JP6786372B2 - 配線基板、配線基板の製造方法 - Google Patents

配線基板、配線基板の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、配線基板、配線基板の製造方法に関する。
従来、絶縁層の表裏に形成された配線層と、表裏の配線層を互いに接続するビア配線とを有する配線基板が知られている。このような配線基板は、表裏両面に銅箔が接着された絶縁層にスルーホールを形成した後、スルーホールの内面及び銅箔の表面にシード層を形成し、そのシード層を電極とする電解銅めっき法によりシード層の表面に形成した銅めっき膜によりビア配線を形成する。その後、エッチングにより表裏両面の銅箔のパターニングを行い、配線基板が完成する(例えば、特許文献1参照)。
特開2006−278774号公報
ところで、配線基板において、配線の微細化が要求される。しかしながら、上記のような配線基板では、銅箔とシード層と銅めっき膜とからなる導電層の厚さ(膜厚)と厚さの不均一性により、微細な配線の形成が困難となるという問題がある。
本発明の一観点によれば、配線基板は、可撓性を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成された第1配線層と、前記絶縁基板の下面に形成された第2配線層と、前記第1配線層と前記絶縁基板と前記第2配線層とを貫通する貫通孔に形成され、前記第1配線層と前記第2配線層とに接続された貫通配線と、を有し、前記貫通配線は、めっき金属よりなり、前記貫通配線は、前記貫通孔の外周側に位置する前記第2配線層の下面に延在する突出部を有し、前記貫通配線の上面は、前記第1配線層の上面と面一である。
本発明の別の一観点によれば、配線基板の製造方法は、可撓性を有する絶縁基板と前記絶縁基板の上面に接続された第1金属箔と前記絶縁基板の下面に接続された第2金属箔とを有する積層板を用い、前記第2金属箔を被覆して開口部を有する第2のエッチングマスクを形成し、前記第2のエッチングマスクを用いて前記第2金属箔をパターニングして第2配線層を形成する工程と、前記第2のエッチングマスクを除去する工程と、前記第2配線層を覆うめっきマスクを形成する工程と、打ち抜き加工により前記第1金属箔と前記絶縁基板と前記第2配線層とを貫通する貫通孔を形成する工程と、前記第1金属箔の上面にマスク材を貼付し、前記貫通孔を閉塞する工程と、前記第1金属箔を給電電極とする電解めっき法により、前記貫通孔に充填されためっき金属よりなる貫通配線を形成する工程と、前記めっきマスクと前記マスク材とを除去する工程と、前記第1金属箔を被覆して開口部を有する第1のエッチングマスクを形成し、前記第1のエッチングマスクを用いて前記第1金属箔をパターニングして第1配線層を形成する工程と、前記第1のエッチングマスクを除去する工程と、を有する。
本発明の一観点によれば、配線の微細化を図ることができる。
(a)は、配線基板を示す概略断面図、(b)は半導体装置を示す概略断面図。 (a)〜(d)は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。 (a)〜(d)は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。 (a)〜(d)は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。 (a)〜(d)は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。
以下、各形態を説明する。
なお、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、または別の図面中のものと異なる場合がある。また、断面図では、理解を容易にするために、一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。
図1(a)に示すように、配線基板10は、絶縁基板11、配線層21,31、貫通配線41、保護層22,32、表面処理層23,33を有している。
絶縁基板11は、可撓性と絶縁性とを有する材料により形成されている。絶縁基板11としては、例えば、ポリイミド樹脂やポリエステル樹脂等の樹脂、液晶ポリマ、等を用いたフレキシブルなフィルム状基板を用いることができる。
