JP6846424B2 - 有機電界発光化合物及びそれを含む有機電界発光デバイス - Google Patents
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Description
本開示の目的は、(1)低い駆動電圧及び/または優れた電力効率及び/または著しく改善された動作寿命を有する有機電界発光デバイスを製造するのに有効な有機電界発光化合物、ならびに(2)有機電界発光化合物を含む有機電界発光デバイスを提供することである。
上記技術的課題を解決するために徹底的に研究した結果、本発明者らは、本開示の有機電界発光化合物が、高い三重項エネルギー及び改善された効率を有する有機電界発光デバイスを製造できることを見出した。具体的には、本発明者らは、以下の式1で表される有機電界発光化合物によって上記目的が達成されることを見出した。
Xは、OまたはSを表し、
Lは、単結合、置換もしくは非置換(C6−C30)アリーレン、または置換もしくは非置換(3〜30員)ヘテロアリーレンを表し、
Arは、置換もしくは非置換(C6−C30)アリール、置換もしくは非置換(3〜30員)ヘテロアリール、または−NR11R12を表し、
R1〜R3は各々独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換(C1−C30)アルキル、置換もしくは非置換(C6−C30)アリール、置換もしくは非置換(3〜30員)ヘテロアリール、または−NR13R14を表すか、またはそれぞれ、隣接するR1、R2、及びR3に連結されて、置換もしくは非置換の単環もしくは多環の(C3−C30)脂環式環もしくは芳香環、またはそれらの組み合わせを形成し、その炭素原子(複数可)は、窒素、酸素、及び硫黄から選択される少なくとも1個のヘテロ原子で置き換えられていてもよく、
R11〜R14は各々独立して、置換もしくは非置換(C1−C10)アルキル、置換もしくは非置換(C6−C30)アリール、または置換もしくは非置換(3〜30員)ヘテロアリールを表し、
nは、1または2を表し、nが2を表す場合、各Arは同じであっても異なっていてもよく、
a及びbは各々独立して、1〜3の整数を表し、cは1〜4の整数を表し、ここで、a〜cは各々独立して、2以上の整数を表し、R1〜R3は各々同じであっても異なっていてもよく、
ヘテロアリール(アリーレン)は、B、N、O、S、Si、及びPから選択される少なくとも1個のヘテロ原子を含有する。
本開示の有機電界発光化合物は、低い駆動電圧及び/または優れた電力効率及び/または改善された駆動寿命を有する電界発光デバイスを提供することができる。
H−(Cz−L4)h−M −−− (11)
H−(Cz)i−L4−M −−− (12)
Czは、以下の構造を表し、
R21〜R24は各々独立して、水素、重水素、ハロゲン、置換もしくは非置換(C1−C30)アルキル、置換もしくは非置換(C6−C30)アリール、置換もしくは非置換(5〜30員)ヘテロアリール、または−SiR25R26R27を表し、式中、R25〜R27は各々独立して、置換もしくは非置換(C1−C30)アルキル、または置換もしくは非置換(C6−C30)アリールを表し、L4は、単結合、置換もしくは非置換(C6−C30)アリーレン、または置換もしくは非置換(5〜30員)ヘテロアリーレンを表し、Mは、置換もしくは非置換(C6−C30)アリール、または置換もしくは非置換(5〜30員)ヘテロアリールを表し、Y1及びY2は各々独立して、O、S、−NR31、または−CR32R33を表し、但しY1及びY2は同時に存在しない、R31〜R33は各々独立して、置換もしくは非置換(C1−C30)アルキル、置換もしくは非置換(C6−C30)アリール、または置換もしくは非置換(5〜30員)ヘテロアリールを表し、R32及びR33は、同じであっても異なっていてもよく、h及びiは各々独立して、1〜3の整数を表し、gは、0〜3の整数を表し、j、k、l、及びmは各々独立して、0〜4の整数を表し、g、h、i、j、k、l、及びmが各々独立して、2以上の整数を表す場合、各(Cz−L4)、各(Cz)、各R21、各R22、各R23及び各R24は同じであっても異なっていてもよい。
