JP6888240B2

JP6888240B2 - パウチ

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Description

本発明は食品等の内容物を収容可能なパウチに関する。

内容物が封入された状態で加熱手段により加熱されるパウチが知られている。パウチが加熱されることにより内容物から蒸気が発生し、その蒸気により内容物が蒸らされ、パウチの内部の圧力が上昇する。パウチの内部の圧力が上昇し続けた場合、パウチが破裂するおそれがある。このため、内容物から発生した蒸気をパウチの内部から外部に排出するための切り込みをパウチを構成するシートに予め形成する技術が従来のパウチに取り入れられている。

特許文献１はそのようなパウチの一例を開示している。このパウチのシートはナイロン樹脂により形成され、パウチの外面を構成する基材層、および、低密度ポリエチレン樹脂により形成され、基材層の内面に接合されたシーラント層が積層された積層構造を備える。基材層に切り込みが形成され、その切り込みがシーラント層により閉じられている。

パウチが加熱されることにより内部の圧力が上昇した場合、パウチが次第に膨張し、シーラント層のうちの基材層の切り込みと対応する部分が破断し、シーラント層および基材層を貫通する蒸気の通路が形成され、その通路から蒸気がパウチの外部に排出される。

特開２０１５−１３４４１号公報

低密度ポリエチレン樹脂の融点は比較的低い。このため、レーザー加工により特許文献１のパウチの基材層に切り込みが形成される場合、レーザー加工により生じる熱によりシーラント層が溶融し、シートにピンホールが形成されるおそれがある。なお、特許文献１のパウチに限らず、融点が低い材料によりシーラント層が形成されるパウチであれば同様の課題が生じると考えられる。

本発明の目的はピンホールが形成されにくいパウチを提供することである。

〔１〕本発明に従うパウチの一形態は、内部に形成された収容空間に内容物を収容可能なパウチであって、前記内容物から発生した蒸気が通過するように切り込みまたは穴が形成された基材層、および、前記基材層の内面に接合されたシーラント層を含み、前記収容空間が形成されるようにシールされたシートを備え、前記シーラント層はポリオレフィン系樹脂を含む高密度層、および、ポリオレフィン系樹脂を含む低密度層が積層された積層構造を備える。

上記パウチによれば、基材層の切り込みまたは穴が基材層を貫通する第１の形態、および、基材層の切り込みまたは穴が基材層を貫通しない第２の形態が含まれる。第１の形態のパウチでは基材層の切り込みもしくは穴はシーラント層により閉じられる。

内容物が収容空間に収容され、収容空間が密封された状態において上記パウチが加熱された場合、内容物から発生する蒸気により収容空間の圧力が上昇する。このとき、内容物が蒸気により蒸らされる。

第１の形態のパウチによれば、シーラント層のうちの基材層の切り込みまたは穴に対応する部分が破断し、シーラント層および基材層を貫通する蒸気の通路が形成される。第２の形態のパウチによれば、シーラント層のうちの基材層の切り込みまたは穴に対応する部分に加え、基材層のうちの切り込みまたは穴の底が破断し、シーラント層および基材層を貫通する蒸気の通路が形成される。このため、収容空間の蒸気がその通路を介してパウチの外部に抜け、収容空間の圧力の上昇が抑えられ、収容空間の圧力が過度に上昇し、パウチが急激に破裂するおそれが低減される。

上記〔１〕に記載のパウチによればさらに次の効果が得られる。パウチのシーラント層は低密度層よりも融点が高い高密度層と低密度層とを含むため、シーラント層が低密度層だけにより構成される場合と比較してシートの融点が高く、レーザー加工により基材層に切り込みまたは穴が形成される場合にシーラント層にピンホールが形成されにくい。

一方、シーラント層全体を高密度層により構成した場合には次の課題をまねくおそれがある。高密度層は低密度層よりも延びにくいため、内容物の加熱にともないパウチの内部の圧力が上昇してもシーラント層が熱膨張する度合が小さく、シーラント層のうちの基材層の切り込みまたは穴と対応する部分が破断しない。このため、パウチの外部に蒸気が排出されず、パウチの内部の圧力が上昇し続け、圧力が一定の水準に達した段階でパウチが破裂するおそれがある。

