JP6837566B2 - 水平注入合成後回転連続vgf結晶成長装置及び方法 - Google Patents
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Description
本発明は、水平注入合成後回転連続VGF結晶成長装置を提供し、当該装置は炉体、チャンバ内に配置される合成−結晶成長システム、及び付随して設けられる加熱システム、測温システム、保温システムと制御システムを含み、なお、前記合成−結晶成長システムは側面に種結晶収容チャンバが設けられる坩堝と、その水平側に設けられる揮発性元素の載置容器とを含み、前記揮発性元素の載置容器は注入管を介して坩堝に連通することで水平注入合成を実現するものであり、前記炉体は付随して設けられる回転機構により回転自由度を有し、水平注入合成後の回転垂直温度勾配結晶成長を実現するものである。
(一)原料の用意及び装置の構成:揮発性元素を揮発性元素の載置容器に加えて封止し、種結晶、金属元素及び酸化ホウ素を坩堝に加え、揮発性元素の載置容器及び坩堝を共にチャンバ内に配置する。金属元素と揮発性元素が形成した化合物熔体の液面が種結晶収容チャンバより低く、酸化ホウ素が融解後に化合物熔体を封止して液面が種結晶収容チャンバより高いよう制御する。
(二)炉体を封止し、真空引きを行って保護ガスを注入する。
(三)加熱して金属元素及び酸化ホウ素を融解させる。
(四)加熱して揮発性元素を注入管を介して金属元素熔体に入らせ、化合物熔体を注入合成する。
(五)合成完了後に、回転機構により炉体を回転させて垂直状態にし、坩堝が設けられた領域の温度分布を調整することにより、合成後連続VGF結晶成長を実現する。
(一)原料の用意及び装置の構成:揮発性元素を揮発性元素の載置容器に加えて封止し、種結晶、金属元素及び保護剤、例えば酸化ホウ素を坩堝に加え、揮発性元素の載置容器の注入管を坩堝内に挿入し、次に揮発性元素の載置容器及び坩堝を共にチャンバ内に配置する。原料を用意する際に各物質の量は、金属元素の量は加熱融解後の高さが種結晶収容チャンバを超えず、種結晶と接触せず、保護剤、例えば酸化ホウ素は受熱融解完了後に種結晶を覆うよう、その高さが種結晶収容チャンバを超えるよう制御し、揮発性元素が受熱すると注入管を介して金属元素熔体に入ることにより、注入合成により化合物熔体を形成し、化合物熔体の液面が種結晶収容チャンバの高さより低く、種結晶と接触しないよう制御する。加熱融解した金属元素熔体と揮発性元素が揮発して化合物熔体を形成し、保護剤、例えば酸化ホウ素は融解後に化合物熔体を封止し、その液面が種結晶収容チャンバより高いよう制御する。
(二)封止を炉体し、炉体に対して真空引きを行い、一般的に10−3Paになるまで真空引きを行い、次に保護ガス、例えば窒素、アルゴン等不活性ガスを注入し、一般的に合成−結晶成長時に保護ガスの圧力が化合物熔体の解離圧より大きいよう制御する必要がある。
(三)加熱して金属元素及び酸化ホウ素を融解させ、当該ステップでは一般的に加熱の温度範囲を、金属元素の温度が化合物の融点より30〜70℃高いとともに、種結晶収容チャンバ領域の温度が化合物の融点より5〜15℃低いよう制御し、融解後に酸化ホウ素が金属元素熔体及び種結晶を封止する。
(四)加熱して揮発性元素を注入管を介して金属元素熔体に入らせ、水平注入により化合物熔体を合成し、加熱する過程では、揮発性元素の注入速度を制御するために、揮発性元素が設けられた領域の温度に対して正確に検出し適宜制御する必要がある。
(五)合成完了後に、回転機構により炉体を回転させて垂直状態にし、坩堝が設けられた領域の温度分布を調整し、種結晶と化合物熔体との接触界面及び化合物熔体において温度勾配を確立して、注入合成後の回転連続VGF結晶成長を行う。