Y3〜Y5は各々独立して、CR34またはNを表し、式中、R34は、水素、置換もしくは非置換(C1−C30)アルキル、置換もしくは非置換(C6−C30)アリール、または置換もしくは非置換(5〜30員)ヘテロアリールを表し、
B1及びB2は各々独立して、水素、置換もしくは非置換(C6−C30)アリール、または置換もしくは非置換(5〜30員)ヘテロアリールを表し、
B3は、置換もしくは非置換(C6−C30)アリール、または置換もしくは非置換(5〜30員)ヘテロアリールを表し、
L5は、単結合、置換もしくは非置換(C6−C30)アリーレン、または置換もしくは非置換(5〜30員)ヘテロアリーレンを表す。
R101〜R109及びR111〜R123は各々独立して、水素、重水素、ハロゲン、非置換もしくはハロゲンで置換された(C1−C30)シクロアルキル、置換もしくは非置換(C3−C30)シクロアルキル、置換もしくは非置換(C6−C30)アリール、シアノ、または置換もしくは非置換の(C1−C30)アルコキシを表し、R106〜R109は、隣接するR106〜R109それぞれに連結されて、置換もしくは非置換縮合環、例えば、非置換もしくはアルキル置換されたフルオレン、非置換もしくはアルキルで置換されたジベンゾチオフェン、または非置換もしくはアルキルで置換されたジベンゾフランを形成することができ、R120〜R123は、隣接するR120〜R123それぞれに連結されて、置換または非置換縮合環、例えば、非置換またはアルキルまたはアリールで置換されたキノリンを形成することができ、
R124〜R127は各々独立して、水素、重水素、ハロゲン、置換もしくは非置換(C1−C30)アルキル、または置換もしくは非置換(C6−C30)アリールを表し、R124〜R127は、隣接するR124〜R127それぞれに連結されて、置換もしくは非置換縮合環、例えば、非置換もしくはアルキル置換されたフルオレン、非置換もしくはアルキルで置換されたジベンゾチオフェン、または非置換もしくはアルキルで置換されたジベンゾフランを形成することができ、
R201〜R211は各々独立して、水素、重水素、ハロゲン、非置換もしくはハロゲンで置換された(C1−C30)アルキル、置換もしくは非置換(C3−C30)シクロアルキル、または置換もしくは非置換(C6−C30)アリールを表し、R208〜R211は、隣接するR208〜R211それぞれに連結されて、置換もしくは非置換縮合環、例えば、非置換もしくはアルキル置換されたフルオレン、非置換もしくはアルキルで置換されたジベンゾチオフェン、または非置換もしくはアルキルで置換されたジベンゾフランを形成することができ、
r及びsは各々独立して、1〜3の整数を表し、rまたはsが2以上の整数である場合、各R100は同じであっても異なっていてもよく、
eは、1〜3の整数を表す。
2−ブロモ−1−クロロ−3−ニトロベンゼン(56g、234mmol)、2−クロロフェニルボロン酸(74g、476mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(O)(Pd(PPh3)4)(13g、11.9mmol)、2M炭酸セシウム(194g、596mmol)、トルエン(1200mL)、及びエタノール(300mL)をフラスコに注ぎ、溶解させ、次いで12時間還流した。反応が完了した後、有機層を酢酸エチルで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物1−1(51g、収率80%)を得た。
化合物1−1(10g、37.3mmol)、2−メトキシフェニルボロン酸(6.8g、44.7mmol)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(1.7g、1.86mmol)、炭酸セシウム(30g、93.2mmol)、トリシクロヘキシルホスフィン(1g、3.73mmol)、トルエン(200mL)、及びジオキサン(50mL)をフラスコに注ぎ、溶解させ、次いで4時間還流した。反応完了後、有機層を酢酸エチルで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物1−2(7.7g、収率62%)を得た。