上記〔１〕に記載のパウチによれば、上述のとおりシーラント層に高密度層および低密度層が含まれるため、シーラント層全体が高密度層により構成される場合と比較して、パウチの内部の圧力が上昇した場合におけるシーラント層の熱膨張の度合が大きい。このため、パウチの内部の圧力の上昇にともないシーラント層のうちの基材層の切り込みまたは穴と対応する部分が適切に破断し、パウチの内部の蒸気が外部に排出され、パウチが破裂するおそれが低減される。

〔２〕前記パウチの一例によれば、前記高密度層の密度は０．９３０ｇ／ｃｍ^３〜０．９４０ｇ／ｃｍ^３の範囲に含まれる。
レーザー加工によりシーラント層が溶融する度合はレーザー加工装置の出力に応じて異なる。高密度層の密度が上記範囲に含まれる場合、レーザー加工により切り込みまたは穴が形成される場合にシーラント層が溶けにくいレーザー加工装置の出力の範囲が広いことが試験により確認された。このため、上記パウチを製造する場合、多様な加工条件から実際に設定する加工条件を選択できる。

〔３〕前記パウチの一例によれば、前記低密度層の密度は０．９１５ｇ／ｃｍ^３〜０．９２５ｇ／ｃｍ^３の範囲に含まれる。
低密度層の密度が上記範囲に含まれる場合、内容物から発生した蒸気によりシーラント層のうちの基材層の切り込みまたは穴と対応する部分が一層破断しやすいことが試験により確認された。

〔４〕前記パウチの一例によれば、前記高密度層が前記基材層の内面に接合される。
低密度層よりも融点が高い高密度層が切り込みまたは穴が形成される基材層に接合されるため、レーザー加工により基材層に切り込みまたは穴が形成される場合にシーラント層にピンホールが一層形成されにくい。

〔５〕前記パウチの一例によれば、前記シーラント層における前記高密度層の重量の割合は６０％〜８０％の範囲に含まれる。
高密度層の重量の割合が６０％以上の場合、レーザー加工により基材層に切り込みまたは穴が形成されるとき、シーラント層にピンホールが形成されにくいことが試験により確認された。一方、高密度層の重量の割合が８０％以下の場合、内容物から発生した蒸気によりシーラント層のうちの基材層の切り込みまたは穴と対応する部分が破断しやすいことが試験により確認された。

〔６〕前記パウチの一例によれば、前記収容空間に収容された内容物を備える。
上記パウチによれば、上記〔１〕〜〔５〕に記載のパウチに準じた効果が得られる。

上記パウチによれば、ピンホールが形成されにくい。

第１実施形態のパウチの正面図。図１のＤ２−Ｄ２線に沿う断面図。収容空間に内容物が収容されたパウチの正面図。図３のＤ４−Ｄ４線に沿う断面図。シーラント層が破断したパウチの断面図。加熱終了後のパウチの断面図。サンプルパウチＡおよびＢの評価試験の結果を示す表。サンプルパウチＣ、ＤおよびＥの評価試験の結果を示す表。サンプルパウチＦおよびＧの評価試験の結果を示す表。第２実施形態のパウチの断面図。サンプルパウチＨ、ＩおよびＪの評価試験の結果を示す表。サンプルパウチＫおよびＬの評価試験の結果を示す表。

（第１実施形態）
図１は内容物が封入されていないパウチ１の外観を示している。パウチ１は互いに対向する第１のシート１０および第２のシート２０、ならびに、第１のシート１０の縁と第２のシート２０の縁とが互いにシールされた部分であるシール部３０を備える。第１のシート１０および第２のシート２０がシールされることにより、内容物を収容する収容空間２、および、収容空間２に内容物を入れるための開口４０が対向する第１のシート１０の内面と第２のシート２０の内面との間に形成されている。なお、図１および図３に示されるドットはパウチ１のうちのシール部３０である。

図２に示されるように、第１のシート１０は内容物から発生した蒸気が通過するように切り込み１１Ａが形成された基材層１１、および、基材層１１の内面に接合されたシーラント層１２が積層された積層構造を備える。切り込み１１Ａは基材層１１を貫通している。シーラント層１２には切り込み１１Ａが形成されていない。

基材層１１は樹脂材料により形成されている。樹脂材料の一例はナイロン樹脂である。切り込み１１Ａはパウチ１の幅方向の中央に形成され、パウチ１の幅方向に延びている。切り込み１１Ａはシーラント層１２により閉じられる。切り込み１１Ａは例えば炭酸ガスレーザー加工装置（以下「レーザー加工装置」）（図示略）により基材層１１が加工されることにより形成される。

