JP6876520B2 - Substrate sandwiching method, substrate sandwiching device, film forming method, film forming device, and electronic device manufacturing method, substrate mounting method, alignment method, substrate mounting device - Google Patents
Substrate sandwiching method, substrate sandwiching device, film forming method, film forming device, and electronic device manufacturing method, substrate mounting method, alignment method, substrate mounting device Download PDFInfo
- Publication number
- JP6876520B2 JP6876520B2 JP2017101232A JP2017101232A JP6876520B2 JP 6876520 B2 JP6876520 B2 JP 6876520B2 JP 2017101232 A JP2017101232 A JP 2017101232A JP 2017101232 A JP2017101232 A JP 2017101232A JP 6876520 B2 JP6876520 B2 JP 6876520B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mask
- mounting
- film
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 380
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 108
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 53
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 13
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 13
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 63
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
- H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本発明は、基板の挟持方法、基板の挟持装置、成膜方法、成膜装置、及び電子デバイスの製造方法に関するものである。 The present invention relates to a substrate sandwiching method, a substrate sandwiching device, a film forming method, a film forming apparatus, and a method for manufacturing an electronic device.
近年、基板の大型化・薄型化が進んでおり、基板の自重による撓みの影響が大きくなっている。また、成膜領域を基板中央部に設ける関係上、基板を挟持できるのは基板の外周部に限られている。 In recent years, the size and thickness of the substrate have been increasing, and the influence of the deflection due to the weight of the substrate is increasing. Further, since the film formation region is provided in the central portion of the substrate, the substrate can be sandwiched only in the outer peripheral portion of the substrate.
そのため、基板の外周部を基板保持体に支持させ、基板の外周部(例えば一対の対向辺部)を基板保持体に挟持した状態で基板をマスクに載置すると、外周部を挟持された基板は、基板の自重で撓んだ中央部とマスクとが接触した際に自由な動きが妨げられ、基板に歪みが生じる。 Therefore, when the outer peripheral portion of the substrate is supported by the substrate holder and the substrate is placed on the mask with the outer peripheral portion (for example, a pair of opposite sides) of the substrate sandwiched between the substrate holders, the outer peripheral portion is sandwiched between the substrates. When the mask comes into contact with the central portion bent by the weight of the substrate, free movement is hindered and the substrate is distorted.
この歪みにより、マスクと基板との間に隙間が生じ、マスクと基板との密着性が低下することで、膜ボケ等の原因となる。 Due to this distortion, a gap is generated between the mask and the substrate, and the adhesion between the mask and the substrate is lowered, which causes film blurring and the like.
そこで、例えば、基板等が大型化しても基板とマスクとを良好に密着させるため、特許文献1に開示されるような技術が提案されているが、更なる改善が要望されている。
Therefore, for example, in order to bring the substrate and the mask into good contact with each other even if the size of the substrate or the like is increased, a technique disclosed in
そこで、基板をマスク上に載置する際、基板がマスクに対して自由に動けるように解放状態で載置することが考えられるが、この場合、基板毎の撓みの影響などにより、最初にマスクに接触する位置にばらつきが生じる。 Therefore, when mounting the substrate on the mask, it is conceivable to mount the substrate in an open state so that the substrate can move freely with respect to the mask. In this case, the mask is first placed due to the influence of bending of each substrate. There is a variation in the position of contact with.
例えば、図1に示したように、基板Aの撓みが略中心位置の場合(a)と、中心より右側にずれている場合(b)とでは、基板AをマスクB上に載置した際、基板Aの位置が(a)に比べて(b)では左側寄りにずれてしまう。図1中、符号Cは基板保持体である。 For example, as shown in FIG. 1, when the substrate A is placed on the mask B in the case where the deflection of the substrate A is substantially in the center position (a) and in the case where the substrate A is deviated to the right from the center (b). , The position of the substrate A shifts to the left side in (b) as compared with (a). In FIG. 1, reference numeral C is a substrate holder.
即ち、基板が最初にマスクに接触する位置によって、マスク上に基板を載置する際に基板の位置がずれるため、基板のマスク上でのずれ方に再現性がなく、マスク上の意図した位置に基板を載置することは困難である。 That is, the position of the substrate shifts when the substrate is placed on the mask depending on the position where the substrate first contacts the mask, so that the displacement of the substrate on the mask is not reproducible and the intended position on the mask. It is difficult to place the substrate on the surface.
本発明は、上述のような現状に鑑みなされたもので、基板とマスクとを良好に密着させることができるのは勿論、基板を安定して移動でき、且つ、マスク上に載置する際の基板の位置ずれを防止できる基板の挟持方法、基板の挟持装置、成膜方法、成膜装置、及び電子デバイスの製造方法、基板載置方法、アライメント方法、基板載置装置を提供するものである。 The present invention has been made in view of the above-mentioned current situation, and it is possible to make the substrate and the mask adhere well, of course, to allow the substrate to move stably, and to place the substrate on the mask. It provides a substrate sandwiching method, a substrate sandwiching device, a film forming method, a film forming apparatus, a manufacturing method of an electronic device, a substrate mounting method, an alignment method, and a substrate mounting device that can prevent the displacement of the substrate. ..
上記課題を解決するために以下の手段を採用した。 The following means were adopted to solve the above problems.
すなわち、本発明は、基板上に、蒸発源から射出される成膜材料をマスクを介して堆積させることで成膜を行うべく、前記マスクに基板を載置させる際に基板を挟持する挟持方法であって、
前記基板を基板保持体に押圧具で押し当てた状態でマスク上に載置する基板載置工程を有し、この基板載置工程における前記基板の前記基板保持体への前記押圧具による押し当ては、少なくとも前記基板と前記マスクとの接触開始時は、前記押圧具が前記基板に当接する押圧力で行い、前記基板載置工程後に、前記押圧具により前記接触開始時より強い押圧力で前記基板を前記基板保持体に押し当てることを特徴とする。
That is, the present invention is a method of sandwiching a substrate when the substrate is placed on the mask so that the film-forming material ejected from the evaporation source is deposited on the substrate through a mask. And
It has a substrate mounting step of placing the substrate on a mask in a state where the substrate is pressed against the substrate holder with a pressing tool, and the substrate is pressed against the substrate holder by the pressing tool in the substrate mounting step. At least at the start of contact between the substrate and the mask, the pressing force is applied by the pressing force in contact with the substrate, and after the substrate mounting step, the pressing tool exerts a stronger pressing force than at the start of contact. The substrate is pressed against the substrate holder.
以上説明したように、本発明によれば、基板とマスクとを良好に密着させることができるのは勿論、基板を安定して移動でき、且つ、マスク上に載置する際の基板の位置ずれを防止できる。 As described above, according to the present invention, not only the substrate and the mask can be brought into close contact with each other, but also the substrate can be stably moved, and the position of the substrate is displaced when the substrate is placed on the mask. Can be prevented.
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail exemplarily based on examples with reference to the drawings. However, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, etc. of the components described in this embodiment are not intended to limit the scope of the present invention to those unless otherwise specified. ..
