JP6773734B2 - 封止層を含む有機発光表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、封止基板が封止層によって発光構造物が形成された素子基板と結合される有機発光表示装置に関する。
一般に、モニター、ＴＶ、ノートブック型パソコン、デジタルカメラのような電子機器は、映像を具現するためにディスプレイ装置を含む。例えば、前記ディスプレイ装置は、液晶表示装置及び／又は有機発光表示装置を含むことができる。
前記有機発光表示装置は、発光構造物を含むことができる。前記発光構造物は、特定の色を示す光を生成することができる。例えば、それぞれの発光構造物は、順に積層された第１電極、発光層、及び第２電極を含むことができる。
前記有機発光表示装置は、外部の水分が前記発光層に浸透することを防止するための構造を有することができる。例えば、前記有機発光表示装置は、発光構造物上に位置する上部絶縁膜及び前記上部絶縁膜上に位置する封止層を含むことができる。前記上部絶縁膜は無機絶縁物質を含むことができる。前記封止層は吸湿物質を含むことができる。前記発光構造物が形成された素子基板は前記封止層によって封止基板と結合され、前記発光構造物を密閉することができる。例えば、前記封止層は、熱硬化性物質を含むことができる。
しかし、前記有機発光表示装置は、前記発光層が熱に対して非常に脆弱なので、映像を具現する動作で発生した熱によって前記発光層が劣化することがある。また、前記有機発光表示装置は、前記封止基板を前記素子基板と結合する工程が前記封止層の硬化工程を含むので、前記素子基板と前記封止基板との結合工程によって、前記発光構造物が損傷することがある。また、前記有機発光表示装置は、前記上部絶縁膜を用いて前記封止層の硬化工程による前記発光層の劣化を最小化することができるが、無機絶縁物質を含む前記上部絶縁膜から発生する水素によって、前記発光構造物及び前記発光構造物を制御する駆動回路が誤動作することがある。
本発明が解決しようとする課題は、熱を外部に早く放出することができる有機発光表示装置を提供することである。
本発明が解決しようとする他の課題は、素子基板と封止基板の結合工程による発光層の劣化を防止することができる有機発光表示装置を提供することである。
前記解決しようとする課題を達成するための本発明の技術的思想による有機発光表示装置は、素子基板を含む。素子基板は、表示領域及び非表示領域を含む。非表示領域は、表示領域の外側に位置する。素子基板の表示領域上には、発光構造物が位置する。発光構造物は、順に積層された第１電極、発光及び第２電極を含む。発光構造物上には、下部封止層が位置する。下部封止層は、素子基板の非表示領域上に伸びる。下部封止層は、発光構造物の前記第２電極と接触する。下部封止層上には、上部封止層が位置する。上部封止層は、吸湿物質を含む。上部封止層上には、封止基板が位置する。封止基板は、金属を含む。
下部封止層及び上部封止層は、オレフィン系物質を含むことができる。
上部封止層は、下部封止層と違う物質を含むことができる。
上部封止層は、下部封止層と直接接触することができる。
第１電極の周縁部は、バンク絶縁膜によって覆われることができる。第２電極は、素子基板の非表示領域に向かうバンク絶縁膜の側面上に伸びることができる。
素子基板と発光構造物との間には、薄膜トランジスタが位置することができる。薄膜トランジスタと発光構造物との間には、オーバーコート層が位置することができる。オーバーコート層は、薄膜トランジスタを覆うことができる。第２電極は、素子基板の非表示領域に向かうオーバーコート層の側面上に伸びることができる。
下部封止層の水平幅は、上部封止層の水平幅より小さくてもよい。
上部封止層は、素子基板の非表示領域上で下部封止層の側面上に伸びることができる。
封止基板上には、磁性粒子が位置することができる。
封止基板上には、キャッピング層が位置することができる。キャッピング層は、絶縁性物質を含むことができる。磁性粒子は、キャッピング層内に分散されることができる。
本発明が解決しようとする他の課題を達成するための本発明の技術的思想による有機発光表示装置は、素子基板上に位置する封止基板を含む。封止基板は、金属を含む。素子基板と封止基板との間には、下部封止層が位置する。下部封止層と封止基板との間には、上部封止層が位置する。上部封止層は、吸湿物質を含む。素子基板と下部封止層との間には、発光構造物が位置する。発光構造物は、下部封止層と接触する。下部封止層は、発光構造物の外側で素子基板と接触する領域を含む。
封止基板に向かう下部封止層の上部面は、平面であってもよい。
封止基板は、第１基材基板及び金属を含む金属基板、及び、第２基材基板が順に位置するクラッド構造であってもよい。
金属基板は、第１基材基板及び第２基材基板より高い熱伝導率を有することができる。
金属は、アルミニウム又はクロムを含むことができる。
金属基板は、第１基材基板及び第２基材基板より厚くてもよい。
第１基材基板及び第２基材基板は、金属基板より低い熱膨張係数を有することができる。
第２基材基板は、前記第１基材基板と同一の物質を含むことができる。