シーラント層１２は基材層１１の内面に接合される高密度層１３、および、高密度層１３の内面に接合される低密度層１４を備える。高密度層１３のうちの切り込み１１Ａに対応する部分である第１の通蒸予定部１３Ａは基材層１１と接合されていない。このため、収容空間２の圧力の上昇によりパウチ１が熱膨張した場合、第１の通蒸予定部１３Ａ、および、低密度層１４のうちの第１の通蒸予定部１３Ａと対応する部分である第２の通蒸予定部１４Ａは応力が集中し、シーラント層１２の他の部分よりも破断しやすい。第１の通蒸予定部１３Ａおよび第２の通蒸予定部１４Ａが破断した場合、切り込み１１Ａ、第１の通蒸予定部１３Ａ、および、第２の通蒸予定部１４Ａによりパウチ１の外部と収容空間２とを連通する通路が形成される。

高密度層１３を構成する材料はポリオレフィン系樹脂であり、ポリオレフィン系樹脂の一例はポリエチレンである。高密度層１３を構成する樹脂材料の密度、および、シーラント層１２における高密度層１３の重量の割合はピンホール耐性が良好である範囲で任意の値を取り得る。ピンホール耐性はレーザー加工装置を用いて第１のシート１０の基材層１１に切り込み１１Ａを形成する際に、シーラント層１２におけるピンホールの形成のされにくさを評価する項目である。

ピンホール耐性に影響を及ぼす主要な因子は、高密度層１３を構成する樹脂材料の密度、および、シーラント層１２における高密度層１３の重量の割合である。パウチ１ではピンホール耐性が良好となるように上記各因子の値が決められている。

ピンホール耐性の評価試験によれば、高密度層１３を構成する樹脂材料の密度が０．９３０ｇ／ｃｍ^３〜０．９４０ｇ／ｃｍ^３の範囲に含まれる場合、ピンホール耐性が良好となりやすいことが確認された。一例によれば、高密度層１３の密度は０．９４０ｇ／ｃｍ^３である。

同評価試験によれば、シーラント層１２における高密度層１３の重量の割合が６０％〜８０％の範囲に含まれる場合、ピンホール耐性が良好となりやすいことが確認された。一例によれば、シーラント層１２における高密度層１３の重量の割合は８０％である。

低密度層１４を構成する材料はポリオレフィン系樹脂であり、ポリオレフィン系樹脂の一例はポリエチレンである。低密度層１４を構成する樹脂材料の密度、および、シーラント層１２における低密度層１４の重量の割合は通蒸適性が良好である範囲で任意の値を取り得る。通蒸適性は内容物が収容されたパウチ１が加熱されることにより、収容空間２の圧力が上昇して第１の通蒸予定部１３Ａおよび第２の通蒸予定部１４Ａが破断した後（以下「通蒸後」）の切り込み１１Ａの形状を評価する項目である。

通蒸後のパウチ１の幅方向における切り込み１１Ａの寸法が規定の寸法よりも大きい場合、通蒸適性が不良であると評価される。なお、規定の寸法は収容空間２の内圧が過度に上昇し、パウチ１が破裂して通蒸したために切り込み１１Ａの寸法が大きくなったと判定できる寸法である。一方、通蒸後のパウチ１の幅方向における切り込み１１Ａの寸法が規定の寸法よりも小さい場合、通蒸適性が良好であると評価される。

通蒸適性に影響を及ぼす主要な因子は、低密度層１４を構成する樹脂材料の密度、および、シーラント層１２における低密度層１４の重量の割合である。パウチ１では通蒸適性が良好となるように上記各因子の値が決められている。なお、高密度層１３を構成する樹脂材料の密度も通蒸適性に影響を及ぼすと考えられる。このため、低密度層１４を構成する樹脂材料の密度、シーラント層１２における低密度層１４の重量の割合、および、高密度層１３を構成する樹脂材料の密度の３種類の因子の値を調節することにより、良好な通蒸適性を確保することも可能である。

通蒸適性の評価試験によれば、低密度層１４を構成する樹脂材料の密度が０．９１５ｇ／ｃｍ^３〜０．９２５ｇ／ｃｍ^３の範囲に含まれる場合、通蒸適性が良好になりやすいことが確認された。一例によれば低密度層１４の密度は０．９２５ｇ／ｃｍ^３である。

同評価試験によれば、シーラント層１２における低密度層１４の重量の割合が２０％〜４０％の範囲に含まれる場合、通蒸適性が良好になりやすいことが確認された。一例によれば、シーラント層１２における低密度層１４の重量の割合は２０％である。

