JP6849023B2 - ナノ結晶合金磁心の製造方法 - Google Patents
ナノ結晶合金磁心の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6849023B2 JP6849023B2 JP2019136155A JP2019136155A JP6849023B2 JP 6849023 B2 JP6849023 B2 JP 6849023B2 JP 2019136155 A JP2019136155 A JP 2019136155A JP 2019136155 A JP2019136155 A JP 2019136155A JP 6849023 B2 JP6849023 B2 JP 6849023B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- magnetic
- heat treatment
- magnetic core
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F1/15333—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing nanocrystallites, e.g. obtained by annealing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D6/00—Heat treatment of ferrous alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F1/15308—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals based on Fe/Ni
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F3/00—Cores, Yokes, or armatures
- H01F3/04—Cores, Yokes, or armatures made from strips or ribbons
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/005—Impregnating or encapsulating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/0206—Manufacturing of magnetic cores by mechanical means
- H01F41/0213—Manufacturing of magnetic circuits made from strip(s) or ribbon(s)
- H01F41/0226—Manufacturing of magnetic circuits made from strip(s) or ribbon(s) from amorphous ribbons
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
Description
以下本開示の第1の実施形態を説明する。本実施形態は、透磁率の温度変化が小さいナノ結晶合金磁心、磁心ユニットおよびナノ結晶合金磁心の製造方法に関する。第1の実施形態によれば、高透磁率、低角形比のナノ結晶合金磁心を得るに際し、保磁力Hcが安定的に小さくなる製造方法を確立することができる。この製造方法を適用することで、透磁率μ(1kHz)が70,000以上、角形比Br/Bmが50%以下のナノ結晶合金磁心で、保磁力Hcが1A/m以下のナノ結晶合金磁心を得ることも可能である。
一次熱処理は、結晶化開始温度より低い温度から結晶化開始温度以上に昇温する過程を含む。昇温する温度は、510℃以上600℃以下の範囲に設定され得る。熱処理温度が510℃より低いか、あるいは600℃よりも高いと、磁歪が大きくなる。熱処理温度が550℃以上であれば、さらに磁歪を小さくできる。具体的には、磁歪を3ppm以下、さらには2ppm以下、さらには1ppm以下にすることも可能である。550℃以上600℃以下の温度で熱処理を行うと保磁力が増大しやすいが、本実施形態は、2次熱処理において、保磁力が小さくできる磁場中熱処理方法を適用しているので、磁歪と保磁力の両方を低減することができる。これにより、樹脂含浸しても特性変化の小さいナノ結晶合金磁心とすることができる。
二次熱処理の工程のうち、二次温度保持工程の無磁場中で保持する温度は、200℃以上結晶化開始温度未満の温度であるが、200℃以上500℃以下とすることが好ましい。保持温度が高くなる程、透磁率が低下するので、二次熱処理の保持温度を変えることで透磁率の制御が可能となる。ただし、200℃未満の温度では透磁率を変化させる効果が十分に得られない可能性がある。一方、500℃超ではナノ結晶相の結晶粒成長が促進してしまうため保磁力が増大する可能性がある。つまり、200℃以上500℃以下の範囲で磁場を印加することで、保磁力が1.0A/mの磁気特性を得やすい。
