JP6803667B2 - 発光素子、表示装置、電子機器、及び照明装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子について、図1乃至図5を用いて以下説明する。
まず、本発明の一態様の発光素子の構成について、図1(A)(B)及び(C)を用いて、以下説明する。
次に、発光層130の発光機構について、以下説明を行う。
・Host(131_1):有機化合物131_1
・Host(131_2):有機化合物131_2
・Guest(132):ゲスト材料132(蛍光性化合物)
・SH:有機化合物131_1(ホスト材料)のS1準位
・TH:有機化合物131_1(ホスト材料)のT1準位
・SG:ゲスト材料132(蛍光性化合物)のS1準位
・TG:ゲスト材料132(蛍光性化合物)のT1準位
・SE:励起錯体のS1準位
・TE:励起錯体のT1準位
次に、ホスト材料131と、ゲスト材料132との分子間のエネルギー移動過程の支配因子について説明する。分子間のエネルギー移動の機構としては、フェルスター機構(双極子−双極子相互作用)と、デクスター機構(電子交換相互作用)の2つの機構が提唱されている。ここでは、ホスト材料131とゲスト材料132との分子間のエネルギー移動過程について説明するが、ホスト材料131が励起錯体の場合も同様である。
フェルスター機構では、エネルギー移動に、分子間の直接的接触を必要とせず、ホスト材料131及びゲスト材料132間の双極子振動の共鳴現象を通じてエネルギー移動が起こる。双極子振動の共鳴現象によってホスト材料131がゲスト材料132にエネルギーを受け渡し、励起状態のホスト材料131が基底状態になり、基底状態のゲスト材料132が励起状態になる。なお、フェルスター機構の速度定数kh*→gを数式(1)に示す。
デクスター機構では、ホスト材料131とゲスト材料132が軌道の重なりを生じる接触有効距離に近づき、励起状態のホスト材料131の電子と、基底状態のゲスト材料132との電子の交換を通じてエネルギー移動が起こる。なお、デクスター機構の速度定数kh*→gを数式(2)に示す。
まず、フェルスター機構によるエネルギー移動を考える。数式(3)に数式(1)を代入することでτを消去することができる。したがって、フェルスター機構の場合、エネルギー移動効率φETは、ホスト材料131の励起状態の寿命τに依存しない。また、エネルギー移動効率φETは、発光量子収率φ(一重項励起状態からのエネルギー移動を論じているので、蛍光量子収率)が高い方が良いと言える。一般的に、有機化合物の三重項励起状態からの発光量子収率は室温において非常に低い。そのため、ホスト材料131が三重項励起状態である場合、フェルスター機構によるエネルギー移動過程は無視でき、ホスト材料131が一重項励起状態である場合のみ考慮すればよい。
ホスト材料131とゲスト材料132との距離を大きくするため、より厳密には、ホスト材料131のうちエネルギー移動に係わる領域と、ゲスト材料132のうちエネルギー移動に係わる領域と、の距離を大きくするためには、ホスト材料131またはゲスト材料132の少なくとも一方が互いの近接を阻害する置換基を有することが好ましい。
次に、本発明の一態様に係わる発光素子の構成要素の詳細について、以下説明を行う。
発光層130に用いることができる材料について、それぞれ以下に説明する。
電極101及び電極102は、発光層130へ正孔と電子を注入する機能を有する。電極101及び電極102は、金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物や積層体などを用いて形成することができる。金属としてはアルミニウム(Al)が典型例であり、その他、銀(Ag)、タングステン、クロム、モリブデン、銅、チタンなどの遷移金属、リチウム(Li)やセシウムなどのアルカリ金属、カルシウム、マグネシウム(Mg)などの第2族金属を用いることができる。遷移金属としてイッテルビウム(Yb)などの希土類金属を用いても良い。合金としては、上記金属を含む合金を使用することができ、例えばMgAg、AlLiなどが挙げられる。導電性化合物としては、例えば、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide、以下ITO)、珪素または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(略称:ITSO)、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide)、タングステン及び亜鉛を含有したインジウム酸化物などの金属酸化物が挙げられる。導電性化合物としてグラフェンなどの無機炭素系材料を用いても良い。上述したように、これらの材料の複数を積層することによって電極101及び電極102の一方または双方を形成しても良い。