第２のシート２０は基材層２１、および、基材層２１の内面に接合されたシーラント層２２を含む。シーラント層２２は基材層２１の内面に接合される高密度層２３、および、高密度層２３の内面に接合される低密度層２４を備える。なお、第２のシート２０は第１のシート１０と同一の積層構造を有するシートが用いられ、基材層２１に切り込みが形成されていない点、および、シーラント層２２に通蒸予定部が存在しない点を除いては第１のシート１０と同じであるため、詳細な説明を省略する。

シール部３０は第１のシート１０の低密度層１４の縁と第２のシート２０の低密度層２４の縁とが互いにシールされた部分である。シール部３０はパウチ１の高さ方向に延びる第１の辺３１および第２の辺３２、ならびに、パウチ１の幅方向に延びる第３の辺３３を含む。

第１の辺３１には、パウチ１の高さ方向において切り込み１１Ａよりも第３の辺３３に近い位置にノッチ３Ａが形成されている。
第２の辺３２はパウチ１の幅方向において第１の辺３１と対向している。第２の辺３２には、パウチ１の高さ方向において切り込み１１Ａよりも第３の辺３３に近い位置にノッチ３Ｂが形成されている。

ノッチ３Ｂはパウチ１の幅方向においてノッチ３Ａと対向している。エンドユーザーがノッチ３Ａまたはノッチ３Ｂをきっかけとしてパウチ１を切り取る際に、図１の二点鎖線で示される切り取り線４が形成される。

開口４０は第１のシート１０の低密度層１４の縁と第２のシート２０の低密度層２４の縁とが互いにシールされていない部分である。パウチ１の高さ方向において、開口４０と一対のノッチ３Ａ，３Ｂとの間に、切り込み１１Ａ、第１の通蒸予定部１３Ａ、および、第２の通蒸予定部１４Ａが形成されている。

パウチ１の使用方法とともに作用について説明する。
図３に示されるように、パウチ１は収容空間２に内容物１００が収容された状態で開口４０がシールされることにより内容物１００が密封される。内容物１００は固形具材１１０およびソース１２０を含む。

図４に示されるように、パウチ１は第１のシート１０が第２のシート２０よりも上側になるように電子レンジ等の加熱手段（図示略）に配置される。パウチ１が加熱手段により加熱されることにより、内容物１００から蒸気が発生し、収容空間２の圧力が次第に上昇する。このため、第１のシート１０と第２のシート２０とが互いに離間する方向に膨張する。このとき、内容物１００が蒸気により蒸らされる。なお、図４および図５の矢印は内容物１００から発生した蒸気のイメージを示している。

図５に示されるように、第１のシート１０が膨張することにより、シーラント層１２のうちの第１の通蒸予定部１３Ａおよび第２の通蒸予定部１４Ａが破断し、シーラント層１２と基材層１１とを貫通する蒸気の通路が形成される。

図６に示されるように、収容空間２の蒸気がその通路を介してパウチ１の外部に抜け、収容空間２の圧力の上昇が抑えられる。このため、収容空間２の圧力が過度に上昇し、パウチ１が急激に破裂するおそれが低減される。なお、パウチ１の加熱が終了した後、エンドユーザーは一例として、シール部３０を掴んでパウチ１を加熱手段の外部に取り出す。そして、ノッチ３Ａまたはノッチ３Ｂ（図３参照）をきっかけとしてパウチ１を切り取り線４（図３参照）に沿って切り取った後、収容空間２から内容物１００を取り出す。

図７〜図９を参照して、パウチ１の評価試験について説明する。
本願発明者は第１のシート１０のシーラント層１２の積層構造が異なる７つのパウチ（以下「サンプルパウチＡ〜Ｇ」）を用いて以下に説明するピンホール耐性および通蒸適性の評価試験を実施した。なお、サンプルパウチＡ〜Ｇはシーラント層１２の積層構造以外については、第１実施形態のパウチ１と同一の構成であるため、第１実施形態と共通する構成については第１実施形態と同一の符号を付し、その説明を省略する。

