JP6777098B2

JP6777098B2 - 成膜装置および成膜方法

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Description

本発明は成膜装置および成膜方法に関し、特に目標膜厚からのずれを低減しうる技術に関する。

スパッタリング法や蒸着法といった、薄膜を形成するための成膜技術は広く知られている。薄膜の膜厚を均一化することは、その薄膜の機能を実現するうえで重要である。特に金属や誘電体などを多層にわたり積層する多層膜では、層同士で層厚が変動すると多層膜全体に対する膜厚への影響が大きい。多層膜としては、たとえば反射防止膜などの光学膜がある。
薄膜の膜厚の差を低減する技術が特許文献１に開示されている。
特許文献１では、蒸着開始時における基板１０上の蒸着位置と蒸着終了時における基板１０上の蒸着位置とが一致するように基板１０を回転させたり（第１実施形態）、目標膜厚斑値ａに応じて基板１０の回転速度を設定したり（第２実施形態）、目標膜厚斑値ａ、成膜速度αおよび所望膜厚ｄに応じて基板１０の回転速度を設定したりしている（第３実施形態）。

特開２００３−３２１７７０号公報

しかしながら、多層膜を成膜する場合に、特許文献１の第１実施形態にかかる技術のように、単に成膜開始時の成膜位置と成膜終了時の成膜位置とを一致させようとすると、成膜時間が延長され、目標膜厚からずれが生じる。特許文献１の第２および第３実施形態にかかる技術のように、目標膜厚斑値ａなどに応じて基板の回転速度を設定しようとすると、層内の層厚差は抑制されるものの、層同士で微小な層厚の誤差が生じ、これを積層した多層膜においては目標膜厚からずれが生じる。
したがって、本発明の主な目的は、目標膜厚からのずれを低減することができる成膜装置および成膜方法を提供することにある。

上述した目的のうち少なくとも一つを実現するために、本発明の一側面を反映した成膜装置は、以下を有する。
（ｎ＋１）層以上（ｎは１以上の正の整数である。）の多層膜の成膜装置において、
被成膜物を支持しながら回転する回転体と、
前記被成膜物に対し成膜処理を行う成膜機構と、
前記回転体の回転を制御する制御機構であって、前記多層膜の層の目標厚さ、初期設定された前記成膜機構の成膜レートおよび初期設定された前記回転体の回転速度から前記回転体の回転数を算出し、前記回転体の回転速度を調整して、算出した前記回転体の回転数を整数に近づける前記制御機構と、
前記回転体の回転速度を監視するモニター機構と、
を備え、
前記制御機構が、
前記モニター機構の監視結果からｎ層目の前記回転体の回転速度を把握し、（ｎ＋１）層目以降の前記回転体の回転速度を調整し、
前記モニター機構による計測間隔ｔ［ｓｅｃ］と、１回の計測に要する前記回転体の回転数Ａとを、条件式（１）を満たすように設定する成膜装置。
（Ｒａ ^２ ×ｔ×ｄａ）／
（６０×（６０×ｓ×Ａ＋Ｒａ×ｔ×ｓ））≦０．０５ … （１）
［条件式（１）中、Ｒａは（ｎ＋１）層目の回転体の回転速度［ｒｐｍ］を、ｄａは（ｎ＋１）層目の目標層厚［ｎｍ］を、ｓは成膜機構による成膜レート［ｎｍ／ｓｅｃ］を、それぞれ表す。］
また、上述した目的のうち少なくとも一つを実現するために、本発明の一側面を反映した成膜装置は、以下を有する。
（ｎ＋１）層以上（ｎは１以上の正の整数である。）の多層膜の成膜装置において、
被成膜物を支持しながら回転する回転体と、
前記被成膜物に対し成膜処理を行う成膜機構と、
前記回転体の回転を制御する制御機構であって、前記多層膜の層の目標厚さ、初期設定された前記成膜機構の成膜レートおよび初期設定された前記回転体の回転速度から前記回転体の回転数を算出し、前記回転体の回転速度を調整して、算出した前記回転体の回転数を整数に近づける前記制御機構と、
前記回転体の回転速度を監視するモニター機構と、
を備え、
前記制御機構が、
前記モニター機構の監視結果からｎ層目のｍ区画目（ｍは１以上の正の整数である。）の前記回転体の回転速度を把握し、ｎ層目の（ｍ＋１）区画目以降の前記回転体の回転速度を調整し、
前記モニター機構による計測間隔ｔ［ｓｅｃ］と、１回の計測に要する前記回転体の回転数Ａとを、条件式（２）を満たすように設定する成膜装置。
（Ｒｃ ^２ ×ｔ×ｄｃ）／
（６０×（６０×ｓ×Ａ＋Ｒｃ×ｔ×ｓ））≦０．０５ … （２）
［条件式（２）中、Ｒｃはｎ層目の（ｍ＋１）区画目以降の回転体の回転速度［ｒｐｍ］を、ｄｃは多層膜のｎ層目の目標層厚［ｎｍ］を、ｓは成膜機構による成膜レート［ｎｍ／ｓｅｃ］を、それぞれ表す。］