本発明の技術的思想による有機発光表示装置は、発光構造物が形成された素子基板と金属を含む封止基板の間に位置する封止層が下部封止層及び上部封止層で構成され、前記下部封止層が前記発光構造物と接触し、前記上部封止層が吸湿物質を含むことができる。これにより、本発明の技術的思想による有機発光表示装置は、外部水分の浸透を防止し、放熱効率を向上させることができる。したがって、本発明の技術的思想による有機発光表示装置は、その寿命及び信頼性を向上させることができる。
本発明の実施例による有機発光表示装置を概略的に示した図である。 それぞれ本発明の他の実施例による有機発光表示装置を示した図である。 それぞれ本発明の他の実施例による有機発光表示装置を示した別の図である。 それぞれ本発明の他の実施例による有機発光表示装置を示したさらに別の図である。 それぞれ本発明の他の実施例による有機発光表示装置を示したさらに別の図である。
本発明の前記目的と技術的構成及びこれによる作用効果についての詳細な事項は、本発明の実施例を示している図面を参照する以下の詳細な説明によってより明らかに理解可能であろう。ここで、本発明の実施例は、当業者に本発明の技術的思想が充分に伝達することができるようにするために提供するものであり、本発明は、以下で説明する実施例に限定されないように他の形態によって具体化することができる。
また、明細書全般にわたって同じ参照番号で表示した部分は同じ構成要素を意味し、図面において層又は領域の長さと厚さは便宜のために誇張して表現されることがある。また、第１構成要素が第２構成要素“上”にあると記載される場合、前記第１構成要素が前記第２構成要素と直接接触する上側に位置するものだけではなく、前記第１構成要素と前記第２構成要素の間に第３構成要素が位置する場合も含む。
ここで、前記第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するためのもので、一構成要素を他の構成要素と区別する目的で使う。ただ、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で第１構成要素と第２構成要素は当業者の便宜によって任意に名付けられることができる。
本発明の明細書で使用する用語は単に特定の実施例を説明するために使われるもので、本発明を限定しようとする意図ではない。例えば、単数で表現された構成要素は文脈上明白に単数のみを意味しなければ複数の構成要素を含む。また、本発明の明細書において、“含む”又は“有する”などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらの組合せが存在することを指定しようとするものであり、一つ又はそれ以上の他の特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらの組合せなどの存在又は付加の可能性を予め排除しないことを理解しなければならない。
加えて、他に定義しない限り、技術的又は科学的な用語を含めてここで使うすべての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同一の意味がある。一般的に使われる予め定義されているような用語は関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味があるものと解釈しなければならなく、本発明の明細書で明らかに定義しない限り、理想的に又は過度に形式的な意味と解釈されない。
（実施例）
図１は本発明の実施例による有機発光表示装置を概略的に示した図である。
図１を参照すると、本発明の実施例による有機発光表示装置は、素子基板１００、発光構造物３００、下部封止層５００、上部封止層６００及び封止基板７００を含むことができる。
前記素子基板１００は、前記発光構造物３００を支持することができる。前記素子基板１００は、絶縁性物質を含むことができる。前記素子基板１００は、透明な物質を含むことができる。例えば、前記素子基板１００は、ガラス又はプラスチックを含むことができる。
前記素子基板１００は、表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡを含むことができる。前記非表示領域ＮＡは、前記表示領域ＡＡの外側に位置することができる。例えば、前記非表示領域ＮＡは、前記素子基板１００の周縁部を含むことができる。
本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記素子基板１００の前記表示領域ＡＡ上に位置する薄膜トランジスタ２００をさらに含むことができる。前記薄膜トランジスタ２００は、前記素子基板１００と前記発光構造物３００との間に位置することができる。例えば、前記薄膜トランジスタ２００は、半導体パターン２１０、ゲート絶縁膜２２０、ゲート電極２３０、層間絶縁膜２４０、ソース電極２５０及びドレイン電極２６０を含むことができる。
前記半導体パターン２１０は、前記素子基板１００の近くに位置することができる。前記半導体パターン２１０は、半導体物質を含むことができる。例えば、前記半導体パターン２１０は、非晶質シリコン又は多結晶シリコンを含むことができる。前記半導体パターン２１０は、酸化物半導体であってもよい。例えば、前記半導体パターン２１０は、ＩＧＺＯを含むことができる。