絶縁基板11の厚さは、例えば12〜50μm程度、例えば25μmとすることができる。
絶縁基板11には、スプロケットホール12が形成されている。スプロケットホール12は、絶縁基板11をその厚さ方向に貫通して形成されている。
配線層21は、絶縁基板11の上面11aに形成されている。配線層21は、所望の平面形状にパターニングされている。配線層21は、ファインピッチにてパターニングされている。配線層21の材料としては、例えば銅(Cu)又はCu合金を用いることができる。配線層21の厚さは、例えば9〜25μm程度、例えば18μmとすることができる。例えば、厚さ18μmの配線層21において、ラインアンドスペース(L/S)は、例えば16μm/16μmとすることができる。
配線層31は、絶縁基板11の下面11bに形成されている。配線層31は、所望の平面形状にパターニングされている。配線層31は、ファインピッチにてパターニングされている。配線層31の材料としては、例えば銅(Cu)又はCu合金を用いることができる。配線層31の厚さは、例えば9〜25μm程度、例えば18μmとすることができる。例えば、厚さ18μmの配線層31において、ラインアンドスペース(L/S)は、例えば16μm/16μmとすることができる。
配線基板10は、貫通孔10Xを有している。貫通孔10Xは、配線層21、絶縁基板11、及び配線層31を貫通して形成されている。つまり、貫通孔10Xは、配線層21と絶縁基板11と配線層31とをそれぞれ貫通する貫通孔を含む。貫通孔10Xの平面形状(図1(a)において上方から視た形状)は、例えば円形である。貫通孔10Xの大きさ(直径)は、例えば100〜200μm程度、例えば100μmとすることができる。貫通孔10Xは、例えば金型等により打ち抜き下降により形成される。
貫通配線41は、貫通孔10Xの内部に充填された貫通部42と、配線層31の下面31bより下方向に突出する突出部43とを有している。
貫通部42の上端は、配線層21に形成された貫通孔10Xの上端と一致している。そして、貫通部42の上面42aは、平面である。更に、貫通部42の上面42aは、配線層21の上面21aと面一である。貫通部42の上端の外周面42bは、貫通孔10Xにおいて、配線層21の内面部分21cと直接接合されている。
貫通部42の下端は、配線層31に形成された貫通孔10Xの下端と一致している。貫通部42の下端の外周面42cは、貫通孔10Xにおいて、配線層31の内面部分31cと直接接合されている。
突出部43は、配線層31の下面31bより下方に位置し、貫通孔10Xの下端部の外周側に位置する配線層31の下面31bに環状に延在している。突出部43の上面43aは、配線層31の下面31bと直接接合されている。
従って、貫通配線41は、貫通部42の上端の外周面42bにより配線層21と電気的に接続されている。また、貫通配線41は、貫通部42の下端の外周面42cと、突出部43の上面43aとにより配線層31と電気的に接続されている。
なお、貫通部42において、中央の外周面42dは、他の部分(外周面42b,42c)と同様に描かれているが、実際には、貫通孔10Xにおいて、絶縁基板11の内面部分11cと接しているのみである。つまり、貫通部42は、絶縁基板11と接続されていない。
突出部43の平面形状は例えば円形である。突出部43の大きさ(直径)は、貫通孔10Xの大きさに応じて設定される。突出部43の平面形状は、貫通配線41の貫通孔10X内に充填された貫通部42の平面形状よりも大径とされている。例えば、貫通孔10X及び突出部43の半径方向において、貫通孔10Xから突出部43の外周端までの長さを例えば50〜100μm程度とすることができる。突出部43の大きさ(直径)は、例えば200〜250μm程度、例えば200μmとすることができる。突出部43の厚さは、例えば5〜20μm程度、例えば5μmとすることができる。貫通配線41の材料としては、例えばCu又はCu合金を用いることができる。
保護層22は、絶縁基板11の上面11aと配線層21の一部を覆うように形成されている。保護層22は、配線層21の上面21aの一部を露出する開口部22Xを有している。保護層22の材料としては、例えば、感光性のエポキシ系絶縁樹脂やアクリル系絶縁樹脂等を用いることができる。
