JP6836418B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置に関し、例えば、パッド形成後に再配線を形成した半導体装置に好適に利用できるものである。
ボンディングパッド形成後に再配線を形成して半導体装置を製造する技術がある。
特開２００３−２６４２５６号公報（特許文献１）には、ボンディングパッドＢＰ形成後にＣｕ配線１０を形成した半導体装置に関する技術が記載されている。特開２０００−１８３２１４号公報（特許文献２）および特開平６−５３２１１号公報（特許文献３）には、配線層にスリットを設ける技術が記載されている。
特開２００３−２６４２５６号公報 特開２０００−１８３２１４号公報 特開平６−５３２１１号公報
パッド形成後に再配線を形成した半導体装置において、信頼性を向上させることが望まれる。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
一実施の形態によれば、半導体装置は、半導体基板上に第１層間絶縁膜を介して形成された第１配線と、前記第１層間絶縁膜上に、前記第１配線を覆うように形成された第２層間絶縁膜と、前記第２層間絶縁膜上に形成された第１パッドと、を有している。半導体装置は、更に、前記第２層間絶縁膜上に形成され、前記第１パッドを露出する第１開口部を有する第１絶縁膜と、前記第１開口部から露出された前記第１パッド上を含む前記第１絶縁膜上に形成され、前記第１パッドと電気的に接続された第２配線と、前記第１絶縁膜上に形成され、前記第２配線と一体的に接続された第２パッドと、を有している。前記第１パッドと前記第２配線との接続領域の下方に、前記第１配線の端部が位置し、前記第１配線に複数の第２開口部が形成されており、前記複数の開口部の少なくとも一部は、前記接続領域と平面視において重なっている。
一実施の形態によれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
一実施の形態の半導体装置の要部断面図である。 一実施の形態の半導体装置の要部断面図である。 一実施の形態の半導体装置の上面図である。 一実施の形態の半導体装置の平面透視図である。 一実施の形態の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図５に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図６に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図７に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図８に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図９に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図１０に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図１１と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図１１に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図１３と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図１３に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図１５と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図１５に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図１７と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図１７に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図１９と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図２０に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 一実施の形態の半導体パッケージの断面図である。 一実施の形態の半導体装置の要部断面図である。 一実施の形態の半導体装置の要部平面図である。 一実施の形態の半導体装置の要部平面図である。 一実施の形態の半導体装置の要部平面図である。 一実施の形態の半導体装置の要部平面図である。 検討例の形態の半導体装置の要部断面図である。 検討例の形態の半導体装置の要部平面図である。 検討例の形態の半導体装置の要部平面図である。 一実施の形態の半導体装置の要部平面図である。 一実施の形態の半導体装置の要部平面図である。 一実施の形態の半導体装置の要部平面図である。 第１変形例の形態の半導体装置の要部断面図である。 第１変形例の半導体装置の要部平面図である。 第１変形例の半導体装置の要部平面図である。 第２変形例の半導体装置の要部平面図である。 第２変形例の半導体装置の要部平面図である。 第２変形例の半導体装置の要部平面図である。 第２変形例の半導体装置の要部平面図である。 第３変形例の半導体装置の要部平面図である。 第３変形例の半導体装置の要部平面図である。 第３変形例の半導体装置の要部平面図である。 第３変形例の半導体装置の要部平面図である。
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
（実施の形態）
＜半導体装置の構造について＞
図１および図２は、本実施の形態の半導体装置の断面構造を示す要部断面図である。図１と図２とは、本実施の形態の半導体装置における互いに異なる位置での断面図に対応しており、図１には、パッドＰＤ１を横切る断面が示され、図２には、パッドＰＤ２を横切る断面が示されている。なお、図２では、図面の簡略化のために、層間絶縁膜ＩＬ２とそれよりも下の構造については図示を省略してあるが、実際には、図２の断面構造の下にも、図１に示される層間絶縁膜ＩＬ２とそれよりも下の構造に類似した構造が存在している。
本実施の形態の半導体装置は、単結晶シリコンなどからなる半導体基板ＳＢを利用して製造された半導体装置（半導体チップ）である。
本実施の形態の半導体装置（半導体チップ）を構成する単結晶シリコンなどからなる半導体基板ＳＢに、必要に応じて種々の素子（半導体素子）が形成されている。半導体基板ＳＢに形成される素子としては、ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)などのトランジスタ素子、メモリ素子、容量素子、あるいは抵抗素子などを例示できる。図１には、一例として、半導体基板ＳＢ上に容量素子ＣＴが形成された場合が示されているが、図示しない領域において、半導体基板ＳＢにＭＩＳＦＥＴなどのトランジスタ素子も形成されている。容量素子ＣＴは、例えば、電源の安定化のために用いられる容量素子である。
容量素子ＣＴは、例えばＰＩＰ（Polysilicon Insulator Polysilicon ）型の容量素子であるが、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）型の容量素子であってもよい。容量素子ＣＴがＰＩＰ型である場合は、容量素子ＣＴは、下部電極としてのポリシリコン膜ＰＳ１と、上部電極としてのポリシリコン膜ＰＳ２と、容量絶縁膜（誘電体膜）としての絶縁膜ＹＺとを有している。図１の場合は、半導体基板ＳＢにＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）法などを用いて形成された素子分離領域ＳＴ上にポリシリコン膜ＰＳ１が形成され、ポリシリコン膜ＰＳ１上に絶縁膜ＹＺを介してポリシリコン膜ＰＳ２が形成されている。
また、ここでは、半導体基板ＳＢとして単結晶シリコン基板を例に挙げて説明しているが、他の形態として、半導体基板ＳＢとして、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板などを用いることもできる。
半導体基板ＳＢ上には、複数の層間絶縁膜と複数の配線層とにより多層配線構造が形成されている。すなわち、半導体基板ＳＢ上に、複数の層間絶縁膜ＩＬ１，ＩＬ２，ＩＬ３が形成され、この複数の層間絶縁膜ＩＬ１，ＩＬ２，ＩＬ３に、プラグＶ１、ビア部Ｖ２，Ｖ３および配線Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３が形成されている。
具体的には、半導体基板ＳＢ上に、半導体基板ＳＢに形成された素子を覆うように、絶縁膜として層間絶縁膜ＩＬ１が形成されており、この層間絶縁膜ＩＬ１上に、配線Ｍ１が形成されている。配線Ｍ１は、第１配線層（最下層の配線層）の配線である。層間絶縁膜ＩＬ１上には、配線Ｍ１を覆うように、絶縁膜として層間絶縁膜ＩＬ２が形成されており、この層間絶縁膜ＩＬ２上に、配線Ｍ２が形成されている。配線Ｍ２は、第１配線層よりも１つ上層の配線層である第２配線層の配線である。層間絶縁膜ＩＬ２上には、配線Ｍ２を覆うように、絶縁膜として層間絶縁膜ＩＬ３が形成されており、この層間絶縁膜ＩＬ３上に、配線Ｍ３が形成されている。配線Ｍ３は、第２配線層よりも１つ上層の配線層である第３配線層の配線である。
プラグＶ１は、導電体からなり、配線Ｍ１の下層に形成され、すなわち層間絶縁膜ＩＬ１中に層間絶縁膜ＩＬ１を貫通するように形成され、プラグＶ１の上面が配線Ｍ１の下面に接することで、配線Ｍ１に電気的に接続されている。また、プラグＶ１の底部は、素子に接続されている。例えば、プラグＶ１の底部は、容量素子ＣＴを構成するポリシリコン膜ＰＳ１またはポリシリコン膜ＰＳ２、あるいは、ＭＩＳＦＥＴ（図示せず）を構成するゲート電極またはソース・ドレイン領域などに接続されている。これにより、配線Ｍ１は、プラグＶ１を介して、半導体基板ＳＢに形成された種々の素子に電気的に接続される。
ビア部Ｖ２は、導電体からなり、配線Ｍ２と配線Ｍ１との間に形成されて、すなわち層間絶縁膜ＩＬ２中に形成されて、配線Ｍ２と配線Ｍ１とを接続している。ビア部Ｖ２は、配線Ｍ２と一体的に形成することもできる。また、ビア部Ｖ３は、導電体からなり、配線Ｍ３と配線Ｍ２との間に形成されて、すなわち層間絶縁膜ＩＬ３中に形成されて、配線Ｍ３と配線Ｍ２とを接続している。ビア部Ｖ３は、配線Ｍ３と一体的に形成することもできる。
本実施の形態の半導体装置においては、第３配線層、すなわち配線Ｍ３が、最上層配線である。すなわち、第１配線層（配線Ｍ１）、第２配線層（配線Ｍ２）および第３配線層（配線Ｍ３）により、半導体基板ＳＢに形成された素子の所望の結線がなされており、所望の動作をなし得る。
最上層配線である第３配線層によってパッド（パッド領域、パッド電極、ボンディングパッド）ＰＤ１が形成されている。すなわち、配線Ｍ３と同層にパッドＰＤ１が形成されている。つまり、配線Ｍ３とパッドＰＤ１とは、同層の導電層により同工程で形成されている。このため、パッドＰＤ１は、層間絶縁膜ＩＬ３上に形成されている。パッドＰＤ１は、配線Ｍ３の一部とみなすこともできるが、配線Ｍ３は全体が絶縁膜ＬＦで覆われているのに対して、パッドＰＤ１は、少なくとも一部が絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１から露出されている。
但し、パッドＰＤ１の一部は、絶縁膜ＬＦで覆われている。すなわち、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１からパッドＰＤ１が露出されているが、平面視で開口部ＯＰ１と重ならない部分のパッドＰＤ１は、絶縁膜ＬＦで覆われている。具体的には、パッドＰＤ１の上面の中央部は絶縁膜ＬＦで覆われておらず、パッドＰＤ１の上面の外周部と側面とは、絶縁膜ＬＦで覆われている。再配線ＲＷを形成する前に、このパッドＰＤ１を利用して、半導体装置が所望の動作を行うか否かのテスト（後述のプローブテスト）を行うこともできる。
なお、「平面視」とは、半導体基板ＳＢの主面に略平行な平面で見た場合を言うものとする。
パッドＰＤ１は、好ましくは、アルミニウムを主成分（主体）とする導電材料（金属伝導を示す導電材料）からなる。パッドＰＤ１の好適な材料例を挙げると、Ａｌ（アルミニウム）とＳｉ（シリコン）との化合物または合金、あるいは、Ａｌ（アルミニウム）とＣｕ（銅）との化合物または合金、あるいは、Ａｌ（アルミニウム）とＳｉ（シリコン）とＣｕ（銅）との化合物または合金がある。パッドＰＤ１を構成する材料（アルミニウムを主成分とする導電材料）においては、Ａｌ（アルミニウム）の組成比は５０原子％より大きい（すなわちＡｌリッチである）ことが好適であり、９７原子％以上であれば、更に好適である。また、図１には、パッドＰＤ１は１つ示されているが、実際にはパッドＰＤ１は１つ以上形成されており、好ましくは複数形成されている。
パッドＰＤ１には、パッドＰＤ１と一体的に形成された配線Ｍ３が接続（連結）されており、このパッドＰＤ１と一体的に形成された配線Ｍ３が、その配線Ｍ３の直下に設けられたビア部Ｖ３を介して配線Ｍ２と接続されることで、パッドＰＤ１を配線Ｍ２に電気的に接続することができる。他の形態として、パッドＰＤ１の直下にビア部Ｖ３を設け、そのビア部Ｖ３を介してパッドＰＤ１を配線Ｍ２に電気的に接続することもできる。
また、図１では、半導体基板ＳＢ上に形成される配線層の数（再配線ＲＷは含まず）が３層の場合（配線Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３の合計３層の場合）を示しているが、配線層の数は３層に限定されず、２層以上（すなわち複数）であれば、種々変更可能である。但し、配線層の数（再配線ＲＷは含まず）が３層以上であれば、配線のレイアウト設計を行いやすくなるため、より好ましい。
図１および図２に示されるように、層間絶縁膜ＩＬ３上には、配線Ｍ３を覆うように絶縁膜（積層絶縁膜）ＬＦが形成されており、この絶縁膜ＬＦ上には、樹脂膜ＰＬ１が形成されており、この樹脂膜ＰＬ１上に再配線（再配置配線）ＲＷが形成されている。すなわち、層間絶縁膜ＩＬ３上には、配線Ｍ３を覆うように、絶縁膜ＬＦと絶縁膜ＬＦ上の樹脂膜ＰＬ１との積層膜が形成されており、その積層膜上に、再配線ＲＷが形成されている。
絶縁膜ＬＦは、パッシベーション膜として機能する絶縁膜であり、ここでは、酸化シリコン膜ＬＦ１と酸化シリコン膜ＬＦ１上の酸窒化シリコン膜ＬＦ２との積層膜からなる。酸窒化シリコン膜ＬＦ２の代わりに、窒化シリコン膜を用いることもできる。酸窒化シリコン膜や窒化シリコン膜は、パッシベーション膜用の絶縁膜として優れている。このため、絶縁膜ＬＦが酸窒化シリコン膜または窒化シリコン膜を含んでいることで、絶縁膜ＬＦは、パッシベーション膜として好適に機能することができるようになる。
樹脂膜ＰＬ１は、好ましくはポリイミド膜（ポリイミド樹脂膜）である。ポリイミド（polyimide）膜は、繰り返し単位にイミド結合を含む高分子であり、有機絶縁膜の一種である。ポリイミド系樹脂は、２００℃以上の高耐熱が求められるデバイスに好適に使用される有機樹脂である。樹脂膜ＰＬ１としては、ポリイミド膜の他に、エポキシ系、ＰＢＯ系、アクリル系、ＷＲＰ系の樹脂等、他の有機絶縁膜を用いることもできる。絶縁膜ＬＦが酸化シリコン膜ＬＦ１と酸化シリコン膜ＬＦ１上の酸窒化シリコン膜ＬＦ２との積層膜からなる場合は、樹脂膜ＰＬ１は、酸窒化シリコン膜ＬＦ２上に形成されている。
絶縁膜ＬＦは、パッドＰＤ１の少なくとも一部を露出する開口部ＯＰ１を有しており、樹脂膜ＰＬ１は、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１を内包するような開口部ＯＰ２を有している。すなわち、平面視において、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１は、パッドＰＤ１に内包され、かつ、樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２に内包されている。このため、開口部ＯＰ１の平面寸法（平面積）は、パッドＰＤ１の平面寸法よりも小さく、かつ、開口部ＯＰ２の平面寸法は、開口部ＯＰ１の平面寸法よりも大きい。このため、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１から露出される部分のパッドＰＤ１は、樹脂膜ＰＬ１で覆われてはおらず、樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２から露出されている。
酸化シリコン膜ＬＦ１と酸化シリコン膜ＬＦ１上の酸窒化シリコン膜ＬＦ２との積層膜（すなわち絶縁膜ＬＦ）を形成してから、その積層膜に、フォトグラフィ技術およびエッチング技術を用いて開口部ＯＰ１を形成しているため、酸窒化シリコン膜ＬＦ２の開口部（ＯＰ１）と、酸化シリコン膜ＬＦ１の開口部（ＯＰ１）とは、整合（連続）している。すなわち、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１は、酸窒化シリコン膜ＬＦ２の開口部（ＯＰ１）と酸化シリコン膜ＬＦ１の開口部（ＯＰ１）とからなるが、その酸窒化シリコン膜ＬＦ２の開口部（ＯＰ１）と酸化シリコン膜ＬＦ１の開口部（ＯＰ１）とは、平面形状および平面寸法がほぼ同じであり、かつ、平面位置がほぼ一致している。
一方、樹脂膜ＰＬ１は、酸化シリコン膜ＬＦ１と酸窒化シリコン膜ＬＦ２との積層膜（絶縁膜ＬＦ）に開口部ＯＰ１を形成した後に、形成されている。このため、樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２の平面寸法は、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１の平面寸法と相違させることができる。本実施の形態では、樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２の平面寸法は、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１の平面寸法よりも大きく、樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２は、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１を、平面視において内包している。
このため、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１からは、パッドＰＤ１の少なくとも一部が露出され、樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２からは、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１から露出される部分のパッドＰＤ１が露出されるとともに、開口部ＯＰ１の周辺部を構成する絶縁膜ＬＦも、露出されている。
パッドＰＤ１は、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１から露出されており、開口部ＯＰ１から露出されたパッドＰＤ１上にも再配線ＲＷが形成されている。また、樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２から露出する部分の絶縁膜ＬＦ上にも、再配線ＲＷが形成されている。すなわち、再配線ＲＷは、開口部ＯＰ１から露出されたパッドＰＤ１上と開口部ＯＰ２から露出された絶縁膜ＬＦ上とを含む樹脂膜ＰＬ１上に形成されており、パッドＰＤ１と電気的に接続されている。
平面視において、開口部ＯＰ１は、開口部ＯＰ２に内包され、その開口部ＯＰ２は、再配線ＲＷに内包されている。このため、開口部ＯＰ１の底面を構成するパッドＰＤ１の上面（すなわち開口部ＯＰ１から露出する部分のパッドＰＤ１の上面）と、開口部ＯＰ１の側壁を構成する絶縁膜ＬＦの側面と、開口部ＯＰ２から露出する絶縁膜ＬＦの上面と、開口部ＯＰ２の側壁を構成する樹脂膜ＰＬ１の側面とは、再配線ＲＷで覆われている。
再配線ＲＷは、最上層配線（ここでは第３配線層）の一部であるパッドＰＤ１を半導体チップの所望の領域（パッドＰＤ２）まで引き出す配線である。つまり、再配線ＲＷは、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１から露出されたパッドＰＤ１上から、樹脂膜ＰＬ１上のパッドＰＤ２まで、樹脂膜ＰＬ１上を延在するように形成されている。
パッド（パッド領域、パッド電極、ボンディングパッド）ＰＤ２と再配線ＲＷとは、同層の導電層により同層に同工程で形成されている。このため、パッドＰＤ２も樹脂膜ＰＬ１上に形成されている。パッドＰＤ２は、再配線ＲＷと一体的に形成されて電気的に接続され、その再配線ＲＷを介してパッドＰＤ１に電気的に接続されている。また、図２には、パッドＰＤ２は１つ示されているが、実際には、半導体装置においてパッドＰＤ２は１つ以上形成されており、好ましくは複数形成されている。なお、図１および図２では、図面を見やすくするために、再配線ＲＷおよびパッドＰＤ２について、後述の銅膜ＣＦとシード膜ＳＥとを分けずに一体化して示してある。
樹脂膜ＰＬ１上に、再配線ＲＷを覆うように、絶縁性の保護膜ＰＡが形成されている。保護膜ＰＡは、絶縁膜であるため、保護絶縁膜とみなすこともできる。保護膜ＰＡにより、再配線ＲＷが覆われて保護されている。保護膜ＰＡとしては、樹脂膜が好ましく、例えばポリイミド膜（ポリイミド樹脂膜）を好適に用いることができる。保護膜ＰＡが、半導体装置（半導体チップ）の最表面の膜となる。保護膜ＰＡとして、ポリイミド膜などの樹脂膜を用いることで、信頼性の向上や半導体装置を扱いやすくなるなどの利点を得られる。
パッドＰＤ２は、保護膜ＰＡの開口部ＯＰ４から露出されている。すなわち、パッドＰＤ２上に開口部ＯＰ４が設けられることで、パッドＰＤ２が保護膜ＰＡの開口部ＯＰ４から露出されている。パッドＰＤ２および開口部ＯＰ４のそれぞれの平面形状は、例えば円形状とすることができる。保護膜ＰＡの開口部ＯＰ４から露出するパッドＰＤ２上には、バンプ電極ＢＰが形成されている。保護膜ＰＡの開口部ＯＰ４は、平面視においてパッドＰＤ２に内包されている。また、図２には、パッドＰＤ２上に、下地金属膜ＵＭを介してバンプ電極ＢＰが形成されている場合が示されている。下地金属膜ＵＭは、その形成を省略することもできるが、形成した方が、より好ましい。
図３は、本実施の形態の半導体装置（半導体チップ）ＣＰの上面図（全体上面図）であり、半導体装置ＣＰにおけるバンプ電極ＢＰの配列が示されている。なお、バンプ電極ＢＰは、上記図２に示されるようにパッドＰＤ２上に形成されるため、半導体装置ＣＰにおけるパッドＰＤ２の配列は、図３におけるバンプ電極ＢＰの配列と同じになる。図４は、本実施の形態の半導体装置ＣＰの平面透視図であり、半導体装置ＣＰにおけるパッドＰＤ１の配列が示されている。なお、上記図１は、半導体装置ＣＰにおいて、パッドＰＤ１を横切る断面に対応し、上記図２は、半導体装置ＣＰにおいて、パッドＰＤ２とその上のバンプ電極ＢＰとを横切る断面に対応している。パッドＰＤ１とパッドＰＤ２とは平面視において離間しており、図３および図４では図示されないが、再配線ＲＷは、複数のパッドＰＤ１と複数のパッドＰＤ２とをそれぞれ繋ぐように延在している。
再配線ＲＷは、半導体ウエハ（半導体基板）における各チップ領域のパッドＰＤ１と、その半導体ウエハを各チップ領域に個片化して得られる半導体チップ（ＣＰ）を所定の配線基板上に実装するための実装電極（本実施の形態ではパッドＰＤ２とその上のバンプ電極ＢＰに対応）とを電気的に接続する配線である。再配線ＲＷは、ウエハ・プロセスの寸法に律則されるパッドＰＤ１と、パッケージ・プロセスの寸法に律則される実装電極との寸法上の整合をとる機能を有している。
すなわち、上記実装電極の寸法（電極自体の寸法および隣接間隔やピッチ等）は、配線基板側の寸法に律則されるため、パッドＰＤ１の寸法（パッド自体の寸法および隣接間隔やピッチ等）よりも相対的に大きな寸法が必要となる。このため、ウエハ・プロセスに律則される微細なパッドＰＤ１をそのまま実装電極に使用せずに、パッドＰＤ１を再配線ＲＷを通じてチップ領域の主面の比較的大面積の空き領域に引き出し、その領域に相対的に大きな寸法およびピッチの実装電極（ここではパッドＰＤ２とその上のバンプ電極ＢＰ）を配置する。パッドＰＤ２の平面寸法および配列ピッチは、パッドＰＤ１の平面寸法および配列ピッチよりも大きくすることができ、半導体装置ＣＰの上面において、パッドＰＤ２とその上のバンプ電極ＢＰとを、例えばアレイ状に配置（配列）させることができる。これにより、半導体装置ＣＰを配線基板に容易かつ的確に実装することができる。
＜半導体装置の製造工程について＞
次に、本実施の形態の半導体装置の製造工程について説明する。以下の製造工程により、上記図１〜図４の半導体装置が製造される。
図５〜図２１は、本実施の形態の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。図５〜図２１のうち、図５〜図１１、図１３、図１５、図１７および図１９には、上記図１に相当する領域の断面図が示され、図１２、図１４、図１６、図１８、図２０および図２１には、上記図２に相当する領域の断面図が示されている。なお、図面の簡略化のために、図９〜図２１では、層間絶縁膜ＩＬ２とそれよりも下の構造については図示を省略してある。
まず、図５に示されるように、例えば１〜１０Ωｃｍ程度の比抵抗を有するｐ型の単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）ＳＢを用意（準備）する。
次に、半導体基板ＳＢの主面に、例えばＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）法などにより、素子分離領域ＳＴを形成する。
次に、半導体基板ＳＢにおいて、素子分離領域ＳＴで規定（画定）された活性領域に、ＭＩＳＦＥＴ（図示せず）などの素子（半導体素子）が形成される。また、素子分離領域ＳＴ上に容量素子ＣＴを形成することもできる。例えば、ポリシリコン膜を成膜してから、それをパターニングすることで、素子分離領域ＳＴ上にポリシリコン膜ＰＳ１を形成し、そのポリシリコン膜ＰＳ１を覆うように、絶縁膜とポリシリコン膜とを形成してから、それらをパターニングすることで、絶縁膜ＹＺとポリシリコン膜ＰＳ２とを形成することで、容量素子ＣＴを形成することができる。
次に、図６に示されるように、半導体基板ＳＢの主面（主面全面）上に、層間絶縁膜ＩＬ１を形成する。層間絶縁膜ＩＬ１は、半導体基板ＳＢに形成した種々の素子を覆うように形成される。このため、半導体基板ＳＢの活性領域にＭＩＳＦＥＴ（図示せず）を形成した場合には、そのＭＩＳＦＥＴも層間絶縁膜ＩＬ１で覆われ、また、素子分離領域ＳＴ上に容量素子ＣＴを形成した場合には、その容量素子ＣＴも層間絶縁膜ＩＬ１で覆われる。層間絶縁膜ＩＬ１は、例えば、酸化シリコン膜の単体膜や、あるいは、窒化シリコン膜とその上の酸化シリコン膜との積層膜などからなる。層間絶縁膜ＩＬ１の成膜後、必要に応じて、層間絶縁膜ＩＬ１の上面をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械的研磨）法により研磨するなどして、層間絶縁膜ＩＬ１の上面を平坦化する。
次に、層間絶縁膜ＩＬ１上にフォトリソグラフィ技術を用いて形成したフォトレジスト層（図示せず）をエッチングマスクとして用いて、層間絶縁膜ＩＬ１をドライエッチングすることにより、層間絶縁膜ＩＬ１にコンタクトホールを形成する。それから、このコンタクトホール内に導電膜を埋め込むことにより、図６に示されるように、導電性のプラグ（接続用導体部）Ｖ１を形成する。
プラグＶ１を形成するには、例えば、コンタクトホールの底面および側壁上を含む層間絶縁膜ＩＬ１上に、スパッタリング法またはプラズマＣＶＤ法などによりバリア導体膜（例えばチタン膜、窒化チタン膜、あるいはそれらの積層膜）を形成する。それから、タングステン膜などからなる主導体膜をＣＶＤ法などによってバリア導体膜上にコンタクトホールを埋めるように形成する。その後、コンタクトホールの外部の不要な主導体膜およびバリア導体膜をＣＭＰ法またはエッチバック法などによって除去する。これにより、層間絶縁膜ＩＬ１の上面が露出し、層間絶縁膜ＩＬ１のコンタクトホール内に埋め込まれて残存するバリア導体膜および主導体膜により、プラグＶ１が形成される。
次に、図７に示されるように、プラグＶ１が埋め込まれた層間絶縁膜ＩＬ１上に、最下層の配線層である第１配線層の配線Ｍ１を形成する。配線Ｍ１を形成するには、まず、プラグＶ１が埋め込まれた層間絶縁膜ＩＬ１上に、第１配線層用の導電膜を形成する。この導電膜は、例えば、下から順に、バリア導体膜とアルミニウム膜とバリア導体膜との積層膜からなり、スパッタリング法などを用いて形成することができる。この導電膜における前記アルミニウム膜は、配線Ｍ１を形成するためのアルミニウム膜とみなすことができる。バリア導体膜としては、例えば、チタン膜、窒化チタン膜、あるいはそれらの積層膜を用いることができる。それから、この導電膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより、配線Ｍ１を形成することができる。プラグＶ１は、その上面が配線Ｍ１に接することで、配線Ｍ１と電気的に接続される。
配線Ｍ１を形成するための上記アルミニウム膜は、純アルミニウム膜に限定されず、アルミニウムを主成分とする導電材料膜（但し金属伝導を示す導電材料膜）を用いることができる。例えば、Ａｌ（アルミニウム）とＳｉ（シリコン）との化合物膜または合金膜、あるいは、Ａｌ（アルミニウム）とＣｕ（銅）との化合物膜または合金膜、あるいは、Ａｌ（アルミニウム）とＳｉ（シリコン）とＣｕ（銅）との化合物膜または合金膜を、配線Ｍ１を形成するためのアルミニウム膜として好適に用いることができる。また、このアルミニウム膜におけるＡｌ（アルミニウム）の組成比は５０原子％より大きい（すなわちＡｌリッチである）ことが好適であり、９７原子％以上であれば、更に好適である。このことは、配線Ｍ１を形成するための上記アルミニウム膜だけでなく、配線Ｍ２を形成するためのアルミニウム膜や、配線Ｍ３およびパッドＰＤ１を形成するためのアルミニウム膜についても同様である。このため、配線Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３は、いずれも、アルミニウム（Ａｌ）を主体とするアルミニウム配線であり、パッドＰＤ１は、アルミニウムを主体とするアルミニウムパッドである。
次に、図７に示されるように、半導体基板ＳＢの主面（主面全面）上に、すなわち層間絶縁膜ＩＬ１上に、配線Ｍ１を覆うように、層間絶縁膜ＩＬ２を形成する。層間絶縁膜ＩＬ２は、酸化シリコン膜などからなり、ＣＶＤ法などを用いて形成することができる。層間絶縁膜ＩＬ２の成膜後、必要に応じて、層間絶縁膜ＩＬ２の上面をＣＭＰ法により研磨するなどして、層間絶縁膜ＩＬ２の上面の平坦性を高めることもできる。
次に、層間絶縁膜ＩＬ２上にフォトリソグラフィ技術を用いて形成したフォトレジスト層（図示せず）をエッチングマスクとして用いて、層間絶縁膜ＩＬ２をドライエッチングすることにより、層間絶縁膜ＩＬ２にスルーホールを形成する。それから、このスルーホール内に導電膜を埋め込むことにより、導電性のビア部（接続用導体部）Ｖ２を形成する。ビア部Ｖ２は、導電性のプラグとみなすこともできる。ビア部Ｖ２は、プラグＶ１と同様の手法により形成することができるが、ビア部Ｖ２は、プラグＶ１と、導電膜の材料を異ならせることもできる。例えば、プラグＶ１は、タングステン膜を主体とし、ビア部Ｖ２は、アルミニウム膜を主体とすることもできる。
次に、図８に示されるように、ビア部Ｖ２が埋め込まれた層間絶縁膜ＩＬ２上に、第２配線層の配線Ｍ２を形成する。配線Ｍ２を形成するには、まず、ビア部Ｖ２が埋め込まれた層間絶縁膜ＩＬ２上に、第２配線層用の導電膜を形成する。この導電膜は、例えば、下から順に、バリア導体膜とアルミニウム膜とバリア導体膜との積層膜からなり、スパッタリング法などを用いて形成することができる。この導電膜における前記アルミニウム膜は、配線Ｍ２を形成するためのアルミニウム膜とみなすことができる。バリア導体膜としては、例えば、チタン膜、窒化チタン膜、あるいはそれらの積層膜を用いることができる。それから、この導電膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより、配線Ｍ２を形成することができる。ビア部Ｖ２は、その下面が配線Ｍ１に接することで配線Ｍ１と電気的に接続され、その上面が配線Ｍ２に接することで配線Ｍ２と電気的に接続される。すなわち、ビア部Ｖ２は、配線Ｍ１と配線Ｍ２とを電気的に接続している。配線Ｍ２は、後述の配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃを含んでいる。
また、ここでは、ビア部Ｖ２と配線Ｍ２とを別工程で形成する場合について説明した。他の形態として、ビア部Ｖ２と配線Ｍ２とを同工程で形成することもでき、この場合、ビア部Ｖ２は配線Ｍ２と一体的に形成される。この場合、層間絶縁膜ＩＬ２にビア部Ｖ２用のスルーホールを形成した後、このスルーホールを埋めるように層間絶縁膜ＩＬ２上に導電膜（第２配線層用の導電膜）を形成してから、この導電膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより、配線Ｍ２を形成する。これにより、配線Ｍ２が形成されるとともに、配線Ｍ２と一体的に形成されたビア部Ｖ２も形成されることになる。
次に、図８に示されるように、半導体基板ＳＢの主面（主面全面）上に、すなわち層間絶縁膜ＩＬ２上に、配線Ｍ２を覆うように、層間絶縁膜ＩＬ３を形成する。層間絶縁膜ＩＬ３は、酸化シリコン膜などからなり、ＣＶＤ法などを用いて形成することができる。層間絶縁膜ＩＬ３の成膜後、必要に応じて、層間絶縁膜ＩＬ３の上面をＣＭＰ法により研磨するなどして、層間絶縁膜ＩＬ３の上面の平坦性を高めることもできる。
次に、層間絶縁膜ＩＬ３上にフォトリソグラフィ技術を用いて形成したフォトレジスト層（図示せず）をエッチングマスクとして用いて、層間絶縁膜ＩＬ３をドライエッチングすることにより、層間絶縁膜ＩＬ３にスルーホールを形成する。それから、このスルーホール内に導電膜を埋め込むことにより、導電性のビア部（接続用導体部）Ｖ３を形成する。ビア部Ｖ３は、導電性のプラグとみなすこともできる。ビア部Ｖ３は、ビア部Ｖ２と同様の導電材料により同様の手法で形成することができる。なお、ビア部Ｖ３は、図８には示されていないが、上記図２に示されている。
次に、図９に示されるように、ビア部Ｖ３が埋め込まれた層間絶縁膜ＩＬ３上に、第３配線層の配線Ｍ３およびパッドＰＤ１を形成する。なお、配線Ｍ３およびビア部Ｖ３は、上記図２に示されている。また、上述のように、図９では、図面の簡略化のために、層間絶縁膜ＩＬ２とそれよりも下の構造については図示を省略してあるが、実際には、図９の断面構造の下にも、図８に示される層間絶縁膜ＩＬ２とそれよりも下の構造が存在している。
配線Ｍ３およびパッドＰＤ１を形成するには、まず、ビア部Ｖ３が埋め込まれた層間絶縁膜ＩＬ３上に、第３配線層用の導電膜を形成する。この導電膜ＣＤ２は、例えば、下から順に、バリア導体膜とアルミニウム膜とバリア導体膜との積層膜からなり、スパッタリング法などを用いて形成することができる。この導電膜は、第３配線層用の導電膜であるが、パッドＰＤ１形成用の導電膜を兼ねている。この導電膜における前記アルミニウム膜は、配線Ｍ３およびパッドＰＤ１を形成するためのアルミニウム膜とみなすことができる。バリア導体膜としては、例えば、チタン膜、窒化チタン膜、あるいはそれらの積層膜を用いることができる。それから、この導電膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより、配線Ｍ３およびパッドＰＤ１を形成することができる。ビア部Ｖ３は、その下面が配線Ｍ２に接することで配線Ｍ２と電気的に接続され、その上面が配線Ｍ３またはパッドＰＤ１に接することで配線Ｍ３またはパッドＰＤ１と電気的に接続される。すなわち、ビア部Ｖ３は、配線Ｍ２と配線Ｍ３とを電気的に接続するか、あるいは配線Ｍ２とパッドＰＤ１とを電気的に接続している。パッドＰＤ１の平面形状は、例えば、配線Ｍ３の配線幅よりも大きな辺を有する略矩形状の平面形状とすることができる。
また、ここでは、ビア部Ｖ３と配線Ｍ３とを別工程で形成する場合について説明した。他の形態として、ビア部Ｖ３と配線Ｍ３およびパッドＰＤ１とを同工程で形成することもでき、この場合、ビア部Ｖ３は配線Ｍ３またはパッドＰＤ１と一体的に形成される。この場合、層間絶縁膜ＩＬ３にビア部Ｖ３用のスルーホールを形成した後、このスルーホールを埋めるように層間絶縁膜ＩＬ３上に導電膜（第２配線層用の導電膜）を形成してから、この導電膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより、配線Ｍ３およびパッドＰＤ１を形成する。これにより、配線Ｍ３およびパッドＰＤ１が形成されるとともに、配線Ｍ３またはパッドＰＤ１と一体的に形成されたビア部Ｖ３も形成されることになる。
次に、図１０に示されるように、半導体基板ＳＢの主面（主面全面）上に、すなわち層間絶縁膜ＩＬ３上に、配線Ｍ３およびパッドＰＤ１を覆うように、酸化シリコン膜ＬＦ１を形成する。酸化シリコン膜ＬＦ１は、ＣＶＤ法などにより形成することができる。酸化シリコン膜ＬＦ１の成膜法として、ＨＤＰ（High Density Plasma：高密度プラズマ）−ＣＶＤ法は、特に好適である。酸化シリコン膜ＬＦ１の厚み（形成膜厚）は、例えば０．５〜０．６μｍ程度とすることができる。 酸化シリコン膜ＬＦ１を成膜する前の段階では、配線Ｍ３およびパッドＰＤ１は露出されていたが、酸化シリコン膜ＬＦ１を成膜すると、配線Ｍ３およびパッドＰＤ１は、酸化シリコン膜ＬＦ１で覆われるため、露出していない状態になる。
次に、半導体基板ＳＢの主面（主面全面）上に、すなわち酸化シリコン膜ＬＦ１上に、酸窒化シリコン膜ＬＦ２を形成する。酸窒化シリコン膜ＬＦ２は、ＣＶＤ法などにより形成することができる。酸窒化シリコン膜ＬＦ２の成膜法として、プラズマＣＶＤ法は、特に好適である。酸窒化シリコン膜ＬＦ２の厚み（形成膜厚）は、例えば０．９〜１．１μｍ程度とすることができる。他の形態として、酸窒化シリコン膜ＬＦ２の代わりに、窒化シリコン膜を用いることもできる。
酸化シリコン膜ＬＦ１と酸窒化シリコン膜ＬＦ２とを形成したことで、層間絶縁膜ＩＬ３上に、配線Ｍ３およびパッドＰＤ１を覆うように、酸化シリコン膜ＬＦ１と酸化シリコン膜ＬＦ１上の酸窒化シリコン膜ＬＦ２との積層膜からなる絶縁膜ＬＦが形成された状態になる。
次に、絶縁膜ＬＦに開口部ＯＰ１を形成する。開口部ＯＰ１は、パッドＰＤ１上の絶縁膜ＬＦを選択的に除去することにより形成される。開口部ＯＰ１は、平面視においてパッドＰＤ１に内包されるように形成される。