化合物1−2(7.7g、22.7mmol)、三臭化ホウ素(3.2mL、34.1mmol)、及び塩化メチレン(230mL)をフラスコに注ぎ、溶解させ、次いで室温で12時間反応させた。炭酸水素ナトリウム溶液で反応を完了させた後、有機層を塩化メチレンで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、次いでカラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物1−3(6.4g、収率88%)を得た。
化合物1−3(3.9g、12mmol)、炭酸カリウム(0.8g、6mmol)、及びジメチルホルムアミド(60mL)をフラスコに注ぎ、溶解させ、次いで12時間還流した。反応完了後、有機層を酢酸エチルで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物1−4(2g、収率60%)を得た。
化合物1−4(2g、6.9mmol)、トリフェニルホスフィン(7.2g、27mmol)、及びジクロロベンゼン(25mL)フラスコに注ぎ、溶解させ、次いで12時間還流した。反応完了後、有機層を酢酸エチルで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物1−5(1.6g、収率95%)を得た。
化合物1−5(1.6g、6.5mmol)、2−(3−ブロモフェニル)−4,6−ジフェニル−1,3,5−トリアジン(2.6g、6.8mmol)、酢酸パラジウム(0.07g、0.32mmol)、ナトリウムtert−ブトキシド(1.5g、16mmol)、2−ジクロロヘキシルホスフィン−2’,6’−ジメトキシビフェニル(0.26g、0.65mmol)、及びo−キシレン(30mL)をフラスコに注ぎ、次いで4時間還流した。反応完了後、有機層を酢酸エチルで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物C−39(3.1g、収率85%)を得た。
2−ブロモ−1−フルオロ−3−ニトロベンゼン(30g、136mmol)、(2,4−ジクロロフェニル)ボロン酸(27g、143mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(O)(Pd(PPh3)4)(7.8g、6.8mmol)、2M炭酸セシウム(111g、341mmol)、トルエン(680mL)、及びエタノール(170mL)をフラスコに注ぎ、溶解させ、次いで12時間還流した。反応完了後、有機層を酢酸エチルで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物4−1(32g、収率84%)を得た。
化合物4−1(15g、52mmol)、フェニルボロン酸(7g、57mmol)、酢酸パラジウム(0.3g、1.5mmol)、2−ジクロロヘキシルホスフィン−2’,6’−ジメトキシビフェニル(2.5g、6.3mmol)、2Mリン酸カリウム(27g、131mmol)、トルエン(260mL)、及びジオキサン(65mL)をフラスコに入れ、溶解させ、次いで3時間還流した。反応完了後、有機層を酢酸エチルで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物4−2(13g、収率80%)を得た。
化合物4−2(10g、32mmol)、2−メトキシフェニルボロン酸(7.3g、48mmol)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(2.9g、3.2mmol)、炭酸セシウム(31g、96mmol)、トリシクロヘキシルホスフィン(トルエン中20重量%)(9g、6.4mmol)、トルエン(160mL)、及びジオキサン(50mL)をフラスコに注ぎ、溶解させ、次いで12時間還流した。反応完了後、有機層を酢酸エチルで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物4−3(3.3g、収率26%)を得た。
