JP6863394B2 - 室温硬化性シラン含有樹脂組成物、腐食防止用コーティング剤及び実装回路基板並びに電気・電子部品の腐食性ガスに対する腐食防止方法 - Google Patents
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Description
(A)下記一般式(1)
で表されるシラン変性ポリブタジエン化合物:100質量部、
(B)ケイ素原子に結合した加水分解性基を1分子中に平均2個以上有する加水分解性オルガノシラン化合物及び/又はその部分加水分解縮合物:0.5〜20質量部、
(C)硬化触媒:0.1〜10質量部
を含有する室温硬化性シラン含有樹脂組成物が、上記要求を満足するものであることを見出し、本発明をなすに至った。
〔1〕
(A)下記一般式(1)
で表されるシラン変性ポリブタジエン化合物:100質量部、
(B)1,6−ビス(トリメトキシシリル)ヘキサン:0.5〜20質量部、
(C)硬化触媒:0.1〜10質量部
を含有し、厚み350〜400μmで水蒸気透過率が10〜30g/m2・dayである硬化物を与えるものであり、電気・電子部品の腐食性ガスに対する腐食防止用である室温硬化性シラン含有樹脂組成物。
〔2〕
シラン変性ポリブタジエン化合物の数平均分子量が1,000以上である〔1〕に記載の室温硬化性シラン含有樹脂組成物。
〔3〕
シラン変性ポリブタジエン化合物が、一般式(1)におけるe、f、gにおいて、下式(i)及び(ii)の条件を満たすものである〔1〕又は〔2〕に記載の室温硬化性シラン含有樹脂組成物。
0.05≦g/(e+f+g)<1.0 ・・・(i)
0.3≦g/(f+g)≦1.0 ・・・(ii)
〔4〕
〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の室温硬化性シラン含有樹脂組成物からなる電気・電子部品の腐食性ガスに対する腐食防止用コーティング剤。
〔5〕
電気・電子部品を搭載した回路基板上に、〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の室温硬化性シラン含有樹脂組成物の硬化物からなる腐食性ガスに対する腐食防止用硬化被膜を形成させてなる実装回路基板。
〔6〕
電気・電子部品を搭載した回路基板上に、〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載に記載の室温硬化性シラン含有樹脂組成物の硬化被膜を形成する工程を含む、電気・電子部品の腐食性ガスに対する腐食防止方法。
本発明の室温硬化性シラン含有樹脂組成物は、(A)下記一般式(1)で表されるシラン変性ポリブタジエン化合物(即ち、重合性ビニル単量体の側鎖置換基として加水分解性シリルエチレン基を含有するポリブタジエン化合物)を主剤(ベースポリマー)として含むことを特徴とする。
0.05≦g/(e+f+g)<1.0 ・・・(i)
上式の通り、加水分解性シリル基を含有する単位を主鎖中の全繰り返し単位の合計当たり5モル%以上含有していることが好ましい。更には、10モル%以上含有していることが好ましく、特に25モル%以上含有していることが好ましい。5モル%未満の場合は、室温硬化性シラン含有樹脂組成物が十分な接着性を発揮しない場合がある。g/(e+f+g)は0.1〜0.95であることがより好ましく、0.25〜0.95であることが特に好ましい。
0.3≦g/(f+g)≦1.0 ・・・(ii)
上式の通り、加水分解性シリル基を含有する単位が主鎖中の加水分解性シリル基を含有する単位と末端ビニル基を含有する単位の合計に対して30モル%以上含有していることが好ましく、特に50モル%以上含有していることが好ましい。30モル%未満の場合は、室温硬化性シラン含有樹脂組成物が十分な接着性を発揮しない場合がある。g/(f+g)は0.5〜1.0であることがより好ましい。
で表される1,2−ビニル構造(末端ビニル基)を有する繰り返し単位と、2,3−ビニレン構造(内部ビニレン基又は内部エテニレン基)を有する繰り返し単位とを含有するポリブタジエン化合物と、下記一般式(3)
で表されるケイ素原子に結合した加水分解性基(−OR1)とケイ素原子に結合した水素原子(SiH基)とを分子中に有するオルガノハイドロジェンシラン等の有機ケイ素化合物を、白金化合物含有触媒と助触媒の存在下でヒドロシリル化することにより得られる。
また、上記一般式(2)で表されるポリブタジエン化合物の数平均分子量は100〜10,000であることが好ましく、500〜8,000であることがより好ましい。