本開示の第1の実施形態によるナノ結晶合金磁心は、ナノ結晶合金リボンが巻回または積層されたナノ結晶合金磁心であって、周波数f=1kHz、振幅H=0.05アンペア/メートル(A/m)の交流磁場が印加された状態において室温にて測定した透磁率μ(1kHz)が70,000以上であり、角形比Br/Bmが50以下であり、保磁力が1.0A/m以下である。好ましくは、角形比Br/Bmが30%以下である。これにより、透磁率μ(1kHz)の25℃と100℃での温度変化率が15%以下のナノ結晶合金磁心とすることができる。
μrz=(μ’2+μ”2)1/2 ・・・(1)
本開示の第1の実施形態によるナノ結晶合金磁心は、例えば導線を巻回したり貫通させることで、コモンモードチョークコイル用や、カレントトランス用等の磁心ユニットとすることができる。特にコモンモードチョークコイル用に有用である。
ナノ結晶化可能な非晶質合金としては、例えば、一般式:(Fe1-aMa)100-x-y-z-α-β-γCuxSiyBzM’αM”βXγ(原子%)(ただし、MはCo及び/又はNiであり、M’はNb,Mo,Ta,Ti,Zr,Hf,V,Cr,Mn及びWからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素、M”はAl,白金族元素,Sc,希土類元素,Zn,Sn,Reからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素、XはC、Ge、P、Ga、Sb、In、Be、Asからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素、a,x,y,z,α,β及びγはそれぞれ0≦a≦0.5,0.1≦x≦3,0≦y≦30,0≦z≦25,5≦y+z≦30、0≦α≦20,0≦β≦20及び0≦γ≦20を満たす。)により表される組成の合金を使用することができる。好ましくは、上記一般式において、a,x,y,z,α,β及びγは、それぞれ0≦a≦0.1,0.7≦x≦1.3,12≦y≦17,5≦z≦10,1.5≦α≦5,0≦β≦1及び0≦γ≦1を満たす範囲である。
本願における「透磁率」という用語は、「比透磁率」と同義である。また、周波数f=1kHz、振幅H=0.05アンペア/メートル(A/m)の交流磁場が印加された状態において室温にて測定した透磁率は、μ(1kHz)と表記する。
原子%で、Cu:1%、Nb:3%、Si:15.5%、B:6.5%、残部Fe及び不可避不純物からなる合金溶湯を単ロ−ル法により急冷し、幅50mm、厚さ14μmのFe基非晶合金リボンを得た。このFe基非晶合金リボンを、幅6mmにスリット(裁断)した後、外径21.0mm、内径11.8mmに巻回し、巻磁心を作製した(高さ6mm)。磁心の体積は、1421mm3である。示差走査熱量計(DSC)での測定により、この合金の結晶化開始温度は500℃であった。
図4は比較用のナノ結晶合金磁心のB−H曲線を示す図である。用いたナノ結晶合金磁心は、二次熱処理において、熱処理炉の設定として、温度を保持する期間を設けず、それ以外は図2と同様の温度及び磁場印加のプロファイルで製造したものである。即ち、200℃以上結晶化開始温度以下の一定温度で保持をしなかった以外は、実施例1のナノ結晶合金磁心と同様にして製造したものである。このナノ結晶合金磁心は、B−H曲線が左右に広がり、保磁力は2.19A/mと、実施例1のナノ結晶合金磁心よりも大きいことがわかる。
実保持時間と保磁力との関係を、さらに別の実施形態で調べた。原子%で、Cu:1%、Nb:3%、Si:15.5%、B:6.5%、残部Fe及び不可避不純物からなる合金溶湯を単ロ−ル法により急冷し、幅50mm、厚さ14μmのFe基非晶合金リボンを得た。このFe基非晶合金リボンを、幅20mmにスリット(裁断)した後、外径22mm、内径14mmに巻回し、巻磁心を作製した(高さ20mm)。磁心の体積は、4522mm3である。示差走査熱量計(DSC)での測定により、この合金の結晶化開始温度は500℃であった。
印加した磁場の強度が60kA/m以上の条件で製造したナノ結晶合金磁心で、実保持時間と保磁力との関係を調べた。原子%で、Cu:1%、Nb:3%、Si:15.5%、B:6.5%、残部Fe及び不可避不純物からなる合金溶湯を単ロ−ル法により急冷し、幅50mm、厚さ14μmのFe基非晶合金リボンを得た。このFe基非晶合金リボンを、幅8mmにスリット(裁断)した後、外径96.5mm、内径88.5mmに巻回し、巻磁心を作製した(高さ8mm)。磁心の体積は、9294mm3である。示差走査熱量計(DSC)での測定により、この合金の結晶化開始温度は500℃であった。実施例2と同様に、熱処理炉の中に巻磁心を軸方向に複数並べて配置した。