正孔注入層111は、一対の電極の一方(電極101または電極102)からのホール注入障壁を低減することでホール注入を促進する機能を有し、例えば遷移金属酸化物、フタロシアニン誘導体、あるいは芳香族アミンなどによって形成される。遷移金属酸化物としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物などが挙げられる。フタロシアニン誘導体としては、フタロシアニンや金属フタロシアニンなどが挙げられる。芳香族アミンとしてはベンジジン誘導体やフェニレンジアミン誘導体などが挙げられる。ポリチオフェンやポリアニリンなどの高分子化合物を用いることもでき、例えば自己ドープされたポリチオフェンであるポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)などがその代表例である。
正孔輸送層112は正孔輸送性材料を含む層であり、正孔注入層111の材料として例示した材料を使用することができる。正孔輸送層112は正孔注入層111に注入された正孔を発光層130へ輸送する機能を有するため、正孔注入層111のHOMO準位と同じ、あるいは近いHOMO準位を有することが好ましい。
電子輸送層118は、電子注入層119を経て一対の電極の他方(電極101または電極102)から注入された電子を発光層130へ輸送する機能を有する。電子輸送性材料としては、正孔よりも電子の輸送性の高い材料を用いることができ、1×10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する材料であることが好ましい。電子を受け取りやすい化合物(電子輸送性を有する材料)としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族や金属錯体などを用いることができる。具体的には、発光層130に用いることができる電子輸送性材料として挙げたキノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体が挙げられる。また、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体などが挙げられる。また、1×10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質であることが好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層118は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層してもよい。
電子注入層119は電極102からの電子注入障壁を低減することで電子注入を促進する機能を有し、例えば第1族金属、第2族金属、あるいはこれらの酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩などを用いることができる。また、先に示す電子輸送性材料と、これに対して電子供与性を示す材料の複合材料を用いることもできる。電子供与性を示す材料としては、第1族金属、第2族金属、あるいはこれらの酸化物などを挙げることができる。具体的には、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)、リチウム酸化物(LiOx)等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム(ErF3)のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層119にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。また、電子注入層119に、電子輸送層118で用いることが出来る物質を用いても良い。
また、本発明の一態様に係る発光素子は、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に作製すればよい。基板上に作製する順番としては、電極101側から順に積層しても、電極102側から順に積層しても良い。
本実施の形態においては、実施の形態1に示す構成と異なる構成の発光素子、及び当該発光素子の発光機構について、図6及び図7を用いて、以下説明を行う。なお、図6及び図7において、図1(A)に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
図6(A)は、発光素子260の断面模式図である。
発光層120の発光機構について、以下説明を行う。
・Guest(122):ゲスト材料122(蛍光材料)
・SFH:ホスト材料121のS1準位
・TFH:ホスト材料121のT1準位
・SFG:ゲスト材料122(蛍光材料)のS1準位
・TFG:ゲスト材料122(蛍光材料)のT1準位
図7(A)は、発光素子262の断面模式図である。
次に、発光層140の発光機構について、以下説明を行う。
・Host(141_1):有機化合物141_1(ホスト材料)
・Host(141_2):有機化合物141_2(ホスト材料)
・Guest(142):ゲスト材料142(燐光材料)
・SPH:有機化合物141_1(ホスト材料)のS1準位
・TPH:有機化合物141_1(ホスト材料)のT1準位
・TPG:ゲスト材料142(燐光材料)のT1準位
・SPE:励起錯体のS1準位
・TPE:励起錯体のT1準位
次に、発光層120、発光層130及び発光層140に用いることのできる材料について、以下説明する。
発光層130に用いることのできる材料としては、先の実施の形態1に示す発光層130に用いることのできる材料を援用すればよい。そうすることで、一重項励起状態の生成効率が高く、発光効率の高い発光素子を作製することができる。
発光層120中では、ホスト材料121が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料122(蛍光材料)は、ホスト材料121中に分散される。ホスト材料121のS1準位は、ゲスト材料122(蛍光材料)のS1準位よりも高く、ホスト材料121のT1準位は、ゲスト材料122(蛍光材料)のT1準位よりも低いことが好ましい。
発光層140中では、ホスト材料141が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料142(燐光材料)は、ホスト材料141中に分散される。発光層140のホスト材料141(有機化合物141_1及び有機化合物141_2)のT1準位は、発光層140のゲスト材料(ゲスト材料142)のT1準位よりも高いことが好ましい。
本実施の形態では、実施の形態1及び実施の形態2に示す構成と異なる構成の発光素子の例について、図8乃至図11を用いて以下に説明する。
図8(A)(B)は、本発明の一態様の発光素子を示す断面図である。なお、図8(A)(B)において、図1(A)に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
次に、図8に示す発光素子と異なる構成例について、図9(A)(B)を用いて、以下説明を行う。
次に、本発明の一態様の発光素子の作製方法について、図10及び図11を用いて以下説明を行う。なお、ここでは、図9(A)に示す発光素子272aの作製方法について説明する。
第1のステップは、発光素子の電極(具体的には、電極101を構成する導電層101a、電極103を構成する導電層103a、及び電極104を構成する導電層104a)を、基板200上に形成する工程である(図10(A)参照)。
第2のステップは、電極101を構成する導電層101a上に光を透過する機能を有する導電層101bを、電極103を構成する導電層103a上に光を透過する機能を有する導電層103bを、電極104を構成する導電層104a上に光を透過する機能を有する導電層104bを、形成する工程である(図10(B)参照)。
第3のステップは、発光素子の各電極の端部を覆う隔壁145を形成する工程である(図10(C)参照)。
第4のステップは、正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層150、電子輸送層113、電子注入層114、及び電荷発生層115を形成する工程である(図11(A)参照)。
第5のステップは、正孔注入層116、正孔輸送層117、発光層130、電子輸送層118、電子注入層119、及び電極102を形成する工程である(図11(B)参照)。
第6のステップは、基板220上に遮光層223、光学素子224B、光学素子224G、及び光学素子224Rを形成する工程である(図11(C)参照)。
第7のステップは、基板200上に形成された発光素子と、基板220上に形成された遮光層223、光学素子224B、光学素子224G、及び光学素子224Rと、を貼り合わせ、シール材を用いて封止する工程である(図示しない)。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図12乃至図18を用いて説明する。
図12(A)は表示装置600を示す上面図、図12(B)は図12(A)の一点鎖線A−B、及び一点鎖線C−Dで切断した断面図である。表示装置600は、駆動回路部(信号線駆動回路部601、及び走査線駆動回路部603)、並びに画素部602を有する。なお、信号線駆動回路部601、走査線駆動回路部603、及び画素部602は、発光素子の発光を制御する機能を有する。
次に、表示装置の別の一例について、図13(A)(B)及び図14を用いて説明を行う。なお、図13(A)(B)及び図14は、本発明の一態様の表示装置の断面図である。
トップエミッション型の表示装置の断面図の一例を図15(A)(B)に示す。図15(A)(B)は、本発明の一態様の表示装置を説明する断面図であり、図13(A)(B)及び図14に示す駆動回路部1041、周辺部1042等を省略して例示している。
以上に示す表示装置は、3色(赤色、緑色、及び青色)の副画素を有する構成を示したが、4色(赤色、緑色、青色、及び黄色、あるいは赤色、緑色、青色、及び白色)の副画素を有する構成としてもよい。図16乃至図18は、下部電極1024R、1024G、1024B、及び1024Yを有する表示装置の構成である。図16(A)(B)及び図17は、トランジスタが形成されている基板1001側に光を取り出す構造(ボトムエミッション型)の表示装置であり、図18(A)(B)は、封止基板1031側に発光を取り出す構造(トップエミッション型)の表示装置である。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を有する表示装置について、図19乃至図21を用いて説明を行う。
図19(A)に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域(以下、画素部802という)と、画素部802の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部(以下、駆動回路部804という)と、素子の保護機能を有する回路(以下、保護回路806という)と、端子部807と、を有する。なお、保護回路806は、設けない構成としてもよい。
図19(A)に示す複数の画素回路801は、例えば、図19(B)に示す構成とすることができる。
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光素子を有する表示装置、及び該表示装置に入力装置を取り付けた電子機器について、図22乃至図26を用いて説明を行う。
なお、本実施の形態において、電子機器の一例として、表示装置と、入力装置とを合わせたタッチパネル2000について説明する。また、入力装置の一例として、タッチセンサを用いる場合について説明する。
次に、図23(A)を用いて、表示装置2501の詳細について説明する。図23(A)は、図22(B)に示す一点鎖線X1−X2間の断面図に相当する。
次に、図23(C)を用いて、タッチセンサ2595の詳細について説明する。図23(C)は、図22(B)に示す一点鎖線X3−X4間の断面図に相当する。
次に、図24(A)を用いて、タッチパネル2000の詳細について説明する。図24(A)は、図22(A)に示す一点鎖線X5−X6間の断面図に相当する。
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図25(A)(B)を用いて説明を行う。
また、図25(A)ではタッチセンサとして配線の交差部に容量2603のみを設けるパッシブマトリクス型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを有するアクティブマトリクス型のタッチセンサとしてもよい。アクティブマトリクス型のタッチセンサに含まれるセンサ回路の一例を図26に示す。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を有する表示モジュール及び電子機器について、図27及び図28を用いて説明を行う。
図27に示す表示モジュール8000は、上部カバー8001と下部カバー8002との間に、FPC8003に接続されたタッチセンサ8004、FPC8005に接続された表示装置8006、フレーム8009、プリント基板8010、バッテリ8011を有する。
図28(A)乃至図28(G)は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体9000、表示部9001、スピーカ9003、操作キー9005(電源スイッチ、又は操作スイッチを含む)、接続端子9006、センサ9007(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン9008、等を有することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を有する発光装置について、図29及び図30を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を様々な照明装置及び電子機器に適用する一例について、図31及び図32を用いて説明する。
基板上に電極101として、ITSO膜を、厚さが70nmになるように形成した。なお、電極101の電極面積は、4mm2(2mm×2mm)とした。
発光素子2は、先に示す発光素子1の作製と、発光層130のホスト材料と電子輸送層118の材料のみ異なり、それ以外の工程は、発光素子1と同様の作製方法とした。
比較発光素子1は、先に示す発光素子1の作製と、電極101及び正孔注入層111の膜厚、及び発光層130のゲスト材料が異なり、それ以外の工程は、発光素子1と同様の作製方法とした。
比較発光素子2は、先に示す発光素子2の作製と、発光層130のゲスト材料のみ異なり、それ以外の工程は、発光素子2と同様の作製方法とした。
次に、作製した発光素子1、発光素子2、比較発光素子1、及び比較発光素子2の発光特性について測定した。なお、測定は室温(23℃に保たれた雰囲気)で行った。
次に、発光素子1、発光素子2、比較発光素子1、及び比較発光素子2がExEFにより発光しているか調査するため、時間分解蛍光測定により蛍光寿命の算出を行った。
発光素子3は、先に示す発光素子1の作製と、発光層130のホスト材料のみ異なり、それ以外の工程は、発光素子1と同様の作製方法とした。
発光素子4は、先に示す発光素子1の作製と、発光層130のホスト材料のみ異なり、それ以外の工程は、発光素子1と同様の作製方法とした。
比較発光素子3は、先に示す比較発光素子1の作製と、発光層130のホスト材料のみ異なり、それ以外の工程は、比較発光素子1と同様の作製方法とした。
比較発光素子4は、先に示す比較発光素子3の作製と、発光層130の構成のみ異なり、それ以外の工程は、比較発光素子3と同様の作製方法とした。なお、比較発光素子4の発光層130は、発光素子4の発光層130とゲスト材料のみ異なる構成である。
次に、作製した発光素子3、発光素子4、比較発光素子3、及び比較発光素子4の発光特性について測定した。なお、測定は室温(23℃に保たれた雰囲気)で行った。
次に、発光素子3、発光素子4、比較発光素子3、及び比較発光素子4がExEFにより発光しているか調査するため、時間分解蛍光測定により蛍光寿命の算出を行った。
発光素子5は、先に示す発光素子2の作製と、発光層130のホスト材料のみ異なり、それ以外の工程は、発光素子2と同様の作製方法とした。
比較発光素子5は、先に示す発光素子5の作製と、発光層130のゲスト材料のみ異なり、それ以外の工程は、発光素子5と同様の作製方法とした。
次に、作製した発光素子5、及び比較発光素子5の発光特性について測定した。なお、測定は室温(23℃に保たれた雰囲気)で行った。
発光素子の発光層の時間分解蛍光測定を行うため、石英基板上に真空蒸着法により薄膜サンプルを作製した。
測定にはピコ秒蛍光寿命測定システム(浜松ホトニクス社製)を用いた。本測定では、薄膜が呈する蛍光発光の寿命を測定するため、薄膜にパルスレーザを照射し、レーザ照射後から減衰していく発光をストリークカメラにより時間分解測定した。パルスレーザには波長が337nmの窒素ガスレーザーを用い、500psのパルスレーザを10Hzの周期で薄膜に照射し、繰り返し測定したデータを積算することにより、S/N比の高いデータを得た。また、測定は室温(23℃に保たれた雰囲気)で行った。また、測定範囲は、1msとした。
101 電極
101a 導電層
101b 導電層
101c 導電層
102 電極
103 電極
103a 導電層
103b 導電層
104 電極
104a 導電層
104b 導電層
106 発光ユニット
108 発光ユニット
111 正孔注入層
112 正孔輸送層
113 電子輸送層
114 電子注入層
115 電荷発生層
116 正孔注入層
117 正孔輸送層
118 電子輸送層
119 電子注入層
120 発光層
121 ホスト材料
122 ゲスト材料
123B 発光層
123G 発光層
123R 発光層
130 発光層
131 ホスト材料
131_1 有機化合物
131_2 有機化合物
132 ゲスト材料
140 発光層
141 ホスト材料
141_1 有機化合物
141_2 有機化合物
142 ゲスト材料
145 隔壁
150 発光層
150a 発光層
150b 発光層
200 基板
220 基板
221B 領域
221G 領域
221R 領域
222B 領域
222G 領域
222R 領域
223 遮光層
224B 光学素子
224G 光学素子
224R 光学素子
250 発光素子
260 発光素子
262 発光素子
270a 発光素子
270b 発光素子
272a 発光素子
272b 発光素子
301_1 配線
301_5 配線
301_6 配線
301_7 配線
302_1 配線
302_2 配線
303_1 トランジスタ
303_6 トランジスタ
303_7 トランジスタ
304 容量素子
304_1 容量素子
304_2 容量素子
305 発光素子
306_1 配線
306_3 配線
307_1 配線
307_3 配線
308_1 トランジスタ
308_6 トランジスタ
309_1 トランジスタ
309_2 トランジスタ
311_1 配線
311_3 配線
312_1 配線
312_2 配線
600 表示装置
601 信号線駆動回路部
602 画素部
603 走査線駆動回路部
604 封止基板
605 シール材
607 領域
608 配線
609 FPC
610 素子基板
611 トランジスタ
612 トランジスタ
613 下部電極
614 隔壁
616 EL層
617 上部電極
618 発光素子
621 光学素子
622 遮光層
623 トランジスタ
624 トランジスタ
801 画素回路
802 画素部
804 駆動回路部
804a 走査線駆動回路
804b 信号線駆動回路
806 保護回路
807 端子部
852 トランジスタ
854 トランジスタ
862 容量素子
872 発光素子
1001 基板
1002 下地絶縁膜
1003 ゲート絶縁膜
1006 ゲート電極
1007 ゲート電極
1008 ゲート電極
1020 層間絶縁膜
1021 層間絶縁膜
1022 電極
1024B 下部電極
1024G 下部電極
1024R 下部電極
1024Y 下部電極
1025 隔壁
1026 上部電極
1028 EL層
1029 封止層
1031 封止基板
1032 シール材
1033 基材
1034B 着色層
1034G 着色層
1034R 着色層
1034Y 着色層
1035 遮光層
1036 オーバーコート層
1037 層間絶縁膜
1040 画素部
1041 駆動回路部
1042 周辺部
2000 タッチパネル
2001 タッチパネル
2501 表示装置
2502R 画素
2502t トランジスタ
2503c 容量素子
2503g 走査線駆動回路
2503s 信号線駆動回路
2503t トランジスタ
2509 FPC
2510 基板
2510a 絶縁層
2510b 可撓性基板
2510c 接着層
2511 配線
2519 端子
2521 絶縁層
2528 隔壁
2550R 発光素子
2560 封止層
2567BM 遮光層
2567p 反射防止層
2567R 着色層
2570 基板
2570a 絶縁層
2570b 可撓性基板
2570c 接着層
2580R 発光モジュール
2590 基板
2591 電極
2592 電極
2593 絶縁層
2594 配線
2595 タッチセンサ
2597 接着層
2598 配線
2599 接続層
2601 パルス電圧出力回路
2602 電流検出回路
2603 容量
2611 トランジスタ
2612 トランジスタ
2613 トランジスタ
2621 電極
2622 電極
3000 発光装置
3001 基板
3003 基板
3005 発光素子
3007 封止領域
3009 封止領域
3011 領域
3013 領域
3014 領域
3015 基板
3016 基板
3018 乾燥剤
3500 多機能端末
3502 筐体
3504 表示部
3506 カメラ
3508 照明
3600 ライト
3602 筐体
3608 照明
3610 スピーカ
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチセンサ
8005 FPC
8006 表示装置
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
8501 照明装置
8502 照明装置
8503 照明装置
8504 照明装置
9000 筐体
9001 表示部
9003 スピーカ
9005 操作キー
9006 接続端子
9007 センサ
9008 マイクロフォン
9050 操作ボタン
9051 情報
9052 情報
9053 情報
9054 情報
9055 ヒンジ
9100 携帯情報端末
9101 携帯情報端末
9102 携帯情報端末
9200 携帯情報端末
9201 携帯情報端末
Claims (9)
- 一対の電極間に発光層を有し、
前記発光層は、蛍光発光材料と、ホスト材料と、を有し、
前記ホスト材料は、第1の有機化合物と、第2の有機化合物と、を有し、
前記第1の有機化合物、及び前記第2の有機化合物は、前記第1の有機化合物と、前記第2の有機化合物と、が励起錯体を形成する機能を有し、
前記第1の有機化合物と、前記蛍光発光材料と、の重心間距離の最小値が0.7nm以上5nm以下であり、
前記重心間距離の最小値は、古典分子動力学法によって算出される、前記蛍光発光材料を中心とする、半径rの球内に存在する前記第1の有機化合物の個数が0を超えるときの半径rであり、
前記蛍光発光材料は、炭素数3以上10以下の環式炭化水素基を少なくとも2つ以上、または炭素数3以上10以下の架橋環式炭化水素基を少なくとも2つ以上、有する、発光素子。 - 請求項1において、
前記励起錯体は、前記蛍光発光材料へ励起エネルギーを供与する機能を有する、発光素子。 - 請求項1または2において、
前記励起錯体が呈する発光は、前記蛍光発光材料の最も低いエネルギー側の吸収帯と重なる領域を有する、発光素子。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記励起錯体が呈する発光は、遅延蛍光成分の占める割合が10%以上であり、
前記遅延蛍光成分は、蛍光寿命が10ns以上50μs以下の遅延蛍光成分を有する、発光素子。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第1の有機化合物は、電子を輸送する機能を有し、
前記第2の有機化合物は、正孔を輸送する機能を有する、発光素子。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記第1の有機化合物は、π電子不足型複素芳香環骨格を有し、
前記第2の有機化合物は、π電子過剰型複素芳香環骨格または芳香族アミン骨格を有する、発光素子。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の発光素子と、
カラーフィルタまたはトランジスタの少なくとも一方と、を有する表示装置。 - 請求項7に記載の表示装置と、
筐体またはタッチセンサの少なくとも一方と、を有する電子機器。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の発光素子と、
筐体またはタッチセンサの少なくとも一方と、を有する照明装置。
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