JP2016115572A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】容易に脱水することが可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、複数の画素Ｐを有している表示領域Ｄと、前記表示領域の外側の領域である周辺領域Ｅと、前記複数の画素毎に形成された下部電極３２と、平面視で前記下部電極の外縁３２ｂを覆うとともに前記下部電極の上面３２ｃの少なくとも一部を避けて形成された有機膜１４と、前記有機膜の上面１４ａの少なくとも一部を覆う無機多孔質膜２０と、前記下部電極の上面および前記有機膜の上面を覆う有機エレクトロルミネッセンス層３３と、前記有機エレクトロルミネッセンス層の上面を覆う上部電極３４と、を備えていることを特徴とする。【選択図】図２

Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法に関する。

薄型で軽量な発光源として、有機エレクトロルミネッセンス（organic Electro luminescent）素子が注目を集めており、多数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置が開発されている。有機エレクトロルミネッセンス素子は、下部電極と発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）層と上部電極とを有しており、下部電極は有機膜によって画素毎に区分されている。

このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置としては、有機膜（バンク）が電極の中央部を避けて周縁部を覆うように設けられ、有機ＥＬ層が電極の中央部の上方に設けられた構造が特許文献１に開示されている。

特開２００８−１５９６００号公報

このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造においては、有機膜を形成する工程において電極上に有機物が残りやすい。このため、残った有機物を除去する工程が必要である。有機物は水分を吸収しやすいため、有機物の除去には薬液の使用を避けて、ＵＶ照射やプラズマを用いたドライ方式が採用される。

しかし、ドライ方式においては有機膜が分解して水などの物質が発生し、有機ＥＬ層に影響を与えるという問題があった。また、有機ＥＬ層の上に電極を形成するときにも、スパッタリングなどのドライ方式の成膜により、同様の問題が発生しやすい。

本発明の目的は、水分発生による影響を防ぐことが可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法を提供することにある。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、複数の画素を有している表示領域と、前記表示領域の外側の領域である周辺領域と、前記複数の画素毎に形成された下部電極と、平面視で前記下部電極の外縁を覆うとともに前記下部電極の上面の少なくとも一部を避けて形成された有機膜と、前記有機膜の上面の少なくとも一部を覆う無機多孔質膜と、前記下部電極の上面および前記有機膜の上面を覆う有機エレクトロルミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層の上面を覆う上部電極と、を備えている、ことを特徴とする。

また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、複数の画素を有する表示領域と当該表示領域の外側の領域である周辺領域とを有する基板に、前記複数の画素毎に下部電極を形成する工程と、平面視で前記下部電極の外縁を覆うとともに前記下部電極の上面の少なくとも一部を避けるように、有機材料からなる有機膜を形成する工程と、前記有機膜の上面の少なくとも一部を覆うように無機多孔質膜を形成する工程と、前記無機多孔質膜を形成する工程の後に前記有機膜を脱水する工程と、前記無機多孔質膜を形成する工程の後に前記有機膜から露出する、前記下部電極の上面の一部をドライクリーニングする工程と、前記有機膜を脱水する工程と前記下部電極の上面の一部をドライクリーニングする工程の後に前記下部電極の上面を覆うように有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス層の上面を覆うように上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。

本発明によれば、水分発生による有機エレクトロルミネッセンス層への影響を抑えることができる。

本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法により製造された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略平面図である。 図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。 図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩＩ領域における部分拡大図である。 本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図２と同様の視野において示す概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を図２と同様の視野において示す概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を図２と同様の視野において示す概略断面図である。 図４に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を図２と同様の視野において示す概略断面図である。

以下、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１について図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。

また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。なお、本実施形態においては説明の便宜上、各構成の位置関係をＸ軸（Ｘ１方向、Ｘ２方向）、Ｙ軸（Ｙ１方向、Ｙ２方向）、Ｚ軸（Ｚ１方向、Ｚ２方向）の座標を用いて説明する。

はじめに、本発明の一実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の構成について説明する。図１は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の概略平面図であり、図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。

本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、図１に示すようにＴＦＴ基板１０と対向基板５０を有している。ＴＦＴ基板１０は、複数の画素を有している表示領域Ｄと、表示領域Ｄの外側の領域である周辺領域Ｅとを有している。