前記半導体パターン２１０は、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含むことができる。前記チャネル領域は、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に位置することができる。前記チャネル領域の伝導率（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）は、前記ソース領域の伝導率及び前記ドレイン領域の伝導率より低くてもよい。例えば、前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、導電性不純物を含むことができる。
前記ゲート絶縁膜２２０は、前記半導体パターン２１０上に位置することができる。前記ゲート絶縁膜２２０の大きさは、前記半導体パターン２１０の大きさより小さくてもよい。例えば、前記ゲート絶縁膜２２０は、前記半導体パターン２１０の前記チャネル領域と重畳することができる。
前記ゲート絶縁膜２２０は、絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記ゲート絶縁膜２２０は、シリコン酸化物及び／又はシリコン窒化物を含むことができる。前記ゲート絶縁膜２２０は、Ｈｉｇｈ−Ｋ物質を含むことができる。例えば、前記ゲート絶縁膜２２０は、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ）又はチタン酸化物（ＴｉＯ）を含むことができる。前記ゲート絶縁膜２２０は、多重層構造であってもよい。
前記ゲート電極２３０は、前記ゲート絶縁膜２２０上に位置することができる。例えば、前記ゲート電極２３０は、前記半導体パターン２１０の前記チャネル領域と重畳することができる。前記ゲート電極２３０は、前記ゲート絶縁膜２２０によって前記半導体パターン２１０から絶縁されることができる。例えば、前記ゲート電極２３０の側面は、前記ゲート絶縁膜２２０の側面と垂直に整列されることができる。
前記ゲート電極２３０は、導電性物質を含むことができる。例えば、前記ゲート電極２３０は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）のような金属を含むことができる。
前記層間絶縁膜２４０は、前記半導体パターン２１０及び前記ゲート電極２３０上に位置することができる。前記層間絶縁膜２４０は、前記半導体パターン２１０の外側に伸びることができる。例えば、前記半導体パターン２１０の側面は、前記層間絶縁膜２４０によって覆われることができる。
前記層間絶縁膜２４０は、絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記層間絶縁膜２４０は、シリコン酸化物を含むことができる。
前記ソース電極２５０は、前記層間絶縁膜２４０上に位置することができる。前記ソース電極２５０は、前記半導体パターン２１０の前記ソース領域と電気的に連結されることができる。例えば、前記ソース電極２５０は、前記半導体パターン２１０の前記ソース領域と重畳することができる。前記層間絶縁膜２４０は、前記半導体パターン２１０の前記ソース領域を部分的に露出するコンタクトホールを含むことができる。
前記ソース電極２５０は、伝導性物質を含むことができる。例えば、前記ソース電極２５０は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）のような金属を含むことができる。前記ソース電極２５０は、前記ゲート電極２３０と違う物質を含むことができる。
前記ドレイン電極２６０は、前記層間絶縁膜２４０上に位置することができる。前記ドレイン電極２６０は、前記半導体パターン２１０の前記ドレイン領域と電気的に連結されることができる。前記ドレイン電極２６０は、前記ソース電極２５０から離隔することができる。例えば、前記ドレイン電極２６０は、前記半導体パターン２１０の前記ドレイン領域と重畳することができる。前記層間絶縁膜２４０は、前記半導体パターン２１０の前記ドレイン領域を部分的に露出するコンタクトホールをさらに含むことができる。
前記ドレイン電極２６０は、伝導性物質を含むことができる。例えば、前記ドレイン電極２６０は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）のような金属を含むことができる。前記ドレイン電極２６０は、前記ゲート電極２３０と違う物質を含むことができる。前記ドレイン電極２６０は、前記ソース電極２５０と同一の物質を含むことができる。
本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記素子基板１００と前記薄膜トランジスタ２００との間に位置するバッファー層１１０をさらに含むことができる。例えば、前記バッファー層１１０は、前記素子基板１００と前記半導体パターン２１０との間に伸びることができる。前記バッファー層１１０は、絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記バッファー層１１０は、シリコン酸化物を含むことができる。
