TWI654775B - 發光元件、發光裝置、電子裝置及照明裝置 - Google Patents

發光元件、發光裝置、電子裝置及照明裝置

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TWI654775B
TWI654775B TW103135376A TW103135376A TWI654775B TW I654775 B TWI654775 B TW I654775B TW 103135376 A TW103135376 A TW 103135376A TW 103135376 A TW103135376 A TW 103135376A TW I654775 B TWI654775 B TW I654775B
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山岡諒平
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日商半導體能源研究所股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種對長時間的驅動能夠維持良好特性的可靠性高的發光元件。另外，本發明提供一種適用上述發光元件的長壽命的發光裝置。本發明還提供一種長壽命的電子裝置及照明裝置。本發明的一個方式是一種在一對電極之間具有EL層的發光元件，其中藉由作為EL層所具有的發光層的結構採用不同於從來的結構的疊層結構，即使發光元件的驅動導致載子平衡隨著時間變化或該變化還導致發光區域的移動，也能夠對長時間的驅動維持良好特性。

Description

發光元件、發光裝置、電子裝置及照明裝置
本發明係關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或組合物(composition of matter)。尤其是，本發明的一個方式係關於一種半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、照明裝置、其驅動方法或製造方法。尤其是，本發明的一個方式係關於一種藉由施加電場來得到發光的有機化合物被夾在一對電極之間的發光元件、具有這種發光元件的發光裝置、電子裝置以及照明裝置。
具有薄型輕量、高速回應性及直流低電壓驅動等的特徵的使用有機化合物作為發光體的發光元件被期待應用於下一代平板顯示器。尤其是，將發光元件配置為矩陣狀的顯示裝置與習知的液晶顯示裝置相比具有視角廣且可見度優異的優點。
發光元件的發光機制如下：藉由在一對電極之間夾著包含發光體的EL層並對該一對電極之間施加電壓，從陰極注入的電子和從陽極注入的電洞在EL層的發光中心重新鍵合而形成分子激子，當該分子激子返回到基態時釋放出能量而發光。已知激發態有單重激發態和三重激發態，並且無論經過上述任一種激發態都可以實現發光。
關於這種發光元件，為了提高其元件特性，元件結構的改進、材料的開發等被積極地進行(例如，參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2010-182699號公報
在發光元件的開發中，其可靠性對發光元件的評價來說是重要要素之一。儘管初期階段的特性良好，但是在不能耐受長時間的驅動而元件的壽命短的情況下，其利用價值低且難以實現商品化。因此，期待維持初期階段的良好特性且能夠耐受盡可能長時間的驅動的發光元件的開發。
在此，本發明的一個方式的目的之一是提供一種對長時間的驅動能夠維持良好特性的可靠性高的發光元件。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種適 用上述發光元件的長壽命的發光裝置。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種長壽命的電子裝置及照明裝置。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的發光元件及新穎的發光裝置等。注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。本發明的一個方式並不需要實現所有上述目的。另外，上述以外的目的從說明書、圖式及權利要求等的記載看來顯而易見，且可以從說明書、圖式及權利要求等的記載中抽出上述以外的目的。
本發明的一個方式是一種在一對電極之間具有EL層的發光元件，其中藉由作為EL層所具有的發光層的結構採用不同於現有結構的疊層結構，即使發光元件的驅動導致載子平衡隨著時間變化或該變化還導致發光區域的移動，也能夠對長時間的驅動維持良好特性。
明確而言，在發光元件的EL層所包括的發光層具有疊層結構且每個發光層包含不同的發光性材料的情況下，還設置由與包含呈現短波長的發光的發光性材料的發光層相同的結構而成的一個發光層，來以包含呈現短波長的發光的發光性材料的兩個發光層夾住包含呈現長波長的發光的發光性材料的發光層。由此，即使在層疊的每個發光層中及發光層之間發生由於載子平衡的變化導致的發光區域的移動，另一發光層也能夠彌補該變化，而能夠維持發光層整體的穩定狀態，因而能夠實現對長時間的驅動維持良好特性的發光元件。
因此，本發明的一個方式是一種發光元件， 包括：在一對電極之間具有至少包括發光層的EL層，其中，發光層包含發光性材料、電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料且具有從陽極一側層疊第一發光層、第二發光層及第三發光層的疊層結構，並且從第一發光層及第三發光層得到的發光的顏色相同且該發光的波長短於從第二發光層得到的發光的波長。
此外，本發明的一個方式是一種發光元件，包括：在一對電極之間具有至少包括發光層的EL層，其中，發光層包含發光性材料、電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料且具有從陽極一側層疊第一發光層、第二發光層及第三發光層的疊層結構，並且第一發光層的發光性材料與第三發光層的發光性材料相同，而且該發光性材料的發光峰值的波長比第二發光層的發光性材料短。
另外，本發明的一個方式是一種發光元件，包括：在一對電極之間具有至少包括發光層的EL層，其中，發光層包含發光性材料、電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料且具有從陽極一側層疊第一發光層、第二發光層及第三發光層的疊層結構，並且在第一發光層、第二發光層及第三發光層中使用相同的電洞傳輸性材料及該電子傳輸性材料，且從第一發光層及第三發光層得到的發光的顏色相同，且該發光的波長短於從第二發光層得到的發光的波長。
另外，本發明的一個方式是一種發光元件，包括：在一對電極之間具有至少包括發光層的EL層，其 中，發光層包含發光性材料、電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料且具有從陽極一側層疊第一發光層、第二發光層及第三發光層的疊層結構，並且在第一發光層、第二發光層及第三發光層中使用相同的電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料，且在第一發光層的發光性材料與第三發光層的發光性材料相同，而且該發光性材料的發光峰值的波長比第二發光層的發光性材料短。
此外，本發明的一個方式是一種發光元件，包括：在一對電極之間具有至少包括發光層的EL層，其中，發光層包含發光性材料、電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料且具有從陽極一側層疊第一發光層、第二發光層及第三發光層的疊層結構，發光層中的電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料為形成激態錯合物(exciplex)的組合，並且從第一發光層得到的發光與從第三發光層得到的發光的顏色相同且該發光的波長比從第二發光層得到的發光短。
此外，本發明的一個方式是一種發光元件，包括：在一對電極之間具有至少包括發光層的EL層，其中，發光層包含發光性材料、電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料且具有從陽極一側層疊第一發光層、第二發光層及第三發光層的疊層結構，發光層中的電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料為形成激態錯合物(exciplex)的組合，並且第一發光層的發光性材料與第三發光層的發光性材料相同，而且該發光性材料的發光峰值的波長比第二發光層的發光性材料短。
此外，本發明的一個方式是一種發光元件，其中，在發光層中包含電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料的上述每個結構中，電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料在第一發光層、第二發光層及第三發光層中使用相同材料。
另外，本發明的一個方式是一種發光元件，其中，在上述每個結構中，包含在發光層的發光性材料為發射磷光的物質。
另外，本發明的一個方式是一種發光元件，包括：在一對電極之間具有至少包括發光層的EL層，其中，發光層包含發光性材料、電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料且具有從陽極一側層疊第一發光層、第二發光層及第三發光層的疊層結構，第一發光層及第三發光層中的對於電子傳輸性材料的電洞傳輸性材料的重量比為50%以下，且第二發光層中的對於電子傳輸性材料的電洞傳輸性材料的重量比為第一發光層及第三發光層中的對於電子傳輸性材料的電洞傳輸性材料的重量比以下，並且從第一發光層的得到的發光與從第三發光層得到的發光的顏色相同且該發光的波長比從第二發光層得到的發光短。
另外，本發明的一個方式是一種發光元件，包括：在一對電極之間具有至少包括發光層的EL層，其中，發光層包含發光性材料、電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料且具有從陽極一側層疊第一發光層、第二發光層及第三發光層的疊層結構，第一發光層及第三發光層中的對於電子傳輸性材料的電洞傳輸性材料的重量比為50%以 下，且第二發光層中的對於電子傳輸性材料的電洞傳輸性材料的重量比為第一發光層及第三發光層中的對於電子傳輸性材料的電洞傳輸性材料的重量比以下，並且第一發光層的發光性材料與第三發光層的發光性材料相同，而且該發光性材料的發光峰值的波長比第二發光層的發光性材料短。
另外，本發明的一個方式是一種發光元件，包括：在一對電極之間具有多個EL層；以及，在相鄰的EL層之間分別具有電荷產生層，其中EL層至少包括發光層，發光層包含發光性材料、電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料且具有從陽極一側層疊第一發光層、第二發光層及第三發光層的疊層結構，並且從第一發光層得到的發光與從第三發光層得到的發光的顏色相同且該發光的波長比從第二發光層得到的發光短。
另外，本發明的一個方式是一種發光元件，包括：在一對電極之間具有多個EL層；以及，在相鄰的EL層之間分別具有電荷產生層，其中，EL層至少包括發光層，發光層包含發光性材料、電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料且具有從陽極一側層疊第一發光層、第二發光層及第三發光層的疊層結構，並且第一發光層的發光性材料與第三發光層的發光性材料相同，而且該發光性材料的發光峰值的波長比第二發光層的發光性材料短。
本發明的一個方式是一種發光元件，其中，在上述一對電極之間具有多個EL層的每個結構中，多個 EL層中之至少一個呈現不同的發光顏色。
另外，本發明的一個方式是一種發光裝置，包括：在反射電極及半透射．半反射電極之間包括EL層的發光元件，其中，EL層至少包括發光層，該發光層包含發光性材料、電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料且具有從陽極一側層疊第一發光層、第二發光層及第三發光層的疊層結構，並且，發光元件至少具有可以得到來自第一發光層及第三發光層的光的第一發光元件及可以得到來自第二發光元件的光的第二發光元件，從第一發光元件得到的發光的波長短於從第二發光元件得到的發光。
另外，本發明的一個方式是一種發光裝置，包括：在反射電極及半透射．半反射電極之間包括EL層的發光元件，其中，EL層至少包括發光層，該發光層包含發光性材料、電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料且具有從陽極一側層疊第一發光層、第二發光層及第三發光層的疊層結構，且第一發光層的發光性材料與第三發光層的發光性材料相同，而且該發光性材料的發光峰值的波長比第二發光層的發光性材料短，並且發光元件至少具有從第一發光層及第三發光層得到的發光的第一發光元件及從第二發光層得到的發光的第二發光元件。
另外，本發明的一個方式是一種發光裝置，包括：在一對電極之間包括EL層的發光元件，其中，EL層至少包括發光層，發光層包含發光性材料、電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料且具有從陽極一側層疊第一發光 層、第二發光層及第三發光層的疊層結構，從第一發光層及第三發光層得到的發光的顏色相同且該發光的波長短於從第二發光層得到的發光，並且該發光元件至少具有隔著第一濾色片得到第一發光的第一發光元件及隔著第二濾色片得到第二發光的第二發光元件。
另外，本發明的一個方式是一種發光裝置，包括：在一對電極之間包括EL層的發光元件，其中，EL層至少包括發光層，發光層包含發光性材料、電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料且具有從陽極一側層疊第一發光層、第二發光層及第三發光層的疊層結構，且第一發光層的發光性材料與第三發光層的發光性材料相同，而且該發光性材料的發光峰值的波長比第二發光層的發光性材料短，並且發光元件至少具有隔著第一濾色片得到第一發光的第一發光元件及隔著第二濾色片得到第二發光的第二發光元件。
另外，本發明的一個方式是一種發光裝置，其中，在上述具有多個發光元件的每個結構中，發光元件的一個電極在反射電極上層疊透明導電膜而形成，並且第一發光元件及第二發光元件的透明導電膜的厚度彼此不同。
另外，本發明的一個方式是一種使用具有上述每個結構的發光元件的發光裝置。
