JPS6117498A - 3−5族化合物半導体の合成方法 - Google Patents
3−5族化合物半導体の合成方法Info
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- JPS6117498A JPS6117498A JP59139374A JP13937484A JPS6117498A JP S6117498 A JPS6117498 A JP S6117498A JP 59139374 A JP59139374 A JP 59139374A JP 13937484 A JP13937484 A JP 13937484A JP S6117498 A JPS6117498 A JP S6117498A
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- JP
- Japan
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- crucible
- melt
- group
- compound semiconductor
- iii
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の青用と目的]
本発明は、■−■族化合物半導体の合成方法に係り、特
にインジウム(In)を含まない組成の安定したInP
化合物半導体多結晶を得るのに好適な合成方法に関する
ものである。゛ 従来、 I[[−V族化合物半導体の一種であるinP
化合化合平物半導体成(多結晶の作成)は、主に高圧の
横型炉を用いて行われていた。そして、単結晶の育成は
、高圧LEC炉によって行われていた。 ゛ しかしながら、上記の方法によれば、InPの合成と単
結晶の育成とをそれぞれ′別の、かつ、別種の炉で行う
ことになり、■程が2ステツプと゛なる。そのため、合
成から単結晶育成の゛過程で不純物混入の問題があり、
また、合成専用の高圧横型炉と単結晶育成専用の高圧L
EC炉とが必要となり、設備上の問題があった。
にインジウム(In)を含まない組成の安定したInP
化合物半導体多結晶を得るのに好適な合成方法に関する
ものである。゛ 従来、 I[[−V族化合物半導体の一種であるinP
化合化合平物半導体成(多結晶の作成)は、主に高圧の
横型炉を用いて行われていた。そして、単結晶の育成は
、高圧LEC炉によって行われていた。 ゛ しかしながら、上記の方法によれば、InPの合成と単
結晶の育成とをそれぞれ′別の、かつ、別種の炉で行う
ことになり、■程が2ステツプと゛なる。そのため、合
成から単結晶育成の゛過程で不純物混入の問題があり、
また、合成専用の高圧横型炉と単結晶育成専用の高圧L
EC炉とが必要となり、設備上の問題があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、その目的とす
るところは、合成と単結晶育成とを1つの炉で行うこと
ができ、しかも、高純度のm’−v族化合物半導体多結
晶を得ることができる■−v族化合物半導体の合成方法
を提供することにある。
るところは、合成と単結晶育成とを1つの炉で行うこと
ができ、しかも、高純度のm’−v族化合物半導体多結
晶を得ることができる■−v族化合物半導体の合成方法
を提供することにある。
[発明の概要]
本発明の特徴は、加熱されたルツボ内の■族元素にリザ
ーバタンクにすV族元素の蒸ネを供給してI−V族化合
物半導体多結晶を合成するときに、上記ルツボの形状を
内径より深さが大きい細長l/)ものとし、上記■族元
素の融液深さが上記ルツボの内径以上となるように上記
■族1元素を秤量して上記ルツボに入れ、■−■族化合
物半導体融液が合成された後、上記ルツボを加熱する加
熱ヒータを加熱状態のままあるいは、冷却状態にしなが
ら上記ルツボを上方または下方に徐々に移動させて、上
記合成された■−v族化合物半導体融液を冷却して固化
させて結晶育成を行って■−■族化合物半導体多結晶を
得るようにした点にある。
ーバタンクにすV族元素の蒸ネを供給してI−V族化合
物半導体多結晶を合成するときに、上記ルツボの形状を
内径より深さが大きい細長l/)ものとし、上記■族元
素の融液深さが上記ルツボの内径以上となるように上記
■族1元素を秤量して上記ルツボに入れ、■−■族化合
物半導体融液が合成された後、上記ルツボを加熱する加
熱ヒータを加熱状態のままあるいは、冷却状態にしなが
ら上記ルツボを上方または下方に徐々に移動させて、上
記合成された■−v族化合物半導体融液を冷却して固化
させて結晶育成を行って■−■族化合物半導体多結晶を
得るようにした点にある。
[実施例]
以下本発明の方法の一実施例を第・1図〜第3図を用い
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第1図は、本発明の■−v族化合物半導体の合成方法の
一実施例を説明するための合成装置の一例を示す構造説
明図である。第1図において、1はアルゴン、窒素など
の不活性ガスを充填した高圧容器で、高圧容器1内の主
加熱ヒータ2の中に石英ルツボまたはPBNルツボ3を
収納したサセプタ4を胃き、サセプタ4は下軸5で支持
し、ルツボ3−の中には、■族元素である高純度インジ
ウム(6−Nまたは7−N)6を入れ、これを三酸化ホ
ウ素(B203)7で覆っである。一方、高圧容器1内
に高圧容器1に設()た観察窓8か、らルツボ3内を観
察するのを防たげることなく、しかも、パイプ9がルツ
ボ3内の周辺に位置づるようにリザーバタンク10を置
き、リザーバタンク10はリザーバ固定冶具11で上軸
14に上下移動可能なJ:うに固定しである。リザーバ
タンク10内には高純度赤リン(6−N)12を入れて
おき、発生したリン(P)12の蒸気は、パイプ9から
ルツボ3内のインジウム融液内に導くようにしである。
一実施例を説明するための合成装置の一例を示す構造説
明図である。第1図において、1はアルゴン、窒素など
の不活性ガスを充填した高圧容器で、高圧容器1内の主
加熱ヒータ2の中に石英ルツボまたはPBNルツボ3を
収納したサセプタ4を胃き、サセプタ4は下軸5で支持
し、ルツボ3−の中には、■族元素である高純度インジ
ウム(6−Nまたは7−N)6を入れ、これを三酸化ホ
ウ素(B203)7で覆っである。一方、高圧容器1内
に高圧容器1に設()た観察窓8か、らルツボ3内を観
察するのを防たげることなく、しかも、パイプ9がルツ
ボ3内の周辺に位置づるようにリザーバタンク10を置
き、リザーバタンク10はリザーバ固定冶具11で上軸
14に上下移動可能なJ:うに固定しである。リザーバ
タンク10内には高純度赤リン(6−N)12を入れて
おき、発生したリン(P)12の蒸気は、パイプ9から
ルツボ3内のインジウム融液内に導くようにしである。
ここで、ルツボ3は、内径をり、深さをLとしたとぎ、
1−〉Dなる形状のにものを使用し、インジウム6が加
熱ヒータ2による加熱によっで融解したとき、その深さ
がD以上となるよ、うに、インジウム6を秤量してルツ
ボ3内に入れるようにする。
1−〉Dなる形状のにものを使用し、インジウム6が加
熱ヒータ2による加熱によっで融解したとき、その深さ
がD以上となるよ、うに、インジウム6を秤量してルツ
ボ3内に入れるようにする。
次に、■−v族化合物半導体、すなわち、)nPの合成
手順について説明する。
手順について説明する。
(1)高圧容器1内を真空引ぎした後、不治性ガス(ア
ルゴン、窒素など)を充填する。
ルゴン、窒素など)を充填する。
(z主加熱ヒータ2によよりインジウム(In)6およ
びB2037を加熱し、In6の融液を82037の有
益で完全に覆う。
びB2037を加熱し、In6の融液を82037の有
益で完全に覆う。
(a主加熱ヒータ2による加熱を続け、[n6の温度が
1000±10℃になったら、リザーバタンク10を降
下させ、パイプ9の先端とルツボ3の底部との距離が2
±1mとなったらその位置でリザーバタンク10を固定
する。
1000±10℃になったら、リザーバタンク10を降
下させ、パイプ9の先端とルツボ3の底部との距離が2
±1mとなったらその位置でリザーバタンク10を固定
する。
なお、これ以前においては、パイプ9の先端がB203
7の表面より上方で、かつ、リザーバタンり10の温度
が300℃になる位置にリザーバタンク10を支持しC
おく。また、高圧容器1内の圧力は30〜50atmに
保っておく。
7の表面より上方で、かつ、リザーバタンり10の温度
が300℃になる位置にリザーバタンク10を支持しC
おく。また、高圧容器1内の圧力は30〜50atmに
保っておく。
(4,) I n 6の温度を1050〜1300℃に
保ちながら、ルツボ3を3〜20rDmで回転させ、か
つ、ルツボ3とリザーバタンク10との相対位置を一定
にしたまままで両者を徐々にネ方に移動させ、リザーバ
タンク10の温度を500〜600℃に保ち、この状態
を3時間以上保ち、リザーバタンク10内に発生したリ
ン12の蒸気をパイプ9からルツボ3内のIn6の融液
内に噴出させてIn6とPl2とを対応させてI−V族
化合物半導体であるInPを合成する。
保ちながら、ルツボ3を3〜20rDmで回転させ、か
つ、ルツボ3とリザーバタンク10との相対位置を一定
にしたまままで両者を徐々にネ方に移動させ、リザーバ
タンク10の温度を500〜600℃に保ち、この状態
を3時間以上保ち、リザーバタンク10内に発生したリ
ン12の蒸気をパイプ9からルツボ3内のIn6の融液
内に噴出させてIn6とPl2とを対応させてI−V族
化合物半導体であるInPを合成する。
(5)ルツボ3内のInP融液の温度を1050〜13
00℃に保ちながらさらにルツボ3とリザーバタンク1
0とを降下させ、リザーバタンク10の温度を1000
℃まで昇温し、さらに高圧容器1内の圧力を30atm
に下げてリザーバタンク10内のPl、2を完全に排出
させる。
00℃に保ちながらさらにルツボ3とリザーバタンク1
0とを降下させ、リザーバタンク10の温度を1000
℃まで昇温し、さらに高圧容器1内の圧力を30atm
に下げてリザーバタンク10内のPl、2を完全に排出
させる。
(6)リザーバタンク10をパイプ9の先端が8203
7の表面より上方に位置するまで上方に移動さ・せる。
7の表面より上方に位置するまで上方に移動さ・せる。
以上によるI’nPの合成終了後、ルツボ3を3〜30
rpmの速度で回転させながら、数〜数+姻/hの速度
でルツボ3を下軸5により下方へ移動させ、ルツボ3の
上端が主加熱ヒータ2の下端より下に来た時点でその移
動を停止させ、その後、主加熱ヒータ2を徐々に冷却状
態にする。この場合、ルツボ3が主加熱ヒータ2内を移
動している間に主加熱ヒータ2への供給電力を徐々に落
として冷却するようにしてもよい。
rpmの速度で回転させながら、数〜数+姻/hの速度
でルツボ3を下軸5により下方へ移動させ、ルツボ3の
上端が主加熱ヒータ2の下端より下に来た時点でその移
動を停止させ、その後、主加熱ヒータ2を徐々に冷却状
態にする。この場合、ルツボ3が主加熱ヒータ2内を移
動している間に主加熱ヒータ2への供給電力を徐々に落
として冷却するようにしてもよい。
上記した本発明の実施例によれば、主加熱ヒータ2の上
下方向の温度分布が第2図に示すようになるので、In
Pを合成後、InPの溶融体が入っているルツボ3を下
方に徐々に移動させたとき、InPはルツボ3の底部側
から上方へ向って徐々に固化していく。そのため、合成
されたInP内に含まれる未反応物Jnは逐次上方へ押
し出され、最終的には固化したInPの表面に固化し、
その結果としてin含有物のない組成の安定したl 、
nP多結晶が得られる。また、固化が一端から徐々に起
こる゛ため、巣が殆んどないグレインの大きなInP多
結晶が得られる。さらに、同一炉内で合成と単結晶の育
成を行うことができ、不純物の混入がなく、かつ、設備
が1つで済むという利点がある。
下方向の温度分布が第2図に示すようになるので、In
Pを合成後、InPの溶融体が入っているルツボ3を下
方に徐々に移動させたとき、InPはルツボ3の底部側
から上方へ向って徐々に固化していく。そのため、合成
されたInP内に含まれる未反応物Jnは逐次上方へ押
し出され、最終的には固化したInPの表面に固化し、
その結果としてin含有物のない組成の安定したl 、
nP多結晶が得られる。また、固化が一端から徐々に起
こる゛ため、巣が殆んどないグレインの大きなInP多
結晶が得られる。さらに、同一炉内で合成と単結晶の育
成を行うことができ、不純物の混入がなく、かつ、設備
が1つで済むという利点がある。
なお、第1図において、合成されたInP融液を固化す
るときにルツボ3を上方に移動するようにしてもよい。
るときにルツボ3を上方に移動するようにしてもよい。
また、第3図に示すように、リザーバタンク10を副加
熱ヒータ13内に収納し、リザーバタンク10の温度を
副加熱ヒータ13によって制御するようにしてもよく、
同一効果をlqることができる。
熱ヒータ13内に収納し、リザーバタンク10の温度を
副加熱ヒータ13によって制御するようにしてもよく、
同一効果をlqることができる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、合成と単結晶育
成とを1つの炉で行うことができ、しかも、合成時未反
応の■族元素を含まず、かつ、高純面のIII−V族化
合物半導体多結晶を得ることができるという効果がある
。
成とを1つの炉で行うことができ、しかも、合成時未反
応の■族元素を含まず、かつ、高純面のIII−V族化
合物半導体多結晶を得ることができるという効果がある
。
第1図は、本発明のm−vi化合物半導体の合成方法の
一実施例を説明でるだめの合成装置の一例を示す構造説
明図、第2図は第1図の主加熱ヒータの上下方向の温度
分布を示す線図、第3図は第1図のりザーバタンクの加
熱の他の例を示す説明図である。 1・・・高圧容器、2・・・主加熱ヒータ、3・・・ル
ツボ−14・・・サセプタ、5・・・下軸、6・・・イ
ンジウム。 7・・・三酸化ホウ素、9・・・パイプ、10川リザー
バタンク、11・・・リザーバ固定冶具、12・・・リ
ン。 13・・・副加熱ヒ〜り、14・・・上軸、11 図 箆 Z 目 1贋 (”c) 第 3 図
一実施例を説明でるだめの合成装置の一例を示す構造説
明図、第2図は第1図の主加熱ヒータの上下方向の温度
分布を示す線図、第3図は第1図のりザーバタンクの加
熱の他の例を示す説明図である。 1・・・高圧容器、2・・・主加熱ヒータ、3・・・ル
ツボ−14・・・サセプタ、5・・・下軸、6・・・イ
ンジウム。 7・・・三酸化ホウ素、9・・・パイプ、10川リザー
バタンク、11・・・リザーバ固定冶具、12・・・リ
ン。 13・・・副加熱ヒ〜り、14・・・上軸、11 図 箆 Z 目 1贋 (”c) 第 3 図
Claims (2)
- (1)加熱されたルツボ内のIII族元素にリザーバタソ
クよりV族元素の蒸気を供給してIII−V族化合物半導
体融液を合成するときに、前記ルツボの形状を内径より
深さが大きい細長いものとし、前記III族元素の融液深
さが前記ルツボの内径以上となるように前記III族元素
を秤量して前記ルツボに入れ、III−V族化合物半導体
多結晶が合成された後、前記ルツボを加熱する加熱ヒー
タを加熱状態のままあるいは冷却状態としながら前記ル
ツボを上方または下方に徐々に移動させて前記合成され
たIII−V族化合物半導体融液を冷却して固化させて、
III−V族化合物半導体多結晶を育成することを特徴と
するIII−V族化合物半導体の合成方法。 - (2)前記III族元素は、インジウムであり、前記V族
元素はリンである特許請求の範囲第1項記載のIII−V
族化合物半導体の合成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59139374A JPS6117498A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 3−5族化合物半導体の合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59139374A JPS6117498A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 3−5族化合物半導体の合成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6117498A true JPS6117498A (ja) | 1986-01-25 |
Family
ID=15243834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59139374A Pending JPS6117498A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 3−5族化合物半導体の合成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6117498A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63252133A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-19 | 工業技術院長 | 診断用螢光検出装置 |
CN102628180A (zh) * | 2012-04-23 | 2012-08-08 | 南京金美镓业有限公司 | 一种高纯度磷化铟多晶棒的制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2142388A1 (de) * | 1970-12-04 | 1972-06-08 | Rca Corp | Verfahren zum Herstellen von kristallinen Körpern aus III-V-Halbleiterverbindungen |
JPS5181000A (ja) * | 1975-01-10 | 1976-07-15 | Toyo Boseki |
-
1984
- 1984-07-05 JP JP59139374A patent/JPS6117498A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2142388A1 (de) * | 1970-12-04 | 1972-06-08 | Rca Corp | Verfahren zum Herstellen von kristallinen Körpern aus III-V-Halbleiterverbindungen |
JPS5181000A (ja) * | 1975-01-10 | 1976-07-15 | Toyo Boseki |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63252133A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-19 | 工業技術院長 | 診断用螢光検出装置 |
JPH0349451B2 (ja) * | 1987-04-10 | 1991-07-29 | Kogyo Gijutsuin | |
CN102628180A (zh) * | 2012-04-23 | 2012-08-08 | 南京金美镓业有限公司 | 一种高纯度磷化铟多晶棒的制备方法 |
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