保護層22から露出する配線層21の表面には、表面処理層23,23aが形成されている。保護層22の開口部22X内において露出する表面処理層23aは、配線層21の上面21aと貫通配線41の上面(貫通部42の上面42a)とを覆っている。この表面処理層23aの上面は、電子部品等を配線基板10に接続する外部接続端子P1として機能する。
表面処理層23,23aとしては、例えば金(Au)層や、ニッケル(Ni)/Au層(Ni層とAu層をこの順番で積層した金属層)、Ni/パラジウム(Pd)/Au層(Ni層とPd層とAu層をこの順番で積層した金属層)等を挙げることができる。また、OSP(Organic Solderability Preservative)処理などの酸化防止処理を施して表面処理層23,23aを形成するようにしてもよい。例えば、OSP処理を施した場合には、アゾール化合物やイミダゾール化合物等の有機被膜による表面処理層23,23aが形成される。
保護層32は、絶縁基板11の下面11bと配線層31の一部と貫通配線41の突出部43とを覆うように形成されている。保護層32は、配線層31の下面31bの一部を露出する開口部32Xを有している。保護層32の材料としては、例えば、感光性のエポキシ系絶縁樹脂やアクリル系絶縁樹脂等を用いることができる。
保護層32から露出する配線層31の表面には、表面処理層33が形成されている。保護層32の開口部32Xにおいて露出する表面処理層33は、電子部品等を配線基板10に接続する外部接続端子P2として機能する。
表面処理層33としては、例えば金(Au)層や、ニッケル(Ni)/Au層(Ni層とAu層をこの順番で積層した金属層)、Ni/パラジウム(Pd)/Au層(Ni層とPd層とAu層をこの順番で積層した金属層)等を挙げることができる。また、OSP処理などの酸化防止処理を施して表面処理層33を形成するようにしてもよい。例えば、OSP処理を施した場合には、アゾール化合物やイミダゾール化合物等の有機被膜による表面処理層33が形成される。
図1(b)は、電子部品の実装例を示す。
配線基板10の上面には電子部品71が実装される。電子部品71は、はんだボール72を介して配線基板10の外部接続端子P1に接続される。はんだボール72としては、例えば、導電性コアボール(銅コアボールなど)や樹脂コアボールの周囲をはんだで覆った構造を有するはんだボールを用いることができる。なお、はんだボール72としては、導電性コアボールや樹脂コアボールを省略したはんだボールを用いることもできる。また、配線基板10の下面には電子部品81が実装される。電子部品81は、はんだ82を介して配線基板10の外部接続端子P2に接続される。
次に、上述した配線基板10の製造方法を説明する。
なお、説明の便宜上、最終的に配線基板10の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する場合がある。また、工程の説明に係わらない部材の符号を省略することがある。
図2(a)に示すように、積層基板100が用意される。積層基板100は、可撓性を有する絶縁基板11と、絶縁基板11の上下両面に、金属層としての銅箔101,102が密着された銅張積層板(FCCL:Flexible Copper Clad Laminate)である。本実施形態において、絶縁基板11の上下両面に銅箔101,102が直接融着されている。例えば、配線基板10は、半硬化状態の絶縁基板11の両面に銅箔101,102を加熱加圧して形成される。
銅張積層板としては、基板に接着剤を介して銅箔を積層した積層基板がある。本実施形態は、絶縁基板11の両面に直接銅箔101,102を接続した積層基板100を用いている。このため、例えば接着剤と基板との熱収縮率の違い等が発生し難い。
図2(b)に示す工程では、絶縁基板11にスプロケットホール12が形成される。スプロケットホール12は、例えば金型を用いたプレス加工により形成される。なお、この工程において、スプロケットホール12は、絶縁基板11とともに銅箔101,102を貫通して形成される。
図2(c)に示す工程では、銅箔101の上面101aと銅箔102の下面102bとに、感光性を有する液状のレジスト材(液状のフォトレジスト)をロールコーティングにより整面コートし、第1のエッチングマスクとしてのレジスト層111,112を形成する。液状のフォトレジストとしては、例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等の液状レジストを用いることができる。液状のフォトレジストを用いることにより、レジスト層111,112の厚さは、例えば3〜5μm程度とすることができる。このように薄いレジスト層111,112を用いることにより、ファインピッチの配線層21,31(図1(a)参照)を形成することができる。なお、ドライフィルムレジストの場合、レジスト層の厚さは、18〜90μmとなる。