(実施形態)
本実施形態においては、押圧具8が基板1に当接し且つ基板保持体3に対して位置ずれが可能な程度の押圧力で基板1の外周部を仮挟持した状態で基板1を下降させてマスク2に接触させ、更に下降させてマスク2上に基板1を載置する。その後、押圧具8の押圧力を基板保持体3に対して位置ずれが生じない程度のより強い押圧力として基板1を本挟持する。
(Embodiment)
In the present embodiment, the
この際、少なくとも接触開始時には、マスク2との接触に伴う基板1の基板保持体3に対する位置ずれは許容されるから、基板1が自重で撓んでいるために基板1中央部がマスク2と先行接触することにより生じる変形が阻害されず基板1の外方への伸展は許容されることになる。更に、基板1は基板保持体3に対して完全に自由な状態ではなく、押圧具と基板保持体3とに挟まれて仮固定されるから、基板1をマスク2に載置した際に基板1の全体がマスク2に対して大きく位置ずれてしまうことは防止される。
At this time, at least at the start of contact, the displacement of the
従って、位置ずれを生じさせることなくマスク2上に基板1を載置することができ、良
好にアライメントを行うことができる。また、基板1を歪みなくマスク2と密着させた状態で本挟持することができる。よって、基板載置工程後のアライメント工程及び蒸着工程を良好に行うことが可能となる。
Therefore, the
また、基板保持体3に対して押圧具8により基板1の外周部を押圧することで、基板1の周辺が押され、下側に撓んでいる基板1の中央部分が、てこの原理により押し上げられる。これにより、基板1の撓み量が減少し、基板1の中央部分がマスク2に接触した後、基板1がマスク2に載置されるまでの下降距離が減るため、基板1をマスク2に載置した際の基板1のずれ量が小さくなる。
Further, by pressing the outer peripheral portion of the
以下、本発明の実施例について図面に基づいて説明する。 Hereinafter, examples of the present invention will be described with reference to the drawings.
(実施例1)
本実施例は、図2に図示したように、真空チャンバ10内に、基板1とマスク2とを配置して蒸発源13等から成る成膜機構を用いて成膜を行う成膜装置に本発明を適用した例である。この成膜装置には、蒸発源13から射出された蒸発粒子の蒸発レートをモニタする膜厚モニタ、真空チャンバ10外に設けたモニタした蒸発粒子の量を膜厚に換算する膜厚計、換算された膜厚が所望の膜厚になるように成膜材料の蒸発レートを制御するために蒸発源13を加熱するヒータ用電源等が設けられる。この成膜装置は、例えば、有機エレクトロルミネッセンス表示装置のための表示パネルの製造に用いられる。
(Example 1)
As shown in FIG. 2, this embodiment is applied to a film forming apparatus in which a
具体的には、真空チャンバ10内には、基板1を保持する基板保持体3と、載置体としてのマスク2を保持するマスク保持体4と、基板保持体3を移動させて基板1をマスク保持体4に保持されたマスク2上に載置するための載置手段としての基板移動機構6とが設けられている。
Specifically, the
また、基板保持体3には、保持された基板1を基板保持体3に押し当てる押圧具8と、この押圧具8による押圧力を変更する挟力制御機構としての押圧力制御機構5とが設けられている。
Further, the
基板移動機構6は、真空チャンバ10の壁面に取り付けられる固定部と、真空チャンバ10の壁面に対して接離移動するように固定部に進退自在に設けられた移動部とから成る進退移動機構と、前後左右移動機構(図示省略)とで構成されている。基板保持体3は、前記進退移動機構の移動部の先端部に設けられている。
The
従って、基板移動機構6により基板保持体3に保持された基板1はマスク2に対して接離移動及び前後左右移動する。
Therefore, the
基板保持体3には、基板1の下面外周部と接触する支持具7、及び、基板1の上面側に設けられる押圧具8が設けられている。これら支持具7と押圧具8とにより、基板1が挟持される。なお、支持具7と押圧具8と押圧力制御機構5とにより、基板1の周縁を挟持するための挟持手段を構成する。
The
具体的には、基板保持体3は、胴部の左右に袖部が垂設されており、袖部の先端から内方に突出するように支持具7が設けられている。また、この支持具7に夫々対向するように押圧具8が挿通する挿通孔が設けられたガイド部9が設けられている。なお、基板保持体3の胴部にしてガイド部9の挿通孔と対向する位置にも押圧具8が挿通する挿通孔が設けられている。また、図2中、符号11はベローズである。
Specifically, in the
押圧具8は、基板1に当接する先端部と押圧力制御機構5に連結される基端部とから成
り、基部9から突出して先端部で基板1を支持具7に押し付けることで基板1を挟持するように構成されている。この支持具7及び押圧具8(挟持機構)により、押圧具8を基板1に押し付けた挟持状態と、基板1から押圧具8を退避させて基板1を解放した状態とに適宜切り替えることが可能となる。
The
また、押圧力制御機構5は、真空チャンバ10の壁面の外側に設けられた固定部と、この固定部に進退自在に設けられた移動部とで構成されている。この進退移動により真空チャンバ10の壁面に対して接離移動する移動部の先端に、押圧具8の基端部が連結されており、押圧具制御機構5の移動部の進退度合いにより押圧具8の先端部による基板1の押圧力を調整することができる。押圧具8の先端部は、基板1の外方への伸展を許容し易いよう、金属材料にフッ素コーティングを施した構成としている。なお、押圧具8の先端部は基板1を傷つけないようにゴム製等、適宜な弾性部材で構成しても良い。
Further, the pressing
押圧力制御機構5は、押圧力を段階的に調整できるように構成しても良いし、連続的に調整できるように構成しても良い。本実施例の押圧力制御機構5は一般的な電動シリンダであり、押圧力を連続的に調整できるように構成している。
The pressing
本実施例において押圧力制御機構5は、少なくとも基板1とマスク2との接触開始時は、このマスク2との接触に伴う基板保持体3上での基板1の位置ずれを許容する仮挟持用の押圧力としている。つまり、押圧力制御機構5は、前記接触開始時においては、支持具7とび押圧具8によって、基板1を挟持しながらも、その挟持位置が移動可能な挟力となるように制御している。なお、「挟持位置が移動可能な挟力」は、後述する載置工程におけるマスク2から基板1への加力によって、挟持位置が移動可能な挟力である。そして、押圧力制御機構5は、基板1をマスク2上に載置した後は、基板保持体3上での基板1の位置ずれを阻止するため前記接触開始時より強い本挟持用の押圧力とするように制御している。つまり、押圧力制御機構5は、基板1をマスク2に載置した後は、支持具7とび押圧具8によって、基板1の挟持位置が固定可能な挟力となるように制御している。
In this embodiment, the pressing
仮挟持用の押圧力は、少なくとも、支持具7と押圧具8との間隔が基板1の厚みと同程度となり基板1の外周部が基板保持体3と押圧具8とに係止する程度であれば良い。具体的には、本実施例においては、基板1の外周部を押圧することで、基板1の周辺が押され、下側に撓んでいる基板1の中央部分が、てこの原理により多少押し上げられる程度の押圧力に設定している。
The pressing force for temporary holding is such that the distance between the
また、本挟持用の押圧力は、基板1がマスク2に対して位置ずれしないように強固に挟持した一般的な挟持状態と同程度であれば良い。
Further, the pressing force for this pinching may be about the same as the general pinching state in which the
また、基板移動機構6は、押圧力制御機構5が前記接触開始時より強い押圧力に変更した後、基板1とマスク2とのアライメントを行うために基板保持体3を移動させるように構成されている。即ち、本挟持した状態を維持して基板載置工程後のアライメント工程等を行うようにしている。なお、アライメントは、基板1とマスク2の相対位置を調整するものである。
Further, the
支持具7及び押圧具8(挟持機構)は、基板1の複数の辺部に当接するように複数設けられている。本実施例では、支持具7及び押圧具8は対向する一対の辺部に当接するように一対設けられている。本実施例では挟持機構に対応して押圧力制御機構5も一対設けられている。
A plurality of the
また、本実施例では、図7に図示したように、基板1の1つの辺部に対して当該辺部の長手方向略全体に当接するように前記一対の支持具7及び押圧具8が夫々構成されている
。なお、実施例2に示すように、1つの辺部に対して複数の支持具7及び押圧具8を設けて1つの辺部を多数点で支持及び挟持する構成としても良い。また、基板1の角部を複数箇所挟持する構成としても良い。