また、上述した目的のうち少なくとも一つを実現するために、本発明の一側面を反映した成膜方法は、以下を有する。
被成膜物を支持しながら回転する回転体と、
前記被成膜物に対し成膜処理を行う成膜機構と、
前記回転体の回転速度を監視するモニター機構を備える成膜装置を用いた、（ｎ＋１）層以上（ｎは１以上の正の整数である。）の多層膜の成膜方法において、
前記多層膜の層の目標厚さ、初期設定された前記成膜機構の成膜レートおよび初期設定された前記回転体の回転速度から前記回転体の回転数を算出し、前記モニター機構の監視結果からｎ層目の前記回転体の回転速度を把握し、（ｎ＋１）層目以降の前記回転体の回転速度を調整して、算出した前記回転体の回転数を整数に近づけ、前記モニター機構による計測間隔ｔ［ｓｅｃ］と、１回の計測に要する前記回転体の回転数Ａとを、条件式（１）を満たすように設定する成膜方法。
（Ｒａ ^２ ×ｔ×ｄａ）／
（６０×（６０×ｓ×Ａ＋Ｒａ×ｔ×ｓ））≦０．０５ … （１）
［条件式（１）中、Ｒａは（ｎ＋１）層目の回転体の回転速度［ｒｐｍ］を、ｄａは（ｎ＋１）層目の目標層厚［ｎｍ］を、ｓは成膜機構による成膜レート［ｎｍ／ｓｅｃ］を、それぞれ表す。］
また、上述した目的のうち少なくとも一つを実現するために、本発明の一側面を反映し
た成膜方法は、以下を有する。
被成膜物を支持しながら回転する回転体と、
前記被成膜物に対し成膜処理を行う成膜機構と、
前記回転体の回転速度を監視するモニター機構を備える成膜装置を用いた、（ｎ＋１）層以上（ｎは１以上の正の整数である。）の多層膜の成膜方法において、
前記多層膜の層の目標厚さ、初期設定された前記成膜機構の成膜レートおよび初期設定された前記回転体の回転速度から前記回転体の回転数を算出し、前記モニター機構の監視結果からｎ層目のｍ区画目（ｍは１以上の正の整数である。）の前記回転体の回転速度を把握し、ｎ層目の（ｍ＋１）区画目以降の前記回転体の回転速度を調整して、算出した前記回転体の回転数を整数に近づけ、前記モニター機構による計測間隔ｔ［ｓｅｃ］と、１回の計測に要する前記回転体の回転数Ａとを、条件式（２）を満たすように設定する成膜方法。
（Ｒｃ ^２ ×ｔ×ｄｃ）／
（６０×（６０×ｓ×Ａ＋Ｒｃ×ｔ×ｓ））≦０．０５ … （２）
［条件式（２）中、Ｒｃはｎ層目の（ｍ＋１）区画目以降の回転体の回転速度［ｒｐｍ］を、ｄｃは多層膜のｎ層目の目標層厚［ｎｍ］を、ｓは成膜機構による成膜レート［ｎｍ／ｓｅｃ］を、それぞれ表す。］

