CN112174874A - 一种有机化合物和使用该化合物的有机光电元件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种应用于有机光电领域的一种有机化合物和使用该化合物的有机光电元件，该有机化合物的分子结构式如通式(I)所示。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域的一种有机化合物和使用该化合物的有机光电元件，尤其是有机电致发光二极管。
背景技术
自从1987年邓青云博士发明OLEDs(有机电致发光二级管)以来，OLEDs的应用范围不断扩大，从最初的单色数码产品到目前的彩色电视，从最初的无源显示到目前的有源显示，从最初的刚性硬屏到目前的柔性软屏。相比于传统的显示方式，OLEDs显示属于全固态显示，使用的温度范围较宽。OLEDs显示不需要背光，具有更广的视角和更高的对比度。OLEDs属于电流驱动型器件，显示动态画面更加精细。由于以上优点，OLEDs显示产品在某些场景已经取代了液晶显示产品，有望成为新一代的主流显示方式。
OLEDs器件一般是类三明治的结构，即阴极、阳极和两者之间的有机层。OLEDs工作的原理是电子从阴极注入到有机层，空穴从阳极注入到有机层，电子和空穴在有机层中复合形成激子，激子通过辐射跃迁回到基态。跃迁的过程中伴随着发光。根据电致发光的机理，OLEDs从最初的两层结构即空穴传输层和电子传输层优化成目前空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层多层结构。
开发新颖的功能材料是目前提升OLEDs性能最主要的途径，这也是OLEDs中有机电致发光功能材料可裁剪性优点的体现。根据市场需求牵引，各个材料厂商通过开发出各种高性能的有机电致发光材料，实现了终端产品一直持续降低的电压、提升的效率和寿命。
本发明的部分有机化合物具有较高的空穴传输性能，能够使空穴更顺利的从阳极传输到发光层，降低器件的操作电压，器件的使用寿命延长。本发明部分有机化合物具有较高的单/三线态能级，在有机电致发光二极管中能够将电子或者空穴限制在发光层之内，使器件的效率得到显著的提升。本发明部分有机化合物具有较高的电子传输性能，能够降低器件的操作电压。本发明的部分有机化合物能够高效的传递能够给发光客体，提升器件的电光转化效率。
发明内容
本发明的目的在于克服现有空穴/电子传输材料中存在的问题，有效的将空穴/电子输运到活性层中，在OLED元件中，可降低OLED的驱动电压，降低OLEDs功耗。
本发明的目的在于克服目前空穴/电子阻挡材料的存在问题，有效的将电子、空穴或者激子限制在活性层中，在OLED元件中提高OLEDs的发光效率。
本发明的目的在于克服目前的发光主体中存在的问题，有效的将能量传递给发光的客体，有效的提升OLEDs的电光转化效率。
本发明提供一种有机化合物，其结构式如通式(I)所示：
其中X选自B-R、C-RR、N-R、O、S、Si-RR,Ar选自取代或未取代的C6-C60的芳基，取代或未取代的C2-C60的杂芳基和取代的胺基,R独立的选自氢、氘原子、氰基、氟原子、C1-C12的取代或未取代烷基、C1-C8的取代或未取代烷氧基、C2-C8取代或未取代的烯基、C2-C8取代或未取代的炔基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C2-C60的杂芳基、取代的胺基；根据价键理论，n为1至7的整数。
优选地通式(I)所述的有机化合物选自以下结构：
其中Ar、R、n与上述相同。
更为优选地Ar选自以下结构所述的基团，但并不代表限于此：
优选地，R独立的选自氢、氘原子、氰基、氟原子或以下代表结构，但并不代表限于此：
作为优选，本发明所述的有机化合物选自下列化合物，但不代表限于此：
本发明要求保护一种有机光电元件，包括阴极层、阳极层和有机层，该有机层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层或活性层、空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层中的至少一层，并且该器件的有机层中至少有一层含有结构式Ⅰ的所述的有机化合物。