Further, in this embodiment, as shown in FIG. 7, the pair of
以上の構成の基板移動機構6及び挟持機構を用い、外周部が挟持機構により仮挟持された基板1をマスク2上に載置した後、外周部を本挟持する。
Using the
即ち、基板移動機構6により、外周部が仮挟持されている基板1とマスク2との相対距離を近づけ、少なくとも基板1とマスク2との接触時には仮挟持状態とし、基板1の全体がマスク2に接触して載置が終了した後、基板1の外周部を本挟持する。
That is, the
具体的には、図3〜図6に示したように、例えば、真空チャンバ10外部の基板搬送機構から搬送された基板1を真空チャンバ10内に搬入して基板保持体3で受け取り(図3)、その後、基板1を仮挟持する(挟持工程)。続いて、基板1をマスク2に載置するための下降開始時点(図4)、マスク2との接触開始から載置途中時点(図5)及び基板1のマスク2への載置完了時点まで(載置工程)は仮挟持を維持しておき、その後、少なくとも後の工程であるアライメント工程の前に、本挟持する(図6)。図6中、符号12はアライメント用カメラである。
Specifically, as shown in FIGS. 3 to 6, for example, the
これにより、マスク2との接触面積を増加させながら基板1が下降していく際、仮挟持状態で基板1がマスク2と接触することで、挟持機構により基板1の変形が阻害されず、基板1が外方に伸展していく際に、基板1をマスク2に良好に沿わせることができ、基板1を歪みなくマスク2と密着させた状態で重ね合わせることが可能となる。従って、安定的に基板1を搬送しつつ、マスク2との接触時の変形を防止して膜ボケを良好に防止できることになる。
As a result, when the
更に、仮挟持状態では基板1は基板保持体3に対して完全に自由な状態ではなく、押圧具8と基板保持体3とに挟まれて仮固定されるから、基板1をマスク2に載置した際に基板1の全体がマスク2に対して大きく位置ずれてしまうことが防止される。
Further, in the temporarily sandwiched state, the
(実施例2)
以下、成膜装置に適用した場合の更なる具体的な例(実施例2)について説明する。ただし、以下の実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲をそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
(Example 2)
Hereinafter, a further specific example (Example 2) when applied to a film forming apparatus will be described. However, the following examples merely illustrate preferred configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to those configurations. Further, unless otherwise specified, the hardware configuration and software configuration, processing flow, manufacturing conditions, dimensions, materials, shapes, etc. of the apparatus in the following description are limited to those of the present invention. It is not the purpose.
本発明は、基板上に薄膜を形成する成膜装置及びその制御方法に関し、特に、基板の高精度な搬送および位置調整のための技術に関する。本発明は、平行平板の基板の表面に真空蒸着により所望のパターンの薄膜(材料層)を形成する装置に好ましく適用できる。基板の材料としては、ガラス、樹脂、金属などの任意の材料を選択でき、また、蒸着材料としても、有機材料、無機材料(金属、金属酸化物など)などの任意の材料を選択できる。本発明の技術は、具体的には、有機電子デバイス(例えば、有機EL表示装置、薄膜太陽電池)、光学部材などの製造装置に適用可能である。なかでも、有機EL表示装置の製造装置は、基板の大型化あるいは表示パネルの高精細化により基板の搬送精度及び基板とマスクのアライメント精度のさらなる向上が要求されているため、本発明の好ましい適用例の一つである。 The present invention relates to a film forming apparatus for forming a thin film on a substrate and a control method thereof, and more particularly to a technique for highly accurate transfer and position adjustment of the substrate. The present invention can be preferably applied to an apparatus for forming a thin film (material layer) having a desired pattern on the surface of a parallel plate substrate by vacuum vapor deposition. As the substrate material, any material such as glass, resin, and metal can be selected, and as the vapor deposition material, any material such as organic material and inorganic material (metal, metal oxide, etc.) can be selected. Specifically, the technique of the present invention can be applied to manufacturing devices such as organic electronic devices (for example, organic EL display devices and thin film solar cells) and optical members. Among them, the manufacturing apparatus of the organic EL display device is required to further improve the transfer accuracy of the substrate and the alignment accuracy of the substrate and the mask by increasing the size of the substrate or increasing the definition of the display panel. Therefore, the preferred application of the present invention is made. This is one of the examples.
<製造装置及び製造プロセス>
図8は、電子デバイスの製造装置の構成の一部を模式的に示す上視図である。図8の製
造装置は、例えば、スマートフォン用の有機EL表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば約1800mm×約1500mm、厚み約0.5mmのサイズの基板に有機ELの成膜を行った後、該基板をダイシングして複数の小サイズのパネルが作製される。
<Manufacturing equipment and manufacturing process>
FIG. 8 is an upper view schematically showing a part of the configuration of the electronic device manufacturing apparatus. The manufacturing apparatus of FIG. 8 is used, for example, for manufacturing a display panel of an organic EL display device for a smartphone. In the case of a display panel for a smartphone, for example, after forming an organic EL film on a substrate having a size of about 1800 mm × about 1500 mm and a thickness of about 0.5 mm, the substrate is diced to produce a plurality of small-sized panels. To.