図2(d)に示す工程では、銅箔102の下面102bのレジスト層112を露光、現像して、所望の位置に開口部112Xを形成する。開口部112Xの位置は、図1(a)に示す配線層31に含まれる配線パターンに対応する。
図3(a)に示す工程では、銅箔102をパターニングして配線層31とするとともに、銅箔101を所望の大きさとする。銅箔101の大きさは、例えば、図1(a)に示す配線層21を含む大きさとすることができる。図2(d)に示すレジスト層111,112をエッチングマスクとして銅箔101,102をエッチングする。レジスト層112に形成した開口部112Xから銅箔102をエッチングして配線パターンを形成する。そして、図2(d)に示すレジスト層111,112を除去する。レジスト層111,112は、例えばアルカリ性の剥離液によって剥離することができる。
図3(b)に示す工程では、パターニングした配線層31を覆うように、感光性を有する液状のレジスト材(液状のフォトレジスト)をロールコーティングにより整面コートし、めっきマスクとしてのレジスト層121を形成する。レジスト層121は、配線層31の側面(図3(a)において左右方向の端面)を覆うように形成される。
図3(c)に示す工程では、レジスト層121を露光、現像して、所望の位置に開口部121Xを形成する。この開口部121Xの位置は、図1(a)に示す貫通配線41の突出部43に対応する。
図3(d)に示す工程では、貫通孔10Xを形成する。貫通孔10Xは、例えば積層基板100をプレス機にセットし、金型を用いたプレス加工により形成することができる。
図4(a)に示す工程では、レジスト層121が形成されていない側の銅箔101に、マスク材としてのマスキングテープ131を貼り付ける。マスキングテープ131の材料としては、例えば塩化ビニルやPET等の樹脂フィルムにアクリル系の接着剤が塗布されたものを用いることができる。なお、マスキングテープ131を絶縁基板11に貼り付けることにより、銅箔101の側面(図4(a)において左右方向の端面)もマスキングテープ131により覆われる。
図4(b)に示す工程では、銅箔101を給電電極に利用する電解めっき法(例えば、電解銅めっき法)を施し、貫通孔10Xに貫通配線41を形成する。貫通配線41の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
この場合、給電電極として利用される銅箔101において、貫通孔10Xにより形成される銅箔101の内面部分101cから電解めっき膜(銅めっき膜)が析出成長する。この成長するめっき金属により貫通孔10Xが充填され、貫通部42が形成される。貫通孔10Xがマスキングテープ131により覆われているため、貫通部42の上面42aは、平面となる。また、貫通部42の上面42aは、銅箔101の上面101aと面一となる。
さらに、レジスト層121の開口部121Xにおいて露出する部分に電解めっき膜(めっき金属)が析出成長する。この成長するめっき金属により突出部43が形成される。開口部121Xの大きさに応じて、突出部43は、貫通孔10Xの外側に位置する配線層31の下面31bに延在する。
このように、電解めっき法(電解銅めっき法)により貫通配線41を形成する。貫通配線41の上端の周面(貫通部42の外周面42b)は、銅箔101の内面部分101cに接合される。また、貫通部42の下端の外周面42cは配線層31の内面部分31cに接合され、突出部43の上面43aは配線層31の下面31bに接合される。これに対し、貫通配線41の中央部分の側面(貫通部42の中央部分の外周面42d)は、絶縁基板11の内面部分11cと密着せず、接触しているだけである。
図4(c)に示す工程では、図4(b)に示すレジスト層121とマスキングテープ131を除去する。レジスト層121は、例えばアルカリ性の剥離液によって剥離することができる。