在本发明中，所述有机物层优选包括空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层含有上述技术方案所述的有机电致发光器件用化合物。结构式Ⅰ所述的有机化合物可以单独使用，或和其他化合物混合使用。
有机光电元件的有机层中可以单独使用一种选自结构式Ⅰ所述的有机化合物，或同时使用两种或两种以上选自结构式Ⅰ所述的有机化合物。
本发明有机光电元件中，使用结构式Ⅰ所述的化合物为空穴传输层。
本发明有机光电元件中，使用结构式I所述的化合物为电子阻挡层。
本发明有机光电元件中，使用结构式Ⅰ所述的化合物为发光层或活性层。
本发明有机光电元件中，使用结构式Ⅰ所述的化合物为空穴阻挡层。
本发明有机光电元件中，使用结构式Ⅰ所述的化合物为电子传输层。
本发明所述的有机光电元件是有机光伏器件、有机发光器件(OLED)、有机太阳电池(OSC)、电子纸(e-paper)、有机感光体(OPC)、有机薄膜晶体管(OTFT)及有机内存器件(Organic Memory Element)中任意一种。
在本发明中，有机光电元件是可以利用喷溅涂覆法、电子束蒸发、真空蒸镀等方法在基板上蒸镀金属或具有导电性的氧化物以及它们的合金形成阳极；在制备得到的阳极表面按顺序蒸镀空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层，以后再蒸镀阴极的方法制备。以上方法以外基板上按阴极、有机物层、阳极顺序蒸镀制作有机电致发光器件。所述有机物层是也可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层及电子传输层等多层结构。在本发明中有机物层是采用高分子材料按溶剂工程(旋转涂膜(spin-coating)、薄带成型(tape-casting)、刮片法(doctor-blading)、丝网印刷(Screen-Printing)、喷墨印刷或热成像(Thermal-Imaging)等)替代蒸镀方法制备，可以减少器件层数。
根据本发明的有机光电元件为有机电致发光器件所使用的材料可以分为顶发射、底发射或双面发射。根据本发明实施方案的有机电致器件的化合物可以有与有机发光器件类似的原理，适用于有机太阳能电池、照明的OLED、柔性OLED、有机感光体、有机薄膜晶体管等器件方面。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明一种有机化合物，有机化合物具有较高的单/三线态能级可以有效的将空穴、电子和激子限制在发光层中，提升发光的效率。
本发明的一种有机化合物具有较高的空穴迁移率，降低器件的操作电压。
本发明的一种有机化合物具有较高的电子迁移率，降低器件的操作电压。
本发明的一种有机化合物可以高效的将能量传递给客体，提高外量子效率。平衡的电子空穴迁移率，提高器件的寿命。
附图说明
图1为本发明的一种有机电致发光二极管器件结构层图；
其中，100代表基板，110表示阳极，120表示空穴注入层，130表示空穴传输层，140表示电子阻挡层，150表示发光层，160表示空穴阻挡层，170表示电子传输层，180表示电子注入层，190表示阴极。
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
合成例。
实施例1：化合物C-10的合成
在反应容器中装入(1-(2-溴苯)乙基-1，1-二基)二苯-6.72g(20mmol)和2-硝基苯硼酸4.17g(25mmol)，然后加入甲苯：80mL、乙醇：46mL，接着，加入预先将碳酸钾：11.4g溶解于H2O：60mL而成的水溶液，照射30分钟超声波同时通入氮气。加入醋酸钯0.8g。在加热条件下，搅拌回流一夜，然后自然冷却。向冷却的反应液中加入二氯甲烷，萃取产物，浓缩得到粗产物。将粗产物过硅胶柱进行提纯，得到黄色固体Sub-1 5.38g，产率71％。LC-MS:M/Z380.1(M+H)+。