二次熱処理において、前記の無磁場中において200℃以上、結晶化開始温度未満の一定の温度で保持した後に、磁路に対して直行する方向に磁場を印加しながらこの温度で保持し、その後、前記の磁路に対して直行する方向に磁場を印加しながら降温する製造方法を用いて、ナノ結晶合金磁心を製造した。
図19〜図21は、本実施形態のナノ結晶合金磁心に樹脂を含浸し、その際の磁気特性への影響を調べたものである。
本開示の第2の実施形態を説明する。本実施形態は、1MHz以下での透磁率・インピーダンス比透磁率が高いナノ結晶合金磁心、磁心ユニットおよびナノ結晶合金磁心の製造方法に関する。本実施形態によれば、高いインピーダンス比透磁率μrzを持つナノ結晶合金磁心が得られる製造方法を確立できる。また、インピーダンス比透磁率μrzが高いナノ結晶合金磁心を提供できる。このナノ結晶合金磁心は、コモンモードノイズの吸収・除去能力に優れたコモンモードコイル用磁心として適用できる。
後段磁場中熱処理とは、以下の熱処理のことをいう。
昇温中磁場中熱処理1とは、以下の熱処理のことをいう。
昇温中磁場中熱処理2とは、以下の熱処理のことをいう。
第1の実施形態と同様、ナノ結晶化が可能なアモルファス合金リボンとしては、Fe基のものを用いることができる。
一次熱処理は、結晶化開始温度より低い温度から結晶化開始温度以上に昇温する過程を含む。一次熱処理での最高温度は、510℃以上600℃以下の範囲に設定され得る。最高温度が510℃より低いか、あるいは600℃よりも高いと、磁歪が大きくなってしまう。磁歪が大きいと、磁心に樹脂を含浸する場合、磁気特性が大きく変化して所望の特性が得られ難い。最高温度で温度を保持する必要は必ずしもなく、0分(保持時間無し)であってもナノ結晶化させることができる。好ましくは、保持時間を5分以上24時間以下の範囲内で設定する。熱処理時間が5分以上であれば、磁心を構成する合金の全体を均一な温度にしやすいので、磁気特性を均一にしやすい。一方、熱処理時間が24時間よりも長いと、生産性が悪くなるだけではなく、結晶粒の過剰な成長、または不均一な形態の結晶粒の生成により、磁気特性の低下が起こりやすい。
一次熱処理の後に、結晶化開始温度未満の温度で、磁路に対して直行する方向に磁場を印加する、二次熱処理を行う。磁場の印加は、一定の温度で保持しながら行うこともできるし、昇温・降温させながら行うこともできる。降温させながら磁場を印加した場合、ヒステリシスBHカーブが傾斜し、かつ、傾斜した部分は直線的になるので特に好ましい。
本開示のナノ結晶合金磁心は、周波数f=1kHz、振幅H=0.05アンペア/メートル(A/m)の交流磁場が印加された状態において室温にて測定した透磁率μ(1kHz)が70,000以上の磁心にすることができる。
本開示のナノ結晶合金磁心は、例えば導線を巻回したり貫通させることで、コモンモードチョークコイル用の磁心ユニットとすることができる。
インピーダンス比透磁率μrz、複素比透磁率の実数部μ’、虚数部μ’’の測定は、アジレレントテクノロジー社製HP4194Aを用いて、オシレーションレベル0.5V、アベレージ16の条件で行った。絶縁被覆導線を、トロイダルコアの中央部に貫通させて、入出力端子に接続し測定した。
原子%で、Cu:1%、Nb:3%、Si:15.5%、B:6.5%、残部Fe及び不可避不純物からなる合金溶湯を単ロ−ル法により急冷し、幅50mm、厚さ14μmのFe基非晶合金リボンを得た。このFe基非晶合金リボンを、幅6.5mmにスリット(裁断)した後、外径20mm、内径10mmに巻回し、磁心材を作製した(高さ6.5mm)。示差走査熱量計(DSC)での測定により、この合金の結晶化開始温度は500℃であった。
図23に示す温度及び磁場印加のプロファイルに対し、450℃から580℃に昇温する際の昇温速度を0.5℃/min〜4.4℃/minの範囲で変え、インピーダンス比透磁率μrzに与える影響を調べた。
図23に示す温度及び磁場印加のプロファイルにおける最高温度を500℃から600℃の範囲で変え、インピーダンス比透磁率μrzに与える影響を調べた。具体的には、最高温度を500℃、520℃、540℃、560℃、580℃、590℃、600℃とした。それ以外は実施例6と同様にして、磁心材に後段磁場中熱処理を施した。なお、450℃から最高温度までに到達する時間は4時間とした。
図23に示す温度及び磁場印加のプロファイルに対し、二次熱処理で磁場を印加する温度範囲を変え、インピーダンス比透磁率μrzに与える影響を調べた。具体的には、二次熱処理で磁場を印加する最高温度を、350℃、400℃、450℃、500℃、とし、磁場を印加しながら室温まで冷却した。また、Fe基非晶合金リボンは厚さ10.6μmのものを用いた。それ以外は実施例6と同様にして、磁心材に後段磁場中熱処理を施した。
図23に示す温度及び磁場印加のプロファイルに対し、二次熱処理において、降温しながら磁場を印加し、かつ、その際の降温速度を4.4℃/minから1.0℃/minの範囲で変え、インピーダンス比透磁率μrzに与える影響を調べた。