本実施例は、化合物結晶合成後回転垂直温度勾配式の結晶成長装置を提供し、図1に示すように、当該装置構造は炉体17、炉体17内に配置される合成−結晶成長システム、及び付随して設けられる加熱システム、測温システム、保温システムと制御システムを含み、炉体17に封止用のカバーを設けることで、密閉性のチャンバを形成し、炉体17内に合成−結晶成長システムが設けられ、加熱システムは結晶合成−成長システムの外側に嵌設され、合成−結晶成長システムの各部分に対し正確に加熱するためのものであり、本実施例では多段加熱器3を用いている。保温システムは加熱システムの外層に設けられ、本実施例では、合成−結晶成長システム全体に対し保温させるために保温スリーブ18を用いる。測温システムは複数の熱電対であってもよく、合成−結晶成長システム、加熱システムもしくは保温システム構造に分散または介在するように設けられ、対応する領域の温度をリアルタイムに計測するためのものであり、本実施例では、前記測温システム構造がそれぞれ結晶成長用坩堝9内の種結晶収容チャンバ9−1領域の温度を計測するための熱電対a 14、合成−結晶成長部9−2領域の温度を計測するための熱電対c 1、熱電対d 13及び熱電対e 12、揮発性元素の載置容器6領域の温度を計測するための熱電対b 4を含む。制御システムは信号の送受信、加熱システムや測温システム等に対する一括制御と調整を行うためのものであり、具体的には、PLCコントローラであってもよい。
実施例1との相違点は、本実施例で注入管8が「乙」字状の多段管であり、その末端が揮発性元素の載置容器6から隔たることである。
(一)原料の用意及び装置の構成:図3に示すとおり、揮発性元素7(本実施例では赤リン)を揮発性元素の載置容器6に加えて封止し、リン化インジウムの種結晶15、金属元素10(本実施例では純インジウム金属)をドーパント(高純度の硫黄または高純度の鉄)及び酸化ホウ素11と共に坩堝9に入れ、次に揮発性元素の載置容器6の注入管8を坩堝9の注入挿入孔9−3に挿入し、揮発性元素の載置容器6及び合成−結晶成長用坩堝9を断熱板2で隔てて、揮発性元素の載置容器6、坩堝9及び両者の間の断熱板2を共に封止ボートに入れ、さらに封止ボートを全体でチャンバに入れ、本実施例では封止ボートに担持ボート5を用い、担持ボート5に封止カバー5−1を付随して設けることによって封止ボートを形成し、封止接続の方式は熔接または被覆封止等とする。担持された純インジウム金属の量はインジウムが融解完了後に種結晶15と接触せず、酸化ホウ素11が融解完了後に種結晶15を覆い、かつ、合成完了後に形成されたインジウム−リン熔体が種結晶15と接触しないように設定する。
(一)原料の用意及び装置の構成:図3に示すとおり、揮発性元素7(赤リン)を揮発性元素の載置容器6に加えて封止し、リン化ガリウムの種結晶15、金属元素10(純ガリウム金属)をドーパント(高純度の硫黄または高純度の亜鉛)及び酸化ホウ素11と共に坩堝9に入れ、次に揮発性元素の載置容器6の注入管8を合成−結晶成長用坩堝9の注入挿入孔9−3に挿入し、揮発性元素の載置容器6及び坩堝9を断熱板2で隔てて、揮発性元素の載置容器6、坩堝9及び断熱板2を担持ボート5に入れ、封止カバー5−1及び担持ボート5を組み立て、そしてチャンバに入れる。担持された純ガリウム金属の量はガリウムが融解完了後に種結晶15と接触せず、酸化ホウ素11が融解完了後に種結晶15を覆い、かつ、合成完了後に形成されたガリウム−リン熔体が種結晶15と接触しないように設定する。
Claims (13)