図７〜図９に示されるとおり、サンプルパウチＡ〜Ｇはシーラント層１２の層構造および層の密度が異なる。
サンプルパウチＡのシーラント層１２の層構造は高密度層１３だけにより構成される単層構造である。サンプルパウチＢのシーラント層１２の層構造は低密度層１４だけにより構成される単層構造である。サンプルパウチＣ〜Ｇの層構造は高密度層１３および低密度層１４により構成される２層構造である。サンプルパウチＣ〜Ｆのシーラント層１２における高密度層１３の重量の割合は８０％であり、シーラント層１２における低密度層１４の重量の割合は２０％である。サンプルパウチＧのシーラント層１２における高密度層１３の重量の割合は６０％であり、シーラント層１２における低密度層１４の重量の割合は４０％である。

サンプルパウチＡの高密度層１３の密度は０．９３５ｇ／ｃｍ^３である。サンプルパウチＢの低密度層１４の密度は０．９１５ｇ／ｃｍ^３である。
サンプルパウチＣの高密度層１３の密度は０．９４０ｇ／ｃｍ^３であり、低密度層１４の密度は０．９１５ｇ／ｃｍ^３である。サンプルパウチＤの高密度層１３の密度は０．９４０ｇ／ｃｍ^３であり、低密度層１４の密度は０．９２５ｇ／ｃｍ^３である。サンプルパウチＥの高密度層１３の密度は０．９３０ｇ／ｃｍ^３であり、低密度層１４の密度は０．９１５ｇ／ｃｍ^３である。サンプルパウチＦの高密度層１３の密度は０．９３０ｇ／ｃｍ^３であり、低密度層１４の密度は０．９２０ｇ／ｃｍ^３である。サンプルパウチＧの高密度層１３の密度は０．９４０ｇ／ｃｍ^３であり、低密度層１４の密度は０．９１５ｇ／ｃｍ^３である。

本評価試験のピンホール耐性の評価方法について説明する。
本願発明者はサンプルパウチＡ〜Ｇごとにレーザー加工装置の駆動条件を変化させてピンホール耐性を評価した。レーザー加工装置の駆動条件は湿度条件、および、出力条件を含む。

湿度条件はレーザー加工装置が駆動する室内の湿度に関する条件である。本評価試験では１５％ＲＨおよび９０％ＲＨが選択された。なお、いずれの湿度条件においても室内の温度は２５℃である。

出力条件は第１のシート１０の基材層１１に切り込み１１Ａ（図１参照）を形成する場合にレーザー加工装置により出力されるレーザーの出力の大きさに関する条件である。本評価試験では１３Ｗ、１７Ｗ、２１Ｗ、２５Ｗ、２９Ｗ、および、３３Ｗが選択された。なお、切り込み１１Ａの形成時におけるレーザー加工装置の移動速度であるスキャン速度は７００ｍｍ／ｓである。

ピンホール耐性の評価は次の手順で実施された。最初に、内容物が収容されていないサンプルパウチＡ〜Ｇのいずれかがレーザー加工装置にセットされる。次に、レーザー加工装置により切り込み１１Ａが形成された第１のシート１０のシーラント層１２に紙が密着させられる。次に、第１のシート１０の基材層１１における切り込み１１Ａおよびその周辺がペンにより着色される。次に、シーラント層１２と密着した紙がペンのインクにより着色されているか否かが目視により確認される。

シーラント層１２にピンホールが形成されている場合、紙がペンのインクにより着色される。このため、紙がペンのインクにより着色されている場合、ピンホール耐性が不良と評価される。シーラント層１２にピンホールが形成されていない場合、紙がペンのインクにより着色されない。このため、紙がペンのインクにより着色されていない場合、ピンホール耐性が良好と評価される。

本評価試験の通蒸適性の評価方法について説明する。
通蒸適性の評価は次の手順で実施された。最初に、内容物が収容されたサンプルパウチＡ〜Ｇのいずれかが加熱手段にセットされる。次に、サンプルパウチのシーラント層１２の各通蒸予定部１３Ａ，１４Ａが破断し、破断した各通蒸予定部１３Ａ、１４Ａおよび切り込み１１Ａにより形成される蒸気の通路を介して蒸気が排出されるまで、加熱手段によりサンプルパウチが加熱される。次に、通蒸後の切り込み１１Ａの寸法がスケールにより測定される。

加熱されたサンプルパウチの収容空間２から蒸気が適切に排出されず、収容空間２の圧力が過度に上昇した場合、シーラント層１２が急激に破断し、切り込み１１Ａが規定の寸法よりも長くなる。このため、通蒸後の切り込み１１Ａの寸法が規定の寸法よりも長い場合、通蒸適性が不良と評価される。加熱されたサンプルパウチの収容空間２から蒸気が適切に排出され、収容空間２の圧力が適正な範囲に維持された場合、シーラント層１２が破断しても切り込み１１Ａの寸法が規定の寸法内に含まれる。このため、通蒸後の切り込み１１Ａの寸法が規定の寸法以下の場合、通蒸適性が良好と評価される。