電子デバイスの製造装置は、一般に、図8に示すように、複数の成膜室111、112と、搬送室110とを有する。搬送室110内には、基板1を保持し搬送する搬送ロボット119が設けられている。搬送ロボット119は、例えば、多関節アームに、基板1を保持するロボットハンドが取り付けられた構造をもつロボットであり、各成膜室への基板1の搬入/搬出を行う。
An electronic device manufacturing apparatus generally has a plurality of
各成膜室111、112にはそれぞれ成膜装置(蒸着装置ともよぶ)が設けられている。搬送ロボット119との基板1の受け渡し、基板1とマスクの相対位置の調整(アライメント)、マスク上への基板1の固定、成膜(蒸着)などの一連の成膜プロセスは、成膜装置によって自動で行われる。各成膜室の成膜装置は、蒸着源の違いやマスクの違いなど細かい点で相違する部分はあるものの、基本的な構成(特に基板の搬送やアライメントに関わる構成)はほぼ共通している。以下、各成膜室の成膜装置の共通構成について説明する。
Each of the
<成膜装置>
図9は、成膜装置の構成を模式的に示す断面図である。以下の説明においては、鉛直方向をZ方向とするXYZ直交座標系を用いる。成膜時に基板は水平面(XY平面)と平行となるよう固定されるものとし、このときの基板の短手方向(短辺に平行な方向)をX方向、長手方向(長辺に平行な方向)をY方向とする。またZ軸まわりの回転角をθで表す。
<Film formation equipment>
FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the film forming apparatus. In the following description, an XYZ Cartesian coordinate system with the vertical direction as the Z direction is used. The substrate is fixed so as to be parallel to the horizontal plane (XY plane) at the time of film formation, and the lateral direction (direction parallel to the short side) of the substrate at this time is the X direction and the longitudinal direction (direction parallel to the long side). ) Is the Y direction. The angle of rotation around the Z axis is represented by θ.
成膜装置は、真空チャンバ200を有する。真空チャンバ200の内部は、真空雰囲気か、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されている。真空チャンバ200の内部には、概略、基板保持ユニット210と、マスク220と、マスク台221と、冷却板230と、蒸着源240が設けられる。
The film forming apparatus has a
基板保持ユニット210は、搬送ロボット119から受け取った基板1を保持・搬送する手段であり、基板ホルダとも呼ばれる。この基板保持ユニット210は、上記実施例1における基板保持体3に相当する。マスク220は、基板1上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンをもつメタルマスクであり、枠状のマスク台221の上に固定されている。なお、マスク台221は、上記実施例1におけるマスク保持体4に相当する。
The
成膜時にはマスク220の上に基板1が載置される。したがってマスク220は基板1を載置する載置体としての役割も担う。冷却板230は、成膜時に基板1(のマスク220とは反対側の面)に密着し、基板1の温度上昇を抑えることで有機材料の変質や劣化を抑制する部材である。冷却板230がマグネット板を兼ねていてもよい。マグネット板とは、磁力によってマスク220を引き付けることで、成膜時の基板1とマスク220の密着性を高める部材である。蒸着源240は、蒸着材料、ヒータ、シャッタ、蒸発源の駆動機構、蒸発レートモニタなどから構成される(いずれも不図示)。
At the time of film formation, the
真空チャンバ200の上(外側)には、基板Zアクチュエータ250、クランプZアクチュエータ251、冷却板Zアクチュエータ252、Xアクチュエータ(不図示)、Yアクチュエータ(不図示)、θアクチュエータ(不図示)が設けられている。これらのアクチュエータは、例えば、モータとボールねじ、モータとリニアガイドなどで構成される。基板Zアクチュエータ250は、基板保持ユニット210の全体を昇降(Z方向移動)さ
せるための駆動手段である。この基板Zアクチュエータ250は、上記実施例1における基板移動機構6に相当する。クランプZアクチュエータ251は、基板保持ユニット210の挟持機構(後述)を開閉させるための駆動手段である。このクランプZアクチュエータ251は、上記実施例1における押圧力制御機構5に相当する。
A
冷却板Zアクチュエータ252は、冷却板230を昇降させるための駆動手段である。Xアクチュエータ、Yアクチュエータ、θアクチュエータ(以下まとめて「XYθアクチュエータ」と呼ぶ)は基板1のアライメントのための駆動手段である。XYθアクチュエータは、基板保持ユニット210及び冷却板230の全体を、X方向移動、Y方向移動、θ回転させる。なお、本実施例では、マスク220を固定した状態で基板1のX,Y,θを調整する構成としたが、マスク220の位置を調整し、又は、基板1とマスク220の両者の位置を調整することで、基板1とマスク220のアライメントを行ってもよい。
The cooling
真空チャンバ200の上(外側)には、基板1及びマスク220のアライメントのために、基板1及びマスク220それぞれの位置を測定するカメラ260、261が設けられている。カメラ260、261は、真空チャンバ200に設けられた窓を通して、基板1とマスク220を撮影する。その画像から基板1上のアライメントマーク及びマスク220上のアライメントマークを認識することで、各々のXY位置やXY面内での相対ズレを計測することができる。短時間で高精度なアライメントを実現するために、大まかに位置合わせを行う第1の位置調整工程である第1アライメント(「ラフアライメント」とも称す)と、高精度に位置合わせを行う第2の位置調整工程である第2アライメント(「ファインアライメント」とも称す)の2段階のアライメントを実施することが好ましい。その場合、低解像だが広視野の第1アライメント用のカメラ260と狭視野だが高解像の第2アライメント用のカメラ261の2種類のカメラを用いるとよい。本実施例では、基板1及びマスク220それぞれについて、対向する一対の辺の2箇所に付されたアライメントマークを2台の第1アライメント用のカメラ260で測定し、基板1及びマスク220の4隅に付されたアライメントマークを4台の第2アライメント用のカメラ261で測定する。なお、第1アライメントと第2アライメントがなされる場合、第1アライメントがなされた後に、マスク220に基板1が載置され(載置工程)、その後、第2アライメントがなされる。
On the upper side (outside) of the
成膜装置は、制御部270を有する。制御部270は、基板Zアクチュエータ250、クランプZアクチュエータ251、冷却板Zアクチュエータ252、XYθアクチュエータ、及びカメラ260、261の制御の他、基板1の搬送及びアライメント、蒸着源の制御、成膜の制御などの機能を有する。制御部270は、例えば、プロセッサ、メモリ、ストレージ、I/Oなどを有するコンピュータにより構成可能である。この場合、制御部270の機能は、メモリ又はストレージに記憶されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のパーソナルコンピュータを用いてもよいし、組込型のコンピュータ又はPLC(programmable logic controller)を用いてもよい。あるいは、制御部270の機能の一部又は全部をASICやFPGAのような回路で構成してもよい。なお、成膜装置ごとに制御部270が設けられていてもよいし、1つの制御部270が複数の成膜装置を制御してもよい。
The film forming apparatus has a
なお、基板1の保持・搬送及びアライメントに関わる構成部分(基板保持ユニット210、基板Zアクチュエータ250、クランプZアクチュエータ251、XYθアクチュエータ、カメラ260、261、制御部270など)は、「基板載置装置」、「基板挟持装置」、「基板搬送装置」などとも呼ばれる。
The components (
<基板保持ユニット>
図10を参照して基板保持ユニット210の構成を説明する。図10は基板保持ユニッ
ト210の斜視図である。
<Board holding unit>
The configuration of the
基板保持ユニット210は、挟持機構によって基板1の周縁部を挟持することにより、基板1を保持・搬送する手段である。具体的には、基板保持ユニット210は、基板1の4辺それぞれを下から支持する複数の支持具300が設けられた支持枠体301と、各支持具300との間で基板1を挟み込む複数の押圧具302が設けられたクランプ部材303とを有する。一対の支持具300と押圧具302とで1つの挟持機構が構成される。図10の例では、基板1の短辺に沿って3つの支持具300が配置され、長辺に沿って6つの挟持機構(支持具300と押圧具302のペア)が配置されており、長辺2辺を挟持する構成となっている。ただし挟持機構の構成は図10の例に限られず、処理対象となる基板のサイズや形状あるいは成膜条件などに合わせて、挟持機構の数や配置を適宜変更してもよい。なお、支持具300は「受け爪」又は「フィンガ」とも呼ばれ、押圧具302は「クランプ」とも呼ばれる。
The