本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記薄膜トランジスタ２００上に位置する下部保護膜１２０をさらに含むことができる。前記下部保護膜１２０は、外部水分から前記薄膜トランジスタ２００を保護することができる。例えば、前記下部保護膜１２０は、前記半導体パターン２１０の外側で前記層間絶縁膜２４０に沿って伸びることができる。前記下部保護膜１２０は、絶縁性物質を含むことができる。前記下部保護膜１２０は、前記層間絶縁膜２４０とは異なる物質を含むことができる。例えば、前記下部保護膜１２０は、シリコン窒化物を含むことができる。
本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記下部保護膜１２０上に位置するオーバーコート層１３０をさらに含むことができる。前記オーバーコート層１３０は、前記薄膜トランジスタ２００による段差を除去することができる。例えば、前記素子基板１００と対向する前記オーバーコート層１３０の上部面は、平面（ｆｌａｔ ｓｕｒｆａｃｅ）であってもよい。前記オーバーコート層１３０は、絶縁性物質を含むことができる。前記オーバーコート層１３０は、前記下部保護膜１２０と違う物質を含むことができる。例えば、前記オーバーコート層１３０は、有機絶縁物質を含むことができる。
前記発光構造物３００は、特定の色を示す光を生成することができる。例えば、前記発光構造物３００は、順に積層された第１電極３１０、発光層３２０及び第２電極３３０を含むことができる。
前記第１電極３１０は、前記素子基板１００の近くに位置することができる。前記発光構造物３００は、前記薄膜トランジスタ２００によって制御されることができる。例えば、前記第１電極３１０は、前記薄膜トランジスタ２００の前記ドレイン電極２６０と電気的に連結されることができる。前記発光構造物３００は、前記オーバーコート層１３０上に位置することができる。前記オーバーコート層１３０は、前記ドレイン電極２６０の少なくとも一部領域を露出する上部コンタクトホール１３０ｈを含むことができる。前記下部保護膜１２０は、前記上部コンタクトホール１３０ｈと重畳する下部コンタクトホール１２０ｈを含むことができる。前記第１電極３１０は、前記下部コンタクトホール１２０ｈの側壁及び前記上部コンタクトホール１３０ｈの側壁に沿って伸びることができる。
前記第１電極３１０は、導電性物質を含むことができる。前記第１電極３１０は、透明な物質を含むことができる。例えば、前記第１電極３１０は、ＩＴＯ又はＩＺＯのような透明な導電性物質を含む透明電極であってもよい。
前記発光層３２０は、前記第１電極３１０と前記第２電極３３０との間の電圧差に対応する輝度の光を生成することができる。例えば、前記発光層３２０は、発光物質を含む発光物質層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）を含むことができる。前記発光物質は、有機物質であってもよい。
前記発光層３２０は、発光効率を高めるために、多重層構造であってもよい。例えば、前記発光層３２０は、正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）の少なくとも一つをさらに含むことができる。
前記第２電極３３０は、導電性物質を含むことができる。前記第２電極３３０は、前記第１電極３１０とは異なる物質を含むことができる。例えば、前記第２電極３３０は、アルミニウム（Ａｌ）のような反射率の高い金属を含むことができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記発光層３２０によって生成した光を前記素子基板１００を通じて外部に放出することができる。
本発明の実施例による有機発光表示装置は、多数の発光構造物３００を含むことができる。各発光構造物３００は、隣接した発光構造物３００とは独立的に制御されることができる。例えば、各発光構造物３００の第１電極３１０は、隣接した発光構造物３００の第１電極３１０から分離されることができる。本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記第１電極３１０の周縁部を覆うバンク絶縁膜１４０をさらに含むことができる。前記バンク絶縁膜１４０は、絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記バンク絶縁膜１４０は、有機絶縁物質を含むことができる。前記バンク絶縁膜１４０は、前記オーバーコート層１３０とは異なる物質を含むことができる。
前記発光層３２０及び前記第２電極３３０は、前記バンク絶縁膜１４０によって露出した前記第１電極３１０の一部領域上に積層されることができる。前記薄膜トランジスタ２００は、前記バンク絶縁膜１４０と重畳することができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置においては、前記発光層３２０から前記素子基板１００の方向に進行する光が前記薄膜トランジスタ２００によって遮断されることはない。