図23に示す温度及び磁場印加のプロファイルに対し、二次熱処理において、降温しながら磁場を印加し、かつ、磁場を印加する際の最低温度を、100℃〜300℃の範囲で変え、インピーダンス比透磁率μrzに与える影響を調べた。具体的には、磁場を印加する際の最低温度を、100℃、200℃、250℃、300℃とした。
図23に示す温度及び磁場印加のプロファイルに対し、二次熱処理において、印加する磁場の強度を、39.9kA/mから319.2kA/mの範囲で変え、インピーダンス比透磁率μrzに与える影響を調べた。具体的には、印加する磁場の強度を、39.9kA/m、79.8kA/m、319.2kkA/mとした。
2 ホルダー
3 容器
4 ヒーター
5 ソレノイドコイル
6 巻磁心
10 磁場中熱処理炉
Claims (15)
- 巻回または積層されたアモルファス合金リボンの磁心を、熱処理によりナノ結晶化する、ナノ結晶合金磁心の製造方法であって、
前記磁心を、無磁場中で結晶化開始温度より低い温度から前記結晶化開始温度以上に昇温する一次熱処理を行う一次熱処理工程と、
その後に行う二次熱処理工程とを有し、
前記二次熱処理工程は、
無磁場中において200℃以上、前記結晶化開始温度未満の一定の温度で保持する二次温度保持工程と、
その後、前記磁心の磁路に対して直行する方向に磁場を印加しながら降温する二次降温工程とを有し、
前記熱処理後、前記ナノ結晶合金磁心は、1.0A/m以下の保磁力を有する、ナノ結晶合金磁心の製造方法。 - 前記二次温度保持工程において、前記磁心の温度が磁場の印加を開始する時点での温度に対して±5℃の範囲になった後に、その温度の範囲で保持する時間を1分以上有する、請求項1に記載のナノ結晶合金磁心の製造方法。
- 前記磁場は、磁場強度60kA/m以上で印加される、請求項1又は2に記載のナノ結晶合金磁心の製造方法。
- 前記二次熱処理工程の保持温度が200℃以上500℃以下である、請求項1から3のいずれかに記載のナノ結晶合金磁心の製造方法。
- 前記一次熱処理工程の保持温度が550℃以上600℃以下である、請求項1から4のいずれかに記載のナノ結晶合金磁心の製造方法。
- 前記アモルファス合金リボンは、7μm以上15μm以下の厚さを有する、請求項1から5のいずれかに記載のナノ結晶合金磁心の製造方法。
- 前記アモルファス合金リボンは、一般式:(Fe1−aMa)100−x−y−z−α−β−γCuxSiyBzM’αM”βXγ(原子%)(ただし、MはCo及び/又はNiであり、M’はNb,Mo,Ta,Ti,Zr,Hf,V,Cr,Mn及びWからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素、M”はAl,白金族元素,Sc,希土類元素,Zn,Sn,Reからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素、XはC、Ge、P、Ga、Sb、In、Be、Asからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素、a,x,y,z,α,β及びγはそれぞれ0≦a≦0.5,0.1≦x≦3,0≦y≦30,0≦z≦25,5≦y+z≦30、0≦α≦20,0≦β≦20及び0≦γ≦20を満たす。)により表される組成を有する請求項1から6のいずれかに記載のナノ結晶合金磁心の製造方法。
- 前記二次熱処理工程の後、さらに樹脂を含浸する工程を有する請求項1から7のいずれかに記載のナノ結晶合金磁心の製造方法。
- 前記二次熱処理工程において、前記無磁場中において200℃以上、前記結晶化開始温度未満の一定の温度で保持した後に、前記磁路に対して直行する方向に磁場を印加しながらこの温度で保持し、その後、前記磁路に対して直行する方向に磁場を印加しながら降温する請求項1から8のいずれかに記載のナノ結晶合金磁心の製造方法。
- 前記二次温度保持工程において、磁心の温度が降温開始温度に対して±5℃の範囲になった後に、その温度の範囲で保持する時間を1分以上とし、その後、その温度の範囲を保持しつつ前記磁路に対して直行する方向に磁場を印加する、請求項1から9のいずれかに記載のナノ結晶合金磁心の製造方法。
- 前記二次熱処理工程において、前記無磁場中において200℃以上、前記結晶化開始温度未満の一定の温度で保持した後に、降温を開始する時点から、前記磁路に対して直行する方向に磁場を印加しながら降温する請求項1から10のいずれかに記載のナノ結晶合金磁心の製造方法。
- 前記磁心の体積は3000mm3以上である請求項1から11のいずれかに記載のナノ結晶合金磁心の製造方法。
- 前記一次熱処理工程における昇温速度は1.0℃/min未満である、請求項1から12のいずれかに記載のナノ結晶合金磁心の製造方法。
- 前記一次熱処理工程において、最高温度は550℃超585℃以下である、請求項1から13のいずれかに記載のナノ結晶合金磁心の製造方法。
- 前記二次熱処理工程において、磁場を印加する際の最高温度は200℃以上400℃未満である、請求項1から14のいずれかに記載のナノ結晶合金磁心の製造方法。