搬送ロボット119から基板保持ユニット210への基板1の受け渡しは例えば次のように行われる。まず、クランプZアクチュエータ251によりクランプ部材303を上昇させ、押圧具302を支持具300から離間させることで、挟持機構を解放状態にする。搬送ロボット119によって支持具300と押圧具302の間に基板1を導入した後、クランプZアクチュエータ251によってクランプ部材303を下降させ、押圧具302を所定の押圧力で支持具300に押し当てる。これにより、押圧具302と支持具300の間で基板1が挟持される。この状態で基板Zアクチュエータ250により基板保持ユニット210を駆動することで、基板1を昇降(Z方向移動)させることができる。なお、クランプZアクチュエータ251は基板保持ユニット210と共に上昇/下降するため、基板保持ユニット210が昇降しても挟持機構の状態は変化しない。
The transfer of the
ここで、基板保持ユニット210が基板1を受け取ってから、基板1をマスク220に載置させるまでのクランプZアクチュエータ251と基板Zアクチュエータ250による動作(載置工程)については、実施例1の場合と同様である。すなわち、本実施例においても、基板Zアクチュエータ250により基板保持ユニット210を下降させる過程において、少なくとも基板1とマスク220との接触開始時には、クランプZアクチュエータ251による押圧力は、仮挟持用の押圧力となっている。つまり、基板1とマスク220との接触に伴う基板保持ユニット210上での基板1の位置ずれが許容されている。そして、基板Zアクチュエータ250により基板保持ユニット210が更に下降し、基板1がマスク220上に載置された後においては、クランプZアクチュエータ251による押圧力は、本挟持用の押圧力となっている。つまり、上記の接触開始時よりも強い本挟持用の押圧力とすることで、基板保持ユニット210上での基板1の位置ずれが阻止されている。押圧力等の詳細については、実施例1で説明した通りであるので、その説明は省略する。以上により、本実施例においても、上記実施例1の場合と同様の効果が得られることは言うまでもない。
Here, the operation (mounting step) by the
<アライメント>
本実施例においては、第1アライメントがなされた後に、基板1がマスク220に載置されて、クランプZアクチュエータ251による押圧力が、本挟持用の押圧力となった後に、第2アライメントがなされる。なお、図10中の符号101は、基板1の4隅に付された第2アライメント用のアライメントマークを示し、符号102は、基板1の短辺中央に付された第1アライメント用のアライメントマークを示している。
<Alignment>
In this embodiment, after the first alignment is performed, the
各アライメントを行う際においては、XYθアクチュエータによって、基板1がマスク220と摺動しないように、基板1をマスク220から少し離れた状態で、基板1の位置調整がなされる。まず、2台の第1アライメント用のカメラ260を用いて、2か所の第
1アライメント用のマーク102とマスク220に付された2箇所の第1アライメント用のマーク(不図示)がいずれも一致するように基板1の位置調整が行われる。その後、一旦、基板1がマスク220に載置される(載置工程)。この載置工程後に、上記の通り、本挟持用の押圧力により基板1と基板保持ユニット210が挟持され、再び、基板1がマスク200から少し離される。そして、4台の第2アライメント用のカメラ260を用いて、4か所の第2アライメント用のマーク101とマスク220に付された4箇所の第2アライメント用のマーク(不図示)がいずれも一致するように基板1の位置調整が行われる。その後、再び、基板1はマスク220に載置される。以上のアライメントにより、基板1がマスク220に対して精度良く位置決めされた状態で密着した状態となる。なお、上記の載置工程に関しては、第2アライメント後に、基板1をマスク220に載置する場合にも適用可能である。
When performing each alignment, the XYθ actuator adjusts the position of the
<電子デバイスの製造方法の実施例>
次に、本実施例に係る成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。
<Example of manufacturing method of electronic device>
Next, an example of a method for manufacturing an electronic device using the film forming apparatus according to this embodiment will be described. Hereinafter, the configuration and manufacturing method of the organic EL display device will be illustrated as an example of the electronic device.
まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図11(a)は有機EL表示装置60の全体図、図11(b)は1画素の断面構造を表している。
First, the organic EL display device to be manufactured will be described. FIG. 11A shows an overall view of the organic
図11(a)に示すように、有機EL表示装置60の表示領域61には、発光素子を複数備える画素62がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域61において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子62R、第2発光素子62G、第3発光素子62Bの組合せにより画素62が構成されている。画素62は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも1色以上であれば特に制限されるものではない。
As shown in FIG. 11A, a plurality of
図11(b)は、図11(a)のA−B線における部分断面模式図である。画素62は、基板63上に、第1電極(陽極)64と、正孔輸送層65と、発光層66R,66G,66Bのいずれかと、電子輸送層67と、第2電極(陰極)68と、を備える有機EL素子を有している。これらのうち、正孔輸送層65、発光層66R,66G,66B、電子輸送層67が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層66Rは赤色を発する有機EL層、発光層66Gは緑色を発する有機EL層、発光層66Bは青色を発する有機EL層である。発光層66R,66G,66Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。また、第1電極64は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層65と電子輸送層67と第2電極68は、複数の発光素子62R,62G,62Bと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第1電極64と第2電極68とが異物によってショートするのを防ぐために、第1電極64間に絶縁層69が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層70が設けられている。
FIG. 11B is a schematic partial cross-sectional view taken along the line AB of FIG. 11A. The
有機EL層を発光素子単位に形成するためには、マスクを介して成膜する方法が用いられる。近年、表示装置の高精細化が進んでおり、有機EL層の形成には開口の幅が数十μmのマスクが用いられる。このようなマスクを用いた成膜の場合、マスクが成膜中に蒸発源から受熱して熱変形するとマスクと基板との位置がずれてしまい、基板上に形成される薄膜のパターンが所望の位置からずれて形成されてしまう。そこで、これら有機EL層の成膜には本発明にかかる成膜装置(真空蒸着装置)が好適に用いられる。 In order to form the organic EL layer in units of light emitting elements, a method of forming a film through a mask is used. In recent years, the definition of display devices has been increasing, and a mask having an opening width of several tens of μm is used to form an organic EL layer. In the case of film formation using such a mask, if the mask receives heat from an evaporation source during film formation and is thermally deformed, the positions of the mask and the substrate are displaced, and a pattern of a thin film formed on the substrate is desired. It will be formed out of position. Therefore, the film forming apparatus (vacuum vapor deposition apparatus) according to the present invention is preferably used for film formation of these organic EL layers.
次に、有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。 Next, an example of a method for manufacturing an organic EL display device will be specifically described.
まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)および第1電極64が形成された基板63を準備する。
First, a circuit board (not shown) for driving the organic EL display device and a
第1電極64が形成された基板63の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第1電極64が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層69を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
Acrylic resin is formed by spin coating on the
絶縁層69がパターニングされた基板63を第1の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて基板を保持し、正孔輸送層65を、表示領域の第1電極64の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層65は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層65は表示領域61よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
The
次に、正孔輸送層65までが形成された基板63を第2の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板63の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層66Rを成膜する。本例によれば、マスクと基板とを良好に重ね合わせることができ、高精度な成膜を行うことができる。
Next, the
発光層66Rの成膜と同様に、第3の成膜装置により緑色を発する発光層66Gを成膜し、さらに第4の成膜装置により青色を発する発光層66Bを成膜する。発光層66R、66G、66Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置により表示領域61の全体に電子輸送層67を成膜する。電子輸送層67は、3色の発光層66R、66G、66Bに共通の層として形成される。
Similar to the film formation of the
電子輸送層67までが形成された基板をスパッタリング装置に移動し、第2電極68を成膜し、その後プラズマCVD装置に移動して保護層70を成膜して、有機EL表示装置60が完成する。
The substrate on which the
絶縁層69がパターニングされた基板63を成膜装置に搬入してから保護層70の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機EL材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。
From the time when the
このようにして得られた有機EL表示装置は、発光素子ごとに発光層が精度よく形成される。従って、上記製造方法を用いれば、発光層の位置ずれに起因する有機EL表示装置の不良の発生を抑制することができる。 In the organic EL display device thus obtained, a light emitting layer is accurately formed for each light emitting element. Therefore, if the above manufacturing method is used, it is possible to suppress the occurrence of defects in the organic EL display device due to the misalignment of the light emitting layer.
1 基板
2,220 マスク
3 基板保持体
4 マスク保持体
5 押圧力制御機構
6 基板移動機構
7,300 支持具
8,302 押圧具
210 基板保持ユニット(基板保持体に相当)
221 マスク台(マスク保持体に相当)
250 基板Zアクチュエータ(基板移動機構に相当)
251 クランプZアクチュエータ(押圧力制御機構に相当)
1 Board 2,220
221 Mask stand (equivalent to mask holder)
250 Board Z actuator (equivalent to board movement mechanism)
251 Clamp Z actuator (equivalent to push pressure control mechanism)
Claims (24)
前記基板を基板保持体に押圧具で押し当てた状態でマスク上に載置する基板載置工程を有し、この基板載置工程における前記基板の前記基板保持体への前記押圧具による押し当ては、少なくとも前記基板と前記マスクとの接触開始時は、前記押圧具が前記基板に当接する押圧力で行い、前記基板載置工程後に、前記押圧具により前記接触開始時より強い押圧力で前記基板を前記基板保持体に押し当てることを特徴とする基板の挟持方法。 This is a sandwiching method in which a substrate is sandwiched when the substrate is placed on the mask in order to form a film by depositing a film-forming material ejected from an evaporation source on the substrate through a mask.
It has a substrate mounting step of placing the substrate on a mask in a state where the substrate is pressed against the substrate holder with a pressing tool, and the substrate is pressed against the substrate holder by the pressing tool in the substrate mounting step. At least at the start of contact between the substrate and the mask, the pressing force is applied by the pressing force in contact with the substrate, and after the substrate mounting step, the pressing tool exerts a stronger pressing force than at the start of contact. A method of sandwiching a substrate, which comprises pressing the substrate against the substrate holder.
前記マスクに基板を載置させるため基板を挟持する際に請求項1に記載の基板の挟持方法を用いる共に、
前記押圧具により前記接触開始時より強い押圧力で前記基板を前記基板保持体に押し当てた状態で、前記基板保持体を移動させて前記基板と前記マスクとのアライメントを行った後に成膜を行うことを特徴とする成膜方法。 In a film forming method in which a film forming material ejected from an evaporation source is deposited on a substrate through a mask.
When the substrate is sandwiched in order to mount the substrate on the mask, the substrate sandwiching method according to claim 1 is used, and the substrate is sandwiched.
In a state where the substrate is pressed against the substrate holder with a pressing force stronger than that at the start of the contact with the pressing tool, the substrate holder is moved to align the substrate with the mask, and then film formation is performed. A film forming method characterized by performing.
前記基板を保持する基板保持体と、前記マスクを保持するマスク保持体と、前記基板保持体を移動させて前記基板を前記マスク保持体に保持されたマスク上に載置するための基板移動機構とを備え、前記基板保持体には、保持された前記基板を前記基板保持体に押し当てる押圧具と、この押圧具による押圧力を変更する押圧力制御機構とが設けられると共に、
前記押圧力制御機構は、少なくとも前記基板と前記マスクとの接触開始時は、このマス
クとの接触に伴う前記基板保持体上での前記押圧具と当接する前記基板の位置ずれを許容する押圧力とし、前記基板を前記マスク上に載置した後は、前記基板保持体上での前記押圧具と当接する前記基板の位置ずれを阻止するため前記接触開始時より強い押圧力とするように構成されていることを特徴とする基板の挟持装置。 A sandwiching device that sandwiches a substrate when the substrate is placed on the mask in order to form a film by depositing a film-forming material ejected from an evaporation source on the substrate through a mask.
A substrate moving mechanism for moving a substrate holding body that holds the substrate, a mask holding body that holds the mask, and the substrate holding body so that the substrate is placed on a mask held by the mask holding body. The substrate holder is provided with a pressing tool for pressing the held substrate against the substrate holding body and a pressing force control mechanism for changing the pressing force by the pressing tool.
The pressing force control mechanism allows the pressing force to allow the displacement of the substrate in contact with the pressing tool on the substrate holder due to the contact with the mask at least at the start of contact between the substrate and the mask. After the substrate is placed on the mask, the pressing force is stronger than that at the start of the contact in order to prevent the substrate from shifting in position on the substrate holder in contact with the pressing tool. A substrate sandwiching device characterized by being
前記マスクに基板を載置させる際に基板を挟持する請求項4〜7のいずれか1項に記載の挟持装置が設けられていることを特徴とする基板への成膜装置。 In a film forming apparatus that forms a film by depositing a film forming material ejected from an evaporation source on a substrate through a mask.
The film forming apparatus on a substrate according to any one of claims 4 to 7, wherein the sandwiching device for sandwiching the substrate when the substrate is placed on the mask is provided.
請求項2,3のいずれか1項に記載の成膜方法により前記有機膜が形成されることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 A method for manufacturing an electronic device having an organic film formed on a substrate.
A method for manufacturing an electronic device, characterized in that the organic film is formed by the film forming method according to any one of claims 2 and 3.
請求項2,3のいずれか1項に記載の成膜方法により前記金属膜が形成されることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 A method for manufacturing an electronic device having a metal film formed on a substrate.
A method for manufacturing an electronic device, characterized in that the metal film is formed by the film forming method according to any one of claims 2 and 3.
前記載置工程における前記基板の挟持は、載置工程における前記載置体から前記基板への加力によって挟持位置が移動可能な挟力で行われることを特徴とする基板載置方法。 It is a substrate mounting method including a sandwiching step of sandwiching the peripheral edge of a substrate and a mounting step of mounting the sandwiched substrate on a mounting body.
