JP6818560B2 - 入出力装置および情報処理装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置の構成について、図1乃至図10を参照しながら説明する。
本実施の形態において説明する入力装置700Tは、例えば、導電膜C1と、導電膜C2と、信号線ML1と、信号線ML2と、を有する(図1(B)参照)。
本発明の一態様の入力装置は、導電膜C1、導電膜C2、信号線ML1または信号線ML2を有する。また、本発明の一態様の入力装置は、導電膜C(g,h)または信号線ML(g,h)を有することができる。また、本発明の一態様の入力装置は、駆動回路703、検知回路DC1または制御線CLを有することができる。
導電性を備える材料を導電膜C1、導電膜C2、導電膜C(g,h)、信号線ML1、信号線ML2、信号線ML(g,h)または制御線CL等に用いることができる。
例えば、選択回路、デコーダ、またはシフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路703に用いることができる。または、多数のスイッチを配置して、それらのオンオフ(導通非導通)を制御するような回路を、駆動回路703に用いることができる。
例えば、ボトムゲート型またはトップゲート型等のトランジスタを駆動回路703に用いることができる。
例えば、発振回路、パルス信号出力回路、電流値測定回路、ピーク電流測定回路、電流電圧変換回路、積分回路、AD変換回路または増幅回路などを検知回路DC1に用いることができる。
実施の形態1では、入力装置の構成について説明した。この入力装置は、さまざまな装置と組み合わせて適用することも可能である。例えば、表示装置における素子基板(TFT基板)において、入力装置と表示素子またはTFTとを一体にして、いわゆるインセル型表示装置を構成することも可能である。この場合には、その装置は、画像を表示するという出力機能と、センサから信号を読み取るという入力機能とを有していることとなる。
本実施の形態において説明する入出力装置700は、表示装置と、上記の入力装置700Tと、を有する(図11(A)参照)。換言すると、入出力装置700は表示装置に入力装置700Tが追加されており、入出力装置700は表示装置の一部に入力装置700Tの一部が組み込まれているような構成となっている。そのため、ある部材が、表示装置の一部としての機能と、入力装置700Tの一部としての機能とを併せ持つ構成となっている。
本発明の一態様の入出力装置700は、表示装置または入力装置700Tを有する。
本発明の一態様の入出力装置700としては、表示装置の表示面側に近接するものと容量結合する機能を備える導電膜C1または導電膜C2を有する入力装置を用いることができる。
例えば、アクティブマトリクス型の表示装置またはパッシブマトリクス型の表示装置を用いることができる。または、表示装置ではなく、映像や画像を表示しないような照明装置を用いてもよい。
例えば、光の反射を制御する機能を備える表示素子、光の透過を制御する機能を備える表示素子または発光素子等を、表示素子750(i,j)または表示素子750(i,k)に用いることができる。
例えば、スイッチング素子SW、容量Cp等を画素702(i,j)または画素702(i,k)に用いることができる。図11(D)は、画素702(i,j)の場合の例を示す。
導電性を備える材料を走査線G(i)または信号線S(j)に用いることができる。
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路GDに用いることができる。
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路SDに用いることができる。
本発明の一態様の入出力装置の構成について、図11乃至図14を参照しながら説明する。
本発明の一態様の入出力装置は、上記の構成に加えて、配線COMを有する。
導電性を備える材料を配線COM等に用いることができる。
例えば、シフトレジスタ301等を、駆動回路703は有することができる(図12参照)。これにより、所定の順番で複数の信号線MLから単数または複数の信号線を選択し、選択信号を供給することができる。選択信号は、例えば、選択回路302に供給される。
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える液晶素子を、表示素子750(i,j)または表示素子750(i,k)に用いることができる。
例えば、液晶材料を含む層753に、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。また、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を、液晶材料を含む層753に用いることができる。
導電性を備える材料を画素電極751(i,j)または画素電極751(i,k)等に用いることができる。
