JP6776454B2 - 積層膜および積層膜の製造方法 - Google Patents
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Description
有機無機多層膜の最も銀含有金属層側の層が無機層であり、
無機層の表面にHamaker定数が7.3×10−20J以上であるアンカー金属拡散制御層を備え、
アンカー金属拡散制御層と銀含有金属層との間に、アンカー金属拡散制御層よりも銀含有金属層の表面エネルギーとの差が小さい表面エネルギーを有するアンカー金属、の酸化物を含むアンカー領域を備え、
銀含有金属層の、アンカー金属拡散制御層側の面とは反対の面側に、アンカー金属の酸化物を含むキャップ領域を備えている。
また、ここでアンカー金属とは、その金属により構成される層が、アンカー金属拡散制御層の表面エネルギーよりも銀含有金属層の表面エネルギーとの差が小さい表面エネルギーを有するものとなる金属をいう。
ここで、Hf酸化物を含有するとは、「Hf酸化物を含有する」とは、アンカー金属拡散制御層中の20mol%以上がHf酸化物であることを意味する。アンカー金属拡散制御層中におけるHf酸化物の占有割合は50mol%以上であることがより好ましく、Hf酸化物のみで構成されている(占有割合100%である)ことが特に好ましい。Hf酸化物は酸素欠陥が含まれてもよく、HfO2−xで示した場合、Xが0〜1.5の間が好ましい。なお、以下においてはHf酸化物を酸素欠陥が含まれている場合も含めHfO2と記載している。
樹脂基材上に、有機無機多層膜として最表面が無機層である有機無機多層膜を備えたフィルムを用意し、
最表面に、Hamaker定数が7.3×10−20J以上であるアンカー金属拡散制御層を成膜し、
アンカー金属拡散制御層上に、アンカー金属拡散制御層よりも銀含有金属層の表面エネルギーとの差が小さい表面エネルギーを有する、アンカー金属からなるアンカー金属層を成膜し、
アンカー金属層上に銀含有金属層を成膜し、
樹脂基材上に有機無機多層膜、アンカー金属拡散制御層、アンカー金属層および銀含有金属層が積層された積層体を水蒸気雰囲気中に曝露して、酸素分子と水を反応種としてアンカー金属の酸化処理を行い、
アンカー金属拡散制御層と銀含有金属層との間に、アンカー金属の酸化物を含むアンカー領域を備え、銀含有金属層のアンカー金属拡散制御層側とは反対の面にアンカー金属の酸化物を含むキャップ領域を備えた積層膜を製造する、積層膜の製造方法である。
図1は、本発明の実施形態に係る積層膜10の概略構成を示す断面模式図である。図1に示すように、本実施形態の積層膜10は、樹脂基材12と、有機層22と無機層24とが交互に積層されてなる有機無機多層膜20と、銀(Ag)を含有する銀含有金属層14とが積層されてなる。本積層膜10は、有機無機多層膜20と銀含有金属層14との間に、Hamaker定数が7.3×10−20J以上であるアンカー金属拡散制御層16を備えている。なお、有機無機多層膜20の最も銀含有金属層14側の層は無機層24であり、アンカー金属拡散制御層16は無機層24上に備えられている。さらに、本積層膜10は、アンカー金属拡散制御層16と銀含有金属層14との間に、アンカー金属の酸化物を含むアンカー領域18を備え、銀含有金属層14の、アンカー領域18を備えているアンカー金属拡散制御層16側の面とは反対の面側に、アンカー金属の酸化物を含むキャップ領域19を備えている。
樹脂基材の厚みは10μm〜250μmであることが好ましく、20μm〜130μmであることがより好ましい。
有機無機多層膜は、少なくとも1層の有機層と少なくとも1層の無機層とを含み、2層以上の有機層と2層以上の無機層とが交互に積層していてもよい。ガスバリア層を構成する場合、層数に特に制限はないが、典型的には2層〜30層が好ましく、3層〜20層がさらに好ましい。また、有機層および無機層以外の他の構成層を含んでいてもよい。
無機層は、通常、金属化合物からなる薄膜の層である。無機層の形成方法は、目的の薄膜を形成できる方法であればいかなる方法でもよい。例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法(PVD)、種々の化学的気相成長法(CVD)、めっきやゾルゲル法等の液相成長法がある。無機層に含まれる成分は、上記性能を満たすものであれば特に限定されないが、例えば、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属酸化窒化物または金属酸化炭化物であり、Si、Al、In、Sn、Zn、Ti、Cu、Ce、またはTaから選ばれる1種以上の金属を含む酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物などを好ましく用いることができる。