本発明によれば、目標膜厚からのずれを低減することができる。

成膜装置（スパッタリング装置）の構成を示す概念図である。成膜開始時の基板の位置関係を説明するための図である。成膜終了時の基板の位置関係を説明するための図である。ｎ層目におけるｍ区画目の成膜と（ｍ＋１）区画目の成膜との関係を説明するための図である。図１の成膜装置の変形例を示す図である。成膜処理（スパッタリング）と酸素プラズマ処理との経時的な関係を示す概略図である。成膜装置（蒸着装置）の構成を示す概念図である。

以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。

［成膜装置］
図１に示すとおり、成膜装置１は多層膜の成膜装置（スパッタリング装置）であって、主にドラム１０、成膜機構２０、モニター機構３０および制御機構４０を備えている。
ドラム１０には複数の基板５０が支持されている。ドラム１０は基板５０を支持しながら回転する回転体の一例である。基板５０は被成膜物の一例である。ここでは基板５０としてガラス基板が使用されている。
成膜機構２０は基板５０に対し成膜処理を行う機構であり、いわゆるスパッタリング機構である。成膜機構２０はターゲット２２を有している。成膜機構２０では、ドラム１０（基板５０）側を陽極と、ターゲット２２側を陰極とし、陰極側に高電圧が印加される。その結果、ガスイオン原子がターゲット２２表面を叩き、飛び出したターゲット材料物質が基板５０に堆積される。
ドラム１０にはドラム１０の回転速度を監視するモニター機構３０が接続されている。モニター機構３０としてはロータリーエンコーダーやレーザー速度測定器などが使用される。ドラム１０がモーターで回転駆動される場合、モニター機構３０はその回転軸に設置されてもよいし、ドラム１０自体に設置されてもよい。ドラム１０、成膜機構２０およびモニター機構３０にはこれらを制御する制御機構４０が接続されている。
以上の成膜装置１によれば、制御機構４０がモニター機構３０の監視結果に基づき、ドラム１０の回転や成膜機構２０の動作を制御して、基板５０に対し、（ｎ＋１）層以上の層を積層した多層膜を、成膜するようになっている。ｎは１以上の正の整数である。

［成膜方法］
続いて、成膜装置１を用いた成膜方法について説明する。
下記の成膜方法は制御機構４０にあらかじめ成膜プログラムとして記憶され、制御機構４０がその成膜プログラムを読み出し処理を実行するようになっている。

制御機構４０は、多層膜の層の目標厚さ、初期設定された成膜機構２０の成膜レートから成膜時間を算出し、算出した成膜時間と初期設定されたドラム１０の回転速度とからドラム１０の回転数を算出する。

＜事例１＞
たとえば、目標厚さが60nmで、成膜レートが0.5nm/secであれば、成膜時間は60／0.5＝120sec＝2minとなる。ドラム１０の回転速度が65rpm（round per minutes）であれば、成膜時のドラム１０の回転数は2min×65rpm＝130回転となる。
かかる場合、ドラム１０の回転数が整数であるため、基板５０のターゲット２２を通過する回数は一致し、基板５０には目標厚さの層が成膜される。

＜事例２＞
他方、目標厚さが69nmであれば、成膜時間は69／0.5＝138sec＝2.3minとなり、成膜時のドラム１０の回転数は2.3min×65rpm＝149.5回転となる。
かかる場合、成膜開始時において、基板５２と基板５４とが図２Ａに示すようにセットされていたとすると、成膜終了時においては、図２Ｂに示すように基板５２と基板５４との位置関係が逆転する。すなわち、基板５２はターゲット２２を150回通過し、基板５４はターゲット２２を149回しか通過しない。そのため、基板５４は基板５２よりも0.6％程度厚さが薄くなってしまい、層の厚さが不均一となる。

ここで特許文献１の第１実施形態のように、単に成膜開始時の基板５２、５４の位置と成膜終了時の基板５２、５４の位置とを一致させようとすると、基板５２、５４をさらに半回転させる（成膜時間を延長する）必要があり、層の厚さが目標厚さからずれる。