化合物4−3(3.3g、8.2mmol)、三臭化ホウ素(12mL、12mmol)、及び塩化メチレン(80mL)をフラスコに注ぎ、溶解させ、次いで室温で12時間反応させた。炭酸水素ナトリウム溶液を加えて反応を完了させた後、有機層を塩化メチレンで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物4−4(3.1g、収率99%)を得た。
化合物4−4(3.1g、8.2mmol)、炭酸カリウム(0.5g、4.1mmol)、及びジメチルホルムアミド(40mL)をフラスコに注ぎ、溶解させ、次いで4時間還流した。反応完了後、有機層を酢酸エチルで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物4−5(2.5g、収率83%)を得た。
化合物4−5(1.6g、6.9mmol)、トリフェニルホスフィン(4.6g、17mmol)、及びジクロロベンゼン(15mL)フラスコに注ぎ、溶解させ、次いで12時間還流した。反応完了後、有機層を酢酸エチルで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物4−6(1.2g、収率86%)を得た。
化合物4−6(1.2g、3.7mmol)、2−[1,1’−ビフェニル]−4−イル−4−クロロ−6−フェニル−1,3,5−トリアジン(1.5g、4.4mmol)、4−(ジメチルアミノ)ピリジン(0.2g、1.8mmol)、炭酸カリウム(1.2g、9.3mmol)、及びジメチルホルムアミド(40mL)をフラスコに入れ、溶解させ、120℃まで加熱し、次いで4時間還流した。反応終了後、その混合物を蒸留水に滴加し、得られた固体を濾過した。その濾液を乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物C−94(6.4g、収率97%)を得た。
2−ブロモ−1−クロロ−3−ニトロベンゼン(74g、315mmol)、(1−フルオロ−2−ナフタレニル)ボロン酸(50g、263mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(O)(Pd(PPh3)4)(15g、13mmol)、2M炭酸セシウム(257g、789mmol)、o−キシレン(1600mL)、及びエタノール(400mL)をフラスコに注ぎ、溶解させ、次いで12時間還流した。反応完了後、有機層を酢酸エチルで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物5−1(36g、収率47%)を得た。
化合物5−1(34g、114mmol)、2−メトキシフェニルボロン酸(26g、172mmol)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(10g、11mmol)、炭酸セシウム(112g、343mmol)、トリシクロヘキシルホスフィン(トルエン中20重量%)(32g、22mmol)、o−キシレン(600mL)、及びジオキサン(170mL)をフラスコに注ぎ、溶解させ、次いで12時間還流した。反応完了後、有機層を酢酸エチルで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物5−2(38g、収率90%)を得た。
化合物5−2(38g、102mmol)、三臭化ホウ素(MC中1M)(153mL、153mmol)、及び塩化メチレン(1000mL)をフラスコに注ぎ、溶解させ、次いで室温で12時間反応させた。炭酸水素ナトリウム溶液を加えて反応を完了させた後、有機層を塩化メチレンで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物5−3(53g)を得た。
化合物5−3(53g、102mmol)、炭酸カリウム(7g、51mmol)、及びジメチルホルムアミド(500mL)をフラスコに注ぎ、溶解させ、次いで4時間還流した。反応完了後、有機層を酢酸エチルで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物5−4(18g、収率52%)を得た。