これらの中でも、Si、Al、In、Sn、Zn、Tiから選ばれる金属の酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物が好ましく、特にSi(ケイ素)またはAl(アルミニウム)の金属酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物が好ましい。これらは、副次的な成分として他の元素を含有していてもよい。例えば、水酸基を有する窒化物等となっていてもよい。
無機層としては、特に、Siを含む無機層が好ましい。より透明性が高く、かつ、より優れたガスバリア性を有しているからである。その中でも特に、窒化ケイ素からなる無機層が好ましい。
無機層の平滑性は、1μm角の平均粗さ(Ra値)として3nm未満であることが好ましく、1nm以下がより好ましい。
有機層は、好ましくは、重合性化合物を含む重合性組成物の硬化により形成することができる。
有機無機多層膜中の有機層の形成に用いられる重合性化合物は、エチレン性不飽和結合を末端または側鎖に有する化合物、および/または、エポキシまたはオキセタンを末端または側鎖に有する化合物であることが好ましい。重合性化合物としては、エチレン性不飽和結合を末端または側鎖に有する化合物が特に好ましい。エチレン性不飽和結合を末端または側鎖に有する化合物の例としては、(メタ)アクリレート系化合物、アクリルアミド系化合物、スチレン系化合物、無水マレイン酸等が挙げられ、(メタ)アクリレート系化合物が好ましく、特にアクリレート系化合物が好ましい。
スチレン系化合物としては、スチレン、α−メチルスチレン、4−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、4−ヒドロキシスチレン、4−カルボキシスチレン等が好ましい。
(メタ)アクリレート系化合物として具体的には、例えば特開2013−43382号公報の段落0024〜0036または特開2013−43384号公報の段落0036〜0048に記載の化合物を用いることができる。また、WO2013/047524に記載のフルオレン骨格を有する多官能アクリルモノマーを用いることもできる。
有機層は、平滑で、膜硬度が高いことが好ましい。有機層の平滑性は1μm角の平均粗さ(Ra値)として3nm未満であることが好ましく、1nm未満であることがより好ましい。
有機層の厚みについては特に限定はないが、脆性や光透過率の観点から、50nm〜5000nmが好ましく、200nm〜3500nmがより好ましく、さらには800nm〜3000nmが好ましい。
なお、アンカー金属層17がアンカー領域18およびキャップ領域19へと変質した後には、アンカー金属の酸化に伴い、アンカー金属層17の膜厚に対して、両領域18および19の合計膜厚は2倍程度に増加する場合もある。
以下、上記手法により算出した種々の金属元素についての室温における表面エネルギーを列挙しておく。
アンカー金属層成膜時において、2種以上の金属からなる合金層として成膜してもよいし、アンカー金属層成膜時において、それぞれ単一の金属からなる層を複数積層してもよい。複数積層する場合には、銀含有金属層側ほど銀含有金属層の表面エネルギーに近い表面エネルギーを有する層となるように積層することが好ましい。
特許文献3においては金属薄膜を腐食から保護する保護層として金属薄膜の上下層に金属酸化物を備えても良い旨記載されているが、銀含有金属層成膜時の下地層が酸化物層である場合、既述の通り均一な金属極薄膜は形成できない。一方、本開示の一実施形態の積層膜の製造方法においては、アンカー金属を酸化させないで、アンカー金属層上に銀含有金属層を形成するため十分に平坦性を確保できる。十分に平坦性と密着性を確保したうえでアンカー金属層を酸化させるので、平坦性と透明性を両立させた金属極薄膜の形成が可能になる。
アンカー金属が酸化物となることにより安定なものとなり、銀の移動抑制、凝集抑制、長期安定性および耐湿性等のキャップ性能が向上すると考えられる。なお、後述するアンカー金属の酸化工程を経ることにより、キャップ領域のアンカー金属の大部分が酸化物となる。この場合、キャップ領域に含まれているアンカー金属の80%以上が酸化されていることが好ましく、全て酸化され、アンカー金属酸化物となっていることが好ましい。例えば、アンカー金属がGeである場合Ge/O≦1/1.8であることが好ましく、Ge/O=1/2であることが特に好ましい。