そこで本実施形態では、制御機構４０が、ドラム１０の回転速度を調整して、算出したドラム１０の回転数を整数に近づける。
上記事例２では、ドラム１０の回転速度を65rpmから65.217rpmに調整する。
かかる場合、ドラム１０の回転数は2.3min×65.217rpm＝149.999回転となり、ほぼ150回転となる。

ところで、ドラム１０は基本的に設定した回転速度で回転し続ける。
ただ、微小な誤差が生じ、ドラム１０の回転速度が変動しうる場合がある。
たとえば、上記事例１において、ドラム１０の回転速度を65rpmと設定したところ、実際のドラム１０の回転速度が65.1rpmであった場合、ドラム１０の回転数は2min×65.1＝130.2回転となる。かかる場合、ドラム１０に支持された基板５０のうち、20％の基板５０は131回転、他の80％の基板５０は130回転となり、20％の基板５０では層が約0.8％厚い厚さになってしまう。このような現象は成膜途中においても起こりうると考えられる。
そこで本実施形態では、制御機構４０が、速度調整例１〜３のいずれかでドラム１０の回転速度を調整するのが好ましい。

［速度調整例１］
制御機構４０が、モニター機構３０の監視結果からｎ層目のドラム１０の回転速度を把握し、（ｎ＋１）層目以降のドラム１０の回転速度を調整する。「（ｎ＋１）層目以降」とは、（ｎ＋１）層だけを指してもよいし、（ｎ＋１）層を含むその後の層のいずれか１層またはすべての層を指してもよく、（ｎ＋１）層を含むその後の層のうち少なくとも１層という意味である。
たとえば、上記事例２において、目標厚さが69nmで、成膜レートが0.5nm/secであるとき、算出したドラム１０の回転速度が65.217rpmであるところ、ｎ層目のドラム１０の回転速度が65.4rpmに変動したとする。このままの回転速度で成膜すると、ｎ層目の回転数は（１秒間の回転数）×（成膜時間）で算出され、(65.4／60)×(69／0.5)＝150.42回転となる。ｎ層目の回転数をもっとも整数に近い150回転に近づけるには、ｎ層目のドラム１０の回転速度は(150×60)／(69／0.5)＝65.217rpmと算出される。ここでは、制御機構４０が、ドラム１０の回転を制御して、（ｎ＋１）層目以降のドラム１０の回転速度を65.4rpmからもとの65.217rpmに調整する。

速度調整例１では、制御機構４０が、モニター機構３０による計測間隔ｔ［ｓｅｃ］と、１回の計測に要するドラム１０の回転数Ａとを、条件式（１）を満たすように設定する必要がある。
（Ｒａ^２×ｔ×ｄａ）／
（６０×（６０×ｓ×Ａ＋Ｒａ×ｔ×ｓ））≦０．０５ … （１）
条件式（１）中、Ｒａは（ｎ＋１）層目のドラム１０の回転速度［ｒｐｍ］を、ｄａは（ｎ＋１）層目の目標層厚［ｎｍ］を、ｓは成膜機構２０による成膜レート［ｎｍ／ｓｅｃ］をそれぞれ表す。

条件式（１）の左辺は、モニター機構３０で計測したドラム１０の回転速度で成膜したときの回転数と、実際のドラム１０の回転速度で成膜したときの回転数と、の差で発生しうる最大の「回転数の誤差」を示している。
条件式（１）はかかる回転数の誤差が±０．０５回転以下であることを示している。
条件式（１）によれば、ｎ層目の成膜と（ｎ＋１）層目の成膜とでドラム１０の回転数の誤差が±０．０５回転以下に収まり、ｎ層目の成膜と（ｎ＋１）層目の成膜とを比較するとその９０％の範囲内で同一の条件で成膜することができる。

条件式（１）の左辺の回転数の誤差は下記のとおり導出される。
１回の計測に要する時間T[sec]はT＝(A／Ra)×60で表される。
１回の計測で発生する最大の誤差時間はt[sec]となる。モニター機構３０による計測間隔がt[sec]であるためである。
ドラム１０の実際の回転速度Ra[rpm]はRa＝(Ra×T＋Ra×t)／(T＋t)で表される。
誤差時間tを含むドラム１０の回転速度Rb[rpm]はRb＝(A／(T＋t))×60で表される。
したがってドラム１０の回転速度の誤差(Ra−Rb)[rpm]は
Ra−Rb＝((Ra×T＋Ra×t)／(T＋t))−((A／(T＋t))×60)と表される。
これにT＝(A／Ra)×60を代入すると、
Ra−Rb＝(Ra²×t)／(A×60＋Ra×t)と表される。
かかる回転速度の誤差を回転数に直すと、回転数の誤差は
(da／s)×(Ra−Rb)／60=(da×Ra²×t)／((s×A×60＋s×Ra×t)×60)と表され、条件式（１）が導出される。

［速度調整例２］
制御機構４０が、モニター機構３０の監視結果からｎ層目のｍ区画目（ｍは１以上の正の整数である。）のドラム１０の回転速度を把握し、ｎ層目の（ｍ＋１）区画目以降のドラム１０の回転速度を調整する。
すなわち、図３に示すとおり、多数の基板５０を区画化すると仮定して、ｎ層目の成膜を行う場合に、モニター機構３０の監視結果からｍ区画目のドラム１０の回転速度を把握し、（ｍ＋１）区画目以降のドラム１０の回転速度を調整する。「（ｍ＋１）区画目以降」とは、（ｍ＋１）区画だけを指してもよいし、（ｍ＋１）区画を含むその後の区画のいずれか１区画またはすべての区画を指してもよく、（ｍ＋１）区画を含むその後の区画のうち少なくとも１区画という意味である。
なお、図３では多数の基板５０を４つに区画化したと仮定した例を示している。

速度調整例２では、制御機構４０が、モニター機構３０による計測間隔ｔ［ｓｅｃ］と、１回の計測に要するドラム１０の回転数Ａとを、条件式（２）を満たすように設定する必要がある。
（Ｒｃ^２×ｔ×ｄｃ）／
（６０×（６０×ｓ×Ａ＋Ｒｃ×ｔ×ｓ））≦０．０５ … （２）
条件式（２）中、Ｒｃはｎ層目の（ｍ＋１）区画目以降のドラム１０の回転速度［ｒｐｍ］を、ｄｃは多層膜のｎ層目の目標層厚［ｎｍ］を、ｓは成膜機構２０による成膜レート［ｎｍ／ｓｅｃ］をそれぞれ表す。
条件式（２）も条件式（１）と同様の原理で導出される。
条件式（２）によれば、ｎ層目の成膜において、ｍ区画目の成膜と（ｍ＋１）区画目の成膜とでドラム１０の回転数の誤差が±０．０５回転以下に収まり、ｍ区画目の成膜と（ｍ＋１）区画目の成膜とを比較するとその９０％の範囲内で同一の条件で成膜することができる。

［速度調整例３］
制御機構４０が、モニター機構３０の監視結果からドラム１０の回転速度を常に把握し、ドラム１０の回転速度をリアルタイムで調整する。
上記事例２では、ドラム１０の回転速度を65.217rpmに保持し続ける。

以上の本実施形態によれば、多層膜の層の目標厚さ、初期設定された成膜機構２０の成膜レートおよび成膜時間が固定されたまま、ドラム１０の回転速度が調整され、ドラム１０の回転数が整数に近づくように制御される。
したがって特許文献１の第１実施形態にかかる技術のように、成膜時間が延長されるといった、成膜条件（成膜レートおよび成膜時間）の変動がなく、目標厚さからずれが発生するのが抑制される。層同士を比較した場合も成膜条件に変動がないため、層同士で層厚に誤差が生じるのも抑制される。
以上から、本実施形態によれば目標膜厚からのずれを低減することができる。

なお、制御機構４０は、上記のとおり、ドラム１０の回転速度を調整して、算出したドラム１０の回転数を整数に近づけた場合において（速度調整例１〜３を含む。）、さらに成膜機構２０の成膜時間または成膜レートを調整して、算出したドラム１０の回転数をより整数に近づけてもよい。
上記事例２では、成膜時間を2.3minから2.30002minに調整すると、ドラムの回転数は、2.30002×65.217rpm＝150.0005回転となり、より150回転に近くなる。成膜時間を2.30002minとするためには、成膜レートは69nm／2.30002min＝0.4999nm/secとなる。
したがって上記例２では、成膜時間を2.3minから2.30002minに調整するか、または成膜レートを0.5nm/secから0.4999nm/secに調整すればよい。

上記では、成膜方法をわかりやすく説明するため、制御機構４０が１つの成膜機構２０の動作を制御して多層膜を成膜する例を説明した。
図４に示すとおり、２つの成膜機構２０を設置し、制御機構４０が２つの成膜機構２０の動作を交互に制御して多層膜を成膜してもよい。かかる場合、一方の成膜機構２０にはターゲット２２を、他方の成膜機構２０にはターゲット２２とは異なるターゲット２３を設置する。成膜機構２０の設置数は適宜変更可能であり、多層膜の層の種類数に応じて変更されてもよい。

図４に示すとおり、成膜装置１では、ドラム１０の基準位置１２を検出する検出機構６０が設置されてもよい。検出機構６０は制御機構４０に接続され、制御機構４０は検出機構６０の検出結果を受けられる。検出機構６０としては光センサーなどが使用される。
かかる構成において、制御機構４０は、上記のとおり、ドラム１０の回転速度を調整して、算出したドラム１０の回転数を整数に近づけた場合において（速度調整例１〜３を含む。）、成膜機構２０の成膜時間または成膜レートを調整するのに代えてまたは加えて、検出機構６０の検出結果に基づき、ドラム１０の回転位置を調整して、各層の成膜を、ドラム１０の基準位置１２から開始させるか、ドラム１０の基準位置１２で終了させるか、またはドラム１０の基準位置１２から開始させかつドラム１０の基準位置１２で終了させるのが好ましい。

図４に示すとおり、成膜装置１では、多層膜として酸化膜を成膜するための酸素プラズマ機構７０が設置されてもよい。酸素プラズマ機構７０は制御機構４０に接続され、制御機構４０により制御される。酸素プラズマ機構７０は第２の成膜機構の一例である。
かかる構成では、図５に示すとおり、ある一の酸化膜の成膜の時間帯８０からその次の他の酸化膜の成膜の時間帯８４に切り替わる際に、酸素プラズマ機構７０による酸素プラズマ処理のみが行われる時間帯８２が存在しうる。
かかる時間帯８２でも、制御機構４０は、ドラム１０の回転速度を調整して、算出したドラム１０の回転数を整数に近づけるのが好ましい。

上記では、本発明を成膜装置１（スパッタリング装置）に適用した例を示したが、本発明は図６のような成膜装置２（蒸着装置）にも適用可能である。
成膜装置２も多層膜の成膜装置であり、ドーム１４および成膜機構２０を有している。ドーム１４には複数の基板５０が支持されている。ドーム１４も基板５０を支持しながら回転する回転体の一例である。成膜機構２０は蒸着源２４を有している。ドーム１４がモーターで回転駆動される場合、モニター機構３０はその回転軸に設置されてもよいし、ドーム１４自体に設置されてもよい。成膜装置２では、成膜装置１のドラム１０がドーム１４に、成膜装置１のターゲット２２が蒸着源２４にそれぞれ置き換えられ、本発明が適用される。

ただ、本発明は好ましくは成膜装置１（スパッタリング装置）に適用されるのがよい。蒸着装置では蒸着開始直後の時間帯とその後の時間帯とで成膜条件にやや変動があるのに対し、スパッタリング装置では成膜条件の変動が少ないためである。蒸着装置では成膜が進行するにつれ蒸着源２４の原料が減少し蒸着源２４の交換が必要になるのに対し、スパッタリング装置では基本的にターゲット２２の交換が不要であるためである。蒸着装置では蒸着源２４から基板５０までの距離が比較的離れているのに対し、スパッタリング装置ではターゲット２２から基板５０までの距離が近く設計どおりの成膜が実現され易いためである。

本発明は、目標膜厚からのずれを低減することができる成膜装置および成膜方法を提供することに、特に好適に利用することができる。

１成膜装置（スパッタリング装置）
２成膜装置（蒸着装置）
１０ドラム
１２基準位置
１４ドーム
２０成膜機構
２２、２３ターゲット
２４蒸着源
３０モニター機構
４０制御機構
５０基板
５２、５４基板
６０検出機構
７０酸素プラズマ機構
８０、８２、８４時間帯

Claims

（ｎ＋１）層以上（ｎは１以上の正の整数である。）の多層膜の成膜装置において、
被成膜物を支持しながら回転する回転体と、
前記被成膜物に対し成膜処理を行う成膜機構と、
前記回転体の回転を制御する制御機構であって、前記多層膜の層の目標厚さ、初期設定された前記成膜機構の成膜レートおよび初期設定された前記回転体の回転速度から前記回転体の回転数を算出し、前記回転体の回転速度を調整して、算出した前記回転体の回転数を整数に近づける前記制御機構と、
前記回転体の回転速度を監視するモニター機構と、
を備え、
前記制御機構が、
前記モニター機構の監視結果からｎ層目の前記回転体の回転速度を把握し、（ｎ＋１）層目以降の前記回転体の回転速度を調整し、
前記モニター機構による計測間隔ｔ［ｓｅｃ］と、１回の計測に要する前記回転体の回転数Ａとを、条件式（１）を満たすように設定する成膜装置。
（Ｒａ ^２ ×ｔ×ｄａ）／
（６０×（６０×ｓ×Ａ＋Ｒａ×ｔ×ｓ））≦０．０５ … （１）
［条件式（１）中、Ｒａは（ｎ＋１）層目の回転体の回転速度［ｒｐｍ］を、ｄａは（ｎ＋１）層目の目標層厚［ｎｍ］を、ｓは成膜機構による成膜レート［ｎｍ／ｓｅｃ］を、それぞれ表す。］
（ｎ＋１）層以上（ｎは１以上の正の整数である。）の多層膜の成膜装置において、
被成膜物を支持しながら回転する回転体と、
前記被成膜物に対し成膜処理を行う成膜機構と、
前記回転体の回転を制御する制御機構であって、前記多層膜の層の目標厚さ、初期設定された前記成膜機構の成膜レートおよび初期設定された前記回転体の回転速度から前記回転体の回転数を算出し、前記回転体の回転速度を調整して、算出した前記回転体の回転数を整数に近づける前記制御機構と、
前記回転体の回転速度を監視するモニター機構と、
を備え、
前記制御機構が、
前記モニター機構の監視結果からｎ層目のｍ区画目（ｍは１以上の正の整数である。）
の前記回転体の回転速度を把握し、ｎ層目の（ｍ＋１）区画目以降の前記回転体の回転速度を調整し、
前記モニター機構による計測間隔ｔ［ｓｅｃ］と、１回の計測に要する前記回転体の回転数Ａとを、条件式（２）を満たすように設定する成膜装置。
（Ｒｃ ^２ ×ｔ×ｄｃ）／
（６０×（６０×ｓ×Ａ＋Ｒｃ×ｔ×ｓ））≦０．０５ … （２）
［条件式（２）中、Ｒｃはｎ層目の（ｍ＋１）区画目以降の回転体の回転速度［ｒｐｍ］を、ｄｃは多層膜のｎ層目の目標層厚［ｎｍ］を、ｓは成膜機構による成膜レート［ｎｍ／ｓｅｃ］を、それぞれ表す。］
請求項１又は２に記載の成膜装置において、
前記制御機構が、
前記成膜機構による成膜時間または成膜レートを調整して、算出した前記回転体の回転数を整数に近づける成膜装置。
請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜装置において、
前記回転体の基準位置を検出する検出機構を備え、
前記制御機構が、
前記検出機構の検出結果に基づき、前記回転体の回転位置を調整して、各層の成膜を、前記回転体の基準位置から開始させるか、前記回転体の基準位置で終了させるか、または前記回転体の基準位置から開始させかつ前記回転体の基準位置で終了させる成膜装置。
請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜装置において、
前記被成膜物に対し成膜処理を行う第２の成膜機構を備え、
前記制御機構が、
一の前記多層膜の成膜からその次の他の前記多層膜の成膜に切り替わる時間帯でも、前記回転体の回転速度を調整して、算出した前記回転体の回転数を整数に近づける成膜装置。
被成膜物を支持しながら回転する回転体と、
前記被成膜物に対し成膜処理を行う成膜機構と、
前記回転体の回転速度を監視するモニター機構を備える成膜装置を用いた、（ｎ＋１）層以上（ｎは１以上の正の整数である。）の多層膜の成膜方法において、
前記多層膜の層の目標厚さ、初期設定された前記成膜機構の成膜レートおよび初期設定された前記回転体の回転速度から前記回転体の回転数を算出し、前記モニター機構の監視結果からｎ層目の前記回転体の回転速度を把握し、（ｎ＋１）層目以降の前記回転体の回転速度を調整して、算出した前記回転体の回転数を整数に近づけ、前記モニター機構による計測間隔ｔ［ｓｅｃ］と、１回の計測に要する前記回転体の回転数Ａとを、条件式（１）を満たすように設定する成膜方法。
（Ｒａ ^２ ×ｔ×ｄａ）／
（６０×（６０×ｓ×Ａ＋Ｒａ×ｔ×ｓ））≦０．０５ … （１）
［条件式（１）中、Ｒａは（ｎ＋１）層目の回転体の回転速度［ｒｐｍ］を、ｄａは（ｎ＋１）層目の目標層厚［ｎｍ］を、ｓは成膜機構による成膜レート［ｎｍ／ｓｅｃ］を、それぞれ表す。］
被成膜物を支持しながら回転する回転体と、
前記被成膜物に対し成膜処理を行う成膜機構と、
前記回転体の回転速度を監視するモニター機構を備える成膜装置を用いた、（ｎ＋１）層以上（ｎは１以上の正の整数である。）の多層膜の成膜方法において、
前記多層膜の層の目標厚さ、初期設定された前記成膜機構の成膜レートおよび初期設定
された前記回転体の回転速度から前記回転体の回転数を算出し、前記モニター機構の監視結果からｎ層目のｍ区画目（ｍは１以上の正の整数である。）の前記回転体の回転速度を把握し、ｎ層目の（ｍ＋１）区画目以降の前記回転体の回転速度を調整して、算出した前記回転体の回転数を整数に近づけ、前記モニター機構による計測間隔ｔ［ｓｅｃ］と、１回の計測に要する前記回転体の回転数Ａとを、条件式（２）を満たすように設定する成膜方法。
（Ｒｃ ^２ ×ｔ×ｄｃ）／
（６０×（６０×ｓ×Ａ＋Ｒｃ×ｔ×ｓ））≦０．０５ … （２）
［条件式（２）中、Ｒｃはｎ層目の（ｍ＋１）区画目以降の回転体の回転速度［ｒｐｍ］を、ｄｃは多層膜のｎ層目の目標層厚［ｎｍ］を、ｓは成膜機構による成膜レート［ｎｍ／ｓｅｃ］を、それぞれ表す。］
請求項６又は７に記載の成膜方法において、
前記成膜機構による成膜時間または成膜レートを調整して、算出した前記回転体の回転数を整数に近づける成膜方法。
請求項６〜８のいずれか一項に記載の成膜方法において、
前記成膜装置が前記回転体の基準位置を検出する検出機構を備え、
前記検出機構の検出結果に基づき、前記回転体の回転位置を調整して、各層の成膜を、前記回転体の基準位置から開始させるか、前記回転体の基準位置で終了させるか、または前記回転体の基準位置から開始させかつ前記回転体の基準位置で終了させる成膜方法。
請求項６〜８のいずれか一項に記載の成膜方法において、
前記被成膜物に対し成膜処理を行う第２の成膜機構を備え、
一の前記多層膜の成膜からその次の他の前記多層膜の成膜に切り替わる時間帯でも、前記回転体の回転速度を調整して、算出した前記回転体の回転数を整数に近づける成膜方法。