化合物5−4(18g、53mmol)、トリフェニルホスフィン(56g、214mmol)、及びジクロロベンゼン(180mL)フラスコに注ぎ、溶解させ、次いで12時間還流した。反応完了後、有機層を酢酸エチルで抽出した。有機抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物5−5(9.5g、収率59%)を得た。
化合物5−5(5g、16mmol)、2−クロロ−4−(2−ナフタレニル)キナゾリン(4.7g、16mmol)、炭酸セシウム(5.3g、16mmol)、4−(ジメチルアミノ)ピリジン(0.99g、8.1mmol)、及びジメチルスルホキシド(80mL)をフラスコに注ぎ、溶解させ、90℃まで加熱し、次いで2時間反応させた。反応終了後、その混合物をメタノールに滴加し、得られた固体を濾過した。その濾液を乾燥させ、カラムクロマトグラフィーによって精製して、化合物C−99(8.6g、収率94%)を得た。
本開示による有機電界発光化合物を用いてOLEDデバイスを製造した。OLEDデバイス(Geomatec)用のガラス基板上の透明電極インジウムスズ酸化物(ITO)薄膜(10Ω/sq)を、アセトン、イソプロパノールでの連続超音波洗浄に供し、次いでイソプロパノール中で保管した。次いで、ITO基板を真空蒸着装置の基板ホルダ上に載置した。化合物HIL−1を真空蒸着装置のセルに導入し、次いで装置のチャンバ内の圧力を10−6トルに制御した。その後、電流をセルに印加して上記導入された材料を蒸発させ、それにより80nmの厚さを有する第1の正孔注入層をITO基板上に形成した。次に、化合物HIL−2を真空蒸着装置の別のセルに導入し、電流をそのセルに印加することにより蒸発させ、それにより5nmの厚さを有する第2の正孔注入層を第1の正孔注入層上に形成した。次いで、化合物HTL−1を真空蒸着装置の1つのセルに導入し、電流をそのセルに印加することによって蒸発させ、それにより10nmの厚さを有する第1の正孔輸送層を第2の正孔注入層上に形成した。次いで、化合物HTL−2を真空蒸着装置の別のセルに導入し、電流をそのセルに印加することによって蒸発させ、それにより60nmの厚さを有する第2の正孔輸送層を第1の正孔輸送層上に形成した。正孔注入層及び正孔輸送層の形成後、その上に発光層を以下のように形成した。化合物C−39をホスト材料として真空蒸着装置の1つのセルに導入し、化合物D−71をドーパントとして別のセルに導入した。これらの2つの材料を異なる比率で蒸発させ、ホスト及びドーパントの総量に基づいて3重量%のドーピング量でドーパントを蒸着させて、40nmの厚さを有する発光層を第2の正孔輸送層上に形成した。次いで、化合物ETL−1及び化合物Liqを別の2つのセルに導入し、1:1の比率で蒸発させて、発光層の上に厚さ30nmを有する電子輸送層を形成した。化合物Liqを、2nmの厚さを有する電子注入層として蒸着させた後、80nmの厚さを有するAlカソードを別の真空蒸着装置によって蒸着させた。このようにしてOLEDデバイスを製造した。
以下の化合物Aをホストに用いた以外は、デバイス例1と同じ様式でOLEDデバイスを製造した。
本開示による有機電界発光化合物を用いてOLEDデバイスを製造した。OLEDデバイス(Geomatec)用のガラス基板上の透明電極インジウムスズ酸化物(ITO)薄膜(10Ω/sq)を、アセトン、エタノール、及び蒸留水での連続超音波洗浄に供し、次いでイソプロパノール中で保管した。次いで、ITO基板を真空蒸着装置の基板ホルダ上に載置した。化合物HIL−1を真空蒸着装置のセルに導入し、次いで装置のチャンバ内の圧力を10−6トルに制御した。その後、電流をセルに印加して上記の導入された材料を蒸発させ、それにより80nmの厚さを有する第1の正孔注入層をITO基板上に形成した。次に、化合物HIL−2を真空蒸着装置の別のセルに導入し、電流をそのセルに印加することにより蒸発させ、それにより5nmの厚さを有する第2の正孔注入層を第1の正孔注入層上に形成した。