(B)成分は、ケイ素原子に結合した加水分解性基を1分子中に平均2個以上有する加水分解性オルガノシラン化合物及び/又はその部分加水分解縮合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物であり、本発明の室温硬化性シラン含有樹脂組成物の架橋剤(硬化剤)として作用するものである。(B)成分としては、例えば、メチルトリス(ジメチルケトオキシム)シラン、メチルトリス(メチルエチルケトオキシム)シラン、エチルトリス(メチルエチルケトオキシム)シラン、メチルトリス(メチルイソブチルケトオキシム)シラン、ビニルトリス(メチルエチルケトオキシム)シラン等のオルガノトリス(ケトオキシム)シランなどのケトオキシムシラン;メチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−デシルトリメトキシシラン等のオルガノトリアルコキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ビニルジメトキシメチルシラン等のジオルガノジアルコキシシラン、1,6−ビス(トリメトキシシリル)ヘキサンなどのアルコキシシラン;メチルトリイソプロペノキシシラン、ビニルトリイソプロペノキシシラン、フェニルトリイソプロペノキシシラン等のアルケノキシシラン;メチルトリアセトキシシラン、エチルトリアセトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン等のアセトキシシランなどのアシロキシシランなどの各種シラン、及びこれらの1種又は2種以上の部分加水分解縮合物等が挙げられる。(B)成分としては、アルコキシシラン及びアルケノキシシランが好ましく、特にアルコキシシランが好ましい。
(C)成分の硬化触媒は、同一であっても異種のものであってもよく、また、1種を単独で使用しても2種以上の混合物として使用してもよい。(C)成分の具体例としては、テトライソプロポキシチタン、テトラ−n−ブトキシチタン、テトラキス(2−エチルヘキソキシ)チタン、ジイソプロポキシビス(アセチルアセトナート)チタン、チタニウムイソプロポキシオクチレングリコール等のチタン酸エステル又はチタンキレート化合物;アルミニウムイソプロピレート、アルミニウムsec−ブチレート、アルミニウムエチレート、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート等のアルミニウムアルコレート又はアルミニウムキレート化合物;オクチル酸鉛やその他の酸性触媒もしくは塩基性触媒等の従来公知の有機金属系触媒が例示される。
強塩基性有機ケイ素化合物として、具体的には、下記一般式(4)で表される化合物が挙げられる。
また、本発明の室温硬化性シラン含有樹脂組成物には、上記成分以外に、コーティング材料としての性状を損なわない範囲で、以下充填剤や添加剤などを配合しても差し支えない。
また、得られた室温硬化性シラン含有樹脂組成物は、室温(23℃±10℃)で放置することにより硬化するが、その成形方法、硬化条件などは、組成物の種類に応じた公知の方法、条件を採用することができ、例えば、23℃/50%RHの条件下で大気中に数時間〜数日間(例えば、6時間〜4日間)程度静置することにより硬化させることができる。
また、得られるコーティング被膜(室温硬化性シラン含有樹脂組成物の硬化物膜)の厚さは特に制限されないが、50〜1,000μm、特に50〜800μm程度であることが好ましい。
撹拌機、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた1Lセパラブルフラスコに、Ricon130(CRAY VALLEY社製、数平均分子量2,500、上記式(2)における(f+g)/(e+f+g)=0.28)100g、トルエン200g、白金−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体のトルエン溶液(白金原子として0.52×10-4モル)、及び酢酸0.31g(0.52×10-2モル)を納めた。この中に、トリメトキシシラン63g(0.52モル)を内温75〜85℃で2時間かけて滴下した後、80℃で1時間撹拌した。
撹拌終了後、減圧濃縮を行い、数平均分子量4,100の褐色透明液体を得た。生成物の分子量及び1H−NMRスペクトルから求めた平均構造は、上記一般式(1)においてe=33、f=0、g=13、R1=メチル基、m=3で表されるシラン変性ポリブタジエン化合物であった。
撹拌機、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた1Lセパラブルフラスコに、NISSO−PB B−1000(日本曹達(株)製、数平均分子量1,100、上記式(2)における(f+g)/(e+f+g)=0.9)100g、トルエン200g、白金−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体のトルエン溶液(白金原子として1.6×10-4モル)、及び酢酸1.0g(1.6×10-2モル)を納めた。この中に、トリメトキシシラン195g(1.6モル)を内温75〜85℃で2時間かけて滴下した後、80℃で1時間撹拌した。
撹拌終了後、減圧濃縮を行い、数平均分子量3,300の褐色透明液体を得た。生成物の分子量及び1H−NMRスペクトルから求めた平均構造は、上記一般式(1)においてe=2、f=0、g=18、R1=メチル基、m=3で表されるシラン変性ポリブタジエン化合物であった。
