JP6857837B2 - 封止用熱硬化性樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Description
各実施例及び比較例につき、表1〜3に示す成分のうち、無機フィラー以外の成分を配合し、攪拌して混合することにより、混合物を調製した。この混合物に無機フィラーを加えてから更に攪拌して混合した。これにより、液状の封止用熱硬化性樹脂組成物を得た。
・アクリル樹脂1:トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、新中村化学工業社製、品番A−DCP。
・アクリル樹脂2:ビスフェノールA型エポキシアクリレート、昭和高分子社製、品番VR−77。
・アクリル樹脂3:ポリエチレングリコール#200ジアクリレート、新中村化学工業製、品番A−200。
・アクリル樹脂4:1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、新中村化学工業製、品番A−HD−N。
・有機過酸化物1:ジクミルパーオキサイド(1分間半減期温度175.2℃)。
・有機過酸化物2:日本油脂製、パーブチルZ(1分間半減期温度166.8℃)。
・有機過酸化物3:日本油脂製、パーヘキシン25B(1分間半減期温度179.8℃)。
・有機過酸化物4:日本油脂製、パーヘキシン25B−40(1分間半減期温度194.3℃)。
・エポキシ樹脂:新日鉄住金化学製、品番YDF8170。
・酸無水物:三菱化学製、品番YH307。
・イミダゾール:2−フェニル−4−メチルイミダゾール。
・無機フィラー1:リン酸エステルでカップリング処理された窒化アルミニウム粉。
・無機フィラー2:カップリング処理されていない窒化アルミニウム粉。
・フラックス:セバシン酸。
各実施例及び比較例で得られた封止用熱硬化性樹脂組成物に対し、次の評価試験を行った。その結果は後掲の表1〜3に示す。
粘度評価は、表1〜3に示す実施例1〜12及び比較例1〜7に示す封止用熱硬化性樹脂組成物について行った。粘度評価に当たっては、B型粘度測定装置(商品名DV−II)brookfield社製、使用ローター直径8.74mm、設定温度25℃)を用いて、封止用熱硬化性樹脂組成物の回転数50rpmにおける粘度を求めた。
塗布性評価は、表1〜3に示す実施例1〜12及び比較例1〜7に示す封止用熱硬化性樹脂組成物について行った。塗布性評価に当たっては、エアーディスペンス装置(武蔵エンジニアリング社製)を用いて、封止用熱硬化性樹脂組成物をダブルクロスパターンを描くように塗装した。この場合、塗膜の形状の不良又は糸引き不良が発生した場合を「C」、不良が発生したがその程度が僅かである場合を「B」、このような不良が発生しなかった場合を「A」と評価した。なお、評価が「B」の場合は、塗布方法等を最適化することで、評価「A」を達成可能と考えられる。
硬化物の熱伝導性評価は、表1〜3に示す実施例1〜12及び比較例1〜7に示す封止用熱硬化性樹脂組成物の硬化物について行った。硬化物の熱伝導性評価に当たっては、まず封止用熱硬化性樹脂組成物を室温から60分間かけて150℃まで昇温し、続いて150℃で2時間加熱することで、直径2cm、厚み1mmの円盤状の試験片を作製した。この試験片の熱拡散係数(α)をレーザーフラッシュ法(t1/2法)で測定し、比熱(Cp)をDSC法で測定し、密度(ρ)をJIS K6911準拠で測定した。これらの値から熱伝導率(=α×Cp×ρ)を算出した。その結果、熱伝導率が2W/m・K以上の場合を「A」、1W/m・K以上2W/m・K未満の場合を「B」、1W/m・K未満の場合を「C」と評価した。なお、熱伝導率が1W/m・K以上である場合、優れた熱伝導性を有すると評価できる。
サイズ7.3mm×7.3mm、バンプピッチ50μm、バンプ数544、厚み0.15mmの半導体チップを用意した。半導体チップにおけるバンプ電極は、高さ30μm、平面視寸法30μm×30μmの銅製のピラーと、高さ15μmのはんだバンプを備え、はんだバンプは鉛フリーはんだ(Sn−3.5Ag:融点221℃)製であった。基材としては、プリフラックス処理による防錆皮膜が設けられた銅製の導体配線を備えるガラスエポキシ基板を準備した。フリップチップボンダーのステージを60〜100℃の範囲に加熱した状態で、このステージ上に基材を固定した。この基材上に、封止用熱硬化性樹脂組成物3.0〜4.0mgをディスペンサーで塗布した。半導体チップをフリップチップボンダーのボンディングヘッドに保持させ、ボンディングヘッドを130℃に加熱した状態でボンディングヘッドをステージに近づけて、半導体チップを基材における封止用熱硬化性樹脂組成物が塗布されている位置に、半導体チップのバンプ電極と基材の電極パッドとを位置合わせしながら配置し、半導体チップを基材に0.5秒間押しつけた。続いて、ボンディングヘッドから半導体チップへ30Nの荷重をかけながら、ボンディングヘッドの温度を1.5秒間かけて260℃の最高到達温度まで上昇させた。続いて、ボンディングヘッドの温度を最高到達温度に2秒間保持してから、ボンディングヘッドによる半導体チップの保持を解除し、ボンディングヘッドをステージから離した。半導体チップを基材上に配置してからボンディングヘッドをステージから離すまでの時間を約4秒とした。これにより半導体装置を得た。
半導体装置における封止材中のボイドを、超音波探傷装置(SAT)を用いて調査した。その結果、直径50μm以上のボイドが認められない場合を「A」、直径50μm以上のボイドが1〜30個認められた場合を「B」、直径50μm以上のボイドが31個以上認められた場合を「C」と評価した。
半導体装置におけるバンプ電極と電極パッドとの間の電気抵抗を測定した。その結果、電気抵抗の測定値が30Ω以下である場合を「A」、電気抵抗の測定値が30Ω以上である場合を「B」、電気抵抗の測定値が無限大である場合を「C」と、評価した。
半導体装置を、半導体チップのバンプ電極と基材の電極パッドとの接続部分を含む面で切断してから、断面を研磨した。この断面をSEMで観察し、はんだバンプの電極パッドに対する濡れ性を、次のように評価した。
A:電極パッドの上面だけでなく側面まではんだバンプが接しており、電極パッドとはんだバンプとの間には合金層が形成されている。
B:電極パッドの上面のみがはんだバンプに接しているが、電極パッドとはんだバンプとの間には合金層が形成されている。
C:電極パッドとはんだバンプとの間に合金層が認められない。
半導体装置を60℃、60%RHの条件下に192時間暴露した。続いて、半導体装置を最大温度260℃の温度プロファイルでリフロー炉を3回通過させた。続いて、封止材のクラックの有無、及び封止材と半導体チップ及び基材との界面の剥離の有無を、超音波探傷装置(SAT)を用いて調査した。
半導体装置を半導体チップのバンプ電極と基材の電極パッドとの接続部分を含む面で切断してから、断面を研磨した。この断面をSEMで観察し、その結果を次のように評価した。
A:はんだバンプと電極パッドとの間に無機フィラーの粒子が介在せず、あるいははんだバンプと電極パッドとの間に介在している無機フィラーの粒径が3μm未満である。
B:はんだバンプと電極パッドとの間に無機フィラーの粒径が介在するが、この粒子の最大粒径は3μm以上5μm未満である。
C:はんだバンプと電極パッドとの間に無機フィラーの粒径が介在し、この粒子の最大粒径が5μm以上である。
サイズ7.3mm×7.3mm、バンプピッチ40μm、バンプ径26μm, バンプ数1352の半導体チップを用意した。半導体チップにおけるバンプ電極は、高さ15μmの銅製のピラーと、高さ10μmのはんだバンプを備え、はんだバンプは鉛フリーはんだ(Sn−3.5Ag:融点221℃)製であった。基材としては、Ni/Au電極を備えるシリコン製インターポーザを準備した。フリップチップボンダーのステージを60〜100℃の範囲に加熱した状態で、このステージ上に基材を固定した。この基材上に、封止用熱硬化性樹脂組成物3.0〜4.0mgをディスペンサーで塗布した。半導体チップをフリップチップボンダーのボンディングヘッドに保持させ、ボンディングヘッドを130℃に加熱した状態でボンディングヘッドをステージに近づけて、半導体チップを基材における封止用熱硬化性樹脂組成物が塗布されている位置に、半導体チップのバンプ電極と基材の電極パッドとを位置合わせしながら配置し、半導体チップを基材に0.5秒間押しつけた。続いて、ボンディングヘッドから半導体チップへ30Nの荷重をかけながら、ボンディングヘッドの温度を1.5秒間かけて260℃の最高到達温度まで上昇させた。続いて、ボンディングヘッドの温度を最高到達温度に2秒間保持してから、ボンディングヘッドによる半導体チップの保持を解除し、ボンディングヘッドをステージから離した。半導体チップを基材上に配置してからボンディングヘッドをステージから離すまでの時間を約4秒とした。これにより半導体装置を得た。
2 基材
21 導体配線
3 半導体チップ
33 バンプ電極
42 封止材
Claims (16)
- 基板と、前記基板上にフェイスダウンで実装されている半導体チップとの間の隙間を封止するための封止用熱硬化性樹脂組成物であって、
アクリル樹脂、無機フィラー、及び有機過酸化物を含み、
イミド化合物を含有せず、
前記アクリル樹脂は、五員環及び六員環のうち少なくとも一方を有し、25℃で液状であるアクリル樹脂のみからなり、
前記無機フィラーは、最大粒子径が10.0μm以下であり、
前記アクリル樹脂と前記無機フィラーとの合計量に対して、前記アクリル樹脂が10〜40質量%の範囲内、前記無機フィラーが60〜90質量%の範囲内であり、
前記有機過酸化物は、1分間半減期温度120〜190℃の範囲内の有機過酸化物のみからなり、
前記封止用熱硬化性樹脂組成物は、更にフラックスを含有する
封止用熱硬化性樹脂組成物。 - 基板と、前記基板上にフェイスダウンで実装されている半導体チップとの間の隙間を封止するための封止用熱硬化性樹脂組成物であって、
アクリル樹脂、無機フィラー、及び有機過酸化物を含み、
イミド化合物を含有せず、
前記アクリル樹脂は、五員環及び六員環のうち少なくとも一方を有し、25℃で液状であるアクリル樹脂のみからなり、
前記無機フィラーは、最大粒子径が10.0μm以下であり、
前記アクリル樹脂と前記無機フィラーとの合計量に対して、前記アクリル樹脂が10〜40質量%の範囲内、前記無機フィラーが60〜90質量%の範囲内であり、
前記有機過酸化物は、1分間半減期温度120〜190℃の範囲内の有機過酸化物のみからなり、
B型回転粘度計を用いて、25℃、回転数50rpmの条件で測定される粘度が、1〜200Pa・sの範囲内である
封止用熱硬化性樹脂組成物。 - 基板と、前記基板上にフェイスダウンで実装されている半導体チップとの間の隙間を封止するための封止用熱硬化性樹脂組成物であって、
アクリル樹脂、無機フィラー、及び有機過酸化物を含み、
イミド化合物を含有せず、
前記アクリル樹脂は、五員環及び六員環のうち少なくとも一方を有し、25℃で液状であるアクリル樹脂のみからなり、
前記無機フィラーは、最大粒子径が10.0μm以下であり、
前記アクリル樹脂と前記無機フィラーとの合計量に対して、前記アクリル樹脂が10〜40質量%の範囲内、前記無機フィラーが60〜90質量%の範囲内であり、
前記有機過酸化物は、1分間半減期温度120〜190℃の範囲内の有機過酸化物のみからなり、
前記無機フィラーの熱伝導率は20W/m・K以上である、
封止用熱硬化性樹脂組成物。 - 基板と、前記基板上にフェイスダウンで実装されている半導体チップとの間の隙間を封止するための封止用熱硬化性樹脂組成物であって、
アクリル樹脂、無機フィラー、及び有機過酸化物を含み、
イミド化合物を含有せず、
前記アクリル樹脂は、五員環及び六員環のうち少なくとも一方を有し、25℃で液状であるアクリル樹脂のみからなり、
前記無機フィラーは、最大粒子径が10.0μm以下であり、
前記アクリル樹脂と前記無機フィラーとの合計量に対して、前記アクリル樹脂が10〜40質量%の範囲内、前記無機フィラーが60〜90質量%の範囲内であり、
前記有機過酸化物は、1分間半減期温度120〜190℃の範囲内の有機過酸化物のみからなり、
前記無機フィラーは、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ホウ素及び炭化ケイ素からなる群から選択される少なくとも一種の材料からなる、
封止用熱硬化性樹脂組成物。 - B型回転粘度計を用いて、25℃、回転数50rpmの条件で測定される粘度が、1〜200Pa・sの範囲内である
請求項1に記載の封止用熱硬化性樹脂組成物。 - 前記無機フィラーの熱伝導率は20W/m・K以上である
請求項1、2又は5に記載の封止用熱硬化性樹脂組成物。 - 前記無機フィラーは、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ホウ素及び炭化ケイ素からなる群から選択される少なくとも一種の材料からなる
請求項1、2、3、5又は6に記載の封止用熱硬化性樹脂組成物。 - 前記アクリル樹脂100質量部に対して、前記有機過酸化物は、0.2〜2.0質量部の範囲内である
請求項1ないし7のいずれか一項に記載の封止用熱硬化性樹脂組成物。 - 220〜280℃の範囲内のいずれかの温度で加熱されることで、加熱開始時から10秒以内で硬化する
請求項1ないし8のいずれか一項に記載の封止用熱硬化性樹脂組成物。 - 前記無機フィラーの平均粒径は、0.1〜10.0μmの範囲内である
請求項1ないし9のいずれか一項に記載の封止用熱硬化性樹脂組成物。 - 前記無機フィラーの平均粒径は0.5〜4.0μmの範囲内である
請求項1ないし10のいずれか一項に記載の封止用熱硬化性樹脂組成物。 - 前記無機フィラーは、カップリング処理されている
請求項1ないし11のいずれか一項に記載の封止用熱硬化性樹脂組成物。 - 導体配線を備える基材上に請求項1ないし12のいずれか一項に記載の封止用熱硬化性樹脂組成物を配置し、
前記基材上の前記封止用熱硬化性樹脂組成物が配置されている位置に、バンプ電極を備える半導体チップをフェイスダウンで配置するとともに、前記導体配線上に前記バンプ電極を配置し、
前記封止用熱硬化性樹脂組成物及び前記バンプ電極に加熱処理を施すことで前記封止用熱硬化性樹脂組成物を硬化させて封止材を形成するとともに前記バンプ電極を融解させることで前記バンプ電極と前記導体配線とを電気的に接続することを含む
半導体装置の製造方法。 - 基材と、前記基材にフェイスダウンで実装されている半導体チップと、前記基材と前記半導体チップとの間を封止する封止材とを備え、前記封止材が、請求項1ないし12のいずれか一項に記載の封止用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる半導体装置。
- 前記半導体チップは、複数のバンプ電極を備え、
前記複数のバンプ電極は、前記封止材に埋まっており、
前記複数のバンプ電極の相互間の最短ピッチは、5.0〜150μmの範囲内である、
請求項14に記載の半導体装置。 - 前記半導体チップは、複数のバンプ電極を備え、
前記複数のバンプ電極は、前記封止材に埋まっており、
前記複数のバンプ電極の径は、3〜90μmの範囲内である、
請求項14又は15に記載の半導体装置。
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