前記第２電極３３０は、前記バンク絶縁膜１４０上に伸びることができる。例えば、前記第２電極３３０は、前記素子基板１００の前記非表示領域ＮＡに向かう前記バンク絶縁膜１４０の側面１４０ｓ上に伸びることができる。前記素子基板１００の前記非表示領域ＮＡに向かう前記バンク絶縁膜１４０の側面１４０ｓは、前記第２電極３３０によって完全に遮られる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記第２電極３３０によって前記バンク絶縁膜１４０が外部水分の浸透経路として機能することを防止することができる。
前記第２電極３３０は、前記素子基板１００の前記非表示領域ＮＡに向かう前記オーバーコート層１３０の側面１３０ｓ上に伸びることができる。例えば、前記第２電極３３０は、前記素子基板１００の前記非表示領域ＮＡに向かう前記オーバーコート層１３０の側面１３０ｓを完全に覆うことができる。前記第２電極３３０は、前記素子基板１００と接触する領域を含むことができる。例えば、前記第２電極３３０の端部は、前記素子基板１００の前記非表示領域ＮＡと直接接触することができる。前記バッファー層１１０、前記層間絶縁膜２４０及び前記下部保護膜１２０の側面は、前記第２電極３３０によって完全に遮られる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置においては、外部水分が前記素子基板１００と前記第２電極３３０との間に積層された絶縁膜及び隣接した絶縁膜間の境界面を通じて浸透することを防止することができる。
本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記素子基板１００と前記発光構造物３００との間に位置するカラーフィルター４００をさらに含むことができる。例えば、前記カラーフィルター４００は、前記下部保護膜１２０と前記オーバーコート層１３０との間に位置することができる。前記カラーフィルター４００による段差は、前記オーバーコート層１３０によって除去されることができる。前記カラーフィルター４００は、前記発光層３２０によって生成した光が示す色を変更することができる。例えば、前記発光層３２０は、白色を示す光を生成し、前記カラーフィルター４００は、前記発光層３２０によって生成した光を用いて青色、赤色又は緑色を具現することができる。前記カラーフィルター４００の水平幅は、前記バンク絶縁膜１４０によって露出した前記第１電極３１０の一部領域の水平幅より大きくてもよい。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、光漏れを防止することができる。
前記下部封止層５００は、前記発光構造物３００上に位置することができる。前記下部封止層５００は、前記素子基板１００の前記非表示領域ＮＡ上に伸びることができる。例えば、前記下部封止層５００は、前記発光構造物３００の外側で前記素子基板１００と直接接触する領域を含むことができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置においては、前記発光構造物３００を前記下部封止層５００によって密閉することができる。
前記下部封止層５００は、前記発光構造物３００と接触することができる。例えば、前記素子基板１００と対向する前記第２電極３３０の上部面は、前記下部封止層５００と直接接触することができる。前記下部封止層５００は、前記素子基板１００と接触する前記第２電極３３０の端部を取り囲むことができる。前記素子基板１００と対向する前記下部封止層５００の上部面は、平面であってもよい。前記発光構造物３００による段差は、前記下部封止層５００によって除去されることができる。
前記下部封止層５００は、絶縁性物質を含むことができる。前記下部封止層５００は、接着性物質を含むことができる。前記下部封止層５００は、硬化工程が必要ではない物質を含むことができる。例えば、前記下部封止層５００は、オレフィン（ｏｌｅｆｉｎ）系物質を含むことができる。
前記上部封止層６００は、前記下部封止層５００上に位置することができる。例えば、前記上部封止層６００は、前記下部封止層５００と直接接触することができる。前記上部封止層６００は、吸湿物質６００ｐを含むことができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記下部封止層５００を通じて浸透する水分を前記上部封止層６００の前記吸湿物質６００ｐによって捕集することができる。また、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記吸湿物質６００ｐの膨張によって前記発光構造物３００に加わる応力（ｓｔｒｅｓｓ）を前記下部封止層５００によって緩和することができる。よって、本発明の実施例による有機発光表示装置は、外部水分から前記発光構造物３００を保護するための別途の構成を形成しなくてもよい。