在反应容器中加入AlCl3 5.28g(40mmol)和sub-1 3.79g(10mmol)，将两者充分搅拌均匀，通氮气保护，在180℃的条件下反应一夜。反应完成后冷却到室温，往容器加入水和二氯甲烷，将产物从混合液中萃取出来。通过旋转蒸发仪，将产物浓缩。浓缩的粗产物通过装满硅胶的硅胶柱进行纯化，得到黄色固体Sub-2 2.73g(收率81％)LC-MS:M/Z 380.1(M+H)+。
向反应容器中加入中间产物Sub-2 7.5g(20mmol)，加入1，2二氯苯50ml，然后加入亚磷酸三乙酯6.4g,加热搅拌回流反应一夜后，向反应液中加入水和二氯甲烷，萃取产物，浓缩得到粗产物。将粗产物过硅胶柱进行提纯，得到白色固体Sub-3 3.1g，产率45％。LC-MS:M/Z 346.1(M+H)+。
向反应容器中加入中间产物Sub-3 6.9g(20mmol)，加入9.69g(4-溴-N,N-二苯胺)(30mmol)，醋酸钯：0.3g、三苯基膦：0.4g、四氢呋喃(80毫升)，加入预先配置好的2M碳酸钾水溶液(50毫升),加热回流搅拌一晚。自然冷却后，加入二氯甲烷，进行萃取操作，浓缩得到粗产物。该粗产物过硅胶柱，得到C-10黄色粉体6.2g(收率53％)。LC-MS:M/Z 589.2(M+H)+。
实施例2：化合物C-12的合成
在反应容器中装入1-溴-2-硝基苯10.3g(51.8mmol)和2氯苯硼酸8.1g(51.8mmol)，然后加入甲苯：105mL、乙醇：26mL，接着，加入预先将碳酸钾：15.7g溶解于H2O：56mL而成的水溶液，照射30分钟超声波同时通入氮气。加入醋酸钯0.8g。在加热条件下，搅拌回流一夜，然后自然冷却。向冷却的反应液中加入二氯甲烷，萃取产物，浓缩得到粗产物。将粗产物过硅胶柱进行提纯，得到Sub-4黄色固体9.4g，产率78％。LC-MS:M/Z 234(M+H)+。
在反应容器中装入Sub-4 2.52g(10.8mmol)和2-硝基苯硼酸2g(12mmol)，然后加入甲苯：60mL、乙醇：26mL，接着，加入预先将碳酸钾：7.6g溶解于H2O：40mL而成的水溶液，照射30分钟超声波同时通入氮气。加入醋酸钯0.6g。在加热条件下，搅拌回流一夜，然后自然冷却。向冷却的反应液中加入二氯甲烷，萃取产物，浓缩得到粗产物。将粗产物过硅胶柱进行提纯，得到Sub-5黄色固体2.78g，产率63％。LC-MS:M/Z 321(M+H)+。
向反应容器中加入中间产物Sub-5 2.57g(10mmol)，加入1，2二氯苯50ml，然后加入亚磷酸三乙酯3.2g,加热搅拌回流反应一夜后，向反应液中加入水和二氯甲烷，萃取产物，浓缩得到粗产物。将粗产物过硅胶柱进行提纯，得到Sub-6白色固体0.97g，产率38％。LC-MS:M/Z 257.1(M+H)+。
向反应容器中加入中间产物Sub-6 3.07g(12mmol)，4-溴联苯3.48g(15mmol)加入三氯甲烷50ml，然后加入氢氧化钠5克,加热搅拌回流反应一夜后，向反应液中加入二氯甲烷和水，萃取产物，浓缩得到粗产物。将粗产物过硅胶柱进行提纯，得到C-12黄色固体4.1g，产率61％。LC-MS:M/Z 561.2(M+H)+。
实施例3：化合物C-9的合成
向反应容器中加入中间产物Sub-7 8.7g(20mmol)，加入8.1g N-苯基9-9螺二芴-2-氨基(20mmol)，醋酸钯：0.3g、三苯基膦：0.4g、四氢呋喃(80毫升)，加入预先配置好的2M碳酸钾水溶液(50毫升),加热回流搅拌一晚。自然冷却后，加入二氯甲烷，进行萃取操作，浓缩得到粗产物。该粗产物过硅胶柱，得到C-9黄色粉体9.32g(收率61％)。LC-MS:M/Z 765.3(M+H)+。
实施例4：化合物C-11的合成
向反应容器中加入中间产物Sub-8 10.3g(20mmol)，加入8.1g N-苯基9-9螺二芴-2-氨基8.14(20mmol)，醋酸钯：0.3g、三苯基膦：0.4g、四氢呋喃(80毫升)，加入预先配置好的2M碳酸钾水溶液(50毫升),加热回流搅拌一晚。自然冷却后，加入二氯甲烷，进行萃取操作，浓缩得到粗产物。该粗产物过硅胶柱，得到C-11黄色粉体10.6g(收率63％)。LC-MS:M/Z841.3(M+H)+。
