JP6822767B2 - 半導体製造チャンバ内の消耗部品の余寿命の推定 - Google Patents
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Description
本出願は、2015年1月28日に出願され発明の名称を「ESTIMATION OF LIFETIME REMAINING FOR A CONSUMABLE−PART IN A SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CHAMBER(半導体製造チャンバ内の消耗部品の余寿命の推定)」とする米国仮特許出願第62/109,016号の優先権を主張する。この仮出願は、参照によって本明細書に組み込まれる。
本発明は以下の適用例としても実現できる。
[適用例1]
半導体基板を処理するためにプラズマが使用されるチャンバの内部で使用するための消耗部品であって、
前記チャンバ内での処理時に前記プラズマに暴露されるように構成された表面を有する本体と、
前記本体に組み込まれたトリガ特徴であって、前記本体の前記表面の下に配された空所を含み、前記空所は、時間の経過とともに前記プラズマへの暴露によって前記表面が浸食されると見えてくるように構成され、前記見えてくる空所は、前記本体の前記表面上の、前記消耗部品の摩耗レベルを示す識別可能特徴であり、前記摩耗レベルは、前記消耗部品に残されている処理時間の長さに関係付けられる、トリガ特徴と、
を備える消耗部品。
[適用例2]
適用例1に記載の消耗部品であって、
前記残されている処理時間の長さは、前記空所が検査用スコープによって最初に見えてからの所定の期間と相関がある、消耗部品。
[適用例3]
適用例1に記載の消耗部品あって、
前記トリガ特徴は、更に、前記本体の表面と実質的に同一面上にあるキャップ要素であって、前記空所の上方に位置し、前記基板の処理時における前記チャンバ内でのプロセスシフトを回避するために前記消耗部品と同じ材料であるキャップ要素を備える消耗部品。
[適用例4]
適用例1に記載の消耗部品であって、
前記消耗部品は、更に、前記消耗部品の上方に分布された1つ以上の追加のトリガ特徴を含む、消耗部品。
[適用例5]
適用例4に記載の消耗部品であって、
前記1つ以上の追加のトリガ特徴は、深さが異なるキャップ要素を含む、消耗部品。
[適用例6]
適用例4に記載の消耗部品であって、
前記1つ以上の追加のトリガ特徴は、深さが異なるそれぞれの空所を含む、消耗部品。
[適用例7]
適用例1に記載の消耗部品であって、
前記空所の上方のキャップ要素は、前記本体と同じ材料である、消耗部品。
[適用例8]
システムであって、
半導体基板を処理するために使用されるプラズマを発生させるように構成されたチャンバと、
前記チャンバの内部で使用されるように構成され、本体と、トリガ特徴とを含む消耗部品であって、前記本体は、前記チャンバ内での処理時に前記プラズマに暴露されるように構成された表面を有し、前記トリガ特徴は、前記本体に組み込まれており、前記トリガ特徴は、前記本体の前記表面の下に配された空所を含み、前記空所は、時間の経過とともに前記プラズマへの暴露によって前記表面が浸食されると見えてくるように構成される、消耗部品と、
前記消耗部品が前記チャンバ内にある間に前記消耗部品を検査するための検査用スコープと、
前記検査用スコープによって得られた情報に基づいて、前記空所が見えているかどうかを決定するように構成されたコントローラであって、前記見えてくる空所は、前記本体の前記表面上の、前記消耗部品の摩耗レベルを示す識別可能特徴であり、前記摩耗レベルは、前記消耗部品に残されている処理時間の長さに関係付けられ、前記空所のサイズは、前記表面が浸食された後に前記空所が前記プラズマに暴露されたときの前記チャンバ内でのプロセスシフトを回避するように構成される、コントローラと、
を備えるシステム。
[適用例9]
適用例8に記載のシステムであって、
前記検査用スコープは、可視スペクトル、赤外線画像、音波、超音波、及び高周波の1枚以上の画像を用いて前記消耗部品を検査するように構成される、システム。
[適用例10]
適用例8に記載のシステムであって、
前記トリガ特徴の深さは、前記本体の幅の約半分である、システム。
[適用例11]
適用例8に記載のシステムであって、
前記トリガ特徴の深さは、前記本体の垂直幅の10%から99%の範囲内である、システム。
[適用例12]
適用例8に記載のシステムであって、
前記空所の形状は、円筒状である、システム。
[適用例13]
適用例8に記載のシステムであって、
前記空所の形状は、円錐台である、システム。
[適用例14]
適用例8に記載のシステムであって、
前記トリガ特徴は、更に、前記本体の表面と同一面上にあるキャップ要素を含み、前記キャップ要素は、前記空所の上方に位置し、前記キャップ要素は、前記本体上の対応する引っ込みにぴたりと嵌るように構成された突出環を含む、システム。
[適用例15]
消耗部品上の摩耗を検出するための方法であって、
半導体製造のためのチャンバ内に前記消耗部品を置くことであって、前記消耗部品は、本体と、トリガ特徴とを含み、前記本体は、前記チャンバ内での処理時にプラズマに暴露されるように構成された表面を有し、前記トリガ特徴は、前記本体に組み込まれており、前記トリガ特徴は、前記本体の前記表面下に配された空所を含み、前記空所は、時間の経過とともにプラズマへの暴露によって前記表面が浸食されると見えてくるように構成され、前記見えてくる空所は、前記本体の前記表面上の、前記消耗部品の摩耗レベルを示す識別可能特徴である、ことと、
前記チャンバに検査用スコープを挿入することと、
前記空所が見えているかどうかを決定するために、前記検査用スコープによって得られた情報を解析することと、
前記空所が見えてきた時点で前記チャンバ内の前記消耗部品の交換までに残されている時間の長さを決定することと、
を備える方法。
[適用例16]
適用例15に記載の方法であって、
前記トリガ特徴は、更に、前記本体の表面と同一面上にあるキャップ要素を含み、前記キャップ要素は、前記空所の上方に位置し、前記キャップ要素は、円形である、方法。