前記上部封止層６００は、前記素子基板１００の前記表示領域ＡＡ及び前記非表示領域ＮＡ上に位置することができる。例えば、前記上部封止層６００は、前記下部封止層５００の側面と垂直に整列される側面を含むことができる。前記素子基板１００の前記非表示領域ＮＡ上で、前記上部封止層６００の側面は、前記下部封止層５００の側面と連続することができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記下部封止層５００を通じて浸透する水分を前記上部封止層６００によって効果的に捕集することができる。
前記上部封止層６００は、絶縁性物質を含むことができる。前記上部封止層６００は、接着性物質を含むことができる。前記上部封止層６００は、硬化工程が必要ではない物質を含むことができる。例えば、前記上部封止層６００は、オレフィン（ｏｌｅｆｉｎ）系物質を含むことができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記下部封止層５００及び前記上部封止層６００の形成工程による前記発光層３２０の劣化を防止することができる。
前記上部封止層６００は、前記下部封止層５００とは異なる物質を含むことができる。例えば、前記下部封止層５００は、前記上部封止層６００より高弾性の物質を含むことができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記上部封止層６００の水分捕集率にかかわらず、前記吸湿物質６００ｐの膨張によって前記発光構造物３００に加わる応力を緩和することができる。
前記封止基板７００は、前記上部封止層６００上に位置することができる。例えば、前記素子基板１００と対向する前記上部封止層６００の上部面は、前記封止基板７００と直接接触することができる。前記封止基板７００は、前記素子基板１００の前記表示領域ＡＡ及び前記非表示領域ＮＡと重畳することができる。前記封止基板７００の寸法は、前記上部封止層６００の寸法より大きくてもよい。前記封止基板７００の寸法は、前記素子基板１００の寸法より小さくてもよい。例えば、前記封止基板７００の側面は、前記素子基板１００の側面と前記上部封止層６００の側面との間に位置することができる。前記素子基板１００と対向する前記封止基板７００の下部面の周縁部は、前記上部封止層６００によって露出することができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記上部封止層６００の誤整列による不良を防止することができる。
前記封止基板７００は、一定強度以上の強度を有する物質を含むことができる。例えば、前記封止基板７００は、アルミニウム（Ａｌ）のように相対的に熱伝導率が高い金属を含むことができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、映像を具現する動作で発生した熱を、前記下部封止層５００、前記上部封止層６００及び前記封止基板７００を通じて外部に放出することができる。
すなわち、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記発光構造物３００が形成された前記素子基板１００に金属を含む前記封止基板７００を結合する封止層５００、６００を、前記発光構造物３００と直接接触させて放熱効率を向上することができる。また、本発明の実施例による有機発光表示装置においては、前記発光構造物３００上に下部封止層５００及び上部封止層６００が順に積層され、前記発光構造物３００が前記下部封止層５００によって完全に覆われ、前記吸湿物質６００ｐが前記上部封止層６００にのみ含有されるため、水分を捕集した前記吸湿物質６００ｐによって、前記発光構造物３００の前記第２電極３３０と金属を含む前記封止基板７００とが電気的に連結されることを防止することができる。また、本発明の実施例による有機発光表示装置においては、前記下部封止層５００及び前記上部封止層６００が硬化工程なしに形成されることにより、前記封止基板７００を前記素子基板１００と結合する工程による前記発光層３２０の劣化を防止することができる。結果的に、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記発光構造物３００が形成された前記素子基板１００と前記吸湿物質６００ｐを含む前記上部封止層６００との間の空間が前記下部封止層５００によって満たされ、前記下部封止層５００及び前記上部封止層６００が硬化工程なしに形成されることにより、前記発光構造物３００の寿命及び信頼性を向上させることができる。
本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記下部封止層５００の水平幅が前記上部封止層６００の水平幅と同一であると説明した。しかし、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、前記下部封止層５００より広い面積を有する前記上部封止層６００を含むことができる。例えば、図２に示したように、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、前記素子基板１００の前記非表示領域ＮＡ上で、前記上部封止層６００が前記下部封止層５００の側面上に伸びることができる。本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、前記上部封止層６００が前記素子基板１００の前記非表示領域ＮＡと直接接触する領域を含むことができる。これにより、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、前記吸湿物質６００ｐを含む前記上部封止層６００によって外部水分の浸透を効果的に防止し、放熱効率を向上させることができる。