- 炉体(17)、チャンバ内に配置される合成−結晶成長システム、及び付随して設けられる加熱システム、測温システム、保温システムと制御システムを含む結晶成長装置において、前記合成−結晶成長システムは側面に種結晶収容チャンバ(9−1)が設けられる坩堝(9)と、その水平側に設けられる揮発性元素の載置容器(6)とを含み、前記揮発性元素の載置容器(6)は注入管(8)を介して坩堝(9)に連通することで水平注入合成を実現し、前記炉体(17)は付随して設けられる回転機構により回転自由度を有し、水平注入合成後の回転垂直温度勾配結晶成長を実現することを特徴とする水平注入合成後回転連続VGF結晶成長装置。
- 前記注入管(8)の末端が揮発性元素の載置容器(6)から隔たるかまたは傾斜して離隔していることを特徴とする請求項1に記載の水平注入合成後回転連続VGF結晶成長装置。
- 前記注入管(8)が多段式であり、最終の部分が傾斜して揮発性元素の載置容器(6)から離隔し、揮発性元素の載置容器(6)と60〜85°の夾角をなすことを特徴とする請求項2に記載の水平注入合成後回転連続VGF結晶成長装置。
- 前記合成−結晶成長システムが前記坩堝(9)及び揮発性元素の載置容器(6)を担持する担持フレーム(5)をさらに含み、前記担持フレーム(5)に封止カバー(5−1)が付随して設けられ、封止カバー(5−1)に排気口(5−1−1)が設けられ、前記担持フレーム(5)は石英、炭化ケイ素、窒化ホウ素またはセラミック材質であることを特徴とする請求項1に記載の水平注入合成後回転連続VGF結晶成長装置。
- 前記加熱システム構造が合成−結晶成長システムの外側に嵌設される多段加熱器(3)を含み、前記保温システム構造が加熱システムの外部に嵌設される保温スリーブ(18)を含み、前記測温システム構造が坩堝(9)内の種結晶収容チャンバ(9−1)領域の温度を計測するための熱電対a(14)と、合成−結晶成長部(9−2)領域の温度を計測するための熱電対c(1)、熱電対d(13)、熱電対e(12)のいずれか1つ以上と、揮発性元素の載置容器(6)領域の温度を計測するための熱電対b(4)とを含むことを特徴とする請求項1に記載の水平注入合成後回転連続VGF結晶成長装置。
- 前記回転機構が駆動モータ及び駆動モータの出力軸に接続される減速機を含み、前記減速機の出力軸は軸継手を介して炉体の回転軸(17−1)に接続され、炉体(17)は炉体の回転軸(17−1)により支持フレーム(17−2)に規制されることを特徴とする請求項1に記載の水平注入合成後回転連続VGF結晶成長装置。
- 炉体(17)、チャンバ内に配置される結晶合成−成長システム、及び付随して設けられる加熱システム、測温システム、保温システムと制御システムを含む注入合成後回転連続VGF結晶成長装置に基づく結晶成長方法において、前記結晶合成−成長システムは側面に種結晶収容チャンバ(9−1)が設けられる坩堝(9)と、坩堝(9)の水平側に設けられるとともに注入管(8)を介して連通される揮発性元素の載置容器(6)とを含み、前記炉体(17)には回転機構が付随して設けられ、前記方法は以下のステップ(一)〜(五)を含み、
(一)原料の用意及び装置の構成:揮発性元素(7)を揮発性元素の載置容器(6)に加えて封止し、種結晶(15)、金属元素(10)及び酸化ホウ素(11)を坩堝(9)に加え、揮発性元素の載置容器(6)及び坩堝(9)を共にチャンバ内に配置し、金属元素(10)と揮発性元素(7)が形成した化合物熔体の液面が種結晶収容チャンバ(9−1)より低く、酸化ホウ素(11)が融解後に化合物熔体を封止して液面が種結晶収容チャンバ(9−1)より高いよう制御し、
(二)炉体(17)を封止し、真空引きを行って保護ガスを注入し、
(三)加熱して金属元素(10)及び酸化ホウ素(11)を融解させ、
(四)加熱して揮発性元素(7)を注入管(8)を介して金属元素(10)熔体に入らせ、化合物熔体を注入合成し、