另外，本發明的一個方式在其範疇內不僅包括具有發光元件的發光裝置，而且包括具有發光裝置的電 子裝置及照明裝置。由此，本說明書中的發光裝置是指影像顯示裝置、或光源(包括照明裝置)。另外，發光裝置有時還包括如下模組：在發光裝置中安裝有連接器諸如FPC(Flexible printed circuit：撓性印刷電路)或TCP(Tape Carrier Package：載帶封裝)的模組；在TCP端部中設置有印刷線路板的模組；或者IC(積體電路)藉由COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式直接安裝在發光元件上的模組。
本發明的一個方式能夠提供一種對長時間的驅動能夠維持良好特性的可靠性高的發光元件。另外，本發明的一個方式能夠提供一種適用上述發光元件的長壽命的發光裝置。另外，本發明的一個方式能夠提供一種長壽命的電子裝置及照明裝置。另外，本發明的一個方式能夠提供一種新穎的發光元件及新穎的發光裝置等。注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。本發明的一個方式並不需要實現所有上述效果。另外，上述以外的效果從說明書、圖式及權利要求等的記載看來顯而易見，且可以從說明書、圖式及權利要求等的記載中抽出上述以外的效果。
101‧‧‧陽極
102‧‧‧陰極
103‧‧‧EL層
104‧‧‧電洞注入層
105‧‧‧電洞傳輸層
106‧‧‧發光層
106a‧‧‧第一發光層
106b‧‧‧第二發光層
106c‧‧‧第三發光層
107‧‧‧電子傳輸層
108‧‧‧電子注入層
109a‧‧‧第一發光性材料
109b‧‧‧第二發光性材料
110‧‧‧電子傳輸性材料
111‧‧‧電洞傳輸性材料
201‧‧‧第一電極
202(1)‧‧‧第一EL層
202(2)‧‧‧第二EL層
202(n)‧‧‧第(n)EL層
204‧‧‧第二電極
205‧‧‧電荷產生層
205(1)‧‧‧第一電荷產生層
205(2)‧‧‧第二電荷產生層
205(n-1)‧‧‧第(n-1)電荷產生層
301‧‧‧反射電極
302‧‧‧半透射．半反射電極
303‧‧‧透明導電層
304G‧‧‧第一發光層(G)
304R‧‧‧第二發光層(R)
305‧‧‧EL層
310R‧‧‧第一發光元件(R)
310G‧‧‧第二發光元件(G)
401‧‧‧元件基板
402‧‧‧像素部
403‧‧‧驅動電路部(源極線驅動電路)
404a、404b‧‧‧驅動電路部(閘極線驅動電路)
405‧‧‧密封材料
406‧‧‧密封基板
407‧‧‧佈線
408‧‧‧FPC(撓性印刷電路)
409‧‧‧FET
410‧‧‧FET
411‧‧‧開關FET
412‧‧‧電流控制FET
413‧‧‧第一電極(陽極)
414‧‧‧絕緣物
415‧‧‧EL層
416‧‧‧第二電極(陰極)
417‧‧‧發光元件
418‧‧‧空間
700‧‧‧基板
701‧‧‧第一電極
702‧‧‧第二電極
703‧‧‧EL層
704‧‧‧電洞注入層
705‧‧‧電洞傳輸層
706‧‧‧發光層
707‧‧‧電子傳輸層
708‧‧‧電子注入層
7100‧‧‧電視機
7101‧‧‧外殼
7103‧‧‧顯示部
7105‧‧‧支架
7107‧‧‧顯示部
7109‧‧‧操作鍵
7110‧‧‧遙控器
7201‧‧‧主體
7202‧‧‧外殼
7203‧‧‧顯示部
7204‧‧‧鍵盤
7205‧‧‧外接埠
7206‧‧‧指向裝置
7302‧‧‧外殼
7304‧‧‧顯示面板
7305‧‧‧表示時間的圖示
7306‧‧‧其他圖示
7311‧‧‧操作按鈕
7312‧‧‧操作按鈕
7313‧‧‧連接端子
7321‧‧‧腕帶
7322‧‧‧錶帶扣
7400‧‧‧行動電話機
7401‧‧‧外殼
7402‧‧‧顯示部
7403‧‧‧操作按鈕
7404‧‧‧外部連接部
7405‧‧‧揚聲器
7406‧‧‧麥克風
7407‧‧‧影像拍攝裝置
8001‧‧‧照明裝置
8002‧‧‧照明裝置
8003‧‧‧照明裝置
8004‧‧‧照明裝置
在圖式中：圖1是說明本發明的一個方式的發光元件的結構的 圖；圖2A及圖2B是說明發光元件的結構的圖；圖3是說明發光元件的結構的圖；圖4A及圖4B是說明發光裝置的圖；圖5A至圖5D是說明電子裝置的圖；圖6是說明照明裝置的圖；圖7A及圖7B是說明發光元件1及比較發光元件2的結構的圖；圖8是說明發光元件1及比較發光元件2的亮度-電流效率特性的圖；圖9是示出發光元件1及比較發光元件2的亮度-外部量子效率特性的圖；圖10是示出發光元件1及比較發光元件2的電壓-亮度特性的圖；圖11是示出發光元件1及比較發光元件2的發射光譜的圖；圖12是示出發光元件1及比較發光元件2的可靠性的圖；圖13A及圖13B是示出發光元件1及比較發光元件2的發射光譜的變化的圖；圖14A及圖14B是說明發光元件3、比較發光元件4、發光元件5及比較發光元件6的結構的圖；圖15是說明發光元件3、比較發光元件4、發光元件5及比較發光元件6的亮度-電流效率特性的圖； 圖16是示出發光元件3、比較發光元件4、發光元件5及比較發光元件6的電壓-亮度特性的圖；圖17是示出發光元件3、比較發光元件4、發光元件5及比較發光元件6的發射光譜的圖；圖18是示出發光元件3、比較發光元件4、發光元件5及比較發光元件6的可靠性的圖；圖19是示出主動矩陣型3.4英寸顯示器的時間-色度特性的圖；圖20A及圖20B是示出發光元件3的ToF-SIMS的測定結果的圖；圖21A及圖21B是示出發光元件5的ToF-SIMS的測定結果的圖；圖22A至圖22C是示出發光元件3的ToF-SIMS的測定結果的圖；圖23A及圖23B是示出發光元件5的ToF-SIMS的測定結果的圖；圖24是示出發光元件3的ToF-SIMS的測定結果的圖。
以下，參照圖式詳細地說明本發明的實施方式。應當注意，本發明不限於下文的描述並且可以用多種方式修改本發明的模式和細節而不偏離本發明的目的和範圍。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限在以下所示的實 施方式所記載的內容中。
實施方式1
在本實施方式中，對本發明的一個方式的發光元件進行說明。
本發明的一個方式的發光元件以在一對電極之間夾著包含發光層的EL層的方式形成，該發光層具有層疊第一發光層、第二發光層及第三發光層的疊層結構，該第一發光層至少具有第一發光性材料(也稱為客體材料)、電子傳輸性材料(也稱為主體材料)及電洞傳輸性材料(也稱為輔助材料)，該第二發光層至少具有第二發光性材料、電子傳輸性材料及電洞傳輸性材料，並且該第三發光層至少具有第一發光性材料、電子傳輸性材料及電洞傳輸性材料。
下面，參照圖1說明本發明的一個方式的發光元件的元件結構。
在圖1所示的發光元件中，在一對電極(陽極101、陰極102)之間夾著包含發光層106的EL層103，該EL層103具有從陽極101一側依次層疊電洞(hole)注入層104、電洞傳輸層105、發光層106(106a、106b及106c)、電子傳輸層107、電子注入層108等的結構。
另外，發光層106具有層疊多個發光層(106a、106b及106c)的疊層結構，如圖1所示，在陽 極101上依次層疊第一發光層106a、第二發光層106b及第三發光層106c。該第一發光層106a至少具有第一發光性材料109a、電子傳輸性材料110及電洞傳輸性材料111，該第二發光層106b至少具有第二發光性材料109b、電子傳輸性材料110及電洞傳輸性材料111，並且該第三發光層106c至少具有第一發光性材料109a、電子傳輸性材料110及電洞傳輸性材料111。
此外，至於發光層106所包含的發光性材料(第一發光性材料109a、第二發光性材料109b)，將第一發光性材料109a用於第一發光層106a及第三發光層106c，將第二發光性材料109b用於第二發光層106b。注意，第二發光性材料109b的發光峰值的波長比第一發光性材料109a更長。
另外，作為發光層106所包含的電子傳輸性材料110主要使用其電子移動率為10-6cm2/Vs以上的有機化合物，並且作為電洞傳輸性材料111主要使用其電洞移動率為10-6cm2/Vs以上的有機化合物。
此外，藉由採用在發光層106中將發光性材料分散於電子傳輸性材料110及電洞傳輸性材料111的結構，可以抑制發光層106中的晶化。另外，藉由抑制因發光性材料的濃度高而導致的濃度淬滅，可以提高發光元件的發光效率。
注意，雖然在層疊了的每個發光層(106a、106b及106c)中，對每一個層較佳為使用相同的電子傳 輸性材料110及電洞傳輸性材料111，但是在不會失去發光層的功能的範圍內可以使用不同的材料。
此外，電子傳輸性材料110(或電洞傳輸性材料111)的三重激發態能階(T1能階)較佳為高於發光性材料(109a、109b)的T1能階。這是因為若電子傳輸性材料110(或者電洞傳輸性材料111)的T1能階低於發光性材料(109a、109b)的T1能階，電子傳輸性材料110(或電洞傳輸性材料111)則使有助於發光的發光性材料(109a、109b)的三重激發態能階淬滅，而導致發光效率的降低。
另外，在層疊的發光層106(106a、106b及106c)中的任一個或每一個中，電子傳輸性材料110及電洞傳輸性材料111較佳為形成激態錯合物(exciplex)的組合。這是因為：在此情況下，與電子傳輸性材料110及電洞傳輸性材料111的每個的發光波長(螢光波長)相比，所形成的激態錯合物的發光波長位於長波長一側，因此可以將電子傳輸性材料110的螢光光譜或電洞傳輸性材料111的螢光光譜轉換為位於更長波長一側的發射光譜，而能夠進一步提高發光效率。
另外，在圖1所示的本發明的一種方式的發光元件中層疊有包含於EL層的三個發光層，其中由包含呈現短波長的發光的發光性材料的兩個發光層夾住包含呈現長波長的發光的發光性材料的發光層。藉由採用這種結構，在驅動發光元件時，即使在發光層內的載子平衡隨時 間變化且發光區域移動到第二個發光層(圖1示出的106b)一側的情況下，也可以藉由設置第三個發光層(圖1示出的106c)使第三個發光層發光。因此在驅動發光元件時，能夠抑制在初期階段中的第一發光層的劣化及第二發光層中的亮度上升。就是說，可以抑制發光層整體的特性的下降，因此可以認為能夠對長時間的驅動維持良好特性。
下面，對製造上述發光元件時的具體例子進行說明。
作為第一電極(陽極)101及第二電極(陰極)102，可以使用金屬、合金、導電化合物及它們的混合物等。明確而言，除了氧化銦-氧化錫(ITO：Indium Tin Oxide)、包含矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅(Indium Zinc Oxide)、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)之外，還可以使用屬於元素週期表中第1族或第2族的元素，即鹼金屬諸如鋰(Li)和銫(Cs)等、鹼土金屬諸如鈣(Ca)和鍶(Sr)等、鎂(Mg)、包含它們的合金(MgAg、AlLi)、稀土金屬諸如銪(Eu)和鐿(Yb)等、包含它們的合金及石墨烯等。另外，第一電極(陽極)101及第二電極(陰極)102例如可以藉由濺射法或蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)等來形成。
電洞注入層104為介過電洞傳輸性高的電洞傳輸層105並對發光層106注入電洞的層，且包含電洞傳輸性材料及受體物質的層。藉由包含電洞傳輸性材料及受體物質，由於受體物質從電洞傳輸性材料抽出電子來發生電洞，而電洞介過電洞傳輸層105注入到發光層106。另外，電洞傳輸層105使用電洞傳輸性材料來形成。
作為用於電洞注入層104及電洞傳輸層105的電洞傳輸性材料，例如可以舉出4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺]聯苯(簡稱：NPB或α-NPD)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1，1’-聯苯]-4,4’-二胺(簡稱：TPD)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(簡稱：TCTA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯胺)三苯胺(簡稱：TDATA)、4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯胺]三苯胺(簡稱：MTDATA)、4,4’-雙[N-(螺-9,9’-二茀-2-基)-N-苯胺]聯苯(簡稱：BSPB)等芳香胺化合物；3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA1)、3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)等。除上述以外，還可以使用4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(簡稱：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)等的咔唑衍生物等。在此所述的物質主要是電洞移動率為10-6cm2/Vs以上的物質。此外，只要是 電洞傳輸性比電子傳輸性高的物質，就也可以使用上述以外的物質。
再者，還可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(簡稱：PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯胺)苯基]苯基-N’-苯胺}苯基)甲基丙烯醯胺](簡稱：PTPDMA)、聚[N,N’-雙(4-丁基苯基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺](簡稱：Poly-TPD)等高分子化合物。
另外，作為可以用於電洞注入層104的受體物質，可以舉出過渡金屬氧化物或屬於元素週期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。明確地說，氧化鉬是特別較佳的。
發光層106(106a、106b及106c)是包含發光性材料(109a、109b)的層。注意，本實施方式所示的發光層106(106a、106b及106c)除了發光性材料(109a、109b)之外還包含電子傳輸性材料110及電洞傳輸性材料111而形成。
另外，在發光層106(106a、106b及106c)中，對可以用作發光性材料(或者發光中心物質)(109a、109b)的材料沒有特別的限定，而可以使用將單重激發態能轉換成發光的發光性材料或將三重激發態能轉換成發光的發光性材料。但是在此情況下，使用發光顏色的波長比發光性材料109b的發光顏色的波長更短的發光性材料109a。作為上述發光性材料及發光中心物質的例 子可以舉出如下材料。