Applications Claiming Priority (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016190806 | 2016-09-29 | ||
JP2016190806 | 2016-09-29 | ||
JP2017130922 | 2017-07-04 | ||
JP2017130920 | 2017-07-04 | ||
JP2017130920 | 2017-07-04 | ||
JP2017130923 | 2017-07-04 | ||
JP2017130922 | 2017-07-04 | ||
JP2017130921 | 2017-07-04 | ||
JP2017130923 | 2017-07-04 | ||
JP2017130921 | 2017-07-04 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018542802A Division JP6729705B2 (ja) | 2016-09-29 | 2017-09-27 | ナノ結晶合金磁心、磁心ユニットおよびナノ結晶合金磁心の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020143138A Division JP7028290B2 (ja) | 2016-09-29 | 2020-08-27 | ナノ結晶合金磁心の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019201215A JP2019201215A (ja) | 2019-11-21 |
JP6849023B2 true JP6849023B2 (ja) | 2021-03-24 |
Family
ID=61759566
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018542802A Active JP6729705B2 (ja) | 2016-09-29 | 2017-09-27 | ナノ結晶合金磁心、磁心ユニットおよびナノ結晶合金磁心の製造方法 |
JP2019136155A Active JP6849023B2 (ja) | 2016-09-29 | 2019-07-24 | ナノ結晶合金磁心の製造方法 |
JP2020143138A Active JP7028290B2 (ja) | 2016-09-29 | 2020-08-27 | ナノ結晶合金磁心の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018542802A Active JP6729705B2 (ja) | 2016-09-29 | 2017-09-27 | ナノ結晶合金磁心、磁心ユニットおよびナノ結晶合金磁心の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020143138A Active JP7028290B2 (ja) | 2016-09-29 | 2020-08-27 | ナノ結晶合金磁心の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3522186B1 (ja) |
JP (3) | JP6729705B2 (ja) |
CN (1) | CN109716463B (ja) |
WO (1) | WO2018062310A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109716463B (zh) * | 2016-09-29 | 2021-04-09 | 日立金属株式会社 | 纳米晶合金磁芯、磁芯组件和纳米晶合金磁芯的制造方法 |
JP7192511B2 (ja) * | 2019-01-10 | 2022-12-20 | トヨタ自動車株式会社 | 合金薄帯の製造方法 |
CN109778081A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-05-21 | 信维通信(江苏)有限公司 | 一种高Bs非晶材料及其制备方法 |
DE112020000679T5 (de) * | 2019-02-05 | 2021-11-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Gewickelter Magnetkern, Legierungskern und Verfahren zur Herstellung eines gewickelten Magnetkerns |
JP7088057B2 (ja) * | 2019-02-06 | 2022-06-21 | トヨタ自動車株式会社 | 合金薄帯の製造方法 |