实施例3：化合物C-26的合成
向反应容器中加入中间产物Sub-9 10.26g(20mmol)，加入8.14g N-苯基9-9螺二芴-2-氨基(20mmol)，醋酸钯：0.3g、三苯基膦：0.4g、四氢呋喃(80毫升)，加入预先配置好的2M碳酸钾水溶液(50毫升),加热回流搅拌一晚。自然冷却后，加入二氯甲烷，进行萃取操作，浓缩得到粗产物。该粗产物过硅胶柱，得到C-26黄色粉体8.9g(收率53％)。LC-MS:M/Z841.3(M+H)+。
实施例4:化合物C-53的合成
向反应容器中加入中间产物Sub-10 11.3g(20mmol)，加入(9-苯基-9H咔唑-2基)硼酸10.5g(30mmol)，醋酸钯：0.3g、三苯基膦：0.4g、四氢呋喃(80毫升)，加入预先配置好的2M碳酸钾水溶液(50毫升),加热回流搅拌一晚。自然冷却后，加入二氯甲烷，进行萃取操作，浓缩得到粗产物。该粗产物过硅胶柱，得到C-53黄色粉体8.7g(收率60％)。LC-MS:M/Z729.3(M+H)+。
实施例7：化合物C-60的合成
向反应容器中加入中间产物Sub-1112.3g(20mmol)，加入9.1g(9-([1-1’联苯基]-4基)-9H-咔唑基)硼酸(25mmol)，醋酸钯：0.3g、三苯基膦：0.4g、四氢呋喃(80毫升)，加入预先配置好的2M碳酸钾水溶液(50毫升),加热回流搅拌一晚。自然冷却后，加入二氯甲烷，进行萃取操作，浓缩得到粗产物。该粗产物过硅胶柱，得到C-108黄色粉体9.2g(收率54％)。LC-MS:M/Z 854.3(M+H)+。
实施例8：化合物C-80的合成
向反应容器中加入中间产物Sub-129.7g(20mmol)，加入7.2g(9苯基-9H-咔唑基)硼酸(25mmol)，醋酸钯：0.3g、三苯基膦：0.4g、四氢呋喃(80毫升)，加入预先配置好的2M碳酸钾水溶液(50毫升),加热回流搅拌一晚。自然冷却后，加入二氯甲烷，进行萃取操作，浓缩得到粗产物。该粗产物过硅胶柱，得到C-80黄色粉体8.2g(收率63％)。LC-MS:M/Z 651.2(M+H)+。
实施例9：化合物C-85的合成
向反应容器中加入中间产物Sub-138.7g(20mmol)，加入8g Sub-14(20mmol)，醋酸钯：0.3g、三苯基膦：0.4g、四氢呋喃(80毫升)，加入预先配置好的2M碳酸钾水溶液(50毫升),加热回流搅拌一晚。自然冷却后，加入二氯甲烷，进行萃取操作，浓缩得到粗产物。该粗产物过硅胶柱，得到C-85黄色粉体8.3g(收率58％)。LC-MS:M/Z 717.3(M+H)+。
实施例5：化合物的C-108的合成
向反应容器中加入中间产物Sub-15 8.7g(20mmol)，加入8.8g(4-(4,6二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)苯基)硼酸(25mmol)，醋酸钯：0.3g、三苯基膦：0.4g、四氢呋喃(80毫升)，加入预先配置好的2M碳酸钾水溶液(50毫升),加热回流搅拌一晚。自然冷却后，加入二氯甲烷，进行萃取操作，浓缩得到粗产物。该粗产物过硅胶柱，得到C-108黄色粉体7.6g(收率57％)。LC-MS:M/Z 667.3(M+H)+。
实施例11：化合物C-109的合成
向反应容器中加入中间产物Sub-16 8.7g(20mmol)，加入6.9g(4,6-二苯基-1，3，5三嗪-2基)硼酸(25mmol)，醋酸钯：0.3g、三苯基膦：0.4g、四氢呋喃(80毫升)，加入预先配置好的2M碳酸钾水溶液(50毫升),加热回流搅拌一晚。自然冷却后，加入二氯甲烷，进行萃取操作，浓缩得到粗产物。该粗产物过硅胶柱，得到C-109黄色粉体7.2g(收率61％)。LC-MS:M/Z 591.2(M+H)+。
实施例12：化合物C-107的合成