図4(d)に示す工程では、銅箔101を覆うように、感光性を有する液状のレジスト材(液状のフォトレジスト)をロールコーティングにより整面コートし、第2のエッチングマスクとしてのレジスト層141を形成する。また、配線層31及び貫通配線41(突出部43)を覆うように、感光性を有する液状のレジスト材(液状のフォトレジスト)をロールコーティングにより整面コートしてレジスト層142を形成する。
図5(a)に示す工程では、レジスト層141を露光、現像して、所望の位置に開口部141Xを形成する。開口部141Xの位置は、図1(a)に示す配線層21に含まれる配線パターンに対応する。
図5(b)に示す工程では、銅箔101をパターニングして配線層21とする。図5(a)に示すレジスト層141をエッチングマスクとして銅箔101をエッチングする。レジスト層141に形成した開口部141Xから銅箔101をエッチングして配線パターンを形成する。このとき、配線層31は、レジスト層142により覆われ、エッチングされない。そして、図5(a)に示すレジスト層141,142を除去する。レジスト層141,142は、例えばアルカリ性の剥離液によって剥離することができる。
図5(c)に示す工程では、開口部22Xを有する保護層22と、開口部32Xを有する保護層32を形成する。例えば、保護層22,32の材料としては、感光性のエポキシ系絶縁樹脂やアクリル系絶縁樹脂等を用いることができる。たとえば、保護層22,32は、例えば、感光性のソルダーレジストフィルムによりラミネートする、又は液状のソルダーレジストを塗布することにより形成することができる。そして、フォトリソグラフィ法により、保護層22の所要箇所に、配線層21の一部と貫通配線41の貫通部42の上面42aを露出する開口部22Xを形成する。また、フォトリソグラフィ法により、保護層32の所要箇所に、配線層31の一部を露出する開口部32Xを形成する。
図5(d)に示す工程では、保護層22から露出する配線層21と貫通配線41の表面(貫通部42の上面42a)を覆う表面処理層23,23aを形成する。また、保護層32から露出する配線層31の表面に表面処理層33を形成する。例えば、表面処理層23,23a,33をNi層/Au層とした場合、配線層21,31の表面及び貫通部42の上面に、Ni層とAu層とをこの順番で積層して形成する。なお、これらNi層、Au層は、例えば無電解めっき法により形成することができる。
次に、上記の配線基板10の作用を説明する。
配線基板10は、可撓性を有する絶縁基板11と、絶縁基板11の上面に形成された配線層21と、絶縁基板11の下面に形成された配線層31とを有している。配線基板10には、配線層21と絶縁基板11と配線層31とを貫通する貫通孔が形成され、その貫通孔10Xには貫通配線41が形成されている。貫通配線41は、貫通孔10Xにより形成される配線層21の内面部分21cと、配線層31の内面部分31cとに接続されている。
貫通配線41は、電解めっき法により形成される。この場合、給電電極として利用される配線層21の内面部分21cからめっき金属が析出する。そして、めっき金属は、貫通孔10Xを充填して配線層31の内面部分に接合される。従って、配線層21と配線層31は、貫通配線41を形成する際のめっき金属を含まない。そして、配線層21と配線層31は、銅箔101,102をパターニングして形成される。このため、配線層21と配線層31の厚さは、配線基板10の全面において均一となる。従って、微細なパターニングにより配線層21と配線層31とを形成することができる。
図1(b)に示すように、配線基板10には、電子部品71,81が実装される。この電子部品71,81の熱は、はんだボール72、はんだ82を介して配線基板10に伝達される。配線基板10の配線層21と配線層31は、銅又は銅合金からなる。そして、貫通配線41は、銅又は銅合金のめっき金属により形成されている。従って、配線層21,31と貫通配線41の熱膨張係数(CTE:Coefficient of Thermal Expansion)は、互いに等しい。つまり、配線層21,31と貫通配線41との間の熱膨張率との差が無く、熱膨張率によるミスマッチが発生しない。
そして、貫通配線41を電解めっき法により形成する際、貫通配線41の側面(貫通部42の外周面42d)は、貫通孔10Xにおいて、絶縁基板11の内面部分11cと密着せず、接触しているだけとなる。このため、配線基板10における曲げや熱による伸縮により生じる応力は、貫通配線41に伝達し難い。このため、貫通配線41にクラック等が発生し難い。
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)配線基板10は、可撓性を有する絶縁基板11と、絶縁基板11の上面11aに形成された配線層21と、絶縁基板11の下面11bに形成された配線層31と、を有している。また、配線基板10は、配線層21と絶縁基板11と配線層31とを貫通する貫通孔10Xを有している。貫通孔10Xには、貫通配線41が形成されている。貫通配線41は、貫通孔10Xの内部に充填された貫通部42と、配線層31の下面31bより下方向に突出する突出部43とを有している。貫通配線41の貫通部42は、配線層21と配線層31とに接続されている。貫通配線41において、貫通部42の上面42aは、配線層21の上面21aと面一である。
貫通配線41は、例えば、電解めっき法により形成される。この場合、給電電極として利用される配線層21の内面部分21cからめっき金属が析出する。そして、めっき金属は、貫通孔10Xを充填して配線層31の内面部分に接合される。従って、配線層21と配線層31は、貫通配線41を形成する際のめっき金属を含まない。そして、配線層21と配線層31は、銅箔101,102をパターニングして形成される。このため、配線層21と配線層31の厚さは、配線基板10の全面において均一となる。従って、微細なパターニングにより配線層21と配線層31とを形成することができる。
(2)マスキングテープ131は、貫通孔10Xを閉塞するように銅箔101の上面101aに貼り付けられる。貫通配線41は、銅箔101を給電電極とする電解めっき法により貫通孔10X内に形成される。貫通部42の上面42aは、平面となる。また、貫通部42の上面42aは、銅箔101の上面101aと面一となる。このため、貫通部42の上面42aと銅箔101により形成される配線層21の上面21aとが平滑となり、表面処理層23aを形成することにより、外部接続端子P1として利用することができる。
(3)貫通配線41は、貫通孔10Xに形成された貫通部42と、配線層31の下面31bから突出し、貫通孔10Xの外側に位置する配線層31の下面31bに延在する突出部43とを有している。このため、貫通配線41と配線層31との間の接合部分の面積を、貫通部42のみの場合と比べて広くすることができる。これにより、貫通配線41と配線層31との接続信頼性を向上することができる。
(4)配線層21(銅箔101)と絶縁基板11と配線層31(銅箔102)とを貫通する貫通孔10Xは、プレス機により、金型を用いたプレス加工により形成される。このため、短時間で容易に貫通孔10Xを形成することができる。
(変形例)
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態の図2(d)に示す工程において、銅箔101,102を液状のフォトレジストにより整面コートしてレジスト層111,112を形成した。銅箔101をエッチングしない側のレジスト層111を、他のレジストを用いて形成するようにしてもよい。エッチングしないため、レジスト層は厚くでもよく、銅箔101に密着していることが好ましい。例えば、ドライレジストフィルムのように、密着性の良いレジストを用いることができる。
・上記実施形態の図1(a)では、スプロケットホール12を有する配線基板10としたが、スプロケットホール12が形成されている部分の絶縁基板11を切断して除去した配線基板としてもよい。
・上記実施形態において、外部接続端子P1,P2に電子部品71,81を実装したが、他の配線基板を実装する接続端子としてもよい。また、この配線基板10を例えばマザーボード等の基板に実装する接続端子としてもよい。
10 配線基板
10X 貫通孔
11 絶縁基板
11c 内面部分
21 配線層(第1配線層)
21a 上面
21c 内面部分
31 配線層(第2配線層)
31b 下面
31c 内面部分
22 保護層(第1保護層)
32 保護層(第2保護層)
23 表面処理層(第1表面処理層)
33 表面処理層(第2表面処理層)
41 貫通配線
42 貫通部
42a 上面
42b〜42d 外周面
43 突出部
43a 上面

Claims (10)

  1. 可撓性を有する絶縁基板と、
    前記絶縁基板の上面に形成された第1配線層と、
    前記絶縁基板の下面に形成された第2配線層と、