次いで、化合物HTL−1を真空蒸着装置の1つのセルに導入し、電流をそのセルに印加することによって蒸発させ、それにより10nmの厚さを有する第1の正孔輸送層を第2の正孔注入層上に形成した。次いで、化合物HTL−3を真空蒸着装置の別のセルに導入し、電流をそのセルに印加することによって蒸発させ、それにより30nmの厚さを有する第2の正孔輸送層を第1の正孔輸送層上に形成した。正孔注入層及び正孔輸送層の形成後、その上に発光層を以下のように形成した。化合物C−39をホスト材料として真空蒸着装置の1つのセルに導入し、化合物D−13をドーパントとして別のセルに導入した。これらの2つの材料を異なる比率で蒸発させ、ホスト及びドーパントの総量に基づいて15重量%のドーピング量でドーパントを蒸着させて、40nmの厚さを有する発光層を第2の正孔輸送層上に形成した。次いで、化合物ETL−1及び化合物Liqを別の2つのセルに導入し、4:6の比率で蒸発させて、発光層の上に厚さ35nmを有する電子輸送層を形成した。化合物Liqを、2nmの厚さを有する電子注入層として蒸着させた後、80nmの厚さを有するAlカソードを別の真空蒸着装置によって蒸着させた。このようにしてOLEDデバイスを製造した。OLEDデバイスを製造するために使用された材料を各々、10−6torrでの真空昇華によって精製した。
デバイス例2−2、2−3では、それぞれ、化合物C−36及び化合物C−31をホストとして用いた以外は、デバイス例2−1と同じ様式でOLEDデバイスを製造した。
以下のこと以外は、デバイス例2−1と同じ様式でOLEDデバイスを製造した:化合物CBPをホストとして、かつ化合物D−13をドーパントとして用いることによって、第2の正孔輸送層の上に厚さ40nmを有する発光層を蒸着させ、化合物Balqを、厚さ10nmを有する正孔阻止層として蒸着させ、その後、化合物ETL−1及び化合物Liqを別の2つのセルに導入し、4:6の比率で蒸発させて、厚さ25nmを有する電子輸送層を形成した。
第2の正孔輸送層の厚さを30nmまで低下させ、かつ発光層及び電子輸送層を以下のようにして蒸着させた以外は、デバイス例1と同じ様式でOLEDデバイスを製造した。ホストとして、化合物C−39(第1のホスト)及び化合物B−8(第2のホスト)をそれぞれ真空蒸着装置の2つのセルに導入した。化合物D−87をドーパントとして別のセルに導入した。2つのホスト化合物を1:2の異なる比率で蒸発させ、一方ドーパントをホスト化合物とは異なる比率で蒸発させ、それにより、ホスト及びドーパントの総量に基づいて10重量%のドーピング量でドーパントを蒸着させて40nmの厚さを有する発光層を第2の正孔輸送層上に形成した。その後、化合物ETL−1及び化合物Liqを別の2つのセルに導入し、4:6の比率で蒸発させて、発光層の上に厚さ35nmを有する電子輸送層を形成した。
デバイス例3−2及び3−3では、化合物C−36及び化合物C−31をそれぞれ第1のホスト化合物として用いた以外は、デバイス例3−1と同じ様式でOLEDデバイスを製造した。
デバイス例3−4〜3−6では、第1及び第2のホスト化合物の代わりに発光層におけるホストとして、化合物C−39、化合物C−36、及び化合物C−31のみをそれぞれを用いた以外は、デバイス例3−1と同じ様式でOLEDデバイスを製造した。
OLEDデバイスを以下のようにして製造した:OLEDデバイス(Geomatec)用のガラス基板上の透明電極インジウムスズ酸化物(ITO)薄膜(10Ω/sq)を、アセトン、エタノール、及び蒸留水での連続超音波洗浄に供し、次いでイソプロパノール中で保管した。次いで、ITO基板を真空蒸着装置の基板ホルダ上に載置した。化合物HIL−1を真空蒸着装置のセルに導入し、次いで装置のチャンバ内の圧力を10−7トルに制御した。その後、電流をセルに印加して上記の導入された材料を蒸発させ、それにより60nmの厚さを有する第1の正孔注入層をITO基板上に形成した。次に、化合物HIL−2を真空蒸着装置の別のセルに導入し、電流をそのセルに印加することにより蒸発させ、それにより5nmの厚さを有する第2の正孔注入層を第1の正孔注入層上に形成した。