[適用例17]
適用例15に記載の方法であって、
前記空所の上方のキャップ要素は、前記本体に沿って走る溝の形状を有する、方法。
[適用例18]
適用例15に記載の方法であって、
前記トリガ特徴は、更に、対応する追加の空所の上方に追加のキャップを含む、方法。
[適用例19]
適用例15に記載の方法であって、
前記空所は、逆さにされた円錐の形状を有する、方法。
[適用例20]
適用例15に記載の方法であって、
前記方法の動作は、1つ以上のプロセッサによって実行されるときにコンピュータプログラムによって実施され、前記コンピュータプログラムは、非一過性のコンピュータ読み取り可能ストレージメディアに組み込まれている、方法。
Claims (6)
- 半導体基板を処理するためにプラズマが使用されるチャンバの内部で使用するための消耗部品であって、
前記チャンバ内での処理時に前記プラズマに暴露されるように構成された表面を有する本体と、
前記本体に組み込まれたトリガ特徴であって、前記本体の前記表面の下に配された空所を含み、前記空所は、時間の経過とともに前記プラズマへの暴露によって前記表面が浸食されると見えてくるように構成され、前記見えてくる空所は、前記本体の前記表面上の、前記消耗部品の摩耗レベルを示す識別可能特徴であり、前記摩耗レベルは、前記消耗部品に残されている処理時間の長さに関連付けられる、トリガ特徴と、
を備え、
前記トリガ特徴は、更に、前記本体の表面と実質的に同一面上にあるキャップ要素であって、前記空所の上方に位置し、前記基板の処理時における前記チャンバ内でのプロセスシフトを回避するために前記消耗部品と同じ材料であるキャップ要素を備え、
前記キャップ要素は前記本体と異なる部材である、
消耗部品。 - 請求項1に記載の消耗部品であって、
前記残されている処理時間の長さは、前記空所が検査用スコープによって最初に見えてからの所定の期間と相関がある、消耗部品。 - 請求項1に記載の消耗部品であって、
前記消耗部品は、更に、前記消耗部品の上方に分布された1つ以上の追加のトリガ特徴を含む、消耗部品。 - 請求項3に記載の消耗部品であって、
前記1つ以上の追加のトリガ特徴は、深さが異なるキャップ要素を含む、消耗部品。 - 請求項3に記載の消耗部品であって、
前記1つ以上の追加のトリガ特徴は、深さが異なるそれぞれの空所を含む、消耗部品。 - 請求項1に記載の消耗部品であって、
前記空所の上方のキャップ要素は、前記本体と同じ材料である、消耗部品。
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KR102424818B1 (ko) * | 2015-05-27 | 2022-07-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링 |
US10177018B2 (en) | 2016-08-11 | 2019-01-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit erosion and service life prediction |
US20180061696A1 (en) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | Applied Materials, Inc. | Edge ring or process kit for semiconductor process module |
US10655224B2 (en) * | 2016-12-20 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Conical wafer centering and holding device for semiconductor processing |
JP2018107264A (ja) * | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 消耗判定方法及びプラズマ処理装置 |
CN118197892A (zh) * | 2017-05-31 | 2024-06-14 | 朗姆研究公司 | 用于可调/可更换边缘耦合环的检测系统 |
CN107578975B (zh) * | 2017-08-17 | 2020-06-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室及半导体加工设备 |
US10937637B2 (en) * | 2017-08-31 | 2021-03-02 | Applied Materials, Inc. | Determining susceptor service life in a plasma processing chamber |
US10895539B2 (en) * | 2017-10-20 | 2021-01-19 | Lam Research Corporation | In-situ chamber clean end point detection systems and methods using computer vision systems |
US11067515B2 (en) * | 2017-11-28 | 2021-07-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for inspecting a wafer process chamber |
US11538713B2 (en) | 2017-12-05 | 2022-12-27 | Lam Research Corporation | System and method for edge ring wear compensation |
TWI780093B (zh) * | 2017-12-15 | 2022-10-11 | 美商蘭姆研究公司 | 用於電漿腔室的環結構及系統 |
DE102018107135A1 (de) * | 2018-03-26 | 2019-09-26 | Aixtron Se | Mit einer individuellen Kennung versehenes Bauteil einer CVD-Vorrichtung sowie Verfahren zur Übermittlung von Informationen |
KR102708941B1 (ko) * | 2018-04-09 | 2024-09-23 | 램 리써치 코포레이션 | 유기실리콘 전구체를 사용한 웨이퍼 표면의 소수성 개질 |
JP7138474B2 (ja) * | 2018-05-15 | 2022-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 部品の修復方法及び基板処理システム |
US10651097B2 (en) * | 2018-08-30 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Using identifiers to map edge ring part numbers onto slot numbers |
US11279032B2 (en) | 2019-04-11 | 2022-03-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus, systems, and methods for improved joint coordinate teaching accuracy of robots |
US12009236B2 (en) * | 2019-04-22 | 2024-06-11 | Applied Materials, Inc. | Sensors and system for in-situ edge ring erosion monitor |
US10964584B2 (en) | 2019-05-20 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Process kit ring adaptor |
US11913777B2 (en) * | 2019-06-11 | 2024-02-27 | Applied Materials, Inc. | Detector for process kit ring wear |
US11626305B2 (en) | 2019-06-25 | 2023-04-11 | Applied Materials, Inc. | Sensor-based correction of robot-held object |
KR102689653B1 (ko) * | 2019-06-26 | 2024-07-31 | 삼성전자주식회사 | 센서 모듈 및 이를 구비하는 식각 장치 |
US11211269B2 (en) | 2019-07-19 | 2021-12-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-object capable loadlock system |
KR20220041890A (ko) * | 2019-07-29 | 2022-04-01 | 램 리써치 코포레이션 | 기판 프로세싱 시스템의 자율 (autonomous) 제어 및 검사를 위한 통합된 하드웨어-소프트웨어 컴퓨터 비전 시스템 |
JP2021040076A (ja) * | 2019-09-04 | 2021-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 環状部材、基板処理装置及び基板処理装置の制御方法 |
US11370114B2 (en) | 2019-12-09 | 2022-06-28 | Applied Materials, Inc. | Autoteach enclosure system |
WO2021126696A1 (en) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | Lam Research Corporation | Encapsulated rfid in consumable chamber parts |
US12027397B2 (en) | 2020-03-23 | 2024-07-02 | Applied Materials, Inc | Enclosure system shelf including alignment features |
USD980176S1 (en) | 2020-06-02 | 2023-03-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing system carrier |
US11589474B2 (en) | 2020-06-02 | 2023-02-21 | Applied Materials, Inc. | Diagnostic disc with a high vacuum and temperature tolerant power source |
USD954769S1 (en) | 2020-06-02 | 2022-06-14 | Applied Materials, Inc. | Enclosure system shelf |
US11924972B2 (en) | 2020-06-02 | 2024-03-05 | Applied Materials, Inc. | Diagnostic disc with a high vacuum and temperature tolerant power source |
JP7507639B2 (ja) * | 2020-09-02 | 2024-06-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び状態監視方法 |
US11284018B1 (en) | 2020-09-15 | 2022-03-22 | Applied Materials, Inc. | Smart camera substrate |
CN112525745B (zh) * | 2020-11-03 | 2022-07-12 | 北京科技大学 | 中间包内衬耐材冲刷侵蚀的物理模拟试验装置及使用方法 |
KR102632552B1 (ko) | 2021-07-23 | 2024-02-02 | 한국표준과학연구원 | 플라즈마 진단기능 및 유전체 두께 측정기능을 갖는 센서, 이를 구비하는 공정장치 및 공정시스템 |
KR102669203B1 (ko) * | 2021-11-16 | 2024-05-24 | 주식회사 에스피에스글로벌 | 반도체 제조용 웨이퍼 오리엔터-가스제거 챔버 테스트 시스템 및 그의 테스트 방법 |
WO2023224870A1 (en) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | Lam Research Corporation | Replacement signaling seal |
JP7305076B1 (ja) * | 2022-09-01 | 2023-07-07 | 三菱電機株式会社 | データ収集分析システム、測定データ収集ユニット、および、データ収集分析方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4545882A (en) * | 1983-09-02 | 1985-10-08 | Shatterproof Glass Corporation | Method and apparatus for detecting sputtering target depletion |
CH669609A5 (ja) | 1986-12-23 | 1989-03-31 | Balzers Hochvakuum | |
JP4184638B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2008-11-19 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置の寿命診断方法 |
US6894769B2 (en) * | 2002-12-31 | 2005-05-17 | Tokyo Electron Limited | Monitoring erosion of system components by optical emission |
US7001482B2 (en) * | 2003-11-12 | 2006-02-21 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved focus ring |
US7110110B2 (en) * | 2003-12-29 | 2006-09-19 | Tokyo Electron Limited | Sensing component used to monitor material buildup and material erosion of consumables by optical emission |
US7233878B2 (en) | 2004-01-30 | 2007-06-19 | Tokyo Electron Limited | Method and system for monitoring component consumption |
US7350476B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-04-01 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus to determine consumable part condition |
JP2006196716A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP4409459B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2010-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびその部品と部品の寿命検出方法 |
US7891536B2 (en) * | 2005-09-26 | 2011-02-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | PVD target with end of service life detection capability |
US8317160B2 (en) * | 2007-10-12 | 2012-11-27 | Safeworks, Llc | Restraint device for traction sheaves |
TWM346890U (en) * | 2008-08-19 | 2008-12-11 | Bor Ger Co Ltd | Mini portable memory device |
JP5595795B2 (ja) * | 2009-06-12 | 2014-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法 |
US9744582B2 (en) * | 2014-04-30 | 2017-08-29 | Fca Us Llc | Wear tolerance indicator for stamping dies |
US10041868B2 (en) * | 2015-01-28 | 2018-08-07 | Lam Research Corporation | Estimation of lifetime remaining for a consumable-part in a semiconductor manufacturing chamber |
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