本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記封止基板７００が金属を含む単一層であると説明した。しかし、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、前記封止基板７００が多重層構造であってもよい。例えば、図３に示したように、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、前記封止基板７００が第１基材基板７１０、金属基板７２０及び第２基材基板７３０が順に位置するクラッド構造を有してもよい。
前記金属基板７２０は、前記第１基材基板７１０及び前記第２基材基板７３０より高い熱伝導率を有することができる。例えば、前記金属基板７２０は、アルミニウム（Ａｌ）及びクロム（Ｃｒ）のように高熱伝導率を有する金属を含むことができる。前記第１基材基板７１０及び前記第２基材基板７３０は、前記金属基板７２０より高い硬度（ｈａｒｄｎｅｓｓ）を有する物質を含むことができる。前記第１基材基板７１０及び前記第２基材基板７３０は、前記金属基板７２０より低い熱膨張係数を有することができる。前記第２基材基板７３０は、前記第１基材基板７１０と同一の物質を含むことができる。例えば、前記第１基材基板７１０及び前記第２基材基板７３０は、ＳＵＳを含むことができる。これにより、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、前記素子基板１００と前記封止基板７００との間の熱膨張係数差による撓み及び外部衝撃による前記金属基板７２０の損傷を最小化することができる。よって、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、放熱効率を効果的に向上させることができる。前記金属基板７２０は、前記第１基材基板７１０及び前記第２基材基板７３０より厚くてもよい。
本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、磁性粒子８００を用いて磁性を確保することができる。例えば、図４に示したように、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、前記封止基板７００上に位置する磁性粒子８００を含むことができる。前記磁性粒子８００は、磁性を有する物質を含むことができる。例えば、前記磁性粒子８００は、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）のような強磁性金属を含むことができる。前記磁性粒子８００は、メッキ工程で形成されることができる。例えば、前記磁性粒子８００は、前記封止基板７００の外側表面と直接接触することができる。前記磁性粒子８００は、前記封止基板７００上に規則的に分散されることができる。これにより、本発明の他の実施例による有機発光表示装置においては、前記封止基板７００が磁性プレートを含むジグ（ｊｉｇ）によって移動することができるので、前記素子基板１００と前記封止基板７００の結合工程で前記封止基板７００の位置を用意に調節ができる。また、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、前記封止基板７００の移送ジグを単純化することにより、前記移送ジグに前記封止基板７００を付着及び／又は脱着する過程で発生する前記封止基板７００及び／又は前記素子基板１００の損傷を防止することができる。また、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、前記移送ジグによって前記封止基板７００の付着及び脱着工程を単純化することにより、前記素子基板１００と前記封止基板７００の結合工程に必要となる時間が減少することができる。よって、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、製造効率を向上させることができる。そして、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、製造効率の向上に加えて、前記封止基板７００の金属を選択することができるので、放熱効率を効果的に向上させることができる。
