JP6850608B2 - 電子構造素子およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 14
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
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- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/102—Varistor boundary, e.g. surface layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
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Description
ある構成では、電子構造素子の平面図で見ると、第1機能体部分は第2機能体部分を少なくとも部分的に周回する。好ましくは、第1機能体部分は第2機能体部分を完全に取り囲むまたは周回する。
好ましくは、機能体の厚さは、電子構造素子および/または機能体の一方の側または主表面でのみより大きくなり、逆に、電子構造素子の別の側では、機能体の第1機能体部分および第2機能体部分の面は平坦でありかつ/または平面中にある。あるいは、例えば第1機能体部分の上面および下面は、第2機能体部分の上面ないし下面に対して1つの平面中に配置されていないように、機能体が構成可能である。
ある好適な構成では、上述の接点は第1接点であり、電子構造素子は、追加的に第2接点を有し、この第2接点は、機能体の第2表面に電気的に接続されていて、かつ、ある電流において電流分布または電流密度分布が、機能体中の第1および第2機能体部分中の接点間で均等化されているように、機能体が形成されている。この点は、例えば電子構造素子の動作中においておよび/または機能体中の電流において存在する電流密度の不一致またはばらつきがより小さくなることを意味しうる。好ましくは、第2接点は第1接点に類似して、縁領域と中央領域とを有する。
2 第2機能体部分
3 第1機能体部分/素材の部分
4a 第1接点
4b 第2接点
5 第1表面
6 第2表面
7 縁領域
8 中央領域
9 接点無しの領域
100 電子構造素子
D1、D2 厚さ
R1、R2 半径方向の伸張
Claims (12)
- バリスタ(100)であって、主構成成分としてセラミック材料を有する機能体(1)と、第1接点(4a)と、第2接点(4b)とを備え、前記第1接点(4a)は前記機能体(1)の第1表面(5)に電気的に接続され、前記第2接点(4b)は、前記第1表面(5)とは逆側にある第2表面(6)に接続されていて、
前記第1接点(4a)および前記第2接点(4b)の少なくとも1つは、縁領域(7)と中央領域(8)とを有し、
前記機能体(1)の前記第1表面(5)と前記第2表面(6)との間での、前記機能体(1)の電気抵抗が、前記バリスタ(100)の平面図で見ると前記縁領域(7)と重複する第1機能体部分(3)中において、前記バリスタ(100)の平面図で見ると前記第1接点(4a)および前記第2接点(4b)のうち少なくとも1つの接点(4aまたは4b)の前記中央領域(8)と重複する第2機能体部分(2)中よりも大きいように、前記機能体(1)は形成されており、
前記第1機能体部分(3)が前記第2機能体部分(2)と比較して、比電気抵抗がより大きいように、前記機能体(1)は形成されており、前記第1機能体部分(3)は、酸化イットリウムまたはこれ以外の希土類金属もしくはその酸化物を含むドーパントを有する素材を含み、
前記第1機能体部分のより大きな比電気抵抗の結果として、前記第1機能体部分における温度負荷は、前記バリスタの動作中に減少し、
前記第1機能体部分(3)中での前記機能体(1)の厚さ(D1)は、前記第2機能体部分(2)中での前記機能体(1)の厚さ(D2)よりも大きい、バリスタ(100)。 - 前記バリスタ(100)の平面図で見ると、前記第1機能体部分(3)は前記第2機能体部分(2)を少なくとも部分的に周回する、請求項1に記載のバリスタ(100)。
- 前記バリスタ(100)の平面図で見ると、前記第2機能体部分(2)の面積は、前記第1機能体部分(3)の面積よりも大きい、請求項1または2に記載のバリスタ(100)。
- 前記機能体(1)は、前記第1機能体部分(3)中で、前記接点(4a、4b)が前記機能体(1)と電気的に接続されていない接点無しの領域(9)を有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のバリスタ(100)。
- 前記第1機能体部分(3)中での前記機能体(1)の前記厚さ(D1)は、前記第2機能体部分(2)中での前記機能体(1)の前記厚さ(D2)よりも5%〜15%大きい、請求項1に記載のバリスタ(100)。
- 前記第2接点は、前記機能体(1)の第2表面(6)に電気的に接続されていて、
前記第1および前記第2機能体部分(3、2)中の前記接点(4a、4b)間で、前記機能体(1)中の電流の電流密度分布が均等化されているように、前記機能体(1)が形成されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載のバリスタ(100)。 - 前記バリスタ(100)が、バリスタ構造素子、例えばディスク型バリスタまたはブロック型バリスタである、請求項1〜6のいずれか1項に記載のバリスタ(100)。
- 前記機能体(1)が多結晶性である、請求項1〜7のいずれか1項に記載のバリスタ(100)。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載のバリスタ(100)用の機能体(1)の製造方法であって、
以下の工程、すなわち、
・前記バリスタ(100)用に前記機能体(1)の素材(1)を準備する工程と、
・2つの対向する表面(5、6)間で計測すると、前記機能体(1)の電気抵抗が、第1機能体部分(3)中では、第2機能体部分(2)中よりも大きくなるように、前記素材(1)を利用して前記機能体(1)を形成する工程とを含み、
前記機能体(1)の比電気抵抗が、前記第1機能体部分(3)中で、前記第2機能体部分(2)中よりも大きくなるように、前記素材(1)を前記機能体(1)に焼結し、前記素材(1)は焼結前にドーパントを備え、前記ドーパントは、前記第1機能体部分(3)を形成するために、焼結時に前記素材(1)中に拡散し、前記ドーパントは、酸化イットリウムまたはこれ以外の希土類金属もしくはその酸化物を含み、
前記第1機能体部分のより大きな比電気抵抗の結果として、前記第1機能体部分における温度負荷は、前記バリスタの動作中に減少する、方法。 - 前記素材(1)は、前記機能体(1)よりも均一な材料組成を有する、請求項9に記載の方法。
- 前記第1機能体部分(3)中では、前記第2機能体部分(2)中と比較すると、前記素材(1)をより大きい厚さで形成する、請求項9または10に記載の方法。
- 前記第1機能体部分(3)を形成するために、前記素材(1)の材料組成は、その第1部分(3)中で焼結時に変化する、請求項9に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014107040.2A DE102014107040A1 (de) | 2014-05-19 | 2014-05-19 | Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102014107040.2 | 2014-05-19 | ||
PCT/EP2015/060882 WO2015177085A1 (de) | 2014-05-19 | 2015-05-18 | Elektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017516315A JP2017516315A (ja) | 2017-06-15 |
JP6850608B2 true JP6850608B2 (ja) | 2021-03-31 |
Family
ID=53298323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016568579A Active JP6850608B2 (ja) | 2014-05-19 | 2015-05-18 | 電子構造素子およびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10204722B2 (ja) |
EP (1) | EP3146536B1 (ja) |
JP (1) | JP6850608B2 (ja) |
CN (1) | CN106463219A (ja) |
DE (1) | DE102014107040A1 (ja) |
WO (1) | WO2015177085A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017105673A1 (de) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Epcos Ag | Varistor-Bauelement mit erhöhtem Stoßstromaufnahmevermögen |
DE102017210472A1 (de) * | 2017-06-22 | 2018-12-27 | Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg | Varistor mit Durchlegierungsoptimierung |
DE102018116221B4 (de) | 2018-07-04 | 2022-03-10 | Tdk Electronics Ag | Vielschichtvaristor mit feldoptimiertem Mikrogefüge und Modul aufweisend den Vielschichtvaristor |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL239104A (ja) * | 1958-05-26 | 1900-01-01 | Western Electric Co | |
JPS5074444U (ja) | 1973-11-12 | 1975-06-30 | ||
IE47121B1 (en) * | 1977-07-29 | 1983-12-28 | Gen Electric | Stabilized varistor |
US4364021A (en) * | 1977-10-07 | 1982-12-14 | General Electric Company | Low voltage varistor configuration |
US4157527A (en) * | 1977-10-20 | 1979-06-05 | General Electric Company | Polycrystalline varistors with reduced overshoot |
JPS56115501A (en) | 1980-02-18 | 1981-09-10 | Hitachi Ltd | Voltage nonnlinear resistor |
DE3405834A1 (de) * | 1984-02-17 | 1985-08-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Varistor aus einer scheibe aus durch dotierung halbleitendem zinkoxid-material und verfahren zur herstellung dieses varistors |
JPS6329902A (ja) | 1986-07-23 | 1988-02-08 | 富士電機株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
JPH05335114A (ja) | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 容量性磁器バリスタ |
DE4221309A1 (de) * | 1992-06-29 | 1994-01-05 | Abb Research Ltd | Strombegrenzendes Element |
US5594613A (en) * | 1992-10-09 | 1997-01-14 | Cooper Industries, Inc. | Surge arrester having controlled multiple current paths |
JP3114425B2 (ja) | 1993-04-23 | 2000-12-04 | 富士電機株式会社 | 電圧非直線抵抗体及びその製造方法 |
JP3423623B2 (ja) | 1998-08-10 | 2003-07-07 | 三菱電機株式会社 | 抵抗体 |
CN101010754A (zh) | 2004-09-15 | 2007-08-01 | 松下电器产业株式会社 | 芯片型电子元件 |
US7772961B2 (en) | 2004-09-15 | 2010-08-10 | Panasonic Corporation | Chip-shaped electronic part |
JP2007173313A (ja) | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Toshiba Corp | 電流−電圧非直線抵抗体 |
JP2007251102A (ja) | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ形電子部品 |
JP2007329178A (ja) | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Toshiba Corp | 電流−電圧非直線抵抗体および避雷器 |
-
2014
- 2014-05-19 DE DE102014107040.2A patent/DE102014107040A1/de not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-05-18 CN CN201580025620.3A patent/CN106463219A/zh active Pending
- 2015-05-18 EP EP15727321.0A patent/EP3146536B1/de active Active
- 2015-05-18 JP JP2016568579A patent/JP6850608B2/ja active Active
- 2015-05-18 WO PCT/EP2015/060882 patent/WO2015177085A1/de active Application Filing
- 2015-05-18 US US15/312,503 patent/US10204722B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3146536A1 (de) | 2017-03-29 |
EP3146536B1 (de) | 2020-02-19 |
US20170092394A1 (en) | 2017-03-30 |
US10204722B2 (en) | 2019-02-12 |
DE102014107040A1 (de) | 2015-11-19 |
CN106463219A (zh) | 2017-02-22 |
WO2015177085A1 (de) | 2015-11-26 |
JP2017516315A (ja) | 2017-06-15 |
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JPS6236611B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161214 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
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C11 | Written invitation by the commissioner to file amendments |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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C13 | Notice of reasons for refusal |
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C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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C23 | Notice of termination of proceedings |
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C03 | Trial/appeal decision taken |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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