なお、アンカー金属拡散制御層16は有機無機多層膜20の無機層24を構成する材料とは異なる材料からなるものとする。この無機層24上に直接アンカー金属層を設けるのではなく、アンカー金属拡散制御層16を備えることにより、密着性を向上する効果を得ることができることを本発明者らは見出した(後記実施例参照)。アンカー金属拡散制御層により、無機層24表面の欠陥を補填することにより、密着性が向上し、剥離が抑制できると考えられる。
屈折率および膜厚が上記範囲である誘電体層30を備えることにより、反射防止性を向上させることができる。
なお、既述の通り、製造過程においてアンカー金属層17を構成するアンカー金属は一部が銀含有金属層14表面まで移動するため、アンカー金属層17はアンカー領域に変質し厚みも大きく変化する。なお、アンカー金属の移動(拡散)は銀含有金属層14の成膜直後から生じ始める。
以上の工程により、図1に示した実施形態の積層膜1を作製することができる。
−ガスバリア層の作製−
ポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム(帝人デュポン社製、テオネックスQ65FA、厚さ100μm、幅1000mm)を樹脂基材として用いた。
重合性化合物(ダイセルサイテック社製、トリメチロールプロパントリアクリレート(TMPTA)100質量部、光重合開始剤(BASF社製、イルガキュア184)、およびメチルエチルケトン(MEK)を含む有機層塗布用組成物を調製した。MEKの量は、乾燥膜厚が1μmになるように調製し、光重合開始剤は組成物中に3質量%とした。
上記で得られた有機層塗布用組成物をダイコーターを用いて上記PENフィルムに塗布し、50℃で3分間乾燥させた。その後、紫外線を照射(積算照射量約600mJ/cm2)して硬化させ厚み1μmの有機層を形成した。CVD(Chemical Vapor Deposition)装置を用いて、上記有機層の表面に無機層(窒化ケイ素層)を形成した。この際、原料ガスとして、シランガス(流量160sccm:0℃、1気圧の標準状態、以下同じ)、アンモニアガス(流量370sccm)、水素ガス(流量590sccm)、および窒素ガス(流量240sccm)を用いた。電源としては、周波数13.56MHzの高周波電源を用いた。成膜圧力は40Pa、到達膜厚は50nmであった。このようにして、有機層、無機層を各一層備えてなる有機無機多層膜からなるガスバリア層を形成した。
RF(交流)投入電力=400W、
Ar:40sccm、O2:2.5sccm、Depo圧(成膜圧力):0.21Pa
成膜温度:室温
膜厚が20nmとなるように成膜した。
DC(直流)投入電力=20W、
Ar:20sccm、Depo圧(成膜圧力):0.45Pa
成膜温度:室温
膜厚が0.68nmとなるように成膜した。
DC投入電力=80W、
Ar:15sccm、Depo圧:0.27Pa
成膜温度:室温
膜厚が4nmとなるように成膜した。
その後、後記の表2に示す条件下にてアンカー金属の酸化処理を行い、実施例1〜9および比較例1〜5の積層膜を作製した。
得られた膜を、大気中100℃で加熱し、その後ESPEC小型環境試験機SH642を用いて、下記の表2に示す条件で酸化処理を実施した(実施例1〜9および比較例2、3)。なお、水蒸気雰囲気中における水蒸気量は以下のようにして算出した。
(1)温度tから飽和水蒸気圧eを求める。
e=6.11×10(7.5t/(t+237.3)) Tetensの式
(2)上記で求めた飽和水蒸気圧eと温度tと相対湿度rhから水蒸気量a(g/m3)を求める。
a=217×e/(t+273.15)×rh/100
分光光度計により可視域である波長400nm〜800nmにおける光の吸収率を測定した。具体的には、分光光度計(HITACHI U−4000)を用いて、波長400nm〜800nmの範囲でスキャンスピード600nm/minで測定した。透過スペクトルと反射スペクトルを測定することで550nmにおける吸収率を算出した。吸収率8%以下であれば透明性は良好であると判断できる。なお、比較例4、5については、明らかな着色が見られたため、透明性の評価としての吸収率測定は行わなかった。
作製した実施例1〜9および比較例1〜5の積層膜について、四端子法を用いシート抵抗値を測定した。四端子法によるシート抵抗値(Ω/□)の測定は、三菱化学製ロレスタGP、ESPプローブを用いて行った。
銀含有金属層のシート抵抗値は、銀含有金属層に不連続な部分や、膜厚が変化する部分における部分的な抵抗上昇などにより上昇することから、膜の均一性の指標となる。シート抵抗値は、膜の均一性(特には、平坦性)が高いほど小さく、均一性が低いほど大きくなる。ここでは、測定値が35Ω/□以下であれば導電性が良好であると評価した。
−屈曲試験−
平らな状態から屈曲半径(10mm)になるように屈曲させるフィルムの屈曲試験を実施した。屈曲試験を1000回行った後のシート抵抗値を上記と同様の手法で測定した。
成膜後屈曲試験前に測定したシート抵抗値(均一性の評価時の測定値)と、屈曲試験後のシート抵抗値とを比較し、2倍以上変化するのは積層膜に剥離が生じているためと考えられる。比較例4、5については下記の表2に示す通り屈曲試験前のシート抵抗値がすでに測定範囲外となっていたため、屈曲試験を行っていない。
ガラス基板(SiO2基板)上にGeからなるアンカー金属層を成膜した。芝浦メカトロニクス社製スパッタ装置(CFS-8EP)を用いて下記条件にて成膜した。
DC(直流)投入電力=20W、
Ar:20sccm、Depo圧(成膜圧力):0.45Pa
成膜温度:室温
DC投入電力=80W、
Ar:15sccm、Depo圧:0.27Pa
成膜温度:室温
その後、大気中300℃にてアニール処理を行った。
X線光電子分光法(X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS)により評価した。測定装置としてPHI社製Quantera SXMを用いた。
図4および図5は、XPSにより取得された、サンプル1についての酸化処理前および酸化処理後の、積層体表面側からガラス基板方向に向かう深さ方向における元素分布深さ方向における元素分布を示すグラフである。なお、図4および図5において、横軸0が積層体表面位置であり、Geの分布を視認しやすくするため、Geについては3倍の倍率で示している。したがって、Geの実際の含有量はグラフ縦軸の値の1/3である。図6および図7は、XPSにより取得された、サンプル1についての酸化処理前および酸化処理後の積層体表面側から基板側に向かう深さ方向にAr+スパッタにより掘削し、深さ方向の各位置において取得したGe3dスペクトル(Dn:n=1、2、3…)を同時に示すものである。図中において、データD1が積層体表面位置のデータであり、nが大きくなるほど、表面に垂直な方向にAr+スパッタにより掘り進んだ基板側の位置であることを意味する。なお、図6および図7において、表面でのGeO2のピークはAr+スパッタによる影響で結合エネルギーがやや低い方にシフトしている。なお、図4、図5の横軸(スパッタ時間)におけるデータ取得間隔と図6、図7における表面から基板側に向かうデータ取得間隔は対応している。
XPSおよび透過型電子顕微鏡(Transmission Electron Microscope :TEM)により測定したエネルギー分散型X線分光法(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy:EDX)によりキャップ領域におけるアンカー金属の酸化物の存在を評価した(図6,7)。
図9において、アンカー領域は横軸Geがピークとなっている9.8nm位置(図9中Pで示す)近傍である。アンカー領域は基板に隣接する領域であるため、Siが染みだしている。このピーク位置において、GeとSiとOの組成比をみると、Ge(12%)、Si(12%)、O(48%)となっているので、酸素は、SiO2とGeO2として存在していることが分かる。
ガラス基板上にアンカー金属拡散制御層、アンカー領域、銀含有金属層およびキャップ領域を備えたサンプルを作製し、その透明性および銀含有金属層の平坦性について評価した。ここでは、樹脂基材ではなくガラス基板を用いており、かつガスバリア層を備えていない。また、酸化処理は、大気中でのアニール処理とした。しかしながら、樹脂基材を用い、ガスバリア層を備える本発明の構成、水蒸気雰囲気中での酸化処理を行う本発明の製造方法を用いた場合と、アンカー金属拡散制御層の機能は同等である。
まず、ガラス基板上に、表3に記載の材料からなるアンカー金属拡散制御層を成膜した。芝浦メカトロニクス社製スパッタ装置(CFS-8EP)を用いて下記条件にて成膜した。なお、下記アンカー金属層および銀含有金属層も同一のスパッタ装置を用いて成膜した。
RF(交流)投入電力=400W、
Ar:40sccm、O2:2.5sccm、Depo圧(成膜圧力):0.21Pa
成膜温度:室温
DC(直流)投入電力=20W、
Ar:20sccm、Depo圧(成膜圧力):0.45Pa
成膜温度:室温
DC投入電力=80W、
Ar:15sccm、Depo圧:0.27Pa
成膜温度:室温
−可視光の吸収率評価−