次いで、化合物HTL−1を真空蒸着装置の別のセルに導入し、電流をそのセルに印加することによって蒸発させ、それにより20nmの厚さを有する第1の正孔輸送層を第2の正孔注入層上に形成した。次いで、化合物HTL−4を真空蒸着装置の別のセルに導入し、電流をそのセルに印加することによって蒸発させ、それにより5nmの厚さを有する第2の正孔輸送層を第1の正孔輸送層上に形成した。正孔注入層及び正孔輸送層の形成後、その上に発光層を以下のようにして形成した。化合物BH−1をホスト材料として真空蒸着装置の1つのセルに導入し、化合物BD−1をドーパントとして別のセルに導入した。これらの2つの材料を異なる比率で蒸発させ、ホスト及びドーパントの総量に基づいて2重量%のドーピング量でドーパントを蒸着させて、20nmの厚さを有する発光層を第2の正孔輸送層上に形成した。電子緩衝材料としての化合物C−36を、発光層上に厚さ5nmを有する電子緩衝層として蒸着させた。化合物ETL−2を1つのセルに導入し、化合物Liqを別のセルに導入し、同じ比率で蒸発させ、ドーピング量50wt%で蒸着させて、電子緩衝層上に厚さ25nmを有する電子輸送層を形成した。化合物Liqを、2nmの厚さを有する電子注入層として蒸着させた後、80nmの厚さを有するAlカソードを別の真空蒸着装置によって蒸着させた。このようにしてOLEDデバイスを製造した。OLEDデバイスを製造するために使用された材料を各々、10−6torrでの真空昇華によって精製した。
デバイス例4−2〜4−4では、化合物C−39、化合物C−31、及び化合物C−94をそれぞれ電子緩衝材料として用いた以外は、デバイス例4−1と同じ様式でOLEDデバイスを製造した。
Claims (10)
- 以下の式1で表される有機電界発光デバイスで使用され得る化合物であって、
Xは、Oを表し、
Lは、単結合、置換もしくは非置換(C6−C30)アリーレン、または置換もしくは非置換(3〜30員)ヘテロアリーレンを表し、
Arは、置換もしくは非置換(C6−C30)アリール、置換もしくは非置換(3〜30員)ヘテロアリール、または−NR11R12を表し、
R1〜R3は各々独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換(C1−C10)アルキル、置換もしくは非置換(C6−C30)アリール、置換もしくは非置換(3〜30員)ヘテロアリール、または−NR13R14を表すか、またはそれぞれ、隣接するR1、R2、及びR3に連結されて、置換もしくは非置換の単環もしくは多環の(C3−C30)脂環式環もしくは芳香環、またはそれらの組み合わせを形成し、その炭素原子(複数可)は、窒素、酸素、及び硫黄から選択される少なくとも1個のヘテロ原子で置き換えられていてもよく、
R11〜R14は各々独立して、置換もしくは非置換(C1−C10)アルキル、置換もしくは非置換(C6−C30)アリール、または置換もしくは非置換(3〜30員)ヘテロアリールを表し、
nは、1または2を表し、nが2である場合、各Arは同じであっても異なっていてもよく、
a及びbは各々独立して、1〜3の整数を表し、cは、1〜4の整数を表し、a〜cが各々独立して、2以上の整数を表す場合、R1〜R3は各々同じであっても異なっていてもよく、
前記ヘテロアリール(アリーレン)は、B、N、O、S、Si、及びPから選択される少なくとも1個のヘテロ原子を含有する、有機電界発光デバイスで使用され得る化合物。 - L、Ar、R1〜R3、及びR11〜R14における前記置換アリール(アリーレン)、前記置換ヘテロアリール(アリーレン)、前記置換アルキル、及び前記置換の単環もしくは多環の脂環式環もしくは芳香環もしくはそれらの組み合わせの前記置換基が各々独立して、重水素、ハロゲン、シアノ、カルボキシル、ニトロ、ヒドロキシル、(C1−C30)アルキル、ハロ(C1−C30)アルキル、(C2−C30)アルケニル、(C2−C30)アルキニル、(C1−C30)アルコキシ、(C1−C30)アルキルチオ、(C3−C30)シクロアルキル、(C3−C30)シクロアルケニル、(3〜7員)ヘテロシクロアルキル、(C6−C30)アリールオキシ、(C6−C30)アリールチオ、非置換もしくは(C1−C30)アルキルまたは(C6−C30)アリールで置換された(3〜30員)ヘテロアリール、非置換もしくは3〜30員ヘテロアリールで置換された(C6−C30)アリール、トリ(C1−C30)アルキルシリル、トリ(C6−C30)アリールシリル、ジ(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールシリル、(C1−C30)アルキルジ(C6−C30)アリールシリル、アミノ、モノもしくはジ(C1−C30)アルキルアミノ、モノもしくはジ(C6−C30)アリールアミノ、(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールアミノ、(C1−C30)アルキルカルボニル、(C1−C30)アルコキシカルボニル、(C6−C30)アリールカルボニル、ジ(C6−C30)アリールボロニル、ジ(C1−C30)アルキルボロニル、(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールボロニル、(C6−C30)アリール(C1−C30)アルキル、及び(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールからなる群から選択される少なくとも1つである、請求項1に記載の化合物。
- Lは、単結合、置換もしくは非置換(C6−C25)アリーレン、または置換もしくは非置換(5〜25員)ヘテロアリーレンを表し、
Arは、置換もしくは非置換(C6−C25)アリール、置換もしくは非置換(5〜2
5員)ヘテロアリール、または−NR11R12を表し、
R1〜R3は各々独立して、水素、置換もしくは非置換(C6−C25)アリール、置換もしくは非置換(5〜25員)ヘテロアリール、または−NR13R14を表すか、またはそれぞれ、隣接するR1、R2、及びR3に連結されて、置換もしくは非置換の単環もしくは多環の(C5−C25)脂環式環もしくは芳香環、またはそれらの組み合わせを形成し、その炭素原子(複数可)は、窒素、酸素、及び硫黄から選択される少なくとも1個のヘテロ原子で置き換えられていてもよく、
R11〜R14は各々独立して、置換もしくは非置換(C6−C25)アリール、または置換もしくは非置換(5〜25員)ヘテロアリールを表し、
a〜cは各々独立して、1または2を表す、請求項1に記載の化合物。 - Lは、単結合、置換もしくは非置換(C6−C18)アリーレン、または置換もしくは非置換(5〜18員)ヘテロアリーレンを表し、
Arは、置換もしくは非置換(C6−C18)アリール、置換もしくは非置換(5〜1
8員)ヘテロアリール、または−NR11R12を表し、
R1〜R3は各々独立して、水素、置換もしくは非置換(C6−C18)アリール、置換もしくは非置換(5〜18員)ヘテロアリール、または−NR13R14を表すか、またはそれぞれ、隣接するR1、R2、及びR3に連結されて、非置換の単環もしくは多環の(C5−C18)芳香環を形成し、
R11〜R14は各々独立して、置換もしくは非置換(C6−C18)アリールを表し、
a〜cは各々独立して、1または2を表す、請求項1に記載の化合物。 - 請求項1に記載の化合物を含むホスト材料。
- 請求項1に記載の化合物を含む電子緩衝材料。
- 請求項1に記載の化合物を含む有機電界発光デバイス。
- 前記有機電界発光デバイスが、第1の電極と第2の電極との間に配設された少なくとも1つの発光層を備え、前記発光層がホスト及びドーパントを含み、前記ホストが複数のホスト化合物を含み、前記複数のホスト化合物のうちの少なくとも1つのホスト化合物が請求項1に記載の化合物である、請求項8に記載の有機電界発光デバイス。
- 前記有機電界発光デバイスが、第1の電極と、前記第1の電極に対向している第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間の発光層と、前記発光層と前記第2の電極との間の電子輸送層及び電子緩衝層と、を備え、前記電子緩衝層が、請求項1に記載の化合物を含む、請求項8に記載の有機電界発光デバイス。
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