(A)成分として合成例1のシラン変性ポリブタジエン化合物1を100質量部と、(B)成分としてメチルトリメトキシシラン3質量部と、(C)成分としてジイソプロポキシビス(アセチルアセトナート)チタン0.5質量部を添加し、室温(23℃、以下同じ)で10分混合して組成物1を得た。
(A)成分として合成例1のシラン変性ポリブタジエン化合物1を100質量部と、(B)成分として1,6−ビス(トリメトキシシリル)ヘキサン1.5質量部と、(C)成分としてジイソプロポキシビス(アセチルアセトナート)チタン0.5質量部を添加し、室温で10分混合して組成物2を得た。
(A)成分として合成例2のシラン変性ポリブタジエン化合物2を100質量部と、(B)成分としてメチルトリメトキシシラン3質量部と、(C)成分としてジイソプロポキシビス(アセチルアセトナート)チタン0.5質量部を添加し、室温で10分混合して組成物3を得た。
(A)成分として合成例2のシラン変性ポリブタジエン化合物2を100質量部と、(B)成分として1,6−ビス(トリメトキシシリル)ヘキサン1.5質量部と、(C)成分としてジイソプロポキシビス(アセチルアセトナート)チタン0.5質量部を添加し、室温で10分混合して組成物4を得た。
(A)成分として合成例1のシラン変性ポリブタジエン化合物1を100質量部と、(B)成分としてビニルトリイソプロペノキシシラン3質量部と、(C)成分として下記式(9)で示される化合物1.0質量部を添加し、室温で10分混合して組成物5を得た。
(A)成分として合成例1のシラン変性ポリブタジエン化合物1を100質量部と、(B)成分としてメチルトリメトキシシラン3質量部を添加し、室温で10分混合して組成物6を得た。
(A)成分のシラン変性ポリブタジエン化合物の代わりに、分子鎖両末端がトリメトキシシリル基で封鎖された粘度900mPa・sのポリジメチルシロキサンを100質量部と、(B)成分としてメチルトリメトキシシラン3質量部と、(C)成分としてジイソプロポキシビス(アセチルアセトナート)チタン0.5質量部を添加し、室温で10分混合して組成物7を得た。
・試験体作製方法
組成物1〜7を、厚みが350〜400μmになるように塗布し、23℃/50%RHの条件下で大気中に4日間静置して硬化させ、厚みが350〜400μmの薄膜状の硬化被膜(試験体)を作製した。なお、組成物6は硬化しなかったため、水蒸気透過率の測定は行わなかった。
・評価方法
腐食性ガスの透過率の指標として、水蒸気透過率測定装置:SYSTECH Instruments社製L80−5000にて、室温(23℃)における水蒸気透過率を測定し、測定開始から1時間後の数値を記録した。
一方、組成物7の検討のように、シラン変性ポリブタジエン化合物の代わりにポリジメチルシロキサンを使用すると水蒸気透過率は組成物1〜5の値より約4倍大きくなることを確認した。
Claims (6)
- (A)下記一般式(1)
(式中、R1はそれぞれ独立に炭素数1〜12の非置換又は置換の一価炭化水素基であり、R2はそれぞれ独立に炭素数1〜12の非置換又は置換の一価炭化水素基であり、fは0以上の数であり、e、gは0より大きい数であり、mは1〜3の整数である。ただし、各繰り返し単位の順序は任意である。)
で表されるシラン変性ポリブタジエン化合物:100質量部、
(B)1,6−ビス(トリメトキシシリル)ヘキサン:0.5〜20質量部、
(C)硬化触媒:0.1〜10質量部
を含有し、厚み350〜400μmで水蒸気透過率が10〜30g/m2・dayである硬化物を与えるものであり、電気・電子部品の腐食性ガスに対する腐食防止用である室温硬化性シラン含有樹脂組成物。 - シラン変性ポリブタジエン化合物の数平均分子量が1,000以上である請求項1に記載の室温硬化性シラン含有樹脂組成物。
- シラン変性ポリブタジエン化合物が、一般式(1)におけるe、f、gにおいて、下式(i)及び(ii)の条件を満たすものである請求項1又は2に記載の室温硬化性シラン含有樹脂組成物。
0.05≦g/(e+f+g)<1.0 ・・・(i)
0.3≦g/(f+g)≦1.0 ・・・(ii) - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の室温硬化性シラン含有樹脂組成物からなる電気・電子部品の腐食性ガスに対する腐食防止用コーティング剤。
- 電気・電子部品を搭載した回路基板上に、請求項1〜3のいずれか1項に記載の室温硬化性シラン含有樹脂組成物の硬化物からなる腐食性ガスに対する腐食防止用硬化被膜を形成させてなる実装回路基板。
- 電気・電子部品を搭載した回路基板上に、請求項1〜3のいずれか1項に記載の室温硬化性シラン含有樹脂組成物の硬化被膜を形成する工程を含む、電気・電子部品の腐食性ガスに対する腐食防止方法。
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