分光光度計により可視域である波長400nm〜800nmにおける光の吸収率を測定した。具体的には、分光光度計(HITACHI U−4000)を用いて、波長400nm〜800nmの範囲でスキャンスピード600nm/minで測定した。可視域におけるプラズモン吸収が生じると吸収率が上昇する。なお、吸収率は概ね10%以下であれば、実用上問題ないレベルである。図10は、各例についての測定結果であり、吸収率の波長依存性を示すグラフである。波長400nm〜800nmの範囲において吸収率10%超を示したものにはプラズモン吸収が「有」、吸収率10%以下であったものにはプラズモン吸収が「無」として評価し、表3中に示した。
各サンプル、比較サンプルについて、四端子法による電気抵抗率(Ωcm)の測定を三菱化学製ロレスタGP、ESPプローブを用いて行った。測定結果を表2中に示した。
アンカー金属拡散制御層のHamaker定数は、既述の通り、van Ossの理論に基づいて求めた。
各例に用いられるアンカー金属拡散制御層を構成する材料を用い、別途ガラス基板上に20nmの厚みで成膜し、各材料による膜に関し、水、ジードメタン、エチレングリコールの3液の接触角をそれぞれKYOWA製Dropmasterにて液滴滴下法にて測定し、薄膜の表面エネルギーにおけるLifshitz vdW項(γLW)を求めた。そして、A11=24πD0 2γLWの関係式に基づいてHamaker定数A11を算出した。なお、ここでD0=0.165nmを採用した。
Claims (8)
- 樹脂基材と、有機層と無機層とが交互に積層された有機無機多層膜と、厚みが20nm以下の銀含有金属層と、が順に積層され、
前記有機無機多層膜の最も前記銀含有金属層側の層が無機層であり、
該無機層の表面にHamaker定数が7.3×10−20J以上であるアンカー金属拡散制御層を備え、
該アンカー金属拡散制御層と前記銀含有金属層との間に、前記アンカー金属拡散制御層よりも前記銀含有金属層の表面エネルギーとの差が小さい表面エネルギーを有するアンカー金属の酸化物を含むアンカー領域を備え、
前記銀含有金属層の、前記アンカー金属拡散制御層側の面とは反対の面側に、前記アンカー金属の酸化物を含むキャップ領域を備えており、
前記アンカー金属拡散制御層が、HfO 2 、ZrO 2 、Ta 2 O 5 、MgO、Al 2 O 3 およびTiO 2 のうちのいずれかからなり、
前記アンカー金属が、Geであり、
波長550nmの光の吸収率が8%以下である、積層膜。 - 前記アンカー金属拡散制御層が、Hf酸化物を含有する請求項1記載の積層膜。
- 前記アンカー領域は、酸化されていないアンカー金属の含有割合よりも前記アンカー金属の酸化物の含有割合が大きい請求項1または2記載の積層膜。
- 前記銀含有金属層の厚みが10nm以下である請求項1から3いずれか1項記載の積層膜。
- 樹脂基材と、有機層と無機層とが交互に積層された有機無機多層膜と、アンカー金属拡散制御層と、厚みが20nm以下の銀含有金属層と、を順に備えた積層膜を製造する積層膜の製造方法であって
前記樹脂基材上に、前記有機無機多層膜として最表面が無機層である有機無機多層膜を備えたフィルムを用意し、
前記最表面に、Hamaker定数が7.3×10−20J以上であるアンカー金属拡散制御層を成膜し、
該アンカー金属拡散制御層上に、前記アンカー金属拡散制御層よりも前記銀含有金属層の表面エネルギーとの差が小さい表面エネルギーを有する、アンカー金属からなるアンカー金属層を成膜し、
前記アンカー金属層上に前記銀含有金属層を成膜し、
前記樹脂基材上に前記有機無機多層膜、前記アンカー金属拡散制御層、前記アンカー金属層および前記銀含有金属層が積層された積層体を、水蒸気量が50g/m 3 以上である水蒸気雰囲気中に曝露して、酸素分子と水を反応種として前記アンカー金属の酸化処理を行い、
前記アンカー金属拡散制御層と前記銀含有金属層との間に、前記アンカー金属の酸化物を含むアンカー領域を備え、前記銀含有金属層の前記アンカー金属拡散制御層側とは反対の面に前記アンカー金属の酸化物を含むキャップ領域を備えた積層膜を製造する、積層膜の製造方法。 - 前記水蒸気雰囲気における水蒸気量が100g/m3以上である請求項5記載の積層膜の製造方法。
- 前記水蒸気雰囲気の温度が100℃以下である請求項5または6記載の積層膜の製造方法。
- 前記水蒸気雰囲気における水蒸気量が100g/m 3 以上であり、かつ、前記水蒸気雰囲気の温度が60℃以上である、請求項5から7のいずれか1項記載の積層膜の製造方法。
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