DE102019105215A1 (de) | 2019-03-01 | 2020-09-03 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Legierung und Verfahren zur Herstellung eines Magnetkerns |
JP7047798B2 (ja) * | 2019-03-05 | 2022-04-05 | トヨタ自動車株式会社 | 合金薄帯片の製造方法 |
WO2020235642A1 (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | 日立金属株式会社 | 合金薄帯積層体の製造方法及び合金薄帯積層体の製造装置 |
JP7234809B2 (ja) * | 2019-06-06 | 2023-03-08 | トヨタ自動車株式会社 | 合金薄帯片の製造方法 |
JP2021005645A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | 学校法人トヨタ学園 | 積層鉄心およびその製造方法、その積層鉄心を用いた電気デバイス |
CN110257735B (zh) * | 2019-07-19 | 2020-08-11 | 横店集团东磁股份有限公司 | 非晶纳米晶软磁材料及其制备方法和用途、非晶带材、非晶纳米晶带材及非晶纳米晶磁片 |
CN112391522A (zh) * | 2019-08-15 | 2021-02-23 | 河南中岳非晶新型材料股份有限公司 | 一种纳米晶带材的热处理工艺方法 |
CN111218657B (zh) * | 2020-01-03 | 2021-07-30 | 北京工业大学 | 一种非晶钨基高熵合金薄膜材料及制备方法 |
RU201014U1 (ru) * | 2020-03-24 | 2020-11-23 | Юрий Пантелеевич Лепеха | Фильтр подавления электромагнитных помех |
CN111354563A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-06-30 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 阳极饱和电抗器用铁心、制备方法及阳极饱和电抗器 |
DE102020120430A1 (de) | 2020-08-03 | 2022-02-03 | Florian Geling | Drossel für Leistungselektronik |
CN112410531B (zh) * | 2020-11-12 | 2022-03-08 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种纳米晶合金及其制备方法 |
RU203577U1 (ru) * | 2020-11-26 | 2021-04-13 | Юрий Пантелеевич Лепеха | Фильтр помехоподавляющий для цепей переменного тока в модульном исполнении |
RU202390U1 (ru) * | 2020-11-26 | 2021-02-16 | Юрий Пантелеевич Лепеха | Помехоподавляющий фильтр постоянного тока в модульном исполнении |
CN112899695B (zh) * | 2021-01-15 | 2023-05-23 | 信维通信(江苏)有限公司 | 一种纳米晶带材热处理工艺 |
CN112927914B (zh) * | 2021-01-21 | 2022-07-12 | 广州金磁海纳新材料科技有限公司 | 一种高磁导率铁基纳米晶软磁合金磁芯的制备方法 |
CN113030191B (zh) * | 2021-02-26 | 2023-03-17 | 浙江大学 | 一种基于内嵌式纤维传感器的树脂固化度原位监测的方法 |
CN113073178A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-06 | 电子科技大学 | 一种GHz频段高吸波性能铁基纳米晶合金的制备方法 |
CN113257560A (zh) * | 2021-04-16 | 2021-08-13 | 青县择明朗熙电子器件有限公司 | 适用于中高频环境下的矩形纳米晶喷涂磁芯的制作工艺 |
CN113851302B (zh) * | 2021-09-23 | 2022-10-14 | 东莞理工学院 | 一种差模-共模一体磁芯结构及其制作方法与应用 |
CN113990597A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-01-28 | 河北申科磁性材料有限公司 | 带材、高初始磁导率非晶纳米晶合金及磁芯及开口互感器 |