向反应容器中加入中间产物Sub-17 5.7g(20mmol)，加入8.8g(4-(4,6二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)苯基)硼酸(25mmol)，醋酸钯：0.3g、三苯基膦：0.4g、四氢呋喃(80毫升)，加入预先配置好的2M碳酸钾水溶液(50毫升),加热回流搅拌一晚。自然冷却后，加入二氯甲烷，进行萃取操作，浓缩得到粗产物。该粗产物过硅胶柱，得到C-109黄色粉体7.7g(收率65％)。LC-MS:M/Z 591.2(M+H)+。
实施例6：化合物C-116的合成
向反应容器中加入中间产物Sub-18 13g(20mmol)，加入(4-(4，6-二苯基-1，3，5三嗪-2-基)苯基)硼酸10.6g(30mmol)，醋酸钯：0.3g、三苯基膦：0.4g、四氢呋喃(80毫升)，加入预先配置好的2M碳酸钾水溶液(50毫升),加热回流搅拌一晚。自然冷却后，加入二氯甲烷，进行萃取操作，浓缩得到粗产物。该粗产物过硅胶柱，得到C-116黄色粉体10.6g(收率64％)。LC-MS:M/Z 883.3(M+H)+。
器件实施例。
在本发明优选的一种实施方式中，通式1中的化合物可以作为空穴传输材料，也可以掺杂其它材料共同作为空穴传输材料，如TCNQ，氧化钼等共同形成空穴传输层或空穴注入层。
在本发明优选的一种实施方式中，通式1中的化合物可以单独作为电子阻挡材料也可以掺杂其它材料作为电子阻挡材料。
在本发明另外优选的一种实施方式中，通式(1)中的化合物可以单独作为OLED器件的发光层，也可以作为掺杂剂与另一有机化合物形成发光层，更优选地作为荧光或磷光化合物的主体材料，所述掺杂剂优选是一种或多种磷光掺杂剂，可以优选自铱(Ir)、铜(Cu)、或铂(Pt)的络合物的任意已知和未知的结构。
在本发明优选的一种实施方式中，通式1中的化合物可以单独作为空穴阻挡层材料，也可以掺杂以3％至60％的有机锂试剂，如LiQ等共同形成空穴阻挡层层。
在本发明另外优选的一种实施方式中，通式(1)中的化合物可以单独作为OLED器件的发光层，也可以作为掺杂剂与另一有机化合物形成发光层，更优选地作为荧光或磷光化合物的主体材料，所述掺杂剂优选是一种或多种磷光掺杂剂，可以优选自铱(Ir)、铜(Cu)、或铂(Pt)的络合物的任意已知和未知的结构。
在本发明的实施方式中，OLED器件中含有空穴注入层，空穴传输层，电子阻挡层，发光层，空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层。空穴注入材料，空穴传输材料，发光材料，电子阻挡材料，电子传输材料可以优选自已知或未知的材料，特别选自以下结构进行本发明的OLED元件的构筑，但并不代表本发明限于以下结构：
将ITO厚度为
的ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤30分钟，再用蒸馏水反复清洗2次，超声波洗涤10分钟，蒸馏水清洗结束后，采用异丙醇、丙酮、甲醇溶剂按顺序进行超声波洗涤后干燥，将干燥后的基板转移到等离子体清洗机里，将上述基板洗涤5分钟后送到蒸镀机里。
在已经清洗好的ITO透明电极上依次蒸镀空穴注入层蒸镀厚度为
空穴传输层蒸镀厚度为
电子阻挡层蒸镀
发光层主体材料和3％的掺杂发光材料
电子阻挡层蒸镀厚度
电子传输层蒸镀厚度
LiF蒸镀厚度为
和Al蒸镀厚度为
形成阴极；上述过程有机物蒸镀速度保持
LiF的蒸镀速度为
Al的蒸镀速度为
以下为在10mA/cm2的条件下器件的性能统计。
对比器件实施例1、2和对比例1、2、3的数据，使用本发明的化合物作为空穴传输层，器件的电压降低0.3-0.6V，效率提升3-7cd/A。
对比器件实施例3、4和对比例1、4的数据，使用本发明的化合物作为电子阻挡层，器件的电压降低0.1-0.4V，效率提升6-12cd/A。
对比器件实施例5、6和对比例5、6的器件数据，使用本发明化合物作为红光主体材料，器件的电压降低0.3-0.7V,效率提升2-6cd/A。
