JP6897497B2 - シリコンブロックの品質判定方法、シリコンブロックの品質判定プログラム、およびシリコン単結晶の製造方法 - Google Patents

シリコンブロックの品質判定方法、シリコンブロックの品質判定プログラム、およびシリコン単結晶の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6897497B2
JP6897497B2 JP2017210658A JP2017210658A JP6897497B2 JP 6897497 B2 JP6897497 B2 JP 6897497B2 JP 2017210658 A JP2017210658 A JP 2017210658A JP 2017210658 A JP2017210658 A JP 2017210658A JP 6897497 B2 JP6897497 B2 JP 6897497B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
quality
silicon block
defect
single crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017210658A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2019081680A (ja
Inventor
康裕 齋藤
康裕 齋藤
智司 工藤
智司 工藤
俊二 倉垣
俊二 倉垣
大基 金
大基 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumco Corp
Original Assignee
Sumco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumco Corp filed Critical Sumco Corp
Priority to JP2017210658A priority Critical patent/JP6897497B2/ja
Priority to TW107119816A priority patent/TWI679317B/zh
Priority to CN201880070815.3A priority patent/CN111601916A/zh
Priority to PCT/JP2018/026099 priority patent/WO2019087469A1/ja
Priority to KR1020207014051A priority patent/KR102369392B1/ko
Publication of JP2019081680A publication Critical patent/JP2019081680A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6897497B2 publication Critical patent/JP6897497B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
JP2017210658A 2017-10-31 2017-10-31 シリコンブロックの品質判定方法、シリコンブロックの品質判定プログラム、およびシリコン単結晶の製造方法 Active JP6897497B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017210658A JP6897497B2 (ja) 2017-10-31 2017-10-31 シリコンブロックの品質判定方法、シリコンブロックの品質判定プログラム、およびシリコン単結晶の製造方法
TW107119816A TWI679317B (zh) 2017-10-31 2018-06-08 矽塊的品質判斷方法、矽塊的品質判斷程式及單晶矽的製造方法
CN201880070815.3A CN111601916A (zh) 2017-10-31 2018-07-10 硅块的品质判定方法、硅块的品质判定程序及单晶硅的制造方法
PCT/JP2018/026099 WO2019087469A1 (ja) 2017-10-31 2018-07-10 シリコンブロックの品質判定方法、シリコンブロックの品質判定プログラム、およびシリコン単結晶の製造方法
KR1020207014051A KR102369392B1 (ko) 2017-10-31 2018-07-10 실리콘 블럭의 품질 판정 방법, 실리콘 블럭의 품질 판정 프로그램 및 실리콘 단결정의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017210658A JP6897497B2 (ja) 2017-10-31 2017-10-31 シリコンブロックの品質判定方法、シリコンブロックの品質判定プログラム、およびシリコン単結晶の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019081680A JP2019081680A (ja) 2019-05-30
JP6897497B2 true JP6897497B2 (ja) 2021-06-30

Family

ID=66331574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017210658A Active JP6897497B2 (ja) 2017-10-31 2017-10-31 シリコンブロックの品質判定方法、シリコンブロックの品質判定プログラム、およびシリコン単結晶の製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6897497B2 (ko)
KR (1) KR102369392B1 (ko)
CN (1) CN111601916A (ko)
TW (1) TWI679317B (ko)
WO (1) WO2019087469A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7238815B2 (ja) * 2020-01-30 2023-03-14 株式会社Sumco 単結晶製造管理システム
US11618971B2 (en) * 2020-09-29 2023-04-04 Sumco Corporation Method and apparatus for manufacturing defect-free monocrystalline silicon crystal
JP7375716B2 (ja) * 2020-09-30 2023-11-08 株式会社Sumco 単結晶シリコンブロックの結晶欠陥に関する品質評価方法、単結晶シリコンブロックの品質評価プログラム、単結晶シリコンブロックの製造方法およびシリコンウェーハの製造方法
CN114897402A (zh) * 2022-05-26 2022-08-12 西安奕斯伟材料科技有限公司 晶棒制造管理方法和晶棒制造管理系统