CN114628144B (zh) * | 2022-04-14 | 2023-04-18 | 常德智见新材料有限公司 | 一种i型纳米晶磁芯及其制备方法 |
CN117626134A (zh) * | 2023-12-28 | 2024-03-01 | 东莞市昱懋纳米科技有限公司 | 高频高磁导率铁基纳米晶合金及其制备方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4528481B1 (en) * | 1976-09-02 | 1994-07-26 | Gen Electric | Treatment of amorphous magnetic alloys to produce a wide range of magnetic properties |
JPS62213107A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | Toshiba Corp | 磁心の製造方法 |
JP2501860B2 (ja) | 1988-03-15 | 1996-05-29 | 日立金属株式会社 | 磁気センサ―及び電流センサ―並びにこれを用いた装置 |
JP2710949B2 (ja) * | 1988-03-30 | 1998-02-10 | 日立金属株式会社 | 超微結晶軟磁性合金の製造方法 |
JPH03107417A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-05-07 | Hitachi Metals Ltd | 超微結晶軟磁性合金の製造方法 |
JPH044393A (ja) | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Hitachi Ltd | 配管の制振要素,制振要素を備えた配管及び制振要素を備えた圧力伝達機器 |
JPH0794314A (ja) | 1993-08-10 | 1995-04-07 | Hitachi Metals Ltd | パルストランス用磁心ならびにパルストランス |
EP0637038B1 (en) * | 1993-07-30 | 1998-03-11 | Hitachi Metals, Ltd. | Magnetic core for pulse transformer and pulse transformer made thereof |
JP3719449B2 (ja) * | 1994-04-15 | 2005-11-24 | 日立金属株式会社 | ナノ結晶合金およびその製造方法ならびにそれを用いた磁心 |
US5611871A (en) * | 1994-07-20 | 1997-03-18 | Hitachi Metals, Ltd. | Method of producing nanocrystalline alloy having high permeability |
JP3856245B2 (ja) | 1994-07-20 | 2006-12-13 | 日立金属株式会社 | 高透磁率ナノ結晶合金の製造方法 |
JP2698769B2 (ja) * | 1995-02-17 | 1998-01-19 | 株式会社東芝 | 高透磁率磁心の製造方法 |
JP2713373B2 (ja) * | 1995-03-13 | 1998-02-16 | 日立金属株式会社 | 磁 心 |
JP4623400B2 (ja) * | 1999-03-12 | 2011-02-02 | 日立金属株式会社 | 軟磁性合金薄帯ならびにそれを用いた磁心及び装置 |
DE10045705A1 (de) * | 2000-09-15 | 2002-04-04 | Vacuumschmelze Gmbh & Co Kg | Magnetkern für einen Transduktorregler und Verwendung von Transduktorreglern sowie Verfahren zur Herstellung von Magnetkernen für Transduktorregler |
JP2003007540A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-10 | Toshiba Corp | 薄型磁性コアおよびそれを用いた磁性部品 |
JP5445888B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2014-03-19 | 日立金属株式会社 | 軟磁性合金およびその製造方法ならびに磁性部品 |
JP4688029B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-05-25 | 日立金属株式会社 | コモンモードチョークコイル用コアおよびその製造方法 |
JP2007305913A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Hitachi Metals Ltd | 磁心 |