以上のようなピンホール耐性および通蒸適性の評価は、湿度条件が１５％ＲＨおよび９０％ＲＨのそれぞれの場合において、レーザー加工装置の出力条件を変化させて切り込み１１Ａを形成したサンプルパウチＡ〜Ｇを用いて行われた。

図７〜図９の「○」および「×」の記号はサンプルパウチＡ〜Ｇに関するピンホール耐性および通蒸適性の評価結果を示す。「○」は該当するサンプルパウチのピンホール耐性または通蒸適性が良好であることを示す。「×」は該当するサンプルパウチのピンホール耐性または通蒸適性が不良であることを示す。

評価試験の結果により示されるとおり、２層構造を備えるシーラント層１２は単層構造を備えるシーラント層１２と比較して、良好なピンホール耐性および通蒸適性が得られるレーザー加工装置の出力条件の範囲が広い。

パウチ１によれば、以下の効果が得られる。
（１）パウチ１のシーラント層１２は低密度層１４よりも融点が高い高密度層１３と低密度層１４とを含むため、シーラント層１２が低密度層１４だけにより構成される場合と比較して第１のシート１０の融点が高く、レーザー加工により基材層１１に切り込み１１Ａが形成される場合にシーラント層１２にピンホールが形成されにくい。

一方、高密度層１３は低密度層１４よりも延びにくいため、内容物１００の加熱にともないパウチ１の内部の圧力が上昇してもシーラント層１２が熱膨張する度合が小さい。このため、サンプルパウチＡのように、シーラント層１２全体を高密度層１３により構成すると、レーザー加工装置の出力が低い場合、シーラント層１２のうちの基材層１１の切り込み１１Ａと対応する部分が破断しないおそれがある。このため、パウチ１の外部に蒸気が排出されず、パウチ１の内部の圧力が上昇し続け、圧力が一定の水準に達した段階でパウチ１が破裂するおそれがある。

パウチ１によれば、上述のとおりシーラント層１２に高密度層１３および低密度層１４が含まれるため、シーラント層１２全体が高密度層１３により構成される場合と比較して、パウチ１の内部の圧力が上昇した場合におけるシーラント層１２の熱膨張の度合が大きい。このため、パウチ１の内部の圧力の上昇にともないシーラント層１２のうちの基材層１１の切り込み１１Ａと対応する部分である第１の通蒸予定部１３Ａおよび第２の通蒸予定部１４Ａが適切に破断し、パウチ１の内部の蒸気が外部に排出され、パウチ１が破裂するおそれが低減される。

（２）レーザー加工によりシーラント層１２が溶融する度合はレーザー加工装置の出力に応じて異なる。高密度層１３の密度が０．９３０ｇ／ｃｍ^３〜０．９４０ｇ／ｃｍ^３の範囲に含まれる場合、レーザー加工により切り込み１１Ａが形成される場合にシーラント層１２が溶けにくいレーザー加工装置の出力の範囲が広いことが評価試験により確認された。このため、パウチ１を製造する場合、多様な加工条件から実際に設定する加工条件を選択できる。

（３）低密度層１４の密度が０．９１５ｇ／ｃｍ^３〜０．９２５ｇ／ｃｍ^３の範囲に含まれる場合、内容物１００から発生した蒸気によりシーラント層１２のうちの基材層１１の切り込み１１Ａと対応する部分である第１の通蒸予定部１３Ａおよび第２の通蒸予定部１４Ａが一層破断しやすいことが評価試験により確認された。

（４）低密度層１４よりも融点が高い高密度層１３が切り込み１１Ａが形成される基材層１１に接合されるため、レーザー加工により基材層１１に切り込み１１Ａが形成される場合にシーラント層１２にピンホールが一層形成されにくい。

（５）高密度層１３の重量の割合が６０％以上の場合、レーザー加工により基材層１１に切り込み１１Ａが形成される場合、シーラント層１２にピンホールが形成されにくいことが評価試験により確認された。高密度層１３の重量の割合が８０％以下の場合、内容物１００から発生した蒸気によりシーラント層１２のうちの基材層１１の切り込み１１Ａと対応する部分である第１の通蒸予定部１３Ａおよび第２の通蒸予定部１４Ａが破断しやすいことが試験により確認された。

（６）基材層１１がナイロン樹脂により形成されているため、パウチ１の物理的強度が高められる。このため、例えば、内容物１００が収容された状態のパウチ１が搬送されているときにパウチ１が傷つきにくく、内容物１００が収容空間２から漏れ出しにくい。

（７）第１のシート１０は融点が低い低密度層１４が最も内側に積層され、第２のシート２０は融点が低い低密度層２４が最も内側に積層されている。このため、低密度層１４と低密度層２４とをシールしやすく、シール部３０を形成しやすい。

（第２実施形態）
図１０を参照して、第２実施形態のパウチ２００について説明する。第２実施形態のパウチ２００は第１実施形態のパウチ１とシーラント層１２の積層構造、および、シーラント層２２の積層構造が異なる点で相違し、その他の点は第１実施形態のパウチ１と実質的に同一である。なお、第１実施形態と共通する構成については第１実施形態と同一の符号を付し、その説明を省略する。

パウチ２００のシーラント層１２は基材層１１の内面に接合される低密度層１４、および、低密度層１４の内面に接合される高密度層１３を備える。
パウチ２００のシーラント層２２は基材層１１の内面に接合される低密度層２４、および、低密度層２４の内面に接合される高密度層２３を備える。

図１１および図１２を参照して、パウチ２００の評価試験について説明する。
本願発明者は第１のシート１０のシーラント層１２の積層構造が異なる５つのパウチ（以下「サンプルパウチＨ〜Ｌ」）を用いてピンホール耐性および通蒸適性の評価試験を実施した。なお、サンプルパウチＨ〜Ｌはシーラント層１２の積層構造以外について第２実施形態のパウチ２００と同一の構成であるため、第２実施形態と共通する構成については第２実施形態と同一の符号を付し、その説明を省略する。また、評価試験の評価項目の内容についても第１実施形態で説明した評価試験の評価項目の内容と同一であるため説明を省略する。

図１１および図１２に示されるとおり、サンプルパウチＨ〜Ｌはシーラント層１２の層構造および層の密度が異なる。
サンプルパウチＨ〜Ｌの層構造は高密度層１３および低密度層１４により構成される２層構造である。サンプルパウチＨ〜Ｌのシーラント層１２における低密度層１４の重量の割合は２０％であり、シーラント層１２における高密度層１３の重量の割合は８０％である。サンプルパウチＬのシーラント層１２における低密度層１４の重量の割合は４０％であり、シーラント層１２における高密度層１３の重量の割合は６０％である。

サンプルパウチＨの低密度層１４の密度は０．９１５ｇ／ｃｍ^３であり、高密度層１３の密度は０．９４０ｇ／ｃｍ^３である。サンプルパウチＩの低密度層１４の密度は０．９２５ｇ／ｃｍ^３であり、高密度層１３の密度は０．９４０ｇ／ｃｍ^３である。サンプルパウチＪの低密度層１４の密度は０．９１５ｇ／ｃｍ^３であり、高密度層１３の密度は０．９３０ｇ／ｃｍ^３である。サンプルパウチＫの低密度層１４の密度は０．９２０ｇ／ｃｍ^３であり、高密度層１３の密度は０．９２０ｇ／ｃｍ^３である。サンプルパウチＬの低密度層１４の密度は０．９１５ｇ／ｃｍ^３であり、高密度層１３の密度は０．９４０ｇ／ｃｍ^３である。

評価結果により示されるとおり、２層構造を備えるシーラント層１２はサンプルパウチＡ，Ｂ（図７参照）のような単層構造を備えるシーラント層１２よりも良好なピンホール耐性および通蒸適性が得られるレーザー加工装置の出力条件の範囲が広い。

パウチ１によれば、上記（１）〜（３）、（５）、および、（６）に準じた効果に加えて、以下の効果が得られる。
（７）融点が高い高密度層１３が最も内側に積層されるため、内容物１００が収容された状態のパウチ２００が加熱されることにより、内容物１００、または、内容物１００から発生する高温の蒸気とシーラント層１２とが接触してもシーラント層１２が溶けにくい。このため、パウチ２００の耐熱性が高められる。

（変形例）
上記実施形態に関する説明は、本発明に従うパウチが取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本発明に従うパウチは、例えば以下に示される実施形態の変形例、および、相互に矛盾しない少なくとも２つの変形例が組み合わせられた形態を取り得る。

・変形例のパウチ１、または、変形例のパウチ２００によれば、基材層１１およびシーラント層１２の積層方向において基材層１１を貫通しない切り込み１１Ａが形成される。この場合、第１の通蒸予定部１３Ａおよび第２の通蒸予定部１４Ａに加え、基材層１１のうちの切り込み１１Ａの底が破断し、シーラント層１２および基材層１１を貫通する蒸気の通路が形成される。

・変形例のパウチ１、または、変形例のパウチ２００によれば、基材層１１およびシーラント層１２の積層方向において、切り込み１１Ａがシーラント層１２の中間部分までにわたり形成される。

・変形例のパウチ１、または、変形例のパウチ２００によれば、基材層１１を貫通する穴、または、基材層１１を貫通しない穴が基材層１１に形成される。基材層１１を貫通する穴が基材層１１に形成される場合、穴は基材層１１およびシーラント層１２の積層方向において、シーラント層１２の中間部分までにわたり形成されてもよい。また、基材層１１を貫通しない穴が基材層１１に形成される場合、シーラント層１２のうちの基材層１１の穴に対応する部分に加え、基材層１１のうちの穴の底が破断し、シーラント層１２および基材層１１を貫通する蒸気の通路が形成される。

・変形例のパウチ１、または、変形例のパウチ２００によれば、シーラント層１２における高密度層１３の重量の割合が６０％よりも小さい、または、８０％よりも大きい。
・変形例のパウチ１、または、変形例のパウチ２００によれば、基材層１１がポリエチレンテレフタレート樹脂、または、二軸延伸ポリプロピレン樹脂を含む材料により形成される。

・変形例のパウチ１、または、変形例のパウチ２００によれば、高密度層１３が硬質ポリエチレン樹脂等のポリオレフィン系樹脂を含む材料により形成される。
・変形例のパウチ１、または、変形例のパウチ２００によれば、低密度層１４が直鎖状低密度ポリエチレン樹脂等のポリオレフィン系樹脂を含む材料により形成される。

１，２００：パウチ
２：収容空間
１０：第１のシート（シート）
１１：基材層
１１Ａ：切り込み
１２：シーラント層
１３：高密度層
１４：低密度層
１００：内容物

Claims

内部に形成された収容空間に内容物を収容可能なパウチであって、
前記内容物から発生した蒸気が通過するように切り込みまたは穴が形成された基材層、および、前記基材層の内面に接合されたシーラント層を含み、前記収容空間が形成されるようにシールされたシートを備え、
前記シーラント層はポリオレフィン系樹脂を含む高密度層、および、前記高密度層に接合され、ポリオレフィン系樹脂を含む低密度層を備え、
前記シーラント層は前記切り込みまたは穴に対応し、前記基材層と接合されていない通蒸予定部を備え、
前記高密度層の密度は０．９３０ｇ／ｃｍ^３〜０．９４０ｇ／ｃｍ^３の範囲に含まれる
パウチ。
前記低密度層の密度は０．９１５ｇ／ｃｍ^３より大きく０．９２５ｇ／ｃｍ^３以下の範囲に含まれる
請求項１に記載のパウチ。
内部に形成された収容空間に内容物を収容可能なパウチであって、
前記内容物から発生した蒸気が通過するように切り込みまたは穴が形成された基材層、および、前記基材層の内面に接合されたシーラント層を含み、前記収容空間が形成されるようにシールされたシートを備え、
前記シーラント層はポリオレフィン系樹脂を含む高密度層、および、前記高密度層に接合され、ポリオレフィン系樹脂を含む低密度層を備え、
前記シーラント層は前記切り込みまたは穴に対応し、前記基材層と接合されていない通蒸予定部を備え、
前記低密度層の密度は０．９１５ｇ／ｃｍ^３より大きく０．９２５ｇ／ｃｍ^３以下の範囲に含まれる
パウチ。
前記高密度層の密度は０．９３０ｇ／ｃｍ^３〜０．９４０ｇ／ｃｍ^３の範囲に含まれる
請求項３に記載のパウチ。
前記高密度層が前記基材層の内面に接合される
請求項１〜４のいずれか一項に記載のパウチ。
前記シーラント層における前記高密度層の重量の割合は６０％〜８０％の範囲に含まれる
請求項１〜５のいずれか一項に記載のパウチ。
前記収容空間に収容された内容物を備える
請求項１〜６のいずれか一項に記載のパウチ。