(五)合成完了後に、回転機構により炉体(17)を回転させて垂直状態にし、坩堝(9)が設けられた領域の温度分布を調整することにより、合成後連続VGF結晶成長を実現することを特徴とする水平注入合成後回転連続VGF結晶成長方法。 - 前記ステップ(一)で揮発性元素の載置容器(6)及び坩堝(9)を共にチャンバに配置するというのは、揮発性元素の載置容器(6)の注入管(8)を坩堝(9)に入れ、共に排気口(5−1−1)が設けられた封止ボートに入れ、そして封止ボートをチャンバ内に配置することであることを特徴とする請求項7に記載の水平注入合成後回転連続VGF結晶成長方法。
- 前記ステップ(三)で加熱して金属元素(10)及び酸化ホウ素(11)を融解させるために必要な温度制御は、金属元素(10)の温度が化合物の融点より30〜70℃高いとともに、種結晶収容チャンバ(9−1)領域の温度が化合物の融点より5〜15℃低いよう制御することであり、前記ステップ(四)で加熱して揮発性元素(7)を注入管(8)を介して金属元素(10)熔体に入らせる際、揮発性元素(7)を加熱する時に達する温度条件は、揮発性元素の載置容器(6)内の圧力が化合物熔体の解離圧より高いようにするということであり、前記ステップ(五)で合成完了後には、化合物熔体を化合物の融点より5〜20℃高いまで降温させ、化合物熔体の液面と坩堝(9)の種結晶収容チャンバ(9−1)側との界面温度を化合物の結晶点より3〜5℃高いよう制御するとともに、種結晶収容チャンバ(9−1)領域の温度が安定するよう保持し、前記ステップ(五)で炉体(17)が回転して垂直状態になると、化合物熔体を10〜30min静置することを特徴とする請求項7に記載の水平注入合成後回転連続VGF結晶成長方法。
- 前記ステップ(五)で回転速度を20〜40°/hに制御し、回転過程で種結晶収容チャンバ(9−1)領域の温度が安定するよう保持し、回転して垂直状態になると、坩堝(9)が設けられた領域の温度分布を調整し、測温システム及び制御システムによる共同制御により、種結晶と化合物熔体との接触界面及び化合物熔体において温度勾配を確立して、注入合成後連続VGF結晶成長を実現することを特徴とする請求項7〜請求項9のいずれか1項に記載の水平注入合成後回転連続VGF結晶成長方法。
- 前記注入合成後回転連続VGF結晶成長装置において、前記回転機構構造が駆動モータ及び駆動モータの出力軸に接続される減速機を含み、前記減速機出力軸は軸継手を介して炉体の回転軸(17−1)に接続され、前記炉体(17)は炉体の回転軸(17−1)により支持フレーム(17−2)に規制されることを特徴とする請求項7に記載の水平注入合成後回転連続VGF結晶成長方法。
- 前記注入合成後回転連続VGF結晶成長装置において、前記注入管(8)の末端が揮発性元素の載置容器(6)から隔たるか、または傾斜して離隔し、揮発性元素の載置容器(6)と60〜85°の夾角をなすことを特徴とする請求項7または請求項8に記載の水平注入合成後回転連続VGF結晶成長方法。
- 前記注入合成後回転連続VGF結晶成長装置において、前記加熱システム構造が結晶合成−成長システムの外側に嵌設される多段加熱器(3)を含み、前記保温システム構造が加熱システムの外部に嵌設される保温スリーブを含み、前記測温システム構造が結晶成長用坩堝(9)内の種結晶収容チャンバ(9−1)領域の温度を計測するための熱電対a(14)と、合成−結晶成長部(9−2)領域の温度を計測するための熱電対c(1)、熱電対d(13)、熱電対e(12)のいずれか1つ以上と、揮発性元素の載置容器(6)領域の温度を計測するための熱電対b(4)とを含むことを特徴とする請求項7〜請求項9のいずれか1項に記載の水平注入合成後回転連続VGF結晶成長方法。
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