JP6794896B2 - 酸化ガリウム半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
20 半導体層
20a 第1の電極形成面
20b 第2の電極形成面
20c 側面
21 酸化ガリウム基板
22 エピタキシャル層
30 絶縁膜
30a 開口部
31 第1の部分
32 第2の部分
40 アノード電極
50 カソード電極
60 スリット
61 内壁
70 支持部材
80 保護部材
E1 第1のエッジ
E2 第2のエッジ
M1 エッチング用マスク
W 酸化ガリウムウェーハ
Claims (10)
- ドライエッチングにより酸化ガリウム基板の第1の電極形成面に複数のスリットを形成する工程と、
前記第1の電極形成面のうち前記複数のスリットに囲まれた領域に第1の電極を形成する工程と、
前記酸化ガリウム基板の前記第1の電極形成面の反対側に位置する下面を前記スリットに達するまで研磨することにより、前記酸化ガリウム基板を個片化する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記酸化ガリウム基板を個片化する前に、前記スリットの内壁に絶縁膜を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記スリットを形成する工程においては、深さ方向に幅が狭くなる順テーパー状のスリットを形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜を形成する工程は、前記第1の電極を形成する前に行い、
前記絶縁膜を形成する工程においては、前記第1の電極形成面及び前記スリットの内壁に前記絶縁膜を同時に形成し、
前記第1の電極を形成する工程においては、前記第1の電極の一部を前記第1の電極形成面に形成された前記絶縁膜上に形成することを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記酸化ガリウム基板を個片化した後、前記酸化ガリウム基板の前記第1の電極形成面の反対側に位置する第2の電極形成面に第2の電極を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 酸化ガリウムウェーハ上にエピタキシャル層を形成することによって前記酸化ガリウム基板を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の電極を形成する前に、前記スリットに保護部材を埋め込む工程をさらに備えることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化ガリウム基板を個片化する前に、前記酸化ガリウム基板の前記第1の電極形成面側に可撓性を有する支持部材を貼り付ける工程をさらに備え、
前記保護部材は、前記支持部材の一部からなることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の電極を形成する工程は、前記スリットをマスクで覆った状態で薄膜工法により行うことを特徴とする請求項5乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化ガリウム基板はβ−Ga2O3からなり、前記第1の電極形成面が(001)面であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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