本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、前記封止基板７００の外側表面上に前記磁性粒子８００が塗布されるものとして説明した。しかし、図５に示したように、本発明のさらに他の実施例による有機発光表示装置は、前記封止基板７００上に位置するキャッピング層９００及び前記キャッピング層９００内に分散された磁性粒子９００ｍを含むことができる。前記キャッピング層９００は、絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記キャッピング層９００は、シリコン酸化物を含むことができる。これにより、本発明のさらに他の実施例による有機発光表示装置は、外部衝撃による前記封止基板７００の損傷を防止し、放熱効率及び製造効率を向上させることができる。
１００ 素子基板
３００ 発光構造物
３１０ 第１電極
３２０ 発光層
３３０ 第２電極
５００ 下部封止層
６００ 上部封止層
６００ｐ 吸湿物質
７００ 封止基板

Claims (14)

  1. 表示領域及び前記表示領域の外側に位置する非表示領域を含む素子基板；
    前記素子基板の前記表示領域上に位置し、順に積層された第１電極、発光層及び第２電極を含む発光構造物；
    前記発光構造物上に位置し、前記素子基板の前記非表示領域上に伸びる下部封止層；
    前記下部封止層上に位置し、吸湿物質を含む上部封止層；及び
    前記上部封止層上に位置し、金属を含む封止基板、
    を含み、
    前記下部封止層及び前記上部封止層は、オレフィン系物質を含み、
    前記下部封止層は、前記発光構造物の前記第２電極と接触し、
    前記下部封止層の水平幅は、前記上部封止層の水平幅より短く、
    前記上部封止層は、前記素子基板の前記非表示領域上で前記下部封止層の側面上に伸びることで、該上部封止層の吸湿物質が該下部封止層の該側面上に配置され、
    前記封止基板は、第１基材基板、前記金属を含む金属基板及び第２基材基板が順に位置するクラッド構造を有する、
    有機発光表示装置。
  2. 前記上部封止層は、前記下部封止層と違う物質を含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  3. 前記上部封止層は、前記下部封止層と直接接触する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  4. 前記第１電極の周縁部を覆うバンク絶縁膜をさらに含み、
    前記第２電極は、前記素子基板の前記非表示領域に向かう前記バンク絶縁膜の側面上に伸びる、
    請求項１に記載の有機発光表示装置。
  5. 前記素子基板と前記発光構造物との間に位置する薄膜トランジスタ；及び
    前記薄膜トランジスタと前記発光構造物との間に位置し、前記薄膜トランジスタを覆うオーバーコート層
    をさらに含み、
    前記第２電極は、前記素子基板の前記非表示領域に向かう前記オーバーコート層の側面上に伸びる、
    請求項４に記載の有機発光表示装置。
  6. 前記封止基板上に位置する磁性粒子をさらに含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  7. 前記封止基板上に位置し、絶縁物質を含むキャッピング層をさらに含み、
    前記磁性粒子は前記キャッピング層内に分散されている、
    請求項６に記載の有機発光表示装置。
  8. 表示領域及び前記表示領域の外側に位置する非表示領域を含む素子基板；
    前記素子基板上に位置し、金属を含む封止基板；
    前記素子基板と前記封止基板の間に位置する下部封止層；
    前記下部封止層と前記封止基板との間に位置し、吸湿物質を含む上部封止層；及び
    前記素子基板と前記下部封止層との間に位置し、前記下部封止層と接触する発光構造物
    を含み、
    前記下部封止層及び前記上部封止層は、オレフィン系物質を含み、
    前記下部封止層は、前記発光構造物の外側で前記素子基板と接触する領域を含み、
    前記下部封止層の水平幅は、前記上部封止層の水平幅より短く、
    前記上部封止層は、前記素子基板の前記非表示領域上で前記下部封止層の側面上に伸びることで、該上部封止層の吸湿物質が該下部封止層の該側面上に配置され、
    前記封止基板は、第１基材基板、前記金属を含む金属基板及び第２基材基板が順に位置するクラッド構造を有する、
    有機発光表示装置。
  9. 前記封止基板に向かう前記下部封止層の上部面は平面である、請求項８に記載の有機発光表示装置。
  10. 前記金属基板は、前記第１基材基板及び前記第２基材基板より高い熱伝導率を有する、請求項８に記載の有機発光表示装置。
  11. 前記金属は、アルミニウム又はクロムを含む、請求項１０に記載の有機発光表示装置。
  12. 前記金属基板は、前記第１基材基板及び前記第２基材基板より厚い、請求項１０に記載の有機発光表示装置。
  13. 前記第１基材基板及び前記第２基材基板は、前記金属基板より低い熱膨張係数を有する、請求項８に記載の有機発光表示装置。
  14. 前記第２基材基板は、前記第１基材基板と同一の物質を含む、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
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