開口部ＯＰ１は、具体的には次のようにして形成することができる。すなわち、酸化シリコン膜ＬＦ１および酸窒化シリコン膜ＬＦ２を順に成膜した後、酸窒化シリコン膜ＬＦ２上にフォトリソグラフィ技術を用いてフォトレジストパターン（図示せず）を形成する。それから、このフォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、酸窒化シリコン膜ＬＦ２および酸化シリコン膜ＬＦ１を順にエッチング（ドライエッチング）することにより、絶縁膜ＬＦに開口部ＯＰ１を形成する。その後、フォトレジストパターンは除去し、図１０には、この段階が示されている。開口部ＯＰ１は、絶縁膜ＬＦ（すなわち酸化シリコン膜ＬＦ１と酸窒化シリコン膜ＬＦ２との積層膜）を貫通するように形成され、開口部ＯＰ１からパッドＰＤ１の少なくとも一部が露出される。
絶縁膜ＬＦに開口部ＯＰ１を形成すると、パッドＰＤ１は絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１から露出されるが、この際、パッドＰＤ１の上面の少なくとも一部が絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１から露出されるのに対して、パッドＰＤ１の側面（側壁）は、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１から露出されずに、絶縁膜ＬＦで覆われていることが好ましい。つまり、平面視において、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１は、パッドＰＤ１と重なっているが、パッドＰＤ１に内包されていることが好ましく、すなわち、平面視において、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１の外周は、パッドＰＤ１の外周よりも内側にあることが好ましい。
また、絶縁膜ＬＦに開口部ＯＰ１を形成すると、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１からパッドＰＤ１が露出されるが、パッドＰＤ１以外の配線Ｍ３は、絶縁膜ＬＦで覆われた状態が維持されるため、露出されない。パッドＰＤ１以外の配線Ｍ３は、これ以降も絶縁膜ＬＦで覆われた状態が維持されるため、露出されない。
次に、図１１および図１２に示されるように、半導体基板ＳＢの主面（主面全面）上に、すなわち絶縁膜ＬＦ上に、パッドＰＤ１を覆うように、樹脂膜ＰＬ１を形成する。
樹脂膜ＰＬ１しては、ポリイミド膜などを好適に用いることができる。樹脂膜ＰＬ１は、例えば塗布法により形成することができる。具体的には、いわゆるスピンコート（回転塗布）法を用い、半導体基板ＳＢを回転させながら半導体基板ＳＢの主面にポリイミドの前駆体液を塗布した後、これを乾燥させることにより、樹脂膜ＰＬ１としてのポリイミド膜を形成することができる。樹脂膜ＰＬ１の厚み（形成膜厚）は、例えば３〜５μｍ程度とすることができる。
樹脂膜ＰＬ１は、絶縁膜ＬＦ上と、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１から露出するパッドＰＤ１上とに形成される。樹脂膜ＰＬ１を成膜する前の段階では、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１からパッドＰＤ１が露出されていたが、樹脂膜ＰＬ１を成膜すると、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１から露出されていたパッドＰＤ１は、樹脂膜ＰＬ１で覆われるため、露出していない状態になる。
次に、樹脂膜ＰＬ１に開口部ＯＰ２を形成する。図１１および図１２には、樹脂膜ＰＬ１に開口部ＯＰ２を形成した段階が示されている。但し、図１１は、開口部ＯＰ１，ＯＰ２を横切る断面であるが、図１２は、開口部ＯＰ１，ＯＰ２を横切らない断面であるため、開口部ＯＰ１，ＯＰ２は、図１１には示されるが、図１２には示されない。開口部ＯＰ２は、例えば次のようにして形成することができる。
すなわち、樹脂膜ＰＬ１を感光性樹脂膜として形成しておき、この感光性樹脂からなる樹脂膜ＰＬ１を露光、現像することにより、開口部ＯＰ２となる部分の樹脂膜ＰＬ１を選択的に除去することで、樹脂膜ＰＬ１に開口部ＯＰ２を形成する。その後、熱処理を施して、樹脂膜ＰＬ１を硬化させる。開口部ＯＰ２は、樹脂膜ＰＬ１を貫通するように形成され、開口部ＯＰ２からパッドＰＤ１の少なくとも一部が露出される。
また、他の形態として、樹脂膜ＰＬ１上にフォトリソグラフィ技術を用いて形成したフォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、樹脂膜ＰＬ１をドライエッチングすることにより、樹脂膜ＰＬ１に開口部ＯＰ２を形成することもでき、その場合は、樹脂膜ＰＬ１は感光性樹脂膜でなくともよい。
開口部ＯＰ２は、平面視で開口部ＯＰ１を内包するように形成される。すなわち、樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２の平面寸法（平面積）は、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１の平面寸法よりも大きく、平面視において、樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２は、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１を内包している。つまり、平面視において、樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２の外周は、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１の外周の外側にある。
このため、樹脂膜ＰＬ１を成膜した段階で、開口部ＯＰ１の底面を構成するパッドＰＤ１の上面と、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１の内壁とは、樹脂膜ＰＬ１で覆われた状態になるが、その後で樹脂膜ＰＬ１に開口部ＯＰ２を形成すると、開口部ＯＰ１の底面を構成するパッドＰＤ１の上面と、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１の内壁とは、樹脂膜ＰＬ１で覆われずに露出された状態になる。
このようにして、パッドＰＤ１の少なくとも一部を露出する開口部ＯＰ１，ＯＰ２を有する絶縁膜ＬＦおよび樹脂膜ＰＬ１が形成される。ここで、樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２と絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１とを合わせたものを、開口部ＯＰ３と称することとする。また、絶縁膜ＬＦと絶縁膜ＬＦ上の樹脂膜ＰＬ１との積層膜を、積層膜ＬＭと称することとする。積層膜ＬＭは、積層絶縁膜であるため、積層膜ＬＭ全体を、絶縁膜とみなすこともできる。開口部ＯＰ３は、絶縁膜ＬＦと絶縁膜ＬＦ上の樹脂膜ＰＬ１との積層膜ＬＭの開口部に対応しており、樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２と絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１とにより形成されている。具体的には、開口部ＯＰ３の内壁は、樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２の内壁と、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１の内壁と、開口部ＯＰ２の内壁と開口部ＯＰ１の内壁との間に位置しかつ樹脂膜ＰＬ１で覆われていない絶縁膜ＬＦの上面とにより、形成されることになる。この段階（図１１および図１２）では、パッドＰＤ１の少なくとも一部を露出する開口部ＯＰ３を有する積層膜ＬＭが、層間絶縁膜ＩＬ３上に、配線Ｍ３を覆うように形成された状態になっている。
このように、図５〜図１２のようにして、半導体基板ＳＢに対してウエハ・プロセスを施す。ウエハ・プロセスは、前工程とも呼ばれる。ここでウエハ・プロセスは、一般的に、半導体ウエハ（半導体基板ＳＢ）の主面上に種々の素子や配線層（ここでは配線Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３）およびパッド電極（ここではパッドＰＤ１）を形成し、表面保護膜（ここでは積層膜ＬＭ）を形成した後、半導体ウエハに形成された複数のチップ領域の各々の電気的試験をプローブ等により行える状態にするまでの工程を言う。半導体ウエハの各チップ領域は、半導体ウエハにおいて、そこから１つの半導体チップが取得される領域に対応している。
このため、積層膜ＬＭは、ウエハ・プロセスを施した半導体ウエハにおいては、最上層となり、表面保護膜となる。すなわち、ウエハ・プロセスを施した半導体ウエハにおいては、積層膜ＬＭのうちの樹脂膜ＰＬ１が最上層の膜となる。ウエハ・プロセスを施した半導体ウエハにおいて、最上層の膜をポリイミド膜などのような樹脂膜（有機系絶縁膜）とすることで、半導体ウエハの取り扱いを容易にすることができる。また、第３配線層の配線Ｍ３が最上層配線となり、この第３配線層により、パッドＰＤ１が形成されている。
積層膜ＬＭの開口部ＯＰ３から露出されたパッドＰＤ１を利用して、プローブテスト（ウエハテスト）を行うことにより、半導体ウエハの各チップ領域の電気的試験を行うこともできる。具体的には、半導体ウエハの各チップ領域において、積層膜ＬＭの開口部ＯＰ３から露出されたパッドＰＤ１にテスト用のプローブ（プローブ針、探針）を当てて各チップ領域の電気的試験を行うことができる。このプローブテストの結果により、半導体ウエハの各チップ領域が良品であるか不良品であるかを選別したり、あるいは、プローブテストの測定結果のデータを各製造工程にフィードバックすることにより、歩留まり向上や信頼性向上に役立てることができる。このため、プローブテストは、省略することも可能であるが、行うことがより好ましい。
上記のようなウエハ・プロセス（前処理）工程によって上記図１１および図１２の構造が得られた後、必要に応じてプローブテストを行ってから、図１３および図１４に示されるように、半導体基板ＳＢの主面（主面全面）上に、すなわち、積層膜ＬＭの開口部ＯＰ３から露出するパッドＰＤ１上を含む積層膜ＬＭ上に、シード膜（シード層）ＳＥを形成する。シード膜ＳＥは、後で電解メッキ用のシード層（給電層）として機能させる膜である。
シード膜ＳＥは、例えばクロム（Ｃｒ）膜と該クロム（Ｃｒ）膜上の銅（Ｃｕ）膜との積層膜などからなり、例えばスパッタリング法によって形成することができる。これにより、開口部ＯＰ３の底部で露出するパッドＰＤ１上と開口部ＯＰ３の内壁上とを含む積層膜ＬＭ上にシード膜ＳＥが形成される。開口部ＯＰ３を除けば、積層膜ＬＭの表面は樹脂膜ＰＬ１であるため、樹脂膜ＰＬ１上に、樹脂膜ＰＬ１に接するように、シード膜ＳＥが形成される。
シード膜ＳＥの膜厚は、例えば、クロム（Ｃｒ）膜が７５ｎｍ程度で、銅（Ｃｕ）膜が２５０ｎｍ程度とすることができる。また、シード膜ＳＥのうちの下層側のクロム（Ｃｒ）膜は、バリア導体膜として機能することができ、例えば、銅の拡散防止機能や、樹脂膜ＰＬ１との接着性を向上する機能を有しているが、クロム（Ｃｒ）膜に限定されるものではなく、例えばチタン（Ｔｉ）膜、チタンタングステン（ＴｉＷ）膜、窒化チタン（ＴｉＮ）膜またはタングステン（Ｗ）膜などを用いることもできる。
次に、シード膜ＳＥ上に、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトレジストパターンＰＲ１を形成する。このフォトレジストパターンＰＲ１は、再配線ＲＷおよびパッドＰＤ２を形成すべき領域以外の領域に形成され、再配線ＲＷを形成する予定の領域と、パッドＰＤ２を形成する予定の領域とでは、シード膜ＳＥが露出する。すなわち、フォトレジストパターンＰＲ１は、再配線ＲＷを形成する予定の領域と、パッドＰＤ２を形成する予定の領域とに、開口部（溝）を有している。
次に、フォトレジストパターンＰＲ１の開口部から露出するシード膜ＳＥ上に銅（Ｃｕ）膜ＣＦを電解メッキ法により形成する。これにより、銅膜ＣＦが、フォトレジストパターンＰＲ１によって覆われていない領域のシード膜ＳＥ上に選択的に形成される。銅膜ＣＦの膜厚は、例えば５〜６μｍ程度とすることができる。銅膜ＣＦは、再配線ＲＷを形成する予定の領域と、パッドＰＤ２を形成する予定の領域とに形成される。図１３および図１４には、銅膜ＣＦを形成した段階が示されている。
次に、図１５および図１６に示されるように、銅膜ＣＦ上を含むフォトレジストパターンＰＲ１上に、フォトリソグラフィ技術を用いて、他のフォトレジストパターンＰＲ２を形成する。このフォトレジストパターンＰＲ２は、パッドＰＤ２における下地金属膜ＵＭを形成すべき領域以外の領域に形成され、下地金属膜ＵＭを形成する予定の領域では、銅膜ＣＦが露出する。すなわち、フォトレジストパターンＰＲ２は、下地金属膜ＵＭを形成する予定の領域に開口部を有している。
次に、フォトレジストパターンＰＲ２の開口部から露出する銅膜ＣＦ上に下地金属膜ＵＭを電解メッキ法により形成する。これにより、下地金属膜ＵＭが、フォトレジストパターンＰＲ２によって覆われていない領域の銅膜ＣＦ上に形成される。下地金属膜ＵＭは、パッドＰＤ２となる部分の銅膜ＣＦ上に形成される。下地金属膜ＵＭは、例えばニッケル（Ｎｉ）膜と該ニッケル（Ｎｉ）膜上の金（Ａｕ）膜との積層膜などからなる。下地金属膜ＵＭの膜厚は、例えば２〜３μｍ程度とすることができる。図１５および図１６には、下地金属膜ＵＭを形成した段階が示されている。
次に、図１７および図１８に示されるように、フォトレジストパターンＰＲ２とフォトレジストパターンＰＲ１とを除去する。これにより、銅膜ＣＦが露出されるとともに、銅膜ＣＦで覆われていない部分のシード膜ＳＥも露出される。
また、本実施の形態では、銅膜ＣＦを形成した後、フォトレジストパターンＰＲ１を除去せずにフォトレジストパターンＰＲ２を形成してから、下地金属膜ＵＭを形成し、その後にフォトレジストパターンＰＲ２，ＰＲ１を除去する場合について説明した。他の形態として、銅膜ＣＦを形成した後、フォトレジストパターンＰＲ１を除去してからフォトレジストパターンＰＲ２を形成し、その後に下地金属膜ＵＭを形成してからフォトレジストパターンＰＲ２を除去することもできる。
次に、図１７および図１８に示されるように、銅膜ＣＦで覆われていない部分のシード膜ＳＥをエッチングにより除去する。この際、銅膜ＣＦで覆われた部分のシード膜ＳＥ、すなわち銅膜ＣＦの下に位置するシード膜ＳＥ、は除去されずに残存する。この際のエッチングは、銅膜ＣＦで覆われていない部分のシード膜ＳＥは除去されるが、銅膜ＣＦや下地金属膜ＵＭは過剰にエッチングされない程度のエッチングとすることが好ましい。
このようにして、シード膜ＳＥおよび銅膜ＣＦからなる再配線ＲＷおよびパッドＰＤ２が形成される。すなわち、再配線ＲＷおよびパッドＰＤ２は、それぞれ、シード膜ＳＥとシード膜ＳＥ上の銅膜ＣＦとの積層膜からなる。このため、再配線ＲＷは、銅（Ｃｕ）を主体とする銅配線とみなすこともでき、また、パッドＰＤ２は、銅（Ｃｕ）を主体とする銅パッドとみなすこともできる。
再配線ＲＷおよびパッドＰＤ２は、積層膜ＬＭの樹脂膜ＰＬ１上に形成される。但し、再配線ＲＷは、開口部ＯＰ３から露出されたパッドＰＤ１上を含む積層膜ＬＭ上に形成され、パッドＰＤ１と電気的に接続されている。再配線ＲＷは、パッドＰＤ２にも接続されており、具体的には、パッドＰＤ２は再配線ＲＷと一体的に形成されている。このため、パッドＰＤ１とパッドＰＤ２とは、再配線ＲＷを介して電気的に接続されている。なお、パッドＰＤ２を構成する銅膜ＣＦ上には、下地金属膜ＵＭが形成されており、この下地金属膜ＵＭを、パッドＰＤ２の一部と捉えることもできる。
次に、図１９および図２０に示されるように、半導体基板ＳＢの主面（主面全面）上に、すなわち積層膜ＬＭ上に、再配線ＲＷおよびパッドＰＤ２を覆うように、絶縁性の保護膜ＰＡを形成する。保護膜ＰＡとしては、樹脂膜が好ましく、例えばポリイミド膜を好適に用いることができる。なお、図１９および図２０では、図面を見やすくするために、再配線ＲＷおよびパッドＰＤ２について、銅膜ＣＦとシード膜ＳＥとを分けずに一体化して示してある。保護膜ＰＡは、例えば塗布法により形成することができ、例えば、上記樹脂膜ＰＬ１と同様の手法で形成することができる。
次に、保護膜ＰＡに開口部ＯＰ４を形成する。図１９および図２０には、保護膜ＰＡに開口部ＯＰ４を形成した段階が示されている。但し、図２０は、開口部Ｏ４を横切る断面であるが、図１９は、開口部ＯＰ４を横切らない断面であるため、開口部ＯＰ４は、図２０には示されるが、図１９には示されない。
開口部ＯＰ４は、例えば次のようにして形成することができる。すなわち、保護膜ＰＡを感光性樹脂膜として形成しておき、この感光性樹脂からなる保護膜ＰＡを露光、現像することにより、開口部ＯＰ４となる部分の保護膜ＰＡを選択的に除去することで、保護膜ＰＡに開口部ＯＰ４を形成する。その後、熱処理を施して、保護膜ＰＡを硬化させる。開口部ＯＰ４は、保護膜ＰＡを貫通するように形成され、開口部ＯＰ４からパッドＰＤ２の少なくとも一部が露出される。パッドＰＤ２上に下地金属膜ＵＭを形成していた場合は、開口部ＯＰ２からパッドＰＤ２上の下地金属膜ＵＭが露出する。
また、他の形態として、保護膜ＰＡ上にフォトリソグラフィ技術を用いて形成したフォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、保護膜ＰＡをドライエッチングすることにより、保護膜ＰＡに開口部ＯＰ４を形成することもでき、その場合は、保護膜ＰＡは感光性樹脂膜でなくともよい。
パッドＰＤ２（あるいはパッドＰＤ２上の下地金属膜ＵＭ）は保護膜ＰＡの開口部ＯＰ２から露出されるが、再配線ＲＷは、保護膜ＰＡで覆われて保護される。最上層の保護膜ＰＡをポリイミド膜などのような樹脂膜（有機系絶縁膜）とすることで、比較的軟らかい樹脂膜（有機系絶縁膜）を最上層として半導体装置の取り扱いを容易にすることができる。
次に、図２１に示されるように、開口部ＯＰ４から露出するパッドＰＤ２上の下地金属膜ＵＭ上にバンプ電極ＢＰを形成する。バンプ電極ＢＰは、例えば半田バンプなどからなる。半田バンプ（バンプ電極ＢＰ）は、例えば、開口部ＯＰ４から露出するパッドＰＤ２上の下地金属膜ＵＭ上に半田ペーストを印刷法を用いて供給した後、熱処理（半田リフロー処理）を施すことによって、下地金属膜ＵＭ上に球形の半田バンプ（バンプ電極ＢＰ）を形成することができる。下地金属膜ＵＭは、バンプ電極ＢＰの一部とみなすこともできる。他の形態として、開口部ＯＰ４から露出するパッドＰＤ２上の下地金属膜ＵＭ上に、球状の半田ボールを配置（供給）した後、熱処理（半田リフロー処理）を施すことによって、下地金属膜ＵＭ上に球形の半田バンプ（バンプ電極ＢＰ）を形成することもできる。更に他の形態として、めっき法を用いてバンプ電極ＢＰを形成することもできる。
その後、ダイシング工程を行うことにより、半導体基板ＳＢを切断（ダイシング）して複数の半導体チップに分割（個片化）する。すなわち、スクライブ領域に沿って半導体基板ＳＢを切断する。これにより、半導体基板ＳＢ（半導体ウエハ）の各チップ領域から半導体チップが取得される。個々の半導体チップが、上記図３および図４の半導体装置ＣＰに対応している。なお、ダイシングの前に、半導体基板ＳＢの裏面研削を行い、半導体基板ＳＢの厚さを薄くしてもよい。
＜半導体パッケージの構造について＞
次に、本実施の形態の半導体装置（半導体チップ）を用いた半導体パッケージ（半導体装置）ＰＫＧの一例について、図２２を参照して説明する。図２２は、本実施の形態の半導体パッケージＰＫＧの断面図である。
図２２に示されるように、半導体パッケージＰＫＧは、配線基板ＰＢと、配線基板ＰＢの上面上に搭載された半導体チップＣＰ１と、半導体チップＣＰ１と配線基板ＰＢとの間を満たす樹脂部（アンダーフィル樹脂）ＵＦＲと、配線基板ＰＢの下面に設けられた複数の半田ボールＨＢと、を有している。半導体チップＣＰ１は、上記図１〜図４に示される半導体装置（ＣＰ）に対応している。このため、半導体チップＣＰ１は、複数のバンプ電極ＢＰを有している。
半導体チップＣＰ１は、配線基板ＰＢの上面にフリップチップ実装されている。すなわち、半導体チップＣＰ１は、半導体チップＣＰ１の裏面側が上方を向き、半導体チップＣＰ１の表面（バンプ電極ＢＰ形成側の主面）が配線基板ＰＢの上面に対向する向きで、複数のバンプ電極ＢＰを介して、配線基板ＰＢの上面上に搭載されている。従って、半導体チップＣＰ１は配線基板ＰＢの上面にフェイスダウンボンディングされている。半導体チップＣＰ１の複数のバンプ電極ＢＰは、配線基板ＰＢの上面の複数のランド（端子、基板側端子、電極、導電性ランド部）ＬＡに、それぞれ接合されて電気的に接続されている。すなわち、半導体チップＣＰ１の複数の上記パッドＰＤ２は、配線基板ＰＢの上面の複数のランドＬＡに、バンプ電極ＢＰを介してそれぞれ電気的に接続されている。
半導体チップＣＰ１と配線基板ＰＢの上面との間に、アンダーフィル樹脂としての樹脂部ＵＦＲが充填されている。樹脂部ＵＦＲは、例えばエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂などの樹脂材料（例えば熱硬化性樹脂材料）からなり、フィラー（シリカなど）を含有することもできる。
配線基板（パッケージ基板）ＰＢは、その厚さと交差する平面形状が矩形であり、一方の主面である上面と、上面とは反対側の主面である下面とを有している。配線基板ＰＢの上面のうち、チップ搭載領域（半導体チップＣＰ１を搭載する領域）には、半導体チップＣＰ１の表面におけるバンプ電極ＢＰの配列に対応した配列で、複数のランドＬＡが配列している。これにより、半導体チップＣＰ１を配線基板ＰＢの上面にフリップチップ実装して、半導体チップＣＰ１の複数のバンプ電極ＢＰと、配線基板ＰＢの上面の複数のランドＬＡとを、それぞれ接合することができる。半導体チップＣＰ１の表面において、複数のバンプ電極ＢＰがアレイ状に配置されていた場合には、配線基板ＰＢの上面のチップ搭載領域において、複数のランドＬＡは、アレイ状に配置されている。
配線基板ＰＢの下面には、複数の端子（外部接続用端子、電極、ランド、導電性ランド部）ＴＥが形成されている。配線基板ＰＢの上面の複数のランドＬＡと、配線基板ＰＢの下面の複数の端子ＴＥとは、配線基板ＰＢが有する配線やビア配線部などを介して、電気的に接続されている。 配線基板ＰＢの下面において、複数の端子ＴＥは例えばアレイ状に配置されており、各端子ＴＥには、半田ボール（ボール電極、突起電極、突起状電極）ＨＢが接続されている。半田ボールＨＢは、半導体パッケージＰＫＧの外部端子（外部接続用端子）として機能することができる。
＜パッドＰＤ１の下の配線構造について＞
図２３は、本実施の形態の半導体装置の要部断面図であり、上記図１と同じ断面が示されている。但し、図２３では、図面の簡略化のために、層間絶縁膜ＩＬ２とそれよりも下の構造については図示を省略してあるが、実際には、図２３の断面構造の下にも、図１に示される層間絶縁膜ＩＬ２とそれよりも下の構造とが存在している。また、図２４および図２５は、本実施の形態の半導体装置の要部平面図である。図２４および図２５には、同じ平面領域が示されているが、示される層が相違しており、図２４には、パッドＰＤ１が示され、図２５には、パッドＰＤ１よりも下層の配線Ｍ２が示されている。図２４は、平面図であるが、図面を見やすくするために、パッドＰＤ１および配線Ｍ３にハッチングを付し、また、図２５は、平面図であるが、図面を見やすくするために、配線Ｍ２にハッチングを付してある。図２４および図２５のＡ−Ａ線の位置での断面図が、上記図１および図２３にほぼ対応している。図２６および図２７も、本実施の形態の半導体装置の要部平面図であり、図２５と同じ平面領域で、かつ、図２５と同じ層が示されている。なお、図２６は、開口部ＯＰ１，ＯＰ２と、図２５に示される配線Ｍ２との位置関係が分かるように用意した図面であり、図２５において、ハッチングを省略し、かつ、開口部ＯＰ１，ＯＰ２の位置を追加したものが、図２６に対応している。また、図２７は、後述の開口部形成領域ＲＧ１，ＲＧ２が分かるように用意した図面であり、図２５において、開口部形成領域ＲＧ１を示す点線と、開口部形成領域ＲＧ２を示す点線とを追加したものが、図２７に対応している。図２４および図２６では、上記絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１の位置（平面位置）を二点鎖線で示し、上記樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２の位置（平面位置）を一点鎖線で示している。
図２３および図２４からも分かるように、平面視において、開口部ＯＰ１は、開口部ＯＰ２に内包され、開口部ＯＰ２は、パッドＰＤ１に内包されている。図２４の場合は、開口部ＯＰ１、開口部ＯＰ２およびパッドＰＤ１のそれぞれの平面形状は、矩形状であり、より特定的には、Ｘ方向の辺とＹ方向の辺とを有する矩形である。なお、各平面図に示されるＸ方向およびＹ方向は、半導体基板ＳＢの主面に略平行な方向である。また、Ｘ方向およびＹ方向は、互いに直交する方向である。
図２３〜図２７からも分かるように、パッドＰＤ１の下方にも、配線Ｍ２が延在している。配線設計を行う際に、本実施の形態とは異なり、パッドＰＤ１の下方の領域を、配線Ｍ２の配置を禁止する領域とし、パッドＰＤ１の下方の領域を避けて配線Ｍ２を配置しようとすると、配線設計の自由度が低くなって配線設計を行いにくくなり、また、半導体装置の平面寸法の増大を招く虞もある。このため、本実施の形態では、パッドＰＤ１の下方の領域を、配線Ｍ２の配置が可能な領域としている。このため、パッドＰＤ１の下方にも、配線Ｍ２が延在しており、図２３〜図２７の場合は、Ｘ方向に延在する配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃが、パッドＰＤ１の下方の領域を通過している。
配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃは、いずれも、パッドＰＤ１が形成された配線層（ここでは第３配線層）よりも１つ下層の配線層（ここでは第２配線層）の配線Ｍ２である。このため、配線Ｍ２ａと配線Ｍ２ｂと配線Ｍ２ｃとは、同層の配線である。配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃのそれぞれは、パッドＰＤ１の下方に延在しているため、パッドＰＤ１と平面視において重なる部分を有している。すなわち、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃのそれぞれは、少なくとも一部が、平面視においてパッドＰＤ１と重なっている。
配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃのうち、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂのそれぞれは、パッドＰＤ１の下方において、複数の開口部ＳＬを有している。配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃのうち、配線Ｍ２ｃは、パッドＰＤ１の下方において、開口部（ＳＬ）を有していない。図２３〜図２７の場合は、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂのそれぞれにおいて、各開口部ＳＬは、その配線の延在方向（ここではＸ方向）に沿って延在するスリット状の開口部である。
配線Ｍ２ａにおいて複数の開口部ＳＬが形成されていないと仮定した場合の配線Ｍ２ａの幅Ｗ１ａと、配線Ｍ２ｂにおいて複数の開口部ＳＬが形成されていないと仮定した場合の配線Ｍ２ｂの幅Ｗ１ｂと、配線Ｍ２ｃの幅Ｗ１ｃとを比較すると、幅Ｗ１ｃよりも幅Ｗ１ａ，Ｗ１ｂのそれぞれが大きく、幅Ｗ１ｂよりも幅Ｗ１ａが大きく、Ｗ１ａ＞Ｗ１ｂ＞Ｗ１ｃが成り立つ。すなわち、配線Ｍ２ａと配線Ｍ２ｂとは、幅が広い配線に複数の開口部ＳＬを設けたものに対応し、配線Ｍ２ｃは、幅が狭く、かつ、開口部（ＳＬ）を設けていない配線に対応している。なお、「配線の幅」とは、その配線において、電流方向（電流が流れる方向）に略垂直な方向の寸法（幅）に対応している。図２６において、各配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃにおける電流方向は、Ｘ方向であるため、幅Ｗ１ａ，Ｗ１ｂ，Ｗ１ｂは、いずれもＹ方向の寸法である。
図２５および図２６から分かるように、平面視において、配線Ｍ２ａの少なくとも一部は、開口部ＯＰ１に重なっており、従って、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮに重なっている。パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮの下方に、配線Ｍ２ａの端部（側面）が位置している。
ここで、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮとは、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとが接続されている領域のことである。絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１から露出されるパッドＰＤ１上に、再配線ＲＷが形成されているため、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１から露出されるパッドＰＤ１の上面が、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮに対応している。従って、平面視において、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮは、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１と実質的に一致している。
また、図２５および図２６から分かるように、平面視において、配線Ｍ２ｂの少なくとも一部は、開口部ＯＰ２に重なっているが、配線Ｍ２ｂは、開口部ＯＰ１とは重なっておらず、従って、配線Ｍ２ｂは、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮに重なってはいない。開口部ＯＰ２の下方に配線Ｍ２ｂの端部（側面）は位置しているが、接続領域ＣＮの下方には、配線Ｍ２ｂの端部（側面）は位置していない。
また、図２５および図２６から分かるように、パッドＰＤ１の下を３本の配線Ｍ２ｃが通過しており、そのうちの２本の配線Ｍ２ｃ（配線Ｍ２ａに近い側の２本の配線Ｍ２ｃ）は、少なくとも一部が平面視において開口部ＯＰ１に重なっており、従って、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮに重なっている。その２本の配線Ｍ２ｃの端部（側面）は、接続領域ＣＮの下方に位置している。なお、配線Ｍ２ｃの本数は、３本に限定されるものではない。
また、図２５および図２６から分かるように、パッドＰＤ１の下を通過する３本の配線Ｍ２ｃのうちの１本の配線Ｍ２ｃ（配線Ｍ２ｂに近い側の１本の配線Ｍ２ｃ）は、少なくとも一部が開口部ＯＰ２に重なっているが、開口部ＯＰ１とは重なっておらず、接続領域ＣＮに重なってはいない。その１本の配線Ｍ２ｃの端部（側面）は、開口部ＯＰ２の下方に位置しているが、接続領域ＣＮの下方には位置していない。
このため、配線Ｍ２ａと２本の配線Ｍ２ｃとは、開口部ＯＰ１の下方に、従って、接続領域ＣＮの下方に、端部（配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｃの端部）が位置する配線である。また、配線Ｍ２ｂと１本の配線Ｍ２ｃは、開口部ＯＰ１の下方に端部（配線Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃの端部）は位置しないが、開口部ＯＰ２の下方に端部（配線Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃの端部）が位置する配線である。
本実施の形態では、詳細は後述するが、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂとパッドＰＤ１との間に挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが生じるのを抑制または防止するために、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂのそれぞれに複数の開口部ＳＬを設けている。一方、配線Ｍ２ｃの幅（Ｗ１ｃ）は小さいことから、配線Ｍ２ｃに開口部（ＳＬ）を形成しなくとも、配線Ｍ２ｃとパッドＰＤ１との間に挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが生じる懸念は小さいため、配線Ｍ２ｃには開口部（ＳＬ）を形成せずに、配線Ｍ２ｃの抵抗低減を図っている。開口部ＳＬを形成する理由と、開口部ＳＬをどこに形成すべきかについては、以下の「検討の経緯」の欄と、「主要な特徴と効果について」の欄で説明する。
＜検討の経緯について＞
本発明者は、パッド形成後に再配線を形成した半導体装置について検討している。そのような半導体装置においては、再配線（ＲＷ）を通じてパッド（ＰＤ１）に印加される圧力（応力）に起因して、パッド（ＰＤ１）の下の層間絶縁膜（ＩＬ３）にクラックが発生する虞があることが、本発明者の検討により分かった。以下に、図２８〜図３０を参照して具体的に説明する。
図２８は、本発明者が検討した検討例の半導体装置の要部断面図であり、上記図２３に相当するものである。上記図２３と同様に、図２８においても、上記層間絶縁膜ＩＬ２とそれよりも下の構造については図示を省略してある。また、図２９および図３０は、本発明者が検討した検討例の半導体装置の要部平面図であり、それぞれ上記図２４および図２５に相当するものである。図２９には、パッドＰＤ１が示され、図３０には、パッドＰＤ１よりも下層の配線Ｍ２が示されている。図面を見やすくするために、図２９のパッドＰＤ１および配線Ｍ３と図３０の配線Ｍ２とには、ハッチングを付してある。図２９および図３０のＢ−Ｂ線の位置での断面図が、図２９に対応している。また、図２９および図３０では、上記絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１の位置を二点鎖線で示し、上記樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２の位置を一点鎖線で示している。
図２８〜図３０の検討例において、配線Ｍ１０２ａは、上記配線Ｍ２ａに相当するものであり、配線Ｍ１０２ｂは、上記配線Ｍ２ｂに相当するものであり、配線Ｍ１０２ｃは、上記配線Ｍ２ｃに相当するものであるが、上記配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂとは異なり、配線Ｍ１０２ａ，Ｍ１０２ｂには、開口部ＳＬは形成されていない。すなわち、上記図２３〜図２７において配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂに開口部ＳＬが形成されていない場合が、図２８〜図３０の検討例に対応している。配線Ｍ１０２ａは、開口部ＳＬを有していないこと以外は、上記配線Ｍ２ａと同様であり、配線Ｍ１０２ｂは、開口部ＳＬを有していないこと以外は、上記配線Ｍ２ｂと同様であり、配線Ｍ１０２ｃは、上記配線Ｍ２ａと同様の配線である。
図２８〜図３０の検討例の場合は、パッドＰＤ１と配線Ｍ２との間で、層間絶縁膜ＩＬ３にクラックＣＲが生じやすい。その理由は以下のようなものである。
パッドＰＤ１上に再配線ＲＷを形成していることから、パッドＰＤ１には、再配線ＲＷを通じて圧力（応力）が印加される。これは、半導体装置（ＣＰ）を配線基板（ＰＢ）などに実装した際には、半導体装置のバンプ電極ＢＰを配線基板（ＰＢ）の端子（ランドＬＡ）に接続することになるが、配線基板（ＰＢ）の熱収縮に伴う応力が、バンプ電極ＢＰを通じて再配線ＲＷに印加され、更にその再配線ＲＷを通じてパッドＰＤ１に印加されてしまうからである。また、金属材料は、絶縁材料に比べて熱膨張係数が大きいことと、再配線ＲＷの厚さがかなり厚いことから、再配線ＲＷに起因した圧力（応力）が、パッドＰＤ１に加わりやすい。
再配線ＲＷを通じてパッドＰＤ１に圧力（応力）が印加されると、パッドＰＤ１と配線Ｍ２とで挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３に、クラックＣＲが発生する場合がある。本発明者の検討によれば、パッドＰＤ１と配線Ｍ２とで挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３にクラックＣＲが発生するのは、次の２つの要因（第１の要因および第２の要因）を満たしている場合であることが分かった。
第１の要因は、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮの下方に、配線Ｍ２（ここでは配線Ｍ１０２ａ）の端部が存在することであり、第２の要因は、その配線Ｍ２（ここでは配線Ｍ１０２ａ）の幅（配線幅）が大きいことである。
パッドＰＤ１において、再配線ＲＷを通じて印加される圧力（応力）が大きいのは、接続領域ＣＮおよびその下方の領域である。これは、再配線ＲＷから、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮを経て、パッドＰＤ１に、圧力（応力）が伝達されるからである。つまり、パッドＰＤ１において、接続領域ＣＮおよびその下方の領域には、再配線ＲＷから直接的に大きな圧力（応力）が伝達される。
配線Ｍ１０２ａは、端部（配線Ｍ１０２ａの端部）が接続領域ＣＮの下方に存在している。接続領域ＣＮの下方に配線Ｍ２の端部（ここでは配線Ｍ１０２ａの端部）が存在する場合には、その配線Ｍ１０２ａの端部を構成する角部（配線の上面と側面とで形成される角部）とパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３に、配線Ｍ１０２ａの角部を起点としてクラックＣＲが発生する可能性がある。これは、再配線ＲＷを通じてパッドＰＤ１に印加された圧力（応力）が、接続領域ＣＮの下方の層間絶縁膜ＩＬ３に印加されてしまうことと、配線Ｍ１０２ａに起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力は、配線Ｍ１０２ａの端部を構成する角部に集中してしまうことが原因である。
配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力は、配線Ｍ２の熱収縮などによって発生し得るが、その応力の大きさは、配線Ｍ２の幅が大きいほど大きくなる傾向にある。すなわち、幅が広い配線Ｍ２と、幅が狭い配線Ｍ２とを比べると、熱収縮量は、幅が狭い配線Ｍ２よりも幅が広い配線Ｍ２の方が大きくなることから、幅が狭い配線Ｍ２よりも幅が広い配線Ｍ２の方が、配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力は大きくなる。このため、配線Ｍ２の端部を構成する角部を起点として層間絶縁膜ＩＬ３にクラックＣＲが発生する可能性は、その配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力が大きくなるほど大きくなり、それゆえ、その配線Ｍ２の幅が大きくなるほど大きくなる。
このため、接続領域ＣＮの下方に配線Ｍ２の端部が存在すると、その配線Ｍ２とパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３に、その配線Ｍ２の端部を構成する角部を起点としてクラックＣＲが発生する可能性があり、その配線Ｍ２の幅が小さければ、その可能性は低いが、その配線Ｍ２の幅が大きければ、その可能性は高くなってしまう。つまり、接続領域ＣＮの下方に、幅が広い配線Ｍ１０２ａの端部が存在すると、その配線Ｍ１０２ａの端部を構成する角部とパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３に大きな応力が印加されることになり、配線Ｍ１０２ａの角部を起点としてクラックＣＲが発生しやすくなるのである。層間絶縁膜ＩＬ３にクラックＣＲが発生することは、半導体装置の信頼性を低下させることにつながる。このため、半導体装置の信頼性を向上させるためには、層間絶縁膜ＩＬ３にクラックＣＲが発生するのを抑制または防止することが望ましい。
そこで、層間絶縁膜ＩＬ３にクラックＣＲが発生するのを抑制または防止する手法として、次の第１の手法および第２の手法が考えられる。
第１の手法は、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮの下方に、配線Ｍ２の端部が存在しないようにすることである。この場合は、クラックＣＲの起点となり得る配線Ｍ２の端部（角部）が、再配線ＲＷからの圧力が伝達されやすい領域（接続領域ＣＮの下方の領域）には存在しないことから、層間絶縁膜ＩＬ３にクラックＣＲが発生するのを抑制または防止することができる。
しかしながら、第１の手法を採用した場合には、接続領域ＣＮの下方の領域全体が、配線Ｍ２の端部の配置を禁止する領域となってしまうため、配線Ｍ２のレイアウトの自由度が低くなり、半導体装置の配線設計が難しくなる。また、第１の手法を採用するために、接続領域ＣＮの下方の領域を避けて配線Ｍ２を配置しようとすると、半導体装置の小型化に不利となり、半導体装置の平面寸法の増大を招いてしまう。
第２の手法は、接続領域ＣＮの下方には、幅が広いグランド配線などは配置せずに、幅が狭い信号配線のみを配置することである。この場合は、再配線ＲＷからの圧力が伝達されやすい領域（接続領域ＣＮの下方の領域）には、配線Ｍ２の端部（角部）が存在するが、その配線Ｍ２の幅は小さいため、配線Ｍ２の端部（角部）を起点としてクラックＣＲが発生する可能性は低くなり、層間絶縁膜ＩＬ３にクラックＣＲが発生するのを抑制または防止することができる。
しかしながら、第２の手法を採用した場合には、接続領域ＣＮの下方の領域全体が、グランド配線のような幅が広い配線Ｍ２の端部の配置を禁止する領域となってしまうため、配線Ｍ２のレイアウトの自由度が低くなり、半導体装置の配線設計が難しくなる。また、第２の手法を採用するために、接続領域ＣＮの下方の領域を避けて、グランド配線のような幅が広い配線Ｍ２を配置しようとすると、半導体装置の小型化に不利となり、半導体装置の平面寸法の増大を招いてしまう。
このため、層間絶縁膜ＩＬ３にクラックＣＲが発生するのを抑制または防止できるとともに、パッドＰＤ１よりも下層の配線Ｍ２のレイアウトの自由度を向上させる技術を提供することが望まれる。
＜主要な特徴と効果について＞
本実施の形態の半導体装置は、半導体基板ＳＢと、半導体基板ＳＢ上に層間絶縁膜ＩＬ２（第１層間絶縁膜）を介して形成された配線Ｍ２ａ（第１配線）と、層間絶縁膜ＩＬ２上に、配線Ｍ２ａを覆うように形成された層間絶縁膜ＩＬ３（第２層間絶縁膜）と、層間絶縁膜ＩＬ３上に形成されたパッドＰＤ１（第１パッド）と、を有している。本実施の形態の半導体装置は、層間絶縁膜ＩＬ３上に形成され、パッドＰＤ１を露出する開口部ＯＰ３（第１開口部）を有する積層膜ＬＭ（第１絶縁膜）、を更に有している。本実施の形態の半導体装置は、開口部ＯＰ３から露出されたパッドＰＤ１上を含む積層膜ＬＭ上に形成され、パッドＰＤ１と電気的に接続された再配線ＲＷ（第２配線）と、積層膜ＬＭ上に形成され、再配線ＲＷと一体的に接続されたパッドＰＤ２（第２パッド）と、を更に有している。
本実施の形態の主要な特徴のうちの一つは、配線Ｍ２ａ（第１配線）の少なくとも一部は、パッドＰＤ１と平面視において重なっており、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮの下方に、配線Ｍ２ａの端部が位置していることである。本実施の形態の主要な特徴のうちの他の一つは、配線Ｍ２ａにおける開口部形成領域ＲＧ１（第１領域）に複数の開口部ＳＬ（第２開口部）が形成されており、開口部形成領域ＲＧ１の少なくとも一部は、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮと平面視において重なっていることである。
なお、開口部形成領域ＲＧ１とは、配線Ｍ２ａにおいて複数の開口部ＳＬが形成されている領域に対応しており、また、開口部形成領域ＲＧ２とは、配線Ｍ２ｂにおいて複数の開口部ＳＬが形成されている領域に対応している。具体的には、図２７に示されるように、開口部形成領域ＲＧ１は、配線Ｍ２ａに形成された複数の開口部ＳＬとそれら開口部ＳＬ間の領域（隣り合う開口部ＳＬ間の配線部）とを合わせた領域にほぼ対応し、開口部形成領域ＲＧ２は、配線Ｍ２ｂに形成された複数の開口部ＳＬとそれら開口部ＳＬ間の領域（隣り合う開口部ＳＬ間の配線部）とを合わせた領域にほぼ対応している。
本実施の形態においては、配線Ｍ２ａの少なくとも一部は、パッドＰＤ１と平面視において重なっており、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮの下方に、配線Ｍ２ａの端部が位置している（図２３〜図２７参照）。本実施の形態とは異なり、配線Ｍ２ａに開口部ＳＬが形成されていない場合には、上記図２８〜図３０の検討例に関連して説明したように、再配線ＲＷを通じてパッドＰＤ１に圧力（応力）が印加され、パッドＰＤ１と配線Ｍ１０２ａとで挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３に、クラックＣＲが発生する虞がある。この原因は、上記検討例に関連して説明したように、接続領域ＣＮの下方に配線Ｍ１０２ａの端部が存在することと、その配線Ｍ１０２ａの幅が大きいことである。
それに対して、本実施の形態では、配線Ｍ２ａは、端部（配線Ｍ２ａの端部）が接続領域ＣＮの下方に存在しているが、この配線Ｍ２ａにおける開口部形成領域ＲＧ１に複数の開口部ＳＬが形成されており、開口部形成領域ＲＧ１の少なくとも一部は、接続領域ＣＮと平面視において重なっている。これにより、たとえ、配線Ｍ２ａの少なくとも一部がパッドＰＤ１と平面視において重なっており、接続領域ＣＮの下方に配線Ｍ２ａの端部が位置しているとしても、パッドＰＤ１と配線Ｍ２ａとで挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３に、上記クラックＣＲに相当するものが発生するのを抑制または防止することができる。その理由について、以下に説明する。
上記検討例に関連して説明したように、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮの下方に、幅が広い配線Ｍ２の端部が存在すると、その配線Ｍ２の端部を構成する角部とパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３に大きな応力が印加されることになり、配線Ｍ２の端部（角部）を起点としてクラックＣＲが発生しやすくなる。これは、再配線ＲＷを通じてパッドＰＤ１に印加された圧力（応力）が、接続領域ＣＮの下方の層間絶縁膜ＩＬ３に印加されてしまうことと、配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力は、配線Ｍ２の端部を構成する角部に集中してしまうことが原因である。配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力の大きさは、配線Ｍ２の幅が大きいほど大きくなり、配線Ｍ２の幅が小さいほど小さくなる傾向にある。接続領域ＣＮの下方に配線Ｍ２の端部が存在する場合、その配線Ｍ２の端部（角部）を起点として層間絶縁膜ＩＬ３にクラックＣＲが発生する可能性は、その配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力を小さくすれば小さくなり、従って、その配線Ｍ２の実効的な幅を小さくすれば小さくなる。
配線Ｍ２に開口部ＳＬを形成することは、その配線Ｍ２の実効的な配線幅を小さくすることに対応している。このため、配線Ｍ２に開口部ＳＬを形成することは、その配線Ｍ２の実効的な配線幅を小さくし、配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力を小さくするように作用する。また、配線Ｍ２に開口部ＳＬを形成すれば、その開口部ＳＬ内にも層間絶縁膜ＩＬ３が埋め込まれることになり、開口部ＳＬ内に埋め込まれた層間絶縁膜ＩＬ３がその配線Ｍ２の変形を抑制するように作用することができ、このことも、配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力を小さくするように作用する。このため、配線Ｍ２に開口部ＳＬを形成すれば、その配線Ｍ２に開口部ＳＬを形成しなかった場合に比べて、その配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力を小さくすることができる。従って、接続領域ＣＮの下方に配線Ｍ２の端部が存在する場合、その配線Ｍ２の端部（角部）を起点として層間絶縁膜ＩＬ３にクラックＣＲが発生する可能性は、その配線Ｍ２に開口部ＳＬを形成することで、小さくすることができる。このため、上記図２８〜図３０の検討例に比べて、図２３〜図２７の本実施の形態の方が、配線Ｍ２ａに複数の開口部ＳＬを形成していることで、パッドＰＤ１と配線Ｍ２ａ（Ｍ１０２ａ）とで挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのを抑制または防止することができる。従って、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
また、本実施の形態では、パッドＰＤ１の下の領域を、配線Ｍ２の配置を禁止する領域にする必要はなく、パッドＰＤ１の下に配線Ｍ２を自由に配置することができるため、配線Ｍ２のレイアウトの自由度を向上させることができる。また、半導体装置の小型化に有利である。
また、本実施の形態では、配線Ｍ２に開口部ＳＬを設けているが、どのような領域に開口部ＳＬを設けるかは、極めて重要である。どのような領域に開口部ＳＬを設けるべきかについて、以下に説明する。
上述のように、層間絶縁膜ＩＬ３において、再配線ＲＷからパッドＰＤ１に伝達された圧力（応力）が伝達されやすいのは、接続領域ＣＮの下方（直下）の領域である。このため、層間絶縁膜ＩＬ３においてクラック（ＣＲ）が発生するのを防止するためには、接続領域ＣＮの下方の領域において、配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力を小さくすることが有効である。接続領域ＣＮの下方において、配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力を小さくするには、接続領域ＣＮの下方において、その配線Ｍ２に開口部（ＳＬ）を設けることが有効である。
そこで、本実施の形態では、第１の条件として、端部（配線Ｍ２ａの端部）が接続領域ＣＮの下方に存在している配線Ｍ２ａにおいて、複数の開口部ＳＬが形成されている領域である開口部形成領域ＲＧ１は、少なくとも一部が接続領域ＣＮと平面視において重なっている。
なお、開口部形成領域ＲＧ１の少なくとも一部が接続領域ＣＮと平面視において重なっているということは、配線Ｍ２ａに形成されている複数の開口部ＳＬの少なくとも一部が接続領域ＣＮと平面視において重なっていることを示唆している。別の見方をすると、開口部形成領域ＲＧ１の少なくとも一部が接続領域ＣＮと平面視において重なっているということは、開口部形成領域ＲＧ１の少なくとも一部が接続領域ＣＮの下方にあり、従って、配線Ｍ２ａに形成されている複数の開口部ＳＬの少なくとも一部が接続領域ＣＮの下方にあることを示唆している。
第１の条件を満たしていれば、接続領域ＣＮの下方において、配線Ｍ２ａに開口部ＳＬを設けたことにより、その配線Ｍ２ａに起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力を小さくする効果を得ることができるため、再配線ＲＷからパッドＰＤ１を経て圧力（応力）が伝達されやすい層間絶縁膜ＩＬ３において、クラックが発生するのを抑制または防止する効果を得ることができる。
また、本実施の形態では、第２の条件として、平面視において、配線Ｍ２ａと接続領域ＣＮとの重なり領域は、開口部形成領域ＲＧ１に含まれていることが好ましい。
平面視における配線Ｍ２ａと接続領域ＣＮとの重なり領域は、図３１においてハッチングを付した領域に対応している。ここで、図３１は、本実施の形態の半導体装置の要部平面図であり、上記図２６から、開口部ＯＰ２の位置を示す一点鎖線を取り除き、平面視における配線Ｍ２ａと接続領域ＣＮとの重なり領域にハッチングを付した図である。
平面視における配線Ｍ２ａと接続領域ＣＮとの重なり領域は、配線Ｍ２ａのうち、接続領域ＣＮと平面視において重なる領域に対応している。また、平面視において配線Ｍ２ａと接続領域ＣＮとの重なり領域が開口部形成領域ＲＧ１に含まれているということは、配線Ｍ２ａのうち、平面視において接続領域ＣＮに重なる領域全体が、開口部形成領域ＲＧ１に含まれていることを示唆し、従って、配線Ｍ２ａのうち、平面視において接続領域ＣＮに重なる領域全体に、複数の開口部ＳＬが配置されていることを示唆している。別の見方をすると、平面視において配線Ｍ２ａと接続領域ＣＮとの重なり領域が開口部形成領域ＲＧ１に含まれているということは、配線Ｍ２ａのうち、接続領域ＣＮの下方に位置する領域全体が、開口部形成領域ＲＧ１に含まれていることを示唆し、従って、配線Ｍ２ａのうち、接続領域ＣＮの下方に位置する領域全体に、複数の開口部ＳＬが配置されていることを示唆している。
第２の条件を満たしていれば、配線Ｍ２ａのうち、接続領域ＣＮの下方に位置する領域において、ほぼ全体に複数の開口部ＳＬが配置されていることになり、配線幅が広い部分が生じるのを抑制または防止することができる。このため、接続領域ＣＮの下方において、配線Ｍ２ａに開口部ＳＬを設けたことにより、その配線Ｍ２ａに起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力を小さくする効果をより的確に得ることができるため、再配線ＲＷからパッドＰＤ１を経て圧力（応力）が伝達されやすい層間絶縁膜ＩＬ３において、クラックが発生するのをより的確に抑制または防止することができる。
つまり、平面視において、配線Ｍ２ａと接続領域ＣＮとの重なり領域の一部のみが開口部形成領域ＲＧ１に含まれている場合であっても、層間絶縁膜ＩＬ３においてクラックが発生するのを抑制または防止する効果を得ることは可能であるが、平面視において、配線Ｍ２ａと接続領域ＣＮとの重なり領域の全体が開口部形成領域ＲＧ１に含まれている場合がより好ましい。すなわち第２の条件を満たす場合がより好ましい。これにより、接続領域ＣＮの下方において、配線Ｍ２ａに起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力をより的確に小さくすることができ、層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのをより的確に抑制または防止することができる。なお、第２の条件を満たせば、必然的に、上記第１の条件を満たすことになる。
また、本実施の形態では、第３の条件として、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮの下方において、配線Ｍ２ａに幅（配線部の幅）が０．６μｍ以上となる箇所が生じないように、配線Ｍ２ａの開口部形成領域ＲＧ１に複数の開口部ＳＬが形成されていることが好ましい。なお、配線（Ｍ２，Ｍ２ａ）の幅とは、その配線（Ｍ２，Ｍ２ａ）において、電流方向（電流が流れる方向）に略垂直な方向の寸法（幅）に対応している。例えば、図２６において、配線Ｍ２ａにおけるＹ方向に隣り合う開口部ＳＬに挟まれた配線部の幅Ｗ２ａ（ここではＹ方向の寸法）は、０．６μｍ未満であることが好ましい。
第３の条件の前提として、配線Ｍ２ａにおいて複数の開口部ＳＬが形成されていないと仮定した場合の配線Ｍ２ａの幅Ｗ１ａは、０．６μｍ以上である。なお、配線Ｍ２ａにおいて複数の開口部ＳＬが形成されていないと仮定した場合の配線Ｍ２ａの幅Ｗ１ａは、上記配線Ｍ１０２ａの幅に対応しており、上記配線Ｍ１０２ａの幅は、０．６μｍ以上である。
上述のように、幅が狭い配線Ｍ２よりも幅が広い配線Ｍ２の方が、配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力は大きくなる。このため、本実施の形態では、接続領域ＣＮの下方において、配線Ｍ２ａの実効的な幅を小さくするためにその配線Ｍ２ａに複数の開口部ＳＬを形成しており、それによって、その配線Ｍ２ａに起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力を小さくしている。このため、接続領域ＣＮの下方において、配線Ｍ２ａに、幅が大きい（広い）箇所が生じないように、複数の開口部ＳＬを形成することが好ましく、具体的には、配線Ｍ２ａに幅（配線部の幅）が０．６μｍ以上となる箇所が生じないように、配線Ｍ２ａに複数の開口部ＳＬを形成することが好ましい。
上述のように、幅が狭い配線Ｍ２よりも幅が広い配線Ｍ２の方が、配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力は大きくなる。本発明者の検討によれば、上記図２８〜図３０の検討例において、配線Ｍ１０２ａの幅が０．６μｍ以上になると、配線Ｍ１０２ａとパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３に、配線Ｍ１０２ａの端部（角部）を起点としてクラックＣＲが発生する可能性が増加することが、分かった。
そこで、本実施の形態では、複数の開口部ＳＬが形成されていないと仮定した場合の幅Ｗ１ａが０．６μｍ以上である配線Ｍ２ａにおいて、複数の開口部ＳＬを形成したことで、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮの下方において、配線Ｍ２ａに幅（配線部の幅）が０．６μｍ以上となる箇所が生じないようにしている。これにより、接続領域ＣＮの下方において、配線Ｍ２ａに起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力をより的確に小さくすることができ、配線Ｍ２ａとパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのを、より的確に抑制または防止することができる。
また、本実施の形態では、層間絶縁膜ＩＬ３上に、パッドＰＤ１を露出する開口部ＯＰ３を有する積層膜ＬＭ（第１絶縁膜）が形成され、開口部ＯＰ３から露出されたパッドＰＤ１上を含む積層膜ＬＭ上に、パッドＰＤ１と電気的に接続された再配線ＲＷが形成されている。積層膜ＬＭ（第１絶縁膜）は、絶縁膜ＬＦ（第２絶縁膜）と絶縁膜ＬＦ上の樹脂膜ＰＬ１（第３絶縁膜）との積層膜からなり、積層膜ＬＭの開口部ＯＰ３（第１開口部）は、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１（第３開口部）と、樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２（第４開口部）とにより形成されている。絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１は、平面視において樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２に内包されており、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１から露出されたパッドＰＤ１に、再配線ＲＷが接続されている。
この場合、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮは、平面視において、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１とほぼ一致することになる。このため、上記第２の条件は、平面視において、配線Ｍ２ａと接続領域ＣＮとの重なり領域は、開口部形成領域ＲＧ１に含まれていることであったが、これは、平面視において、配線Ｍ２ａと開口部ＯＰ１との重なり領域は、開口部形成領域ＲＧ１に含まれていることと言い換えることができ、これを第４の条件と称することとする。すなわち、第４の条件は、平面視において、配線Ｍ２ａと開口部ＯＰ１との重なり領域は、開口部形成領域ＲＧ１に含まれていることである。なお、平面視における配線Ｍ２ａと開口部ＯＰ１との重なり領域は、配線Ｍ２ａのうち、開口部ＯＰ１と平面視において重なる領域に対応している。平面視における配線Ｍ２ａと開口部ＯＰ１との重なり領域と、平面視における配線Ｍ２ａと接続領域ＣＮとの重なり領域とは、実質的に一致しており、いずれも図３１においてハッチングを付した領域に対応している。
第４の条件を満たし、平面視において、配線Ｍ２ａと開口部ＯＰ１との重なり領域が開口部形成領域ＲＧ１に含まれていれば、開口部ＯＰ１の下方（すなわち接続領域ＣＮの下方）に位置する領域において、ほぼ全体に複数の開口部ＳＬが配置されていることになり、配線幅が広い部分が生じるのを抑制または防止することができる。このため、開口部ＯＰ１の下方（すなわち接続領域ＣＮの下方）において、配線Ｍ２ａに開口部ＳＬを設けたことにより、その配線Ｍ２ａに起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力を小さくする効果をより的確に得ることができる。これにより、再配線ＲＷからパッドＰＤ１を経て圧力（応力）が伝達されやすい層間絶縁膜ＩＬ３において、クラックＣＲが発生するのを抑制または防止する効果をより的確に得ることができる。
また、本実施の形態では、第５の条件として、平面視において、配線Ｍ２ａと開口部ＯＰ２との重なり領域は、開口部形成領域ＲＧ１に含まれていることが好ましい。
平面視における配線Ｍ２ａと開口部ＯＰ２との重なり領域は、図３２の配線Ｍ２ａにおいてハッチングを付した領域に対応している。ここで、図３２は、本実施の形態の半導体装置の要部平面図であり、上記図２６から、開口部ＯＰ１の位置を示す二点鎖線を取り除き、平面視における配線Ｍ２ａと開口部ＯＰ２との重なり領域と、平面視における配線Ｍ２ｂと開口部ＯＰ２との重なり領域とに、ハッチングを付した図である。
なお、平面視における配線Ｍ２ａと開口部ＯＰ２との重なり領域は、配線Ｍ２ａのうち、開口部ＯＰ２と平面視において重なる領域に対応している。また、平面視において配線Ｍ２ａと開口部ＯＰ２との重なり領域が開口部形成領域ＲＧ１に含まれているということは、配線Ｍ２ａのうち、平面視において開口部ＯＰ２に重なる領域全体が、開口部形成領域ＲＧ１に含まれていることを示唆し、従って、配線Ｍ２ａのうち、平面視において開口部ＯＰ２に重なる領域全体に、複数の開口部ＳＬが配置されていることを示唆している。別の見方をすると、平面視において配線Ｍ２ａと開口部ＯＰ２との重なり領域が開口部形成領域ＲＧ１に含まれているということは、配線Ｍ２ａのうち、開口部ＯＰ２の下方に位置する領域全体が、開口部形成領域ＲＧ１に含まれていることを示唆し、従って、配線Ｍ２ａのうち、開口部ＯＰ２の下方に位置する領域全体に、複数の開口部ＳＬが配置されていることを示唆している。
接続領域ＣＮの下方の領域、すなわち開口部ＯＰ１の下方の領域は、パッドＰＤ１から層間絶縁膜ＩＬ３に印加される圧力（応力）がかなり大きい。これは、開口部ＯＰ１から露出するパッドＰＤ１に接するように再配線ＲＷが形成されており、再配線ＲＷと開口部ＯＰ１から露出するパッドＰＤ１との間には、絶縁膜が介在しないため、開口部ＯＰ１から露出するパッドＰＤ１には、再配線ＲＷから直接的に圧力（応力）が加わり、その圧力が、接続領域ＣＮの下方（すなわち開口部ＯＰ１の下方）の層間絶縁膜ＩＬ３に伝達されるためである。
一方、開口部ＯＰ２は、開口部ＯＰ１を平面視において内包しているため、平面視における開口部ＯＰ１の外側でかつ開口部ＯＰ２の内側の領域では、再配線ＲＷとパッドＰＤ１との間には、絶縁膜ＬＦは介在するが、樹脂膜ＰＬ１は介在していない。このため、平面視における開口部ＯＰ１の外側でかつ開口部ＯＰ２の内側の領域では、樹脂膜ＰＬ１が無い分、再配線ＲＷからの圧力（応力）が、絶縁膜ＬＦを介してパッドＰＤ１にある程度伝達され、更に下方の層間絶縁膜ＩＬ３に印加されることになる。すなわち、平面視において開口部ＯＰ１の外側でかつ開口部ＯＰ２の内側の領域における、パッドＰＤ１から層間絶縁膜ＩＬ３に印加される圧力（応力）は、平面視において開口部ＯＰ１の内側の領域における、パッドＰＤ１から層間絶縁膜ＩＬ３に印加される圧力（応力）よりは小さくなるが、それでもある程度の大きさとなる。このため、平面視において開口部ＯＰ２の内側の領域ほどではないが、平面視において開口部ＯＰ１の外側でかつ開口部ＯＰ２の内側の領域でも、層間絶縁膜ＩＬ３に上記クラックＣＲに相当するものが生じる可能性は、ある程度存在することになる。このため、層間絶縁膜ＩＬ３に上記クラックＣＲに相当するものが生じる可能性をできるだけ減らすためには、平面視において開口部ＯＰ１の内側の領域だけでなく、平面視において開口部ＯＰ１の外側でかつ開口部ＯＰ２の内側の領域でも、配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力を小さくすることが望ましい。
そこで、本実施の形態では、第５の条件として、平面視において、配線Ｍ２ａと開口部ＯＰ２との重なり領域は、開口部形成領域ＲＧ１に含まれていることが好ましい。第５の条件を満たせば、平面視において開口部ＯＰ２の内側の領域だけでなく、平面視において開口部ＯＰ１の外側でかつ開口部ＯＰ２の内側の領域でも、配線Ｍ２ａに複数の開口部ＳＬを形成していることになる。これにより、平面視において開口部ＯＰ２の内側の領域だけでなく、平面視において開口部ＯＰ１の外側でかつ開口部ＯＰ２の内側の領域でも、配線Ｍ２ａに起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力を小さくすることができるため、層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのを、より的確に抑制または防止することができるようになる。なお、第５の条件を満たせば、必然的に、上記第４の条件を満たすことになる。
また、図２３〜図２７（本実施の形態）の場合における配線Ｍ２ａの端部と、図２８〜図３０の検討例の場合における配線Ｍ１０２ａの端部とは、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮの下方に存在しており、すなわち、平面視において開口部ＯＰ１に重なる位置に存在している。このため、図２８〜図３０の検討例の場合は、配線Ｍ１０２ａの端部（角部）を起点として、層間絶縁膜ＩＬ３にクラックＣＲが発生する懸念があるため、図２３〜図２７（本実施の形態）の場合は、配線Ｍ２ａに複数の開口部ＳＬを設けて、配線Ｍ２ａの端部（角部）を起点として層間絶縁膜ＩＬ３にクラックＣＲが発生するのを抑制または防止している。一方、図２３〜図２７（本実施の形態）の場合における配線Ｍ２ｂの端部と、図２８〜図３０の検討例の場合における配線Ｍ１０２ｂの端部とは、パッドＰＤ１と再配線ＲＷとの接続領域ＣＮの下方には存在しておらず、すなわち、平面視において開口部ＯＰ１に重なる位置には存在していないが、平面視において開口部ＯＰ２に重なる位置には存在している。上述のように、平面視において開口部ＯＰ２の内側の領域ほどではないが、平面視において開口部ＯＰ１の外側でかつ開口部ＯＰ２の内側の領域でも、層間絶縁膜ＩＬ３に上記クラックＣＲに相当するものが生じる可能性は、ある程度存在するため、図２８〜図３０の検討例の場合は、配線Ｍ１０２ａほどではないが、配線Ｍ１０２ｂも、層間絶縁膜ＩＬ３のクラックの原因となり得る。すなわち、パッドＰＤ１と配線Ｍ１０２ｂとで挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３に、配線Ｍ１０２ｂの端部（角部）を起点としてクラックＣＲが発生する可能性も、ある程度存在している。
そこで、配線Ｍ１０２ａに相当する配線Ｍ２ａだけでなく、配線Ｍ１０２ｂに相当する配線Ｍ２ｂにも、開口部ＳＬを設けることが好ましい。そこで、図２３〜図２７の場合は、配線Ｍ２ｂにおける開口部形成領域ＲＧ２に複数の開口部ＳＬが形成されている。配線Ｍ２における開口部形成領域ＲＧ２の少なくとも一部は、平面視において開口部ＯＰ２と重なっている。なお、開口部形成領域ＲＧ２の少なくとも開口部ＯＰ２と平面視において重なっているということは、配線Ｍ２ａに形成されている複数の開口部ＳＬの少なくとも一部が開口部ＯＰ２と平面視において重なっていることを示唆している。
第５の条件は、配線Ｍ２ａだけでなく、配線Ｍ２ｂにも適用することが好ましい。すなわち、平面視において、配線Ｍ２ｂと開口部ＯＰ２との重なり領域は、開口部形成領域ＲＧ２に含まれていることが好ましい。なお、平面視における配線Ｍ２ｂと開口部ＯＰ２との重なり領域は、図３２の配線Ｍ２ｂにおいてハッチングを付した領域に対応している。
平面視における配線Ｍ２ｂと開口部ＯＰ２との重なり領域は、配線Ｍ２ｂのうち、開口部ＯＰ２と平面視において重なる領域に対応している。また、平面視において配線Ｍ２ｂと開口部ＯＰ２との重なり領域が開口部形成領域ＲＧ２に含まれているということは、配線Ｍ２ｂのうち、平面視において開口部ＯＰ２に重なる領域全体が、開口部形成領域ＲＧ２に含まれていることを示唆し、従って、配線Ｍ２ｂのうち、平面視において開口部ＯＰ２に重なる領域全体に、複数の開口部ＳＬが配置されていることを示唆している。別の見方をすると、平面視において配線Ｍ２ｂと開口部ＯＰ２との重なり領域が開口部形成領域ＲＧ２に含まれているということは、配線Ｍ２ｂのうち、開口部ＯＰ２の下方に位置する領域全体が、開口部形成領域ＲＧ２に含まれていることを示唆し、従って、配線Ｍ２ｂのうち、開口部ＯＰ２の下方に位置する領域全体に、複数の開口部ＳＬが配置されていることを示唆している。
配線Ｍ２ａだけでなく、配線Ｍ２ｂも第５の条件を満たせば、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂにおける平面視で開口部ＯＰ２に重なる領域では、すなわち、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂにおける開口部ＯＰ２の下方の領域では、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂに複数の開口部ＳＬが形成されていることになる。これにより、平面視において開口部ＯＰ２の内側の領域では、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂに起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力を小さくすることができるため、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂの端部（角部）を起点として層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのを、より的確に抑制または防止することができるようになる。
また、本実施の形態では、第６の条件として、開口部ＯＰ２の下方において、配線Ｍ２ａに幅（配線部の幅）が０．６μｍ以上となる箇所が生じないように、配線Ｍ２ａの開口部形成領域ＲＧ１に複数の開口部ＳＬが形成されていることが好ましい。なお、第６の条件の前提として、配線Ｍ２ａにおいて複数の開口部ＳＬが形成されていないと仮定した場合の配線Ｍ２ａの幅Ｗ１ａは、０．６μｍ以上である。
上述のように、幅が狭い配線Ｍ２よりも幅が広い配線Ｍ２の方が、配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力は大きくなる。本発明者の検討によれば、上記図２８〜図３０の検討例において、配線Ｍ１０２ａ，Ｍ１０２ｂの各幅が０．６μｍ以上になると、配線Ｍ１０２ａ，Ｍ１０２ｂとパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３に、配線Ｍ１０２ａ，Ｍ１０２ｂの各端部（角部）を起点としてクラックＣＲが発生する可能性が増加することが、分かった。
このため、本実施の形態では、開口部ＯＰ２の下方において、配線Ｍ２ａに、幅が大きい（広い）箇所が生じないように、複数の開口部ＳＬを形成することが好ましく、具体的には、開口部ＯＰ２の下方において、配線Ｍ２ａに幅（配線部の幅）が０．６μｍ以上となる箇所が生じないように、配線Ｍ２ａに複数の開口部ＳＬを形成することが好ましい。これにより、開口部ＯＰ２の下方において、配線Ｍ２ａに起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力をより的確に小さくすることができ、配線Ｍ２ａとパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのを、より的確に抑制または防止することができる。
第６の条件は、配線Ｍ２ａだけでなく、配線Ｍ２ｂにも適用することが好ましい。すなわち、開口部ＯＰ２の下方（直下）において、配線Ｍ２ｂに幅（配線部の幅）が０．６μｍ以上となる箇所が生じないように、配線Ｍ２ｂの開口部形成領域ＲＧ２に複数の開口部ＳＬが形成されていることが好ましい。これにより、開口部ＯＰ２の下方（直下）において、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂに起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力をより的確に小さくすることができ、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂの端部（角部）を起点として層間絶縁膜ＩＬ３にクラック（ＣＲ）が発生するのを、より的確に抑制または防止することができる。
なお、配線Ｍ２ｂにも第６の条件を適用する前提として、配線Ｍ２ｂにおいて複数の開口部ＳＬが形成されていないと仮定した場合の配線Ｍ２ｂの幅Ｗ１ｂは、０．６μｍ以上である。そして、図２６を参照すると、第６の条件を配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂが満たすために、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂのそれぞれにおいて、Ｙ方向に隣り合う開口部ＳＬに挟まれた配線部の幅Ｗ２ａは、０．６μｍ未満であることが好ましい。
また、本実施の形態では、第７の条件として、平面視において、開口部ＯＰ２から５μｍ以上離れた領域には、配線Ｍ２（Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ）に開口部ＳＬは形成されていないことが好ましい。第７の条件は、別の見方をすると、平面視において、開口部形成領域ＲＧ１，ＲＧ２の外周は、開口部ＯＰ２から５μｍ以上離れていないということである。
図３３は、第７の条件を説明するための図である。図３３は、本実施の形態の半導体装置の要部平面図であり、上記図２６から、開口部ＯＰ１の位置を示す二点鎖線を取り除き、領域ＲＧ３を示す点線を追加した図に対応している。図３３において、点線で示される領域ＲＧ３は、開口部ＯＰ２を、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ５μｍずつ拡張した領域に対応している。すなわち、平面視において、開口部ＯＰ２の外周と領域ＲＧ３の外周との間の間隔（Ｘ方向の間隔およびＹ方向の間隔）Ｌ１は、５μｍである（Ｌ１＝５μｍ）。このため、領域ＲＧ３のＸ方向の寸法は、開口部ＯＰ２のＸ方向の寸法に１０μｍ足した値であり、領域ＲＧ３のＹ方向の寸法は、開口部ＯＰ２のＹ方向の寸法に１０μｍ足した値になる。
図３３に示される点線で囲まれた領域ＲＧ３内が、平面視において開口部ＯＰ２から５μｍ以内の領域に対応しており、図３３に示される点線で囲まれた領域ＲＧ３の外側が、開口部ＯＰ２から５μｍ以上離れた領域に対応している。パッドＰＤ１の下に延在する各配線Ｍ２（Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃ）において、図３３において点線で囲まれた領域ＲＧ３よりも外側には、開口部ＳＬが形成されていないようにすることが好ましく、それによって、第７の条件を満たすことができる。第７の条件を満たすことが好ましい理由は、以下のようなものである。
平面視における開口部ＯＰ２の外側の領域では、再配線ＲＷとパッドＰＤ１との間には、絶縁膜ＬＦだけでなく、樹脂膜ＰＬ１も介在している。樹脂膜ＰＬ１は、厚みが比較的厚く（具体的には絶縁膜ＬＦよりも厚く）、また、樹脂材料からなるため比較的柔らかい（具体的には絶縁膜ＬＦよりも柔らかい）。このため、平面視における開口部ＯＰ２の外側の領域では、再配線ＲＷとパッドＰＤ１との間に絶縁膜ＬＦだけでなく樹脂膜ＰＬ１も存在する分、再配線ＲＷからの圧力（応力）は、パッドＰＤ１に伝達されにくくなり、従って、パッドＰＤ１の下方の層間絶縁膜ＩＬ３に印加されにくくなる。すなわち、平面視において開口部ＯＰ２の外側の領域における、パッドＰＤ１から層間絶縁膜ＩＬ３に印加される圧力（応力）は、平面視において開口部ＯＰ２の内側の領域における、パッドＰＤ１から層間絶縁膜ＩＬ３に印加される圧力（応力）よりも、かなり小さくなる。このため、図２３〜図２７（本実施の形態）の場合はもちろん、図２８〜図３０の検討例の場合でも、平面視において開口部ＯＰ２の外側の領域では、層間絶縁膜ＩＬ３に上記クラックＣＲに相当するものが生じる可能性は、ほとんど無いか、あったとしてもかなり小さなものとなる。このため、平面視における開口部ＯＰ２の外側の領域において、配線Ｍ２に開口部ＳＬを設けるか否かは、層間絶縁膜ＩＬ３にクラック（ＣＲ）が生じる可能性には、ほとんど影響しないで済む。一方、平面視における開口部ＯＰ２の外側の領域において、配線Ｍ２に開口部ＳＬを設けてしまうと、その分、配線Ｍ２の抵抗が増加してしまう。
そこで、本実施の形態では、第７の条件として、平面視において、開口部ＯＰ２から５μｍ以上離れた領域には、配線Ｍ２（Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃ）に複数の開口部ＳＬは形成されていないことが好ましい。第７の条件を満たせば、配線Ｍ２（Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃ）において、開口部ＳＬを設ける効果を期待できない領域（具体的には開口部ＯＰ２から５μｍ以上離れた領域）には、開口部ＳＬが形成されなくなる。これにより、層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのを抑制または防止しながら、開口部ＳＬを設けたことに伴う配線Ｍ２の抵抗増加を抑制できるため、配線Ｍ２の抵抗低減を図ることができる。
本実施の形態の技術思想をまとめると、次のようになる。本実施の形態では、パッドＰＤ１上に再配線ＲＷを形成した場合には、再配線ＲＷからパッドＰＤ１に伝達された圧力（応力）が、パッドＰＤ１の下の層間絶縁膜ＩＬ３に印加されることを考慮し、パッドＰＤ１の下の配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力を小さくすることで、配線Ｍ２とパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのを抑制または防止する。これにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる。本実施の形態では、パッドＰＤ１の下の配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力を小さくする手段として、パッドＰＤ１の下の配線Ｍ２に複数の開口部ＳＬを形成している。パッドＰＤ１の下の配線Ｍ２において、複数の開口部ＳＬは、パッドＰＤ１から層間絶縁膜ＩＬ３に印加される圧力（応力）が比較的大きくなる領域に設ける（上記第１、第２、第４、第５の条件）。また、パッドＰＤ１の下の配線Ｍ２において、複数の開口部ＳＬは、配線幅が広い箇所が生じないように、設ける（上記第３、第６の条件）。これにより、複数の開口部ＳＬを設けたことによる効果（層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのを防止する効果）を高めることができる。また、パッドＰＤ１の下の配線Ｍ２において、複数の開口部ＳＬを設けることによる効果（層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのを防止する効果）を望めない領域には、開口部（ＳＬ）を設けないことで、配線Ｍ２の抵抗低減を図ることができる（上記第７の条件）。
複数の開口部ＳＬを形成する配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂとしては、電源配線またはグランド配線を好適に適用でき、グランド配線を特に好適に適用できる。電源配線やグランド配線は、配線幅が広く、また、電源配線よりもグランド配線の方が、配線幅が大きいことが一般的である。このため、パッドＰＤ１の下に配線Ｍ２として電源配線またはグランド配線（特にグランド配線）が存在すると、その配線Ｍ２とパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜にＩＬ３にクラックＣＲが発生する懸念がある。本実施の形態では、パッドＰＤ１の下に電源配線またはグランド配線としての配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂが存在する場合に、その配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂに上述のように複数の開口部ＳＬを形成することで、電源配線またはグランド配線（配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ）とパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜にＩＬ３にクラックが発生するのを抑制または防止することができる。このため、複数の開口部ＳＬを形成する配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂとして、電源配線またはグランド配線を適用する場合、複数の開口部ＳＬを設けることで得られる効果は大きく、特に、グランド配線を適用する場合には、複数の開口部ＳＬを設けることで得られる効果は、極めて大きくなる。
また、パッドＰＤ１の下方に延在する複数の配線Ｍ２において、開口部ＳＬを設けた配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂと、開口部ＳＬを設けない配線Ｍ２ｃとを、混在させることもできる。これについて、図２３〜図２７を参照して以下に説明する。
図２３〜図２７の場合、パッドＰＤ１の下方に、配線Ｍ２として、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂだけでなく配線Ｍ２ｃ（第３配線）も延在している。配線Ｍ２ｃの幅Ｗ１ｂ（第２の幅）は、比較的小さく、具体的には、配線Ｍ２ａにおいて複数の開口部ＳＬが形成されていないと仮定した場合の、その配線Ｍ２ａの幅Ｗ１ａ（第１の幅）よりも小さく（Ｗ１ｃ＜Ｗ１ａ）、また、配線Ｍ２ｂにおいて複数の開口部ＳＬが形成されていないと仮定した場合の、その配線Ｍ２ｂの幅Ｗ１ｂよりも小さい（Ｗ１ｃ＜Ｗ１ｂ）。例えば、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂは、電源配線またはグランド配線であり、配線Ｍ２ｃは、信号配線（信号線）である。電源配線は、電源電位を供給するために使用される配線であり、グランド配線は、グランド電位（接地電位）を供給するために使用される配線であり、信号配線は、信号を伝送するために使用される配線である。電源配線およびグランド配線の配線幅はかなり広く、信号配線の配線幅は比較的小さく、信号配線の配線幅は、電源配線やグランド配線の配線幅よりも小さいことが一般的である。
図２３〜図２７の場合、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂには、複数の開口部ＳＬが形成されているが、配線Ｍ２ｃには、開口部ＳＬに相当するものは形成されていない。配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂには開口部ＳＬを形成するが、配線Ｍ２ｂには開口部を形成しない理由は、次のようなものである。
すなわち、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂについては、もしも開口部ＳＬを設けなければ、配線幅がかなり大きいことから、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂに起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力が大きくなってしまい、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂとパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生する懸念がある。一方、配線Ｍ２ｃは、開口部ＳＬを設けなくとも、配線幅が小さいため、配線Ｍ２ｃに起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力はそれほど大きくはなく、配線Ｍ２ｃとパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生する懸念は、比較的小さい。
このため、パッドＰＤ１の下に延在する配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃのうち、開口部を形成しなければ層間絶縁膜ＩＬ３のクラックを招く可能性が相対的に高い配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂについては、開口部ＳＬを設けることで、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂとパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのを抑制または防止する。一方、パッドＰＤ１の下に延在する配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃのうち、開口部を形成しなくとも層間絶縁膜ＩＬ３のクラックを招く可能性が相対的に低い配線Ｍ２ｃについては、開口部を設けないことで、配線Ｍ２ｃの抵抗低減を図ることができる。このようにパッドＰＤ１の下方に延在する配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃにおいて、開口部ＳＬを設けた配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂと開口部を設けない配線Ｍ２ｃとを混在させることで、層間絶縁膜ＩＬ３のクラックの防止と配線Ｍ２の抵抗低減とを両立させることができる。
また、上記第３の条件や第６の条件に関連して説明したように、本発明者の検討によれば、配線Ｍ２の幅が０．６μｍ以上になると、その配線Ｍ２に起因して層間絶縁膜ＩＬ３に印加される応力が大きくなり、その配線Ｍ２が上記クラックＣＲの原因になる可能性が増加することが分かった。
そこで、上記第１〜第６の条件のいずれかを満たすように開口部ＳＬを設ける配線Ｍ２（Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ）としては、複数の開口部ＳＬが形成されていないと仮定した場合の幅が０．６μｍ以上である配線Ｍ２（Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ）とすることが、好ましい。すなわち、パッドＰＤ１の下方に延在する配線Ｍ２のうち、開口部（ＳＬ）を形成しない場合には幅が０．６μｍ以上となる配線Ｍ２（Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ）については、上記第１〜第６の条件のいずれかを満たすように開口部ＳＬを形成することが好ましい。
一方、開口部を形成しない場合でも幅が０．６μｍ未満である配線Ｍ２（Ｍ２ｃ）においては、上記第１〜第６の条件のいずれかを満たすように開口部ＳＬを設けることもできるが、開口部ＳＬを設けなくとも層間絶縁膜ＩＬ３にクラックを発生させる懸念は小さいため、開口部ＳＬに相当するものを形成しないこともでき、そうすれば、配線Ｍ２（Ｍ２ｃ）の抵抗低減を図ることができる。
このため、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂは、複数の開口部ＳＬが形成されていないと仮定した場合の幅Ｗ１ａ，Ｗ１ｂがそれぞれ０．６μｍ以上であることが好ましく、配線Ｍ２ｃは、幅Ｗ１ｃが０．６μｍ未満の配線であることが好ましい。開口部ＳＬを設ける効果（層間絶縁膜ＩＬ３のクラックを防止する効果）が大きな配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂについては、開口部ＳＬを設け、開口部ＳＬを設ける効果が小さな、０．６μｍ未満の幅を有する配線Ｍ２ｃについては、開口部を設けないことで、層間絶縁膜ＩＬ３のクラック防止と配線Ｍ２の抵抗低減とを、効率的に実現することができる。
また、本実施の形態（図２３〜図２７および図３１〜図３４）では、パッドＰＤ１の下を、開口部ＳＬを有する１本の配線Ｍ２ａと、開口部ＳＬを有する１本のＭ２ｂと、開口部ＳＬを有さない３本の配線Ｍ２ｃと、が通過する場合について図示しているが、各配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃの本数は、これに限定されず種々変更可能である。また、パッドＰＤ１の下に配線Ｍ２ｃが存在しない場合もあり得る。また、パッドＤＰ１の下に、配線Ｍ２ａ，２ｂの両方が存在する場合だけでなく、配線Ｍ２ａ，２ｂのうちの一方は存在するが他方は存在しない場合もあり得る。なお、上述のように、配線Ｍ２ａは、その端部が接続領域ＣＮ（開口部ＯＰ１）の下方に位置する配線であり、かつ開口部ＳＬを有する配線であり、また、配線Ｍ２ｂは、その端部が、接続領域ＣＮ（開口部ＯＰ１）の下方には位置しないが、開口部ＯＰ２の下方に位置する配線であり、かつ開口部ＳＬを有する配線であり、また、配線Ｍ２ｃは、開口部ＳＬを有さない配線である。
＜変形例＞
本実施の形態の各変形例について、図面を参照して説明する。
図３４は、本実施の形態の第１変形例の半導体装置の要部断面図であり、上記図２３に相当するものである。上記図２３と同様に、図３４においても、上記層間絶縁膜ＩＬ２とそれよりも下の構造については図示を省略してある。また、図３５および図３６は、本実施の形態の第１変形例の半導体装置の要部平面図であり、それぞれ上記図２７および図２６に相当するものである。すなわち、図３５および図３６には、パッドＰＤ１よりも下層の配線Ｍ２が示されているが、図３５には、開口部形成領域ＲＧ１を示す点線が示され、また、図３６には、上記絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１の位置を示す二点鎖線と、上記樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２の位置を示す一点鎖線とが示されている。なお、図２５は、平面図であるが、理解を簡単にするために、配線Ｍ２（Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃ）にハッチングを付してある。また、図３５のＡ−Ａ線の位置での断面図が、図２４にほぼ対応している。パッドＰＤ１を示す平面図は、第１変形例の場合も、上記図２４と同様である。
図３４〜図３６の第１変形例の場合は、パッドＰＤ１の下に延在する配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃのうち、配線Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃには、開口部（ＳＬ）は形成されていない。また、配線Ｍ２ａにおける開口部形成領域ＲＧ１に複数の開口部ＳＬが形成されているが、図３４〜図３６の第１変形例における開口部形成領域ＲＧ１の面積は、上記図２３〜図２７の場合における開口部形成領域ＲＧ１の面積よりも小さくなっている。すなわち、図３４〜図３６の第１変形例の場合は、開口部形成領域ＲＧ１は、平面視において開口部ＯＰ２に内包されている。
図３４〜図３６の第１変形例の半導体装置の他の構成は、上記図２３〜図２７の半導体装置と同様であるので、ここではその繰り返しの説明は省略する。
図３４〜図３６の第１変形例は、上記第１の条件、第２の条件、第３の条件、第４の条件および第７の条件は満たしているが、上記第５の条件および第６の条件は満たしていない。図３４〜図３６の第１変形例は、上記第１の条件、第２の条件、第３の条件および第４の条件を満たしているため、パッドＰＤ１と配線Ｍ２とで挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのを抑制または防止する効果を得ることができる。但し、上記図２３〜図２７の場合は、更に上記第５の条件および第６の条件も満たしているため、図３４〜図３６の第１変形例に比べて、パッドＰＤ１と配線Ｍ２とで挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのを抑制または防止する効果を、更に高めることができる。
図３７〜図４０は、本実施の形態の第２変形例の半導体装置の要部平面図であり、いずれも上記図２７に対応するものである。
上記図２７の場合と図３７〜図４０のそれぞれの場合とにおいて、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂの開口部形成領域ＲＧ１，ＲＧ２に複数の開口部ＳＬが形成されているが、開口部ＳＬの平面形状が、上記図２７の場合と図３７〜図４０のそれぞれの場合とで相違している。
すなわち、上記図２７の場合は、複数の開口部ＳＬは、配線Ｍ２ａ，ＲＧ２ｂの開口部形成領域ＲＧ１，ＲＧ２に、スリット状に形成されている。それに対して、図３７〜図４０のそれぞれの場合は、複数の開口部ＳＬは、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂの開口部形成領域ＲＧ１，ＲＧ２に、メッシュ状（網目状）に形成されている。まず、上記図２７の場合について説明する。
上記図２７の場合、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂは、Ｘ方向に延在している。このＸ方向に延在する配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂの開口部形成領域ＲＧ１，ＲＧ２のそれぞれにおいて、Ｘ方向に延在するスリット状の開口部ＳＬが、Ｙ方向に複数並んで配置されている。各開口部ＳＬは、スリット状であるため、平面視において、一方向（ここではＸ方向）に延在する細長い平面形状を有しており、例えばＸ方向を長辺方向とする長方形状の平面形状を有している。このため、各開口部ＳＬは、Ｘ方向の寸法（長さ）が、Ｙ方向の寸法（幅）よりも大きい。図２７の場合は、各開口部ＳＬ（スリット）の幅（Ｙ方向の寸法）は、互いに同じである。また、図２７の場合は、Ｍ２ａ，Ｍ２ｂの開口部形成領域ＲＧ１，ＲＧ２のそれぞれにおいて、Ｙ方向に同じ間隔（配列ピッチ）で複数の開口部ＳＬ（スリット）が並んでいるため、開口部ＳＬ（スリット）に挟まれた配線部の幅Ｗ２ａ（図２６参照）は、互いに同じである。なお、開口部ＳＬ（スリット）に挟まれた配線部は、Ｘ方向に延在しているが、開口部ＳＬ（スリット）に挟まれた配線部の幅Ｗ２ａは、上記第３の条件や第６の条件に関連して説明したように、０．６μｍ未満であることが好ましい。
配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂのそれぞれにおいて、スリット状の開口部ＳＬを形成した場合には、そのスリット（開口部ＳＬ）の延在方向（長辺方向）は、その配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂの延在方向（ここではＸ方向）と同じであることが好ましい。これにより、開口部ＳＬを設けたことに伴う配線Ｍ２ａの抵抗増加を抑制しやすくなり、配線Ｍ２ａの抵抗低減に有利となる。
すなわち、配線Ｍ２ａにおいては、電流方向は、その配線Ｍ２ａの延在方向である。このため、配線Ｍ２ａにおいて、その配線Ｍ２ａの延在方向（ここではＸ方向）を横切るようにスリット（開口部ＳＬ）を設ける場合よりも、その配線Ｍ２ａの延在方向に沿うようにスリット（開口部ＳＬ）を設ける場合の方が、電流経路を確保しやすく、配線Ｍ２ａの抵抗が低くなる。このため、配線Ｍ２ａに開口部ＳＬとしてスリットを設ける場合は、そのスリット（開口部ＳＬ）の延在方向（長辺方向）は、配線Ｍ２ａの延在方向と同じであることが好ましい。これは、配線Ｍ２ｂについても同様である。
次に、図３７（第２変形例）の場合について説明する。
図３７の場合、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂは、Ｘ方向に延在している。このＸ方向に延在する配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂの開口部形成領域ＲＧ１，ＲＧ２のそれぞれにおいて、メッシュ状の複数の開口部ＳＬが形成されている。すなわち、例えば長方形状または正方形状の平面形状をそれぞれ有する複数の開口部ＳＬが、Ｘ方向およびＹ方向にアレイ状（行列状）に配列している。また、図３７の場合は、Ｘ方向およびＹ方向に同じ間隔（配列ピッチ）で複数の開口部ＳＬ（スリット）が並んでいるため、開口部ＳＬ（スリット）に挟まれた配線部の幅（Ｙ方向の寸法）Ｗ２ｂは、互いに同じである。開口部ＳＬ（スリット）に挟まれた配線部の幅Ｗ２ｂは、上記第３の条件や第６の条件に関連して説明したように、０．６μｍ未満であることが好ましい。
なお、図３７の開口部ＳＬの配列（アレイ状の配列）において、列毎に１／２ピッチずつ配列をずらすことにより、複数の開口部ＳＬを、いわゆる千鳥配列で配列させることもでき、その場合（千鳥配列の場合）が図３８に示されている。図３７の場合と図３８の場のいずれも、複数の開口部ＳＬはメッシュ状に形成されているとみなすことができる。また、図３７および図３８には、各開口部ＳＬの平面形状が矩形の場合が示されているが、矩形以外の平面形状（例えば円形状など）を採用することもできる。図３７における各開口部ＳＬの平面形状を円形状に変えた場合が、図３９に示され、図３８における各開口部ＳＬの平面形状を円形状に変えた場合が、図４０に示されている。図３７〜図４０のいずれの場合も、複数の開口部ＳＬはメッシュ状に形成されているとみなすことができる。
配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂの開口部形成領域ＲＧ１，ＲＧ２に複数の開口部ＳＬがスリット状に形成されている場合（上記図２７の場合）には、次のような利点を得られる。すなわち、開口部ＳＬ内に埋め込まれた部分の層間絶縁膜ＩＬ３の量（体積）を効率的に増加させることができるため、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂの収縮や膨張を、開口部ＳＬ（スリット）内に埋め込まれた部分の層間絶縁膜ＩＬ３によって抑えやすくなる。このため、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂとパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのを抑制または防止する効果を、より高めることができる。
配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂの開口部形成領域ＲＧ１，ＲＧ２に複数の開口部ＳＬがメッシュ状に形成されている場合（図３７〜図４０の場合）には、次のような利点を得られる。すなわち、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂに複数の開口部ＳＬを設けたことに伴う配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂの抵抗増加を抑制することができ、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂの抵抗低減を図ることができる。また、配線Ｍ２ａ，Ｍ２ｂにおいて、電流が局所的に集中する現象が生じにくくなる。
次に、本実施の形態の第３変形例について説明する。図４１〜図４４は、本実施の形態の第３変形例の半導体装置の要部平面図である。図４１〜図４４のそれぞれには、パッドＰＤ１の下に延在する配線Ｍ２である配線Ｍ２ａが示されており、理解を簡単にするために、配線Ｍ２ａにハッチングを付してある。また、図４１〜図４４のそれぞれにおいては、上記絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１の位置を示す二点鎖線と、上記樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２の位置を示す一点鎖線と、開口部形成領域ＲＧ１を示す点線とも、示されている。パッドＰＤ１を示す平面図は、第３変形例の場合も、上記図２４と同様である。
まず、図４１の場合について説明する。図４１の場合、パッドＰＤ１の下に配線Ｍ２ａが延在しているが、その配線Ｍ２ａは、Ｘ方向に延在する配線部Ｍ２ａ１と、Ｙ方向に延在する配線部Ｍ２ａ２と、を一体的に有している。図４１における配線部Ｍ２ａ１が、上記図２５〜図２７に示される配線Ｍ２ａに相当しており、上記図２５〜図２７に示される配線Ｍ２ａに対して、Ｙ方向に延在する配線部Ｍ２ａ２を一体的に連結したものが、図４１の配線Ｍ２ａに対応している。このため、図４１の配線部Ｍ２ａ１には、上記図２５〜図２７に示される配線Ｍ２ａにおける複数の開口部ＳＬと同様の複数の開口部ＳＬが形成されている。また、配線部Ｍ２ａ２にも、複数の開口部ＳＬが形成されている。すなわち、図４１の場合も、配線Ｍ２ａにおける開口部形成領域ＲＧ１に複数の開口部ＳＬが形成されている。
図４１〜図４４の場合も、上記第１〜第７の条件を満たしているため、上述したような効果を得ることができる。
なお、平面視において、配線部Ｍ２ａ１と配線部Ｍ２ａ２との連結部が、樹脂膜ＰＬ１の開口部ＯＰ２内に位置している場合、特に、絶縁膜ＬＦの開口部ＯＰ１内に位置している場合には、配線Ｍ２ａとパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのを防止するためには、配線部Ｍ２ａ１と配線部Ｍ２ａ２との連結部の近傍にも開口部ＳＬが形成されていることが好ましい。このため、図４１〜図４４のそれぞれの場合において、配線部Ｍ２ａ１と配線部Ｍ２ａ２との連結部は、開口部形成領域ＲＧ１に含まれており、配線部Ｍ２ａ１と配線部Ｍ２ａ２との連結部の近傍にも、開口部ＳＬが形成されている。
しかしながら、図４１の場合は、配線部Ｍ２ａ２から配線部Ｍ２ａ１へ流れる電流経路の抵抗が大きくなる虞がある。これについて、以下に説明する。
図４１の場合は、配線部Ｍ２ａ１における開口部形成領域ＲＧ１のほぼ全体にわたって、複数の開口部ＳＬはＸ方向に延在するスリット状に形成されている。また、図４１の場合は、配線部Ｍ２ａ２における開口部形成領域ＲＧ１のほぼ全体にわたって、複数の開口部ＳＬはＹ方向に延在するスリット状に形成されている。
配線部Ｍ２ａ２は、配線部Ｍ２ａ１における配線部Ｍ２ｄ１に連結されているため、配線部Ｍ２ｄ１は、配線部Ｍ２ａ２から配線部Ｍ２ａ１へ流れる電流の経路として機能できるが、それ以外の配線部Ｍ２ｄ２，Ｍ２ｄ３，Ｍ２ｄ４は、配線部Ｍ２ａ２から配線部Ｍ２ａ１へ流れる電流の経路としては、ほとんど機能できない。ここで、配線部Ｍ２ｄ１，Ｍ２ｄ２，Ｍ２ｄ３，Ｍ２ｄ４は、配線部Ｍ２ａ１の一部を構成する配線部であり、それぞれＹ方向に延在している。配線部Ｍ２ｄ１，Ｍ２ｄ２，Ｍ２ｄ３，Ｍ２ｄ４は、間に開口部ＳＬが存在しており、その開口部ＳＬによって互いに分離されている。
このため、図４１の場合は、配線部Ｍ２ａ２から配線部Ｍ２ａ１へ流れる電流経路の抵抗が大きくなる虞がある。この点を改善した場合が、図４２の場合である。
図４２の場合も、図４１の場合と同様に、配線部Ｍ２ａ２における開口部形成領域ＲＧ１のほぼ全体にわたって、複数の開口部ＳＬがＹ方向に延在するスリット状に形成されている。しかしながら、図４１の場合とは異なり、図４２の場合は、配線部Ｍ２ａ１における開口部形成領域ＲＧ１において、複数の開口部ＳＬは、配線部Ｍ２ａ１と配線部Ｍ２ａ２との連結部の近傍ではメッシュ状に形成され、配線部Ｍ２ａ１と配線部Ｍ２ａ２との連結部の近傍以外では、Ｘ方向に延在するスリット状に形成されている。つまり、図４１の場合は、配線部Ｍ２ａ１における開口部形成領域ＲＧ１において、配線部Ｍ２ａ１と配線部Ｍ２ａ２との連結部の近傍でも、開口部ＳＬはＸ方向に延在するスリット状に形成されていたが、図４２の場合は、配線部Ｍ２ａ１における開口部形成領域ＲＧ１において、配線部Ｍ２ａ１と配線部Ｍ２ａ２との連結部の近傍では、開口部ＳＬはメッシュ状に形成されている。それ以外は、図４２の場合も、図４１の場合と基本的には同じである。
図４２の場合は、配線部Ｍ２ａ１における開口部形成領域ＲＧ１において、配線部Ｍ２ａ１と配線部Ｍ２ａ２との連結部の近傍では、開口部ＳＬをメッシュ状に形成したことで、配線部Ｍ２ｄ１だけでなく、配線部Ｍ２ｄ２，Ｍ２ｄ３，Ｍ２ｄ４も、配線部Ｍ２ａ２から配線部Ｍ２ａ１へ流れる電流の経路として機能することができるようになる。これは、メッシュ状の開口部間をＹ方向に延在する配線部によって、Ｘ方向に延在する配線部Ｍ２ｄ２，Ｍ２ｄ３，Ｍ２ｄ４同士が連結されるからである。このため、図４２の場合は、図４１の場合に比べて、配線部Ｍ２ａ２から配線部Ｍ２ａ１へ流れる電流の経路抵抗を低減することができる。
図４３は、図４２の場合において、配線部Ｍ２ａ２における開口部形成領域ＲＧ１のほぼ全体にわたって、複数の開口部ＳＬがメッシュ状に形成された場合に対応している。このため、図４３の場合も、図４２の場合と同様に、配線部Ｍ２ａ１における開口部形成領域ＲＧ１においては、配線部Ｍ２ａ１と配線部Ｍ２ａ２との連結部の近傍では複数の開口部ＳＬはメッシュ状に形成され、それ以外では、複数の開口部ＳＬはＸ方向に延在するスリット状に形成されている。
図４３の場合は、図４１の場合に比べて、配線部Ｍ２ａ２から配線部Ｍ２ａ１へ流れる電流経路の抵抗を低減することができる。また、図４３の場合は、配線部Ｍ２ａ２における開口部形成領域ＲＧ１において、複数の開口部ＳＬをメッシュ状に形成したことにより、図４２の場合に比べて、配線部Ｍ２ａ２の抵抗を更に低減することができる。
図４４は、配線Ｍ２ａにおける開口部形成領域ＲＧ１の全体にわたって、すなわち、配線部Ｍ２ａ２における開口部形成領域ＲＧ１の全体と配線部Ｍ２ａ１における開口部形成領域ＲＧ１の全体とにわたって、複数の開口部ＳＬがメッシュ状に形成された場合に対応している。図４４の場合は、図４１の場合に比べて、配線部Ｍ２ａ２から配線部Ｍ２ａ１へ流れる電流経路の抵抗を低減することができる。また、図４４の場合は、配線Ｍ２ａにおける開口部形成領域ＲＧ１全体において、複数の開口部ＳＬをメッシュ状に形成したことにより、図４１〜図４３のそれぞれの場合に比べて、配線Ｍ２ａの抵抗を更に低減することができる。
一方、開口部ＳＬをスリット状に形成すれば、開口部ＳＬ内に埋め込まれた部分の層間絶縁膜ＩＬ３の量（体積）を効率的に増加させることができるため、配線Ｍ２ａの収縮や膨張を、開口部ＳＬ（スリット）内に埋め込まれた部分の層間絶縁膜ＩＬ３によって抑えやすくなる。これは、配線Ｍ２ａとパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのを抑制または防止する効果を、より高めるように作用する。このため、図４４の場合よりも図４３の場合の方が、また、図４３の場合よりも図４２の場合の方が、配線Ｍ２ａとパッドＰＤ１とに挟まれた層間絶縁膜ＩＬ３にクラックが発生するのを抑制または防止する効果を、より高めることができる。
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
ＣＮ 接続領域
ＩＬ１，ＩＬ２，ＩＬ３ 層間絶縁膜
ＬＦ 絶縁膜
ＬＭ 積層膜
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ，Ｍ２ｃ，Ｍ３，Ｍ１０２ａ，Ｍ１０２ｂ，Ｍ１０２ｃ 配線
ＯＰ１，ＯＰ２，ＯＰ３，ＯＰ４，ＳＬ 開口部
ＰＤ１，ＰＤ２ パッド
ＰＡ 保護膜
ＰＬ１ 樹脂膜
ＲＧ１，ＲＧ２ 開口部形成領域
ＲＷ 再配線
ＳＢ 半導体基板

Claims (19)

  1. 半導体基板と、
    前記半導体基板上に第１層間絶縁膜を介して形成された第１配線と、
    前記第１層間絶縁膜上に、前記第１配線を覆うように形成された第２層間絶縁膜と、
    前記第２層間絶縁膜上に形成された第１パッドと、
    前記第２層間絶縁膜上に形成され、前記第１パッドを露出する第１開口部を有する第１絶縁膜と、
    前記第１開口部から露出された前記第１パッド上を含む前記第１絶縁膜上に形成され、前記第１パッドと電気的に接続された第２配線と、
    前記第１絶縁膜上に形成され、前記第２配線と一体的に接続された第２パッドと、
    を有し、
    前記第１配線の少なくとも一部は、前記第１パッドと平面視において重なっており、
    前記第１パッドと前記第２配線との接続領域の下方に、前記第１配線の端部が位置し、
    前記第１配線における第１領域に複数の第２開口部が形成されており、
    前記第１領域の少なくとも一部は、前記接続領域と平面視において重なっており、
    前記第１配線は、第１方向に延在する第１配線部と、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２配線部と、を一体的に有し、
    前記第１配線部と前記第２配線部との連結部は、前記第１領域に含まれており、
    前記第１配線部における前記第１領域において、前記複数の第２開口部は、前記連結部の近傍ではメッシュ状に形成され、前記連結部の近傍以外では、前記第１方向に延在するスリット状に形成されている、半導体装置。
  2. 請求項１記載の半導体装置において、
    平面視において、前記第１配線と前記接続領域との重なり領域は、前記第１領域に含まれている、半導体装置。
  3. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記複数の第２開口部は、前記第１配線の前記第１領域に、スリット状に形成されている、半導体装置。
  4. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記複数の第２開口部は、前記第１配線の前記第１領域に、メッシュ状に形成されている、半導体装置。
  5. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記第１配線において前記複数の第２開口部が形成されていないと仮定した場合の前記第１配線の第１の幅は、０．６μｍ以上であり、
    前記接続領域の下方において、前記第１配線に幅が０．６μｍ以上となる箇所が生じないように、前記第１配線の前記第１領域に前記複数の第２開口部が形成されている、半導体装置。
  6. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記第１絶縁膜は、第２絶縁膜と前記第２絶縁膜上の第３絶縁膜との積層膜からなり、
    前記第３絶縁膜は、樹脂膜からなり、
    前記第１開口部は、前記第２絶縁膜の第３開口部と、前記第３絶縁膜の第４開口部とにより形成されており、
    前記第３開口部は、平面視において前記第４開口部に内包され、
    前記第２絶縁膜の前記第３開口部から露出された前記第１パッドに、前記第２配線が接続されている、半導体装置。
  7. 請求項６記載の半導体装置において、
    平面視において、前記第１配線と前記第３開口部との重なり領域は、前記第１領域に含まれている、半導体装置。
  8. 請求項７記載の半導体装置において、
    平面視において、前記第１配線と前記第４開口部との重なり領域は、前記第１領域に含まれている、半導体装置。
  9. 請求項８記載の半導体装置において、
    前記第１配線において前記複数の第２開口部が形成されていないと仮定した場合の前記第１配線の第１の幅は、０．６μｍ以上であり、
    前記第４開口部の下方において、前記第１配線に幅が０．６μｍ以上となる箇所が生じないように、前記第１配線の前記第１領域に前記複数の第２開口部が形成されている、半導体装置。
  10. 請求項８記載の半導体装置において、
    平面視において、前記第４開口部から５μｍ以上離れた領域には、前記複数の第２開口部は形成されていない、半導体装置。
  11. 請求項８記載の半導体装置において、
    前記複数の第２開口部は、前記第１配線の前記第１領域に、スリット状に形成されている、半導体装置。
  12. 請求項８記載の半導体装置において、
    前記複数の第２開口部は、前記第１配線の前記第１領域に、メッシュ状に形成されている、半導体装置。
  13. 請求項８記載の半導体装置において、
    前記第２絶縁膜は、酸化シリコン膜からなる第４絶縁膜と、前記第４絶縁膜上に形成された酸窒化シリコン膜または窒化シリコン膜からなる第５絶縁膜と、の積層膜からなる、半導体装置。
  14. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記第１パッドは、アルミニウムパッドであり、
    前記第２配線は、銅配線である、半導体装置。
  15. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記第１配線は、電源配線またはグランド配線である、半導体装置。
  16. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記第１絶縁膜上に、前記第２配線を覆うように形成された保護絶縁膜を更に有し、
    前記保護絶縁膜は、前記第２パッドを露出する第５開口部を有する、半導体装置。
  17. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記第１パッドの下方に延在する、前記第１配線と同層の第３配線を更に有し、
    前記第３配線の少なくとも一部は、前記第１パッドと平面視において重なっており、
    前記接続領域の下方に、前記第３配線の端部が位置し、
    前記第３配線には、開口部は形成されておらず、
    前記第３配線の第２の幅は、前記第１配線において前記複数の第２開口部が形成されていないと仮定した場合の前記第１配線の第１の幅よりも小さい、半導体装置。
  18. 請求項１７記載の半導体装置において、
    前記第１配線は、電源配線またはグランド配線であり、
    前記第３配線は信号配線である、半導体装置。
  19. 半導体基板と、
    前記半導体基板上に第１層間絶縁膜を介して形成された第１配線と、
    前記第１層間絶縁膜上に、前記第１配線を覆うように形成された第２層間絶縁膜と、
    前記第２層間絶縁膜上に形成された第１パッドと、
    前記第２層間絶縁膜上に形成され、前記第１パッドを露出する第１開口部を有する第１絶縁膜と、
    前記第１開口部から露出された前記第１パッド上を含む前記第１絶縁膜上に形成され、前記第１パッドと電気的に接続された第２配線と、
    前記第１絶縁膜上に形成され、前記第２配線と一体的に接続された第２パッドと、
    を有し、
    前記第１絶縁膜は、第２絶縁膜と前記第２絶縁膜上の第３絶縁膜との積層膜からなり、
    前記第３絶縁膜は、樹脂膜からなり、
    前記第１開口部は、前記第２絶縁膜の第３開口部と、前記第３絶縁膜の第４開口部とにより形成されており、
    前記第３開口部は、平面視において前記第４開口部に内包され、
    前記第２絶縁膜の前記第３開口部から露出された前記第１パッドに、前記第２配線が接続されており、
    前記第１配線の少なくとも一部は、前記第１パッドと平面視において重なっており、
    前記第４開口部の下方に、前記第１配線の端部が位置し、
    前記第１配線における第１領域に複数の第２開口部が形成されており、
    前記第１領域の少なくとも一部は、前記第４開口部と平面視において重なっており、
    前記第１配線は、第１方向に延在する第１配線部と、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２配線部と、を一体的に有し、
    前記第１配線部と前記第２配線部との連結部は、前記第１領域に含まれており、
    前記第１配線部における前記第１領域において、前記複数の第２開口部は、前記連結部の近傍ではメッシュ状に形成され、前記連結部の近傍以外では、前記第１方向に延在するスリット状に形成されている、半導体装置。
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