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材710または基材770に用いることができる。なお、透光性を備える材料を基材710または/および基材770に用いることができる。
本発明の一態様の入出力装置の別構成について、図13を参照しながら説明する。
例えば、選択信号を供給する機能を備えるシフトレジスタ等を、駆動回路703Bに用いることができる(図13参照)。
例えば、実施の形態1において説明する検知回路DC1に用いることができる構成を、検知回路DC11および検知回路DC12に用いることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置700TCの構成について、図17を参照しながら説明する。
本実施の形態において説明する入力装置700TCは、入力装置700Tと同様に、導電膜C1と、導電膜C2と、信号線ML1と、信号線ML2と、を有する(図17(B)参照)。なお、複数の導電膜Cから選択された導電膜を導電膜C1および導電膜C2に用いることができる(図17(A)参照)。
本発明の一態様の入力装置は、導電膜C1、導電膜C2、信号線ML1または信号線ML2を有する。また、本発明の一態様の入力装置は、導電膜C(g,h)または信号線ML(g,h)を有することができる。なお、gは1以上p以下の整数であり、hは1以上q以下の整数であり、pおよびqは1以上の整数である。また、本発明の一態様の入力装置は、駆動回路703C、検知回路DC2または制御線CLを有することができる。
例えば、選択回路またはシフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路703Cに用いることができる。
例えば、発振回路、パルス信号出力回路、電流値測定回路、ピーク電流測定回路、電流電圧変換回路、積分回路、AD変換回路または増幅回路などを検知回路DC2に用いることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図19を参照しながら説明する。
本実施の形態において説明する入出力装置700Cは、表示装置と、上記の入力装置700TCと、を有する(図19(A)参照)。つまり、入出力装置700Cは、表示装置に、入力装置700TCが追加されており、入出力装置700Cは、表示装置の一部に、入力装置700TCの一部が組み込まれているような構成となっている。そのため、ある部材が、表示装置の一部としての機能と、入力装置700TCの一部としての機能とを併せ持つ構成となっている。
本発明の一態様の入出力装置700Cは、表示装置または入力装置700TCを有する。
本発明の一態様の入出力装置700Cは、表示装置の表示面側に近接するものと容量結合する機能を備える導電膜C1または導電膜C2を有する入力装置を用いることができる。
例えば、アクティブマトリクス型の表示装置またはパッシブマトリクス型の表示装置を用いることができる。または、表示装置ではなく、映像や画像を表示しないような照明装置を用いてもよい。
例えば、実施の形態2において説明する表示素子750(i,j)、表示素子750(i,k)に用いることができる構成を用いることができる。
例えば、スイッチング素子SW、容量Cp等を画素702(i,j)または画素702(i,k)に用いることができる。図19(D)は、画素702(i,j)の場合の例を示す。
例えば、実施の形態2において説明する走査線G(i)、信号線S(j)に用いることができる構成を走査線G(i)、信号線S(j)に用いることができる。
例えば、実施の形態2において説明する駆動回路GDに用いることができる構成を駆動回路GDに用いることができる。
例えば、実施の形態2において説明する駆動回路SDに用いることができる構成を駆動回路SDに用いることができる。
本発明の一態様の入出力装置の構成について、図14、図19および図20を参照しながら説明する。
本発明の一態様の入出力装置は、上記の構成に加えて、配線COMを有する。
例えば、実施の形態2において説明する配線COMに用いることができる構成を配線COMに用いることができる。
例えば、選択信号を供給する機能を備えるシフトレジスタ301等を、駆動回路703Cは有することができる(図20または図21参照)。
例えば、実施の形態2において説明する表示素子750(i,j)または表示素子750(i,k)に用いることができる構成を表示素子750(i,j)または表示素子750(i,k)に用いることができる。
本発明の一態様の入出力装置の構成について、図21を参照しながら説明する。図21は、一例として、自己容量型のタッチセンサとして動作させる場合と、相互容量型のタッチセンサとして動作させる場合とを、適宜、切り替えて動作させるようにする場合を説明する図である。これにより、より正確にセンシングを行うことができる。または、指などが入力領域から離れている場合、または、指が入力領域に接触している場合などに応じて、適宜、適切な方式でセンシングすることができる。
例えば、実施の形態2において説明する検知回路DC1に用いることができる構成を、検知回路DC11および検知回路DC12に用いることができる。
選択回路MUXは、駆動回路703Cと導通状態にする回路を、制御信号に基づいて選択する機能を備える。例えば、駆動回路703Cと導通状態にする回路を、制御線CL2が供給する制御信号に基づいて選択する機能を備える。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の駆動方法について、図26を参照しながら説明する。
本実施の形態において説明する入出力装置700または入出力装置700Cの駆動方法は、表示装置の1フレーム期間において、例えば、以下の2つの期間を有する。なお、3以上の期間を有していてもよい。
本実施の形態において説明する入出力装置700または入出力装置700Cの駆動方法は、表示装置の1フレーム期間において、映像信号の入力動作を行う期間と、センシング動作を行う期間とを、明確に分けるのではなく、両方を同時に行う方式である。ただし、各画素単位で見た場合には、映像信号の入力動作と、センシング動作とは、別の期間に行われている。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図27および図28を参照しながら説明する。
本実施の形態において説明する入出力装置700Dは、基材710と、基材770と、画素702(i,j)と、封止材730と、導電膜CD(g,h)と、を有する(図28参照)。
入出力装置700Dは、基材710、表示素子750または導電膜CD(g,h)を有する。
例えば、実施の形態1に記載する基材710に用いることができる材料から選択された材料を、基材710または基材770に用いることができる。
導電性を備える材料を導電膜704、導電膜712A、導電膜712B、配線711または端子719に用いることができる。
導電性を備える材料を走査線G(i)または信号線S(j)に用いることができる。例えば、配線711に用いることができる材料を走査線G(i)または信号線S(j)に用いることができる。
導電性を備える材料を導電膜CD(g,h)に用いることができる。例えば、配線711に用いることができる材料を導電膜CD(g,h)に用いることができる。
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜701、絶縁膜706、絶縁膜721A、絶縁膜721B、絶縁膜728または絶縁膜771に用いることができる。
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子750に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のMEMS表示素子等を用いることができる。
例えば、実施の形態1において説明する液晶材料を含む層753に用いることができる液晶材料を、液晶材料を含む層753に用いることができる。
導電性を備える材料を画素電極751に用いることができる。
例えば、ボトムゲート型またはトップゲート型等のトランジスタをトランジスタMAに用いることができる。
例えば、4族の元素を含む半導体を半導体膜718に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜718に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜718に用いることができる。
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路GDに用いることができる。例えば、トランジスタMD、容量素子等を駆動回路GDに用いることができる。
例えば、集積回路を駆動回路SDに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を用いることができる。
例えば、無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材730に用いることができる。
所定の色の光を透過する材料を着色膜CFに用いることができる。これにより、例えば着色膜CFをカラーフィルターに用いることができる。
光の透過を妨げる材料を遮光膜BMに用いることができる。これにより、例えば遮光膜BMをブラックマトリクスに用いることができる。
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体KBに用いることができる。これにより、構造体KBを挟む構成の間に所定の間隔を設けることができる。
例えば、ポリイミド等を配向膜AF1または配向膜AF2に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理または光配向技術を用いて形成された配向膜を用いることができる。
例えば、偏光板、位相差板、拡散フィルム、反射防止膜または集光フィルム等を光学フィルム710Pまたは光学フィルム770Pに用いることができる。または、2色性色素を含む偏光板を光学フィルム710Pまたは光学フィルム770Pに用いることができる。
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図29を参照しながら説明する。
具体的には、酸化物半導体の抵抗率を制御する方法を用いて導電性が高められた酸化物半導体を、導電膜724Bおよび導電膜CE(g,h)に用いることができる。
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図30を参照しながら説明する。
トランジスタMDCは、絶縁膜701Cと重なる領域を備える導電膜704と、絶縁膜701Cおよび導電膜704の間に配設される領域を備える半導体膜718と、を備える。なお、導電膜704はゲート電極の機能を備える(図30(B)参照)。
一例を挙げれば、半導体膜718の第1の領域718Aおよび第2の領域718Bと同一の工程で形成された酸化物半導体を、導電膜CF(g,h)に用いることができる。これにより、導電膜CF(g,h)を作製する工程を、簡略化することができる。
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図31を参照しながら説明する。
例えば、絶縁膜728に用いることができる材料を絶縁膜728Aに用いることができる。
例えば、絶縁膜728に用いることができる材料を絶縁膜728Bに用いることができる。
例えば、櫛歯状の形状を備える画素電極751と重なる領域に開口部を備える導電膜を、導電膜CG(g,h)に用いることができる。
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図32を参照しながら説明する。
チャネル保護型のトランジスタをトランジスタMEおよびトランジスタMDEに用いることができる。例えば、トランジスタMDEは、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜706との間に半導体膜718を挟むように配設された絶縁膜721Aを備える(図32(B)参照)。
酸化物半導体を含む膜の抵抗率を制御する方法について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置または入出力装置に用いることができるトランジスタの構成について、図33を参照しながら説明する。
図33(A)は、トランジスタ100の上面図であり、図33(C)は、図33(A)に示す切断線X1−X2間における切断面の断面図に相当し、図33(D)は、図33(A)に示す切断線Y1−Y2間における切断面の断面図に相当する。なお、図33(A)において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ100の構成要素の一部(ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜等)を省略して図示している。また、切断線X1−X2方向をチャネル長方向、切断線Y1−Y2方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図33(A)と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。
基板102の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板102として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、SOI基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板102として用いてもよい。なお、基板102として、ガラス基板を用いる場合、第6世代(1500mm×1850mm)、第7世代(1870mm×2200mm)、第8世代(2200mm×2400mm)、第9世代(2400mm×2800mm)、第10世代(2950mm×3400mm)等の大面積基板を用いることで、大型の表示装置を作製することができる。
ゲート電極として機能する導電膜104、及びソース電極として機能する導電膜112a、及びドレイン電極として機能する導電膜112bとしては、クロム(Cr)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、コバルト(Co)から選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いてそれぞれ形成することができる。
トランジスタ100のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜106、107としては、プラズマ化学気相堆積(PECVD:(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition))法、スパッタリング法等により、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上含む絶縁膜を、それぞれ用いることができる。なお、絶縁膜106、107の積層構造とせずに、上述の材料から選択された単層の絶縁膜、または3層以上の絶縁膜を用いてもよい。
酸化物半導体膜108としては、先に示す材料を用いることができる。
絶縁膜114、116は、酸化物半導体膜108に酸素を供給する機能を有する。また、絶縁膜118は、トランジスタ100の保護絶縁膜としての機能を有する。また、絶縁膜114、116は、酸素を有する。また、絶縁膜114は、酸素を透過することのできる絶縁膜である。なお、絶縁膜114は、後に形成する絶縁膜116を形成する際の、酸化物半導体膜108へのダメージ緩和膜としても機能する。
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置または入出力装置に用いることができるトランジスタの構成について、図34を参照しながら説明する。
図34(A)は、トランジスタ100の上面図であり、図34(B)は、図34(A)に示す切断線X1−X2間における切断面の断面図に相当し、図34(C)は、図34(A)に示す切断線Y1−Y2間における切断面の断面図に相当する。なお、図34(A)において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ100の構成要素の一部(ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜等)を省略して図示している。また、切断線X1−X2方向をチャネル長方向、切断線Y1−Y2方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図34(A)と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。
次に、酸化物導電体について説明する。導電膜120a、120bを形成する工程において、導電膜120a、120bは、絶縁膜114、116から酸素の放出を抑制する保護膜として機能する。また、導電膜120a、120bは、絶縁膜118を形成する工程の前においては、半導体としての機能を有し、絶縁膜118を形成する工程の後においては、導電膜120a、120bは、導電体としての機能を有する。
以下に、本実施の形態の半導体装置に含まれる構成要素について、詳細に説明する。
酸化物半導体膜108としては、先に示す材料を用いることができる。
絶縁膜114、116は、トランジスタ100の第2のゲート絶縁膜として機能する。また、絶縁膜114、116は、酸化物半導体膜108に酸素を供給する機能を有する。すなわち、絶縁膜114、116は、酸素を有する。また、絶縁膜114は、酸素を透過することのできる絶縁膜である。なお、絶縁膜114は、後に形成する絶縁膜116を形成する際の、酸化物半導体膜108へのダメージ緩和膜としても機能する。
先に記載の酸化物半導体膜108と同様の材料を、導電膜として機能する導電膜120a、及び第2のゲート電極として機能する導電膜120bに用いることができる。
絶縁膜118は、トランジスタ100の保護絶縁膜として機能する。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図35乃至図38を参照しながら説明する。
本実施の形態において説明する情報処理装置200は、演算装置210と入出力装置220と、を有する(図35(A)参照)。
本発明の一態様は、演算装置210または入出力装置220を備える。
演算装置210は、演算部211および記憶部212を備える。また、伝送路214および入出力インターフェース215を備える(図35(A)参照)。
演算部211は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
記憶部212は、例えば演算部211が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。
入出力インターフェース215は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路214と電気的に接続することができる。また、入出力装置220と電気的に接続することができる。
入出力装置220は、表示部230、入力部240、検知部250または通信部290を備える。例えば、実施の形態2または実施の形態4等において説明する入出力装置を、入出力装置220に用いることができる。
表示部230は、表示領域231と、駆動回路GDと、駆動回路SDと、を有する(図36(A)参照)。
駆動回路GDは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
駆動回路SDは、画像情報Vに基づいて映像信号を供給する機能を有する。
画素232(i,j)は、表示素子235LCを備える。また、表示素子235LCを駆動する画素回路を備える(図36(C)参照)。
例えば、光の透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子235LCに用いることができる。具体的には、偏光板および液晶素子またはシャッター方式のMEMS表示素子等を表示素子235LCに用いることができる。
表示素子に応じた回路を画素回路に用いることができる。
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を、駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
さまざまなヒューマンインターフェイス等を入力部240に用いることができる(図35(A)参照)。
検知部250は、周囲の状態を検知して情報P2を取得する機能を備える。
通信部290は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。
図37および図38を参照しながら、本発明の一態様を、本発明の一態様のプログラムを用いて説明する。
様々な命令に様々なイベントを関連付けることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成および情報処理システムの構成について、図39および図40を参照しながら説明する。
本実施の形態において説明する情報処理装置200Bは、演算装置210と入出力装置220と、を有する(図39(A)参照)。
本発明の一態様の情報処理装置は、演算装置210または入出力装置220を備える。
演算装置210は、演算部211および記憶部212を備える。また、伝送路214および入出力インターフェース215を備える(図39(A)参照)。
演算部211は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
記憶部212は、例えば演算部211に実行させるプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。
入出力インターフェース215は、端子または配線を備える。入出力インターフェース215は、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路214と電気的に接続することができる。また、入出力装置220と電気的に接続することができる。
入出力装置220は、表示部230、入力部240、検知部250または通信部290を備える。例えば、実施の形態2または実施の形態4等において説明する入出力装置を、入出力装置220に用いることができる。
表示部230は、画像情報Vを表示する機能を備える。
ヒューマンインターフェイス等を入力部240に用いることができる(図39(A)参照)。
検知部250は、周囲の状態を検知して情報P2を取得する機能を備える。
通信部290は、ネットワークまたは他の情報処理装置に情報を供給し、ネットワークまたは他の情報処理装置から情報を取得する機能を備える。
本発明の一態様のプログラムの構成について、図40を参照しながら説明する。
第1のステップにおいて、設定を初期化する(図40(A)(S1)参照)。
第2のステップにおいて、割り込み処理を許可する(図40(A)(S2)参照)。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。
第3のステップにおいて、未送信情報がある場合は第4のステップに進み、未送信情報がない場合は第5のステップに進むように選択する(図40(A)(S3)参照)。
第4のステップにおいて、未送信情報を送信する(図40(A)(S4)参照)。なお、セキュリティを高めるうえで、情報を暗号化して送信する方法が好ましい。
第5のステップにおいて、終了命令が供給されている場合は第6のステップに進み、終了命令が供給されていない場合は第3のステップに進むように選択する(図40(A)(S5)参照)。
第6のステップにおいて、終了する(図40(A)(S6)参照)。なお、主の処理を終了する場合、割り込み処理も終了する。
第7のステップにおいて、所定の期間に演算部により行われた動作が、所定の動作に該当する場合は、第8のステップに進み、所定の動作に該当しない場合は、第7のステップに進む(図40(B)(S7)参照)。
第8のステップにおいて、情報を生成する(図40(B)(S8)参照)。
例えば、ネットワークから取得した情報の発信元を認識する動作を、所定の動作に含めることができる。具体的には、発信元の電話番号、発信元の電子メールのアカウント情報、発信元のSNSのアカウント情報またはURLアドレス情報等を認識する動作を、所定の動作に含めることができる。また、情報処理装置200Bの位置情報を、グローバル・ポジショニング・システムを用いて取得する動作、リモートアクセスを用いて行う動作を、所定の動作に含めることができる。
本発明の一態様の情報処理システム6000の構成について、図39(B)を参照しながら説明する。
情報処理装置200Bは、上記で説明する構成を備える。また、所定のサーバーに所定の情報を供給する機能を備える。
例えば情報処理装置200Bと同様の構成を備える情報処理装置を、情報処理装置200Cに用いることができる。
本実施の形態では、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)、およびそれを含むCPUについて説明する。本実施の形態において説明するCPUは、例えば、実施の形態9または実施の形態10において説明する情報処理装置に用いることができる。
電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を図41に示す。なお、図41(B)は図41(A)を回路図で表したものである。
図42に示す半導体装置1400は、CPUコア1401、パワーマネージメントユニット1421および周辺回路1422を有する。パワーマネージメントユニット1421は、パワーコントローラ1402、およびパワースイッチ1403を有する。周辺回路1422は、キャッシュメモリを有するキャッシュ1404、バスインターフェース(BUS I/F)1405、及びデバッグインターフェース(Debug I/F)1406を有する。CPUコア1401は、データバス1423、制御装置1407、PC(プログラムカウンタ)1408、パイプラインレジスタ1409、パイプラインレジスタ1410、ALU(Arithmetic logic unit)1411、及びレジスタファイル1412を有する。CPUコア1401と、キャッシュ1404等の周辺回路1422とのデータのやり取りは、データバス1423を介して行われる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を有する電子機器について、図44を用いて説明を行う。
AF2 配向膜
C 容量素子
C1 導電膜
C2 導電膜
CA 導電膜
CB 導電膜
C(g,h) 導電膜
CD(g,h) 導電膜
CE(g,h) 導電膜
CF(g,h) 導電膜
CG(g,h) 導電膜
CL 制御線
CL2 制御線
COM 配線
CF 着色膜
DC1 検知回路
DC1A 検知回路
DC1B 検知回路
DC11 検知回路
DC12 検知回路
DC13 検知回路
DC14 検知回路
DC2 検知回路
DC3 検知回路
FPC フレキシブルプリント基板
GD 駆動回路
GDA 駆動回路
GDB 駆動回路
LS 直線
LV 直線
MA トランジスタ
MC トランジスタ
MD トランジスタ
ME トランジスタ
MDB トランジスタ
MDC トランジスタ
MDE トランジスタ
ML1 信号線
ML2 信号線
ML3 信号線
ML4 信号線
ML5 信号線
ML6 信号線
MLA 信号線
MLB 信号線
MLC 信号線
MLD 信号線
ML(g,h) 信号線
MUX 選択回路
S(j) 信号線
SD 駆動回路
SW スイッチ
PIC1 画像情報
PIC2 画像情報
PIC3 画像情報
PIC4 画像情報
T(V) 期間
T1 期間
T2 期間
V 画像情報
VCOM 配線
100 トランジスタ
102 基板
104 導電膜
106 絶縁膜
107 絶縁膜
108 酸化物半導体膜
108a 酸化物半導体膜
108b 酸化物半導体膜
108c 酸化物半導体膜
112a 導電膜
112b 導電膜
114 絶縁膜
116 絶縁膜
118 絶縁膜
120a 導電膜
120b 導電膜
200 情報処理装置
200B 情報処理装置
200C 情報処理装置
210 演算装置
211 演算部
212 記憶部
214 伝送路
215 入出力インターフェース
220 入出力装置
230 表示部
230B 表示部
231 表示領域
232 画素
235LC 表示素子
240 入力部
250 検知部
290 通信部
301 シフトレジスタ
302 選択回路
303 回路
312 パルス信号出力回路
316 容量素子
318A スイッチ
318B スイッチ
318C スイッチ
318D スイッチ
700 入出力装置
700C 入出力装置
700D 入出力装置
700E 入出力装置
700F 入出力装置
700G 入出力装置
700H 入出力装置
700T 入力装置
700TC 入力装置
701 絶縁膜
701C 絶縁膜
702 画素
703 駆動回路
703A 駆動回路
703B 駆動回路
703C 駆動回路
704 導電膜
706 絶縁膜
708 半導体膜
710 基材
710P 光学フィルム
711 配線
712A 導電膜
712B 導電膜
716 絶縁膜
718 半導体膜
718A 領域
718B 領域
718C 領域
719 端子
721A 絶縁膜
721B 絶縁膜
724 導電膜
724B 導電膜
728 絶縁膜
728A 絶縁膜
728B 絶縁膜
730 封止材
750 表示素子
751 画素電極
753 液晶材料を含む層
770 基材
770P 光学フィルム
771 絶縁膜
775A 領域
775B 領域
1400 半導体装置
1401 CPUコア
1402 パワーコントローラ
1403 パワースイッチ
1404 キャッシュ
1405 バスインターフェース
1406 デバッグインターフェース
1407 制御装置
1408 PC
1409 パイプラインレジスタ
1410 パイプラインレジスタ
1411 ALU
1412 レジスタファイル
1421 パワーマネージメントユニット
1422 周辺回路
1423 データバス
1500 半導体装置
1501 記憶回路
1502 記憶回路
1503 記憶回路
1504 回路
1509 トランジスタ
1510 トランジスタ
1512 トランジスタ
1513 トランジスタ
1515 トランジスタ
1517 トランジスタ
1518 トランジスタ
1519 容量素子
1520 容量素子
1540 配線
1541 配線
1542 配線
1543 配線
1544 配線
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 支持部
5013 イヤホン
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
7302 筐体
7304 表示パネル
7305 アイコン
7306 アイコン
7311 操作ボタン
7312 操作ボタン
7313 接続端子
7321 バンド
7322 留め金
Claims (4)
- 表示装置と、前記表示装置の表示面側に近接するものを検知する機能を有する入力装置と、所定の電位を供給する機能を有する配線と、を有し、
前記入力装置は、
第1の導電膜と、
前記第1の導電膜と重ならない領域を有する第2の導電膜と、
前記第1の導電膜と電気的に接続された第1の信号線と、
前記第2の導電膜と電気的に接続された第2の信号線と、
前記第1の信号線または前記第2の信号線を選択する機能を有する駆動回路と、
前記駆動回路と電気的に接続され、前記第1の信号線に探索信号を供給する機能を有する検知回路と、を有し、
前記駆動回路は、前記第1の信号線を選択している期間に、前記第1の信号線と前記検知回路を電気的に接続する機能と、前記第2の信号線と前記配線を電気的に接続する機能と、を有し、
前記駆動回路は、前記第2の信号線を選択している期間に、前記第2の信号線と前記検知回路を電気的に接続する機能と、前記第1の信号線と前記配線を電気的に接続する機能と、を有し、
前記第1の信号線は、前記第1の導電膜に結合する容量および前記探索信号に基づいて変化する電位または電流を供給する機能を備え、
前記検知回路は、前記電位または電流に基づく検知信号を供給する機能を有し、
前記表示装置は、前記第1の導電膜と重なる領域を有する第1の画素と、前記第2の導電膜と重なる領域を有する第2の画素と、を有し、
前記第1の画素の第1の表示素子は、液晶材料を含む層と、前記液晶材料の配向を制御する電界が、前記第1の導電膜との間に形成されるように配設された第1の画素電極と、を有し、
前記第2の画素の第2の表示素子は、前記液晶材料を含む層と、前記液晶材料の配向を制御する電界が、前記第2の導電膜との間に形成されるように配設された第2の画素電極と、を有する、入出力装置。 - 表示装置と、前記表示装置の表示面側に近接するものを検知する機能を有する入力装置と、所定の電位を供給する機能を有する配線と、を有し、
前記入力装置は、
第1の導電膜と、
前記第1の導電膜と重ならない領域を有する第2の導電膜と、
前記第1の導電膜と電気的に接続された第1の信号線と、
前記第2の導電膜と電気的に接続された第2の信号線と、
前記第1の信号線または前記第2の信号線を選択する機能を有する駆動回路と、
前記駆動回路と電気的に接続され、前記第1の信号線に探索信号を供給する機能を有する検知回路と、を有し、
前記駆動回路は、前記第1の信号線を選択している期間に、前記第1の信号線と前記検知回路を電気的に接続する機能と、前記第2の信号線と前記配線を電気的に接続する機能と、を有し、
前記駆動回路は、前記第2の信号線を選択している期間に、前記第2の信号線と前記検知回路を電気的に接続する機能と、前記第1の信号線と前記配線を電気的に接続する機能と、を有し、
前記第1の信号線は、前記第1の導電膜に結合する容量および前記探索信号に基づいて変化する電位または電流を供給する機能を備え、
前記検知回路は、前記電位または電流に基づく検知信号を供給する機能を有し、
前記表示装置は、前記第1の導電膜と重なる領域を有する第1の画素と、前記第2の導電膜と重なる領域を有する第2の画素と、を有し、
前記第1の画素は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタと電気的に接続された第1の有機エレクトロルミネッセンス素子を有し、
前記第2の画素は、第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタと電気的に接続された第2の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する、入出力装置。 - 演算装置と、請求項1または2に記載の入出力装置と、を有し、
前記演算装置は、位置情報を供給され、画像情報および制御情報を供給する機能と、前記位置情報に基づいてポインタの移動速度を決定する機能と、前記画像情報のコントラストまたは明るさを前記ポインタの移動速度に基づいて決定する機能と、を有する、情報処理装置。 - 入力部が、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上を含む、請求項3に記載の情報処理装置。
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