对比器件实施列7、8和对比例1、8的器件数据，使用本发明化合物作为绿光主体材料，器件的电压降低0.4-0.9V，效率提升4-10cd/A。
对比器件实施例9、10和对比例1的器件数据，使用本发明化合物作为空穴阻挡材料，器件的电压降低0.2-0.3V，效率提升3-5cd/A。
对比器件实施例11、12和对比例1和9的器件数据，使用本发明化合物作为电子传输材料，器件的电压降低0.3-0.6V，效率提升4-7cd/A。
实验结果表明，使用本发明的化合物的器件的电压有所降低，效率有所提升。本发明公开的化合物可以作为空穴传输层、电子阻挡层、绿光主体、红光主体、空穴阻挡层、电子传输层等等。
以上对本发明的实施方式进行了详细的说明，本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由上面的权利要求指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。以上所述仅为本申请的较佳实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (16)
1.一种有机化合物，其结构式如通式(I)所示：
其中X选自B-R、C-RR、N-R、O、S、Si-RR,Ar选自取代或未取代的C6-C60的芳基，取代或未取代的C2-C60的杂芳基和取代的胺基,R独立的选自氢、氘原子、氰基、氟原子、C1-C12的取代或未取代烷基、C1-C8的取代或未取代烷氧基、C2-C8取代或未取代的烯基、C2-C8取代或未取代的炔基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C2-C60的杂芳基、取代的胺基；根据价键理论，n为1至7的整数。
2.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述的有机化合物选自以下结构
其中Ar、R、n与权利要求1所述相同。
3.根据权利要求1至2任一一项所述的有机化合物，其特征在于，Ar选自以下结构所述的基团
4.根据权利要求1至3任一一项所述的有机化合物，其特征在于，R独立的选自氢、氘原子、氰基、氟原子或以下代表结构
5.根据权利要求1至4任一一项所述的有机化合物，其特征在于，所述化合物代表性地选自以下系列化合物：
6.一种有机光电元件，包括阴极层、阳极层和有机层，该有机层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层或功能层、空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层、盖帽层中的至少一层，其特征在于：该器件的有机层中至少有一层含有权利要求1至权利要求5任一一项所述的有机化合物。
7.根据权利要求6所述的有机光电元件，其特征在于，权利要求1至权利要求5任一权利要求所述的化合物可以单独使用，或和其他化合物混合使用。
8.根据权利要求6所述的有机光电元件，其特征在于使用权利要求1-5所述的化合物作为电子阻挡层。
9.根据权利要求6所述的有机光电元件，其特征在于使用权利要求1-5所述的化合物作为空穴注入层。
10.根据权利要求6所述的有机光电元件，其特征在于使用权利要求1-5所述的化合物做空穴传输层。
11.根据权利要求6所述的有机光电元件，其特征在于使用权利要求1-5所述的化合物做发光层或活性层。
12.根据权利要求6所述的有机光电元件，其特征在于使用权利要求1-5所述的化合物做空穴阻挡层。
13.根据权利要求6所述的有机光电元件，其特征在于使用权利要求1-5所述的化合物做电子传输层。
14.根据权利要求6所述的有机光电元件，其特征在于使用权利要求1-5所述的化合物做盖帽层。
15.根据权利要求6至14任一一项所述的有机光电元件，其特征在于，所述的有机光电元件为有机电致发光二极管。
16.根据权利要求15所述的有机电致发光二极管，其特征在于，所述的有机电致发光二极管，可应用于显示器、照明等。
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