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4537643B2 (ja) 2002-01-24 2010-09-01 信越半導体株式会社 シリコン単結晶ウェーハの製造方法
JP2006045007A (ja) * 2004-08-05 2006-02-16 Komatsu Electronic Metals Co Ltd シリコン単結晶の品質評価方法
JP4701738B2 (ja) * 2005-02-17 2011-06-15 株式会社Ｓｕｍｃｏ 単結晶の引上げ方法
JP4792903B2 (ja) 2005-10-04 2011-10-12 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの製造方法及び半導体インゴットの切断位置決定システム
JP5204415B2 (ja) * 2006-03-03 2013-06-05 国立大学法人 新潟大学 ＣＺ法によるＳｉ単結晶インゴットの製造方法
CN101437988A (zh) * 2006-03-03 2009-05-20 国立大学法人新潟大学 通过CZ法生产Si单晶锭料的方法
JP4640504B2 (ja) * 2006-06-09 2011-03-02 株式会社Ｓｕｍｃｏ 単結晶シリコンウェーハのｃｏｐ評価方法
US8771415B2 (en) * 2008-10-27 2014-07-08 Sumco Corporation Method of manufacturing silicon single crystal, silicon single crystal ingot, and silicon wafer
JP2010116271A (ja) * 2008-11-11 2010-05-27 Sumco Corp シリコン単結晶の育成方法及びシリコン単結晶インゴット
JP5552875B2 (ja) * 2010-04-12 2014-07-16 株式会社Ｓｕｍｃｏ 単結晶の製造方法および半導体ウェーハの製造方法
US9777394B2 (en) * 2013-02-22 2017-10-03 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of producing silicon single crystal ingot

Also Published As

Publication number Publication date
KR102369392B1 (ko) 2022-03-02
WO2019087469A1 (ja) 2019-05-09
CN111601916A (zh) 2020-08-28
TWI679317B (zh) 2019-12-11
KR20200073264A (ko) 2020-06-23
TW201918593A (zh) 2019-05-16
JP2019081680A (ja) 2019-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6897497B2 (ja) シリコンブロックの品質判定方法、シリコンブロックの品質判定プログラム、およびシリコン単結晶の製造方法
JP5946001B2 (ja) シリコン単結晶棒の製造方法
US20130323153A1 (en) Silicon single crystal wafer
JP4193610B2 (ja) 単結晶の製造方法
JP2005015312A (ja) 単結晶の製造方法及び単結晶
JP5381558B2 (ja) シリコン単結晶の引上げ方法
JP2005015313A (ja) 単結晶の製造方法及び単結晶
JP6044530B2 (ja) シリコン単結晶の育成方法
JP4151474B2 (ja) 単結晶の製造方法及び単結晶
JP4457584B2 (ja) 単結晶の製造方法及び単結晶
JP4158237B2 (ja) 高品質シリコン単結晶の育成方法
JP6263999B2 (ja) シリコン単結晶の育成方法
JP2005015290A (ja) 単結晶の製造方法及び単結晶
JP4461776B2 (ja) シリコン単結晶の製造方法
JP2005015287A (ja) 単結晶の製造方法及び単結晶製造装置
JP2003327494A (ja) シリコン単結晶製造方法およびシリコン単結晶製造操業用プログラムならびにシリコン単結晶製造装置
TWI671440B (zh) 矽單結晶的製造方法、矽單結晶及矽晶圓
JP4881539B2 (ja) 単結晶の製造方法及び単結晶
CN109478512B (zh) 硅晶片的制造方法
JP2005015297A (ja) 単結晶の製造方法及び単結晶
JP2005015298A (ja) 単結晶の製造方法及び単結晶
JP6544275B2 (ja) シリコン単結晶の加工方法
JP2005015288A (ja) 単結晶の製造方法及び単結晶

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191101

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201027

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210511

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210524

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6897497

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250