作為將單重激發態能轉換成發光的發光性材料，可以舉出發射螢光的物質，例如，N,N’-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基二苯乙烯-4,4’-二胺(簡稱：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(9,10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(簡稱：2YGAPPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPA)、苝、2,5,8,11-四(三級丁基)苝(簡稱：TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBAPA)、N,N”-(2-三級丁基蒽-9,10-二基二-4,1-伸苯基)雙[N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺](簡稱：DPABPA)、N,9-二苯基-N-[4-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPPA)、N-[4-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(簡稱：2DPAPPA)、N,N,N’,N’,N”,N”,N”’,N”’-八苯基二苯并[g,p]屈(chrysene)-2,7,10,15-四胺(簡稱：DBC1)、香豆素30、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCABPhA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(簡稱：2DPAPA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(簡稱：2DPABPhA)、9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-N-[4- (9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(簡稱：2YGABPhA)、N,N,9-三苯基蒽-9-胺(簡稱：DPhAPhA)、香豆素545T、N，N’-二苯基喹吖啶酮(簡稱：DPQd)、紅螢烯、5,12-雙(1,1’-聯苯-4-基)-6,11-二苯基稠四苯(簡稱：BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲基胺基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亞基(ylidene))丙二腈(簡稱：DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯并[ij]喹嗪(quinolizin)-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：DCM2)、N,N,N’,N’-四(4-甲基苯基)稠四苯-5,11-二胺(簡稱：p-mPhTD)、7,14-二苯基-N,N,N’,N’-四(4-甲基苯基)苊并(acenaphtho)[1,2-a]丙二烯合茀-3,10-二胺(簡稱：p-mPhAFD)、{2-異丙基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：DCJTI)、{2-三級丁基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：DCJTB)、2-(2,6-雙{2-[4-(二甲基胺基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱：BisDCM)、2-{2,6-雙[2-(8-甲氧基-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：BisDCJTM)等。
另外，作為將三重激發態能轉換成發光的發光性材料，例如可以舉出發射磷光的物質或呈現熱活化延遲螢光的熱活化延遲螢光(TADF)材料。此外，TADF 材料中的延遲螢光是指雖然具有與通常的螢光相同的光譜，但是壽命非常長的發光。其壽命為10-6秒以上，較佳為10-3秒以上。
作為發射磷光的物質，可以舉出雙[2-(3’,5’-雙三氟甲基苯基)吡啶-N,C2’]銥(III)吡啶甲酸酯(簡稱：Ir(CF3ppy)2(pic))、雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶-N,C2’]銥(III)乙醯丙酮(簡稱：FIracac)、三(2-苯基吡啶)銥(III)(簡稱：Ir(ppy)3)、雙(2-苯基吡啶)銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(ppy)2(acac))、三(乙醯丙酮)(一啡啉)鋱(III)(簡稱：Tb(acac)3(Phen))、雙(苯并[h]喹啉)銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(bzq)2(acac))、雙(2,4-二苯基-1,3-唑-N,C2’)銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(dpo)2(acac))、雙{2-[4’-(全氟烷苯基)苯基]吡啶-N,C2’}銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(p-PF-ph)2(acac))、雙(2-苯基苯并噻唑-N,C2’)銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(bt)2(acac))、雙[2-(2’-苯并[4,5-α]噻吩基)吡啶-N,C3’]銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(btp)2(acac))、雙(1-苯基異喹啉-N,C2’)銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(piq)2(acac))、(乙醯丙酮)雙[2,3-雙(4-氟苯基)喹啉合(quinoxalinato)]銥(III)(簡稱：Ir(Fdpq)2(acac))、(乙醯丙酮)雙(3,5-二甲基-2-苯基吡嗪)銥(III)(簡稱：[Ir(mppr-Me)2(acac)])、(乙醯丙酮)雙(5-異丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪)銥(III)(簡稱：[Ir(mppr-iPr)2(acac)])、(乙醯丙酮)雙 (2,3,5-三苯基吡嗪)銥(III)(簡稱：Ir(tppr)2(acac))、雙(2,3,5-三苯基吡嗪)(二新戊醯甲烷)銥(III)(簡稱：[Ir(tppr)2(dpm)])、(乙醯丙酮)雙(6-三級丁基-4-苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：[Ir(tBuppm)2(acac)])、(乙醯丙酮)雙(4,6-二苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：[Ir(dppm)2(acac)])、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H，23H-卟啉鉑(II)(簡稱：PtOEP)、三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮)(一啡啉)銪(III)(簡稱：Eu(DBM)3(Phen))、三[1-(2-噻吩甲醯基)-3,3,3-三氟丙酮](一啡啉)銪(III)(簡稱：Eu(TTA)3(Phen))等。
作為TADF材料，例如可以具體地舉出富勒烯及其衍生物、硫酸原黃素等吖啶衍生物、曙紅(eosin)等。另外，可以舉出包含鎂(Mg)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、錫(Sn)、鉑(Pt)、銦(In)或鈀(Pd)等的含金屬卟啉。作為該含金屬卟啉，例如，也可以舉出原卟啉-氟化錫錯合物(簡稱：SnF2(Proto IX))、中卟啉-氟化錫錯合物(簡稱：SnF2(Meso IX))、血卟啉-氟化錫錯合物(簡稱：SnF2(Hemato IX))、糞卟啉四甲酯-氟化錫錯合物(簡稱：SnF2(Copro III-4Me))、八乙基卟啉-氟化錫錯合物(簡稱：SnF2(OEP))、初卟啉-氟化錫錯合物(簡稱：SnF2(Etio I))以及八乙基卟啉-氯化鉑錯合物(簡稱：PtCl2OEP)等。再者，2-(聯苯-4-某)-4,6-雙(12-苯基吲哚[2,3-a]咔唑-11-基)-1,3,5-三嗪(PIC-TRZ)等的具有 富π電子芳雜環及缺π電子芳雜環的雜環化合物。另外，在富π電子芳雜環和缺π電子芳雜環直接鍵合的物質中，富π電子芳雜環的施體的性質和缺π電子芳雜環的受體的性質都變強而S1與T1之間的能量差變小，所以是特別較佳的。
另外，作為用於發光層106(106a、106b及106c)的電子傳輸性材料110，較佳為使用缺π電子型雜芳族化合物諸如含氮雜芳族化合物，例如可以舉出喹啉衍生物或二苯并喹啉衍生物諸如2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹啉(簡稱：2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)聯苯-3-基]二苯并[f，h]喹啉(簡稱：2mDBTBPDBq-II)、2-[4-(3,6-二苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]二苯并[f，h]喹啉(簡稱：2CzPDBq-III)、7-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹啉(簡稱：7mDBTPDBq-II)和6-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹啉(簡稱：6mDBTPDBq-II)等。
另外，作為用於發光層106(106a、106b及106c)的電洞傳輸性材料111，較佳為有富π電子型雜芳族化合物(例如，咔唑衍生物或吲哚衍生物)或芳香胺化合物，例如可以舉出：4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBA1BP)、4,4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBNBB)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)、4,4’,4”-三[N-(1-萘基)-N-苯胺] 三苯胺(簡稱：1’-TNATA)、2,7-雙[N-(4-二苯胺苯基)-N-苯胺]-螺-9,9’-二茀(簡稱：DPA2SF)、N,N’-雙(9-苯基咔唑-3-基)-N,N’-二苯基苯-1,3-二胺(簡稱：PCA2B)、N-(9,9-二甲基-2-二苯胺基-9H-茀-7-基)二苯基胺(簡稱：DPNF)、N,N’,N”-三苯基-N,N’,N”-三(9-苯基咔唑-3-基)苯-1,3,5-三胺(簡稱：PCA3B)、2-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺]螺-9,9’-二茀(簡稱：PCASF)、2-[N-(4-二苯胺基苯基)-N-苯胺]螺-9,9’-二茀(簡稱：DPASF)、N,N’-雙[4-(咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基-9,9-二甲基茀-2,7-二胺(簡稱：YGA2F)、4,4’-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯胺]聯苯(簡稱：TPD)、4,4’-雙[N-(4-二苯胺苯基)-N-苯胺]聯苯(簡稱：DPAB)、N-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-N-{9,9-二甲基-2-[N’-苯基-N’-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺基]-9H-茀-7-基}苯基胺(簡稱：DFLADFL)、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA1)、3-[N-(4-二苯胺基苯基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzDPA1)、3,6-雙[N-(4-二苯胺基苯基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzDPA2)、4,4’-雙(N-{4-[N’-(3-甲基苯基)-N’-苯胺]苯基}-N-苯胺)聯苯(簡稱：DNTPD)、3,6-雙[N-(4-二苯胺基苯基)-N-(1-萘基)胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzTPN2)、3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)等。
電子傳輸層107是包含電子傳輸性高的物質的層。對電子傳輸層107可以使用金屬錯合物諸如Alq3、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(簡稱：Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]-喹啉合)鈹(簡稱：BeBq2)、BAlq、Zn(BOX)2或雙[2-(2-羥基苯基)-苯并噻唑]鋅(簡稱：Zn(BTZ)2)等。此外，還可以使用雜芳族化合物諸如2-(4-聯苯基)-5-(4-三級丁苯基)-1,3,4-二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(對三級丁苯基)-1,3,4-二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、3-(4-三級丁苯基)-4-苯基-5-(4-聯苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：TAZ)、3-(4-三級丁苯基)-4-(4-乙苯基)-5-(4-聯苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：p-EtTAZ)、紅啡啉(簡稱：BPhen)、浴銅靈(簡稱：BCP)、4,4’-雙(5-甲基苯并唑-2-基)茋(簡稱：BzOs)等。此外，也可以使用高分子化合物諸如聚(2,5-吡啶二基)(簡稱：PPy)、聚[(9,9-二己基茀-2,7-二基)-co-(吡啶-3,5-二基)](簡稱：PF-Py)、聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-co-(2,2’-聯吡啶-6,6’-二基)](簡稱：PF-BPy)。這裡所述的物質主要為具有10-6cm2/Vs以上的電子移動率的物質。另外，只要是電子傳輸性比電洞傳輸性高的物質，就可以將上述物質之外的物質用於電子傳輸層107。
另外，電子傳輸層107既可由單層構成又可由層疊有兩層以上的由上述物質構成的層的疊層構成。
電子注入層108是包含具有高電子注入性的 物質的層。作為電子注入層108，例如可以使用鹼金屬、鹼土金屬或者它們的化合物，例如氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)或者氧化鋰(LiOx)等。還可以使用諸如氟化鉺(ErF3)的稀土金屬化合物。另外，對電子注入層108也可以使用電子鹽。作為電子鹽，可以舉出對鈣和鋁的混合氧化物以高濃度添加電子的物質等。另外，還可以使用構成電子傳輸層107的上述物質。
另外，也可以將有機化合物與電子予體(施體)混合而成的複合材料用於電子注入層108。因為這種複合材料的電子予體使得電子產生在有機化合物中，所以其電子注入性及電子傳輸性高，。在此情況下，有機化合物較佳的是在傳輸產生的電子方面性能優異的材料，明確而言，例如可以使用上述構成電子傳輸層107的物質(金屬錯合物和雜芳族化合物等)。作為電子予體，只要使用對有機化合物呈現電子予體性的物質，即可。明確地說，較佳為使用鹼金屬、鹼土金屬和稀土金屬，可以舉出鋰、銫、鎂、鈣、鉺、鐿等。另外，較佳為使用鹼金屬氧化物或鹼土金屬氧化物，可以舉出鋰氧化物、鈣氧化物、鋇氧化物等。此外，還可以使用氧化鎂等路易士鹼。或者，也可以使用四硫富瓦烯(簡稱：TTF)等有機化合物。
注意，上述電洞注入層104、電洞傳輸層105、發光層106、電子傳輸層107及電子注入層108分別可以藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、噴墨法、塗佈法等的方法形成。
在上述發光元件中，由於在第一電極101和第二電極102之間產生的電位差而產生電流，並且由於在EL層103中電洞和電子重新鍵合而得到發光。該光經過第一電極101和第二電極102中的任一者或兩者被提取到外部。因此，第一電極101和第二電極102中的任一者或兩者為具有透光性的電極。
藉由形成具有本實施方式所說明的結構的發光元件，即使隨驅動時間的經過的載子平衡的變化導致發光區域移動，另一發光層也能夠彌補該變化，而能夠維持發光層整體的穩定狀態，因而能夠實現對長時間的驅動來說維持良好特性的發光元件。
本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合。
實施方式2
在本實施方式中，作為本發明的一個方式，對具有夾著電荷產生層具有多個EL層的結構的發光元件(以下，稱為串聯型發光元件)，參照圖2A及圖2B進行說明。
本實施方式所示的發光元件是如圖2A所示的在一對電極(第一電極201與第二電極204)之間具有多個EL層(第一EL層202(1)和第二EL層202(2))的串聯型發光元件。
在本實施方式中，第一電極201是用作陽極的電極，第二電極204是用作陰極的電極。另外，作為第 一電極201及第二電極204，可以採用與實施方式1相同的結構。此外，雖然多個EL層(第一EL層202(1)和第二EL層202(2))都可以具有與實施方式1所示的EL層的結構相同的結構，但是也可以上述EL層中的任一個具有與實施方式1所示的EL層的結構相同的結構。換言之，第一EL層202(1)和第二EL層202(2)既可以具有相同結構，又可以具有不同結構，作為其結構，可以應用與實施方式1相同的結構。
另外，在多個EL層(第一EL層202(1)和第二EL層202(2))之間設置有電荷產生層205。電荷產生層205具有如下功能：當對第一電極201和第二電極204施加電壓時，將電子注入到一方的EL層中，且將電洞注入到另一方的EL層中。在本實施方式中，當以第一電極201的電位高於第二電極204的方式施加電壓時，電子從電荷產生層205被注入到第一EL層202(1)中，且電洞被注入到第二EL層202(2)中。
另外，從光提取效率的觀點來看，電荷產生層205較佳為具有透射可見光的性質(明確而言，電荷產生層205的可見光的透射率為40%以上)。另外，電荷產生層205的電導率即使小於第一電極201或第二電極204也發揮作用。
電荷產生層205可以具有對電洞傳輸性材料添加有電子受體(受體)的結構，又可以具有對電子傳輸性材料添加有電子予體(施體)的結構。或者，也可以層 疊有這兩種結構。
在採用對電洞傳輸性材料添加有電子受體的結構的情況下，作為電洞傳輸性材料，例如可以使用芳族胺化合物諸如NPB、TPD、TDATA、MTDATA、4,4’-雙[N-(螺-9,9’-二茀-2-基)-N-苯胺]聯苯(簡稱：BSPB)等。在此所述的物質主要是電洞移動率為10-6cm2/Vs以上的物質。但是，只要是電洞傳輸性比電子傳輸性高的有機化合物，就可以使用上述物質之外的物質。
另外，作為電子受體，可以舉出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(簡稱：F4-TCNQ)、氯醌等。另外，還可以舉出過渡金屬氧化物。另外，可以舉出屬於元素週期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。明確而言，較佳為使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸，這是因為它們具有高電子接受性。尤其較佳為使用氧化鉬，因為氧化鉬在大氣中穩定且其吸濕性低，所以容易進行處理。
另一方面，在採用對電子傳輸性材料添加有電子予體的結構的情況下，作為電子傳輸性材料，例如可以使用具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬錯合物等諸如Alq、Almq3、BeBq2、BAlq等。除此之外，還可以使用具有唑基配體、噻唑基配體的金屬錯合物等諸如Zn(BOX)2、Zn(BTZ)2等。再者，除了金屬錯合物之外，還可以使用PBD、OXD-7、TAZ、BPhen、BCP等。在此所述的物質主要是電子移動率為10-6cm2/Vs以上的物質。 另外，只要是電子傳輸性比電洞傳輸性高的有機化合物，就可以使用上述物質之外的物質。
另外，作為電子予體，可以使用鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、或屬於元素週期表中第2、第13族的金屬及它們的氧化物、碳酸鹽。明確而言，較佳為使用鋰(Li)、銫(Cs)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鐿(Yb)、銦(In)、氧化鋰、碳酸銫等。此外，也可以將如四硫稠四苯(tetrathianaphthacene)的有機化合物用作電子予體。
另外，藉由使用上述材料形成電荷產生層205，可以抑制層疊EL層時造成的驅動電壓的增大。
雖然在本實施方式中，對具有兩個EL層的發光元件進行說明，但是，如圖2B所示，本發明的一個方式可以同樣地應用於層疊n個(注意，n是3以上)EL層(202(1)至202(n))的發光元件。當如根據本實施方式的發光元件那樣在一對電極之間具有多個EL層時，藉由將電荷產生層205(1)至205(n-1))分別設置在EL層與EL層之間，可以在保持低電流密度的同時實現高亮度區域中的發光。因為可以保持低電流密度，所以可以實現長使用壽命元件。當將上述發光元件用於照明時，可以減少由於電極材料的電阻導致的電壓下降，所以可以實現大面積的均勻發光。此外，可以實現能夠進行低電壓驅動且耗電量低的發光裝置。
此外，藉由使各EL層發射互不相同的顏色的 光，可以使發光元件整體發射所需顏色的光。例如，在具有兩個EL層的發光元件中，使第一EL層的發光顏色和第二EL層的發光顏色處於補色關係，因此還可以得到發光元件整體發射白色光的發光元件。注意，詞語“補色”表示當顏色混合時得到非彩色的顏色關係。也就是說，藉由混合處於補色關係的顏色的光和從發光的物質得到的光，可以得到白色發光。
另外，同樣地，在具有三個EL層的發光元件中，例如，當第一EL層的發光顏色是紅色，第二EL層的發光顏色是綠色，第三EL層的發光顏色是藍色時，發光元件整體可以得到白色發光。
此外，作為包括上述發光元件的發光裝置，除了可以製造被動矩陣型發光裝置和主動矩陣型發光裝置，還可以製造組合微腔結構的發光裝置。上述發光裝置的每一個都包括在本發明的一個方式中。
另外，在主動矩陣型發光裝置中，對電晶體(FET)的結構沒有特別的限制。例如，可以適當地使用交錯型FET或反交錯型FET。此外，形成在FET基板上的驅動電路可以由N型FET和P型FET中的一者或兩者形成。並且，對用於FET的半導體膜的結晶性也沒有特別的限制。例如，可以使用非晶半導體膜、結晶半導體膜。作為半導體材料，除了IV族(矽等)半導體、III族(鎵等)半導體、化合物半導體(包括氧化物半導體)之外，還可以使用有機半導體等。
本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合。
實施方式3
在本實施方式中，對本發明的一個方式的發光裝置進行說明。
本實施方式所示的發光裝置具有利用一對電極之間的光的共振效應的光學微諧振腔(micro optical resonator)(微腔)結構，如圖3所示具有多個發光元件，該發光元件具有在一對電極(反射電極301與半透射．半反射電極302)之間至少包括EL層305的結構。另外，EL層305至少具有用作發光區域的發光層304，除此之外，EL層305還可以包括電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、電荷產生層等。
在本實施方式中，對如圖3所示具有兩種發光元件(第一發光元件310R及第二發光元件310G)而構成的情況進行說明。
第一發光元件310R及第二發光元件310G都具有如下結構：在反射電極301上依次層疊透明導電層303、在其一部分中包含發光層304的EL層305、以及半透射．半反射電極302。
注意，本實施方式中所示的兩種發光元件都共同使用反射電極301、EL層305、以及半透射．半反射電極302。另外，發光層304具有層疊發射在第一波長區 域中具有峰值的光(λG)的層及發射在第二波長區域中具有峰值的光(λR)的層的結構。在此情況下設定波長的長度滿足λG<λR的關係。
各發光元件分別具有在反射電極301和半透射．半反射電極302之間夾著EL層305而形成的結構，並且從包括在EL層305中的各發光層向全方向射出的發光由用作微型光諧振器(微腔)的反射電極301及半透射．半反射電極302諧振。
反射電極301使用具有反射性的導電材料形成，該膜的可見光反射率為40%至100%，較佳為70%至100%，並且該膜的電阻率為1×10-2Ωcm以下。另外，半透射．半反射電極302使用具有反射性的導電材料和具有透光性的導電材料形成，該膜的可見光反射率為20%至80%，較佳為40%至70%，並且該膜的電阻率為1×10-2Ωcm以下。
此外，藉由使作為發光元件310R及發光元件310G的透明導電層303的厚度彼此不同，來改變兩種發光元件的反射電極301與半透射．半反射電極302之間的光學距離。由此，在反射電極301與半透射．半反射電極302之間，可以使共振的波長的光變強並可以使不共振的波長的光衰減，所以可以從每個元件提取不同波長的光。
另外，在第一發光元件310R中從反射電極301到半透射．半反射電極302的總厚度(光學厚度的總和)為mλR/2(注意，m是自然數)，在第二發光元件 310G中從反射電極301到半透射．半反射電極302的總厚度為mλG/2(注意，m是自然數)。
如上所述，從第一發光元件310R主要提取在包含於EL層305中的第二發光層304R中發射的光(λR)，從第二發光元件310G主要提取在包含於EL層305中的第一發光層304G中發射的光(λG)。另外，從各發光元件提取的光分別從半透射．半反射電極302一側射出。
另外，在上述結構中，嚴格而言，可以將從反射電極301到半透射．半反射電極302的總厚度稱為從反射電極301中的反射區域到半透射．半反射電極302中的反射區域的總厚度。但是，難以嚴格地決定反射電極301或半透射．半反射電極302中的反射區域的位置，所以藉由假定反射電極301和半透射．半反射電極302中的任意的位置為反射區域來可以充分地獲得上述效果。
另外，在第一發光元件310R中，將從反射電極301到第二發光層304R的光學距離調節為所希望的厚度((2m’+1)λR/4(注意，m’是自然數))。由此可以放大來自第二發光層304R的光。
另外，嚴格而言，可以將反射電極301與第二發光層304R之間的光學距離稱為從反射電極301中的反射區域與第二發光層304R中的發光區域之間的光學距離。但是，難以嚴格地決定反射電極301中的反射區域及第二發光層304R中的發光區域的位置，所以藉由假定第 二發光層304R中的任意的位置為發光區域來可以充分地獲得上述效果。
另外，在第二發光元件310G中，將從反射電極301到第一發光層304G的光學距離調節為所希望的厚度((2m”+1)λG/4(注意，m”是自然數))。因此可以放大來自第一發光層304G的光。
另外，嚴格而言，可以將反射電極301與第一發光層304G之間的光學距離稱為從反射電極301中的反射區域與第一發光層304G中的發光區域之間的光學距離。但是，難以嚴格地決定反射電極301中的反射區域或第一發光層304G中的發光區域的位置，所以藉由假定反射電極301中的任意的位置為反射區域，並且假定第一發光層304G中的任意的位置為發光區域來可以充分地獲得上述效果。
如上所述，雖然設定從反射電極301到發光層304之間的光學距離，但是在具有如實施方式1所示的疊層結構的發光層(明確而言，包括多個發射在同一波長區域中具有峰值的光(λG)的發光層)中，將從反射電極301到發光層304的光學距離設定為從反射電極301到發射在同一波長區域中具有峰值的光(λG)的發光層中的一個發光層的光學距離。
另外，在上述結構中，示出每個發光元件都具有在EL層中包含多個發光層的結構，但是本發明不侷限於此。例如，也可以採用如下結構：將上述結構與實施 方式2所說明的串聯型發光元件組合，隔著電荷產生層在一個發光元件中設置多個EL層，且在各EL層中形成一個或多個發光層。
本實施方式所示的發光裝置具有微腔結構，即使具有相同的EL層，也能夠從每個發光元件提取不同波長的光，因此不需要RGB的分別塗佈。因此，出於容易實現高精細化等的理由，從實現全彩色化的角度來看上述結構是有利的。另外，因為能夠加強特定波長的正面方向的發光強度，所以可以實現低耗電量化。該結構在將其應用於使用三種顏色以上的像素的彩色顯示器(影像顯示裝置)時是特別有效的，但是也可以將其用於照明等的用途。
實施方式4
在本實施方式中，對具有本發明的一個方式的發光元件的發光裝置進行說明。
另外，上述發光裝置既可以是被動矩陣型發光裝置，又可以是主動矩陣型發光裝置。此外，可以將其他實施方式所說明的發光元件應用於本實施方式所示的發光裝置。
在本實施方式中，參照圖4A和圖4B對主動矩陣型發光裝置進行說明。
另外，圖4A是示出發光裝置的俯視圖，圖4B是沿圖4A中的點劃線A-A’切割的剖面圖。根據本實 施方式的主動矩陣型發光裝置具有設置在元件基板401上的像素部402、驅動電路部(源極線驅動電路)403以及驅動電路部(閘極線驅動電路)404a及404b。將像素部402、驅動電路部403及驅動電路部404a及404b由密封材料405密封在元件基板401與密封基板406之間。
此外，在元件基板401上設置用來連接對驅動電路部403及驅動電路部404a及404b傳達來自外部的信號(例如，視訊信號、時脈信號、啟動信號或重設信號等)或電位的外部輸入端子的引導佈線407。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC(撓性印刷電路)408的例子。另外，雖然在此只示出FPC，但是該FPC也可以安裝有印刷線路板(PWB)。本說明書中的發光裝置不僅包括發光裝置主體，而且還包括安裝有FPC或PWB的發光裝置。
接著，參照圖4B說明剖面結構。在元件基板401上形成有驅動電路部及像素部，但是在此示出作為源極線驅動電路的驅動電路部403及像素部402。
作為驅動電路部403示出組合有FET409和FET410的結構。另外驅動電路部403所具有的FET409及FET410既可以使用包括單極性(N型和P型中的僅任一個)的電晶體的電路形成，又可以使用包括N型電晶體及P型電晶體的CMOS電路形成。雖然在本實施方式中示出在基板上形成驅動電路的驅動器一體型，但是本發明不一定需要限於這種類型，也可以不在基板上，而在外部形成 驅動電路。
此外，像素部402由多個像素形成，該像素包括開關FET411、電流控制FET412和與電流控制FET412的佈線(源極電極或汲極電極)電連接的第一電極(陽極)413。此外，雖然在本實施方式中示出像素部402包括開關FET411、電流控制FET412的兩個FET的結構的例子，但不侷限於此。例如，像素部402也可以包括三個以上的FET及電容元件。
作為FET409、410、411及412，例如可以適當地使用交錯型電晶體或反交錯型電晶體。作為可以用於FET409、410、411及412的半導體材料，例如可以使用IV族(矽等)半導體、III族(鎵等)半導體、化合物半導體、氧化物半導體、有機半導體材料。此外，對該半導體材料的結晶性也沒有特別的限制，例如可以使用非晶半導體或結晶半導體。尤其是，作為FET409、410、411及412較佳為使用氧化物半導體。作為該氧化物半導體，例如可以舉出In-Ga氧化物、In-M-Zn氧化物(M為Al、Ga、Y、Zr、La、Ce或Nd)等。作為FET409、410、411及412，例如使用能隙為2eV以上，較佳為2.5eV以上，更佳為3eV以上的氧化物半導體材料，由此可以降低電晶體的關態電流(off-state current)。
另外，以覆蓋第一電極413的端部的方式形成有絕緣物414。在此，使用正型的光敏丙烯酸樹脂形成絕緣物414。此外，在本實施方式中，將第一電極413用 作陽極。
較佳為將絕緣物414的上端部或下端部形成為具有曲率的曲面。藉由將絕緣物414形成為上述形狀，可以提高形成在絕緣物414上的膜的覆蓋性。例如，作為絕緣物414的材料，可以使用負型光敏樹脂或正型光敏樹脂，不侷限於有機化合物，而還可以使用無機化合物諸如氧化矽、氧氮化矽、氮化矽等。
在第一電極(陽極)413上層疊形成有EL層415及第二電極(陰極)416。在EL層415中至少設置有發光層，該發光層具有實施方式1中所說明的疊層結構。另外，在EL層415中，除了發光層之外，可以適當地設置電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、電荷產生層等。
另外，由第一電極(陽極)413、EL層415及第二電極(陰極)416的疊層結構形成發光元件417。作為用於第一電極(陽極)413、EL層415及第二電極(陰極)416的材料，可以使用實施方式1所示的材料。此外，雖然在此未圖示，但是第二電極(陰極)416與作為外部輸入端子的FPC408電連接。
此外，雖然在圖4B所示的剖面圖中僅示出一個發光元件417，但是，在像素部402中以矩陣形狀配置有多個發光元件。在像素部402中分別選擇性地形成能夠得到三種(R、G、B)發光的發光元件，以可以形成能夠進行全彩色顯示的發光裝置。此外，除了可以得到三種 (R、G、B)發光的發光元件以外，例如也可以形成能夠得到白色(W)、黃色(Y)、洋紅色(M)、青色(C)等的發光的發光元件。例如，藉由對能夠得到三種(R、G、B)發光的發光元件追加能夠得到上述多種發光的發光元件，可以獲得色純度的提高、耗電量的降低等的效果。此外，也可以藉由與濾色片組合來實現能夠進行全彩色顯示的發光裝置。
再者，藉由使用密封材料405將密封基板406和元件基板401貼合，在由元件基板401、密封基板406和密封材料405圍繞的空間418中設置有發光元件417。在空間418中除了填充有惰性氣體(如氮氣或氬氣等)的情況之外，還包括填充有密封材料405的情況。
較佳為將環氧類樹脂或玻璃粉用作密封材料405。此外，這些材料較佳的是儘量不使水分或氧透過的材料。此外，除了玻璃基板或石英基板之外，還可以使用由FRP(Fiber-Reinforced Plastics：纖維增強的塑膠)、PVF(polyvinyl fluoride：聚氟乙烯)、聚酯、丙烯酸等構成的塑膠基板作為用於密封基板406的材料。在作為密封材料使用玻璃粉的情況下，從黏合性的觀點來看，作為元件基板401及密封基板406較佳為使用玻璃基板。
如上所述，可以得到主動矩陣型發光裝置。
另外，本實施方式所示的結構可以適當地與其他實施方式所示的結構組合而使用。
實施方式5
在本實施方式中，參照圖5A至圖5D對使用應用本發明的一個方式的發光元件來製造的發光裝置的各種各樣的電子裝置的例子進行說明。
作為採用上述發光元件的電子裝置，例如可以舉出電視機(也稱為電視機或電視接收機)、用於電腦等的顯示器、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再生裝置、彈珠機等大型遊戲機等。圖5A至圖5D示出這些電子裝置的具體例子。
圖5A示出電視機的一個例子。在電視機7100中，外殼7101組裝有顯示部7103。由顯示部7103能夠顯示影像，並可以將發光裝置用於顯示部7103。此外，在此示出利用支架7105支撐外殼7101的結構。
可以藉由利用外殼7101所具備的操作開關、另外提供的遙控器7110進行電視機7100的操作。藉由利用遙控器7110所具備的操作鍵7109，可以進行頻道及音量的操作，並可以對在顯示部7103上顯示的影像進行操作。此外，也可以在遙控器7110中設置顯示從該遙控器7110輸出的資訊的顯示部7107。
注意，電視機7100採用具備接收機及數據機等的結構。藉由利用接收機可以接收一般的電視廣播。再者，藉由數據機連接到有線或無線方式的通信網路，可以進行單向(從發送者到接收者)或雙向(發送者和接收者 之間或接收者之間等)的資訊通信。
圖5B示出電腦的一例，該電腦包括主體7201、外殼7202、顯示部7203、鍵盤7204、外接埠7205、指向裝置7206等。此外，該電腦可以藉由將發光裝置用於其顯示部7203製造。
圖5C是智慧手錶，該智慧手錶包括外殼7302、顯示面板7304、操作按鈕7311、操作按鈕7312、連接端子7313、腕帶7321、錶帶扣7322等。
安裝在兼用作框架(bezel)的外殼7302中的顯示面板7304具有非矩形狀的顯示區域。顯示面板7304可以顯示表示時間的圖示7305以及其他圖示7306等。
另外，在圖5C所示的智慧手錶可以具有各種功能。例如，可以給出在顯示部分上顯示多種資訊(靜態影像、動態影像、文本影像等)的功能，觸控面板功能，顯示日曆、日期、時間等的功能，以多種軟體(程式)來控制處理的功能，無線通訊功能，以無線通訊功能與多種電腦網路連接的功能，以無線通訊功能發送及接收多種資料的功能，以及讀取儲存於儲存介質內的程式或資料並且將該程式或資料顯示於顯示部分上的功能等。
此外，在外殼7302內部可以具有揚聲器、感測器(包括測量如下因素的功能：力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉動數、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外 線)、麥克風等。另外，智慧手錶可以藉由將發光裝置用於其顯示面板7304製造。
圖5D示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400在外殼7401中具備顯示部7402、麥克風7406、揚聲器7405、影像拍攝裝置7407、外部連接部7404、操作按鈕7403等。另外，在將根據本發明的一個方式的發光元件形成在具有撓性的基板上時，可以將該發光元件應用於具有如圖5D所示的具有曲面的顯示部7402中。
圖5D所示的行動電話機7400可以用手指等觸摸顯示部7402來輸入資訊。另外，可以用手指等觸摸顯示部7402來進行打電話或製作電子郵件等的操作。
顯示部7402主要有三種螢幕模式。第一是以影像的顯示為主的顯示模式，第二是以文字等的資訊的輸入為主的輸入模式，第三是混合顯示模式和輸入模式的兩個模式的顯示+輸入模式。
例如，在打電話或編寫電子郵件的情況下，將顯示部7402設定為以文字輸入為主的文字輸入模式，並進行顯示在螢幕上的文字的輸入操作，即可。在此情況下，較佳的是，在顯示部7402的畫面的大多部分中顯示鍵盤或號碼按鈕。
另外，藉由在行動電話機7400內部設置具有陀螺儀和加速度感測器等檢測傾斜度的感測器的檢測裝置，判斷行動電話機7400的方向(縱向或橫向)，而可以對顯示部7402的螢幕顯示進行自動切換。
藉由觸摸顯示部7402或對外殼7401的操作按鈕7403進行操作，切換螢幕模式。或者，可以根據顯示在顯示部7402上的影像的類型而切換螢幕模式。例如，當顯示在顯示部上的影像信號為運動影像的資料時，將螢幕模式切換成顯示模式，而當顯示在顯示部上的影像信號為文字資料時，將螢幕模式切換成輸入模式。
另外，當在輸入模式下藉由檢測出顯示部7402的光感測器所檢測的信號得知在一定期間內沒有顯示部7402的觸摸操作輸入時，也可以進行控制以將畫面模式從輸入模式切換成顯示模式。
還可以將顯示部7402用作影像感測器。例如，藉由用手掌或手指觸摸顯示部7402，來拍攝掌紋、指紋等，而可以進行個人識別。另外，藉由將發出近紅外光的背光或發出近紅外光的感測用光源用於顯示部，還可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。
藉由上述步驟，可以應用包括本發明的一個方式的發光元件的發光裝置而得到電子裝置。注意，可以應用的電子裝置不侷限於本實施方式所示的電子裝置，而可以應用於所有領域的電子裝置。
注意，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而使用。
實施方式6
在本實施方式中，參照圖6說明應用包括本發明的一 個方式的發光元件的發光裝置的照明裝置的一個例子。
圖6是將發光裝置用於室內照明裝置8001的例子。另外，因為發光裝置可以實現大面積化，所以也可以形成大面積的照明裝置。此外，也可以藉由使用具有曲面的外殼來形成發光區域具有曲面的照明裝置8002。包括在本實施方式所示的發光裝置中的發光元件為薄膜狀，所以外殼的設計的彈性高。因此，可以形成能夠對應各種設計的照明裝置。再者，室內的牆面也可以設置有大型的照明裝置8003。
另外，藉由將發光裝置用於桌子的表面，可以提供具有桌子的功能的照明裝置8004。此外，藉由將發光裝置用於其他家具的一部分，可以提供具有家具的功能的照明裝置。
如上所述，可以得到應用發光裝置的各種各樣的照明裝置。另外，這種照明裝置包括在本發明的一個方式中。
本實施方式所示的結構能夠適當地與其它實施方式中的任何結構結合起來使用。
實施例1
在本實施例中，製造本發明的一個方式的發光元件1，並且為了與發光元件1進行比較，製造對比發光元件2。參照圖7A對發光元件1進行說明，並且參照圖7B對對比發光元件2進行說明。但是，對共同符號進 行一併說明。另外，下面示出本實施例所使用的材料的化學式。
《製造發光元件1及對比發光元件2》
首先，在玻璃基板700上藉由濺射法形成包含氧化矽的銦錫氧化物(ITSO)，由此形成用作陽極的第一電極701。另外，將其厚度設定為110nm，且將其電極面積設定為2mm×2mm。
接著，作為用來在基板700上形成發光元件1及對比發光元件2的預處理，使用水對基板表面進行洗滌，並以200℃進行1小時的焙燒，然後進行370秒的UV臭氧處理。
然後，將基板放入到其內部被減壓到10-4Pa左右的真空蒸鍍裝置中，並在真空蒸鍍裝置內的加熱室中，以170℃進行60分鐘的真空焙燒，然後對基板700 進行30分鐘左右的冷卻。
接著，以將形成有第一電極701的面朝下方的方式將基板700固定於設置在真空蒸鍍裝置內的支架上。在本實施例中，說明藉由真空蒸鍍法依次形成構成EL層703的電洞注入層704、電洞傳輸層705、發光層706、電子傳輸層707及電子注入層708的情況。
在將真空蒸鍍裝置內減壓到10-4Pa後，將1,3,5-三(二苯并噻吩-4-基)-苯(簡稱：DBT3P-II)和氧化鉬以DBT3P-II(簡稱)：氧化鉬=1：0.5(質量比)的比例共蒸鍍，由此在第一電極701上形成電洞注入層704。將其厚度設定為33nm。注意，共蒸鍍是指使多個不同的物質分別從不同的蒸發源同時蒸發的蒸鍍法。
接著，以厚度為20nm的方式蒸鍍4-苯基-4’-(9-苯基茀-9-基)三苯基胺(簡稱：BPAFLP)來形成電洞傳輸層705。
接著，在電洞傳輸層705上形成發光層706。
在發光元件1中，如圖7A所示發光層706具有由第一發光層706a、第二發光層706b及第三發光層706c的三層構成的疊層結構。
第一發光層706a藉由將2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)聯苯-3-基]二苯并[f，h]喹啉(簡稱：2mDBTBPDBq-II)、N-(1,1’-聯苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9,9-二甲基-9H-茀-2-胺(簡稱：PCBBiF)及(乙醯丙酮根)雙(6-三級丁基-4-苯基嘧啶根) 銥(III)(簡稱：[Ir(tBuppm)2(acac)])以2mDBTBPDBq-II(簡稱)：PCBBiF(簡稱)：[Ir(tBuppm)2(acac)](簡稱)=0.8：0.2：0.06(質量比)的比例共蒸鍍來形成，並且其厚度為20nm。
第二發光層706b藉由將2mDBTBPDBq-II(簡稱)、PCBBiF(簡稱)及雙{4,6-二甲基-2-[5-(2,6-二甲基苯基)-3-(3,5-二甲基苯基)-2-吡嗪基-κN]苯基-κC}(2,4-戊二酮根-κ2O,O’)銥(III)(簡稱：[Ir(dmdppr-dmp)2(acac)])以2mDBTBPDBq-II(簡稱)：PCBBiF(簡稱)：[Ir(dmdppr-dmp)2(acac)](簡稱)=0.9：0.1：0.06(質量比)的比例共蒸鍍來形成，並且其厚度為10nm。
第三發光層706c藉由以2mDBTBPDBq-II(簡稱)：PCBBiF(簡稱)：[Ir(tBuppm)2(acac)](簡稱)=0.8：0.2：0.06(質量比)的比例共蒸鍍來形成，並且其厚度為10nm。
另一方面，在對比發光元件2中，如圖7B所示發光層706具有由第一發光層706a’、第二發光層706b’的兩層構成的疊層結構。
第一發光層706a’藉由以2mDBTBPDBq-II(簡稱)：PCBBiF(簡稱)：[Ir(tBuppm)2(acac)](簡稱)=0.8：0.2：0.06(質量比)的比例共蒸鍍來形成，並且其厚度為20nm。
第二發光層706b’藉由以2mDBTBPDBq-II (簡稱)：[Ir(dmdppr-dmp)2(acac)](簡稱)=1：0.06(質量比)的比例共蒸鍍來形成，並且其厚度為20nm。
接下來，在發光層706上形成電子傳輸層707。
在發光元件1中，在以厚度為30nm的方式蒸鍍2mDBTBPDBq-II(簡稱)之後，以厚度為15nm的方式蒸鍍紅啡啉(簡稱：Bphen)，來形成電子傳輸層707。
在對比發光元件2中，在以厚度為35nm的方式蒸鍍2mDBTBPDBq-II(簡稱)之後，以厚度為15nm的方式蒸鍍紅啡啉(簡稱：Bphen)，來形成電子傳輸層707。
接著，在電子傳輸層707上以厚度為1nm的方式蒸鍍氟化鋰來形成電子注入層708。
最後，在電子注入層708上以厚度為200nm的方式蒸鍍鋁膜來形成用作陰極的第二電極702，而得到發光元件1及對比發光元件2。此外，作為上述蒸鍍過程中的蒸鍍，都採用電阻加熱法。
表1示出藉由上述步驟得到的發光元件1及對比發光元件2的元件結構。
此外，在氮氛圍的手套箱中密封所製造的發光元件1及對比發光元件2，以使其不暴露於大氣(將密封材料塗佈在元件的周圍，並且在密封時照射6J/cm2的365nm的紫外光，並且以80℃進行1小時的熱處理)。
《發光元件1及對比發光元件2的工作特性》
對所製造的發光元件1及對比發光元件2的工作特性進行測定。注意，在室溫(保持為25℃的氛圍)下進行測定。
圖8示出發光元件1及對比發光元件2的亮度-電流效率特性。注意，在圖8中縱軸表示電流效率(cd/A)、橫軸表示亮度(cd/m2)。另外，圖9示出發光元件1及對比發光元件2的亮度-外部量子效率特性。在圖9中，縱軸表示外部量子效率(%)，橫軸表示亮度(cd/m2)。首先，圖10示出發光元件1及對比發光元件2的電壓-亮度特性。注意，在圖10中，縱軸表示亮度(cd/m2)，橫軸表示電壓(V)。
此外，下面的表2示出1000cd/m2附近的發光元件1及對比發光元件2的主要初期特性值。
根據上述結果，本實施例所製造的發光元件1及對比發光元件2都示出高外部量子效率，但是從電流效率的角度來看，與對比發光元件2相比，適用本發明的一個方式的元件結構的發光元件1示出更高的效率。
另外，圖11示出以2.5mA/cm2的電流密度使電流流過發光元件1及對比發光元件2時的驅動初期的發射光譜。如圖11所示，發光元件1及對比發光元件2的發射光譜都在548nm附近和615nm附近具有峰值，由此可知其來源於磷光有機金屬銥錯合物[Ir(dmdppr-dmp)2(acac)]及[Ir(tBuppm)2(acac)]的發光。但是可知與發光元件1相比，對比發光元件2的驅動初期的615nm附近的峰值更弱。
另外，圖12示出發光元件1及對比發光元件2的可靠性測試的結果。在圖12中，縱軸表示以初始亮度為100%時的正規化亮度(%)，橫軸表示元件的驅動 時間(h)。此外，在可靠性測試中，將初始亮度設定為5000cd/m2，並且在固定電流密度的條件下驅動發光元件1及對比發光元件2。由該結果可知，發光元件1的壽命比對比發光元件2的壽命長。
此外，對上述可靠性測試前後的發射光譜的變化進行測定。作為測定結果，將在開始可靠性測試時進行測定的結果設定為可靠性測試前的結果，並且將在初始亮度設定為5000cd/m2且固定電流密度的條件下進行1000小時的可靠性測試之後進行測定的結果設定為可靠性測試後的結果，並且圖13A示出發光元件1的測定結果，圖13B示出對比發光元件2的測定結果。
根據圖13A及圖13B得到如下結果：在發光元件1中，可靠性測試前後的作為548nm附近的峰值的減少和615nm附近的峰值的增加的總和的發射光譜整體的總變化量比對比發光元件2更小。就是說，在具有本發明的一個方式的元件結構的發光元件1中，即使在長時間驅動後也不容易發生其發光峰值的強度的變化。
注意，在本實施例中用於發光層的2mDBTBPDBq-II(簡稱)和PCBBiF(簡稱)為形成激態錯合物的組合。
實施例2
在本實施例中，作為本發明的一個方式的發光元件及用來與其比較的對比發光元件，分別製造發光元 件3、對比發光元件4、發光元件5及對比發光元件6。注意，關於詳細內容參照圖14A及圖14B進行說明。本實施例所示的發光元件具有組合實施方式2所說明的串聯型結構和實施方式3所說明的微腔結構的結構。另外，下面示出在本實施例中使用的材料的化學式。
《製造發光元件3、對比發光元件4、發光元件5及對比發光元件6》
關於本實施例所示的發光元件，在圖14A及圖14B中，在圖14A的左側示出發光元件3且在右側示出對比發光元件4，並且發光元件3及對比發光元件4都為呈現綠色發光的發光元件。另外，圖14B的左側示出發光元件5且在右側示出對比發光元件6，並且發光元件5及對比發光元件6都為呈現紅色發光的發光元件。注意，這些發光元件都具有從第二電極4003一側發射光的結構。
在圖14A示出的發光元件3及對比發光元件4中，僅第二EL層4002b中的發光層(4013b、4013b’) 的結構不同。此外，在圖14B示出的發光元件5及對比發光元件6中，僅第二EL層4002b中的發光層(4013b、4013b’)的結構不同。另外，圖14A所示的發光元件3及對比發光元件4受到光學調整以得到綠色發光，並且圖14B所示的發光元件5及對比發光元件6受到光學調整以得到紅色發光，因此圖14B所示的第一電極4101具有與圖14A所示的第一電極4001不同的結構。由此，對其他共同結構使用圖14A及圖14B所示的相同符號來進行說明。
首先，在玻璃基板4000上藉由濺射法以厚度為200nm的方式形成鋁(Al)、鎳(Ni)及鑭(La)的合金膜(Al-Ni-La)，然後藉由濺射法以厚度為6nm的方式形成Ti，並且藉由濺射法以厚度為40nm的方式形成包含氧化矽的包含氧化矽的銦錫氧化物(ITSO)。由此形成用作陽極的發光元件3及對比發光元件4的第一電極4001(圖14A)。關於發光元件5及對比發光元件6，在基板4000上藉由濺射法以厚度為200nm的方式形成鋁(Al)、鎳(Ni)及鑭(La)的合金膜(Al-Ni-La)，然後藉由濺射法以厚度為6nm的方式形成Ti，並且藉由濺射法以厚度為75nm的方式形成包含氧化矽的銦錫氧化物(ITSO)。由此形成用作陽極的第一電極4101。此時，形成的Ti的一部分或整體被氧化且包含氧化鈦。另外，電極面積為2mm×2mm。
接著，作為用來在基板4000上形成發光元件 3、對比發光元件4、發光元件5及對比發光元件6的預處理，使用水對基板表面進行洗滌，並以200℃進行1小時的焙燒，然後進行370秒的UV臭氧處理。
然後，將基板放入到其內部被減壓到10-4Pa左右的真空蒸鍍裝置中，並在真空蒸鍍裝置內的加熱室中，以170℃進行60分鐘的真空焙燒，然後對基板4000進行30分鐘左右的冷卻。
接著，以將形成有第一電極(4001、4101)的面朝下方的方式將基板4000固定於設置在真空蒸鍍裝置內的支架上。在本實施例中，藉由真空蒸鍍法依次形成構成第一EL層4002a的第一電洞注入層4011a、第一電洞傳輸層4012a、發光層(A)(4013a)、第一電子傳輸層4014a及第一電子注入層4015a。然後，形成電荷產生層4004，接著形成構成第二EL層4002b的第二電洞注入層4011b、第二電洞傳輸層4012b、發光層(B)(4013b、4013b’)、第二電子傳輸層(4014b、4014b’)及第二電子注入層4015b。
在將真空蒸鍍裝置內減壓到10-4Pa後，將9-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-苯基]-菲(簡稱：PcPPn)和氧化鉬以PcPPn(簡稱)：氧化鉬=1：0.5(質量比)的比例共蒸鍍，由此在第一電極(4001、4101)上形成第一電洞注入層4011a。共蒸鍍是指使多個不同的物質分別從不同的蒸發源同時蒸發的蒸鍍法。注意，關於第一電洞注入層4011a，在發光元件3中將其厚度設定為13.5nm，在對比 發光元件4中將其厚度設定為10nm，在發光元件5中將其厚度設定為21nm，並且在對比發光元件6中將其厚度設定為10nm。
接著，藉由蒸鍍PcPPn(簡稱)，形成第一電洞傳輸層4012a。另外，關於第一電洞傳輸層4012a，在發光元件3中將其厚度設定為10nm，在對比發光元件4中將其厚度設定為15nm，在發光元件5中將其厚度設定為10nm，並且在對比發光元件6中將其厚度設定為15nm。
接著，在第一電洞傳輸層4012a上形成發光層(A)4013a。將9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)、N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’-雙[3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]-芘-1，6-二胺(簡稱：1，6mMemFLPAPrn)以CzPA(簡稱)：1，6mMemFLPAPrn(簡稱)=1：0.05(質量比)的比例共蒸鍍，由此形成發光層(A)4013a。將其厚度設定為25nm。
接著，在發光層(A)4013a上以厚度為5nm的方式蒸鍍CzPA(簡稱)之後以厚度為15nm的方式蒸鍍紅啡啉(簡稱：BPhen)，來形成第一電子傳輸層4014a。接著，藉由在第一電子傳輸層4014a上以厚度為0.1nm的方式蒸鍍氧化鋰(Li2O)，來形成第一電子注入層4015a。
接著，藉由在第一電子注入層4015a上以厚度為2nm的方式蒸鍍銅酞青(簡稱：CuPc)，來形成電 荷產生層4004。
接著，在電荷產生層4004上將1,3,5-三(二苯并噻吩-4-基)-苯(簡稱：DBT3P-II)和氧化鉬以DBT3P-II(簡稱)：氧化鉬=1：0.5(質量比)的比例共蒸鍍，由此形成第二電洞注入層4011b。將其厚度設定為12.5nm。
接著，以厚度為20nm的方式蒸鍍BPAFLP(簡稱)，來形成第二電洞傳輸層4012b。
接著，在第二電洞傳輸層4012b上形成發光層(B)(4013b、4013b’)。
發光元件3及發光元件5(圖14A及圖14B中的左側所示的發光元件)所具有的發光層(B)4013b具有由第一發光層4013(b1)、第二發光層4013(b2)及第三發光層4013(b3)的三層構成的疊層結構。
第一發光層4013(b1)藉由將2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)聯苯-3-基]二苯并[f，h]喹啉(簡稱：2mDBTBPDBq-II)、N-(1,1’-聯苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9,9-二甲基-9H-茀-2-胺(簡稱：PCBBiF)及(乙醯丙酮根)雙(6-三級丁基-4-苯基嘧啶根)銥(III)(簡稱：[Ir(tBuppm)2(acac)])以2mDBTBPDBq-II(簡稱)：PCBBiF(簡稱)：[Ir(tBuppm)2(acac)](簡稱)=0.8：0.2：0.06(質量比)的比例共蒸鍍來形成，並且厚度為20nm。
第二發光層4013(b2)藉由將2mDBTBPDBq-II (簡稱)、PCBBiF(簡稱)及雙{4,6-二甲基-2-[5-(2,6-二甲基苯基)-3-(3，5-二甲基苯基)-2-吡嗪基-κN]苯基-κC}(2,4-戊二酮根-κ2O,O’)銥(III)(簡稱：[Ir(dmdppr-dmp)2(acac)])以2mDBTBPDBq-II(簡稱)：PCBBiF(簡稱)：[Ir(dmdppr-dmp)2(acac)](簡稱)=0.9：0.1：0.06(質量比)的比例共蒸鍍來形成，並且厚度為10nm。
第三發光層4013(b3)藉由將2mDBTBPDBq-II(簡稱)、PCBBiF(簡稱)及[Ir(tBuppm)2(acac)]以2mDBTBPDBq-II(簡稱)：PCBBiF(簡稱)：[Ir(tBuppm)2(acac)](簡稱)=0.8：0.2：0.06(質量比)的比例共蒸鍍來形成，並且厚度為10nm。
另一方面，對比發光元件4及對比發光元件6(圖14A及圖14B中的右側所示的發光元件)所具有的發光層(B)4013b’具有由第一發光層4013(b1’)及第二發光層4013(b2’)的兩層構成的疊層結構。
第一發光層4013(b1’)藉由將2mDBTBPDBq-II(簡稱)、PCBBiF(簡稱)及[Ir(tBuppm)2(acac)](簡稱)以2mDBTBPDBq-II(簡稱)：PCBBiF(簡稱)：[Ir(tBuppm)2(acac)](簡稱)=0.8：0.2：0.06(質量比)的比例共蒸鍍來形成，並且厚度為20nm。
第二發光層4013(b2’)藉由將2mDBTBPDBq-II(簡稱)、[Ir(dmdppr-dmp)2(acac)](簡稱)以2mDBTBPDBq-II(簡稱)：[Ir(dmdppr-dmp)2(acac)](簡 稱)=1：0.06(質量比)的比例共蒸鍍來形成，並且厚度為20nm。
接著，在發光層(B)(4013b、4013b’)上形成第二電子傳輸層(4014b、4014b’)。
發光元件3及發光元件5(圖14A及圖14B中的左側所示的發光元件)所具有的第二電子傳輸層4014b在蒸鍍30nm的2mDBTPDBq-II(簡稱)之後，蒸鍍15nm的Bphen(簡稱)來形成。此外，對比發光元件4及對比發光元件6(圖14A及圖14B中的右側所示的發光元件)所具有的第二電子傳輸層4014b’在蒸鍍35nm的2mDBTPDBq-II(簡稱)之後，以厚度為15nm的方式蒸鍍Bphen(簡稱)來形成。
在第二電子傳輸層(4014b、4014b’)上以厚度為1nm的方式蒸鍍氟化鋰(LiF)，來形成第二電子注入層4015b。
最後，在第二電子注入層4015b上形成用作陰極的第二電極4003。在以厚度為15nm的方式將銀(Ag)和鎂(Mg)以1：0.1(質量比)共蒸鍍之後，藉由濺射法以厚度為70nm的方式形成銦錫氧化物(ITO)來得到第二電極4003。此外，作為上述蒸鍍過程中的蒸鍍，都採用電阻加熱法。
在表3中示出藉由上述得到的發光元件3、對比發光元件4、發光元件5及對比發光元件6的元件結構。
另外，如表3所示，在發光元件3及對比發光元件4的反基板上形成綠色的著色層(G)，在發光元件5及對比發光元件6的反基板上形成紅色的著色層(R)，並且在氮氛圍的手套箱中，將藉由上述步驟製造的發光元件3、對比發光元件4、發光元件5及對比發光元件6與它們的反基板貼合來密封(將密封材料塗佈在元件的周圍，並且在密封時照射6J/cm2的365nm的紫外光，並且以80℃進行1小時的熱處理)，以使其不暴露於大氣。
《發光元件3、對比發光元件4、發光元件5及對比發光元件6的工作特性》
對所製造的每個發光元件的工作特性進行測定。注意，在室溫(保持為25℃的氛圍)下進行測定。另外，對下面所示的圖15中的凡例中的元件標號，若是綠色發光的發光元件則標記為(G)，並且若是紅色發光的發光元件則標記為(R)，以便能夠判別每個發光元件的發光顏色。再者，這個記載也可以適用於圖17中。
首先，圖15示出發光元件3、對比發光元件4、發光元件5及對比發光元件6的亮度-電流效率特性。注意，在圖15中縱軸表示電流效率(cd/A)、橫軸表示亮度(cd/m2)。首先，圖16示出發光元件3、對比發光元件4、發光元件5及對比發光元件6的電壓-亮度特性。注意，在圖16中，縱軸表示亮度(cd/m2)，橫軸表示電 壓(V)。
此外，下面的表4示出1000cd/m2附近的發光元件3、對比發光元件4、發光元件5及對比發光元件6的主要初期特性值。
根據上述結果，可知本實施例中所製造的發光元件3及對比發光元件4呈現綠色(G)，發光元件5及對比發光元件6呈現紅色(R)，如此呈現明顯不同的發光。因此，可知藉由將這些發光元件適當地組合而使用，可以實現全彩色化。
此外，圖17示出以2.5mA/cm2的電流密度使電流流過發光元件3、對比發光元件4、發光元件5及對比發光元件6時的發射光譜。如圖17所示，發光元件3及對比發光元件4的發射光譜在536nm附近具有峰值，並且發光元件5及對比發光元件6的發射光譜在616nm附近具有峰值。每個發光元件的峰值都來源於包含在各發 光層中的磷光有機金屬銥錯合物的發光。
在呈現綠色發光的發光元件3和對比發光元件4的比較中，雖然在圖15中發光元件3(G)的電流效率高於對比發光元件4(G)，但是圖17所示的發光元件3(G)的發射光譜的峰值更近於550nm，即視亮度更高的波長，由此可以估計在色度相同的條件下電流效率為大約相等。與此同樣，在呈現紅色發光的發光元件5和對比發光元件6的比較中，雖然在圖15中發光元件5(R)的電流效率低於對比發光元件6(R)，但是在圖17所示的發光元件5(R)的發射光譜中光譜被觀察在視亮度低的長波長一側，因此可以估計若在最合適的光程長的條件下電流效率則為相等。因此可以說發光元件3及發光元件5為具有與對比發光元件4及對比發光元件6相等的初期特性的元件。
另外，圖18示出發光元件3、對比發光元件4、發光元件5及對比發光元件6的可靠性測試的結果。在圖18中，縱軸表示初始亮度為100%時的正規化亮度(%)，橫軸表示元件的驅動時間(h)。另外，在如下條件下驅動每個發光元件來進行可靠性測試：將發光元件3及對比發光元件4的初始亮度設定為1667cd/m2，將發光元件5及對比發光元件6的初始亮度設定為655cd/m2，並且將電流密度固定。根據其結果可知，藉由如發光元件3及發光元件5那樣作為發光層(B)採用三層的疊層結構，在呈現綠色發光的發光元件3中，與呈現同樣的綠色 發光的對比發光元件4相比，能夠抑制驅動初期的急劇的亮度下降。此外可知，在呈現紅色發光的發光元件5中，與呈現同樣的紅色發光的對比發光元件6相比，能夠抑制驅動初期的亮度上升。
注意，在本實施例中用於發光元件3及發光元件5的發光層(B)4013b的2mDBTBPDBq-II(簡稱)和PCBBiF(簡稱)為形成激態錯合物的組合。
實施例3
本實施例示出適用本發明的一個方式的發光元件來製造的主動矩陣型3.4英寸顯示器。該主動矩陣型3.4英寸顯示器具有與實施例2所示的發光元件3及發光元件5的發光層相同的結構。
注意，在該主動矩陣型3.4英寸顯示器的驅動電路部中使用適用氧化物半導體的FET。
下面表5示出所製造的主動矩陣型3.4英寸顯示器的主要規格及特性。
另外，圖19示出對使該顯示器以300[cd/m2]的白色(D65附近的色度)發光且進行連續驅動時的隨時間的色度變化進行測定的結果。根據其結果可知，適用與實施例2所示的發光元件3及發光元件5相同的結構的主動矩陣型3.4英寸顯示器是與發光元件3及發光元件5同樣隨時間的色度變化小的顯示器。
實施例4
在本實施例中示出分別製造與實施例2中所使用的發光元件3相同的結構的發光元件3及與發光元件5相同的結構的發光元件5，並且藉由深度方向的ToF-SIMS(飛行時間二次離子質譜分析法)進行分析的結果。使用TOF.SIMS5(ION-TOF公司製造)，作為一次離子源使用1E12(ions/cm2)以下的Bi，且以正模式進行分析。注意，對去除了第二電極(陰極)的每個發光元件，作為濺 射離子源使用GCIB(Ar簇)，從第二電極一側向第一電極方向挖掘來進行分析。
〈深度方向的ToF-SIMS〉
圖20A及圖20B示出利用ToF-SIMS對發光元件3的發光層(B)附近至第二電子傳輸層附近進行分析的結果。此外，圖21A及圖21B示出發光元件5。在每個圖中，縱軸表示正規化的二次離子強度，橫軸表示深度，並且0循環表示開始切削。因此，在此情況下，0循環表示陰極一側的第二電子注入層附近。注意，同一個元件的(A)和(B)的橫軸的刻度相等。在這些圖式中，圖20A及圖21A表示m/z=615、m/z=714、m/z=976、m/z=1074的二次離子強度。此外，圖20B及圖21B表示m/z=565及m/z=678的二次離子強度。
根據圖20A及圖21A可知m/z=615、m/z=714、m/z=976、m/z=1074分別表示相同的分佈。因此，可以估計m/z=714是主要來源於[Ir(tBuppm)2(acac)]的質量電荷比，m/z=615是主要來源於該[Ir(tBuppm)2(acac)]的脫離乙醯丙酮基的子離子的質量電荷比，m/z=1074是主要來源於[Ir(dmdppr-dmp)2(acac)]的質量電荷比，m/z=976是主要來源於乙醯丙酮基從該[Ir(dmdppr-dmp)2(acac)]脫離而成的子離子的質量電荷比。另外，m/z=384及m/z=599也表示與m/z=714同樣的分佈，由此可以估計主要檢測出來源於[Ir(tBuppm)2(acac)]的 子離子的質量電荷比。另外，m/z=976也表示與m/z=1074同樣的分佈，由此可以估計檢測出主要來源於[Ir(dmdppr-dmp)2(acac)]的子離子的質量電荷比。
此外，根據圖20B及圖21B的分佈及質量電荷比，可以估計m/z=565是主要來源於2mDBTBPDBq-II的質量電荷比，並且m/z=678是主要來源於PCBBiF的子離子的質量電荷比。除此之外，m/z=176及m/z=201也表示與m/z=565同樣的分佈，由此可以估計檢測出m/z=176及m/z=201的主要來源於2mDBTBPDBq-II的子離子的質量電荷比。
此外，在發光元件3的分析結果的圖20A中確認到來源於[Ir(tBuppm)2(acac)]的離子具有兩個峰值，在該峰值之間有來源於[Ir(dmdppr-dmp)2(acac)]的峰值。在表示發光元件5的分析結果的圖21A中，確認到與來源於[Ir(tBuppm)2(acac)]的峰值相鄰有來源於[Ir(dmdppr-dmp)2(acac)]的峰值。由此，即使是10nm至20nm的薄膜，也可以利用ToF-SIMS的分析法確認到該膜的分佈。
根據圖20A及圖20B、圖21A及圖21B，可知藉由ToF-SIMS能夠檢測出包含於元件結構的離子。此外，關於其他層(第一電洞注入層至第二電洞傳輸層)，也以疊層順序得到包含於疊層膜中的物質的離子的分佈，因此可知利用ToF-SIMS可以分析。
<發光層的ToF-SIMS>
接著，對發光元件3的發光層(B)4013b的第三發光層(4013(b3))附近、第二發光層(4013(b2))附近及第一發光層(4013(b1))附近分別進行測定，而在圖22A中示出發光元件3的發光層(B)4013b的第三發光層(4013(b3))附近的測定結果，在圖22B中示出第二發光層(4013(b2))附近的測定結果，並且在圖22C中示出第一發光層(4013(b1))附近的測定結果。注意，圖22A對應於圖20A及圖20B中的37循環至38循環，圖22B對應於圖20A及圖20B中的46循環至47循環，並且圖22C對應於圖20A及圖20B中的58循環至59循環部分的積分檢測的強度。另外，圖22A至圖22C中的縱軸表示二次離子強度，橫軸表示質量電荷比。
在圖23A中示出發光元件5的發光層(B)4013b的第二發光層(4013(b2))及第三發光層(4013(b3))附近的利用ToF-SIMS的測定結果，在圖23B中示出發光元件5的發光層(B)4013b的第一發光層(4013(b1))附近的利用ToF-SIMS的測定結果。注意，圖23A對應於圖21A及圖21B中45循環至46循環，圖23B對應於圖21A及圖21B中63循環至64循環的積分檢測的強度。另外，圖23A及圖23B中的縱軸表示二次離子強度，橫軸表示質量電荷比。
注意，在圖22A、圖22C及圖23B中，檢測出來源於[Ir(tBuppm)2(acac)]的m/z=714、m/z=615 及m/z=599，並且檢測出來源於PCBBiF的m/z=678。另外，在圖22B及圖23A中，檢測出來源於[Ir(dmdppr-dmp)2(acac)]的m/z=1074及m/z=976。
<單膜的ToF-SIMS>
接著，藉由蒸鍍法製造包含於發光元件3的發光層(B)4013b的第一發光層4013(b1)及第三發光層(4013(b3))的[Ir(tBuppm)2(acac)]的單膜，並且進行利用ToF-SIMS的測定。圖24示出其測定結果。另外，圖24中的縱軸表示二次離子強度，橫軸表示質量電荷比。
根據圖24可知以與圖22A、圖22C及圖23B同樣的分佈峰值圖案檢測出來源於[Ir(tBuppm)2(acac)]的峰值的m/z=714、m/z=615及m/z=599。
另外，必須注意的是在混合膜具有與其他材料的離子相同的質量電荷比的情況下，由於峰值的重疊而導致強度比的變化。
根據上述ToF-SIMS的分析結果可知關於包含於發光元件中的物質，可以與單膜同樣精度高地檢測出離子分子。另外可知，藉由ToF-SIMS分析可以檢測出樣本中的比率少的物質及膜厚薄的樣本中的離子分子。
此外，可知在使用作為發光層中的摻雜物一般使用的錯合物的情況下，能夠精度高地檢測出具有從該錯合物離開一個配體的結構的子離子(質量電荷比：(P) /z)。在(式1)中示出能夠得到的質量電荷比。注意，(式1)中的(C)表示錯合物分子的精密質量，(L)表示取代的配體的精密質量。注意，包括±2以內的(P)/z。
(P)/z=(C)-(L) (式1)
另外，關於包含於錯合物中的配體，可以舉出如下面所示的結構(結構式(100至111、120至126、130至186))。
另外，在結構式(100)所示的配體(乙醯丙酮(簡稱：acac))從錯合物離開的情況下，容易檢測出表示從錯合物的精密質量減99的質量電荷比的子離子。例如，在錯合物是[Ir(tBuppm)2(acac)]的情況下，因為其質量密度為714，所以檢測出從714減99的m/z=615的子離子。另外，在錯合物是[Ir(dmdppr-dmp)2(acac)]的情況下，因為其精密質量為1074，所以檢測出從1074減99的m/z=975的子離子。
因此可知，容易檢測出從錯合物離開上述結構式(100)至結構式(111)、結構式(120)至結構式 (126)所示的配體等的螯合配體的子離子。就是說，可知與金屬形成共同鍵合的配體相比，離開螯合配體的子離子更容易被檢測出。
此外，在鍵合有多個相同配體的三配合體中，檢測出下面(式2)所示的質量電荷比。但是，(M)表示中心金屬的精密質量，n表示配體的個數。注意，包括±2以內的(P)/z。
(P)/z=《(C)-(M)}/n+(M) (式2)
作為中心金屬可以舉出銥、鉑、銀、銅、鋁、釕、鈷、鐵、鎵、鉿、鋰、鎳、錫、鈦、釩及鋅等。
由此，藉由同時進行深度方向的SIMS分析，更容易分析錯合物、氧化鉬、鋰、鋰化合物等無機化合物，所以它們是較佳的。

Claims (12)

  1. 一種發光裝置，包括：第一電極；在該第一電極上且包含第一發光材料及第一有機化合物的第一發光層；在該第一發光層上且與其接觸並且包含第二發光材料及第二有機化合物的第二發光層；在該第二發光層上且與其接觸並且包含該第一發光材料及第三有機化合物的第三發光層；以及在該第三發光層上的第二電極，其中：該第一發光材料及該第二發光材料彼此相異，該第一發光層及該第三發光層顯示第一發射，並且，來自該第二發光層的第二發射的發射峰的波長比該第一發射長。
  2. 一種發光裝置，包括：第一電極；在該第一電極上且包含第一發光材料的第一發光層；在該第一發光層上且包含第二發光材料的第二發光層；在該第二發光層上且包含第三發光材料的第三發光層；以及在該第三發光層上的第二電極，其中：該第一發光層及該第三發光層顯示綠光，該第二發光層顯示紅光，並且，該第一發光層、該第二發光層、以及該第三發光層都包括會形成激態錯合物的第一有機化合物和第二有機化合物。
  3. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第一發光材料及該第二發光材料係個別為發射螢光的物質、發射磷光的物質、及熱活化延遲螢光材料之任一者。
  4. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中：該第一發光層包含會形成激態錯合物的該第一有機化合物及第四有機化合物，該第二發光層包含會形成激態錯合物的該第二有機化合物及第五有機化合物，並且該第三發光層包含會形成激態錯合物的該第三有機化合物及第六有機化合物。