CN106170837B (zh) * | 2014-06-10 | 2018-04-10 | 日立金属株式会社 | Fe基纳米晶合金磁芯和Fe基纳米晶合金磁芯的制造方法 |
CN109716463B (zh) * | 2016-09-29 | 2021-04-09 | 日立金属株式会社 | 纳米晶合金磁芯、磁芯组件和纳米晶合金磁芯的制造方法 |
JP2018062310A (ja) | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 日野自動車株式会社 | 車両制御装置 |
-
2017
- 2017-09-27 CN CN201780056925.XA patent/CN109716463B/zh active Active
- 2017-09-27 WO PCT/JP2017/035030 patent/WO2018062310A1/ja unknown
- 2017-09-27 JP JP2018542802A patent/JP6729705B2/ja active Active
- 2017-09-27 EP EP17856259.1A patent/EP3522186B1/en active Active
-
2019
- 2019-07-24 JP JP2019136155A patent/JP6849023B2/ja active Active
-
2020
- 2020-08-27 JP JP2020143138A patent/JP7028290B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019201215A (ja) | 2019-11-21 |
JP6729705B2 (ja) | 2020-07-22 |
WO2018062310A1 (ja) | 2018-04-05 |
EP3522186B1 (en) | 2022-11-02 |
CN109716463B (zh) | 2021-04-09 |
EP3522186A1 (en) | 2019-08-07 |
JPWO2018062310A1 (ja) | 2019-06-24 |
JP2021002663A (ja) | 2021-01-07 |
CN109716463A (zh) | 2019-05-03 |
JP7028290B2 (ja) | 2022-03-02 |
EP3522186A4 (en) | 2020-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6849023B2 (ja) | ナノ結晶合金磁心の製造方法 | |
JP5316921B2 (ja) | Fe基軟磁性合金、およびこれを用いた磁性部品 | |
US10546674B2 (en) | Fe-based soft magnetic alloy ribbon and magnetic core comprising same | |
JP5316920B2 (ja) | 軟磁性合金、アモルファス相を主相とする合金薄帯、および磁性部品 | |
JP5664934B2 (ja) | 軟磁性合金およびこれを用いた磁性部品 | |
JP5182601B2 (ja) | 非晶質合金薄帯、ナノ結晶軟磁性合金ならびにナノ結晶軟磁性合金からなる磁心 | |
JP5429613B2 (ja) | ナノ結晶軟磁性合金ならびに磁心 | |
JP6867744B2 (ja) | Fe基ナノ結晶合金の製造方法 | |
JP5445891B2 (ja) | 軟磁性薄帯、磁心、および磁性部品 | |
JP6137408B2 (ja) | Fe基ナノ結晶合金コア、及びFe基ナノ結晶合金コアの製造方法 | |
JP6024831B2 (ja) | Fe基ナノ結晶合金の製造方法及びFe基ナノ結晶合金磁心の製造方法 | |
US8313588B2 (en) | Amorphous magnetic alloys, associated articles and methods | |
JP5445924B2 (ja) | 軟磁性薄帯、磁心、磁性部品、および軟磁性薄帯の製造方法 | |
JP2000119825A (ja) | Fe基アモルファス合金薄帯およびそれを用いたFe基ナノ結晶軟磁性合金薄帯ならびに磁心 | |
JP6443112B2 (ja) | 軟磁気特性に優れたFe系非晶質合金及び非晶質合金薄帯 | |
JP2008150637A (ja) | 磁性合金、アモルファス合金薄帯、および磁性部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200827 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6849023 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |