JP6797895B2 - 共振駆動回路を用いた低電力sramビットセル - Google Patents
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Description
本出願は、2015年7月27日に出願された「共振駆動回路を用いた低電力SRAMビットセル(A Low Power SRAM Bitcell Using Resonant Drive Circuitry)」という名称の米国仮特許出願第62/282,215号に対する優先権の利益を主張するものであり、この文献の内容は引用により組み入れられる。
1.Jianping Hu他、「エネルギー効率の高いラインドライバを有する新規の低電力断熱SRAM(A Novel Low−Power Adiabatic SRAM with an Energy−Efficient Line Driver)」、通信、回路及びシステムに関する国際会議(International Conference on Communications, Circuits and Systems)、2004年6月、1151頁(以下、刊行物1)
2.Joohee Kim他、「エネルギー回収スタティックメモリ(Energy Recovering Static Memory)」、低電力電子回路及び設計に関する国際シンポジウム(International Symposium on Low Power Electronics and Design)、2002年8月、92頁
3.Jianping Hu他、「SRAMの低電力二重送信ゲート断熱論理回路及び設計(Low Power Dual Transmission Gate Adiabatic Logic Circuits and Design of SRAM)」、回路及びシステムに関する米国中西部シンポジウム(Midwestern Symposium on Circuits and Systems)、2004年、1〜565頁
4.Nestoras Tzartzanis他、「高速低電力スタティックRAM設計のためのエネルギー回収(Energy Recovery for the Design of High−Speed, Low−Power Static RAMs)」、低電力電子回路及び設計に関する国際シンポジウム(International Symposium on Low Power Electronics and Design)、1996年
5.Joohee Kim 他、国際公開第2003/088459号、名称「エネルギー回収を伴う低電力ドライバ(Low−Power Driver with Energy Recovery)」、2003年10月23日
(この場合、論理「1」は電圧「VDD」に対応すると仮定する。)ビット線BIT、BITn上の電圧が安定した後に、ワード線WORDがパルス化されることによってトランジスタMN0及びMN1がオンに切り替わる。この例では、いずれかの切り替えトランジスタMN0、MN1が「オン」状態の時のスイッチ抵抗を2000オームと仮定している。また、この例では、トランジスタMP2の「オン」スイッチ抵抗を10,000オーム、トランジスタMP3の「オン」スイッチ抵抗を20,000オームと仮定している。(トランジスタMN3及びMP2は、書き込みサイクルの開始時には「オフ」であり、オフ時にはそれぞれ約10,000,000,000オームの非常に大きな抵抗値を有する。)図3の初期ソース電流(I−Source)は、以下によって与えられる。
I−Source=VDD/(10K+2K)
VDDが1Vに等しい場合、I−Source=83.4uAである。セルの反対側のシンク電流(I−Sink)は、以下によって与えられる。
I−Sink=VDD/(20K+2K)
ここでも、VDDが1Vに等しい場合、I−Sink=45.4uAである。この例では、ビット線ドライバDRV、DRVnの出力抵抗を考慮しておらず、ここでは約ゼロオームと仮定している。通常はSRAMスイッチ及びインバータデバイスの抵抗の方がビット線ドライバの抵抗よりもはるかに大きいことを考慮すれば、これらは妥当な近似である。
図4に、本発明による、別個の読み取りビット線RBIT、RBITnと書き込みビット線WBIT、WBITnとを含む新規のSRAMセル10を示す。セル10は、読み取り動作及び書き込み動作を制御する別個の読み取りワード線RWD及び書き込みワード線WWDも含む。セル10にデータを書き込むことが望ましい時には、書き込みビット線WBIT、WBITn上に適切なデータを提供し、次に書き込みワード線WWDをパルス化して、ビット線WBIT、WBITnからスイッチS10、S11を介してセル10にデータをロードする。セル10の内容を読み取ることが望ましい時には、読み取りワード線RWDをパルス化して、セル10からスイッチS12、S13を介して読み取りビット線RBIT及びRBITnにデータをロードし、これによってセンス増幅器(図4には図示せず)を駆動する。分割された読み取り及び書き込みビット線に加えて、SRAMセル10内では、各インバータの出力リードから反対側のインバータの入力リードに抵抗器R1及びR2が結合される。抵抗器R1及びR2は、セル10が1つの状態から別の状態に遷移する際にシンク電流及びソース電流を制限する。
I−Source=(V2−V1)/(10K+1MEG+10K)
V2が1ボルトに等しく、V1が接地される場合、I−Sourceは980nAに等しい。セルの反対側のシンク電流(I−Sink)は、以下によって与えられる。
I−Sink=(V2−V1)/(20K+1MEG+10K)
ここでも、V2が1ボルトに等しく、V1が接地される場合、I−Sinkは972nAに等しい。理解できるように、これらのI−Source及びI−Sinkの値は、上述した先行技術のセル1の対応する値よりもはるかに小さい。従って、セル10の消費電力はセル1よりも少ない。
通常、本発明によるSRAMセルは、図7のアレイ20などのアレイに組み込まれる。アレイ20のセル10−11〜10−33は、SRAMセルの水平行及び垂直列で構成され、各列は、書き込みビット線の対及び読み取りビット線の対に関連する。例えば、SRAMセルの列COL−2は、書き込みビット線WBIT−2、WBITn−2、及び読み取りビット線RBIT−2、RBITn−2に関連する。書き込みビット線WBIT−2、WBITn−2は、上記の図4の線WBIT、WBITnがセル10に対して実行するのと同じ機能を列COL−2のセル10−12、10−22、10−32に対して実行する。同様に、読み取りビット線RBIT−2、RBITn−2は、図4の線RBIT、RBITnがセル10に対して実行するのと同じ機能を列COL−2内のセルに対して実行する。他の書き込みビット線WBIT−1、WBITn−1、WBIT−3、WBITn−3、並びに読み取りビット線RBIT−1、RBITn−1、RBIT−3、RBITn−3も、そのセルCOL−1、COL−3の関連する列に対して同じ機能を実行する。図7には、SRAMセルの3つの列と3つの行しか示していないが、他の実施形態では、(通常は3よりも多くの)他の数の行及び列が存在する。
本発明の1つの実施形態の新規の特徴によれば、共振回路40が、アレイ20(図8)の選択された書き込みビット線WBIT、WBITnを駆動する共振信号RSR(通常は正弦波)を供給する。ビット線の対内の書き込みビット線WBIT、WBITnのうちの選択された一方に共振信号RSRが付与されると、この選択された書き込みビット線上で2進1が通信されるのに対し、対内の他方の書き込みビット線WBITn、WBITに2進0に対応するDC電圧が付与されると2進0が通信される。これにより、本発明のこの実施形態に従って構成されたSRAMが消費する電力は、後述する理由によってさらに減少する。
1つのタイプの共振回路は、直列構成又は並列構成のインダクタ及びコンデンサを含む。図11及び図12に、インダクタ及びコンデンサを含み、それぞれバイポーラトランジスタ及びMOSトランジスタを用いた共振器の例45及び50を示す。当業では、LC共振回路が周知である。このような共振回路は、共振信号RSRを供給する回路40として使用することができる。いくつかの実施形態では、SRAM自体(及び他の関連する回路)の容量性負荷が適切な周波数でインダクタと共振するほど十分に大きい場合、図11のコンデンサC3を不要とすることができる。
(スイッチ抵抗及び他の寄生抵抗は、周波数を理想的なω0からオフセットする)。
この式中、「C」は、インダクタと並列の共振タンク回路(又は水晶回路)で見られる総実効容量を表し、回路40が結合された書き込みビット線の静電容量CWBIT、CWBITnを含む。
上述したように、データ信号DATA、並びにスイッチS20及びS20nは、共振信号RSRが2進0の電圧にある時に状態を変化させる。これにより、共振回路40によって駆動される負荷の電圧の不連続性が防がれる。スイッチS20及びS20nの状態を変化させて書き込みワード線WWD及びRWD上に信号を生成するのに適したタイミング制御は、複数の方法のうちのいずれかで生じることができる。例えば、1つの実施形態では、データ信号DATAが、信号RSRから導出された直交クロックを有する(すなわち、信号RSRがピーク値間の中間に存在する地点から90度だけ位相シフトしたクロックを有する)マイクロプロセッサ(図示せず)によって生成される。このような実施形態では、信号RSRが2進0の電圧にある時にマイクロプロセッサが信号DATAの状態を変化させ、これによって信号RSRが2進0の電圧にある時にスイッチS20及びS20nを切り替えさせる。
1つの実施形態では、SRAMアレイ20の回路が単一のレール電圧の組(例えば、0ボルトと2ボルト)を使用し、共振回路40が0ボルトと2ボルトとの間で振動する。しかしながら、他のレール電圧を使用することもでき、SRAM回路の異なる部分では異なるレール電圧を使用することができる。
本発明の別の実施形態は、1つの書き込みビット線WBITと1つのスイッチS10とを用いてSRAMセルに書き込みを行う(すなわち、スイッチS11及びビット線WBITnを使用しない)。この実施形態では、線WBITn上の信号とインバータINV2の出力信号との間に競合が存在しないので、抵抗器R2を含める必要がない。この実施形態では、上述したドライバDRV、DRVnなどの2進DC電圧ドライバを適用することができる。
R1、R2 抵抗器
S10〜S13 スイッチ
INV1、INV2 インバータ
RBIT 読み取りビット線
WBIT 書き込みビット線
RWD 読み取りワード線
WWD 書き込みワード線
Claims (18)
- 共振器出力リード上に共振出力信号を供給する共振回路と、
第1及び第2のデータ入力リード及び電力供給リードを含むSRAMセルと、
前記第1のデータ入力リード上の前記共振出力信号及び前記第2のデータ入力リード上の静的2進電圧を供給することによって前記SRAMセルに第1の値を記憶し、前記第2のデータ入力リード上の前記共振出力信号及び前記第1のデータ入力リード上の前記静的2進電圧を供給することによって前記SRAMセルに前記第1の値と反対の第2の値を記憶するための一組のスイッチと、
を備え、
前記共振出力信号及び前記静的2進電圧が前記第1及び第2のデータ入力リードへ付与された場合、前記SRAMセルは前記電力供給リード上のDC電圧を受ける、ことを特徴とする構造体。 - データ信号を受け取るための入力リードと、
第1及び第2のビット線と、
前記共振器出力リードを前記第1のビット線に結合するための第1のスイッチと、
前記共振器出力リードを前記第2のビット線に結合するための第2のスイッチと、
をさらに備え、
前記第1及び第2のスイッチは、前記データ信号の状態に応答して、前記共振器出力リードを前記第1または第2のビット線へ結合させるためのものである、
請求項1に記載の構造体。 - 前記共振出力信号の周波数は、前記共振回路の総負荷容量によって制御され、前記総負荷容量の少なくとも一部は、前記第1及び第2のビット線の少なくとも一方の静電容量を含み、前記総負荷容量は、前記共振器出力リードに接続された前記ビット線が変化した時に実質的に一定のままである、
請求項2に記載の構造体。 - 共振器出力リード上で共振出力信号を供給するための共振回路と、
第1及び第2のビット線と、
前記共振器出力リードを前記第1のビット線に結合するための第1のスイッチと、
前記共振器出力リードを前記第2のビット線に結合するための第2のスイッチと、
前記第1のビット線からSRAMセルへデータをロードするための第3のスイッチと、
前記第2のビット線から前記SRAMセルへデータをロードするための第4のスイッチと、
SRAMセルの列であって、前記SRAMセルの各々は電力供給リードと、第1のSRAMセルの入力リードを前記第1のビット線に結合するためのスイッチと、第2のSRAMセルの入力リードを前記第2のビット線に結合するためのスイッチとを有し、前記第1及び第2のビット線から前記SRAMセルのうちの選択された1つのSRAMセルにデータがロードされ、前記共振出力信号が前記SRAMセルに結合される場合、前記SRAMセルは前記電力供給リード上のDC電圧を受け取る、SRAMセルの列と、
をさらに備え、
前記第1及び第2のビット線は静電容量を示し、前記ビット線の少なくとも一方の静電容量は前記共振回路と協働して前記共振出力信号の周波数を定める、
ことを特徴とする構造体。 - 前記共振回路は水晶を含み、前記ビット線の少なくとも一方の前記静電容量は、前記水晶と協働して前記共振回路の周波数を定める、
請求項4に記載の構造体。 - 第1及び第2のデータ入力リード及び電力供給リードを有するSRAMセルを準備するステップと、
共振回路から前記第1の入力リードに共振信号を付与し、静的2進電圧を前記第2の入力リードに付与し、前記第1及び第2の入力リードから前記SRAMセルにデータをロードして、前記SRAMにおいて第1の値を記憶するステップと、
前記共振信号を前記第2の入力リードに、前記静的2進電圧を前記第1の入力リードに付与し、前記第1及び第2の入力リードから前記SRAMセルへデータをロードして、前記SRAMセルに前記第1の値とは反対の第2の値を記憶し、
前記共振信号及び静電2進電圧が前記SRAMセルのデータ入力リードへ付与される場合、DC電圧を前記電力供給リードへ付与する、ステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - SRAMセルのアレイを提供するステップであって、前記アレイは第1及び第2のビット線を含み、前記第1のビット線は静電容量を示し、前記SRAMセルは第1及び第2の入力リード及び電力供給リードを含む、提供するステップと、
データ信号を受け取るステップと、
共振回路から共振信号を提供するステップと、
前記データ信号に応答して、前記第1のビット線又は前記第2のビット線のいずれかに前記共振信号を付与するステップであって、前記共振信号を受け取るビット線の静電容量は前記共振回路と協調して前記共振信号の周波数を定める、付与するステップと、
前記第1のビット線を前記第1の入力リードに結合するステップと、
前記第2のビット線を前記第2の入力リードに結合するステップと、
前記ビット線が前記入力リードに結合される場合、DC電圧を前記電力供給リードに付与するステップと、
をさらに含む、ことを特徴とする方法。 - 前記共振回路はLC回路を含み、前記ビット線の前記静電容量は、前記共振信号を受け取るように結合された時に、前記LC回路と協働して前記共振信号の周波数を定める、
請求項7に記載の方法。 - 前記共振回路は水晶を含み、前記ビット線の前記静電容量は、前記共振信号を受け取るように結合された時に、前記水晶と協働して前記共振回路の周波数を定める、
請求項7に記載の方法。 - 共振器出力リード上に共振出力信号を供給する共振回路と、
データ入力リード及び電圧供給リードを含むSRAMセルであって、前記共振出力信号は第1の2進電圧として前記SRAMセルによって判断された第1の電圧と前記第1の2進電圧と反対の第2の2進電圧として前記SRAMセルによって判断された第2の電圧との間で共振する、SRAMセルと、
DC電圧が前記電圧供給リードに付与される間、前記共振器出力リードを前記データ入力リードに結合することによって前記SRAMセルにデータを記憶するスイッチと、
を備えることを特徴とする構造体。 - データ入力リード及び電力供給リードを有するSRAMセルを準備するステップと、
共振回路から前記データ入力リードに共振信号を付与するステップであって、前記共振信号は第1の2進電圧として前記SRAMセルによって判断された第1の電圧と前記第1の2進電圧と反対の第2の2進電圧として前記SRAMセルによって判断された第2の電圧との間で共振する、付与するステップと、
前記データ入力リードから前記SRAMセルにデータをロードすることによって、前記SRAMセルに第1の値を記憶するステップと、
前記共振信号が前記SRAMセルの前記データ入力リードへ付与される場合、DC電圧を前記電力供給リードへ付与するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 入力信号を受け取るためのデータ入力リードと、
共振器出力リード上に共振出力信号を供給する共振回路と、
第1及び第2のSRAMデータ入力リード及び電力供給リードを含むSRAMセルと、
前記SRAMセルへデータを供給するための第1及び第2のリードと、
前記第1のリードを前記第1のSRAMデータ入力リードへ結合するための第1のスイッチ及び前記第2のリード及び前記第2のSRAMデータ入力リードを結合するための第2のスイッチと、
前記入力信号が第1の状態であることに応答して、前記共振器出力リードを前記第1のリードに結合することによって前記SRAMセルに第1の値を記憶する第3のスイッチと、
前記入力信号が前記第1の状態と反対の第2の状態にあることに応答して、前記共振器出力リードを前記第2のリードへ結合することによって前記SRAMセルに前記第1の値と反対の第2の値を記憶するための第4のスイッチと、
を備え、
前記共振出力信号が2進電圧として前記SRAMセルによって判断された電圧であるときに状態を変更する前記入力信号に応答して、前記第1及び第2のスイッチが状態を変更し、DC電圧が前記SRAM電力供給リードへ付与される間、前記SRAMセルにデータが記憶される、
ことを特徴とする構造体。 - 第1及び第2のSRAMデータ入力リード及び電力供給リードを有するSRAMセルを準備するステップと、
データ入力線上の入力信号を受け取るステップと、
前記入力信号が第1の状態であることに応答して、共振回路から第1のビット線に共振信号を付与するステップと、
前記第1のビット線を前記第1のSRAMデータ入力リードへ結合し、前記第1のSRAMデータ入力リードから前記SRAMセルにデータをロードすることによって、前記SRAMセルに第1の値を記憶するステップと、
状態を変更する前記データ入力線上の前記入力信号に応答して前記共振信号を前記第1のビット線から分離し、前記共振信号を第2のビット線に結合するステップであって、前記分離することは、前記共振信号が2進電圧として前記SRAMセルによって判断された電圧であるときに実行されるステップと、
前記第2のビット線を前記第2のSRAMデータ入力リードへ結合し、データを前記第2のSRAMデータ入力リードから前記SRAMセルへロードすることによって、前記SRAMセルに前記第1の値とは反対の第2の値を記憶するステップと、
前記値を前記SRAMセルに記憶する間、DC電圧を前記電力供給リードに付与するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記共振回路はLC共振回路である、請求項4に記載の構造体。
- 前記静電容量は前記共振回路が共振できるようにする、請求項4、5及び14のいずれか1項に記載の構造体。
- 前記共振出力信号が2進電圧として前記SRAMセルによって判断された電圧であるか、その付近の電圧である場合、前記共振出力信号がまず前記SRAMセルに付与され、それから、前記共振出力信号が、前記2進電圧として前記SRAMセルによって判断された前記電圧であるか、その付近の電圧である場合、前記SRAMセルから分離される、
請求項1、2、3、4、5、10及び12のいずれか1項に記載の構造体。 - 前記静電容量は前記共振回路が共振できるようにする、請求項7、8及び9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記共振信号が2進電圧として前記SRAMセルによって判断された電圧であるか、その付近の電圧である場合、前記共振信号を前記SRAMセルに付与し、それから、前記共振信号が、前記2進電圧として前記SRAMセルによって判断された前記電圧であるか、その付近の電圧である場合、前記SRAMセルから分離するステップをさらに含む、
請求項6、7、9、11及び13のいずれか1項に記載の方法。
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