  5. 根據申請專利範圍第4項之發光裝置，其中：該第一有機化合物、該第二有機化合物、及該第三有機化合物都具有電洞傳輸性質，並且，該第四有機化合物、該第五有機化合物、及該第六有機化合物都具有電子傳輸性質。
  6. 根據申請專利範圍第4項之發光裝置，其中，該第一發射和該第二發射中的至少一個為磷光。
  7. 根據申請專利範圍第5項之發光裝置，其中，該第一發射為綠光，並且，該第二發射為紅光。
  8. 根據申請專利範圍第4項之發光裝置，其中：該第一有機化合物、該第二有機化合物、及該第三有機化合物彼此相同；並且，該第四有機化合物、該第五有機化合物、及該第六有機化合物彼此相同。
  9. 根據申請專利範圍第2項之發光裝置，其中：該第一有機化合物具有電洞傳輸性質，並且，該第二有機化合物具有電子傳輸性質。
  10. 根據申請專利範圍第2項之發光裝置，其中該綠光及該紅光中的至少一者為磷光。
  11. 一種包括根據申請專利範圍第1或2項之發光裝置的電子裝置。
  12. 一種包括根據申請專利範圍第1或2項之發光裝置的照明裝置。
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230054771A (ko) * 2013-12-02 2023-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
CN105981477B (zh) 2014-02-21 2019-03-15 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置
TWI690534B (zh) 2014-08-08 2020-04-11 愛爾蘭商Ｕｄｃ愛爾蘭責任有限公司 電致發光咪唑并喹噁啉碳烯金屬錯合物
WO2016020801A1 (en) 2014-08-08 2016-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR102353647B1 (ko) 2014-08-29 2022-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR102409803B1 (ko) 2014-10-10 2022-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US9627650B2 (en) * 2014-10-24 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Multiple light-emitting element device each with varying wavelength
JPWO2016076187A1 (ja) * 2014-11-14 2017-08-24 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP3229559A4 (en) * 2014-12-04 2018-05-16 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescence element
US11145837B2 (en) * 2014-12-17 2021-10-12 Universal Display Corporation Color stable organic light emitting diode stack
US10510973B2 (en) * 2014-12-17 2019-12-17 Universal Display Corporation Color-stable organic light emitting diode stack
CN104466023B (zh) * 2014-12-24 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 层叠式有机发光二极体及其制备方法和显示装置
TWI737594B (zh) * 2015-03-09 2021-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，顯示裝置，電子裝置，與照明裝置
TWI749726B (zh) * 2015-03-09 2021-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示裝置、電子裝置及照明設備
CN104795507B (zh) * 2015-04-16 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制造方法、电子设备
TWI757234B (zh) * 2015-05-21 2022-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置
KR102379123B1 (ko) 2015-08-27 2022-03-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이를 적용한 차량용 조명장치
KR102357869B1 (ko) * 2015-09-11 2022-01-28 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이를 적용한 차량용 조명장치
KR20170074170A (ko) 2015-12-21 2017-06-29 유디씨 아일랜드 리미티드 삼각형 리간드를 갖는 전이 금속 착체 및 ｏｌｅｄ에서의 이의 용도
CN105470285B (zh) * 2016-01-05 2018-10-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
KR102503845B1 (ko) 2016-04-20 2023-02-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광소자 및 이를 포함하는 유기발광 표시패널
US9911937B2 (en) 2016-05-12 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR102570396B1 (ko) * 2016-08-12 2023-08-24 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101744248B1 (ko) * 2016-09-06 2017-06-07 주식회사 엘지화학 유기발광 소자
WO2018100476A1 (en) * 2016-11-30 2018-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
CN107146806B (zh) * 2017-05-12 2021-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及oled显示装置
US10770673B2 (en) 2017-11-28 2020-09-08 The Regents Of The University Of Michigan Highly reliable stacked white organic light emitting device
CN113166640A (zh) * 2018-12-10 2021-07-23 株式会社半导体能源研究所 发光器件、发光装置、电子设备及照明装置
KR20200085400A (ko) * 2019-01-04 2020-07-15 삼성디스플레이 주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR20200114862A (ko) * 2019-03-29 2020-10-07 삼성전자주식회사 발광 소자와 이를 포함한 표시 장치
KR20210073955A (ko) * 2019-12-11 2021-06-21 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR20210104220A (ko) * 2020-02-14 2021-08-25 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
CN111584732B (zh) * 2020-06-10 2022-06-28 太原理工大学 一种全激基发射的白光有机发光二极管
TWI750706B (zh) 2020-06-20 2021-12-21 丁逸聖 發光裝置、發光方法、光檢測裝置、光譜檢測方法及發光修正方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4032733B2 (ja) 2001-12-20 2008-01-16 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子
JP2004311231A (ja) * 2003-04-08 2004-11-04 Denso Corp 有機ｅｌ素子
TW200541401A (en) 2004-02-13 2005-12-16 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent device
JP4408382B2 (ja) * 2004-03-18 2010-02-03 株式会社 日立ディスプレイズ 有機発光表示装置
JP4833748B2 (ja) * 2006-06-14 2011-12-07 パナソニック電工株式会社 有機発光素子
TWI524567B (zh) * 2007-09-27 2016-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，照明裝置，發光裝置，與電子裝置
KR100933747B1 (ko) * 2008-04-01 2009-12-24 단국대학교 산학협력단 유기 발광 소자
CN102217419A (zh) * 2008-09-05 2011-10-12 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子器件
KR100994118B1 (ko) * 2009-01-13 2010-11-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
TWI508621B (zh) * 2010-02-03 2015-11-11 Innolux Corp 影像顯示系統
JP2012113976A (ja) * 2010-11-25 2012-06-14 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌ素子
KR102095382B1 (ko) 2011-02-11 2020-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 표시 장치
US8957442B2 (en) 2011-02-11 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP5996876B2 (ja) 2011-02-11 2016-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子及び表示装置
DE202012013751U1 (de) * 2011-03-23 2021-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes Element
TWI532822B (zh) * 2011-04-29 2016-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 利用磷光之發光裝置，電子裝置及照明裝置
TWI663154B (zh) * 2011-08-25 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，發光裝置，電子裝置，照明裝置以及新穎有機化合物
US9309458B2 (en) * 2012-02-24 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Phosphorescent organometallic iridium complex, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP6007126B2 (ja) * 2012-02-29 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 フルオレン化合物、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
KR20200049908A (ko) * 2012-03-14 2020-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR102347025B1 (ko) 2012-03-14 2022-01-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
JP6076153B2 (ja) 2012-04-20 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置
US8916897B2 (en) 2012-05-31 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
KR102204794B1 (ko) 2012-08-10 2021-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기 및 조명 장치
KR102230139B1 (ko) 2013-05-17 2021-03-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 조명 장치, 발광 장치, 및 전자 기기
KR20230054771A (ko) 2013-12-02 2023-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치

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