A substrate mounting method, characterized in that the substrate is pinched in the pre-described placement step by a pinching force whose pinching position can be moved by a force applied from the pre-described body to the substrate in the mounting step.
第1の位置調整工程の後に、前記基板と前記載置体との相対位置を第1の位置調整工程の場合よりも高精度に調整する第2の位置調整工程とを有すると共に、
第1の位置調整工程が行われた後に、請求項13に記載の基板載置方法により、前記基板を前記載置体の上に載置し、その後、前記より大きな挟力で前記基板を挟持した状態で第2の位置調整工程が行われることを特徴とするアライメント方法。 The first position adjustment step of adjusting the relative position between the substrate and the mounting body, and
After the first position adjusting step, there is a second position adjusting step of adjusting the relative position between the substrate and the above-mentioned body with higher accuracy than in the case of the first position adjusting step.
After the first position adjustment step is performed, the substrate is placed on the pre-described body by the substrate mounting method according to claim 13 , and then the substrate is sandwiched with a larger pinching force. An alignment method characterized in that a second position adjusting step is performed in this state.
第1の位置調整工程の後に、前記基板と前記載置体との相対位置を第1の位置調整工程の場合よりも高精度に調整する第2の位置調整工程とを有すると共に、
第1の位置調整工程が行われた後に、請求項13に記載の基板載置方法により、前記基板を前記載置体の上に載置した後、更に、前記より大きな挟力で前記基板を挟持した状態で、前記基板を前記載置体から離間して、第2の位置調整工程が行われることを特徴とするアライメント方法。 The first position adjustment step of adjusting the relative position between the substrate and the mounting body, and
After the first position adjusting step, there is a second position adjusting step of adjusting the relative position between the substrate and the above-mentioned body with higher accuracy than in the case of the first position adjusting step.
After the first position adjusting step is performed, the substrate is placed on the pre-described body by the substrate mounting method according to claim 13, and then the substrate is further subjected to a larger pinching force. An alignment method characterized in that a second position adjusting step is performed by separating the substrate from the above-described body in a sandwiched state.
請求項21に記載の成膜方法により前記有機膜が形成されることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 A method for manufacturing an electronic device having an organic film formed on a substrate.
A method for manufacturing an electronic device, which comprises forming the organic film by the film forming method according to claim 21.
請求項21に記載の成膜方法により前記金属膜が形成されることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 A method for manufacturing an electronic device having a metal film formed on a substrate.
A method for manufacturing an electronic device, which comprises forming the metal film by the film forming method according to claim 21.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170079049A KR101901066B1 (en) | 2016-06-24 | 2017-06-22 | Substrate clamping method, substrate clamping apparatus, film formation method, film formation apparatus, manufacturing method of electronic device, substrate mounting method, alignment method and substrate mounting apparatus |
CN201710483111.6A CN107541711A (en) | 2016-06-24 | 2017-06-23 | Clamping device, film formation device, the substrate-placing devices and methods therefor of substrate |
CN202111098152.6A CN113802106B (en) | 2016-06-24 | 2017-06-23 | Substrate mounting method, electronic device manufacturing method, and substrate mounting apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016125835 | 2016-06-24 | ||
JP2016125835 | 2016-06-24 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020163136A Division JP6999769B2 (en) | 2016-06-24 | 2020-09-29 | Film forming equipment, control method, and manufacturing method of electronic devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018003151A JP2018003151A (en) | 2018-01-11 |
JP6876520B2 true JP6876520B2 (en) | 2021-05-26 |
Family
ID=60945911
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017101232A Active JP6876520B2 (en) | 2016-06-24 | 2017-05-22 | Substrate sandwiching method, substrate sandwiching device, film forming method, film forming device, and electronic device manufacturing method, substrate mounting method, alignment method, substrate mounting device |
JP2020163136A Active JP6999769B2 (en) | 2016-06-24 | 2020-09-29 | Film forming equipment, control method, and manufacturing method of electronic devices |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020163136A Active JP6999769B2 (en) | 2016-06-24 | 2020-09-29 | Film forming equipment, control method, and manufacturing method of electronic devices |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6876520B2 (en) |
KR (1) | KR101901066B1 (en) |
CN (2) | CN107541711A (en) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108203812B (en) * | 2018-01-25 | 2020-02-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | Substrate fixing carrier, evaporation equipment and evaporation method |
KR101941404B1 (en) * | 2018-04-18 | 2019-01-22 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Plate-to-be-treated storage apparatus, plate-to-be-treated storage method and deposition method using the same |
KR20190124610A (en) * | 2018-04-26 | 2019-11-05 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Substrate conveying system, method and apparatus for manufacturing electronic devices |
KR102355418B1 (en) * | 2018-04-26 | 2022-01-24 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Substrate conveying system, method and apparatus for manufacturing electronic devices |
KR101979149B1 (en) * | 2018-04-27 | 2019-05-15 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Alignment method, deposition method using the same and electronic device |
KR102150450B1 (en) * | 2018-05-11 | 2020-09-01 | 주식회사 선익시스템 | Vacuum chamber capable of emergency escape and apparatus for deposition having the same |
KR102550586B1 (en) * | 2018-10-31 | 2023-06-30 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Adsorption and alignment method, adsorption system, film forming method, film forming apparatus, and manufacturing method of electronic device |
KR102017626B1 (en) * | 2018-11-27 | 2019-09-03 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Film formation apparatus, film formation method and manufacturing method of electronic device |
JP7170524B2 (en) * | 2018-12-14 | 2022-11-14 | キヤノントッキ株式会社 | Substrate mounting method, film forming method, film forming apparatus, organic EL panel manufacturing system |
JP7194006B2 (en) | 2018-12-18 | 2022-12-21 | キヤノントッキ株式会社 | Substrate mounting method, film forming method, film forming apparatus, and organic EL panel manufacturing system |
KR102578750B1 (en) * | 2018-12-27 | 2023-09-13 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Alignment system, film formation apparatus, film formation method, and manufacturing method of electronic device |
KR102133900B1 (en) * | 2018-12-27 | 2020-07-15 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Alignment system, film formation apparatus, film formation method, and manufacturing method of electronic device |
KR20200087549A (en) * | 2019-01-11 | 2020-07-21 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Film forming apparatus, manufacturing apparatus of electronic device, film forming method, and manufacturing method of electronic device |
KR101999304B1 (en) * | 2019-01-18 | 2019-07-12 | 주식회사 뉴비전네트웍스 | Image processing system for correcting a distorted picture and update information |
WO2020153497A1 (en) * | 2019-01-24 | 2020-07-30 | Agc株式会社 | Base material retention device, base material retention method, and curved surface screen printing device equipped with base material retention device |
KR20200104969A (en) * | 2019-02-27 | 2020-09-07 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, film forming method and manufacturing method of electronic device |
CN113490762A (en) | 2019-03-15 | 2021-10-08 | 应用材料公司 | Deposition mask, and methods of making and using deposition masks |
JP7292948B2 (en) * | 2019-04-24 | 2023-06-19 | キヤノン株式会社 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
