JP6812140B2 - コイル部品 - Google Patents

コイル部品 Download PDF

Info

Publication number
JP6812140B2
JP6812140B2 JP2016107560A JP2016107560A JP6812140B2 JP 6812140 B2 JP6812140 B2 JP 6812140B2 JP 2016107560 A JP2016107560 A JP 2016107560A JP 2016107560 A JP2016107560 A JP 2016107560A JP 6812140 B2 JP6812140 B2 JP 6812140B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coil
coils
magnetic
wiring
coil component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016107560A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017216773A (ja
Inventor
由雅 吉岡
由雅 吉岡
顕徳 ▲濱▼田
顕徳 ▲濱▼田
敦夫 比留川
敦夫 比留川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2016107560A priority Critical patent/JP6812140B2/ja
Priority to CN201710188880.3A priority patent/CN107452492B/zh
Priority to US15/586,803 priority patent/US10978238B2/en
Publication of JP2017216773A publication Critical patent/JP2017216773A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6812140B2 publication Critical patent/JP6812140B2/ja
Priority to US17/196,540 priority patent/US12014859B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F38/00—Adaptations of transformers or inductances for specific applications or functions
    • H01F38/14—Inductive couplings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/04—Fixed inductances of the signal type  with magnetic core
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2823—Wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/32—Insulating of coils, windings, or parts thereof
    • H01F27/323—Insulation between winding turns, between winding layers
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
    • H02J50/10—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/14—Arrangements for reducing ripples from dc input or output
    • H02M1/143—Arrangements for reducing ripples from dc input or output using compensating arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/04—Fixed inductances of the signal type  with magnetic core
    • H01F2017/048—Fixed inductances of the signal type  with magnetic core with encapsulating core, e.g. made of resin and magnetic powder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • H01F2027/2809—Printed windings on stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F38/00—Adaptations of transformers or inductances for specific applications or functions
    • H01F38/14—Inductive couplings
    • H01F2038/143—Inductive couplings for signals
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H02M3/158—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
    • H02M3/1584—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load with a plurality of power processing stages connected in parallel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Coils Of Transformers For General Uses (AREA)

Description

本発明は、コイル部品および該コイル部品を備えるスィッチングレギュレータに関する。
従来、コイル部品としては、ＵＳ６，３６２，９８６Ｂ１（特許文献１）に記載されたものがある。このコイル部品は、複数（Ｎ個）のコイルを有し、これらのコイルは、共通のコアを通じて負に磁気結合（以下、単に「負結合」と記載する場合がある。）されており、励磁インダクタンスは漏れインダクタンスの約３倍より大きい。これは漏れインダクタンスが小さい、すなわちコイル同士が強く負結合されていることを示している。また、該コイル部品は、Ｎが３より大きい場合にも、共通のコアにコイルを巻回することで、すべてのコイルを強く負結合させている。特に該コイル部品では、各コイルに最も強く負結合するコイルが少なくとも２つ以上ある構成を開示している。該コイル部品は、マルチフェーズスィッチングレギュレータ（以下、「多相ＳＷレギュレータ」と記載する。）の出力電圧平滑回路に使用される。多相ＳＷレギュレータでは、平滑コンデンサへ入力されるリップル電圧を小さくするため、各コイルに入力されるパルス信号の周期（ターンオン遷移同士の間隔）を３６０°として位相で表わすと、これらのパルス信号は、３６０°／Ｎの位相差を持って各コイルに入力される。なお、負荷変動がない定常状態では、パルス信号のデューティ比は一定であり、また該デューティ比はパルス信号間で同一の値となる。
ＵＳ６，３６２，９８６Ｂ１
前記従来のコイル部品において、例えば、Ｎ＝２とすると、２つのコイルには位相差１８０°のパルス信号が入力される。ここで、パルス信号のデューティ比を５０％とすると、一方のコイルにおいて、入力されるパルス信号がオン状態である期間（オン期間）は、他方のコイルにおいて、入力されるパルス信号がオフ状態である期間（オフ期間）となる。このとき、一方のコイルでは電流が増加し、他方のコイルでは電流が減少するが、これらのコイルはコアを通じて負結合されているため、該電流変化によるコアでの磁束の変化は同方向となり互いに強め合う。したがって、コアでの磁束の変化率は、２つのコイルが磁気結合されていない（以下、単に「無結合」と記載する場合がある。）場合のコアでの磁束の変化率よりも大きくなり、各コイルの実効インダクタンスは無結合の場合よりも大きくなる。これにより、一方のコイルにおける電流の増加率が低下するとともに、他方のコイルにおける電流の減少率が低下し、各コイルにおけるリップル電流は無結合の場合よりも小さくなる。特に、２つのコイルの結合係数が−１のとき、リップル電流は０となり、各コイルには直流電流が流れる。なお、本願において「リップル電流」とは、各コイルに流れる電流（コイル電流）の最大値と最小値との差（Ｉｐｐ）を指している。また、低減されたリップルに対して、平滑コンデンサの容量に余裕がある場合は、各コイルのインダクタンスを小さくすることで、過渡応答速度の向上を図ることができる。
しかし、本願の発明者は、前記従来のコイル部品では、以下のような問題があることを見出した。例えば、コイルの数（Ｎ）やパルス信号のデューティ比によっては、入力されるパルス信号がオン状態であるコイルが同時に２つ以上存在する期間（同時オン期間）が存在する場合がある。同時オン期間において、該２つ以上のコイルでは電流が増加するが、前記従来のコイル部品では該２つ以上のコイルが負結合されており、該２つのコイルの電流変化によるコアでの磁束の変化は逆方向となり互いに打ち消し合う。さらに、前記従来のコイル部品では、該２つ以上のコイルの負結合が強く、打ち消し合う磁束の量が大きいため、同時オン期間において、コアでの磁束の変化率が、無結合の場合よりも小さくなる可能性がある。このとき、無結合の場合と比較して、各コイルの実効インダクタンスが小さくなることで、各コイルにおける電流の変化率が大きくなり、リップル電流が大きくなる可能性がある。これは、同時オフ期間、すなわち入力されるパルス信号がオフ状態であるコイルが同時に２つ以上存在する期間においても同様である。したがって、前記従来のコイル部品のように、すべてのコイルが強く負結合されている（各コイルに最も強く負結合するコイルが少なくとも２つ以上ある）と、リップル電流が大きくなる可能性がある。
そこで、本発明の課題は、多相ＳＷレギュレータに使用される際、コイルのリップル電流を小さくできるコイル部品および該コイル部品を備えるスィッチングレギュレータを提供することにある。
本発明の一態様であるコイル部品は、
２Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のコイルを有し、
前記２Ｎ個のコイルは、Ｎ組の対をなすように構成され、
前記Ｎ組の対の一つをなす第１コイルおよび第２コイル以外のコイルをその他のコイルとするとき、前記第１コイルと前記第２コイルとの磁気結合は、前記第１コイルと前記その他のコイルとの磁気結合よりも強い。
ここで、コイル部品内で直列接続されたコイルは、１つのコイルとみなす。「第１コイルと第２コイルとの磁気結合が、第１コイルとその他のコイルとの磁気結合よりも強い」とは、「第１コイルと第２コイルとの結合係数の絶対値が、第１コイルとその他のコイルとの結合係数の絶対値よりも大きい」ことをいう。
上記態様のコイル部品によれば、対をなす第１コイルおよび第２コイルの磁気結合は、第１コイルとその他のコイルとの磁気結合よりも強い。これにより、上記態様のコイル部品は、多相ＳＷレギュレータに使用される際、各コイルに入力されるパルス信号を適切に選択することで、第１コイルのリップル電流を小さくすることができる。
また、コイル部品の一実施形態では、前記第１コイルと前記第２コイルとの磁気結合は、前記第２コイルと前記その他のコイルとの磁気結合よりも強い。
前記実施形態によれば、多相ＳＷレギュレータに使用される際、各コイルに入力されるパルス信号を適切に選択することで、第２コイルのリップル電流を小さくすることができる。
また、コイル部品の一実施形態では、前記対をなすコイル同士の磁気結合は、対をなさない前記コイル同士の磁気結合のいずれよりも強い。
前記実施形態によれば、多相ＳＷレギュレータに使用される際、各コイルに入力されるパルス信号を適切に選択することで、各コイルのリップル電流を小さくすることができる。
また、コイル部品の一実施形態では、前記第１コイルと前記第２コイルには、互いの磁束が打ち消しあうように負結合する方向に電流が流される。
前記実施形態によれば、第１コイルと第２コイルには負結合する方向に電流が流されるため、第１コイルおよび第２コイルに１８０°の位相差の信号が入力されるとき、第１、第２コイルのリップル電流を小さくできる。なお、「互いの磁束が打ち消し合う」とは、例えば、コイルの内径部分などの主に磁束の密度が高い箇所において磁束が打ち消し合うことを意味し、コイルの周辺部分など比較的磁束の密度が低い箇所では、磁束が強め合っていてもよい。
また、コイル部品の一実施形態では、
絶縁層が第１方向に複数積層された素体をさらに備え、
前記２Ｎ個のコイルはそれぞれ、前記素体の内部に配置されるとともに、前記絶縁層上で巻回されたスパイラル配線 によって構成されており、
前記２Ｎ個のコイルのそれぞれに対し、前記スパイラル配線の最内周よりも内側を該コイルの内径部分とすると、
前記第１方向からみて、前記第１コイルの内径部分の少なくとも一部と前記第２コイルの内径部分の少なくとも一部とは、互いに重なる。
前記実施形態によれば、第１コイルの内径部分の少なくとも一部と第２コイルの内径部分の少なくとも一部とは、互いに重なる。これにより、第１コイルの磁束が、第１コイルの軸に沿って、第１コイルの内径部分に発生すると、該磁束が第２コイルの内径部分を通過する。また、第２コイルの磁束が、第２コイルの軸に沿って、第２コイルの内径部分に発生すると、該磁束が第１コイルの内径部分を通過する。したがって、対をなす第１コイルおよび第２コイルの磁気結合を強くすることができる。なお、本願において、スパイラル配線とは、絶縁層上など平面上で巻回された曲線状の配線のことを指し、後述する実施形態に示されるように、スパイラル配線には、ターン数（巻回数）が１周未満の曲線状の配線も含まれる。
また、コイル部品の一実施形態では、前記第１のコイルの内径部分と前記その他のコイルの内径部分とは、互いに重ならない。
前記実施形態によれば、対をなさない第１のコイルとその他のコイルの磁気結合を弱くすることができる。
また、コイル部品の一実施形態では、前記第１のコイルと前記第２のコイルとは、異なる方向に巻回されている。
前記実施形態によれば、第１のコイルと第２のコイルとを容易に負結合させることができる。なお、本願において、２つのコイルが異なる方向に巻回されているとは、例えば、第１方向から見て、２つのコイルそれぞれにおいて両端が一方と他方とに引き出されている場合に、一方側から他方側に向かう巻回方向が異なることを意味する。具体的には、例えば、第１方向から見て、片方のコイルが一方側から他方側に向かって時計周りに巻回されている場合、もう一方のコイルは一方側から他方側に向かって反時計回りに巻回されている状態を意味する。
また、コイル部品の一実施形態では、
同一の前記絶縁層上に複数の前記コイルが積層され、
該複数の前記コイルは、同じ方向に巻回されている。
前記実施形態によれば、同一の絶縁層上に積層された複数のコイルは、同じ方向に巻回されているので、対をなさないコイルの組のうち、比較的磁気結合が大きい同一絶縁層上で隣接するコイルの組を容易に負結合させることができ、各コイルのリップル電流をより抑えることができる。
また、コイル部品の一実施形態では、前記２Ｎ個のコイルは、すべて同じ方向に巻回されている。
前記実施形態によれば、２Ｎ個のコイルは、すべて同じ方向に巻回されているので、電気特性の偏差を小さくできるとともに、製造を容易にできる。また、対をなすコイルを容易に正結合することができる。
また、コイル部品の一実施形態では、前記２Ｎ個のコイルの前記スパイラル配線に対して前記第１方向両側にある前記絶縁層は、磁性体粉および樹脂のコンポジット材料からなる磁性樹脂層を含む。
前記実施形態によれば、スパイラル配線に対して第１方向両側にある絶縁層は、磁性樹脂層を含むので、小型かつ薄型でありながら、適切なインダクタンスや結合係数を確保できるコイル部品を安価に提供することができる。
また、コイル部品の一実施形態では、
前記磁性体粉の平均粒径は、０．５μｍ以上１００μｍ以下であり、
前記磁性体粉は、前記樹脂に対して５０ｖｏｌ％以上８５ｖｏｌ％以下含有されている。
前記実施形態によれば、磁性体粉の平均粒径は、０．５μｍ以上１００μｍ以下であるので、磁性樹脂を小型のコアとできる。また、磁性体粉は、樹脂に対して５０ｖｏｌ％以上８５ｖｏｌ％以下含有されているので、十分な透磁率を得ることができて、対をなすコイルの磁気結合を強くすることができる。
また、コイル部品の一実施形態では、
前記２Ｎ個のコイルのそれぞれに対し、該コイルの内径部分、および、該コイルの前記スパイラル配線の最外周よりも外側に設けられた、磁性体紛および樹脂のコンポジット材料からなる磁性樹脂体をさらに備え、
前記磁性樹脂層と前記磁性樹脂体とが閉磁路を構成している。
前記実施形態によれば、磁性樹脂層と磁性樹脂体とが閉磁路を構成している。これにより、漏れ磁束を低減することができ、ノイズを抑えることができるとともに、対をなすコイル間の磁気結合を強くしつつ、対をなさないコイル間の磁気結合を弱くすることができる。
また、コイル部品の一実施形態では、
前記第１コイルおよび前記第２コイルはそれぞれ、複数の前記絶縁層上に巻回された複数の前記スパイラル配線から構成され、
前記第１コイルと前記第２コイルとの間の最端距離は、前記第１コイル、前記第２コイルのそれぞれにおける前記スパイラル配線同士の間の最短距離よりも長い。
前記実施形態によれば、第１コイルと第２コイルとの間の最短距離は、それぞれのスパイラル配線同士の間の最短距離よりも長いので、異電圧が印加される期間が比較的長くなる第１コイルと第２コイルの間の絶縁性を相対的に高めることができ、信頼性を向上できる。
また、コイル部品の一実施形態では、
同一の前記絶縁層上に複数の前記コイルの前記スパイラル配線が巻回され、
該スパイラル配線同士の最短距離は、該スパイラル配線内の配線間隔よりも長い。
前記実施形態によれば、同一の絶縁層上に巻回された隣り合うスパイラル配線の間の最短距離は、スパイラル配線内の配線間隔よりも長いので、異電圧が印加される期間がある隣り合うコイルの同一の絶縁層上に巻回されたスパイラル配線間の絶縁性を相対的に高めることができ、信頼性を向上できる。
また、コイル部品の一実施形態では、前記スパイラル配線と接する前記絶縁層は、絶縁体紛および樹脂のコンポジット材料からなる。
前記実施形態によれば、スパイラル配線内およびスパイラル配線間の絶縁性をより向上することができる。
また、コイル部品の一実施形態では、
前記第１コイルの一端と前記第２コイルの一端とは、前記第１コイルおよび前記第２コイルに対して同じ一方側に引き出されているとともに、前記第１コイルの他端と前記第２コイルの他端とは、前記第１コイルおよび前記第２コイルに対して同じ他方側に引き出されており、
前記第１コイルおよび前記第２コイルは、前記一端から前記他端に向かって電流が流れた場合に、互いの磁束が打ち消しあうように巻回されている。
前記実施形態によれば、対をなす第１コイルと第２コイルが負結合されるようにパルス信号を入力する際、第１、第２コイルの入力端、出力端をそれぞれ同じ側に揃えるができる。よって、コイル部品を実装する基板における配線引き回しをより容易にすることができる。
また、コイル部品の一実施形態では、前記第１コイルおよび前記第２コイルのそれぞれのターン数、コイル配線長およびコイル断面積は、同じである。
前記実施形態によれば、第１コイルおよび第２コイルのそれぞれのターン数、コイル配線長およびコイル断面積は、同じであるので、各コイルの電気特性の偏差を小さくできる。
また、コイル部品の一実施形態では、前記第１コイルの前記一端に接続される第１外部端子と、前記第２コイルの前記一端に接続される第２外部端子とは、隣り合う。
前記実施形態によれば、第１外部端子と第２外部端子とは、隣り合うので、コイル部品を小型化できる。
また、スィッチングレギュレータの一実施形態では、
前記コイル部品と、
前記コイル部品の各コイルの一端側のそれぞれに接続された２Ｎ個のスイッチ部と、
前記コイル部品の各コイルの一端または他端側に接続された平滑回路と
を備え、
前記スイッチ部は、前記コイル部品の対をなすコイルに対して、１８０°の位相差を有する信号を入力する。
前記実施形態によれば、前記コイル部品を有するので、コイルのリップル電流の低減により、性能の向上や、小型化を図ることができる。
本発明のコイル部品によれば、対をなす第１コイルおよび第２コイルの磁気結合は、第１コイルとその他のコイルとの磁気結合よりも強いので、多相ＳＷレギュレータに使用される際、各コイルに入力されるパルス信号を適切に選択することで、第１コイルのリップル電流を小さくできる。
第１実施形態に係るコイル部品１を示す簡略構成図である。 第２実施形態に係るコイル部品１Ａを示す斜視図である。 コイル部品１Ａの分解斜視図である。 図２のＸ−Ｘ断面図である。 コイル部品１Ａの製法を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 コイル部品１Ａの製法の第２実施形態を説明する説明図である。 比較例２のコイル部品を示す斜視図である。 本実施例における各コイルの入力電圧および電流の関係を示すグラフである。 比較例１における各コイルの入力電圧および電流の関係を示すグラフである。 比較例２における各コイルの入力電圧および電流の関係を示すグラフである。 第３実施形態に係るコイル部品１Ｂを示す分解斜視図である。 第３実施形態に係るコイル部品１Ｂを示す断面図である。 第４実施形態に係るコイル部品１Ｃを示す分解斜視図である。 第４実施形態に係るコイル部品１Ｃを示す断面図である。 第５実施形態に係るコイル部品１Ｄを示す透視斜視図である。 図１２ＡのＸ−Ｘ断面図である。 コイル部品１Ｄを示す透視上面図である。 第６実施形態に係るコイル部品１Ｅを示す透視斜視図である。 図１３ＡのＸ−Ｘ断面図である。 コイル部品１Ｅを示す透視上面図である。 第７実施形態に係るコイル部品１Ｆを示す透視斜視図である。 図１４ＡのＸ−Ｘ断面図である。 コイル部品１Ｆを示す透視上面図である。 第７実施形態の変形例に係るコイル部品１Ｇを示す透視斜視図である。 第７実施形態の変形例に係るコイル部品１Ｈを示す透視斜視図である。 第８実施形態に係るコイル部品１Ｊを示す模式図である。 一実施形態に係るスィッチングレギュレータ５を示す簡略構成図である。
以下、本発明の一態様を図示の実施の形態により詳細に説明する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るコイル部品１を示す簡略構成図である。図１に示すように、コイル部品１は、２Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のコイルＬ１、Ｌ２、・・・Ｌ（２Ｎ）を有する。２Ｎ個のコイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）は、Ｎ組の対をなすように構成される。具体的に述べると、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２は、対をなし、第３コイルＬ３と第４コイルＬ４は、対をなし、同様に、第（２Ｎ−１）コイルＬ（２Ｎ−１）と第（２Ｎ）コイルＬ（２Ｎ）は、対をなす。すなわち、一般化するとＭを１以上Ｎ以下の整数として、第（２Ｍ−１）コイルＬ（２Ｍ−１）と第（２Ｍ）コイルＬ（２Ｍ）は、対をなしている。
ここで、コイル部品１が有する２Ｎ個のコイルＬ１、Ｌ２、・・・Ｌ（２Ｎ）はお互いに磁気結合している。ただし、対をなす第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との磁気結合は、対をなさない第１コイルＬ１とその他のコイルＬ３〜Ｌ（２Ｎ）との磁気結合よりも強い。つまり、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との結合係数の絶対値は、第１コイルＬ１とその他のコイルＬ３〜Ｌ（２Ｎ）との結合係数の絶対値よりも大きい。
具体的に述べると、第１、第２コイルの磁気結合Ｋ１２は、第１、第３コイルの磁気結合Ｋ１３、第１、第（２Ｎ）コイルの磁気結合Ｋ１（２Ｎ）よりも強い。図中、実線の矢印は強い磁気結合を示し、点線の矢印は弱い磁気結合を示す。また、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２には、互いの磁束が打ち消しあうように負結合する方向、具体的には入力側（例えば図１の左側）から出力側（例えば図１の右側）に電流が流される。
なお、第１コイルＬ１を基準とした場合だけでなく、コイルＬ２〜Ｌ（２Ｎ）を基準とした場合であっても同様に、該基準としたコイルと対をなすコイルとの磁気結合は、該基準としたコイルと対をなさないその他のコイルとの磁気結合よりも強い。例えば、第２コイルＬ２を基準とすると、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との磁気結合は、第２コイルＬ２とその他のコイルＬ３〜Ｌ（２Ｎ）との磁気結合よりも強い。また、対をなすコイルにはいずれも、互いの磁束が打ち消しあうように負結合する方向に電流が流される。さらに、コイル部品１では、対をなすコイル同士の磁気結合は、対をなさないコイル同士の磁気結合のいずれよりも強い。具体的には、例えば対をなす第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との磁気結合は、対をなさない第３コイルＬ３と第（２Ｎ−１）コイルＬ（２Ｎ−１）との磁気結合よりも強い。
前記コイル部品１によれば、対をなす第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との磁気結合は、対をなさない第１コイルＬ１とその他のコイルＬ３〜Ｌ（２Ｎ）との磁気結合よりも強い。これにより、コイル部品１を、多相ＳＷレギュレータに用いる際、各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）に入力されるパルス信号を適切に選択することで、第１コイルＬ１のリップル電流を小さくすることができる。
具体的には、まず、コイル部品１は、２Ｎ個のコイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）を有しており、多相ＳＷレギュレータに用いられる際、コイル部品１に入力されるパルス信号の総数は２Ｎとなるため、これらを信号Ｐ１〜Ｐ（２Ｎ）とする。このとき、信号Ｐ１〜Ｐ（２Ｎ）の周期は同一であり、該周期を３６０°として位相で表わすと、信号Ｐ１〜Ｐ（２Ｎ）は、３６０°／２Ｎの位相差を有する信号の集合となる。また、負荷変動がない定常状態では各信号Ｐ１〜Ｐ（２Ｎ）は、一定かつ同一のデューティ比を有する。ここで、２Ｎは偶数であるため、２Ｎ個の信号Ｐ１〜Ｐ（２Ｎ）には、１８０°の位相差を有する２つのパルス信号が存在する。
そこで、第１コイルＬ１に入力される信号Ｐ１を、上記２つのパルス信号の一方とし、該第１コイルＬ１と対をなす第２コイルＬ２に入力される信号Ｐ２を、上記２つのパルス信号の他方とした場合を考える。信号Ｐ２は、信号Ｐ１との位相差が１８０°であり、信号Ｐ２〜Ｐ（２Ｎ）のうち、信号Ｐ１に対して最も位相差が大きい信号である。つまり、信号Ｐ１のターンオン遷移（またはターンオフ遷移）に対する、信号Ｐ２〜Ｐ（２Ｎ）のターンオン遷移（またはターンオフ遷移）の間隔を考えると、信号Ｐ２は、該間隔が最も大きい信号となる。これは、信号Ｐ２は、信号Ｐ２〜Ｐ（２Ｎ）のうち、信号Ｐ１に対して、コイルの負結合によるリップル電流低減を図ることができる期間（一方がオン状態で他方がオフ状態である期間）が最も長く、コイルの負結合によるリップル電流増加が懸念される期間（同時オン期間および同時オフ期間）が最も短い信号であることを意味する。つまり、信号Ｐ２は、信号Ｐ１に対して、コイルの負結合によるリップル電流低減効果が最も発揮される信号である。コイル部品１では、信号Ｐ１が入力される第１コイルＬ１に対して比較的強く負結合する第２コイルＬ２に、このような信号Ｐ２を入力することで、第１コイルＬ１のリップル電流を効果的に小さくすることができる。
また、上記の場合、第１コイルＬ１と対をなさないその他のコイルＬ３〜Ｌ（２Ｎ）に入力される信号Ｐ３〜Ｐ（２Ｎ）は、信号Ｐ１との位相差が、信号Ｐ１と信号Ｐ２との位相差と比較して小さい信号となる。つまり、信号Ｐ３〜Ｐ（２Ｎ）は、信号Ｐ１に対して、ターンオン遷移同士の間隔またはターンオフ遷移同士の間隔が比較的小さい。これは、信号Ｐ３〜Ｐ（２Ｎ）は、信号Ｐ１に対して、コイルの負結合によるリップル電流低減を図ることができる期間が比較的短く、コイルの負結合によるリップル電流増加が懸念される期間が比較的長い信号であることを意味する。つまり、信号Ｐ３〜Ｐ（２Ｎ）は、第１パルス信号に対して、コイルの負結合によるリップル電流低減効果が比較的発揮しにくく、リップル電流増加が懸念される信号である。コイル部品１では、信号Ｐ１が入力される第１コイルＬ１に対して比較的弱く磁気結合されたその他のコイルＬ３〜Ｌ（２Ｎ）に、このような信号Ｐ３〜Ｐ（２Ｎ）を入力することで、第１コイルＬ１のリップル電流の増加を抑制することができる。
以上により、コイル部品１は、多相ＳＷレギュレータに使用される際、各コイルに入力されるパルス信号を適切に選択することで、第１コイルＬ１のリップル電流を小さくすることができる。
特に、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２には、互いの磁束が打ち消し合うように負結合する方向に電流が流されるので、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２に１８０°の位相差の信号Ｐ１，Ｐ２が入力されるとき、第１、第２コイルＬ１、Ｌ２のインダクタリップル電流を小さくできる。
また、上記の結合の相対的な強弱関係は、第１コイルＬ１を基準とした場合だけでなく、コイルＬ２〜Ｌ（２Ｎ）を基準とした場合であっても同様である。したがって、第１コイルＬ１と同様に、各コイルＬ２〜Ｌ（２Ｎ）を基準とした場合に、該基準としたコイルおよびその対をなすコイルに位相差が１８０°であるパルス信号を入力することで、各コイルＬ２〜Ｌ（２Ｎ）のリップル電流を小さくすることができる。なお、このようにパルス信号を適切に選択するためには、例えば、まず信号Ｐ１として任意の信号を選択し、信号Ｐ（２Ｍ−１）としては信号Ｐ１に対して（３６０°／（２Ｎ））×（Ｍ−1）の位相差を有する信号を、信号Ｐ（２M）としては信号Ｐ１に対して（３６０°／（２Ｎ））×（Ｍ−１)＋１８０°の位相差を有する信号を選択すればよい（Ｍは１以上Ｎ以下の整数）。具体的には、例えば、Ｎ＝２のとき、信号Ｐ１〜Ｐ４として、まず信号Ｐ１として任意の信号を選択し、信号Ｐ２としては信号Ｐ１に対して１８０°の位相差を有する信号を、信号Ｐ３としては信号Ｐ１に対して９０°の位相差を有する信号を、信号Ｐ４としては信号Ｐ１に対して２７０°の位相差を有する信号を選択すればよい。
したがって、コイル部品１では、多相ＳＷレギュレータに用いる際、各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）に入力される信号Ｐ１〜Ｐ（２Ｎ）を上記のように適切に選択することで、全てのコイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）のリップル電流を小さくできる。ただし、上記より類推されるように、コイル部品１では、コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）のうち、少なくとも１つのコイルを基準として、該コイルと対をなすコイルとの磁気結合が、該コイルと対をなさないその他のコイルとの磁気結合よりも強ければよい。このとき、該コイルに入力される信号と１８０°の位相差を有する信号を、該コイルと対をなすコイルに入力することにより、該コイルのリップル電流を小さくすることができる。この際、該コイル以外のコイルを基準とした場合の磁気結合の強弱関係はどのようなものであってもよい。なお、上記のように、対をなすコイル同士のどの磁気結合も、対をなさないコイル同士のどの磁気結合よりも強い場合は、より各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）のリップル電流を確実に小さくすることができ、好ましい。また、上記のように、コイル部品１において、あるコイルを基準として、該コイルと「対をなす」コイルとは、該コイル以外のコイルのうち、該コイルと最も強く磁気結合されているコイルを指す。
（第２実施形態）
図２は、第２実施形態に係るコイル部品１Ａを示す斜視図である。図３は、コイル部品１Ａの分解斜視図である。図４は、図２のＸ−Ｘ断面図である。図２と図３と図４に示すように、コイル部品１Ａは、素体１０と、素体１０内に設けられた４（２×２）個の第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４と、素体１０外に設けられ、第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４に電気的に接続される第１〜第４外部端子とを有する。また、第１〜第４外部端子は、素体１０の第１側面１０ａ側に設けられた外部端子１１ａ〜１４ａと、素体１０の第２側面１０ｂ側に設けられた外部端子１１ｂ〜１４ｂとで構成される。第１側面１０ａと第２側面１０ｂとは、互いに対向しており、外部端子１１ａ〜１４ａと、外部端子１１ｂ〜１４ｂは、それぞれこの順に互いに対向するように配置される。第１〜第４外部端子１１ａ〜１４ａ，１１ｂ〜１４ｂは、例えば、素体１０表面にめっき形成されたＣｕ，Ｎｉ，Ｓｎなどの金属膜や、スクリーン印刷されたＣｕ、Ａｇ、Ａｕなどの低電気抵抗な金属を含む樹脂膜などである。
なお、コイル部品１Ａは、図２に示される外部端子１１ａ〜１４ａおよび外部端子１１ｂ〜１４ｂの両方が配置された面を実装面とする。また、以下では、該実装面に直交する方向を上下方向（図４の紙面上下方向に対応する）とし、コイル部品１Ａにおける実装面側を下方、その反対面側を上方とする。
素体１０は、第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４のそれぞれを覆う絶縁樹脂３５と、絶縁樹脂３５を覆う磁性樹脂４０とを有する。絶縁樹脂３５は、ベース絶縁樹脂層（絶縁層）３０および第１から第４絶縁樹脂層（絶縁層）３１〜３４からなる。磁性樹脂４０は、絶縁樹脂３５の第１孔部３５ａ内に設けられた第１磁性樹脂体４１ａ、絶縁樹脂３５の第２孔部３５ｂ内に設けられた第２磁性樹脂体４１ｂ、絶縁樹脂３５の外周面の一部に設けられた第３磁性樹脂体４１ｃ、絶縁樹脂３５の上下端面に設けられた磁性樹脂層（絶縁層）４２からなる。これにより、素体１０は、絶縁層３０〜３４，４２が上下方向に複数積層された構成を有する。すなわち、本実施形態の上下方向は、第１方向に相当する。なお、この明細書において、対象物を覆うとは、対象物の少なくとも一部を覆うことをいい、また、対象物の上方に配置されている場合のみだけでなく、対象物の側方や下方に配置されている場合も「覆う」という。図３では、絶縁樹脂３５を省略して描いている。
第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４は、それぞれ素体１０の内部に配置されるとともに、絶縁層３０〜３３上で巻回された第１スパイラル配線２１および第２スパイラル配線２２によって構成される。ここで、第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４のそれぞれに対し、第１、第２スパイラル配線２１，２２の最内周よりも内側を内径部分とする。内径部分には、上下方向に沿った各コイルＬ１〜Ｌ４の巻回中心軸（以下、単に「コイルの軸」と記載する場合がある。）が含まれる。第２コイルＬ２は、第１コイルＬ１の上方に積層される。第４コイルＬ４は、第１コイルＬ１の側方、すなわち同一の絶縁層（ベース絶縁樹脂層３０）上に積層される。第３コイルＬ３は、第４コイルＬ４の上方に積層される。第３コイルＬ３は、第２コイルＬ２の側方、すなわち同一の絶縁層（第２絶縁樹脂層３２）上に積層される。
ここで、コイル部品１Ａにおいては、上下方向に並ぶコイルが対をなすとする。このとき、４個のコイルＬ１〜Ｌ４は、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との組および第３コイルＬ３と第４コイルＬ４との組の、２組の対をなすように構成されている。次に、対をなすコイル同士の磁気結合と対をなさないコイル同士の磁気結合の関係を以下に説明する。
コイル部品１Ａでは、上下方向からみて、第１コイルＬ１の内径部分と第２コイルＬ２の内径部分とは、互いに重なる。これにより、第１コイルＬ１の磁束が、第１コイルＬ１の軸に沿って、第１コイルＬ１の内径部分に発生すると、該磁束が第２コイルＬ２の内径部分を通過する。また、第２コイルＬ２の磁束が、第２コイルＬ２の軸に沿って、第２コイルＬ２の内径部分に発生すると、該磁束が第１コイルＬ１の内径部分を通過する。したがって、対をなす第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは、強く磁気結合する。なお、強い磁気結合を得るためには、第１コイルＬ１の内径部分の少なくとも一部と第２コイルＬ２の内径部分の少なくとも一部とが、互いに重なればよいが、第１コイルＬ１の軸と第２コイルＬ２の軸とが同軸である（軸が一致する）場合はさらに強い磁気結合を得ることができる。
同様に、コイル部品１Ａでは、上下方向からみて、第３コイルＬ３の内径部分と第４コイルＬ４の内径部分とは、互いに重なる。これにより、対をなす第３コイルＬ３と第４コイルＬ４とは、強く磁気結合する。
一方、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２の軸と第３コイルＬ３および第４コイルＬ４の軸とは、間隔を空けて平行に配置される。すなわち、上下方向からみて、第１コイルＬ１の内径部分と、第４コイルＬ４の内径部分とは、互いに重ならず、第２コイルＬ２の内径部分と、第３コイルＬ３の内径部分とは、互いに重ならない。これにより、内径部分を共有する第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との磁気結合および第３コイルＬ３と第４コイルＬ４との磁気結合と比較して、第１コイルＬ１と第４コイルＬ４との磁気結合および第２コイルＬ２と第３コイルＬ３との磁気結合は、相対的に弱い。さらに、第１コイルＬ１と第３コイルＬ３、および、第２コイルＬ２と第４コイルＬ４も、磁気結合しているが、これらも内径部分が互いに重なっておらず、さらにコイル間の距離が最も大きい。したがって、第１コイルＬ１と第４コイルＬ４との磁気結合や第２コイルＬ２と第３コイルＬ３との磁気結合と比較して、第１コイルＬ１と第３コイルＬ３との磁気結合および第２コイルＬ２と第４コイルＬ４との磁気結合は、相対的に弱く、例えばコイル特性においてはほとんど無視してもよい程度であってもよい。
以上より、コイル部品１Ａでは、２組の対の一つである第１コイルＬ１および第２コイルＬ２以外のコイルＬ３，Ｌ４をその他のコイルＬ３，Ｌ４とするとき、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との磁気結合は、第１コイルＬ１とその他のコイルＬ３，Ｌ４との磁気結合よりも強い。同様に、第２コイルＬ２と第１コイルＬ１との磁気結合は、第２コイルＬ２とその他のコイルＬ３、Ｌ４との磁気結合よりも強い。また、２組の対の一つである第３コイルＬ３および第４コイルＬ４以外のコイルＬ１，Ｌ２をその他のコイルＬ１，Ｌ２とするとき、第３コイルＬ３と第４コイルＬ４との磁気結合は、第３コイルＬ３とその他のコイルＬ１、Ｌ２との磁気結合よりも強い。同様に、第４コイルＬ４と第３コイルＬ３との磁気結合は、第４コイルＬ４とその他のコイルＬ１、Ｌ２との磁気結合よりも強い。
すなわち、コイル部品１Ａでは、第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４のいずれのコイルを基準としても、該コイルと対をなすコイルとの磁気結合は、該コイルと対をなさないコイルとの磁気結合よりも強い。
さらに、コイル部品１Ａの構造の対称性から、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との磁気結合は、第３コイルＬ３と第４コイルＬ４との磁気結合と同程度の強さである。また、第１コイルＬ１と第４コイルＬ４との磁気結合は、第２コイルＬ２と第３コイルＬ３との磁気結合と同程度の強さであり、第１コイルＬ１と第３コイルＬ３との磁気結合は、第２コイルＬ２と第４コイルＬ４との磁気結合と同程度の強さである。したがって、コイル部品１Ａでは、対をなすコイル同士の磁気結合は、対をなさないコイル同士の磁気結合のいずれよりも強い。
なお、コイル部品１Ａでは、第１から第４コイルＬ１〜Ｌ４のそれぞれのターン数、コイル配線長およびコイル断面積は、同じである。これにより、各コイルの電気特性（インピーダンスやＬ値など）の偏差を小さくできる。さらに、この場合、各コイルＬ１〜Ｌ４の一端、他端が近くに並ぶように配置されるため、外部端子１１ａ〜１４ａ，１１ｂ〜１４ｂに接続する各コイルＬ１〜Ｌ４の引き回しを最小にでき、これにより、コイル部品１Ａの小型化を図ることができる。なお、必ずしもすべてのコイルＬ１〜Ｌ４についてこの関係を満たす必要はなく、少なくとも１対のコイルのターン数、コイル配線長およびコイル断面積が、同じであれば上記効果を発揮することができる。また、上記において「同じ」とは、ターン数、コイル配線長およびコイル断面積の各値に対する製造ばらつきや誤差（例えば、ターン数およびコイル配線長については数％、コイル断面積については１０％程度）程度の差異は許容され、実質的に同じである場合を含む。
第１コイルＬ１は、ベース絶縁樹脂層３０上で巻回された第１スパイラル配線２１および第１絶縁樹脂層３１上で巻回された第２スパイラル配線２２の２層と、第１絶縁樹脂層３１を上下方向に貫通し該２層を接続するビア配線２５から構成される。第１スパイラル配線２１と第２スパイラル配線２２は、下層から上層に順に、配置される。第１、第２スパイラル配線２１，２２は、それぞれ、平面螺旋（渦巻）状に巻回されて形成されている。第１コイルＬ１では、第１スパイラル配線２１は、外周から内周に向かって反時計回りに巻回され、第２スパイラル配線２２は、内周から外周に向かって反時計回りに巻回されている。第１、第２スパイラル配線２１，２２およびビア配線２５は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの低電気抵抗な金属によって構成される。好ましくは、セミアディティブ工法によって形成されるＣｕめっきを用いることで、低電気抵抗でかつ狭ピッチなスパイラル配線を形成できる。
第１コイルＬ１において、第２スパイラル配線２２は、ビア配線２５を介して、第１スパイラル配線２１に接続される。具体的には、ビア配線２５は、第１スパイラル配線２１の内周端２１ａと第２スパイラル配線２２の内周端２２ａとを接続する。第１スパイラル配線２１の外周端２１ｂは、素体１０の第１側面１０ａ側に引き出され、外部端子１１ａに接続される。第２スパイラル配線２２の外周端２２ｂは、素体１０の第２側面１０ｂ側に引き出され、外部端子１１ｂに接続される。以上より、第１コイルＬ１は、第１側面１０ａ側に引き出された外周端２１ｂを一端、第２側面１０ｂ側に引き出された外周端２２ｂを他端として、一端から他端に向かって反時計回りに巻回されている。
第２から第４コイルＬ２〜Ｌ４も同様に、下層側の絶縁層（ベース絶縁樹脂層３０または第２絶縁樹脂層３２）上で巻回された第１スパイラル配線２１および上層側の絶縁層（第１絶縁樹脂層３１または第３絶縁樹脂層３３）上で巻回された第２スパイラル配線２２の２層と、上層側の絶縁層を上下方向に貫通し該２層を接続するビア配線２５から構成される。ただし、第２コイルＬ２において、第１スパイラル配線２１は、外周から内周に向かって時計回りに巻回され、第２スパイラル配線２２は、内周から外周に向かって時計回りに巻回されている。また、第２コイルＬ２では、ビア配線２５は、第１スパイラル配線２１の内周端２１ａと第２スパイラル配線２２の内周端２２ａとを接続する。さらに、第２コイルＬ２では、第１スパイラル配線２１の外周端２１ｂ（一端）は、素体１０の第１側面１０ａ側に引き出され、外部端子１２ａに接続される。第２スパイラル配線２２の外周端２２ｂ（他端）は、素体１０の第２側面１０ｂ側に引き出され、外部端子１２ｂに接続される。以上より、第２コイルＬ２は、一端から他端に向かって、時計回りに巻回されている。第３コイルＬ３は、第１コイルＬ１と同様の構成を有し、第１側面１０ａ側に引き出された第１スパイラル配線２１の外周端（一端）は、外部端子１３ａに接続され、第２側面１０ｂ側に引き出された第２スパイラル配線２２の外周端（他端）は、外部端子１３ｂに接続される。以上より、第３コイルＬ３は、一端から他端に向かって、反時計回りに巻回されている。第４コイルＬ４は、第２コイルＬ２と同様の構成を有し、第１側面１０ａ側に引き出された第１スパイラル配線２１の外周端（一端）は、外部端子１４ａに接続され、第２側面１０ｂ側に引き出された第２スパイラル配線２２の外周端（他端）は、外部端子１４ｂに接続される。以上より、第４コイルＬ４は、一端から他端に向かって、時計回りに巻回されている。
このように、コイル部品１Ａでは、対をなす第１コイルＬ１の一端（外周端２１ｂ）と第２コイルＬ２の一端（外周端２１ｂ）とは、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２に対して同じ第１側面１０ａ（一方）側に引き出されている。また、第１コイルＬ１の他端（外周端２２ｂ）と第２コイルＬ２の他端（外周端２２ｂ）とは、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２に対して、同じ第２側面１０ｂ（他方）側に引き出されている。さらに、第１コイルＬ１は一端から他端に向かって反時計回りに、第２コイルＬ２は一端から他端に向かって時計回りにそれぞれ巻回されており、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは、異なる方向に巻回されている。すなわち、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２は、一端から他端に向かって電流が流れた場合に、互いの磁束が打ち消し合うように巻回されている。これは、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２の各一端を共にパルス信号の入力側、各他端を共にパルス信号の出力側とした場合に、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは負結合されていることを意味する。
したがって、コイル部品１Ａでは、多相ＳＷレギュレータに使用される際、同じ側にある第１コイルＬ１および第２コイルＬ２の各一端に１８０°の位相差を有する信号を入力することで、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２のリップル電流を小さくすることができる。言い換えると、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とでは、負結合されるようにパルス信号を入力する際、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２の入力側（一端）、出力側（他端）をそれぞれ同じ側に揃えることができる。これにより、コイル部品１Ａを実装する基板における配線引き回しを容易にすることができる。
また、コイル部品１Ａでは、対をなす第３コイルＬ３および第４コイルＬ４も第１コイルＬ１と第２コイルＬ２と同様の構成である。したがって、コイル部品１Ａでは、第３コイルＬ３と第４コイルＬ４とでは負結合されるようにパルス信号を入力する際、第３コイルＬ３および第４コイルＬ４の入力側、出力側をそれぞれ同じ側に揃えることができる。これにより、コイル部品１Ａを実装する基板における配線引き回しを容易にすることができる。
また、コイル部品１Ａでは、第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４のすべてについて、一端と、他端とが同じ側に引き出されている。これにより、コイル部品１Ａでは、対をなすコイルがすべて負結合されるようにパルス信号を入力する際、コイルＬ１〜Ｌ４の入力側、出力側をそれぞれ同じ側に揃えることができる。これにより、コイル部品１Ａを実装する基板における配線引き回しをより容易にすることができる。
なお、上記では、外周端２１ｂを一端（パルス信号の入力側）、外周端２２ｂを他端（パルス信号の出力側）として説明したが、コイル部品１Ａの対称性から、外周端２２ｂを一端、外周端２１ｂを他端としてもよい。
ベース絶縁樹脂層３０および第１から第４絶縁樹脂層３１〜３４は、下層から上層に順に、配置される。絶縁樹脂層３０〜３４の材料は、例えば、エポキシ系樹脂やビスマレイミド、液晶ポリマ、ポリイミドなどからなる有機絶縁材料の単独材料もしくは、シリカフィラーなどの無機フィラー材料や、ゴム系材料からなる有機系フィラーなどとの組み合わせからなる絶縁材料である。好ましくは、全ての絶縁樹脂層３０〜３４は、同一材料で構成される。この実施形態では、全ての絶縁樹脂層３０〜３４は、シリカフィラー（絶縁体粉）およびエポキシ樹脂のコンポジット材料からなる。このように、スパイラル配線２１，２２と接する絶縁層（絶縁樹脂層３０〜３４）が、絶縁体粉および樹脂のコンポジット材料からなる場合、スパイラル配線２１，２２内およびスパイラル配線２１，２２間の絶縁性をより向上することができる。
第１絶縁樹脂層３１は、第１、第４コイルＬ１，Ｌ４の第１スパイラル配線２１を覆うようにベース絶縁樹脂層３０上に積層される。第２絶縁樹脂層３２は、第１、第４コイルＬ１，Ｌ４の第２スパイラル配線２２を覆うように第１絶縁樹脂層３１上に積層される。
第３絶縁樹脂層３３は、第２、第３コイルＬ２，Ｌ３の第１スパイラル配線２１を覆うように第２絶縁樹脂層３２上に積層される。第４絶縁樹脂層３４は、第２、第３コイルＬ２，Ｌ３の第２スパイラル配線２２を覆うように第３絶縁樹脂層３３上に積層される。
ここで、各コイルＬ１〜Ｌ４のビア配線２５は、上下方向から見たとき重ならないように配置されている。ビア配線２５が配置される箇所は、ビア配線２５の絶縁樹脂層への充填量のばらつきにより、素体１０の上下方向に沿った厚みがばらつきやすい箇所でもあり、このような箇所を重ならないように配置することで、素体１０の厚みのばらつきを低減することができる。また、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２のビア配線２５は、上下方向から見たときに第１、第２コイルＬ１，Ｌ２の巻回中心を通り、第１、第２側面１０ａ，１０ｂに直交する直線に対して線対称となるように配置されることが好ましい。これにより、対をなす第１、第２コイルＬ１，Ｌ２の形状を対称形とでき、これらの電気特性が均一となるように、コイル部品１Ａを製造することができる。第３コイルＬ３と第４コイルＬ４のビア配線２５の位置関係も同様とすることで、第３、第４コイルＬ３，Ｌ４についても上記効果を得ることができるである。
第１から第４コイルＬ１〜Ｌ４の第１スパイラル配線２１の外周端２１ｂは、第１側面１０ａの長辺方向（上下方向と垂直な方向）に沿って順に配置されている。つまり、第１側面１０ａ側の外部端子１１ａ〜１４ａは、第１側面１０ａの長辺方向に沿って順に配置されている。
第１から第４コイルＬ１〜Ｌ４の第２スパイラル配線２２の外周端２２ｂは、第２側面１０ｂの長辺方向（上下方向と垂直な方向）に沿って順に配置されている。つまり、第２側面１０ｂ側の外部端子１１ｂ〜１４ｂは、第２側面１０ｂの長辺方向に沿って順に配置されている。
このように、第１コイルＬ１に接続される第１外部端子１１と第２コイルＬ２に接続される第２外部端子１２とは、隣り合って配置され、第３コイルＬ３に接続される第３外部端子１３と第４コイルＬ３に接続される第４外部端子１４とは、隣り合って配置される。コイル部品１Ａでは、対をなす第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは上下方向に配置されており、これらの外周端２１ｂ、２２ｂは比較的近い位置にある。よって外周端２１ｂ、２２ｂが接続される第１外部端子１１、第２外部端子１２も近い位置にあることで、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２の外部端子１１，１２に接続する配線の引き回しを短くできる。対をなす第３コイルＬ３および第４コイルＬ４でも同様の構成であるので、それぞれの外部端子１３，１４に接続する配線の引き回しも短くできる。これにより、コイル部品１Ａでは、外形を小型化することができる。また、コイル部品１Ａでは、第１側面１０ａにおける外部端子１１ａ〜１４ａの並び順と、第２側面１０ｂにおける外部端子１１ｂ〜１４ｂの並び順が一致する。これにより、コイル部品１Ａを実装する基板において、入力側の配線の並び順と出力側の配線の並び順を一致させることができ、実装が容易となる。したがって、小型でかつ実装が容易なコイル部品１Ａを提供できる。
コイル部品１Ａのように、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２がそれぞれ、複数の絶縁層（絶縁樹脂層３０，３１または絶縁樹脂層３２，３３）上に巻回された複数のスパイラル配線２１，２２から構成される場合、好ましくは、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との間の最短距離は、第１コイルＬ１、第２コイルＬ２のそれぞれにおけるスパイラル配線２１，２２同士の間の最短距離よりも長い。これにより、コイルＬ１、Ｌ２のリップル電流を小さくできるパルス信号の組み合わせにおいて、異電圧が印加される期間が比較的長くなる第１コイルＬ１と第２コイルＬ２の間の絶縁性を相対的に高めることができ、コイル部品１Ａの信頼性を向上できる。第３コイルＬ３および第４コイルＬ４に関しても同様である。
また、コイル部品１Ａのように、同一の絶縁層（例えばベース絶縁樹脂層３０）上に複数のコイル（例えば第１コイルＬ１、第４コイルＬ４）のスパイラル配線（例えば第１スパイラル配線２１）が巻回される場合、好ましくは、該スパイラル配線同士の配線間隔（例えば、第１コイルＬ１と第４コイルＬ４のスパイラル配線２１同士の間隔）は、該スパイラル配線内の配線間隔よりも長い。これにより、異電圧が印加される期間がある隣り合うコイルの同一の絶縁層上に巻回されたスパイラル配線間の絶縁性を相対的に高めることができ、信頼性を向上できる。
絶縁樹脂３５は、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２の軸を中心とした第１孔部３５ａと、第３コイルＬ３および第４コイルＬ４の軸を中心とした第２孔部３５ｂとを有する。
磁性樹脂４０は、磁性体粉および樹脂のコンポジット材料からなる。磁性体粉は、例えば、ＦｅＳｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＡｌ系の合金またはアモルファスからなる金属磁性材料であり、樹脂は、例えば、エポキシ等の樹脂材料である。すなわち、コイル部品１Ａでは、第１から第４コイルＬ１〜Ｌ４のスパイラル配線２１，２２に対して上下方向両側にある絶縁層は、磁性体粉および樹脂のコンポジット材料からなる磁性樹脂層４２を含む。これにより、第１コイルＬ１〜Ｌ４により発生する磁束の密度が磁性樹脂層４２により向上し、小型かつ薄型でありながら、適切なインダクタンスや結合係数を確保できるコイル部品１Ａを安価に提供することができる。
また、コイル部品１Ａでは、第１から第４コイルＬ１〜Ｌ４のそれぞれに対し、コイルＬ１〜Ｌ４の内径部分（第１、第２孔部３５ａ，３５ｂ）に設けられた磁性樹脂体４１ａ，４１ｂ、および、コイルＬ１〜Ｌ４のスパイラル配線２１，２２の最外周よりも外側に設けられた磁性樹脂体４１ｃをさらに備える。磁性樹脂体４１ａ，４１ｂ，４１ｃは前述のように磁性体粉および樹脂のコンポジット材料からなる。ここで、コイル部品１Ａでは、第１、第２コイルＬ１，Ｌ２に対しては、磁性樹脂層４２と磁性樹脂体４１ａ，４１ｃとが接続されることにより、第３、第４コイルＬ３，Ｌ４に対しては、磁性樹脂層４２と磁性樹脂体４１ｂ，４１ｃとが接続されることにより、それぞれ閉磁路を構成している。これにより、コイルＬ１〜Ｌ４からの漏れ磁束を低減することができ、ノイズを抑えることができるとともに、対をなすコイルＬ１，Ｌ２間の磁気結合およびコイルＬ３，Ｌ４間の磁気結合を強くしつつ、対をなさないそれ以外のコイル間の磁気結合を弱くすることができる。
磁性体粉の平均粒径は、好ましくは、０．５μｍ以上１００μｍ以下であり、これにより、磁性樹脂を小型のコアとできる。また、磁性体粉は、好ましくは、樹脂に対して５０ｖｏｌ％以上８５ｖｏｌ％以下含有されており、これにより、十分な透磁率を得ることができて、対をなすコイルの磁気結合を強くすることができる。
コイル部品１Ａの特性（インダクタンス値および重畳特性）を向上させるため、磁性体粉は、７０ｖｏｌ％以上含有されていることが望ましく、また、磁性樹脂４０の充填性を向上させるため、粒度分布の異なる２または３種類の磁性体粉を混在させるとさらによい。また、磁性体粉が、絶縁樹脂３５の第１、第２孔部３５ａ，３５ｂに確実に充填されるために、磁性体粉の平均粒径は、第１、第２孔部３５ａ，３５ｂより小さい方が望ましく、４０μｍ以下がよい。また、コイル部品１Ａの用途において、使用周波数が、例えば４０ＭＨｚ以上など高い場合は、磁性体粉は、平均粒形が１μｍ以下の粒度分布をもつ単一磁性フィラーであってもよい。
コイル部品１Ａでは、図３に示すように、第１コイルＬ１と第４コイルＬ４の間の最小距離となる部分には第３磁性樹脂体４１ｃが充填されていないことが好ましい。これにより、第１コイルＬ１と第４コイルＬ４の結合を相対的に弱くできる。また、磁性樹脂４０は金属を含有している樹脂から成り、絶縁樹脂３５と比較すると耐圧性に劣るため、第１コイルＬ１と第４コイルＬ４の最小距離に磁性樹脂４０を充填しようとすると信頼性の観点から十分に第１コイルＬ１と第４コイルＬ４を離す必要があり、コイル部品１Ａの外形サイズが増大してしまう。したがって、第１コイルＬ１と第４コイルＬ４の間の最小距離となる部分に第３磁性樹脂体４１ｃが充填されないことで、同一外形においてコイル部品１Ａの信頼性を向上させることができる。第２コイルＬ２と第３コイルＬ３の間においても同様である。
コイル部品１Ａの実施例として、スパイラル配線２１，２２の厚みは４５μｍであり、スパイラル配線２１，２２の幅は６０μｍであり、スパイラル配線２１，２２内の配線間隔は１０μｍであり、スパイラル配線２１とスパイラル配線２２との間の絶縁樹脂の厚みは１０μｍである。コイル部品１Ａの外形サイズは幅２．０ｍｍ×奥行１．２ｍｍ×高さ０．８５ｍｍであり、コイル部品１Ａの各コイルＬ１〜Ｌ４のインダクタンス値は７４ｎＨ、対をなすコイル間の結合係数は０．８である。
次に、コイル部品１Ａの製造方法を図５Ａ〜図５Ｒを用いて説明する。
図５Ａに示すように、基台５０を準備する。基台５０は、絶縁基板５１と、絶縁基板５１の両面に設けられたベース金属層５２とを有する。この実施形態では、絶縁基板５１は、ガラスエポキシ基板であり、ベース金属層５２は、Ｃｕ箔であり、その主面は円滑面となっている。
そして、図５Ｂに示すように、基台５０の一面上にダミー金属層６０を接着する。この実施形態では、ダミー金属層６０は、Ｃｕ箔である。ダミー金属層６０は、基台５０のベース金属層５２と接着されるので、ダミー金属層６０は、ベース金属層５２の円滑面に接着される。このため、ダミー金属層６０とベース金属層５２の接着力を弱くすることができて、後工程において、基台５０をダミー金属層６０から容易に剥がすことができる。好ましくは、基台５０とダミー金属層６０を接着する接着剤は、低粘着接着剤とする。また、基台５０とダミー金属層６０の接着力を弱くするために、基台５０とダミー金属層６０の接着面を光沢面とすることが望ましい。
その後、基台５０に仮止めされたダミー金属層６０上にベース絶縁樹脂層３０を積層する。このとき、ベース絶縁樹脂層３０を真空ラミネータにより積層してから熱硬化する。
そして、図５Ｃに示すように、ベース絶縁樹脂層３０の一部に貫通孔３０ａ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆを形成して、ダミー金属層６０を露出させる。貫通孔３０ａ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆは、レーザ加工により形成され、貫通孔３０ａが磁性樹脂体４１ａを，貫通孔３０ｄが磁性樹脂体４１ｂを，貫通孔３０ｅ，３０ｆが磁性樹脂体４１ｃを、それぞれ充填する場所に形成される。
そして、図５Ｄに示すように、貫通孔３０ａ，３０ｄを取り囲むベース絶縁樹脂層３０に、第１スパイラル配線層３ａと、第１スパイラル配線層３ｂとを形成する。このとき、第１スパイラル配線層３ａ，３ｂを、セミアディティブ工法により、同時に形成する。第１スパイラル配線層３ａが、第１コイルＬ１の第１スパイラル配線２１を構成し、第１スパイラル配線層３ｂが、第４コイルＬ４の第１スパイラル配線２１を構成する。このとき、貫通孔３０ａ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆ内およびその周辺のベース絶縁樹脂層３０上にも配線層を形成しておく。
そして、図５Ｅに示すように、第１スパイラル配線層３ａ，３ｂを第１絶縁樹脂層３１で覆う。このとき、第１絶縁樹脂層３１を真空ラミネータでベース絶縁樹脂層３０上に積層してから熱硬化する。
そして、図５Ｆに示すように、第１絶縁樹脂層３１に、レーザ加工により、貫通孔３１ａ，３１ｄ，３１ｅ，３１ｆと、ビアホール３１ｂ，３１ｃを形成する。貫通孔３１ａ，３１ｄ，３１ｅ，３１ｆはそれぞれ、貫通孔３０ａ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆ上方の第１絶縁樹脂層３１に形成される。
ビアホール３１ｂ，３１ｃは、第１スパイラル配線層３ａ，３ｂと次に形成される２層目の配線層とが電気的に直列に接続される位置、具体的には第１スパイラル配線２１の内周端２１ａとなる部分上の第１絶縁樹脂層３１に形成される。ここで、貫通孔３１ａ，３１ｄ，３１ｅ，３１ｆおよびビアホール３１ｂ，３１ｃは、同時加工することで、工程を簡略化させることができる。
そして、図５Ｇに示すように、貫通孔３１ａ，３１ｄを取り囲む第１絶縁樹脂層３１上に、第１スパイラル配線層３ａ，３ｂと同じセミアディティブ工法により第２スパイラル配線層５ａ，５ｂを形成する。この際、第２スパイラル配線層５ａの一部をビアホール３１ｂに充填することで、ビア配線２５となる部分を形成し、第１スパイラル配線層３ａと第２スパイラル配線層５ａとを電気的に接続させる。なお、第２スパイラル配線層５ｂについても同様にビアホール３１ｃ内にビア配線２５となる部分を形成し、第１スパイラル配線層３ｂと電気的に接続させる。第２スパイラル配線層５ａ，５ｂは、それぞれ第１コイルＬ１、第４コイルＬ４の第２スパイラル配線２２を構成する。これにより、第１コイルＬ１および第４コイルＬ４を形成することができる。このとき、貫通孔３１ａ，３１ｄ，３１ｅ，３１ｆ内およびその周辺の第１絶縁樹脂層３１上にも配線層を形成しておく。
そして、図５Ｈに示すように、第２スパイラル配線層５ａ，５ｂを第２絶縁樹脂層３２で覆う。このとき、第２絶縁樹脂層３２を真空ラミネータで第１絶縁樹脂層３１上に積層してから熱硬化する。
そして、図５Ｉに示すように、第２絶縁樹脂層３２に、レーザ加工により、貫通孔３２ａ，３２ｄ，３２ｅ，３２ｆを形成する。貫通孔３２ａ，３２ｄ，３２ｅ，３２ｆは、それぞれ貫通孔３１ａ，３１ｄ，３１ｅ，３１ｆ上方の第２絶縁樹脂層３２に形成される。
そして、図５Ｊに示すように、貫通孔３２ａ，３２ｄを取り囲む第２絶縁樹脂層３２上に、第１スパイラル配線層３ａと同じセミアディティブ工法により第１スパイラル配線層７ａと、第１スパイラル配線層７ｂとを形成する。第１スパイラル配線層７ａ，７ｂは、それぞれ第２コイルＬ２、第３コイルＬ３の第１スパイラル配線２１を構成する。このとき、貫通孔３２ａ，３２ｄ，３２ｅ，３２ｆ内およびその周辺の第２絶縁樹脂層３２上にも配線層を形成しておく。
そして、図５Ｋに示すように、第１スパイラル配線層７ａ，７ｂを第３絶縁樹脂層３３で覆う。このとき、第３絶縁樹脂層３３を真空ラミネータで第２絶縁樹脂層３２上に積層してから熱硬化する。
そして、図５Ｌに示すように、第３絶縁樹脂層３３に、レーザ加工により、貫通孔３３ａ，３３ｄ，３３ｅ，３３ｆと、ビアホール３３ｂ，３３ｃを形成する。貫通孔３３ａ，３３ｄ，３３ｅ，３３ｆは、それぞれ貫通孔３２ａ，３２ｄ，３２ｅ，３２ｆ上方の第３絶縁樹脂層３３に形成される。ビアホール３３ｂ，３３ｃは、第１スパイラル配線層７ａ，７ｂと次に形成される配線層とが電気的に直列に接続される位置、具体的には第１スパイラル配線２１の内周端２１ａとなる部分上の第３絶縁樹脂層３３に形成される。
そして、図５Ｍに示すように、貫通孔３３ａ，３３ｄを取り囲む第３絶縁樹脂層３３上に、第１スパイラル配線層７ａ，７ｂと同じセミアディティブ工法により第２スパイラル配線層９ａ，９ｂを形成する。この際、第２スパイラル配線層９ａの一部をビアホール３３ｂに充填することで、ビア配線２５となる部分を形成し、第１スパイラル配線層７ａと第２スパイラル配線層９ａとを電気的に接続させる。なお、第２スパイラル配線層９ｂについても同様にビアホール３３ｃ内にビア配線２５となる部分を形成し、第１スパイラル配線層７ｂと電気的に接続させる。第２スパイラル配線層９ａ，９ｂは、それぞれ第２コイルＬ２、第３コイルＬ３の第２スパイラル配線２２を構成する。これにより、第２コイルＬ２および第３コイルＬ３を形成することができる。このとき、貫通孔３３ａ，３３ｄ，３３ｅ，３３ｆ内およびその周辺の第３絶縁樹脂層３３上にも配線層を形成しておく。
そして、図５Ｎに示すように、第２スパイラル配線層９ａ，９ｂを第４絶縁樹脂層３４で覆う。このとき、第４絶縁樹脂層３４を真空ラミネータで第３絶縁樹脂層３３上に積層してから熱硬化する。
そして、図５Ｏに示すように、第４絶縁樹脂層３４に、レーザ加工により、貫通孔３４ａ，３４ｄ，３４ｅ，３４ｆを形成する。貫通孔３４ａ，３４ｄ，３４ｅ，３４ｆは、それぞれ貫通孔３３ａ，３３ｄ，３３ｅ，３３ｆ上方の第４絶縁樹脂層３４に形成される。
そして、図５Ｐに示すように、基台５０（ベース金属層５２）の一面とダミー金属層６０との接着面で基台５０をダミー金属層６０から剥がす。
そして、図５Ｑに示すように、ダミー金属層６０をエッチングにより取り除く。この際、各絶縁樹脂層３０〜３４の貫通孔３０ａ〜３４ａ内，３０ｄ〜３４ｄ，３０ｅ〜３４ｅ，３０ｆ〜３１ｆ内に設けられた配線層が同時にエッチングされ、コイルの内磁路および外磁路を形成する空間が形成される。このようにして、コイルＬ１〜Ｌ４を有するコイル基板２を形成する。
そして、図５Ｒに示すように、コイル基板２の上下両側に、シート状に成型した磁性体粉および樹脂のコンポジット材料を複数枚配置し、真空ラミネータもしくは真空プレス機により、加熱圧着させ、その後硬化処理をする。このとき、内磁路および外磁路を形成する空間にコンポジット材料を充填し、内磁路に相当する磁性樹脂体４１ａ，４１ｂおよび外磁路に相当する磁性樹脂層４２を含む磁性樹脂４０を形成する。その後、ダイサー等によりカットし個片化する。このとき、第１、第２スパイラル配線２１，２２の外周端２１ｂ，２２ｂに相当する第１、第２スパイラル配線層３ａ，３ｂ，５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂ，９ａ，９ｂの部分をカット面から露出させる。さらに、該カット面に露出した配線層と接続するように外部端子１１ａ〜１４ａ，１１ｂ〜１４ｂを形成することで、図２に示すコイル部品１Ａを得ることができる。
なお、上記では基台５０の両面のうちの一面にコイル基板２を形成しているが、基台５０の両面のそれぞれにコイル基板２を形成するようにしてもよい。また、上記では基台５０の一面に一つのコイル基板２を形成しているが、基台５０の一面に複数のコイル基板２を行列状に形成した後、個辺化することにより、複数のコイル部品１Ａを同時に形成してもよい。これらの方法により、高い生産性を得ることができる。また、上記の製造方法はあくまでコイル部品１Ａの製造方法の一例であり、同様の構成が得られるのであれば、公知の他の工法、技術を適用しても良い。
前記コイル部品１Ａによれば、対をなす第１コイルＬ１および第２コイルＬ２の磁気結合は、対をなさない第１コイルＬ１と第３、第４コイルＬ３，Ｌ４との磁気結合よりも強い。これにより、第１実施形態に係るコイル部品１と同様に、コイル部品１Ａを、多相ＳＷレギュレータに用いる際、各コイルＬ１〜Ｌ４に入力されるパルス信号を適切に選択することで、第１コイルＬ１のリップル電流を小さくすることができる。
また、コイル部品１Ａでは、第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４のいずれのコイルを基準としても、該コイルと対をなすコイルとの磁気結合は、該コイルと対をなさないコイルとの磁気結合よりも強い。これにより、第１実施形態に係るコイル部品１と同様に、コイル部品１Ａを、多相ＳＷレギュレータに用いる際、各コイルＬ１〜Ｌ４に入力されるパルス信号を適切に選択することで、第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４のリップル電流を小さくすることができる。
なお、ここで、第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４のリップル電流を小さくするようにパルス信号を適切に選択するためには、例えば、第１コイルＬ１に入力される信号と比べて１８０°の位相差を有する信号を第２コイルＬ２に入力し、第１コイルＬ１に入力される信号と比べて９０°の位相差を有する信号を第３コイルＬ３に入力し、第１コイルＬ１に入力される信号と比べて２７０°の位相差を有する信号を第４コイルＬ４に入力すればよい。
また、コイル部品１Ａでは、第１コイルＬ１に接続される第１外部端子１１と、第２コイルＬ２に接続される第２外部端子１２とは、隣り合い、第３コイルＬ３に接続される第３外部端子１３と、第４コイルＬ４に接続される第４外部端子１４とは、隣り合う。コイル部品１Ａでは、磁気結合の強弱関係から、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との間隔は、第１コイルＬ１とその他のコイルＬ３，Ｌ４との間隔よりも短く、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは近くに配置される。そこで、近くに配置される対をなすコイルＬ１，Ｌ２に接続される第１、第２外部端子１１，１２が隣り合うことで、コイル部品１Ａ内におけるコイルＬ１，Ｌ２と外部端子１１，１２との間の引き回しを小さくすることができる。これにより、コイル部品１Ａを小型化できる。なお、コイル部品１Ａでは、他の対をなす第３、第４コイルＬ３，Ｌ４に接続される第３、第４外部端子１３，１４も同様の構成を有するため、コイル部品１Ａをさらに小型化できる。
以下、コイル部品１Ａの実施例を用いて本願の発明者が行った評価により、実際に各コイルＬ１〜Ｌ４のリップル電流を小さくできることについて説明する。
表１に、本実施例および比較例１，２の構成、評価条件および評価結果を示す。本実施例および比較例１，２はいずれもコイル部品として、４個のコイルＬ１〜Ｌ４を有する。コイルＬ１〜Ｌ４のインダクタンス値はそれぞれ１μＨである。本実施例は、図２〜４に示すコイル部品１Ａの構成を有し、コイルＬ１とコイルＬ２およびコイルＬ３とコイルＬ４がそれぞれ対をなすように構成されている。比較例１は、４個のコイルＬ１〜Ｌ４が互いに磁気結合していないコイル部品である。比較例２は、特許文献１に示されるコイル部品の構成を有するものであり、具体的には、図６に示すように、ホイール型コア１００の４つのスポーク１０１に、それぞれ、４個のコイルＬ１〜Ｌ４が巻き付けられた構成を有する。
［表１］
Figure 0006812140
表１に示すように、比較例１では、４つのコイルＬ１〜Ｌ４の互いの結合係数は０である。比較例２では、４つのコイルＬ〜Ｌ４が互いに強く磁気結合しており、特に図６において同一直線上に並ばないコイル同士の磁気結合（例えばコイルＬ１とコイルＬ２との磁気結合とコイルＬ１とコイルＬ４との磁気結合）は等しく、結合係数は−０．３９９である。図６の同一直線上に並ぶコイル同士（例えばコイルＬ１とコイルＬ３およびコイルＬ２とコイルＬ４）においても、結合係数は−０．１９３となっている。なお、比較例２の結合係数は、磁場解析ソフトＦｅｍｔｅｔ（ムラタソフトウェア株式会社製）による３Ｄ磁場解析結果から計算されている。
一方、本実施例では、対をなすコイルＬ１とコイルＬ２との結合係数、および、対をなすコイルＬ３とコイルＬ４との結合係数は、−０．９であり、それ以外の対をなさないコイルの組み合わせの結合係数は、−０．１である。すなわち、対をなすコイルＬ１とコイルＬ２との磁気結合およびコイルＬ３とコイルＬ４との磁気結合が、対をなさないコイル同士の磁気結合よりも強い。比較例１、２は、この磁気結合の強弱関係を満たしていない。
そして、本実施例と比較例１，２において、コイルＬ１に入力されるパルス信号に対して、コイルＬ２には１８０°の位相差を有するパルス信号を、コイルＬ３には９０°の位相差を有するパルス信号を、コイルＬ４には２７０°の位相差を有するパルス信号を、それぞれ入力した。このときの、コイルＬ１〜Ｌ４に入力されるパルス信号である入力電圧［Ｖ］およびコイル電流［Ａ］の関係を、図７から図９に示す。図７は、本実施例を示し、図８は、比較例１を示し、図９は、比較例２を示す。図中、（ａ）は第１コイルＬ１を示し、（ｂ）は第２コイルＬ２を示し、（ｃ）は第３コイルＬ３を示し、（ｄ）は第４コイルＬ４を示す。図中、矩形波が入力電圧を示し、折れ線がコイル電流を示す。なお、コイル電流はＬＴＳＰＩＣＥにより計算した。また、図７から図９に示した波形のデータを表１に整理した。
表１に示すように、本実施例では、無結合である比較例１と比べて、コイルＬ１〜Ｌ４のリップル電流は約３０％低減し、リップル実効値は約６９％低減している。リップル実効値は、コイル電流の実効値からコイル電流の平均値を引いた値である。また、本実施例では、比較例２と比べても、コイルＬ１〜Ｌ４のリップル電流は約５８％低減し、リップル実効値は約７６％低減している。したがって、本実施例では、比較例１、２と比べて、コイルＬ１〜Ｌ４のリップル電流を小さくできることが分かる。なお、比較例２では、無結合である比較例１と比べて、リップル電流は約６６％増加し、リップル実効値は約３１％増加している。すなわち、特許文献１に記載のコイル部品が無結合のコイル部品よりもリップル電流が大きくなる場合がある、ということが本評価によって発見されたことを示している。
（第３実施形態）
図１０Ａは、第３実施形態に係るコイル部品１Ｂを示す分解斜視図である。図１０Ｂは、コイル部品１Ｂを示す断面図である。第３実施形態は、第２実施形態とは、各コイルを構成するスパイラル配線の層の数量が相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、第３実施形態において、第２実施形態と同一の符号は、第２実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図１０Ａと図１０Ｂに示すように、コイル部品１Ｂでは、第１から第４コイルＬ１〜Ｌ４は、それぞれ、１層のスパイラル配線２１と、ビア配線２５および引出配線７５の組み合わせから構成される。なお、引出配線７５は直線状であり、スパイラル配線ではない。
絶縁樹脂３５は、ベース絶縁樹脂層３０および第１、第２、第３絶縁樹脂層３１，３２，３３から構成される。第１、第４コイルＬ１，Ｌ４のスパイラル配線２１はベース絶縁樹脂層３０上に、第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４の引出配線７５は第１絶縁樹脂層３１上に配置され、第２、第３コイルＬ２，Ｌ３のスパイラル配線２１は第２絶縁樹脂層３２上に、それぞれ第１絶縁樹脂層３１、第２絶縁樹脂層３２、第３絶縁樹脂層３３に覆われている。
コイル部品１Ｂ内の第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４の位置関係はコイル部品１Ａと同様である。よって、対をなす第１コイルＬ１および第２コイルＬ２の磁気結合は、対をなさない第１コイルＬ１と第３、第４コイルＬ３，Ｌ４との磁気結合および第２コイルＬ２と第３、第４コイルＬ３，Ｌ４との磁気結合よりも強い。また、対をなす第３コイルＬ３および第４コイルＬ４の磁気結合は、対をなさない第３コイルＬ３と第１、第２コイルＬ１，Ｌ２との磁気結合および第４コイルＬ４と第１、第２コイルＬ１，Ｌ２との磁気結合よりも強い。
コイル部品１Ｂでは、第１から第４コイルＬ１〜Ｌ４のスパイラル配線２１の内周端２１ａは、第１絶縁樹脂層３１または第２絶縁樹脂層３２に設けられたビア配線２５を介して、第１絶縁樹脂層３１上に設けられた各コイルＬ１〜Ｌ４の引出配線７５に接続される。引出配線７５は、ビア配線２５との接続部から、素体１０の側面方向に直線状に伸び、対応する第１〜第４外部端子１１ａ〜１４ａ，１１ｂ〜１４ｂと接続される。なお、第１コイルＬ１〜Ｌ４のスパイラル配線２１の外周端２１ｂは、第２実施形態に係るコイル部品１Ａと同様に、素体１０の側面に引き出され、対応する第１〜第４外部端子１１ａ〜１４ａ，１１ｂ〜１４ｂに接続される。
なお、上記では引出配線７５は、第１絶縁樹脂層３１上、すなわちコイルＬ１，Ｌ４のスパイラル配線２１が設けられた層と、コイルＬ２，Ｌ３のスパイラル配線２１が設けられた層との間に設けているが、引出配線７５はこの構成に限られない。引出配線７５は、例えば、コイルＬ１，Ｌ４のスパイラル配線２１が設けられた層より下層や、コイルＬ２，Ｌ３のスパイラル配線２１が設けられた層より上層に設けられてもいてもよい。
コイル部品１Ｂにおいて、コイルＬ１〜Ｌ４の１つを第１コイル、該第１コイルと対をなすコイルを第２コイル、第１コイルおよび第２コイル以外のコイルをその他のコイルとするとき、第１コイルと第２コイルとの磁気結合は、第１コイルとその他のコイルとの磁気結合よりも強い。したがって、コイル部品１Ｂでも、多相ＳＷレギュレータに使用される際、各コイルＬ１〜Ｌ４に入力されるパルス信号を適切に選択することで、各コイルＬ１〜Ｌ４のリップル電流を小さくできる。また、コイル部品１Ｂでは、各コイルＬ１〜Ｌ４は、１層のスパイラル配線２１から構成されるので、コイル部品１Ｂを低背化できる。
（第４実施形態）
図１１Ａは、第３実施形態に係るコイル部品１Ｃを示す分解斜視図である。図１１Ｂは、コイル部品１Ｃを示す断面図である。第４実施形態は、第３実施形態とは、コイルＬ１〜Ｌ４の外部端子への引出部分の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、第４実施形態において、第３実施形態と同一の符号は、第３実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図１１Ａと図１１Ｂに示すように、コイル部品１Ｃでは、第１から第４コイルＬ１〜Ｌ４のそれぞれのスパイラル配線２１の内周端２１ａは、第１〜第４柱状電極７１〜７４により素体１０の上面に引き出される。また、図示は省略するが、コイル部品１Ｃでは、外部端子の一部が素体１０の上面側に設けられており、各コイルＬ１〜Ｌ４の柱状電極７１〜７４は、上面側において対応する外部端子に接続される。第１〜第４柱状電極７１〜７４は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの低電気抵抗な金属によって構成され、例えばセミアディティブ工法によって形成される。なお、第１から第４コイルＬ１〜Ｌ４のそれぞれのスパイラル配線２１の外周端２１ｂは、第３実施形態と同様に素体１０の側面に引き出され、対応する外部端子に接続される。以下、コイル部品１Ｃの内部構造をより詳細に説明する。
第１、第４コイルＬ１，Ｌ４のスパイラル配線２１の内周端２１ａは、第１絶縁樹脂層３１に設けられたビア配線２５を介して、第１絶縁樹脂層３１上に設けられた引出配線７５に接続される。第１、第４コイルＬ１，Ｌ４の引出配線７５は、第２絶縁樹脂層３２に設けられたビア配線２５を介して、第２絶縁樹脂層３２上かつ磁性樹脂４０内に設けられた第１、第４柱状電極７１，７４にそれぞれ接続される。
第２、第３コイルＬ２，Ｌ３のスパイラル配線２１の内周端２１ａは、第２絶縁樹脂層３２に設けられたビア配線２５を介して、第２絶縁樹脂層３２上かつ磁性樹脂４０に設けられた第２、第３柱状電極７２，７３に接続される。
コイル部品１Ｃ内の第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４の位置関係はコイル部品１Ａと同様である。よって、対をなす第１コイルＬ１および第２コイルＬ２の磁気結合は、対をなさない第１コイルＬ１と第３、第４コイルＬ３，Ｌ４との磁気結合および第２コイルＬ２と第３、第４コイルＬ３，Ｌ４との磁気結合よりも強い。また、対をなす第３コイルＬ３および第４コイルＬ４の磁気結合は、対をなさない第３コイルＬ３と第１、第２コイルＬ１，Ｌ２との磁気結合および第４コイルＬ４と第１、第２コイルＬ１，Ｌ２との磁気結合よりも強い。
すなわち、コイル部品１Ｃにおいて、コイルＬ１〜Ｌ４の１つを第１コイル、該第１コイルと対をなすコイルを第２コイル、第１コイルおよび第２コイル以外のコイルをその他のコイルとするとき、第１コイルと第２コイルとの磁気結合は、第１コイルとその他のコイルとの磁気結合よりも強い。したがって、コイル部品１Ｃでも、多相ＳＷレギュレータに使用される際、各コイルＬ１〜Ｌ４に入力されるパルス信号を適切に選択することで、各コイルＬ１〜Ｌ４のリップル電流を小さくできる。
また、コイル部品１Ｃでは、第１から第４コイルＬ１〜Ｌ４のそれぞれの一方の端部は、第１〜第４柱状電極７１〜７４により素体１０の上面に引き出されるので、コイル部品１Ｂのようにスパイラル配線２１以外の配線層を形成する必要が無く、より低背化できる。さらに、コイル部品１Ｃでは、外部端子の一部が素体１０の上面側に設けられるが、例えば、該外部端子は上面側から側面側や底面側まで延長することができ、この場合面実装可能となる。また、例えば、素体１０の上面のみに外部端子を設けた場合であっても、コイル部品１Ｃを実装基板内に埋め込むなど、３次元実装用とすることによって、素体１０の上面から実装基板の配線パターンに直接接続することも可能である。さらに、このとき、外部端子を設けず、実装基板の配線パターンと第１〜第４柱状電極７１〜７４を直接接続してもよい。
（第５実施形態）
図１２Ａは、第５実施形態に係るコイル部品１Ｄを示す透視斜視図であり、図１２Ｂは、図１２ＡのＸ−Ｘ断面図であり、図１２Ｃは、コイル部品１Ｄを示す透視上面図である。コイル部品１Ｄは、第４実施形態のコイル部品１Ｃとは、各コイルＬ１〜Ｌ４を構成するスパイラル配線の形状が相違する。この相違する構成を中心に以下に説明する。なお、第５実施形態において、第１〜第４実施形態と同一の符号は、該実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図１２Ａに示すように、コイル部品１Ｄでは、第１から第４コイルＬ１〜Ｌ４は、それぞれ、１層のスパイラル配線２３Ｄによって構成される。また、図１２Ｂに示すように、第１、第４コイルＬ１，Ｌ４のスパイラル配線２３Ｄは、ベース絶縁樹脂層３０上に設けられ、第１絶縁樹脂層３１に覆われている。第２、第３コイルＬ２，Ｌ３は第１絶縁樹脂層３１上に設けられ、第２絶縁樹脂層３２に覆われている。すなわち、スパイラル配線２３Ｄは、素体１０の内部に配置されている。さらに、図１２Ｃに示すように、スパイラル配線２３Ｄは、上下方向から見たときに、半楕円形の弧状である。すなわち、スパイラル配線２３Ｄは、ベース絶縁樹脂層３０または第１絶縁樹脂層３１上（絶縁層上）で約半周分巻回された曲線状の配線である。なお、スパイラル配線２３Ｄの巻回数は、約半周分に限られず、１ターン未満の任意の数であってもよい。このように、巻回数が１ターン未満の場合は、スパイラル配線２３Ｄの両端とも最外周となる（自身に囲まれた内周部分とならない）ため、ビア配線による立体配線を不要とできる。
第１コイルＬ１のスパイラル配線２３Ｄは、その両端２３ａ，２３ｂが第１外部端子１１ａ，１１ｂに接続され、該外部端子１１ａ，１１ｂからコイル部品１Ｄの中心側に向かって孤を描く曲線状である。第３コイルＬ３のスパイラル配線２３Ｄは、第１コイルＬ１のスパイラル配線２３Ｄと同じ形状であり、その両端２３ａ，２３ｂは、第３外部端子１３ａ，１３ｂに接続される。
第２コイルＬ２のスパイラル配線２３Ｄは、その両端２３ａ，２３ｂが第２外部端子１２ａ，１２ｂに接続され、該外部端子１２ａ，１２ｂからコイル部品１Ｄの縁側に向かって孤を描く曲線状である。第４コイルＬ４のスパイラル配線２３Ｄは、第２コイルＬ２のスパイラル配線２３Ｄと同じ形状であり、その両端２３ａ，２３ｂは、第４外部端子１４ａ，１４ｂに接続される。
ここで、コイル部品１Ｄにおいて、コイルＬ１〜Ｌ４のそれぞれに対し、スパイラル配線２３Ｄの最内周よりも内側（スパイラル配線２３Ｄの曲線と、スパイラル配線２３Ｄの両端２３ａ，２３ｂを結んだ直線とに囲まれる範囲）を内径部分とする。このとき、コイル部品１Ｄでは、上下方向からみて、第１コイルＬ１の内径部分と第２コイルＬ２の内径部分とは、互いに重なり、第１コイルＬ３の内径部分と第４コイルＬ４の内径部分とは、互いに重なっている。また、第１コイルＬ１の内径部分と、第３、第４コイルＬ３，Ｌ４の内径部分は互いに重ならず、第２コイルＬ１の内径部分と、第３、第４コイルＬ３，Ｌ４の内径部分は互いに重ならない。
すなわち、コイル部品１Ｄでは、第１実施形態のコイル部品１と同様に、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とが対をなし、第３コイルＬ３と第４コイルＬ４とが対をなし、４個のコイルＬ１〜Ｌ４は、２組の対をなすように構成されている。さらに、対をなす第１コイルＬ１および第２コイルＬ２の磁気結合は、対をなさない第１コイルＬ１と第３、第４コイルＬ３，Ｌ４との磁気結合および第２コイルＬ２と第３、第４コイルＬ３，Ｌ４との磁気結合よりも強い。また、対をなす第３コイルＬ３および第４コイルＬ４の磁気結合は、対をなさない第３コイルＬ３と第１、第２コイルＬ１，Ｌ２との磁気結合および第４コイルＬ４と第１、第２コイルＬ１，Ｌ２との磁気結合よりも強い。実際に、コイル部品１Ｄの構成において、スパイラル配線２３Ｄの配線幅を５０μｍ、配線厚みを４５μｍ、配線最小間隔を１０μｍ、層間最小間隔を１０μｍとし、磁場解析ソフトＦｅｍｔｅｔを用いた３Ｄ磁場解析結果の計算を行った。結果としては、対をなす第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との結合係数の絶対値は、ベース絶縁樹脂層３０上で隣接する第１コイルＬ１と第４コイルＬ４との結合係数の絶対値の１．５倍以上であった。また、設けられる層が異なり、かつ内径部分同士の間隔も大きい第１コイルＬ１と第３コイルＬ３との結合係数の絶対値は上記結合係数の絶対値よりも小さかった。
よって、コイル部品１Ｄにおいて、コイルＬ１〜Ｌ４の１つを第１コイル、該第１コイルと対をなすコイルを第２コイル、第１コイルおよび第２コイル以外のコイルをその他のコイルとするとき、第１コイルと第２コイルとの磁気結合は、第１コイルとその他のコイルとの磁気結合よりも強い。したがって、コイル部品１Ｄでも、多相ＳＷレギュレータに使用される際、各コイルＬ１〜Ｌ４に入力されるパルス信号を適切に選択することで、各コイルＬ１〜Ｌ４のリップル電流を小さくできる。また、コイル部品１Ｄでは、各コイルＬ１〜Ｌ４は、１層のスパイラル配線２３Ｄから構成されるので、コイル部品１Ｄを低背化できる。さらに、第３実施形態のコイル部品１Ｂのようにスパイラル配線２３Ｄ以外の配線層を形成する必要が無く、より低背化できる。
（第６実施形態）
図１３Ａは、第６実施形態に係るコイル部品１Ｅを示す透視斜視図であり、図１３Ｂは、コイル部品１Ｅを示す断面図であり、図１３Ｃは、コイル部品１Ｅを示す透視上面図である。コイル部品１Ｅは、第５実施形態のコイル部品１Ｄとは、各コイルＬ１〜Ｌ４の形状や設けられる層が相違するとともに、第１〜第４柱状電極７１ａ〜７４ａ，７１ｂ〜７４ｂを備える点で相違する。この相違する構成を中心に以下に説明する。なお、第６実施形態において、第１〜第５実施形態と同一の符号は、該実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図１３Ａに示すように、コイル部品１Ｅでは、第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４は、それぞれ、１層のスパイラル配線２３Ｅおよび引出配線７５Ｅによって構成される。また、図１３Ｂに示すように、第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４はすべてベース絶縁樹脂層３０上に設けられ、第１絶縁樹脂層３１に覆われている。さらに、図１３Ｃに示すように、スパイラル配線２３Ｅの両端は引出配線７５Ｅに接続され、コイル部品１Ｅの側面１０ａ，１０ｂ側に引き出されている。スパイラル配線２３Ｅは、上下方向から見たときに、半楕円形の弧状である。すなわち、スパイラル配線２３Ｅは、ベース絶縁樹脂層３０上（絶縁層上）で約半周分巻回された曲線状の配線である。なお、スパイラル配線２３Ｅの巻回数は、約半周分に限られず、１ターン未満の任意の数であってもよい。
第１コイルＬ１の引出配線７５Ｅは、一端が外側に位置する第１柱状電極７１ａ，７１ｂに接続され、第１柱状電極７１ａ，７１ｂからコイル部品１Ｅの中心側に延びる形状である。第４コイルＬ４の引出配線７５Ｅは、一端が外側に位置する第４柱状電極７４ａ，７４ｂに接続され、第４柱状電極７４ａ，７４ｂからコイル部品１Ｅの中心側に延びる形状である。第１、第４コイルＬ１，Ｌ４のスパイラル配線２３Ｅは、それぞれ、両端が引出配線７５Ｅの他端に接続され、該他端からコイル部品１Ｅの縁側に向かって孤を描く曲線状である。
第２コイルＬ２の引出配線７５Ｅは、一端が内側に位置する第２柱状電極７２ａ，７２ｂに接続され、第２柱状電極７２ａ，７２ｂからコイル部品１Ｅの縁側に延びる形状である。第３コイルＬ３の引出配線７５Ｅは、一端が内側に位置する第３柱状電極７３ａ，７３ｂに接続され、第３柱状電極７３ａ，７３ｂからコイル部品１Ｅの縁側に延びる形状である。第２、第３コイルＬ２，Ｌ３のスパイラル配線２３Ｅは、それぞれ、両端が引出配線７５Ｅの他端に接続され、該他端からコイル部品１Ｅの中心側に向かって孤を描く曲線状である。
ここで、コイル部品１Ｅにおいて、コイルＬ１〜Ｌ４のそれぞれに対し、スパイラル配線２３Ｅの最内周よりも内側（スパイラル配線２３Ｅの曲線と、スパイラル配線２３Ｅの両端を結んだ直線とに囲まれる範囲）を内径部分とする。このとき、コイル部品１Ｅでは、上下方向からみて、いずれのコイルＬ１〜Ｌ４についても、その内径部分同士は重ならない。
一方、コイル部品１Ｅでは、第１、第２コイルＬ１，Ｌ２の引出配線７５Ｅは、その他端でお互いに近接し、これにより、第１、第２コイルＬ１，Ｌ２のスパイラル配線２３Ｅは、その両端で近接するとともに、お互いが反対側に孤を描く曲線状となるため、一つの楕円形の円弧状を形成する。第３、第４コイルＬ３，Ｌ４の引出配線７５Ｅは、その他端でお互いに近接し、これにより、第３、第４コイルＬ３，Ｌ４のスパイラル配線２３Ｅは、その両端で近接するとともに、お互いが反対側に孤を描く曲線状となるため、一つの楕円形の円弧状を形成する。すなわち、第１、第２コイルＬ１，Ｌ２のスパイラル配線２３Ｅ、第３、第４コイルＬ３，Ｌ４のスパイラル配線２３Ｅは、それぞれが楕円形を形成することにより、該楕円形の内径部分を共有する。該楕円形の内径部分では、第１、第２コイルＬ１，Ｌ２により発生する磁束、第３、第４コイルＬ３，Ｌ４により発生する磁束が集中するため、第１コイルＬ１と第２コイルＬ１との磁気結合、第３コイルＬ３と第４コイルＬ４との磁気結合は強くなる。
すなわち、コイル部品１Ｅでは、第１実施形態のコイル部品１と同様に、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とが対をなし、第３コイルＬ３と第４コイルＬ４とが対をなし、４個のコイルＬ１〜Ｌ４は、２組の対をなすように構成されている。さらに、対をなす第１コイルＬ１および第２コイルＬ２の磁気結合は、対をなさない第１コイルＬ１と第３、第４コイルＬ３，Ｌ４との磁気結合および第２コイルＬ２と第３、第４コイルＬ３，Ｌ４との磁気結合よりも強い。また、対をなす第３コイルＬ３および第４コイルＬ４の磁気結合は、対をなさない第３コイルＬ３と第１、第２コイルＬ１，Ｌ２との磁気結合および第４コイルＬ４と第１、第２コイルＬ１，Ｌ２との磁気結合よりも強い。実際に、コイル部品１Ｅの構成について、コイル部品１Ｄと同様の条件において、磁場解析ソフトＦｅｍｔｅｔを用いた３Ｄ磁場解析結果の計算を行ったところ、対をなす第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との結合係数の絶対値は、ベース絶縁樹脂層３０上で隣接する第２コイルＬ２と第３コイルＬ３との結合係数の絶対値の１．５倍以上であった。また、内径部分同士の間隔が大きい第２コイルＬ２と第４コイルＬ４との結合係数の絶対値は上記結合係数の絶対値よりも小さかった。
よって、コイル部品１Ｅにおいて、コイルＬ１〜Ｌ４の１つを第１コイル、該第１コイルと対をなすコイルを第２コイル、第１コイルおよび第２コイル以外のコイルをその他のコイルとするとき、第１コイルと第２コイルとの磁気結合は、第１コイルとその他のコイルとの磁気結合よりも強い。したがって、コイル部品１Ｅでも、多相ＳＷレギュレータに使用される際、各コイルＬ１〜Ｌ４に入力されるパルス信号を適切に選択することで、各コイルＬ１〜Ｌ４のリップル電流を小さくできる。また、コイル部品１Ｅでは、各コイルＬ１〜Ｌ４は、１層のスパイラル配線２３Ｅから構成されるので、コイル部品１Ｅを低背化できる。さらに、第３実施形態のコイル部品１Ｂのようにスパイラル配線２３Ｅ以外の配線層を形成する必要が無く、より低背化できる。そして、コイル部品１Ｅでは、スパイラル配線２３Ｅがすべてベース絶縁層３０上に積層され、絶縁樹脂３５を２層構造とでき、さらなる低背化を実現できる。なお、第１〜第４柱状電極７１ａ〜７４ａ，７１ｂ〜７４ｂの外面には、ＣｕやＡｇ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｕなどの金属を含む外部端子を設けてもよく、この場合、実装品質を向上させることができる。また、第１〜第４柱状電極７１ａ〜７４ａ，７１ｂ〜７４ｂの外面が、外部端子になってもよく、この場合、コイル部品１Ｅを実装基板に埋め込む用途に適した構成とすることができる。
（第７実施形態）
図１４Ａは、第７実施形態に係るコイル部品１Ｆを示す透視斜視図であり、図１４Ｂは、コイル部品１Ｆを示す断面図であり、図１４Ｃは、コイル部品１Ｆを示す透視上面図である。コイル部品１Ｆは、第６実施形態のコイル部品１Ｅとは、各コイルＬ１〜Ｌ４の形状が相違する。この相違する構成を中心に以下に説明する。なお、第７実施形態において、第１〜第６実施形態と同一の符号は、該実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図１４Ａに示すように、コイル部品１Ｆでは、第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４は、それぞれ、１層のスパイラル配線２３Ｆによって構成される。また、図１４Ｂに示すように、第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４はすべてベース絶縁樹脂層３０上に設けられ、第１絶縁樹脂層３１に覆われている。さらに、図１４Ｃに示すように、スパイラル配線２３Ｆは、上下方向から見たときに、半楕円形の弧状である。すなわち、スパイラル配線２３Ｆは、ベース絶縁樹脂層３０上（絶縁層上）で約半周分巻回された曲線状の配線である。
第１コイルＬ１のスパイラル配線２３Ｆは、両端が外側に位置する第１柱状電極７１ａ，７１ｂに接続され、該第１柱状電極７１ａ，７１ｂからコイル部品１Ｆの中心側に向かって孤を描く曲線状である。第４コイルＬ４のスパイラル配線２３Ｆは、両端が外側に位置する第４柱状電極７４ａ，７４ｂに接続され、該第４柱状電極７４ａ，７４ｂからコイル部品１Ｆの中心側に向かって孤を描く曲線状である。
第２コイルＬ２のスパイラル配線２３Ｆは、両端が内側に位置する第２柱状電極７２ａ，７２ｂに接続され、該第２柱状電極７２ａ，７２ｂからコイル部品１Ｆの縁側に向かって孤を描く曲線状である。第３コイルＬ３のスパイラル配線２３Ｆは、両端が内側に位置する第３柱状電極７３ａ，７３ｂに接続され、該第３柱状電極７３ａ，７３ｂからコイル部品１Ｆの縁側に向かって孤を描く曲線状である。
ここで、コイル部品１Ｆにおいて、コイルＬ１〜Ｌ４のそれぞれに対し、スパイラル配線２３Ｆの最内周よりも内側（スパイラル配線２３Ｆの曲線と、スパイラル配線２３Ｆの両端を結んだ直線とに囲まれる範囲）を内径部分とする。このとき、コイル部品１Ｆでは、上下方向からみて、いずれのコイルＬ１〜Ｌ４についても、その内径部分同士は重ならない。
一方、コイル部品１Ｆでは、第１、第２コイルＬ１，Ｌ２のスパイラル配線２３Ｆはお互いに近接している。すなわち、第１コイルＬ１のスパイラル配線２３Ｆで発生した磁束は、近接する第２コイルＬ２のスパイラル配線２３Ｆの周囲を回り込み、第２コイルＬ２のスパイラル配線２３Ｆで発生した磁束は、近接する第１コイルＬ１のスパイラル配線２３Ｆの周囲を回り込む。これはお互いのスパイラル配線２３Ｆが近接している、第３、第４コイルＬ３，Ｌ４でも同様である。したがって、第１コイルＬ１と第２コイルＬ１との磁気結合、第３コイルＬ３と第４コイルＬ４との磁気結合は強くなる。
すなわち、コイル部品１Ｆでは、第１実施形態のコイル部品１と同様に、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とが対をなし、第３コイルＬ３と第４コイルＬ４とが対をなし、４個のコイルＬ１〜Ｌ４は、２組の対をなすように構成されている。さらに、対をなす第１コイルＬ１および第２コイルＬ２の磁気結合は、対をなさない第１コイルＬ１と第３、第４コイルＬ３，Ｌ４との磁気結合および第２コイルＬ２と第３、第４コイルＬ３，Ｌ４との磁気結合よりも強い。また、対をなす第３コイルＬ３および第４コイルＬ４の磁気結合は、対をなさない第３コイルＬ３と第１、第２コイルＬ１，Ｌ２との磁気結合および第４コイルＬ４と第１、第２コイルＬ１，Ｌ２との磁気結合よりも強い。実際に、コイル部品１Ｆの構成について、コイル部品１Ｄと同様の条件において、磁場解析ソフトＦｅｍｔｅｔを用いた３Ｄ磁場解析結果の計算を行ったところ、対をなす第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との結合係数の絶対値は、ベース絶縁樹脂層３０上で隣接する第２コイルＬ２と第３コイルＬ３との結合係数の絶対値の４倍以上であった。また、内径部分同士の間隔が大きい第２コイルＬ２と第４コイルＬ４との結合係数の絶対値は上記結合係数の絶対値よりも小さかった。
よって、コイル部品１Ｆにおいて、コイルＬ１〜Ｌ４の１つを第１コイル、該第１コイルと対をなすコイルを第２コイル、第１コイルおよび第２コイル以外のコイルをその他のコイルとするとき、第１コイルと第２コイルとの磁気結合は、第１コイルとその他のコイルとの磁気結合よりも強い。したがって、コイル部品１Ｆでも、多相ＳＷレギュレータに使用される際、各コイルＬ１〜Ｌ４に入力されるパルス信号を適切に選択することで、各コイルＬ１〜Ｌ４のリップル電流を小さくできる。また、コイル部品１Ｆでは、各コイルＬ１〜Ｌ４は、１層のスパイラル配線２３Ｆから構成されるので、コイル部品１Ｆを低背化できる。さらに、コイル部品１Ｂのようにスパイラル配線２３Ｆ以外の配線層を形成する必要が無く、より低背化できる。そして、コイル部品１Ｆでは、スパイラル配線２３Ｆがすべてベース絶縁層３０上に積層され、絶縁樹脂３５を２層構造とでき、さらなる低背化を実現できる。
なお、コイル部品１Ｆでは、第１、第２コイルＬ１，Ｌ２において、同じ側にある一端からその反対側にある他端に向かって同時に電流が流れた場合、互いの磁束は強めあう。これは、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２の同じ側にある各一端を共にパルス信号の入力側、その反対側にある各他端を共にパルス信号の出力側とした場合に、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは正結合されていることを意味する。ただし、例えば、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２の一方のコイルでは一端側を入力、他端側を出力とし、他方のコイルでは一端側を出力、他端側を入力とすれば、対をなす第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは負結合されている状態とできる。これは第３、第４コイルＬ３，Ｌ４についても同様である。
また、コイル部品１Ｆでは、第１、第２コイルＬ１，Ｌ２の近接する部分は、例えば透磁率１の絶縁樹脂層を介しており、耐圧性を確保しながらスパイラル配線２３Ｆの間隔を、例えば１０μｍなどと狭くすることが可能である。この場合、上記近接する部分の間には磁性樹脂が存在しないが、十分に近接していることで、上記計算結果のように磁気結合を確保することは可能である。
図１４Ｄは、第７実施形態の変形例に係るコイル部品１Ｇを示す透視斜視図である。コイル部品１Ｇは、前記コイル部品１Ｆとは、柱状電極の配置が相違する。まず、素体１０の第１側面１０ａ側にある各コイルＬ１〜Ｌ４の端部を一端、第２側面１０ｂ側にある各コイルＬ１〜Ｌ４の端部を他端とする。コイル部品１Ｇでは、第１、第３コイルＬ１，Ｌ３の一端側に接続された第１、第３柱状電極７１ａ，７３ａ、および、第２、第４コイルＬ２，Ｌ４の他端側に接続された第２、第４柱状電極７２ｂ，７４ｂは、それぞれ、素体１０の上方側において露出する。また、第１、第３コイルＬ１，Ｌ３の他端側に接続された第１、第３柱状電極７１ｂ，７３ｂ、および、第２、第４コイルＬ２，Ｌ４の他端側に接続された第２、第４柱状電極７２ａ，７４ａは、それぞれ、素体１０の下方側において露出する。
この構成によれば、例えば、コイル部品１Ｇを実装基板に埋め込むとともに、素体１０の上面側にパルス信号の入力ラインを配置し、素体１０の下面側にパルス信号の出力ラインを配置することにより、対をなす第１、第２コイルＬ１，Ｌ２および第３、第４コイルＬ３，Ｌ４の組をより容易に負結合させることができる。
図１４Ｅは、第７実施形態の変形例に係るコイル部品１Ｈを示す透視斜視図である。コイル部品１Ｈは、前記コイル部品１Ｆとは、柱状電極の配置が相違する。具体的には、コイル部品１Ｈでは、第１、第３コイルＬ１，Ｌ３に接続された第１、第３柱状電極７１ａ，７１ｂ，７３ａ，７３ｂは、下方側において、それぞれ，素体１０から露出する。第２、第４コイルＬ２，Ｌ４に接続された第２、第４柱状電極７２ａ，７２ｂ，７４ａ，７４ｂは、上方側において、それぞれ素体１０から露出する。
この構成によれば、コイル部品１Ｈの隣り合う第１〜第４外部端子（第１〜第４柱状電極）がそれぞれ別の面に露出するため、同じ外形サイズであっても、コイル部品１Ｈでは、コイル部品１Ｆに対して、端子間の間隔を大きくすることができ、実装基板との配線接続時に端子間での短絡を発生しにくくすることができる。
（第８実施形態）
第２〜７実施形態では、絶縁層が積層された素体と、絶縁層上に巻回された配線を有する構成、いわゆる積層コイルの構成を有していたが、第１実施形態のように、対をなすコイルと対をなさないコイルとの間で磁気結合の強弱をつける構成はこれに限られない。
図１５は、第８実施形態に係るコイル部品１Ｊを示す模式図である。コイル部品１Ｊは、第２実施形態のコイル部品１Ａとは、素体１０の構成および各コイルＬ１〜Ｌ４の構成が相違する。この相違する構成を中心に以下に説明する。なお、第８実施形態において、第１〜第７実施形態と同一の符号は、該実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図１５に示すように、コイル部品１Ｊでは、素体１０が、第１コア４０Ａ、第２コア４０Ｂおよび封止樹脂３５Ａによって構成され、第１から第４コイルＬ１〜Ｌ４は，それぞれ、第１、第２コア４０Ａ，４０Ｂに巻回された巻線によって構成される。
第１、第２コア４０Ａ，４０Ｂは、それぞれ、略四角形の枠状となっており、例えばフェライトや鉄などの磁性体材料からなる。第１、第２コア４０Ａ，４０Ｂの対向する辺の一組には、外部端子１１ａ〜１４ａ，１１ｂ〜１４ｂが形成されている。封止樹脂３５Ａは、第１、第２コア４０Ａ，４０Ｂの両方を１つの素体１０に封止するための部材であって、例えば、エポキシ樹脂などの絶縁性材料からなる。ここで、第１コア４０Ａと第２コア４０Ｂとは、間隔を空けて配置されている。
第１〜第４コイルＬ１〜Ｌ４は、例えば，絶縁被覆された銅線などであって、第１、第２コア４０Ａ，４０Ｂの一辺に巻回され、その両端が第１〜第４外部端子１１ａ〜１４ａ，１１ｂ〜１４ｂに接続されている。ここで、第１、第２コイルＬ１，Ｌ２は、第１コア４０Ａの対向する辺の組のうち、第１、第２外部端子１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂが形成されていない組の一方、他方にそれぞれ同じ方向で巻回されている。また、第３、第４コイルＬ３，Ｌ４は、第２コア４０Ｂの対向する辺の組のうち、第３、第４外部端子１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂが形成されていない組の一方、他方にそれぞれ同じ方向で巻回されている。すなわち、コイル部品１Ｊでは、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とが同じ第１コア４０Ａに巻回され、第３コイルＬ３と第４コイルＬ４とが同じ第２コア４０Ｂに巻回されている。
上記構成により、コイル部品１Ｊでは、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との磁気結合、第３コイルＬ３と第４コイルＬ４との磁気結合が強くなる。一方、第１コア４０Ａと第２コア４０Ｂとは間隔を空けて配置されているため、第１コイルＬ１と第３、第４コイルＬ３，Ｌ４との磁気結合は弱く、第２コイルＬ２と第３、第４コイルＬ３，Ｌ４との磁気結合は弱くなる。
したがって、コイル部品１Ｊでは、前記第１実施形態のコイル部品１と同様に、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とが対をなし、第３コイルＬ３と第４コイルＬ４とが対をなし、４個のコイルＬ１〜Ｌ４は、２組の対をなすように構成されている。さらに、対をなす第１コイルＬ１および第２コイルＬ２の磁気結合は、対をなさない第１コイルＬ１と第３、第４コイルＬ３，Ｌ４との磁気結合および第２コイルＬ２と第３、第４コイルＬ３，Ｌ４との磁気結合よりも強い。また、対をなす第３コイルＬ３および第４コイルＬ４の磁気結合は、対をなさない第３コイルＬ３と第１、第２コイルＬ１，Ｌ２との磁気結合および第４コイルＬ４と第１、第２コイルＬ１，Ｌ２との磁気結合よりも強い。
よって、コイル部品１Ｊにおいて、コイルＬ１〜Ｌ４の１つを第１コイル、該第１コイルと対をなすコイルを第２コイル、第１コイルおよび第２コイル以外のコイルをその他のコイルとするとき、第１コイルと第２コイルとの磁気結合は、第１コイルとその他のコイルとの磁気結合よりも強い。したがって、コイル部品１Ｊでも、多相ＳＷレギュレータに使用される際、各コイルＬ１〜Ｌ４に入力されるパルス信号を適切に選択することで、各コイルＬ１〜Ｌ４のリップル電流を小さくできる。
また、コイル部品１Ｊでは、第１コイルＬ１の一端と第２コイルＬ２の一端とは、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２に対して同じ一方側に引き出されているとともに、第１コイルＬ１の他端と第２コイルＬ２の他端とは、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２に対して同じ他方側に引き出されている。さらに、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２は、同じ方向に巻回されているため、一端をパルス信号の入力側から他端をパルス信号の出力側とするとき、負結合される。すなわち、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２は、一端から他端に向かって電流が流れた場合に、コア４０Ａ内で互いに磁束が打ち消しあうように巻回されている。これは、第３コイルＬ３と第４コイルＬ４とにおいても同じである。
したがって、コイル部品１Ｊでは、対をなすコイルがすべて負結合されるようにパルス信号を入力する際、コイルＬ１〜Ｌ４の入力側、出力側をそれぞれ同じ側に揃えることができる。これにより、コイル部品１Ｊを実装する基板における配線引き回しをより容易にすることができる。
（第９実施形態）
図１２は、本発明のスィッチングレギュレータの一実施形態を示す簡略構成図である。図１２に示すように、スィッチングレギュレータ５（以下「レギュレータ５」と記載する。）は、降圧型のスィッチングレギュレータであり、入力電圧Ｖｉｎを所定の出力電圧に降圧し、負荷７へ供給する。レギュレータ５は、コイル部品１と、コイル部品１の各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）の一方の端部側のそれぞれに接続されたスイッチ部Ｓ１〜Ｓ（２Ｎ）と、コイル部品１のコイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）の他方の端部側に接続された（平滑回路の一例としての）コンデンサ６とを有する。レギュレータ５は、多相ＳＷレギュレータであり、スイッチ部Ｓ１〜Ｓ（２Ｎ）とコイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）との組が、入力電圧Ｖｉｎとコンデンサ６との間で並列に接続されている。
コイル部品１は、第１実施形態（図１）のコイル部品１と同じ構成である。なお、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
各スイッチ部Ｓ１〜Ｓ（２Ｎ）は、自身と接続された（自身に対応する）コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）に対して、入力電圧Ｖｉｎまたはグランド電圧のいずれかを接続する（同期整流方式）。すなわち、各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）には入力電圧Ｖｉｎとグランド電圧との２値を有する矩形波であるパルス信号が入力される。ここで、自身に対応するコイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）に入力電圧Ｖｉｎが接続されているときの各スイッチ部Ｓ１〜Ｓ（２Ｎ）状態をオン状態、対応するコイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）にグランド電圧が接続されているときの各スイッチ部Ｓ１〜Ｓ（２Ｎ）状態をオフ状態とする。オン状態とオフ状態との切り替えは、レギュレータ５が備えるＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ：パルス幅変調）発生器（不図示）から各スイッチ部Ｓ１〜Ｓ（２Ｎ）に入力される駆動信号Ｐ１〜Ｐ（２Ｎ）によって制御される。
具体的には、レギュレータ５にはある発振周波数が設定され、該発振周波数でＰＷＭ発生器は駆動信号Ｐ１〜Ｐ（２Ｎ）により各スイッチ部Ｓ１〜Ｓ（２Ｎ）をオン状態に移行させる（ターンオン）。すなわち、ターンオン同士の間隔は、発振周波数の逆数となる。これは、各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）には、一定かつ同一の周期（発振周波数の逆数）を有する矩形波のパルス信号が入力されることを意味する。
また、レギュレータ５は、コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）の出力電圧やコイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）に流れる電流を検出する検出回路（不図示）を備え、該検出回路が一定以上の電圧や電流を検出すると、ＰＷＭ発生器は駆動信号Ｐ１〜Ｐ（２Ｎ）により各スイッチ部Ｓ１〜Ｓ（２Ｎ）をオフ状態に移行させる（ターンオフ）。ここで、負荷７の消費電力に変動がない状態（定常状態）では、ターンオンからターンオフまでの間隔は一定となる。つまり、定常状態では、各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）に入力される２Ｎ個のパルス信号は、一定かつ同一の周期内で、一定かつ同一のデューティ比（ターンオン−ターンオフまでの間隔／発振周波数の逆数）を有する。
さらに、レギュレータ５は多相ＳＷレギュレータであり、上記発振周波数の逆数を３６０°の位相で表わすと、駆動信号Ｐ１〜Ｐ（２Ｎ）は、ターンオン間隔が３６０°／（２Ｎ）ずつずれた信号、すなわち３６０°／（２Ｎ）の位相差を持たせた信号の集合となっている。このとき、各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）入力されるパルス信号も、３６０°／（２Ｎ）の位相差を持たせた信号の集合となる。これにより、各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）から出力される電圧のピークが均等にずれるため、該出力電圧が合成された電圧の最小値と最大値との差、すなわちコンデンサ６へ入力されるリップル電圧を小さくできる。
各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）の一方の端部から、上記３６０°／（２N）の位相差を持たせたパルス信号が入力されると、各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）の有するインダクタンスにより、矩形波のパルス信号が三角波のパルス信号に変換され、各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）の他方の端部より該三角波が出力される。
出力された該三角波は、コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）の他方の端部側に接続されたコンデンサ６により平滑され、後段の負荷７へ供給される。このとき、負荷７へ供給される電圧（出力電圧）は、入力電圧Ｖｉｎと上記デューティ比との積となる。このように、レギュレータ５では、上記一定のデューティ比を適切に設定することで、入力電圧Ｖｉｎを所定の出力電圧へ降圧し、負荷７へ供給する。
ここで、前記レギュレータ５は、コイル部品１を有する。したがって、各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）に入力するパルス信号を適切に選択することにより、各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）のリップル電流を低減できる。具体的には、レギュレータ５では、Ｍを１以上Ｎ以下の整数として、信号Ｐ（２Ｍ−１）としては、信号Ｐ１に対して（３６０°／（２Ｎ））×（Ｍ−１）位相差を有する信号を、信号Ｐ（２M）としては、信号Ｐ１に対して（３６０°／（２Ｎ））×（Ｍ−１）＋１８０°の位相差を有する信号が選択される。このとき、コイル部品１のすべての対をなすコイルＬ（２Ｍ−１）およびコイルＬ（２Ｍ）には、１８０°の位相差を有するパルス信号が入力され、各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）のリップル電流を低減することができる。
したがって、レギュレータ５では、リップル電流の低減により、各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）での発熱による損失が低減されて効率が向上する。また、レギュレータ５では、リップル電流の低減により、各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）に要求されるインダクタンス値やコンデンサ６に要求される静電容量値を低減でき、過渡応答速度の向上や回路の小型化を図ることができる。すなわち、レギュレータ５では、性能向上や、小型化を図ることができる。
なお、上記では、レギュレータ５はＰＷＭ方式であったが、ＰＦＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ：パルス周波数変調）方式であってもよい。ＰＦＭ方式であっても定常状態では各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）に入力される２Ｎ個のパルス信号は、一定かつ同一の周期において、一定かつ同一のデューティ比を有し、３６０°／（２Ｎ）の位相差を持たせた信号の集合となる。したがって、この場合であっても、２Ｎ個のパルス信号を適切に選択することで、レギュレータ５では、性能向上や、小型化を図ることができる。
また、上記では、スイッチ部Ｓ１〜Ｓ（２Ｎ）は同期整流方式としたが、これに限られず、例えば、各スイッチ部Ｓ１〜Ｓ（２Ｎ）が１つのスィッチング素子とダイオードとを有する構成（ダイオード整流方式）であってもよい。
また、上記では、レギュレータ５は降圧型であったが、昇圧型や昇降圧型の多相ＳＷレギュレータであっても、コイル部品１を有することにより、各コイルＬ１〜Ｌ（２Ｎ）のリップル電流を低減することで、性能向上や、小型化を図ることができる。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第９実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。
前記第２〜８実施形態では、コイル部品は、４つのコイルを有しているが、（２Ｎ）個（Ｎは２以上の整数）のコイルを有すればよく、Ｎ＞２であってもよい。また、第２実施形態では、各コイルは、２層のスパイラル配線を有しているが、３層以上のスパイラル配線を有するようにしてもよい。
前記第２実施形態では、コイルは、ターン数が１周以上のスパイラル配線を複数積層した構造であるが、ターン数が１周未満のスパイラル配線を複数積層した立体螺旋（ヘリカル）構造としてもよい。
また、上記の実施形態では、対をなすコイルが負結合されている場合の効果を中心に説明したが、対をなすコイルの結合係数が正、すなわち対をなすコイルに同時に電流が流れた場合に、互いの磁束が強めあうように、対をなすコイルが磁気結合されていてもよい。これにより、対をなすコイルへの入力リップル電流を小さくできる。なお、対をなすコイルの結合係数が正となるようにするには、例えば、コイル部品１において、対をなすコイルの組、例えばコイルＬ１，Ｌ２の一方の巻回方向を逆にしてもよいし、コイルＬ１，Ｌ２の一方について、パルス信号の入出力を反対向きにしてもよい。また、例えば、コイル部品１Ａにおいて、対をなすコイルＬ１，Ｌ２が同じ方向に巻回されていてもよい。
また、コイル部品１Ａにおいて、全てのコイル（スパイラル配線）を同じ方向に巻回してもよい。このとき、各コイルの形状、配置、製造条件などを揃えやすく、電気特性の偏差を小さくできるとともに、製造を容易にできる。また、対をなすコイルを容易に正結合することができる。
また、コイル部品１Ａでは、同一の絶縁層（例えばベース絶縁層３０）上に複数のコイル（例えばコイルＬ１、Ｌ４）が積層され、該複数のコイルは、異なる方向に巻回されていたが、これに限られず、該複数のコイルは、同じ方向に巻回されていてもよい。この場合、同一の絶縁層上に積層された複数のコイルは、同じ方向に巻回されているので、対をなさないコイルの組のうち、比較的磁気結合が大きい同一絶縁層上で隣接するコイルの組を容易に負結合させることができ、各コイルのリップル電流をより抑えることができる。
１、１Ａ〜１Ｈ、１Ｊ コイル部品
５ スィッチングレギュレータ
６ コンデンサ（平滑回路）
７ 負荷
１０ 素体
１０ａ 第１側面
１０ｂ 第２側面
１１ａ〜１４ａ，１１ｂ〜１４ｂ 第１〜第４外部端子
２１、２２ 第１、第２スパイラル配線
２１ａ、２２ａ 内周端
２１ｂ、２２ｂ 外周端
２３Ｄ〜２３Ｆ スパイラル配線
２３ａ 一端
２３ｂ 他端
２５ ビア配線
３０ ベース絶縁樹脂層
３１〜３４ 第１〜第４絶縁樹脂層
３５ 絶縁樹脂
３５Ａ 封止樹脂
４０ 磁性樹脂
４０Ａ，４０Ｂ 第１、第２コア
４１ａ〜４１ｃ 第１〜第３磁性樹脂体
４２ 磁性樹脂層
７１〜７４ 第１〜第４柱状電極
７５，７５Ｅ 引出配線
Ｌ１〜Ｌ（２Ｎ） 第１〜第（２Ｎ）コイル
Ｓ１〜Ｓ（２Ｎ） 第１〜第（２Ｎ）スイッチ部

Claims (19)

  1. 多相ＳＷレギュレータに使用されるコイル部品であり、
    ２Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のコイルを有し、
    前記２Ｎ個のコイルは、Ｎ組の対をなすように構成され、
    前記Ｎ組の対の一つをなす第１コイルおよび第２コイル以外のコイルをその他のコイルとするとき、前記第１コイルと前記第２コイルとの磁気結合は、前記第１コイルと前記その他のコイルとの磁気結合よりも強く、
    絶縁層が第１方向に複数積層された素体をさらに備え、
    前記２Ｎ個のコイルはそれぞれ、前記素体の内部に配置されるとともに、前記絶縁層上で巻回されたスパイラル配線によって構成されており、
    前記２Ｎ個のコイルの前記スパイラル配線に対して前記第１方向両側にある前記絶縁層は、磁性体粉および樹脂のコンポジット材料からなる磁性樹脂層を含む、コイル部品。
  2. 多相ＳＷレギュレータに使用されるコイル部品であり、
    ２Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のコイルを有し、
    前記２Ｎ個のコイルは、Ｎ組の対をなすように構成され、
    前記Ｎ組の対の一つをなす第１コイルおよび第２コイル以外のコイルをその他のコイルとするとき、前記第１コイルと前記第２コイルとの磁気結合は、前記第１コイルと前記その他のコイルとの磁気結合よりも強く、
    絶縁層が第１方向に複数積層された素体をさらに備え、
    前記２Ｎ個のコイルはそれぞれ、前記素体の内部に配置されるとともに、前記絶縁層上で巻回されたスパイラル配線によって構成されており、
    前記スパイラル配線と接する前記絶縁層は、絶縁体粉および樹脂のコンポジット材料からなる、コイル部品。
  3. 前記第１コイルと前記第２コイルとの磁気結合は、前記第２コイルと前記その他のコイルとの磁気結合よりも強い、請求項１または２に記載のコイル部品。
  4. 前記対をなすコイル同士の磁気結合は、対をなさない前記コイル同士の磁気結合のいずれよりも強い、請求項３に記載のコイル部品。
  5. 前記第１コイルと前記第２コイルには、互いの磁束が打ち消しあうように負結合する方向に電流が流される、請求項１から４の何れか一つに記載のコイル部品。
  6. 前記２Ｎ個のコイルのそれぞれに対し、前記スパイラル配線の最内周よりも内側を該コイルの内径部分とすると、
    前記第１方向からみて、前記第１コイルの内径部分の少なくとも一部と前記第２コイルの内径部分の少なくとも一部とは、互いに重なる、請求項１から５の何れか一つに記載のコイル部品。
  7. 前記第１方向からみて、前記第１のコイルの内径部分と前記その他のコイルの内径部分とは、互いに重ならない、請求項６に記載のコイル部品。
  8. 前記第１のコイルと前記第２のコイルとは、異なる方向に巻回されている、請求項６または７に記載のコイル部品。
  9. 同一の前記絶縁層上に複数の前記コイルが積層され、
    該複数の前記コイルは、同じ方向に巻回されている、請求項１から８の何れか一つに記載のコイル部品。
  10. 前記２Ｎ個のコイルは、すべて同じ方向に巻回されている、請求項１から７の何れか一つに記載のコイル部品。
  11. 前記磁性体粉の平均粒径は、０．５μｍ以上１００μｍ以下であり、
    前記磁性体粉は、前記樹脂に対して５０ｖｏｌ％以上８５ｖｏｌ％以下含有されている、請求項１に記載のコイル部品。
  12. 前記２Ｎ個のコイルのそれぞれに対し、該コイルの内径部分、および、該コイルの前記スパイラル配線の最外周よりも外側に設けられた、磁性体粉および樹脂のコンポジット材料からなる磁性樹脂体をさらに備え、
    前記磁性樹脂層と前記磁性樹脂体とが閉磁路を構成している、請求項１または１１に記載のコイル部品。
  13. 前記第１コイルおよび前記第２コイルはそれぞれ、複数の前記絶縁層上に巻回された複数の前記スパイラル配線から構成され、
    前記第１コイルと前記第２コイルとの間の最端距離は、前記第１コイル、前記第２コイルのそれぞれにおける前記スパイラル配線同士の間の最短距離よりも長い、請求項１から１２の何れか一つに記載のコイル部品。
  14. 同一の前記絶縁層上に複数の前記コイルの前記スパイラル配線が巻回され、
    該スパイラル配線同士の最短距離は、該スパイラル配線内の配線間隔よりも長い、請求項１から１３の何れか一つに記載のコイル部品。
  15. 前記第１コイルの一端と前記第２コイルの一端とは、前記第１コイルおよび前記第２コイルに対して同じ一方側に引き出されているとともに、前記第１コイルの他端と前記第２コイルの他端とは、前記第１コイルおよび前記第２コイルに対して同じ他方側に引き出されており、
    前記第１コイルおよび前記第２コイルは、前記一端から前記他端に向かって電流が流れた場合に、互いの磁束が打ち消しあうように巻回されている、請求項１から１４の何れか一つに記載のコイル部品。
  16. 前記第１コイルおよび前記第２コイルのそれぞれのターン数、コイル配線長およびコイル断面積は、同じである、請求項１５に記載のコイル部品。
  17. 前記第１コイルの前記一端に接続される第１外部端子と、前記第２コイルの前記一端に接続される第２外部端子とは、隣り合う、請求項１５または１６に記載のコイル部品。
  18. 多相ＳＷレギュレータに使用されるコイル部品であり、
    ２Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のコイルを有し、
    前記２Ｎ個のコイルは、Ｎ組の対をなすように構成され、
    前記Ｎ組の対の一つをなす第１コイルおよび第２コイル以外のコイルをその他のコイルとするとき、前記第１コイルと前記第２コイルとの磁気結合は、前記第１コイルと前記その他のコイルとの磁気結合よりも強い、請求項１から１７の何れか一つに記載のコイル部品と、
    前記コイル部品の各コイルの一端側のそれぞれに接続された２Ｎ個のスイッチ部と、
    前記コイル部品の各コイルの一端または他端側に接続された平滑回路と
    を備え、
    前記スイッチ部は、前記コイル部品の対をなすコイルに対して、１８０°の位相差を有する信号を入力する、スィッチングレギュレータ。
  19. 多相ＳＷレギュレータに使用されるコイル部品であり、
    ２Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のコイルを有し、
    前記２Ｎ個のコイルは、Ｎ組の対をなすように構成され、
    前記Ｎ組の対の一つをなす第１コイルおよび第２コイル以外のコイルをその他のコイルとするとき、前記第１コイルと前記第２コイルとの磁気結合は、前記第１コイルと前記その他のコイルとの磁気結合よりも強く、
    絶縁層が第１方向に複数積層された素体をさらに備え、
    前記２Ｎ個のコイルは、前記素体の内部に配置され、
    前記２Ｎ個のコイルは、それぞれ、半周分巻回された曲線状のスパイラル配線によって構成され、
    前記２Ｎ個のコイルは、同一の絶縁層上に設けられ、
    前記２Ｎ個のコイルのそれぞれに対し、前記スパイラル配線の最内周よりも内側を該コイルの内径部分とすると、前記第１方向からみて、いずれの前記コイルについても、その内径部分同士は重ならない、コイル部品。
JP2016107560A 2016-05-30 2016-05-30 コイル部品 Active JP6812140B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016107560A JP6812140B2 (ja) 2016-05-30 2016-05-30 コイル部品
CN201710188880.3A CN107452492B (zh) 2016-05-30 2017-03-27 线圈部件
US15/586,803 US10978238B2 (en) 2016-05-30 2017-05-04 Coil component and switching regulator
US17/196,540 US12014859B2 (en) 2016-05-30 2021-03-09 Coil component and switching regulator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016107560A JP6812140B2 (ja) 2016-05-30 2016-05-30 コイル部品

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019149594A Division JP7101645B2 (ja) 2019-08-19 2019-08-19 コイル部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017216773A JP2017216773A (ja) 2017-12-07
JP6812140B2 true JP6812140B2 (ja) 2021-01-13

Family

ID=60418987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016107560A Active JP6812140B2 (ja) 2016-05-30 2016-05-30 コイル部品

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10978238B2 (ja)
JP (1) JP6812140B2 (ja)
CN (1) CN107452492B (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115148476A (zh) * 2017-12-23 2022-10-04 乾坤科技股份有限公司 耦合电感器及其制作方法
JP7471770B2 (ja) * 2017-12-28 2024-04-22 新光電気工業株式会社 インダクタ、及びインダクタの製造方法
JP7411590B2 (ja) * 2018-02-02 2024-01-11 株式会社村田製作所 インダクタ部品およびその製造方法
JP6935343B2 (ja) * 2018-02-02 2021-09-15 株式会社村田製作所 インダクタ部品およびその製造方法
KR102463336B1 (ko) * 2018-02-22 2022-11-04 삼성전기주식회사 인덕터 어레이
JP7553220B2 (ja) * 2018-03-20 2024-09-18 太陽誘電株式会社 コイル部品及び電子機器
JP7077835B2 (ja) * 2018-07-17 2022-05-31 株式会社村田製作所 インダクタ部品
JP7142527B2 (ja) * 2018-09-13 2022-09-27 Ntn株式会社 結合インダクタおよびスイッチング回路
KR102691323B1 (ko) 2018-09-28 2024-08-05 삼성전기주식회사 코일 전자 부품
JP6981389B2 (ja) * 2018-10-05 2021-12-15 株式会社村田製作所 Ｄｃ−ｄｃコンバータ用積層型コイルアレイおよびｄｃ−ｄｃコンバータ
JP6977694B2 (ja) 2018-10-05 2021-12-08 株式会社村田製作所 積層型コイルアレイ
JP6991178B2 (ja) * 2019-05-24 2022-01-12 株式会社Soken 電力変換装置
KR102178528B1 (ko) * 2019-06-21 2020-11-13 삼성전기주식회사 코일 전자부품
JP7402627B2 (ja) * 2019-07-18 2023-12-21 株式会社村田製作所 基体
JP7427392B2 (ja) * 2019-08-27 2024-02-05 株式会社村田製作所 インダクタ部品
JP7449660B2 (ja) * 2019-09-06 2024-03-14 株式会社村田製作所 インダクタ部品
US11050355B2 (en) 2019-10-17 2021-06-29 Infineon Technologies Austria Ag Stacked power supply topologies and inductor devices
JP7306219B2 (ja) * 2019-10-24 2023-07-11 株式会社村田製作所 インダクタアレイ部品およびインダクタアレイ部品内蔵基板
CN113472176B (zh) * 2020-03-30 2023-03-14 台达电子工业股份有限公司 功率转换系统
JP7264133B2 (ja) * 2020-08-26 2023-04-25 株式会社村田製作所 インダクタ部品
JP7437275B2 (ja) * 2020-09-09 2024-02-22 株式会社東芝 電子デバイス
DE102022110526A1 (de) * 2022-04-29 2023-11-02 Tdk Electronics Ag Gekoppelter Induktor und Spannungsregler

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3643150A (en) * 1970-11-02 1972-02-15 Honeywell Inc Power converter apparatus
JP3599205B2 (ja) * 1995-09-12 2004-12-08 Ｔｄｋ株式会社 ノイズ抑制用インダクタ素子
JP2001110638A (ja) * 1999-10-14 2001-04-20 Tdk Corp 積層電子部品
US6211657B1 (en) * 2000-05-18 2001-04-03 Communications & Power Industries, Inc. Two stage power converter with interleaved buck regulators
US6366069B1 (en) * 2001-02-01 2002-04-02 Intel Corporation Hysteretic-mode multi-phase switching regulator
US6362986B1 (en) 2001-03-22 2002-03-26 Volterra, Inc. Voltage converter with coupled inductive windings, and associated methods
JP4214700B2 (ja) * 2002-01-22 2009-01-28 株式会社村田製作所 コモンモードチョークコイルアレイ
AU2003243515A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-31 Pei Electronics, Inc. Improved pulse forming converter
WO2004055841A1 (ja) * 2002-12-13 2004-07-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 多連チョークコイルおよびそれを用いた電子機器
JP4378956B2 (ja) * 2003-01-17 2009-12-09 パナソニック株式会社 チョークコイルおよびそれを用いた電子機器
US7567163B2 (en) * 2004-08-31 2009-07-28 Pulse Engineering, Inc. Precision inductive devices and methods
US7394233B1 (en) * 2004-12-02 2008-07-01 Nortel Networks Limited High efficiency modulated power supply
US7327128B2 (en) * 2004-12-29 2008-02-05 Intel Corporation Switching power supply transient suppression
JP2006210403A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Mitsubishi Materials Corp 積層型コモンモードチョークコイルアレイ及び製造方法
US7449867B2 (en) * 2005-07-26 2008-11-11 International Rectifier Corporation Multi-phase buck converter with a plurality of coupled inductors
JP2007068392A (ja) * 2005-07-26 2007-03-15 Internatl Rectifier Corp 複数の結合インダクタを有する多相バックコンバータ
US7514909B2 (en) * 2005-09-30 2009-04-07 Voiterra Semiconductor Corporation Voltage regulator with communication ring scheme
US7456618B2 (en) * 2005-10-31 2008-11-25 Chil Semiconductor, Inc. Digital controller for a voltage regulator module
US7636242B2 (en) * 2006-06-29 2009-12-22 Intel Corporation Integrated inductor
US20080067990A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-20 Intersil Americas Inc. Coupled-inductor assembly with partial winding
US8618788B2 (en) * 2007-03-30 2013-12-31 Malay Trivedi Dynamically adjusted multi-phase regulator
US8030908B2 (en) * 2007-12-13 2011-10-04 Upi Semiconductor Corporation Control method for multi-phase DC-DC controller and multi-phase DC-DC controller
US7525406B1 (en) * 2008-01-17 2009-04-28 Well-Mag Electronic Ltd. Multiple coupling and non-coupling inductor
US8279037B2 (en) * 2008-07-11 2012-10-02 Cooper Technologies Company Magnetic components and methods of manufacturing the same
US8659379B2 (en) * 2008-07-11 2014-02-25 Cooper Technologies Company Magnetic components and methods of manufacturing the same
TW201106386A (en) * 2009-08-03 2011-02-16 Inpaq Technology Co Ltd Common mode filter and method of manufacturing the same
JP2011159953A (ja) * 2010-01-05 2011-08-18 Fujitsu Ltd 電子回路及び電子機器
US8451083B2 (en) * 2010-05-31 2013-05-28 Tdk Corporation Coil component and method of manufacturing the same
JP5360130B2 (ja) * 2011-05-13 2013-12-04 Ｔｄｋ株式会社 コモンモードノイズフィルタ
CN103168413B (zh) * 2011-06-10 2016-08-03 株式会社村田制作所 多沟道型dc-dc转换器
US9627738B2 (en) * 2012-01-16 2017-04-18 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Wideband multilayer transmission line transformer
TWI459414B (zh) * 2012-12-19 2014-11-01 Ind Tech Res Inst 耦合電感
JP2015056940A (ja) 2013-09-11 2015-03-23 株式会社デンソー 多相電力変換装置のフィルタ回路および多相電力変換装置
KR102178531B1 (ko) * 2015-01-28 2020-11-13 삼성전기주식회사 칩 전자부품 및 칩 전자부품의 실장 기판
JP6678292B2 (ja) * 2015-02-19 2020-04-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 コモンモードノイズフィルタ

Also Published As

Publication number Publication date
US10978238B2 (en) 2021-04-13
US20210193370A1 (en) 2021-06-24
JP2017216773A (ja) 2017-12-07
CN107452492A (zh) 2017-12-08
CN107452492B (zh) 2020-09-08
US20170345551A1 (en) 2017-11-30
US12014859B2 (en) 2024-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6812140B2 (ja) コイル部品
US8791785B2 (en) Method for manufacturing module with planar coil, and module with planar coil
EP2577856B1 (en) Powder core material coupled inductors and associated methods
JP6533342B2 (ja) 複合平滑インダクタおよび平滑化回路
WO2010001749A1 (ja) 平面コイル
CN106992056B (zh) 线圈部件
CN106298160B (zh) 线圈部件
KR20110042151A (ko) 자기 전기적 장치
JP2010129692A (ja) インダクタンス部品
JP6365696B2 (ja) モジュール
JP6551256B2 (ja) コイル部品、コイル部品を内蔵した回路基板、並びに、コイル部品を備える電源回路
JP7101645B2 (ja) コイル部品
WO2017086083A1 (ja) 電力伝送用アンテナ装置、電子機器および電力伝送システム
JP6255990B2 (ja) 巻線部品
JP2020017772A (ja) コイル部品
JP2013251378A (ja) 積層型コモンモードチョークコイル
WO2017175513A1 (ja) 電力変換モジュール
US9111678B2 (en) Planar core-type uniform external field equalizer and fabrication
JP2013207151A (ja) トランス
WO2015198956A1 (ja) コイルモジュール
JP6607312B2 (ja) インダクタ部品
JP6364765B2 (ja) 巻線部品
JP2012099512A (ja) 複合電子部品
KR20230079702A (ko) 인덕터 및 트랜스포머용 코일구조 및 이를 이용한 인덕터 및 트랜스포머 제조방법
WO2017188076A1 (ja) インダクタ部品

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171208

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180912

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181030

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181214

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190521

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190819

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20190819

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20190826

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20190827

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20191101

C211 Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211

Effective date: 20191112

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20200609

C13 Notice of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13

Effective date: 20200804

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200918

C23 Notice of termination of proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23

Effective date: 20201104

C03 Trial/appeal decision taken

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03

Effective date: 20201208

C30A Notification sent

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012

Effective date: 20201208

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201216

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6812140

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150