JP2001130999A - ＧａＡｓ半導体単結晶製造方法 - Google Patents
ＧａＡｓ半導体単結晶製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶成長の障害となる気泡の発生を防止でき
るＧａＡｓ半導体単結晶製造方法を提供する。 【解決手段】 ＰＢＮ製原料容器２内でＧａ（３）とＡ
ｓ（５）とを加熱して反応させると共に導電性特性を与
えるためのＳｉ、Ｚｎ等の物質１２をドープして、Ｇａ
Ａｓ半導体単結晶を製造する方法において、上記物質１
２に加え、過剰Ａｓを除去する過剰Ａｓ除去剤１１をド
ープする。
るＧａＡｓ半導体単結晶製造方法を提供する。 【解決手段】 ＰＢＮ製原料容器２内でＧａ（３）とＡ
ｓ（５）とを加熱して反応させると共に導電性特性を与
えるためのＳｉ、Ｚｎ等の物質１２をドープして、Ｇａ
Ａｓ半導体単結晶を製造する方法において、上記物質１
２に加え、過剰Ａｓを除去する過剰Ａｓ除去剤１１をド
ープする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＡｓ半導体単
結晶製造方法に係り、特に原料容器の材料としてＰＢＮ
（パイロティック・ボロン・ナイトライド）を使用した
ＧａＡｓ半導体単結晶製造方法に関するものである。
結晶製造方法に係り、特に原料容器の材料としてＰＢＮ
（パイロティック・ボロン・ナイトライド）を使用した
ＧａＡｓ半導体単結晶製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＧａＡｓ半導体単結晶を製造す
る方法として、導電性ボート法が知られている。
る方法として、導電性ボート法が知られている。
【０００３】この導電性ボート法の一例としてＧＦ（Gr
adient Freeze ）法について説明する。図１（ａ）にＧ
Ｆ法を用いたＧａＡｓ半導体単結晶製造装置の概略図を
示す。
adient Freeze ）法について説明する。図１（ａ）にＧ
Ｆ法を用いたＧａＡｓ半導体単結晶製造装置の概略図を
示す。
【０００４】図１（ａ）に示すように、ＧＦ法は、石英
アンプル１内に、Ｇａ（３）、種結晶４、及び導電性特
性を得るためのドーパント１２を配置したボート２と、
Ａｓ（５）とを入れて真空封止を行う。通常、ボート２
の材料には石英を用いるのが一般的であるが、近年、製
造の容易さや低コスト化できるなどの利点から、ＰＢＮ
（パイロティック・ボロン・ナイトライド）を用いるこ
とも一般的になってきている。
アンプル１内に、Ｇａ（３）、種結晶４、及び導電性特
性を得るためのドーパント１２を配置したボート２と、
Ａｓ（５）とを入れて真空封止を行う。通常、ボート２
の材料には石英を用いるのが一般的であるが、近年、製
造の容易さや低コスト化できるなどの利点から、ＰＢＮ
（パイロティック・ボロン・ナイトライド）を用いるこ
とも一般的になってきている。
【０００５】真空封止した石英アンプル１は、高温炉７
と低温炉８からなる単結晶製造炉６にセットされる。単
結晶製造炉６には、その上部に結晶の放熱を促進するた
めの目的で放熱孔１０が設けられている。
と低温炉８からなる単結晶製造炉６にセットされる。単
結晶製造炉６には、その上部に結晶の放熱を促進するた
めの目的で放熱孔１０が設けられている。
【０００６】この装置を用いてＧａＡｓ単結晶を製造す
るには、単結晶製造炉６に石英アンプル１をセットした
後、単結晶製造炉６を昇温し、高温炉７を約１２３８
℃、低温炉８を約６００℃に設定し、Ｇａ（３）とＡｓ
（５）とを反応させ、ＧａＡｓを合成する。そして、Ｇ
ａＡｓ合成後、高温炉７にある一定の温度勾配を持った
温度分布９を作り、高温炉７をこの分布形状のまま徐々
に降温し、種結晶４側から単結晶を成長させる。
るには、単結晶製造炉６に石英アンプル１をセットした
後、単結晶製造炉６を昇温し、高温炉７を約１２３８
℃、低温炉８を約６００℃に設定し、Ｇａ（３）とＡｓ
（５）とを反応させ、ＧａＡｓを合成する。そして、Ｇ
ａＡｓ合成後、高温炉７にある一定の温度勾配を持った
温度分布９を作り、高温炉７をこの分布形状のまま徐々
に降温し、種結晶４側から単結晶を成長させる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ボート
法ＧａＡｓ単結晶製造方法において、原料容器のボート
２の材料にＰＢＮを使用すると、結晶成長を行う前のＧ
ａＡｓが融液化している段階で、ＰＢＮボートの表面に
気泡が発生し、この気泡が融液固化段階まで滞在してし
まい、結果的に結晶表面にくぼみができた状態となって
しまう。
法ＧａＡｓ単結晶製造方法において、原料容器のボート
２の材料にＰＢＮを使用すると、結晶成長を行う前のＧ
ａＡｓが融液化している段階で、ＰＢＮボートの表面に
気泡が発生し、この気泡が融液固化段階まで滞在してし
まい、結果的に結晶表面にくぼみができた状態となって
しまう。
【０００８】この現象は、ボート２の材料に石英を用い
た場合には見られず、ＰＢＮを用いた場合のみに見られ
る現象である。この気泡発生のメカニズムについては未
だ明確には分かっていないが、ＰＢＮボート表面とＧａ
Ａｓ融液内の過剰Ａｓとが反応することで窒素ガスが気
泡となって発生する、若しくは過剰のＡｓそのものが気
泡の原因と推測される。
た場合には見られず、ＰＢＮを用いた場合のみに見られ
る現象である。この気泡発生のメカニズムについては未
だ明確には分かっていないが、ＰＢＮボート表面とＧａ
Ａｓ融液内の過剰Ａｓとが反応することで窒素ガスが気
泡となって発生する、若しくは過剰のＡｓそのものが気
泡の原因と推測される。
【０００９】そして、この気泡が発生することで、気泡
が結晶成長の障害となって単結晶化が非常に困難とな
り、また、単結晶化しても結晶表面にくぼみがあるた
め、結晶から規定のウエハサイズを取得するのが困難と
なり、これらのことが従来技術の大きな問題点であっ
た。
が結晶成長の障害となって単結晶化が非常に困難とな
り、また、単結晶化しても結晶表面にくぼみがあるた
め、結晶から規定のウエハサイズを取得するのが困難と
なり、これらのことが従来技術の大きな問題点であっ
た。
【００１０】そこで、本発明の目的は、前記した従来技
術の問題点を解決し、結晶成長の障害となる気泡の発生
を防止できるＧａＡｓ半導体単結晶製造方法を提供する
ことにある。
術の問題点を解決し、結晶成長の障害となる気泡の発生
を防止できるＧａＡｓ半導体単結晶製造方法を提供する
ことにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１の発明は、ＰＢＮ製原料容器内でＧａとＡｓ
とを加熱して反応させると共に導電性特性を与えるため
のＳｉ、Ｚｎ等の物質をドープして、ＧａＡｓ半導体単
結晶を製造する方法において、上記物質に加え、過剰Ａ
ｓを除去する過剰Ａｓ除去剤をドープする方法である。
に請求項１の発明は、ＰＢＮ製原料容器内でＧａとＡｓ
とを加熱して反応させると共に導電性特性を与えるため
のＳｉ、Ｚｎ等の物質をドープして、ＧａＡｓ半導体単
結晶を製造する方法において、上記物質に加え、過剰Ａ
ｓを除去する過剰Ａｓ除去剤をドープする方法である。
【００１２】請求項２の発明は、上記過剰Ａｓ除去剤と
してＢを用いる方法である。
してＢを用いる方法である。
【００１３】すなわち、本発明の要点は、ＰＢＮボート
を用いたボート法ＧａＡｓ半導体単結晶製造において、
Ｂをドープする手段を採ったことにある。
を用いたボート法ＧａＡｓ半導体単結晶製造において、
Ｂをドープする手段を採ったことにある。
【００１４】上記構成によれば、ＧａＡｓ融液内に融液
当初からＢが存在するようになる。これにより、上述し
た気泡発生のメカニズムにおいて、気泡発生の要因と思
われるＧａＡｓ融液内の過剰ＡｓとＰＢＮボートとの反
応が抑止される方向に進む。又は、ＧａＡｓ融液内の過
剰ＡｓがＢと反応し、砒化硼素を形成することで、Ｇａ
Ａｓ融液内の過剰Ａｓが減少する方向に進む。これらの
結果から、気泡発生の原因と考えられる窒素ガス若しく
はＡｓの発生抑止が可能となる。
当初からＢが存在するようになる。これにより、上述し
た気泡発生のメカニズムにおいて、気泡発生の要因と思
われるＧａＡｓ融液内の過剰ＡｓとＰＢＮボートとの反
応が抑止される方向に進む。又は、ＧａＡｓ融液内の過
剰ＡｓがＢと反応し、砒化硼素を形成することで、Ｇａ
Ａｓ融液内の過剰Ａｓが減少する方向に進む。これらの
結果から、気泡発生の原因と考えられる窒素ガス若しく
はＡｓの発生抑止が可能となる。
【００１５】尚、本発明に用いられる結晶を導電性結晶
に限定した理由としては、Ｂは、ボート法ＧａＡｓ単結
晶製造方法においては、半絶縁性ＧａＡｓ結晶（高抵抗
ＧａＡｓ結晶）を製造する際にドーパントとして一般的
に用いられており、この場合、Ｂは結晶成長過程におい
て、Ｇａサイトに取り込まれてしまうので、上述した砒
化硼素の形成が低減し、強いては気泡発生抑止効果を思
うように達成できないからである。
に限定した理由としては、Ｂは、ボート法ＧａＡｓ単結
晶製造方法においては、半絶縁性ＧａＡｓ結晶（高抵抗
ＧａＡｓ結晶）を製造する際にドーパントとして一般的
に用いられており、この場合、Ｂは結晶成長過程におい
て、Ｇａサイトに取り込まれてしまうので、上述した砒
化硼素の形成が低減し、強いては気泡発生抑止効果を思
うように達成できないからである。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適一実施の形態
を添付図面に基づいて詳述する。
を添付図面に基づいて詳述する。
【００１７】図１（ａ）にＧＦ法を用いたＧａＡｓ半導
体単結晶製造装置の概略図を示し、図１（ｂ）にこのＧ
ａＡｓ半導体単結晶製造装置の製造炉内の温度勾配を表
した図を示す。
体単結晶製造装置の概略図を示し、図１（ｂ）にこのＧ
ａＡｓ半導体単結晶製造装置の製造炉内の温度勾配を表
した図を示す。
【００１８】図１（ａ）に示すように、この装置は、製
造炉６内にその内部でＧａＡｓを成長させる石英アンプ
ル１と、その石英アンプル１の長手方向の一側に設けら
れた高温炉７及び他側に設けられた低温炉８とから主に
構成されており、その装置の上部には製造炉６内の結晶
の放熱を促進するための放熱孔１０が形成されている。
造炉６内にその内部でＧａＡｓを成長させる石英アンプ
ル１と、その石英アンプル１の長手方向の一側に設けら
れた高温炉７及び他側に設けられた低温炉８とから主に
構成されており、その装置の上部には製造炉６内の結晶
の放熱を促進するための放熱孔１０が形成されている。
【００１９】石英アンプル１内には、高温炉７側にＰＢ
Ｎボート２０が設けられ、また低温炉８側にはＧａＡｓ
半導体単結晶の材料となるＡｓ（５）が設けられてお
り、これらの領域間は気体の拡散を防止するためのキャ
ピラリー１３で区画されている。
Ｎボート２０が設けられ、また低温炉８側にはＧａＡｓ
半導体単結晶の材料となるＡｓ（５）が設けられてお
り、これらの領域間は気体の拡散を防止するためのキャ
ピラリー１３で区画されている。
【００２０】また、ＰＢＮボート２０内には、種結晶
４、ＧａＡｓ半導体単結晶の材料となるＧａ（３）、そ
の単結晶に導電性を与えるＳｉ（１２）、及び過剰Ａｓ
を除去する過剰Ａｓ除去剤としてのＢ（１１）が設けら
れている。
４、ＧａＡｓ半導体単結晶の材料となるＧａ（３）、そ
の単結晶に導電性を与えるＳｉ（１２）、及び過剰Ａｓ
を除去する過剰Ａｓ除去剤としてのＢ（１１）が設けら
れている。
【００２１】次に、この装置を用いて本発明にかかるＧ
ａＡｓ半導体単結晶製造方法を作用と共に図１（ａ）、
図１（ｂ）を用いて説明する。
ａＡｓ半導体単結晶製造方法を作用と共に図１（ａ）、
図１（ｂ）を用いて説明する。
【００２２】本発明によりＧａＡｓ半導体単結晶を製造
するに際しては、図１（ａ）に示すように、石英アンプ
ル１内に、ＰＢＮボート２０、Ｇａ（３）、Ａｓ
（５）、種結晶４、Ｓｉドーパン１２、及びＢドーパン
ト１１を入れ、真空封止をする。そして、真空封止した
石英アンプル１を単結晶製造炉６にセットし、昇温、反
応を行う。
するに際しては、図１（ａ）に示すように、石英アンプ
ル１内に、ＰＢＮボート２０、Ｇａ（３）、Ａｓ
（５）、種結晶４、Ｓｉドーパン１２、及びＢドーパン
ト１１を入れ、真空封止をする。そして、真空封止した
石英アンプル１を単結晶製造炉６にセットし、昇温、反
応を行う。
【００２３】この時、石英アンプル１内にはＡｓ
（５）、Ｓｉ（１２）、及びＢ（１１）が充満する。
（５）、Ｓｉ（１２）、及びＢ（１１）が充満する。
【００２４】その後、図１（ｂ）に示すように、高温炉
７の温度勾配９を０．５ｄｅｇ／ｃｍに設定し、この温
度分布条件で種付けを行った後、高温炉７を０．１℃／
ｈｒの速度で降温し、単結晶成長を行う。これにより、
Ｇａ（３）とＡｓ（５）が反応すると共にその結晶内に
Ｓｉ（１２）が取り込まれ、種結晶４側から順次単結晶
が成長する。
７の温度勾配９を０．５ｄｅｇ／ｃｍに設定し、この温
度分布条件で種付けを行った後、高温炉７を０．１℃／
ｈｒの速度で降温し、単結晶成長を行う。これにより、
Ｇａ（３）とＡｓ（５）が反応すると共にその結晶内に
Ｓｉ（１２）が取り込まれ、種結晶４側から順次単結晶
が成長する。
【００２５】また、Ｂ（１１）が過剰Ａｓと反応し、そ
の過剰Ａｓが除去される。これにより、成長する単結晶
表面に気泡が発生しない状態で、ＧａＡｓ半導体単結晶
が製造される。
の過剰Ａｓが除去される。これにより、成長する単結晶
表面に気泡が発生しない状態で、ＧａＡｓ半導体単結晶
が製造される。
【００２６】このように、本発明は単結晶表面での気泡
発生を防止できるので、歩留を大巾に向上することがで
きる。
発生を防止できるので、歩留を大巾に向上することがで
きる。
【００２７】また、上述した実施の形態ではＧＦ法にお
けるＰＢＮボートを用いたＧａＡｓ半導体単結晶製造方
法について説明したが、本発明の他の実施の形態とし
て、ＨＢ法でのＰＢＮボートを用いたＧａＡｓ半導体単
結晶製造方法や、ＶＢ（垂直ブリッジマン）法、ＶＧＦ
（垂直ＧＦ）法等において原料容器にＰＢＮを用いた場
合についても適用可能である。
けるＰＢＮボートを用いたＧａＡｓ半導体単結晶製造方
法について説明したが、本発明の他の実施の形態とし
て、ＨＢ法でのＰＢＮボートを用いたＧａＡｓ半導体単
結晶製造方法や、ＶＢ（垂直ブリッジマン）法、ＶＧＦ
（垂直ＧＦ）法等において原料容器にＰＢＮを用いた場
合についても適用可能である。
【００２８】次に、本発明と従来技術の歩留と気泡発生
率を比較する。
率を比較する。
【００２９】まず、実施例として、本発明を用いＳｉと
Ｂをドープしてφ２”サイズのｎ型導電性ＧａＡｓ単結
晶を製造し、また比較例として、従来技術を用いＳｉの
みをドープしてφ２”サイズのｎ型ＧａＡｓ半導体単結
晶を製造した。
Ｂをドープしてφ２”サイズのｎ型導電性ＧａＡｓ単結
晶を製造し、また比較例として、従来技術を用いＳｉの
みをドープしてφ２”サイズのｎ型ＧａＡｓ半導体単結
晶を製造した。
【００３０】そして、これらを各１０ロット行って、製
造されたＧａＡｓ半導体単結晶の歩留と気泡発生率の比
較を実施した。
造されたＧａＡｓ半導体単結晶の歩留と気泡発生率の比
較を実施した。
【００３１】以下、表１に実施例と比較例の結果を示
す。
す。
【００３２】
【表１】
【００３３】表１に示すように、従来技術により製造し
た比較例は、歩留が３０％で、気泡発生率が１００％で
あったのに対し、本発明により製造した実施例は、歩留
が８５％で、気泡発生率が０％であった。
た比較例は、歩留が３０％で、気泡発生率が１００％で
あったのに対し、本発明により製造した実施例は、歩留
が８５％で、気泡発生率が０％であった。
【００３４】このように、本発明のようにＢドープを行
った場合、気泡の発生が全くなく、また結晶の単結晶化
率も高く、良好な結果を得た。
った場合、気泡の発生が全くなく、また結晶の単結晶化
率も高く、良好な結果を得た。
【００３５】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、結晶の単
結晶化及び取得ウエハ面積を阻害する気泡の発生を抑止
することが可能となり、効率良くＧａＡｓウエハを生産
することが可能となる。
結晶化及び取得ウエハ面積を阻害する気泡の発生を抑止
することが可能となり、効率良くＧａＡｓウエハを生産
することが可能となる。
【図１】（ａ）は本発明の一実施の形態を示すＧａＡｓ
半導体単結晶製造装置の概略図であり、（ｂ）はその装
置の製造炉内の温度勾配を表した図である。
半導体単結晶製造装置の概略図であり、（ｂ）はその装
置の製造炉内の温度勾配を表した図である。
２ ボート（原料容器） ３ Ｇａ ５ Ａｓ １１ Ｂドーパント（過剰Ａｓ除去剤） １２ Ｓｉ（導電性を与えるための物質）
Claims (2)
- 【請求項１】 ＰＢＮ製原料容器内でＧａとＡｓとを加
熱して反応させると共に導電性特性を与えるためのＳ
ｉ、Ｚｎ等の物質をドープして、ＧａＡｓ半導体単結晶
を製造する方法において、上記物質に加え、過剰Ａｓを
除去する過剰Ａｓ除去剤をドープすることを特徴とする
ＧａＡｓ半導体単結晶製造方法。 - 【請求項２】 上記過剰Ａｓ除去剤としてＢを用いる請
求項１記載のＧａＡｓ半導体単結晶製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30916999A JP2001130999A (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | ＧａＡｓ半導体単結晶製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30916999A JP2001130999A (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | ＧａＡｓ半導体単結晶製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001130999A true JP2001130999A (ja) | 2001-05-15 |
Family
ID=17989776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30916999A Pending JP2001130999A (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | ＧａＡｓ半導体単結晶製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001130999A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7806990B2 (en) | 2005-05-19 | 2010-10-05 | Hoshizaki Denki Kabushiki Kaisha | Dishwasher |
| CN107955971A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-04-24 | 有研光电新材料有限责任公司 | 水平法砷化镓单晶拉制过程中的放肩方法 |
-
1999
- 1999-10-29 JP JP30916999A patent/JP2001130999A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7806990B2 (en) | 2005-05-19 | 2010-10-05 | Hoshizaki Denki Kabushiki Kaisha | Dishwasher |
| CN107955971A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-04-24 | 有研光电新材料有限责任公司 | 水平法砷化镓单晶拉制过程中的放肩方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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