US11189516B2 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-30 | Applied Materials, Inc. | Method for mask and substrate alignment |
WO2020242611A1 (en) | 2019-05-24 | 2020-12-03 | Applied Materials, Inc. | System and method for aligning a mask with a substrate |
WO2020251696A1 (en) | 2019-06-10 | 2020-12-17 | Applied Materials, Inc. | Processing system for forming layers |
US10916464B1 (en) | 2019-07-26 | 2021-02-09 | Applied Materials, Inc. | Method of pre aligning carrier, wafer and carrier-wafer combination for throughput efficiency |
WO2021025052A1 (en) * | 2019-08-07 | 2021-02-11 | 株式会社カネカ | Large-size thin-film deposition substrate and method for manufacturing same, segmented thin-film deposition substrate and method for manufacturing same, and production management method and production management system for segmented thin-film deposition substrate |
KR102387811B1 (en) * | 2019-09-27 | 2022-04-18 | 엘지전자 주식회사 | Substrate chuck for self assembly of semiconductor light emitting device |
KR102323256B1 (en) | 2019-09-19 | 2021-11-08 | 엘지전자 주식회사 | Self assembly device for semiconductor light emitting device |
WO2021054548A1 (en) | 2019-09-19 | 2021-03-25 | Lg Electronics Inc. | Substrate chuck for self-assembling semiconductor light-emitting diodes |
CN110512184B (en) * | 2019-09-29 | 2021-10-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | Substrate clamping device and evaporation equipment |
JP7202329B2 (en) * | 2020-05-11 | 2023-01-11 | キヤノントッキ株式会社 | Alignment Apparatus, Film Forming Apparatus, Alignment Method, Electronic Device Manufacturing Method, Program and Storage Medium |
JP2022007540A (en) * | 2020-06-26 | 2022-01-13 | キヤノントッキ株式会社 | Alignment device, film deposition apparatus, alignment method, electronic device manufacturing method, program and storage medium |
JP2022083681A (en) * | 2020-11-25 | 2022-06-06 | キヤノントッキ株式会社 | Alignment device, film formation device, alignment method, film formation method, and manufacturing method of electronic device |
CN113328010A (en) * | 2021-05-28 | 2021-08-31 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | Preparation method of solar cell |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003019988A1 (en) * | 2001-08-24 | 2003-03-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Multi-face forming mask device for vacuum deposition |
JP2005158571A (en) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | Method of manufacturing organic electroluminescent panel, manufacturing apparatus of organic electroluminescent panel, and organic electroluminescent panel |
JP4494832B2 (en) * | 2004-03-11 | 2010-06-30 | 株式会社アルバック | Alignment apparatus and film forming apparatus |
JP4609757B2 (en) * | 2005-02-23 | 2011-01-12 | 三井造船株式会社 | Substrate mounting method in film forming apparatus |
KR20070046375A (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | 주성엔지니어링(주) | Apparatus for aligning substrate and mask, and method of aligning using the same |
JP4773834B2 (en) * | 2006-02-03 | 2011-09-14 | キヤノン株式会社 | Mask film forming method and mask film forming apparatus |
JP4726814B2 (en) * | 2007-01-16 | 2011-07-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Substrate positioning device and positioning method |
KR100914527B1 (en) | 2007-09-18 | 2009-09-02 | 세메스 주식회사 | Apparatus for preventing subside of substrate and method thereof |
JP5297046B2 (en) * | 2008-01-16 | 2013-09-25 | キヤノントッキ株式会社 | Deposition equipment |
JP5238393B2 (en) * | 2008-07-31 | 2013-07-17 | キヤノン株式会社 | Film forming apparatus and film forming method using the same |
KR101569796B1 (en) * | 2009-06-23 | 2015-11-20 | 주성엔지니어링(주) | Apparatus for aligning a substrate apparatus for processing a substrate therewith and method for aligning a substrate |
JP2011106017A (en) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Canon Inc | Pressing device, film-forming apparatus provided with the same, and film-forming method |
KR101725993B1 (en) * | 2009-12-22 | 2017-04-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | Method for fabricating liquid crystal display device |
JP5505049B2 (en) * | 2010-04-08 | 2014-05-28 | 株式会社安川電機 | Gripping device |
KR101748842B1 (en) * | 2010-08-24 | 2017-06-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | An organic light emitting display device and the manufacturing method thereof |
KR101512560B1 (en) * | 2012-08-31 | 2015-04-15 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing apparatus |
KR101479943B1 (en) * | 2013-10-29 | 2015-01-12 | 주식회사 에스에프에이 | The System and Method to Align Substrate and Mask |
-
2017
- 2017-05-22 JP JP2017101232A patent/JP6876520B2/en active Active
- 2017-06-22 KR KR1020170079049A patent/KR101901066B1/en active IP Right Grant
- 2017-06-23 CN CN201710483111.6A patent/CN107541711A/en active Pending
- 2017-06-23 CN CN202111098152.6A patent/CN113802106B/en active Active
-
2020
- 2020-09-29 JP JP2020163136A patent/JP6999769B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101901066B1 (en) | 2018-09-20 |
JP2018003151A (en) | 2018-01-11 |
JP6999769B2 (en) | 2022-01-19 |
CN113802106B (en) | 2023-09-12 |
KR20180001472A (en) | 2018-01-04 |
CN107541711A (en) | 2018-01-05 |
JP2021008668A (en) | 2021-01-28 |
CN113802106A (en) | 2021-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6999769B2 (en) | Film forming equipment, control method, and manufacturing method of electronic devices | |
KR102241187B1 (en) | Substrate supporting apparatus, substrate mounting apparatus, film formation apparatus, substrate supporting method, film formation method, and manufacturing method of electronic device | |
JP6448067B2 (en) | Substrate mounting method, substrate mounting mechanism, film forming method, film forming apparatus, and electronic device manufacturing method | |
JP6393802B1 (en) | Substrate placing apparatus, substrate placing method, film forming apparatus, film forming method, alignment apparatus, alignment method, and electronic device manufacturing method | |
KR101993532B1 (en) | Film formation apparatus, film formation method and manufacturing method of electronic device | |
JP6351918B2 (en) | Substrate mounting method, film forming method, and electronic device manufacturing method | |
JP6468540B2 (en) | Substrate transport mechanism, substrate mounting mechanism, film forming apparatus, and methods thereof | |
JP2019083311A (en) | Alignment device, alignment method, film deposition device, film deposition method, and method for manufacturing electronic device | |
JP7244401B2 (en) | Alignment apparatus, film formation apparatus, alignment method, film formation method, and electronic device manufacturing method | |
KR102128888B1 (en) | Film forming apparatus, film forming method and manufacturing method of electronic device | |
JP6821641B2 (en) | Substrate mounting equipment, film forming equipment, substrate mounting method, film forming method, and manufacturing method of electronic devices | |
KR102665610B1 (en) | Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, film forming method, and manufacturing method of electronic device | |
JP2021073373A (en) | Substrate mounting method, substrate holding device, and method for producing electronic device | |
JP7308677B2 (en) | Film forming apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method | |
KR20210028626A (en) | Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, film forming method and manufacturing method of electronic device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190806 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191205 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20191205 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200929 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20200929 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20201006 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20201013 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210420 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210426 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6876520 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE Ref document number: 6876520 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |