JP7264133B2 - インダクタ部品 - Google Patents

Description

本開示は、インダクタ部品に関する。

特許文献１に記載されているインダクタ部品は、主面を有する素体を備えている。素体の内部ではインダクタ配線が主面に沿った方向に渦巻状に延びている。主面に直交する方向から視たときに、素体は、四角形状となっており、長手方向に延びる辺と幅方向に延びる辺とで構成されている。そして、素体の長手方向の寸法と幅方向の寸法とは、略同じである。

特開２０２０－０５３６３６号公報

例えば、パワーインダクタのような大電流が必要なインダクタ部品において、インダクタンス値よりも直流電気抵抗が優先される場合、インダクタ配線を直線形状やミアンダ形状とすることがある。しかし、特許文献１に記載されているインダクタ部品において、直線形状やミアンダ形状のインダクタ配線を配置し、直流電気抵抗の増大を抑制しつつ配線長を長くするには、限界がある。

本発明の一態様は、長方形状の主面を有する直方体状の素体と、前記素体の内部において前記主面と平行に延び、ターン数が０．５ターン以下のインダクタ配線と、前記インダクタ配線から前記主面に直交する厚さ方向に延び、前記主面から露出している第１垂直配線及び第２垂直配線と、を備え、前記主面の長辺に平行な方向を第１方向、前記主面に平行な方向であって前記第１方向に直交する方向を第２方向としたとき、前記インダクタ配線は、第１端が第２端よりも前記第１方向の一方側に位置する配線本体と、前記配線本体の第１端に設けられ前記第１垂直配線が接続されている第１パッドと、前記配線本体の第２端に設けられ前記第２垂直配線が接続されている第２パッドとを有し、前記第１方向に平行な第１辺と前記第２方向に平行な第２辺とで、前記厚さ方向から視て前記配線本体の全体を囲う最小の長方形状の領域をインダクタ領域としたとき、前記主面の前記第１方向の寸法は、前記主面の前記第２方向の寸法の２．５倍以上であり、且つ、前記第１辺の寸法は、前記第２辺の寸法の３倍以上であるインダクタ部品である。

上記の構成によれば、素体は、第１方向に相応に長い。そのため、インダクタ領域が第１方向に長くなるように確保できる。よって、インダクタ配線の配線本体の配線長を充分に確保することができる。

インダクタ配線の配線長を充分に確保できる。

第１実施形態のインダクタ部品の分解斜視図。 第１実施形態のインダクタ部品の第５層を除く透過上面図。 図２における３－３線に沿うインダクタ部品の断面図。 図２における４－４線に沿うインダクタ部品の断面図。 第１実施形態のインダクタ部品の第１側面を示す側面図。 第１実施形態のインダクタ部品の第１層の上面図。 第１実施形態のインダクタ部品の製造方法の説明図。 第１実施形態のインダクタ部品の製造方法の説明図。 第１実施形態のインダクタ部品の製造方法の説明図。 第１実施形態のインダクタ部品の製造方法の説明図。 第１実施形態のインダクタ部品の製造方法の説明図。 第１実施形態のインダクタ部品の製造方法の説明図。 第１実施形態のインダクタ部品の製造方法の説明図。 第１実施形態のインダクタ部品の製造方法の説明図。 第１実施形態のインダクタ部品の製造方法の説明図。 第１実施形態のインダクタ部品の製造方法の説明図。 第１実施形態のインダクタ部品の製造方法の説明図。 第１実施形態のインダクタ部品の製造方法の説明図。 第１実施形態のインダクタ部品の製造方法の説明図。 第１実施形態のインダクタ部品の製造方法の説明図。 第２実施形態のインダクタ部品の分解斜視図。 第２実施形態のインダクタ部品の透過上面図。 図２２における５－５線に沿うインダクタ部品の断面図。 第２実施形態のインダクタ部品の第１側面を示す側面図。 第２実施形態のインダクタ部品の第１層の上面図。 第２実施形態のインダクタ部品の製造方法の説明図。 変更例のインダクタ部品の透過上面図。 変更例のインダクタ部品の透過上面図。 変更例のインダクタ部品の透過上面図。

＜第１実施形態＞
以下、インダクタ部品の第１実施形態について説明する。なお、図面は理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものとは異なる場合がある。

図１に示すように、インダクタ部品１０は、全体として、厚さ方向Ｔｄに５つの層が積層されたような構造になっている。なお、以下の説明では、厚さ方向Ｔｄの一方側を上側とし、その反対側を下側とする。

第１層Ｌ１は、２つのインダクタ配線２０と、各インダクタ配線２０から延びる第１支持配線４１及び第２支持配線４２と、内磁路部５１と、外磁路部５２と、によって構成されている。なお、以下の説明において、２つのインダクタ配線２０を区別する必要がある場合には、一方のインダクタ配線２０を第１インダクタ配線２０Ｒ、他方のインダクタ配線２０を第２インダクタ配線２０Ｌと呼称する。

第１層Ｌ１は、厚さ方向Ｔｄから視ると、長方形状となっている。なお、この長方形状の長辺に平行な方向を長手方向Ｌｄ、短辺に平行な方向を短手方向Ｗｄとする。
インダクタ配線２０は、直線状に延びる配線本体２１と、配線本体２１の端部に設けられた第１パッド２２及び第２パッド２３と、によって構成されている。

配線本体２１は、第１層Ｌ１の長手方向Ｌｄに延びている。そのため、配線本体２１の第１端は、配線本体２１の第２端よりも、長手方向Ｌｄの第１端側に位置している。配線本体２１において長手方向Ｌｄの第１端側の第１端部には、第１パッド２２が接続されている。なお、配線本体２１における長手方向Ｌｄの第１端側の第１端部は、配線本体２１における長手方向Ｌｄの中央部に比べ広がるように大きくなっていてもよい。

第１パッド２２の短手方向Ｗｄの寸法は、配線本体２１の短手方向Ｗｄの寸法よりも大きくなっている。第１パッド２２は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、略正方形状になっている。

また、配線本体２１において長手方向Ｌｄの第２端側の第２端部には第２パッド２３が接続されている。なお、配線本体２１における長手方向Ｌｄの第２端側の第２端部は、配線本体２１における長手方向Ｌｄの中央部に比べ広がるように大きくなっていてもよい。

第２パッド２３の短手方向Ｗｄの寸法は、配線本体２１の短手方向Ｗｄの寸法よりも大きくなっている。第２パッド２３は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１パッド２２と同じ略正方形状になっている。

インダクタ配線２０は、導電性材料からなっている。本実施形態において、インダクタ配線２０の組成は、銅の比率が９９ｗｔ％以上で硫黄の比率が０．１ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下とすることができる。

第１層Ｌ１において、配線本体２１に対して第１パッド２２を挟んだ反対側からは、第１支持配線４１が延びている。すなわち、第１支持配線４１は、第１パッド２２における長手方向Ｌｄの第１端側の縁から延びている。第１支持配線４１は、長手方向Ｌｄと平行に直線状に延びている。第１支持配線４１は、第１層Ｌ１の長手方向Ｌｄの第１端側の第１側面９１まで延びていて、第１側面９１に露出している。なお、第１支持配線４１は、インダクタ配線２０の数に対応して、２つ存在し、２つとも第１側面９１に露出している。

また、同様に、第１層Ｌ１において、配線本体２１に対して第２パッド２３を挟んだ反対側からは、第２支持配線４２が延びている。すなわち、第２支持配線４２は、第２パッド２３における長手方向Ｌｄの第２端側の縁から延びている。第２支持配線４２は、長手方向Ｌｄと平行に直線状に延びている。第２支持配線４２は、第１層Ｌ１の長手方向Ｌｄの第２端側の第２側面９２まで延びていて、第２側面９２に露出している。なお、第２支持配線４２は、インダクタ配線２０の数に対応して、２つ存在し、２つとも第２側面９２に露出している。

第１支持配線４１及び第２支持配線４２の材質は、インダクタ配線２０と同じ導電性材料である。ただし、第１支持配線４１のうち、第１側面９１に露出している露出面４１Ａを含む一部分は、Ｃｕ酸化物になっている。同様に、第２支持配線４２のうち第２側面９２に露出している露出面４２Ａを含む一部分は、Ｃｕ酸化物になっている。

図２に示すように、第１層Ｌ１の短手方向Ｗｄの中央を通り、且つ長手方向Ｌｄに延びる直線を対称軸ＡＸとしたとき、２つのインダクタ配線２０、各インダクタ配線から延びる第１支持配線４１、及び第２支持配線４２は、対称軸ＡＸを基準として線対称に、配置されている。すなわち、２つのインダクタ配線２０は、同一平面上に存在している。この実施形態では、第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第１支持配線４１、及び第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第２支持配線４２が、対称軸ＡＸよりも短手方向Ｗｄの第２端側に位置している。そして、第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第１支持配線４１、及び第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第２支持配線４２が、対称軸ＡＸよりも短手方向Ｗｄの第１端側に位置している。

このように、第１インダクタ配線２０Ｒと第２インダクタ配線２０Ｌは、第１層Ｌ１内において、互いに離れて短手方向Ｗｄに２個設けられている。また、第１層Ｌ１を短手方向Ｗｄについて仮想的に２個の範囲に等間隔に分割したときに、短手方向Ｗｄの第１端側の範囲には、第１インダクタ配線２０Ｒが配置されている。さらに、短手方向Ｗｄの第２端側の範囲には、第２インダクタ配線２０Ｌが配置されている。よって、第１層Ｌ１を短手方向Ｗｄに仮想的に２個の範囲に等間隔に分割したときに、１つの範囲には、１つのインダクタ配線２０が配置されている。

図１に示すように、第１層Ｌ１において、第１インダクタ配線２０Ｒと第２インダクタ配線２０Ｌとの間の領域は、内磁路部５１となっている。内磁路部５１の材質は、磁性材料となっている。具体的には、内磁路部５１の材質は、金属磁性粉を含有する樹脂となっている。この実施形態では、金属磁性粉は、Ｆｅ系合金又はアモルファス合金からなる金属磁性粉を含有する有機樹脂となっている。より具体的には、金属磁性粉は、鉄を含むＦｅＳｉＣｒ系金属粉である。また、金属磁性粉の平均粒子径は、約５マイクロメートルとすることができる。

なお、この実施形態において、金属磁性粉の粒子径とは、内磁路部５１を切断した断面で現れる金属磁性粉の断面形状において、その断面形状の縁から縁までに引ける線分のうち最も長い長さである。そして、平均粒子径とは、内磁路部５１を切断した断面で現れる金属磁性粉のうち、ランダムな３点以上の金属磁性粉の粒子径の平均である。

第１層Ｌ１において、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１インダクタ配線２０Ｒよりも短手方向Ｗｄの第２端側の領域、及び第２インダクタ配線２０Ｌよりも短手方向Ｗｄの第１端側の領域は、外磁路部５２となっている。外磁路部５２の材質は、内磁路部５１と同じ磁性材料となっている。

本実施形態において、第１層Ｌ１の厚さ方向Ｔｄの寸法、すなわち、インダクタ配線２０、第１支持配線４１、及び第２支持配線４２の厚さ方向Ｔｄの寸法は、およそ４０マイクロメートルとすることができる。

第１層Ｌ１の厚さ方向Ｔｄの下側の面である下面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第１層Ｌ１と同じ長方形状の第２層Ｌ２が積層されている。第２層Ｌ２は、２つの絶縁樹脂６１と、絶縁樹脂磁性層５３と、によって構成されている。

絶縁樹脂６１は、インダクタ配線２０と、第１支持配線４１と、第２支持配線４２とを、厚さ方向Ｔｄの下側から覆っている。絶縁樹脂６１は、厚さ方向Ｔｄから視ると、インダクタ配線２０と、第１支持配線４１と、第２支持配線４２との外縁より僅かに広い範囲を覆うような形状となっている。その結果、絶縁樹脂６１は、全体として第２層Ｌ２の長手方向Ｌｄに延びる帯状となっている。絶縁樹脂６１の材質は、絶縁性の樹脂であり、この実施形態では例えばポリイミド系樹脂とすることができる。絶縁樹脂６１はインダクタ配線２０よりも絶縁性が高くなっている。絶縁樹脂６１は、インダクタ配線２０の数及び配置に対応して、短手方向Ｗｄに２つ並んで設けられている。

第２層Ｌ２において、２つの絶縁樹脂６１を除く部分は、絶縁樹脂磁性層５３となっている。絶縁樹脂磁性層５３の材質は、上述した内磁路部５１や外磁路部５２と同じ磁性材料となっている。

第２層Ｌ２の厚さ方向Ｔｄの下側の面である下面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第２層Ｌ２と同じ長方形状の第３層Ｌ３が積層されている。第３層Ｌ３は、第１磁性層５４となっている。そのため、第１磁性層５４は、インダクタ配線２０よりも下側に配置されている。第１磁性層５４の材質は、上述した内磁路部５１や外磁路部５２、絶縁樹脂磁性層５３と同じ金属磁性粉を含有する有機樹脂となっている。

一方、第１層Ｌ１の厚さ方向Ｔｄの上側の面である上面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第１層Ｌ１と同じ長方形状の第４層Ｌ４が積層されている。第４層Ｌ４は、２つの第１垂直配線７１と、２つの第２垂直配線７２と、第２磁性層５５とによって構成されている。

第１垂直配線７１は、インダクタ配線２０における第１パッド２２の上面に、他の層を介することなく直接接続されている。すなわち、第１パッド２２には、第１垂直配線７１、配線本体２１の第１端部及び第１支持配線４１が接続されている。

第１垂直配線７１の材質は、インダクタ配線２０と同じ材質となっている。第１垂直配線７１は、正四角柱状となっており、正四角柱の軸線方向が厚さ方向Ｔｄと一致している。

図２に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たときに、正方形状の第１垂直配線７１の各辺の寸法は、正方形状の第１パッド２２の各辺の寸法よりも僅かに小さくなっている。そのため、第１パッド２２の面積は、第１パッド２２との接続箇所における第１垂直配線７１の面積よりも大きくなっている。なお、厚さ方向Ｔｄの上側から視たときに、第１垂直配線７１の中心軸線ＣＶ１は、略正方形状の第１パッド２２の幾何中心と一致している。第１垂直配線７１は、インダクタ配線２０の数に対応して２つ設けられている。

図１に示すように、第２垂直配線７２は、インダクタ配線２０における第２パッド２３の上面に、他の層を介することなく直接接続されている。すなわち、第２パッド２３には、第２垂直配線７２、配線本体２１の第２端部及び第２支持配線４２が接続されている。

第２垂直配線７２の材質は、インダクタ配線２０と同じ材質となっている。第２垂直配線７２は、正四角柱状となっており、正四角柱の軸線方向が厚さ方向Ｔｄと一致している。

図２に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たときに、正方形状の第２垂直配線７２の各辺の寸法は、正方形状の第２パッド２３の各辺の寸法よりも僅かに小さくなっている。そのため、第２パッド２３の面積は、第２パッド２３との接続箇所における第２垂直配線７２の面積よりも大きくなっている。なお、厚さ方向Ｔｄの上側から視たときに、第２垂直配線７２の中心軸線ＣＶ２は、略正方形状の第２パッド２３の幾何中心と一致している。第２垂直配線７２は、インダクタ配線２０の数に対応して２つ設けられている。

図１に示すように、第４層Ｌ４において、２つの第１垂直配線７１と２つの第２垂直配線７２とを除く部分は、第２磁性層５５となっている。そのため、第２磁性層５５は、各インダクタ配線２０及び各支持配線４１、４２の上面に積層されている。すなわち、各支持配線４１、４２が、第２磁性層５５と直接接している。第２磁性層５５の材質は、上述した第１磁性層５４と同じ磁性材料となっている。

インダクタ部品１０において、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第１磁性層５４と、第２磁性層５５と、によって、磁性層５０が構成されている。内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第１磁性層５４と、第２磁性層５５とは、接続されており、各インダクタ配線２０を取り囲んでいる。このように、磁性層５０は各インダクタ配線２０に対して閉磁路を構成している。そのため、各インダクタ配線２０は、磁性層５０の内部で延びている。なお、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第１磁性層５４と、第２磁性層５５とは、区別して図示しているが、磁性層５０として一体化されていて境界が確認できないこともある。

第４層Ｌ４の厚さ方向Ｔｄの上側の面である上面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第４層Ｌ４と同じ長方形状の第５層Ｌ５が積層されている。第５層Ｌ５は、２つの第１外部端子８１と、２つの第２外部端子８２と、絶縁層９０と、によって構成されている。

第１外部端子８１は、第１垂直配線７１の上面に、他の層を介することなく直接接続されている。第１外部端子８１は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、長方形状となっており、第２磁性層５５上にも位置している。第１外部端子８１の長方形の長辺は、第５層Ｌ５の長手方向Ｌｄと平行に延びており、短辺は、第５層Ｌ５の短手方向Ｗｄと平行に延びている。第１外部端子８１は、インダクタ配線２０の数に対応して２つ設けられている。

第２外部端子８２は、第２垂直配線７２の上面に、他の層を介することなく直接接続されている。第２外部端子８２は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、長方形状となっており、第２磁性層５５上にも位置している。第２外部端子８２の長方形の長辺は、第５層Ｌ５の長手方向Ｌｄと平行に延びており、短辺は、第５層Ｌ５の短手方向Ｗｄと平行に延びている。

第５層Ｌ５において、２つの第１外部端子８１と、２つの第２外部端子８２とを除く部分は、絶縁層９０となっている。換言すると、第４層Ｌ４の上面のうち、２つの第１外部端子８１と、２つの第２外部端子８２と、によって覆われていない範囲は、第５層Ｌ５の絶縁層９０によって覆われている。絶縁層９０は、磁性層５０よりも絶縁性が高く、本実施形態では、絶縁層９０はソルダーレジストとなっている。絶縁層９０の厚さ方向Ｔｄの寸法は、第１外部端子８１及び、第２外部端子８２のいずれの厚さ方向Ｔｄの寸法よりも小さくなっている。

本実施形態においては、磁性層５０と、絶縁樹脂６１と、絶縁層９０とによって、素体ＢＤが構成されている。そのため、素体ＢＤは、直方体状である。本実施形態において、素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法は、例えば、約０．２ミリメートルである。素体ＢＤとは、インダクタ部品１０のうち、導電性を有する配線及び端子を除いた部分であり、絶縁性を有する部分である。また、素体ＢＤの形状は、上述したとおり、直方体状であり、部分的に突出する部材は除く。なお、素体ＢＤの形状が直方体状であれば、積層されている部分は素体ＢＤに含まれる。

素体ＢＤの表面のうち、絶縁層９０における厚さ方向Ｔｄの上側の面が主面ＭＦとなっている。したがって、インダクタ配線２０は、素体ＢＤの主面ＭＦと平行に延びている。そして、インダクタ配線２０の第１パッド２２から主面ＭＦに向かって第１垂直配線７１が厚さ方向Ｔｄに延びている。第１垂直配線７１は主面ＭＦから露出している。インダクタ配線２０の第２パッド２３からは主面ＭＦに向かって第２垂直配線７２が厚さ方向Ｔｄに延びている。第２垂直配線７２は主面ＭＦから露出している。なお、本実施形態のように、第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２における主面ＭＦから露出している面の少なくとも一部が、第１外部端子８１及び第２外部端子８２に覆われていることもある。

素体ＢＤは主面ＭＦに垂直な第１側面９３を有している。なお、第１層Ｌ１の第１側面９１は、素体ＢＤの第１側面９３の一部である。また、素体ＢＤは主面ＭＦに垂直な側面であって第１側面９３と平行な第２側面９４を有している。なお、第１層Ｌ１の第２側面９２は、素体ＢＤの第２側面９４の一部である。すなわち、第１支持配線４１は、インダクタ配線２０から主面ＭＦと平行に延び、端部が素体ＢＤの第１側面９３に露出している。同様に、第２支持配線４２は、インダクタ配線２０から主面ＭＦと平行に延び、端部が素体ＢＤの第２側面９４に露出している。

主面ＭＦは、絶縁層９０の外縁形状を反映して、厚さ方向Ｔｄから視たときに、長方形状となっている。ここで、厚さ方向Ｔｄから視たときに、長方形状の一辺に平行な方向を第１方向とし、主面ＭＦに平行な方向であって第１方向に直交する方向を第２方向とする。本実施形態においては、第１方向は、長手方向Ｌｄと一致しており、第２方向は、短手方向Ｗｄと一致している。そのため、主面ＭＦの第１方向の寸法は、主面ＭＦの第２方向の寸法よりも大きくなっている。

具体的には、主面ＭＦの長手方向Ｌｄの寸法は、例えば１．５ミリメートルである。主面ＭＦの短手方向Ｗｄの寸法は、例えば０．６ミリメートルである。そのため、主面ＭＦの長手方向Ｌｄの寸法は、主面ＭＦの短手方向Ｗｄの寸法の２．５倍である。

本実施形態においては、短手方向Ｗｄに並ぶ２つのインダクタ配線２０は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、主面ＭＦを短手方向Ｗｄに同寸法となるように仮想的に２つに分割した範囲に、それぞれ配置されている。主面ＭＦの短手方向Ｗｄの寸法を、短手方向Ｗｄに並ぶインダクタ配線２０の数である「２」で除した値は、０．３ミリメートルである。そのため、主面ＭＦの長手方向Ｌｄの寸法は、主面ＭＦの短手方向の寸法を短手方向に並ぶインダクタ配線２０の数で除した値の５倍である。また、素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法は、主面ＭＦの短手方向Ｗｄの寸法を、短手方向Ｗｄに並ぶインダクタ配線２０の数である「２」で除した値よりも小さくなっている。

次に、各配線について詳述する。
図２に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たとき、２つの配線本体２１の中心軸線Ｃ１は、互いに平行に、長手方向Ｌｄに延びている。なお、配線本体２１の中心軸線Ｃ１は、配線本体２１が延びる方向と直交する方向、すなわち短手方向Ｗｄにおいて配線本体２１の中間点を辿った線である。各配線本体２１の線幅、すなわち、短手方向Ｗｄの寸法は、５０マイクロメートルとすることができる。以下の説明では、短手方向Ｗｄにおける、第１インダクタ配線２０Ｒの配線本体２１の中心軸線Ｃ１と、第２インダクタ配線２０Ｌの配線本体２１の中心軸線Ｃ１との距離を配線本体２１の間のピッチとする。そして、本実施形態では、配線本体２１の間のピッチは、例えば、およそ２５０マイクロメートルになっている。また、隣り合う配線本体２１の間隔、すなわち、図２の第１インダクタ配線２０Ｒの配線本体２１の短手方向Ｗｄの第１端側と第２インダクタ配線２０Ｌの配線本体２１の短手方向Ｗｄの第２端側との間の距離は、例えば、およそ２００マイクロメートルになっている。なお、本実施形態では、隣り合うインダクタ配線２０の最小の間隔は、第１パッド２２間の間隔及び第２パッド２３間の間隔であり、いずれも５０マイクロメートル以上になっている。例えば、第１パッド２２間の間隔及び第２パッド２３間の間隔は、およそ１１０マイクロメートルとしてもよい。

第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、長手方向Ｌｄに延びている。なお、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、第１支持配線４１が延びる方向と直交する方向、すなわち短手方向Ｗｄにおいて第１支持配線４１の中間点を辿った線である。

第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、配線本体２１の中心軸線Ｃ１よりも短手方向Ｗｄの外側に位置している。すなわち、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と配線本体２１の中心軸線Ｃ１とは一致していない。そのため、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と配線本体２１の中心軸線Ｃ１とは、異なる直線上に位置している。また、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の延長線は、第１垂直配線７１の中心軸線ＣＶ１と交差している。

また、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２は、長手方向Ｌｄに延びている。なお、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２は、第２支持配線４２が延びる方向と直交する方向、すなわち短手方向Ｗｄにおいて第２支持配線４２の中間点を辿った線である。

第２支持配線４２の中心軸線Ａ２は、配線本体２１の中心軸線Ｃ１よりも短手方向Ｗｄの外側に位置している。すなわち、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２と配線本体２１の中心軸線Ｃ１とは一致していない。そのため、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２と配線本体２１の中心軸線Ｃ１とは、異なる直線上に位置している。また、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２の延長線は、第２垂直配線７２の中心軸線ＣＶ２と交差している。

同一のインダクタ配線２０から延びている第１支持配線４１及び第２支持配線４２は、短手方向Ｗｄにおいて同じ位置に配置されている。すなわち、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と第２支持配線４２の中心軸線Ａ２とは同一直線上に位置している。なお、本願において、インダクタ配線２０の最小線幅を基準に、１０％以内のずれであれば、同一直線上にある、とみなす。具体的には、本実施形態におけるインダクタ配線２０の最小線幅は、配線本体２１の線幅である５０マイクロメートルとすることができる。したがって、本実施形態における「同一直線上」とは、２つの軸線の最短距離が５マイクロメートル以内の場合であり、「異なる直線上」とは、２つの軸線の最短距離が５マイクロメートルを超える場合である。

上述したように、第１層Ｌ１において、各インダクタ配線２０、各第１支持配線４１、及び各第２支持配線４２は、対称軸ＡＸを基準として、線対称に配置されている。したがって、図２に示すように、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの第２端側の端から、第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１までの距離Ｑ１は、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの第１端側の端から、第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１までの距離Ｑ１と同じである。

同様に、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの第２端側の端から、第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第２支持配線４２の中心軸線Ａ２までの距離Ｑ２は、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの第１端側の端から、第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第２支持配線４２の中心軸線Ａ２までの距離Ｑ２と同じである。そして、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と第２支持配線４２の中心軸線Ａ２とは同一直線状にあることから、距離Ｑ１と距離Ｑ２は等しくなっている。

一方、本実施形態において、短手方向Ｗｄにおける第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１から、第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１までのピッチＰ１は、上述の距離Ｑ１及び距離Ｑ２よりも大きくなっている。具体的には、ピッチＰ１は、距離Ｑ１及び距離Ｑ２のおよそ２倍の長さである。

図３及び図４に示すように、第１支持配線４１の短手方向Ｗｄの配線幅Ｗ１は、インダクタ配線２０における配線本体２１の短手方向Ｗｄの配線幅Ｈ１よりも小さくなっている。ここで、第１支持配線４１とインダクタ配線２０の配線本体２１とは同一の第１層Ｌ１に設けられており、厚さ方向Ｔｄの長さは略同じである。したがって、配線幅の違いを反映して各第１支持配線４１の断面積は、各配線本体２１の断面積よりも小さくなっている。同様に、図２及び図３に示すように各第２支持配線４２の短手方向Ｗｄの配線幅Ｗ２は、インダクタ配線２０における配線本体２１の短手方向Ｗｄの配線幅Ｈ１よりも小さくなっている。したがって、配線幅の違いを反映して、各第２支持配線４２の断面積は、各配線本体２１の断面積よりも小さくなっている。

図５に示すように、素体ＢＤにおける長手方向Ｌｄの第１端側の第１側面９３からは、２つの第１支持配線４１の端が露出している。各第１支持配線４１において第１側面９３に露出している露出面４１Ａの形状は、中心軸線Ａ１と直交する第１支持配線４１の断面形状を若干引き延ばしたような形状になっている。その結果として、第１支持配線４１の露出面４１Ａの面積は、中心軸線Ａ１と直交する断面における、素体ＢＤの内部での第１支持配線４１の断面積よりも大きくなっている。同様に、図１に示すように、２つの第２支持配線４２は、いずれも素体ＢＤの長手方向Ｌｄの第２端側の第２側面９４に露出している。第２支持配線４２において第２側面９２に露出している露出面４２Ａの面積は、中心軸線Ａ２と直交する断面における、素体ＢＤの内部での第２支持配線４２の断面積よりも大きくなっている。これにより、第１支持配線４１は、素体ＢＤの第１側面９３との接触面積が大きくなり、第２支持配線４２は素体ＢＤの第２側面９４との接触面積が大きくなり、支持配線４１、４２と素体ＢＤと互いの密着性が向上する。なお、あくまで断面積の大小が上記関係を満たせばよく、例えば、露出面４１Ａは、一方に引き延ばされつつ、他方が素体ＢＤの引き延ばされた部分に覆われた形状であってもよい。

なお、第１層Ｌ１の第１側面９１は、主面ＭＦに直交する素体ＢＤの側面の一部である。また、第１層Ｌ１の第２側面９２は、主面ＭＦに直交する素体ＢＤの側面の一部であって、上記第１側面９１と平行な側面である。

ここで、厚さ方向Ｔｄから視たときに、インダクタ配線２０の配線本体２１の全体を囲う最小の領域であるインダクタ領域ＩＡについて詳述する。図６に示すように、インダクタ領域ＩＡは、長手方向Ｌｄに延びる第１辺ＬＳと短手方向Ｗｄに延びる第２辺ＳＳとで区域される長方形状の領域である。また、１つのインダクタ領域ＩＡは、１つの配線本体２１の全体を囲う最小の長方形状の領域である。本実施形態では、第１インダクタ配線２０Ｒについてのインダクタ領域ＩＡの第１辺ＬＳの寸法は、インダクタ領域ＩＡの第２辺ＳＳの寸法の約９倍である。なお、第２インダクタ配線２０Ｌについてのインダクタ領域ＩＡは、第１インダクタ配線２０Ｒについてのインダクタ領域ＩＡと同じ大きさである。

また、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１インダクタ配線２０Ｒの第１パッド２２の幾何中心と、第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２の幾何中心と、の距離は、ピッチＰ１と等しくなっており、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの寸法の約２分の１である。そのため、第１インダクタ配線２０Ｒの第１パッド２２の幾何中心と、第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２の幾何中心との距離は、インダクタ領域ＩＡの第１辺ＬＳの３分の１である。

次に、第１実施形態のインダクタ部品１０の製造方法を説明する。
図７に示すように、先ず、ベース部材準備工程を行う。具体的には、板状のベース部材１０１を準備する。ベース部材１０１の材質は、セラミックスである。ベース部材１０１は、厚さ方向Ｔｄから視ると、四角形状となっている。各辺の寸法は、インダクタ部品１０が複数個収容される寸法となっている。以下の説明では、ベース部材１０１の面方向に直交する方向を厚さ方向Ｔｄとして説明する。

次に、図８に示すように、ベース部材１０１の上面全体にダミー絶縁層１０２を塗布する。次に、厚さ方向Ｔｄから視たときに、インダクタ配線２０が配置される範囲より僅かに広い範囲に、フォトリソグラフィによって、絶縁樹脂６１をパターニングする。

次に、シード層１０３を形成するシード層形成工程を行う。具体的には、ベース部材１０１の上面側から、スパッタリングによって、絶縁樹脂６１及びダミー絶縁層１０２の上面に銅のシード層１０３を形成する。なお、図面において、シード層１０３は、太線で図示する。

次に、図９に示すように、シード層１０３の上面のうち、インダクタ配線２０と、第１支持配線４１と、第２支持配線４２とを形成しない部分を被覆する第１被覆部１０４を形成する第１被覆工程を行う。具体的には、先ず、シード層１０３の上面全体に感光性のドライフィルムレジストを塗布する。次に、ダミー絶縁層１０２の上面の範囲全てと、絶縁樹脂６１の上面のうち、絶縁樹脂６１が覆う範囲の外縁部の上面とについて、露光することで硬化させる。その後、塗布したドライフィルムレジストのうち硬化していない部分を、薬液により剥離除去する。これにより、塗布したドライフィルムレジストのうち、硬化している部分が、第１被覆部１０４として形成される。一方で、塗布したドライフィルムレジストのうち、薬液に除去されて第１被覆部１０４に被覆されていない部分には、シード層１０３が露出している。第１被覆部１０４の厚さ方向Ｔｄの寸法である第１被覆部１０４の厚みは、図３に示すインダクタ部品１０のインダクタ配線２０の厚みよりも僅かに大きくなっている。なお、後述する他の工程におけるフォトリソグラフィも、同様の工程であるので詳細な説明は省略する。

次に、図１０に示すように、絶縁樹脂６１の上面のうちの、第１被覆部１０４に被覆されていない部分に、インダクタ配線２０と、第１支持配線４１と、第２支持配線４２と、を電解めっきで形成する配線加工工程を行う。具体的には、電解銅めっきを行い、絶縁樹脂６１の上面において、シード層１０３が露出している部分から、銅を成長させる。これにより、インダクタ配線２０と、第１支持配線４１と、第２支持配線４２と、が形成される。したがって、この実施形態では、複数のインダクタ配線２０を形成する工程と、異なるインダクタ配線２０のパッド間を接続する複数の第１支持配線４１及び第２支持配線４２を形成する工程とが同一工程である。また、インダクタ配線２０と第１支持配線４１及び第２支持配線４２とは、同一平面上に形成される。なお、図１０では、インダクタ配線２０が図示されていて、各支持配線は図示されていない。

次に、図１１に示すように、第２被覆部１０５を形成する第２被覆工程を行う。第２被覆部１０５を形成する範囲は、第１被覆部１０４の上面全体と、各支持配線の上面全体と、インダクタ配線２０の上面のうち第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２を形成しない範囲である。この範囲に、第１被覆部１０４を形成した方法と同一のフォトリソグラフィによって、第２被覆部１０５を形成する。また、第２被覆部１０５の厚さ方向Ｔｄの寸法は、第１被覆部１０４と同一となっている。

次に、各垂直配線を形成する垂直配線加工工程を行う。具体的には、インダクタ配線２０のうち、第２被覆部１０５に被覆されていない部分に、電解銅めっきによって第１垂直配線７１と、第２垂直配線７２と、を形成する。これにより、第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２は、上述の複数のインダクタ配線２０と、第１支持配線４１及び第２支持配線４２とが形成された平面と垂直な厚さ方向Ｔｄに形成される。また、垂直配線加工工程においては、成長する銅の上端が第２被覆部１０５の上面より僅かに低い位置となるように設定している。具体的には、後述する切削前の各垂直配線の厚さ方向Ｔｄの寸法が、各インダクタ配線の厚さ方向Ｔｄの寸法と同一になるように設定している。

次に、図１２に示すように、第１被覆部１０４及び第２被覆部１０５を取り除く被覆部除去工程を行う。具体的には、薬品によって第１被覆部１０４及び第２被覆部１０５をウェットエッチングすることにより、第１被覆部１０４及び第２被覆部１０５を剥離する。なお、図１２においては、第１垂直配線７１が図示されていて、第２垂直配線７２は図示されていない。

次に、シード層１０３をエッチングするシード層エッチング工程を行う。シード層１０３についてエッチングを行うことで、露出しているシード層１０３を除去する。このように、各インダクタ配線と、各支持配線と、はＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ：セミアディティブ工法）で形成される。

次に、図１３に示すように、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第２磁性層５５を積層する第２磁性層加工工程を行う。具体的には、先ず、ベース部材１０１の上面側に、磁性層５０の材質である磁性粉を含む樹脂を塗布する。このとき、各垂直配線の上面も覆うように磁性粉を含む樹脂を塗布する。次に、プレス加工して磁性粉を含む樹脂を固めることで、ベース部材１０１の上面側に内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第２磁性層５５を形成する。

次に、図１４に示すように、第２磁性層５５の上側部分を、各垂直配線の上面が露出するまで削る。なお、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第２磁性層５５とは、一体的に形成されるが、図面においては、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第２磁性層５５とも区別して図示している。

次に、図１５に示すように、絶縁層加工工程を行う。具体的には、第２磁性層５５の上面と、各垂直配線の上面とのうち、各外部端子を形成しない部分に、フォトリソグラフィによって、絶縁層９０として機能するソルダーレジストをパターニングする。なお、本実施形態において、絶縁層９０の上面すなわち素体ＢＤの主面ＭＦに直交する方向は、厚さ方向Ｔｄとなっている。

次に、図１６に示すように、ベース部材切削工程を行う。具体的には、ベース部材１０１及びダミー絶縁層１０２を全て切削によって除去する。なお、ダミー絶縁層１０２を全て切削する結果、各絶縁樹脂の下側部分についても、一部切削により除去されるが、各インダクタ配線は除去されない。

次に、図１７に示すように、第１磁性層５４を積層する第１磁性層加工工程を行う。具体的には、先ず、ベース部材１０１の下側面に、第１磁性層５４の材質である磁性粉を含む樹脂を塗布する。次に、プレス加工することで、磁性粉を含む樹脂を固めることで、ベース部材１０１の下側面に第１磁性層５４を形成する。

次に、第１磁性層５４の下端部分を削る。例えば、各外部端子の上面から第１磁性層５４の下面までの寸法が、所望の値となるように、第１磁性層５４の下端部分を削る。
次に、図１８に示すように、端子部加工工程を行う。具体的には、第２磁性層５５の上面と、各垂直配線の上面と、のうち、絶縁層９０に覆われていない部分に、第１外部端子８１と、第２外部端子８２とを形成する。これらの金属層は、銅、ニッケル、金のそれぞれについて、無電解めっきによって形成される。また、銅とニッケルとの間にパラジウムなどの触媒層があってもよい。これにより３層構造の第１外部端子８１と、第２外部端子８２とが形成される。なお、図１８においては、第１外部端子８１が図示されていて、第２外部端子８２は、図示されていない。

次に、図１９に示すように、個片化加工工程を行う。具体的には、破断線ＤＬにてダイシングにより個片化する。これにより、インダクタ部品１０を得ることができる。
なお、ダイシングする前の状態では、例えば、図２０に示すように、複数のインダクタ部品が、長手方向Ｌｄと短手方向Ｗｄとに並設され、素体ＢＤや第１支持配線４１及び、第２支持配線４２で個々のインダクタ部品は繋がっている。破断線ＤＬ上に含まれる、第１支持配線４１及び第２支持配線４２が厚さ方向Ｔｄで切断されることで、第１支持配線４１の切断面を第１側面９３に露出面４１Ａとして露出させる。また、第２支持配線４２の切断面を第２側面９４に露出面４２Ａとして露出させる。なお、図２０では、第５層Ｌ５の図示を省略している。

なお、個片化加工工程の後、各インダクタ部品１０は、酸素存在下で一定期間放置される。これにより、第１支持配線４１の露出面４１Ａを含む一部、及び第２支持配線４２の露出面４２Ａを含む一部が酸化され、Ｃｕ酸化物となる。

上述したように、個片化加工工程では、破断線ＤＬ上に含まれる第１支持配線４１及び第２支持配線４２が切断される。第１支持配線４１及び第２支持配線４２を切断する際に、第１支持配線４１及び第２支持配線４２にはせん断応力が加わる。当該応力により、各支持配線が変形する。そのため、図５に示すように、第１支持配線４１の第１側面９３上の断面、すなわち露出面４１Ａは歪な形状になる。同様に、第２支持配線４２の第２側面９４上の断面、すなわち露出面４２Ａは歪な形状になる。

次に、第１実施形態の作用を説明する。
上記第１実施形態において、直方体状の素体ＢＤを厚さ方向Ｔｄから視たときに、主面ＭＦは、長手方向Ｌｄに長い長方形状である。そして、インダクタ配線２０の配線本体２１は、長手方向Ｌｄ、すなわち主面ＭＦの長辺方向に直線状に延びている。

次に、第１実施形態の効果について説明する。
（１－１）上記第１実施形態によれば、インダクタ配線２０について、細長い直線状の配線本体２１を採用している。そして、主面ＭＦの長手方向Ｌｄの寸法は、主面ＭＦの短手方向Ｗｄの寸法の２．５倍である。また、インダクタ領域ＩＡの第１辺ＬＳの寸法は、インダクタ領域ＩＡの第２辺ＳＳの寸法の約９倍である。よって、上記第１実施形態のインダクタ配線２０の配線本体２１は直線状であるため、例えば同じ配線長の渦巻き形状のインダクタ配線に比べて、直流電気抵抗を低減できる。また、素体ＢＤの長手方向Ｌｄに長いインダクタ領域ＩＡを確保することで、配線本体２１の配線長を確保できる。

（１－２）上記第１実施形態によれば、素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法は、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの寸法よりも小さい。そのため、インダクタ部品１０全体を薄型化できる。
（１－３）上記第１実施形態では、インダクタ配線２０が同一平面上において短手方向Ｗｄに２つ並んでいる。そのため、１本あたりのインダクタ配線２０が配置できる素体ＢＤの最大の短手方向Ｗｄの範囲は、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの寸法を短手方向Ｗｄに並ぶインダクタ配線２０の数である「２」で除した値の範囲である。上記第１実施形態によれば、主面ＭＦの長手方向Ｌｄの寸法は、主面ＭＦの短手方向Ｗｄの寸法を短手方向Ｗｄに並ぶインダクタ配線２０の数で除した値の５倍である。そのため、インダクタ配線２０が同一平面上に２つ設けられていても、各インダクタ配線２０の長手方向Ｌｄの寸法を、確保できる。

（１－４）上記第１実施形態によれば、インダクタ部品１０において、短手方向Ｗｄに均等に２つのインダクタ配線２０が配置されている。そのため、インダクタ部品１０の強度、重量などのいずれかに関して、短手方向Ｗｄで偏りが生じることを抑制できる。また、不均等に２つのインダクタ配線２０が配置されていることに起因して、２つのインダクタ配線２０の電気的特性の相違を抑制することができる。

（１－５）上記第１実施形態によれば、素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法は、主面ＭＦの短手方向Ｗｄの寸法を短手方向Ｗｄに並ぶインダクタ配線２０の数である「２」で除した値よりも小さい。換言すれば、複数のインダクタ配線２０は、厚さ方向Ｔｄに積層されているのではなく、同一平面上に存在している。そのため、インダクタ配線２０が複数存在していても、インダクタ部品１０を薄型化できる。

（１－６）上記第１実施形態では、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１インダクタ配線２０Ｒの第１パッド２２の幾何中心と、第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２の幾何中心との短手方向Ｗｄにおける距離は、インダクタ領域ＩＡの第１辺ＬＳの寸法の３分の１である。つまり、第１インダクタ配線２０Ｒと第２インダクタ配線２０Ｌとは、相応に近い距離で配置されている。そのため、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの寸法が過度に大きくなることを抑制できる。

（１－７）上記第１実施形態において、インダクタ配線２０の配線本体２１は直線状である。配線本体２１が直線状の場合、曲線状の場合と比べて、配線本体２１の配線長が短くなる。配線長が短いため、第１層Ｌ１に配置された内磁路部５１及び外磁路部５２の体積を確保しやすい。また、配線本体２１が直線状であるため、配線本体２１の直流抵抗は小さい。上記のことから、インダクタ部品１０のインダクタンス値の取得率が低下しにくくなる。また、配線本体２１が直線状であると、本実施形態のように同一平面上に並列に配線本体２１配置してもインダクタ部品１０の寸法が大きくなりにくく、小型のインダクタ部品を形成しやすい。

（１－８）上記第１実施形態において、インダクタ配線２０の配線本体２１の延び方向は、素体ＢＤの長手方向Ｌｄと一致している。そのため、素体ＢＤの長手方向Ｌｄの寸法を、配線本体２１の配線長を確保する上で好適である。

（１－９）上記第１実施形態において、素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法は、約０．２ミリメートルである。素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法が小さいほど、インダクタ部品１０を基板に実装した際に、基板から突出する寸法が小さくなる。したがって、第１実施形態のインダクタ部品１０は、厚さ方向Ｔｄの寸法が大きい場合には実装できなかったようなところにも実装が可能である。

（１－１０）上記第１実施形態において、第１層Ｌ１に、インダクタ配線２０と、第１支持配線４１と、第２支持配線４２とが存在する。複数のインダクタ部品１０が並列している状態、つまりダイシングする前の状態では、複数のインダクタ配線の間を、第１支持配線４１及び第２支持配線４２で繋ぐ構成を採用できる。複数のインダクタ配線２０の間を第１支持配線４１及び第２支持配線４２で繋いでおけば、インダクタ配線２０を支持するための基板等を要さずとも、これらインダクタ配線２０を支持し、位置決めできる。したがって、インダクタ配線２０を支持するための基板等が不要という点で、インダクタ部品１０の薄型化に寄与できる。

（１－１１）仮に、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と、配線本体２１の中心軸線Ｃ１とが一致し、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２と、配線本体２１の中心軸線Ｃ１とが一致していたとする。当該状態において、インダクタ部品１０にねじれの力がかかると、インダクタ配線２０、第１支持配線４１及び第２支持配線４２が、ねじれの中心軸として機能し得るため、素体ＢＤ全体としてねじれの力に抗しにくい。

一方、上記第１実施形態では、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と配線本体２１の中心軸線Ｃ１とが一致しておらず、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２と配線本体２１の中心軸線Ｃ１についても一致していない。そのため、インダクタ配線２０、第１支持配線４１及び第２支持配線４２の全体が、ねじれの中心軸として機能することはなく、ねじれの力に対する強度を向上し得る。

（１－１２）上記第１実施形態において、インダクタ配線２０の全体は、磁性層５０に覆われている。そして、第１磁性層５４及び第２磁性層５５は、金属磁性粉を含有する有機樹脂となっている。当該金属磁性粉は、鉄を含む合金であり、金属磁性粉の平均粒子径は、約５マイクロメートルである。このように１０マイクロメートル以下の粒径の小さい磁性粉を使用することで、第１磁性層５４及び第２磁性層５５の比透磁率を確保しつつ鉄損を低減できる。

（１－１３）上記第１実施形態において、第１インダクタ配線２０Ｒの配線本体２１の中心軸線Ｃ１から第２インダクタ配線２０Ｌの配線本体２１の中心軸線Ｃ１までの短手方向Ｗｄのピッチは、およそ２５０マイクロメートルになっている。これは、第１支持配線４１から第１側面９１における短手方向Ｗｄの端までの距離、及び第２支持配線４２から第２側面９２における短手方向Ｗｄの端までの距離のうち最小距離の２倍以上である。これにより、当該ピッチが相対的に大きく、比較的磁束密度が高い配線本体２１間を大きくとれるため、インダクタンス値の取得効率を向上できる。

また、第１実施形態において、隣り合うインダクタ配線２０の最小の間隔である第１パッド２２間の間隔及び第２パッド２３間の間隔が、およそ５０マイクロメートル以上である。これによれば、インダクタ配線２０間の絶縁性を確保する上で好適である。さらに、およそ１００マイクロメートル以上であればなお好適である。

＜第２実施形態＞
以下、インダクタ部品の第２実施形態について説明する。なお、図面は理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものとは異なる場合がある。また、第１実施形態と同様の構成については、説明を簡略化又は省略していることがある。

図２１に示すように、インダクタ部品１０は、全体として、厚さ方向Ｔｄに５つの層が積層されたような構造になっている。なお、以下の説明では、厚さ方向Ｔｄの一方側を上側とし、その反対側を下側とする。

第１層Ｌ１は、第１インダクタ配線２０Ｒと、第２インダクタ配線２０Ｌと、第１支持配線４１と、第２支持配線４２と、内磁路部５１と、外磁路部５２と、によって構成されている。

第１層Ｌ１は、厚さ方向Ｔｄから視ると、長方形状となっている。なお、この長方形状の長辺に平行な方向を長手方向Ｌｄ、短辺に平行な方向を短手方向Ｗｄとする。
第１インダクタ配線２０Ｒは、第１配線本体２１Ｒと、第１配線本体２１Ｒの第１端部に設けられた第１パッド２２Ｒと、第１配線本体２１Ｒの第２端部に設けられた第２パッド２３Ｒと、によって構成されている。第１配線本体２１Ｒは、第１層Ｌ１の長手方向Ｌｄに直線状に延びている。そのため、第１配線本体２１Ｒの第１端は、第１配線本体２１Ｒの第２端よりも、長手方向Ｌｄの第１端側に位置している。第１配線本体２１Ｒにおいて長手方向Ｌｄの第１端側の第１端部には、第１パッド２２Ｒが接続されている。なお、配線本体２１における長手方向Ｌｄの第１端側の第１端部は、配線本体２１における長手方向Ｌｄの中央部に比べ広がるように大きくなっていてもよい。

第１パッド２２Ｒの短手方向Ｗｄの寸法は、第１配線本体２１Ｒの短手方向Ｗｄの寸法よりも大きくなっている。第１パッド２２Ｒは、厚さ方向Ｔｄから視たときに、略正方形状になっている。

また、第１配線本体２１Ｒにおいて長手方向Ｌｄの第２端側の第２端部には第２パッド２３Ｒが接続されている。なお、配線本体２１における長手方向Ｌｄの第２端側の第２端部は、配線本体２１における長手方向Ｌｄの中央部に比べ広がるように大きくなっていてもよい。

第２パッド２３Ｒの短手方向Ｗｄの寸法は、第１配線本体２１Ｒの短手方向Ｗｄの寸法よりも大きくなっている。第２パッド２３Ｒは、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１パッド２２Ｒと同じ略正方形状になっている。なお、第１インダクタ配線２０Ｒは、第１層Ｌ１の短手方向Ｗｄの第２端側に寄って配置されている。

第２インダクタ配線２０Ｌは、第２配線本体２１Ｌと、第２配線本体２１Ｌの第１端部に設けられた第１パッド２２Ｌと、第２配線本体２１Ｌの第２端部に設けられた第２パッド２３Ｒと、によって構成されている。

第２配線本体２１Ｌは、２つの直線部とこれらを繋ぐ部分とを有していて、全体としてＬ字状に延びている。そのため、第２配線本体２１Ｌの第１端は、第２配線本体２１Ｌの第２端よりも、長手方向Ｌｄの第１端側に位置している。具体的には、第２配線本体２１Ｌは、長手方向Ｌｄに延びる長直線部３１と、短手方向Ｗｄに延びる短直線部３２と、これらを繋ぐ接続部３３とからなる。

図２２に示すように、第１層Ｌ１の短手方向Ｗｄの中央を通り、且つ長手方向Ｌｄに延びる直線を対称軸ＡＸとしたとき、長直線部３１は、対称軸ＡＸに対して第１配線本体２１Ｒと線対称の位置に配置されている。また、長直線部３１が長手方向Ｌｄに延びる長さは、第１配線本体２１Ｒが長手方向Ｌｄに延びる長さよりもやや長くなっている。また、長直線部３１の短手方向Ｗｄの寸法は、第１配線本体２１Ｒの短手方向Ｗｄの寸法と等しくなっている。長直線部３１の長手方向Ｌｄの第１端側の第１端は、第１パッド２２Ｒに接続されている。長直線部３１の長手方向Ｌｄの第２端側の端は、接続部３３の第１端に接続されている。

接続部３３のうち、長直線部３１と繋がっていない第２端は、短手方向Ｗｄの第２端側を向いている。すなわち、接続部３３は、第２配線本体２１Ｌにおいて、長手方向Ｌｄの第１方向から短手方向Ｗｄの第２端側に向かって９０度に湾曲している。

接続部３３の短手方向Ｗｄの第２端側を向いている第２端は、短直線部３２の第１端に接続されている。なお、短直線部３２の短手方向Ｗｄの第２端側の第２端部は、短直線部３２における短手方向Ｗｄの中央部に比べ広がるように大きくなっていてもよい。

短直線部３２の長手方向Ｌｄの寸法は、長直線部３１の短手方向Ｗｄの寸法と等しくなっている。短直線部３２のうち、短手方向Ｗｄの第２端側を向く第２端は、第１配線本体２１Ｒに接続された第２パッド２３Ｒに接続されている。すなわち、第１インダクタ配線２０Ｒにおける第２パッド２３Ｒが、第２インダクタ配線２０Ｌにおける第２パッド２３Ｒと同一のパッドである。

上記、第２インダクタ配線２０Ｌのターン数は、仮想ベクトルに基づいて定められている。仮想ベクトルの始点は、第２配線本体２１Ｌの配線幅の中央を通って第２配線本体２１Ｌの延設方向に延びる中心軸線Ｃ２上に配置されている。そして、仮想ベクトルは、厚さ方向Ｔｄから視たときに第２配線本体２１Ｌの始点を第１端に配置した状態から中心軸線Ｃ２の第２端まで移動させたときに、仮想ベクトルの向きが回転した角度が３６０度のときに、ターン数は１．０ターンとして定められる。ただし、仮想ベクトルの向きが、複数回巻回する場合、連続する同一方向の巻回である場合にターン数が増加するものとする。仮想ベクトルの向きが、１回前に巻回した方向と異なる方向に巻回した場合、ターン数は再度０ターンからカウントする。例えば、時計回りに１８０度巻回し、その後反時計回りに１８０度巻回した場合は０．５ターンとなる。したがって、例えば１８０度巻回されると、ターン数は０．５ターンとなる。本実施形態では、第２配線本体２１Ｌ上に仮想的に配置された仮想ベクトルの向きは、接続部３３で９０度回転される。そのため、第２配線本体２１Ｌが巻回されているターン数は、０．２５ターンとなっている。なお、第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２は、第２配線本体２１Ｌが延びる方向と直交する方向において第２配線本体２１Ｌの中間点を辿った線である。すなわち、第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、略Ｌ字状になっている。

図２２に示すように、第２配線本体２１Ｌの長直線部３１の長手方向Ｌｄの第１端側の端には、第１パッド２２Ｌが接続されている。当該第１パッド２２Ｌは、第１配線本体２１Ｒに接続された第１パッド２２Ｒと、同一の形状である。すなわち、第１パッド２２Ｌは、厚さ方向Ｔｄから視たときに、略正方形状である。また、当該第１パッド２２Ｌは対称軸ＡＸに対して、第１配線本体２１Ｒに接続された第１パッド２２Ｒに線対称に配置されている。

第１層Ｌ１において、第１配線本体２１Ｒに対して第１パッド２２Ｒを挟んだ反対側からは、第１支持配線４１が延びている。すなわち、第１支持配線４１は、第１パッド２２Ｒにおける長手方向Ｌｄの第１端側の縁から延びている。第１支持配線４１は、長手方向Ｌｄと平行に直線状に延びている。第１支持配線４１は、第１層Ｌ１の長手方向Ｌｄの第１端側の第１側面９１まで延びていて、第１側面９１に露出している。同様に、第１層Ｌ１において、第２配線本体２１Ｌに対して第１パッド２２Ｌを挟んだ反対側からも、第１支持配線４１が延びている。

第１層Ｌ１において、第１配線本体２１Ｒに対して第２パッド２３Ｒを挟んだ反対側からは、第２支持配線４２が延びている。すなわち、第２支持配線４２は、第２パッド２３Ｒにおける長手方向Ｌｄの第２端側の縁から延びている。第２支持配線４２は、長手方向Ｌｄと平行に直線状に延びている。第２支持配線４２は、第１層Ｌ１の長手方向Ｌｄの第２端側の第２側面９２まで延びていて、第２側面９２に露出している。なお、本実施形態では、第２配線本体２１Ｌの短直線部３２に対して第２パッド２３Ｒを挟んだ反対側には、支持配線は設けられていない。

第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌは、導電性材料からなっている。本実施形態において、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌの組成は、銅の比率が９９ｗｔ％以上で硫黄の比率が０．１ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下とすることができる。

第１支持配線４１及び第２支持配線４２の材質は、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌと同じ導電性材料である。ただし、第１支持配線４１のうち、第１側面９１に露出している露出面４１Ａを含む一部分は、Ｃｕ酸化物になっている。同様に、第２支持配線４２のうち第２側面９２に露出している露出面４２Ａを含む一部分は、Ｃｕ酸化物になっている。

図２１に示すように、第１層Ｌ１において、第１インダクタ配線２０Ｒと第２インダクタ配線２０Ｌとの間の領域は、内磁路部５１となっている。内磁路部５１の材質は、磁性材料となっている。具体的には、内磁路部５１の材質は、鉄シリカ系合金又はそれらのアモルファス合金からなる金属磁性粉を含有する有機樹脂となっている。金属磁性粉は、鉄を含む合金であり、金属磁性粉の平均粒子径は、約５マイクロメートルとすることができる。なお、平均粒子径の扱いについては、第１実施形態と同じである。

第１層Ｌ１において、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１インダクタ配線２０Ｒよりも短手方向Ｗｄの第２端側の領域、及び第２インダクタ配線２０Ｌよりも短手方向Ｗｄの第１端側の領域は、外磁路部５２となっている。外磁路部５２の材質は、内磁路部５１と同じ磁性材料となっている。

本実施形態において、第１層Ｌ１の厚さ方向Ｔｄの寸法、すなわち、インダクタ配線２０、第１支持配線４１、及び第２支持配線４２の厚さ方向Ｔｄの寸法は、およそ４０マイクロメートルとすることができる。

第１層Ｌ１の厚さ方向Ｔｄの下側の面である下面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第１層Ｌ１と同じ長方形状の第２層Ｌ２が積層されている。第２層Ｌ２は、２つの絶縁樹脂６１と、絶縁樹脂磁性層５３と、によって構成されている。

絶縁樹脂６１は、第１インダクタ配線２０Ｒと、第２インダクタ配線２０Ｌと、第１支持配線４１と、第２支持配線４２とを、厚さ方向Ｔｄの下側から覆っている。絶縁樹脂６１は、厚さ方向Ｔｄから視ると、第１インダクタ配線２０Ｒと、第２インダクタ配線２０Ｌと、第１支持配線４１と、第２支持配線４２との外縁より僅かに広い範囲を覆うような形状となっている。その結果、一方の絶縁樹脂６１は、直線の帯状となっている。他方の絶縁樹脂６１は、略Ｌ字状に延びる帯状となっている。絶縁樹脂６１の材質は、絶縁性の樹脂であり、この実施形態では例えばポリイミド系樹脂とすることができる。絶縁樹脂６１はインダクタ配線２０よりも絶縁性が高くなっている。絶縁樹脂６１は、インダクタ配線２０の数及び配置に対応して、短手方向Ｗｄに２つ並んで設けられているとともに、端部において互いに接続されている。

第２層Ｌ２において、２つの絶縁樹脂６１を除く部分は、絶縁樹脂磁性層５３となっている。絶縁樹脂磁性層５３の材質は、上述した内磁路部５１や外磁路部５２と同じ磁性材料となっている。

第２層Ｌ２の厚さ方向Ｔｄの下側の面である下面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第２層Ｌ２と同じ長方形状の第３層Ｌ３が積層されている。第３層Ｌ３は、第１磁性層５４となっている。そのため、第１磁性層５４は、インダクタ配線２０よりも下側に配置されている。第１磁性層５４の材質は、上述した内磁路部５１や外磁路部５２、絶縁樹脂磁性層５３と同じ金属磁性粉を含有する有機樹脂となっている。

一方、第１層Ｌ１の厚さ方向Ｔｄの上側の面である上面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第１層Ｌ１と同じ長方形状の第４層Ｌ４が積層されている。第４層Ｌ４は、２つの第１垂直配線７１と、１つの第２垂直配線７２と、第２磁性層５５とによって構成されている。

第１垂直配線７１は、第１インダクタ配線２０Ｒにおける第１パッド２２Ｒの上面に、他の層を介することなく直接接続されている。すなわち、第１パッド２２Ｒには、第１垂直配線７１、第１配線本体２１Ｒの第１端部及び第１支持配線４１が接続されている。同様に、別の第１垂直配線７１は、第２インダクタ配線２０Ｌにおける第１パッド２２Ｌの上面に、他の層を介することなく直接接続されている。第１パッド２２Ｌには、第１垂直配線７１、第２配線本体２１Ｌの第１端部及び第１支持配線４１が接続されている。２つの第１垂直配線７１は、対称軸ＡＸに対して線対称となる位置に配置されている。第１垂直配線７１の材質は、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌと同じ材質となっている。第１垂直配線７１は、正四角柱状となっており、正四角柱の軸線方向が厚さ方向Ｔｄと一致している。

図２２に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たときに、正方形状の第１垂直配線７１の各辺の寸法は、正方形状の第１パッド２２Ｒの各辺の寸法よりも僅かに小さくなっている。そのため、第１パッド２２Ｒの面積は、第１パッド２２Ｒとの接続箇所における第１垂直配線７１の面積よりも大きくなっている。なお、厚さ方向Ｔｄの上側から視たときに、第１垂直配線７１の中心軸線ＣＶ１は、略正方形状の第１パッド２２Ｒの幾何中心と一致している。第１垂直配線７１は、第１パッド２２Ｒの数に対応して２つ設けられている。

図２１に示すように、第２垂直配線７２は、第１インダクタ配線２０Ｒにおける第２パッド２３Ｒの上面に、他の層を介することなく直接接続されている。すなわち、第２パッド２３Ｒには、第２垂直配線７２、第１配線本体２１Ｒの第２端部、第２配線本体２１Ｌの第２端部及び第２支持配線４２が接続されている。第２垂直配線７２の材質は、第１インダクタ配線２０Ｒと同じ材質となっている。第２垂直配線７２は、正四角柱状となっており、正四角柱の軸線方向が厚さ方向Ｔｄと一致している。

図２２に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たときに、正方形状の第２垂直配線７２の各辺の寸法は、正方形状の第２パッド２３Ｒの各辺の寸法よりも僅かに小さくなっている。そのため、第２パッド２３Ｒの面積は、第２パッド２３Ｒとの接続箇所における第２垂直配線７２の面積よりも大きくなっている。なお、厚さ方向Ｔｄの上側から視たときに、第２垂直配線７２の中心軸線ＣＶ２は、略正方形状第２パッド２３Ｒの幾何中心と一致している。第２垂直配線７２は、第２パッド２３Ｒの数に対応して１つ設けられている。

図２１に示すように、第４層Ｌ４において、２つの第１垂直配線７１と２つの第２垂直配線７２とを除く部分は、第２磁性層５５となっている。そのため、第２磁性層５５は、各インダクタ配線２０及び各支持配線４１、４２の上面に積層されている。すなわち、各支持配線４１、４２が、第２磁性層５５と直接接している。第２磁性層５５の材質は、上述した第１磁性層５４と同じ磁性材料となっている。

インダクタ部品１０において、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第１磁性層５４と、第２磁性層５５と、によって、磁性層５０が構成されている。内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第１磁性層５４と、第２磁性層５５とは、接続されており、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌを取り囲んでいる。このように、磁性層５０は第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌに対して閉磁路を構成している。そのため、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌは、磁性層５０の内部で延びている。なお、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第１磁性層５４と、第２磁性層５５と、は、区別して図示しているが、磁性層５０として一体化されていて境界が確認できないこともある。

第４層Ｌ４の厚さ方向Ｔｄの上側の面である上面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第４層Ｌ４と同じ長方形状の第５層Ｌ５が積層されている。第５層Ｌ５は、４つの端子部８０と、絶縁層９０と、によって構成されている。４つの端子部８０のうち２つは、第１垂直配線７１に電気的に接続された第１外部端子８１である。また、４つの端子部８０のうち１つは、第２垂直配線７２に電気的に接続された第２外部端子８２である。４つの端子部８０のうち、第１外部端子８１及び第２外部端子８２を除く残りの１つは、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌのいずれにも電気的に接続されていないダミー部８３である。

図２２に示すように、第５層Ｌ５の長手方向Ｌｄの中央を通り、短手方向Ｗｄに平行な仮想直線ＢＸを引いたとき、上述の対称軸ＡＸと仮想直線ＢＸとが交差する第５層Ｌ５の上面上の点が第５層Ｌ５の幾何中心Ｇである。４つの端子部８０は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第５層Ｌ５の幾何中心Ｇに対して２回対称位置に配置されている。

第１外部端子８１は、第１垂直配線７１の上面に、他の層を介することなく直接接続されている。第１外部端子８１は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、長方形状となっており、第２磁性層５５上にも位置している。第１外部端子８１が第１垂直配線７１と接触している面積は、第１外部端子８１の全体の面積に対して半分以下である。第１外部端子８１の長方形の長辺は、第５層Ｌ５の長手方向Ｌｄと平行に延びており、短辺は、第５層Ｌ５の短手方向Ｗｄと平行に延びている。第１外部端子８１は、第１垂直配線７１の数に対応して２つ設けられている。

第２外部端子８２は、第２垂直配線７２の上面に、他の層を介することなく直接接続されている。第２外部端子８２が第２垂直配線７２と接触している面積は、第２外部端子８２の全体の面積に対して半分以下である。第２外部端子８２は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、長方形状となっており、第２磁性層５５上にも位置している。第２外部端子８２の長方形の長辺は、第５層Ｌ５の長手方向Ｌｄと平行に延びており、短辺は、第５層Ｌ５の短手方向Ｗｄと平行に延びている。

図２１に示すように、４つの端子部８０のうち１つはダミー部８３となっている。図２３に示すように、ダミー部８３は、第４層Ｌ４の第２磁性層５５の上面に、他の層を介すことなく直接接続されている。図２２に示すように、ダミー部８３は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１外部端子８１及び第２外部端子８２と、異なる形状をしている。本実施形態では、ダミー部８３は、厚さ方向Ｔｄから視たときに楕円形状になっている。一方で、ダミー部８３の形状はこれに限らず、例えば、第１外部端子８１及び第２外部端子８２と異なる長方形状、円形状であってもよい。ダミー部８３の楕円の長軸は、第５層Ｌ５の長手方向Ｌｄと平行に延びており、短軸は第５層Ｌ５の短手方向Ｗｄと平行に延びている。

厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３の大半の部分は、第２インダクタ配線２０Ｌと重なっている。より具体的には、厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３は、第２インダクタ配線２０Ｌにおける接続部３３と重なる位置に配置されている。また、厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３の面積は、第１外部端子８１及び第２外部端子８２の面積と同じである。なお、本実施形態において、「面積が同じ」とは、製造上の誤差を許容するものである。したがって、ダミー部８３と第１外部端子８１及び第２外部端子８２との面積の差が±１０％以内であれば、面積が同じであるとみなせる。

４つの端子部８０は、導電性を有する複数の層で構成されている。具体的には、銅、ニッケル、金の３層構造となっている。なお、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１外部端子８１において、厚さ方向の下側に備えられた第２磁性層５５及び第１垂直配線７１が透けて見えることがある。第１外部端子８１から第１垂直配線７１が透けて見える領域は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１外部端子８１の半分以下の領域である。

同様に、第２外部端子８２において、厚さ方向の下側に備えられた第２磁性層５５及び第２垂直配線７２が透けて見えることがある。第２外部端子８２から第２垂直配線７２が透けて見える領域は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第２外部端子８２の半分以下の領域である。

ダミー部８３においては、厚さ方向Ｔｄの下側に備えられた第２磁性層５５が透けて見えることがある。一方、第１外部端子８１から透けて見える第２磁性層５５の領域は、第１外部端子８１の半分以上の領域である。第２外部端子８２から透けて見える第２磁性層５５の領域は、第２外部端子８２の半分以上の領域である。すなわち、厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３の全体と、第１外部端子８１及び第２外部端子８２の半分以上の領域とが、光学的に同じ色である。ここでの同じ色とは、例えば、色差計を用いたときに、ＲＧＢを示す数値の差異が、所定の範囲内であるときに同じ色とみなす。なお、所定の範囲は例えば、１０％等である。

第５層Ｌ５において、端子部８０を除く部分は、絶縁層９０となっている。換言すると、第４層Ｌ４の上面のうち、２つの第１外部端子８１と、１つの第２外部端子８２と、１つのダミー部８３とによって覆われていない範囲は、第５層Ｌ５の絶縁層９０によって覆われている。絶縁層９０は、磁性層５０よりも絶縁性が高く、本実施形態では、絶縁層９０はソルダーレジストとなっている。絶縁層９０の厚さ方向Ｔｄの寸法は、端子部８０のいずれの厚さ方向Ｔｄの寸法よりも小さくなっている。

本実施形態においては、磁性層５０と、絶縁樹脂６１と、絶縁層９０とによって、素体ＢＤが構成されている。すなわち、素体ＢＤは、厚さ方向Ｔｄから視たとき、長方形状になっている。本実施形態において、素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法は、例えば、約０．２ミリメートルとすることができる。素体ＢＤとは、インダクタ部品１０のうち、導電性を有する配線及び端子を除いた部分であり、絶縁性を有する部分である。また、素体ＢＤの形状は、直方体状であり、部分的に突出する部材は除く。なお、素体ＢＤの形状が直方体状であれば、積層されている部分は素体ＢＤに含まれる。

素体ＢＤの表面のうち、絶縁層９０における厚さ方向Ｔｄの上側の面が主面ＭＦとなっている。したがって、インダクタ配線２０は、素体ＢＤの主面ＭＦと平行に延びている。そして、インダクタ配線２０の第１パッド２２Ｒから主面ＭＦに向かって第１垂直配線７１が厚さ方向Ｔｄに延びている。同様に、別の第１垂直配線７１は、インダクタ配線２０の第１パッド２２Ｌから主面ＭＦに向かって第１垂直配線７１が厚さ方向Ｔｄに延びている。第１垂直配線７１は主面ＭＦから露出している。インダクタ配線２０の第２パッド２３Ｒからは主面ＭＦに向かって第２垂直配線７２が厚さ方向Ｔｄに延びている。第２垂直配線７２は主面ＭＦから露出している。端子部８０の上面は、主面ＭＦから露出し、主面ＭＦよりも厚さ方向Ｔｄの上側に位置している。すなわち、ダミー部８３を含む各端子部８０の外縁は、絶縁層９０に接触している。なお、本実施形態のように、第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２における主面ＭＦから露出している面の少なくとも一部が、第１外部端子８１及び第２外部端子８２に覆われていることもある。

素体ＢＤは主面ＭＦに垂直な第１側面９３を有している。なお、第１層Ｌ１の第１側面９１は、素体ＢＤの第１側面９３の一部である。また、素体ＢＤは主面ＭＦに垂直な側面であって第１側面９３と平行な第２側面９４を有している。なお、第１層Ｌ１の第２側面９２は、素体ＢＤの第２側面９４の一部である。すなわち、第１支持配線４１は、第１インダクタ配線２０Ｒから主面ＭＦと平行に延び、端部が素体ＢＤの第１側面９３に露出している。同様に、第２支持配線４２は、第１インダクタ配線２０Ｒから主面ＭＦと平行に延び、端部が素体ＢＤの第２側面９４に露出している。

主面ＭＦは、厚さ方向Ｔｄから視たときに、長方形状となっている。そして、厚さ方向Ｔｄから視たときに、長方形状の一辺に平行な方向を第１方向とし、主面ＭＦに平行な方向であって第１方向に直交する方向を第２方向とする。本実施形態においては、第１方向は、長手方向Ｌｄと一致しており、第２方向は、短手方向Ｗｄと一致している。そのため、主面ＭＦの第１方向の寸法は、主面ＭＦの第２方向の寸法よりも大きくなっている。

具体的には、主面ＭＦの長手方向Ｌｄの寸法は、例えば１．５ミリメートルである。主面ＭＦの短手方向Ｗｄの寸法は、例えば０．６ミリメートルである。そのため、本実施形態では、主面ＭＦの長手方向Ｌｄの寸法は、主面ＭＦの短手方向Ｗｄの寸法の２．５倍である。

本実施形態では、第５層Ｌ５の幾何中心Ｇは、主面ＭＦの幾何中心と一致する。また、厚さ方向Ｔｄから視たときに、主面ＭＦの幾何中心と素体ＢＤの幾何中心とは一致している。

図２２に示すように、主面ＭＦの幾何中心Ｇをとおり、主面ＭＦの短手方向Ｗｄの一辺に平行な仮想直線ＢＸにおいて、主面ＭＦを第１領域と第２領域とに仮想的に分割したとする。仮想直線ＢＸよりも長手方向Ｌｄの第１端側を第１領域としたとき、第１領域にはダミー部８３が設けられていない。また、仮想直線ＢＸよりも長手方向Ｌｄの第２端側を第２領域としたとき、第２領域には、第２領域に設けられた第２外部端子８２の数と同じ数のダミー部８３が設けられている。

次に、各配線について詳述する。
図２２に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たとき、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１は、長手方向Ｌｄに延びている。なお、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１は、第１配線本体２１Ｒが延びる方向と直交する方向、すなわち短手方向Ｗｄにおいて第１配線本体２１Ｒの中間点を辿った線である。本実施形態において、各配線本体２１の線幅は、例えば５０マイクロメートルになっている。

上述したように、第２インダクタ配線２０Ｌの第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２は略Ｌ字状に延びている。ここで、第２配線本体２１Ｌの長直線部３１の配線長は、第１配線本体２１Ｒの配線長よりも長くなっている。加えて、第２配線本体２１Ｌは、接続部３３および短直線部３２を有している。したがって、第２配線本体２１Ｌの配線長の方が、第１配線本体２１Ｒの配線長よりも、長くなっている。具体的には、第２配線本体２１Ｌの配線長は、第１配線本体２１Ｒの配線長の１．２倍以上である。

上記の配線長の違いを反映して、第２インダクタ配線２０Ｌのインダクタンス値は、第１インダクタ配線２０Ｒのインダクタンス値の１．１倍以上になっている。また、本実施形態では、第１インダクタ配線２０Ｒのインダクタンス値は、例えば、およそ２．５ｎＨである。

第１インダクタ配線２０Ｒの第１配線本体２１Ｒは、素体ＢＤにおける長手方向Ｌｄの外縁の一辺に沿って延びている。厚さ方向Ｔｄから視たときに、第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２Ｌ及び第２パッド２３Ｒは、幾何中心Ｇに対して対称的な位置に配置されている。本実施形態では、第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２Ｌと第２パッド２３Ｒとは、幾何中心Ｇに対して２回対称の位置に配置されている。

第１インダクタ配線２０Ｒは、第２インダクタ配線２０Ｌと互いに平行に延びる平行部分を有している。具体的には、第１配線本体２１Ｒと、第２配線本体２１Ｌの長直線部３１とが平行部分に該当する。これら第１配線本体２１Ｒ及び長直線部３１は、第１層Ｌ１において短手方向Ｗｄに並設されている。なお、平行部分は、実質的に平行であればよく、製造誤差を許容する。

以下の説明では、短手方向Ｗｄにおける第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１と、第２配線本体２１Ｌの長直線部３１における中心軸線Ｃ２との距離を配線本体間のピッチＸ１とする。配線本体間のピッチは、隣り合う平行部分のピッチである。また、隣り合うインダクタ配線の平行部分の間隔、すなわち、図２２の第１配線本体２１Ｒの短手方向Ｗｄの第１端側と第２配線本体２１Ｌの長直線部３１の短手方向Ｗｄの第２端側との間の距離は、例えば、およそ２００マイクロメートルになっている。

図２２に示すように、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１から、第１配線本体２１Ｒに最も近い短手方向Ｗｄの素体の端、すなわち第２端側の端までの距離を、第１距離Ｙ１とする。第２インダクタ配線２０Ｌの平行部分である長直線部３１の中心軸線Ｃ２から、長直線部３１に最も近い短手方向Ｗｄの素体ＢＤの端、すなわち第１端側の端までの距離を第２距離Ｙ２とする。本実施形態において、第１距離Ｙ１は、第２距離Ｙ２と同じ寸法である。

短手方向Ｗｄにおいて、配線本体間のピッチＸ１は、第１距離Ｙ１及び第２距離Ｙ２と寸法が異なっている。具体的には、配線本体間のピッチＸ１は、およそ「２５０マイクロメートル」とすることができる。第１距離Ｙ１、第２距離Ｙ２は、およそ「１７５マイクロメートル」とすることができる。このように、第１距離Ｙ１及び第２距離Ｙ２は、ピッチＸ１の２分の１よりもやや大きいことが好ましい。

厚さ方向Ｔｄから視て、第１インダクタ配線２０Ｒの第１パッド２２Ｒに接続している第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、長手方向Ｌｄに延びている。第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１よりも短手方向Ｗｄの外側に位置している。すなわち、第１インダクタ配線２０Ｒに接続している第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の延長線と第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１とは一致していない。そのため、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１とは、異なる直線上に位置している。また、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の延長線は、第１垂直配線７１の中心軸線ＣＶ１と交差している。

第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２Ｌに接続している第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、長手方向Ｌｄに延びている。第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２、より詳細には長直線部３１の中心軸線Ｃ２よりも短手方向Ｗｄの外側に位置している。すなわち、第２インダクタ配線２０Ｌに接続している第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の延長線と第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２とは一致していない。そのため、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２とは、異なる直線上に位置している。また、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の延長線は、第１垂直配線７１の中心軸線ＣＶ１と交差している。なお、第１インダクタ配線２０Ｒに接続している第１支持配線４１と、第２インダクタ配線２０Ｌに接続している第１支持配線４１とは、対称軸ＡＸを基準に線対称の位置に配置されている。

また、厚さ方向Ｔｄから視て、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２は、長手方向Ｌｄに延びている。第２支持配線４２の中心軸線Ａ２は、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１よりも短手方向Ｗｄの外側に位置している。すなわち、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２の延長線と第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１とは一致していない。そのため、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２と第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１とは、異なる直線上に位置している。また、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２の延長線上には、第２垂直配線７２が配置されている。そして、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２の延長線は、第２垂直配線７２の中心軸線ＣＶ２と交差している。

第１インダクタ配線２０Ｒから延びている第１支持配線４１及び第２支持配線４２は、短手方向Ｗｄにおいて同じ位置に配置されている。すなわち、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と第２支持配線４２の中心軸線Ａ２とは同一直線上に位置している。なお、第１実施形態と同様に、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌの最小線幅を基準に、１０％以内のずれであれば、同一直線上にある、とみなす。具体的には、本実施形態におけるインダクタ配線２０の最小線幅は、第１配線本体２１Ｒ及び第２配線本体２１Ｌの線幅である５０マイクロメートルである。したがって、本実施形態における「同一直線上」とは、２つの軸線の最短距離が５マイクロメートル以内の場合であり、「異なる直線上」とは、２つの軸線の最短距離が５マイクロメートルを超える場合である。

上述したように、第１層Ｌ１において、各第１支持配線４１は、対称軸ＡＸを基準として、線対称に配置されている。したがって、図２２に示すように、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの第２端側の端から、第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１までの距離Ｑ１は、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの第１端側の端から、第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１までの距離Ｑ２と同じである。

一方、短手方向Ｗｄにおいて、第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１から、第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１までのピッチＰ１は、上述の距離Ｑ１及び距離Ｑ２よりも大きくなっている。具体的には、ピッチＰ１は、距離Ｑ１及び距離Ｑ２のおよそ２倍の長さである。

本実施形態において、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１に直交する断面における第１配線本体２１Ｒの断面積は、第２配線本体２１Ｌの断面積と等しくなっている。なお、本願において、第１配線本体２１Ｒと第２配線本体２１Ｌの断面積のずれが１０％以内であれば、等しい、とみなす。

また、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１に直交する断面における第１支持配線４１の断面積は、上述の第１配線本体２１Ｒ及び第２配線本体２１Ｌの断面積よりも小さくなっている。第２支持配線４２の中心軸線Ａ２に直交する断面における第２支持配線４２の断面積も、上述の第１配線本体２１Ｒ及び第２配線本体２１Ｌの断面積よりも小さくなっている。

図２４に示すように、素体ＢＤにおける長手方向Ｌｄの第１端側の第１側面９１からは、２つの第１支持配線４１の端が露出している。各第１支持配線４１において第１側面９１に露出している露出面４１Ａの形状は、中心軸線Ａ１と直交する第１支持配線４１の断面形状を短手方向Ｗｄに若干引き延ばしたような形状になっている。その結果として、第１支持配線４１の露出面４１Ａの面積は、中心軸線Ａ１と直交する断面における、素体ＢＤの内部での第１支持配線４１の断面積よりも大きくなっている。同様に、図２１に示すように、第２支持配線４２において第２側面９２に露出している露出面４２Ａの面積は、中心軸線Ａ２と直交する断面における、素体ＢＤの内部での第２支持配線４２の断面積よりも大きくなっている。これにより、第１支持配線４１、第２支持配線４２の素体ＢＤの第１側面９３及び第２側面９４との接触面積が大きくなり、互いの密着性が向上する。なお、あくまで断面積の大小が上記関係を満たせばよく、例えば、露出面４１Ａは、一方に引き延ばされつつ、他方が素体ＢＤの引き延ばされた部分に覆われた形状であってもよい。

なお、第１側面９３において露出している第１支持配線４１は２つであり、第２側面９４において露出している第２支持配線４２は１つであり、露出している支持配線の数が異なっている。

ここで、厚さ方向Ｔｄから視たときに、インダクタ配線２０の配線本体２１の全体を囲う最小の領域であるインダクタ領域ＩＡについて詳述する。図２５に示すように、インダクタ領域ＩＡは、長手方向Ｌｄに延びる第１辺ＬＳと短手方向Ｗｄに延びる第２辺ＳＳとで区域される長方形状の領域である。また、１つのインダクタ領域ＩＡは、１つの配線本体２１の全体を囲う最小の長方形状の領域である。そして、第１インダクタ配線２０Ｒについての第１インダクタ領域ＩＡＲの第１辺ＬＳＲの寸法は、第１インダクタ領域ＩＡＲの第２辺ＳＳＲの寸法の約９倍である。また、第２インダクタ配線２０Ｌについての第２インダクタ領域ＩＡＬの第１辺ＬＳＬの寸法は、第２インダクタ領域ＩＡＬの第２辺ＳＳＬの寸法の約４．５倍である。さらに、第２インダクタ領域ＩＡＬの第１辺ＬＳＬの寸法は、第１インダクタ領域ＩＡＲの第１辺ＬＳＲの寸法より大きい。

また、図２２に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１インダクタ配線２０Ｒの第１パッド２２Ｒの幾何中心と、第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２Ｌの幾何中心と、の距離は、ピッチＰ１と等しくなっており、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの寸法の約２分の１である。そのため、第１インダクタ配線２０Ｒの第１パッド２２Ｒの幾何中心と、第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２Ｌの幾何中心との距離は、第１インダクタ領域ＩＡＲの第１辺ＬＳＲの３分の１である。

第２実施形態のインダクタ部品１０の製造方法を説明する。なお、以下では、第２実施形態のインダクタ部品１０の製造方法のうち、上記第１実施形態のインダクタ部品１０の製造方法とは異なる点について説明する。

第２実施形態における絶縁層加工工程では、第２磁性層５５の上面と、各垂直配線の上面とのうち、端子部８０を形成しない部分に、フォトリソグラフィによって、絶縁層９０として機能するソルダーレジストをパターニングする。なお、本実施形態において、絶縁層９０の上面すなわち素体ＢＤの主面ＭＦに直交する方向は、厚さ方向Ｔｄとなっている。

第２実施形態における端子部加工工程では、第２磁性層５５の上面と、各垂直配線の上面と、のうち、絶縁層９０に覆われていない部分に、第１外部端子８１と、第２外部端子８２と、ダミー部８３とを形成する。これらの金属層は、銅、ニッケル、金のそれぞれについて、無電解めっきによって形成される。これにより３層構造の第１外部端子８１と、第２外部端子８２とダミー部８３とが形成される。

第２実施形態における個片化加工工程では、図２６に示すように、破断線ＤＬにてダイシングにより個片化する。これにより、インダクタ部品１０を得ることができる。
ダイシングする前の状態では、例えば、図２６に示すように、複数のインダクタ部品が、長手方向Ｌｄと短手方向Ｗｄとに並列され、素体ＢＤや第１支持配線４１及び、第２支持配線４２で個々のインダクタ部品は繋がっている。具体的には、第１支持配線４１は、第１支持配線４１同士で繋がっており、第２支持配線４２は第２支持配線４２同士で繋がっている。破断線ＤＬ上に含まれる、第１支持配線４１及び第２支持配線４２が厚さ方向Ｔｄで切断されることで、第１支持配線４１の切断面を第１側面９３に露出面４１Ａとして露出させる。また、第２支持配線４２の切断面を第２側面９４に４２Ａとして露出させる。

次に、第２実施形態の効果を説明する。第２実施形態のインダクタ部品１０は、上述した第１実施形態の効果（１－１）、（１－２）、（１－７）～（１－１３）に加え、さらに以下の効果を奏する。

（２－１）上記第２実施形態では、第１インダクタ配線２０Ｒと第２インダクタ配線２０Ｌとは、同一平面上において接している。この場合に、第１インダクタ配線２０Ｒについての第１インダクタ領域ＩＡＲの第１辺ＬＳＲの寸法が、第１インダクタ領域ＩＡＲの第２辺ＳＳＲの寸法の３倍以上である。且つ、第２インダクタ配線２０Ｌについての第２インダクタ領域ＩＡＬの第１辺ＬＳＬの寸法が、第２インダクタ領域ＩＡＬの第２辺ＳＳＬの寸法の３倍以上である。そのため、いずれの配線本体２１についても、長手方向Ｌｄに相応に延びている。よって、いずれのインダクタ配線２０に電流が流れた場合にも得られるインダクタンス値を高めることができる。

（２－２）上記第２実施形態では、第１インダクタ領域ＩＡＲの第１辺ＬＳＲは、第２インダクタ領域ＩＡＬの第１辺ＬＳＬよりも小さい。そして、上記第２実施形態によれば、第１インダクタ配線２０Ｒの第１パッド２２Ｒの幾何中心と、第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２Ｌの幾何中心との距離は、第１インダクタ領域ＩＡＲの第１辺ＬＳＲの３分の１である。そのため、第１インダクタ配線２０Ｒと第２インダクタ配線２０Ｌを、短手方向Ｗｄにおいて、過度に離れて配置されていない。よって、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの寸法が過度に大きくなることを抑制できる。

（２－３）上記第２実施形態では、第１配線本体２１Ｒの配線長と第２配線本体２１Ｌの配線長とが異なっている。そのため、第１パッド２２Ｒ及び第１パッド２２Ｌのどちらに電流を流すかによって、異なるインダクタンス値に切り替えることができる。

（２－４）上記第２実施形態において、第５層Ｌ５には、ダミー部８３が設けられている。厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３の面積は、第１外部端子８１及び第２外部端子８２と等しくなっている。そのため、第１外部端子８１及び第２外部端子８２と同じようにダミー部８３を、基板等に対してはんだ付けする際に、これら４つの端子部８０上に塗布されるはんだの量を均一化できる。したがって、インダクタ部品１０が傾いて基板等に実装されるといったことが抑制できる。

上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・インダクタ領域ＩＡの第１辺ＬＳの寸法は、インダクタ領域ＩＡの第２辺ＳＳの寸法の３倍以上であればよい。インダクタ領域ＩＡの第１辺ＬＳの寸法は、インダクタ領域ＩＡの第２辺ＳＳの寸法より大きいほど、インダクタ配線２０を第１方向に延ばしやすい。このような観点からは、インダクタ領域ＩＡの第１辺ＬＳの寸法は、インダクタ領域ＩＡの第２辺ＳＳの寸法の５倍以上であるとさらに望ましい。

・インダクタ配線２０を複数備えており、インダクタ領域ＩＡが複数ある場合には、少なくともいずれか１つのインダクタ領域ＩＡにおいて、第１辺ＬＳの寸法が、第２辺ＳＳの寸法の３倍以上であればよい。

・上記各実施形態において、インダクタ配線とは、電流が流れた場合に磁性層に磁束を発生させることによって、インダクタ部品１０にインダクタンスを付与できるものであればよい。上記各実施形態において、各インダクタ配線は、同じ配線長の渦巻き形状のインダクタ配線に比べて、必ずしも直流電気抵抗を低減しなくてもよい。

・インダクタ配線２０の形状は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、図２７に示す例では、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌは、ミアンダ形状である。この場合であっても、第１インダクタ配線２０Ｒについての第１インダクタ領域ＩＡＲの第１辺ＬＳＲが、第１インダクタ領域ＩＡＲの第２辺ＳＳＲの３倍以上であれば、第１インダクタ配線２０Ｒの配線長を確保できる。この点、第２インダクタ配線２０Ｌについても同様である。なお、図２７に示す例では、厚さ方向Ｔｄから視たときに、主面ＭＦの長手方向Ｌｄの寸法は、主面ＭＦの短手方向Ｗｄの寸法の３倍未満である。しかし、短手方向Ｗｄに２つインダクタ配線２０が並んでいる。そして、主面ＭＦの長手方向Ｌｄの寸法は、主面ＭＦの短手方向Ｗｄの寸法を短手方向Ｗｄに並んでいるインダクタ配線２０の数である「２」で除した値の２．５倍以上である。

また例えば、第１実施形態において、インダクタ配線２０が直線状でなくてもよい。使用時に好適なインダクタンス値を取得するため、湾曲した接続部が設けられていてもよい。なお、インダクタ配線２０に接続部が複数設けられていてもよい。また、第２実施形態においても、第１インダクタ配線２０Ｒが直線状でなくてもよいし、第２インダクタ配線２０Ｌに複数の接続部が設けられていてもよい。

また例えば、複数のインダクタ配線２０を備える場合に、複数のインダクタ配線２０の形状は、異なっていてもよい。この場合であっても、各インダクタ配線２０のターン数は、０．５ターン以下であればよい。

・上記各実施形態において、配線本体２１の延び方向は、長手方向Ｌｄと一致していなくてもよい。例えば、配線本体２１の延び方向は、長手方向Ｌｄに対して、傾いていてもよい。ただし、配線本体２１の延び方向が長手方向Ｌｄに対して傾いている場合でも、インダクタ領域ＩＡの第１辺ＬＳの延びる方向は、長手方向Ｌｄと同一の方向である。そのため、配線本体２１の長さが同じでも、配線本体２１の延び方向によって、インダクタ領域ＩＡの大きさが変わる。

・インダクタ配線２０の数は、３つ以上であってもよいし、１つであってもよい。例えば、図２８に示す例では、インダクタ配線２０を８つ備えている。そして、８つのインダクタ配線２０は、同一平面上において互いに離れており、第１方向に２個並んだインダクタ配線２０の列が、第２方向に４個設けられている。また例えば、図２９に示す例では、インダクタ配線２０の数は、１つである。

・インダクタ配線２０を複数備え、Ｎ及びＭを正の整数とする。そして、複数のインダクタ配線２０は、同一平面上において互いに離れており、第１方向にＮ個並んだインダクタ配線２０の列が、第２方向にＭ個設けられている場合、主面ＭＦの長手方向Ｌｄ寸法は、主面ＭＦの短手方向Ｗｄの寸法の３倍以上でなくてもよい。この場合、主面ＭＦは、厚さ方向Ｔｄから視たときに四角形状であり、厚さ方向Ｔｄから視たときに、四角形の一辺に平行な方向を第１方向とし、主面ＭＦに平行な方向であって第１方向に直交する方向を第２方向とする。第１方向は、長方形状のインダクタ領域ＩＡの長辺の延びる方向と一致する。この場合、主面ＭＦの第１方向の寸法をＮで除した値が、主面ＭＦの第２方向の寸法をＭで除した値の２．５倍以上であればよい。例えば、図２８に示す例では、Ｎが「２」、Ｍが「４」である。そして、主面ＭＦの第１方向の寸法を「２」で除した値が、主面ＭＦの第２方向の寸法を「４」で除した値の４．６倍である。

・第２実施形態において、第１インダクタ配線２０Ｒの第１パッド２２Ｒの幾何中心と、第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２Ｌの幾何中心との距離は、第１インダクタ領域ＩＡＲの第１辺ＬＳＲの３分の１より大きくてもよい。インダクタ配線２０の形状や素体ＢＤの大きさに併せて適宜変更されればよい。

・上記各実施形態において、素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法は、上記各実施形態の例に限定されない。例えば、素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法が、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの寸法より大きくてもよい。ただし、上述のように素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法が小さいほど、インダクタ部品１０を基板に実装した際に、基板から突出する寸法が小さくなり好ましい。具体的には、０．２５ミリメートル以下であるとよい。

・上記各実施形態について、第１支持配線４１の位置は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の短手方向Ｗｄの位置が、接続されているインダクタ配線２０の配線本体２１の中心軸線Ｃ１の短手方向Ｗｄの位置と同じであってもよい。なお、配線本体２１が湾曲している部分を備えている場合、配線本体２１のパッド側の端部が直線状であれば、当該直線状の部分の中心軸線に対して、第１支持配線の中心軸線Ａ１がずれていてもよい。

・上記各実施形態において、第１側面９３及び第２側面９４に露出している支持配線の数は、インダクタ配線の数に伴って、３つ以上になってもよいし、全て省略してもよい。なお、図２８に示す例では、支持配線は、全て省略している。

・上記各実施形態において、磁性層５０に含まれる金属磁性粉の平均粒子径は、上記各実施形態の例に限定されない。ただし、比透磁率を確保するためには、金属磁性粉の平均粒子径が、１マイクロメートル以上かつ、１０マイクロメートル以下であると好ましい。

・上記各実施形態において、第１磁性層５４及び第２磁性層５５に含まれる金属磁性粉は、Ｆｅを含む金属粉でなくてもよい。例えば、ＮｉやＣｒを含む金属粉であってもよい。

・上記各実施形態において、隣り合うインダクタ配線の最小の間隔は、パッド間でなくてもよく、配線本体２１間であってもよい。ただし、インダクタ配線２０間の絶縁という観点では、最小の間隔は、５０マイクロメートル以上であることが好ましい。さらに、およそ１００マイクロメートル以上あればなお好適である。

・上記各実施形態において、各インダクタ配線２０の組成は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、銀や金であってもよい。
・上記各実施形態において、磁性層５０の組成は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、磁性層５０の材質は、フェライト粉であってもよいし、フェライト粉と金属磁性粉との混合物であってもよい。

・上記各実施形態において、各支持配線４１、４２と磁性層５０との間に別の層が介在していてもよい。例えば、各支持配線４１、４２と磁性層５０との間に絶縁層が介在していてもよい。

・上記各実施形態において、第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２は、主面ＭＦと直交する方向にのみ延びていなくてもよい。例えば、第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２が厚さ方向Ｔｄに対して傾斜していても、第２磁性層５５を貫通していればよい。

・上記各実施形態において、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１パッド及び第２パッドの面積が第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２の面積と等しくてもよい。また、配線本体の延伸方向と直交する方向における第１パッド及び第２パッドの長さ寸法が、配線本体と同じであってもよい。

・上記各実施形態において、第１外部端子８１、第２外部端子８２、を省略してもよい。第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２が主面ＭＦから露出していれば、第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２から直接的にインダクタ配線２０に電流を流すことができる。この場合、第１垂直配線７１における主面ＭＦから露出している部分、第２垂直配線７２における主面ＭＦから露出している部分が、外部端子として機能する。

・第１外部端子８１、第２外部端子８２の金属層はニッケル、金であってもよいし、ニッケル、スズであってもよい。また、触媒層を必要に応じて設けてもよい。例えば、ニッケルはエレクトロマイグレーションを抑制したり、金やスズははんだの濡れ性を確保したり、各外部端子の金属層を各機能に応じて適切に設定することができる。

・上記各実施形態において、第１外部端子８１及び第２外部端子８２の外面が絶縁層によって覆われていてもよい。この場合、基板等に実装する前のインダクタ部品１０を保管している状態で、インダクタ部品１０の内部に各外部端子を介して意図せず電流が流れることを抑制できる。なお、この変更例の場合、インダクタ部品１０を基板等に実装する前に、洗浄等を行って第１外部端子８１及び第２外部端子８２を覆う絶縁層を取り除けばよい。

・第２実施形態において、ダミー部８３は第１外部端子８１及び第２外部端子８２と同じ積層構造でなくてもよい。例えば、ダミー部８３は導電性を有した物質ではなくてもよい。また、例えば、ダミー部８３は第２磁性層５５が絶縁層９０から露出している部分であってもよい。

・第２実施形態において、厚さ方向Ｔｄから視たときのダミー部８３の面積が、第１外部端子８１及び第２外部端子８２の面積と異なっていてもよい。
・第２実施形態において、ダミー部８３が設けられていなくてもよい。

・上記各実施形態において、インダクタ部品１０の製造方法は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、第１実施形態及び第２実施形態において、インダクタ配線２０を形成する工程と第１支持配線４１及び第２支持配線とが形成する工程とが別の工程でもよい。例えば、インダクタ配線２０を形成した後に、インダクタ配線２０とは異なる材質で各支持配線４１、４２を形成してもよい。

１０…インダクタ部品
２０…インダクタ配線
２１…配線本体
２２…第１パッド
２３…第２パッド
４１…第１支持配線
４２…第２支持配線
７１…第１垂直配線
７２…第２垂直配線
９０…絶縁層
ＢＤ…素体
ＩＡ…インダクタ領域
ＬＳ…第１辺
ＭＦ…主面
ＳＳ…第２辺

Claims (7)

1. 長方形状の主面を有する直方体状の素体と、
   前記素体の内部において前記主面と平行に延び、ターン数が０．５ターン以下のインダクタ配線と、
   前記インダクタ配線から前記主面に直交する厚さ方向に延び、前記主面から露出している第１垂直配線及び第２垂直配線と、を備え、
   前記主面の長辺に平行な方向を第１方向、前記主面に平行な方向であって前記第１方向に直交する方向を第２方向としたとき、
   前記インダクタ配線は、第１端が第２端よりも前記第１方向の一方側に位置する配線本体と、前記配線本体の第１端に設けられ前記第１垂直配線が接続されている第１パッドと、前記配線本体の第２端に設けられ前記第２垂直配線が接続されている第２パッドとを有し、
   前記第１方向に平行な第１辺と前記第２方向に平行な第２辺とで、前記厚さ方向から視て前記配線本体の全体を囲う最小の長方形状の領域をインダクタ領域としたとき、
   前記主面の前記第１方向の寸法は、前記主面の前記第２方向の寸法の２．５倍以上であり、且つ、前記第１辺の寸法は、前記第２辺の寸法の３倍以上であり、
   前記インダクタ配線として、第１インダクタ配線及び第２インダクタ配線を備え、
   前記第１インダクタ配線の前記第２パッドと、前記第２インダクタ配線の前記第２パッドとが同一のパッドである
   インダクタ部品。
2. 前記素体の前記厚さ方向の寸法は、前記素体の前記第２方向の寸法よりも小さい
   請求項１に記載のインダクタ部品。
3. 前記第１辺の寸法は、前記第２辺の寸法の５倍以上である
   請求項１又は請求項２に記載のインダクタ部品。
4. 前記配線本体は、直線状である
   請求項１～請求項３のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
5. 前記配線本体の延び方向は、前記第１方向と一致している
   請求項４に記載のインダクタ部品。
6. 前記素体の前記厚さ方向の寸法は、０．２５ミリメートル以下である
   請求項１～請求項５のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
7. 前記素体は、磁性層を含んでおり、
   前記インダクタ配線の少なくとも一部は、前記磁性層に覆われている
   請求項１～請求項６のいずれか１項に記載のインダクタ部品。

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