） ５％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ４％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （３−１） ４％
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−１ （３−６） ４％
３−ＨＨＥＨ−５ （３−１３） ４％
１Ｖ２−ＢＢ―Ｆ （１２−１） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−９７） ５％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１１３） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ３％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−５７） ４％
４−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−５７） ４％
５−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−５７） ４％
３−ＧＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−５８） ３％

［使用例１５］
Ｖ−Ｈ２ＢＢＢ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．１０１） １１％

３−ＨＨ−Ｖ （２−１） ３５％
３−ＨＨ−Ｖ１ （２−１） ６％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ４％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （３−１） ５％
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−１ （３−６） ５％
３−ＨＨＥＨ−５ （３−１３） ３％
１Ｖ２−ＢＢ―Ｆ （１２−１） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−９７） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−３８） ３％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％
２−ｄｈＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−５０） ５％
３−ｄｈＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−５０） ３％

［使用例１６］
Ｖ−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．２） ９％

３−ＨＨ−Ｖ （２−１） ３４％
３−ＨＨ−Ｖ１ （２−１） ７％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ４％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （３−１） ３％
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−１ （３−６） ３％
３−ＨＨＥＨ−５ （３−１３） ３％
１Ｖ２−ＢＢ―Ｆ （１２−１） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−９７） ３％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１１３） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ３％
３−ＨＢＢＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−３２） ３％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−５７） ３％
３−ＧＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−５８） ４％
４−ＧＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−５８） ３％
５−ＧＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−５８） ３％
ＮＩ＝９５．３℃；η＝２３．０ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．１１６；Δε＝７．５．

本発明の液晶性化合物は、良好な物性を有する。この化合物を含有する液晶組成物は、パソコン、テレビなどの液晶表示素子に広く利用できる。

Claims (11)

1. 式（１）で表される化合物。
   
   

   

   
   式（１）において、
   Ｒ^１は、１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられた炭素数２から１０のアルキルであり、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
   Ｒ^２は、炭素数１から８のアルキルまたは炭素数２から８のアルケニルであり；
   環Ａ^１は、１，４−シクロヘキシレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、または２−フルオロ−１，４−フェニレンであり；
   Ｙ^１およびＹ^２は共に水素である。またはＹ^１およびＹ^２の一方は水素であり、他方はフッ素であり；
   Ｚ^１は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；
   ｎ^１は、１または２である。
2. 式（１−１）から（１−３）のいずれか１つで表される、請求項１に記載の化合物。
   
   

   

   
   式（１−１）から（１−３）において、
   Ｒ^１は、１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられた炭素数２から１０のアルキルであり、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
   Ｒ^２は、炭素数１から８のアルキルまたは炭素数２から８のアルケニルであり；
   環Ａ^１および環Ａ^２は独立して、１，４−シクロヘキシレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、または２−フルオロ−１，４−フェニレンであり；
   Ｙ^１およびＹ^２は共に水素である。またはＹ^１およびＹ^２の一方は水素であり、他方はフッ素であり；
   Ｚ^１は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−である。
3. 式（１−１）から（１−３）において、
   Ｒ^１が、１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられた炭素数２から８のアルキルである請求項２に記載の化合物。
4. 式（１−４）または（１−５）で表される、請求項１に記載の化合物。
   
   

   

   
   式（１−４）および（１−５）において、
   Ｒ^１は、１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられた炭素数２から８のアルキルであり；
   Ｒ^２は、炭素数１から６のアルキルまたは炭素数２から６のアルケニルであり；
   Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、およびＹ^４は全て水素である。またはＹ^１およびＹ^２の一方は水素であり、他方はフッ素であり、Ｙ^３およびＹ^４の一方は水素であり、他方はフッ素であり；
   Ｚ^１は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＣＨ＝ＣＨ−である。
5. 式（１−４）および（１−５）において、Ｚ^１が単結合である、請求項４に記載の化合物。
6. 式（１−６）で表される、請求項１に記載の化合物。
   
   

   

   
   式（１−６）において、
   Ｒ^１は、１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられた炭素数２から８のアルキルであり；
   Ｒ^２は、炭素数１から６のアルキルである。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の化合物を少なくとも１つ含有する液晶組成物。
8. 式（２）から（４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項７に記載の液晶組成物。
   
   

   

   
   式（２）から（４）において、
   Ｒ^１１およびＲ^１２は独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
   環Ｂ^１、環Ｂ^２、環Ｂ^３、および環Ｂ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
   Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または−Ｃ≡Ｃ−である。
   
   ただし、式（３）において、Ｒ^１１が二重結合を含み、環Ｂ^３が２−フルオロ−１，４−フェニレンであるとき、環Ｂ^２は１，４−シクロヘキシレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
   式（４）において、Ｒ^１１が二重結合を含み、環Ｂ^４が２−フルオロ−１，４−フェニレンであるとき、環Ｂ^３は１，４−シクロヘキシレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
   式（３）および（４）において、Ｒ^１２が二重結合を含み、環Ｂ^１が２−フルオロ−１，４−フェニレンであるとき、環Ｂ^２は１，４−シクロヘキシレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルである。
9. 式（１２）から（１４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項７または８に記載の液晶組成物。
   
   

   

   
   式（１２）から（１４）において、
   Ｒ^１６は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
   Ｘ^１１は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、または−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３であり；
   環Ｄ^１、環Ｄ^２、および環Ｄ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
   Ｚ^１８、Ｚ^１９、およびＺ^２０は独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり；
   Ｌ^１３およびＬ^１４は独立して、水素またはフッ素である。
10. 式（１５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項７から９のいずれか１項に記載の液晶組成物。
    
    

    

    
    式（１５）において、
    Ｒ^１７は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換られてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
    Ｘ^１２は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
    環Ｅ^１は、１，４−シクロヘキシレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
    Ｚ^２１は、単結合、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、または−Ｃ≡Ｃ−であり；
    Ｌ^１５およびＬ^１６は独立して、水素またはフッ素であり；
    ｉは、１、２、３、または４である。
11. 請求項７から１０のいずれか１項に記載の液晶組成物を含む液晶表示素子。