    前記第1配線層と前記絶縁基板と前記第2配線層とを貫通する貫通孔に形成され、前記第1配線層と前記第2配線層とに接続された貫通配線と、を有し、
    前記貫通配線は、めっき金属よりなり、
    前記貫通配線は、前記貫通孔の外周側に位置する前記第2配線層の下面に延在する突出部を有し、
    前記貫通配線の上面は、前記第1配線層の上面と面一であること、
    を特徴とする配線基板。
  2. 前記第1配線層の一部を覆い、前記貫通配線の上面と、前記貫通配線の外側に位置する前記第1配線層の上面とを露出する開口部を有する第1保護層と、
    前記第2配線層の一部と前記貫通配線を覆い、前記第2配線層の下面の一部を露出する開口部を有する第2保護層と、を有すること、を特徴とする請求項に記載の配線基板。
  3. 前記第1保護層から露出する前記第1配線層と前記貫通配線との表面を覆う第1表面処理層と、
    前記第2保護層から露出する前記第配線層の表面を覆う第2表面処理層と、
    を有すること、
    を特徴とする請求項に記載の配線基板。
  4. 前記突出部の上面と前記第2配線層の下面とが直接接合されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の配線基板。
  5. 前記貫通配線は、前記貫通孔の内部に充填された貫通部を有し、
    前記貫通孔内において、
    前記貫通部の上端の外周面と前記第1配線層の内面部分とが直接接合され、
    前記貫通部の下端の外周面と前記第2配線層の内面部分とが直接接合され、
    前記貫通部の他の部分が、前記絶縁基板の内面部分と接していること、
    を特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の配線基板。
  6. 可撓性を有する絶縁基板と前記絶縁基板の上面に接続された第1金属箔と前記絶縁基板の下面に接続された第2金属箔とを有する積層板を用い、前記第2金属箔を被覆して開口部を有する第2のエッチングマスクを形成し、前記第2のエッチングマスクを用いて前記第2金属箔をパターニングして第2配線層を形成する工程と、
    前記第2のエッチングマスクを除去する工程と、
    前記第2配線層を覆うめっきマスクを形成する工程と、
    打ち抜き加工により前記第1金属箔と前記絶縁基板と前記第2配線層とを貫通する貫通孔を形成する工程と、
    前記第1金属箔の上面にマスク材を貼付し、前記貫通孔を閉塞する工程と、
    前記第1金属箔を給電電極とする電解めっき法により、前記貫通孔に充填されためっき金属よりなる貫通配線を形成する工程と、
    前記めっきマスクと前記マスク材とを除去する工程と、
    前記第1金属箔を被覆して開口部を有する第1のエッチングマスクを形成し、前記第1のエッチングマスクを用いて前記第1金属箔をパターニングして第1配線層を形成する工程と、
    前記第1のエッチングマスクを除去する工程と、
    を有する、配線基板の製造方法。
  7. 前記第1のエッチングマスク及び前記第2のエッチングマスクの少なくともいずれか1つを、感光性を有する液状のレジスト材により形成することを特徴とする請求項に記載の配線基板の製造方法。
  8. 前記第2配線層を覆うめっきマスクは、前記貫通孔を形成する位置に前記貫通孔より大きな開口部を有し、
    前記貫通孔を形成する工程において、前記めっきマスクの開口部の内側に前記貫通孔を形成し、
    前記貫通配線を形成する工程において、前記第2配線層の下面より突出し前記第2配線層の下面に延在する突出部を形成する、ことを特徴とする請求項6又は7に記載の配線基板の製造方法。
  9. 前記第1配線層の一部を覆い、前記貫通配線の上面と、前記貫通配線の外側に位置する前記第1配線層の上面とを露出する開口部を有する第1保護層と、前記第2配線層の一部と前記貫通配線を覆い、前記第2配線層の下面の一部を露出する開口部を有する第2保護層と、を形成する工程を有すること、を特徴とする請求項に記載の配線基板の製造方法。
  10. 前記第1保護層から露出する前記第1配線層と前記貫通配線との表面を覆う第1表面処理層と、前記第2保護層から露出する前記第配線層の表面を覆う第2表面処理層と、を形成する工程を有すること、を特徴とする請求項に記載の配線基板の製造方法。
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