ＴＦＴ基板１０を、上面１０ａに対して垂直な方向から見た形状（平面視形状）は、対向基板５０の平面視形状よりも大きい。このため、ＴＦＴ基板１０の上面１０ａの一部（図１中のＸ２方向の部分）の領域１０ａ１は、対向基板５０に覆われずに露出する。領域１０ａ１にはフレキシブル回路基板２が接続され、さらに、ドライバＩＣ（Integrated Circuit）３が設けられる。

ドライバＩＣ３は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の外部からフレキシブル回路基板２を介して画像データを供給されるＩＣである。ドライバＩＣ３は画像データが供給されることにより、図示しないデータ線を介して各画素へ電圧信号を供給する。

以下、図２を用いて表示領域Ｄの構成の詳細について説明する。周辺領域Ｅの構成の詳細については説明の便宜上、後述する。ＴＦＴ基板１０の表示領域Ｄには、基板８と、回路層１２と、平坦化膜１３と、有機エレクトロルミネッセンス素子３０と、封止膜４０と、が形成されている。ＴＦＴ基板１０の表示領域Ｄは、充填剤４５を介して対向基板５０によって覆われている。

基板８は回路層１２が形成される絶縁性の基板である。回路層１２は、薄膜トランジスタ１１や図示しない配線などの回路要素を含む層である。

回路層１２の表示領域Ｄには、薄膜トランジスタ１１と、絶縁膜１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃと、が形成されている。薄膜トランジスタ１１は、有機エレクトロルミネッセンス素子３０を駆動するトランジスタであり、画素Ｐごとに設けられている。薄膜トランジスタ１１は例えば、半導体層１１ａ、ゲート電極１１ｂ、ソース・ドレイン電極１１ｃを有している。

回路層１２の表示領域Ｄ上は、絶縁性を有する平坦化膜１３によって覆われている。平坦化膜１３は、例えばアクリル、ポリイミド等の、絶縁性を有する有機材料からなる。

平坦化膜１３の上面の各画素Ｐに対応する領域には、反射膜３１が形成されていてもよい。反射膜３１は、有機エレクトロルミネッセンス素子３０から出射された光を対向基板５０側へ反射する膜である。反射膜３１は光反射率が高いほど好ましく、例えばアルミニウムや銀（Ａｇ）等からなる金属膜であることが好ましい。

平坦化膜１３上には、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子３０が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス素子３０は例えばＩＺＯ（登録商標）等の透光性及び導電性を有する材料からなる下部電極３２と、少なくとも発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）層３３と、ＩＺＯ等の透光性及び導電性を有する材料からなる上部電極３４と、を有する。

下部電極３２は複数の画素Ｐ毎に形成された電極である。下部電極３２には、コンタクトホール３２ａを介して薄膜トランジスタ１１から駆動電流が供給される。なお、反射膜３１が導電性を有する材料からなる場合、反射膜３１は下部電極３２の一部として機能する。

有機膜１４は、隣接する画素Ｐ同士の境界に沿って画素Ｐを分離するように形成された、有機材料からなる膜である。

本実施形態における有機膜１４は、表示領域Ｄと周辺領域Ｅの双方に形成されている。表示領域Ｄにおける有機膜１４は、平面視で下部電極３２の外縁３２ｂを覆うとともに、下部電極３２の上面３２ｃの少なくとも一部を避けるように形成されている。本実施形態における「一部」とは、上面３２ｃの平面視における中点を含む領域を示す。下部電極３２の上面３２ｃのうち、有機膜１４から露出する部分を以下、上面３２ｃ１とする。

有機ＥＬ層３３は少なくとも発光層を有する、有機材料により形成された層である。本実施形態における有機ＥＬ層３３は複数の画素Ｐにわたって形成されている。有機ＥＬ層３３は周辺領域Ｅを避けて形成され、表示領域Ｄにおいては下部電極３２の上面３２ｃ１および有機膜１４の上面１４ａを覆うように形成されている。

有機ＥＬ層３３は、下部電極３２側から順に、例えば、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。有機ＥＬ層３３の積層構造はこのような例に限られず、少なくとも発光層を含むのであれば、その他の構造であってもよい。

本実施形態における上部電極３４は、表示領域Ｄと周辺領域Ｅの双方に形成されている。表示領域Ｄにおける上部電極３４は、複数の画素Ｐに亘って有機ＥＬ層３３の上面３３ａを覆うように形成されている。

上部電極３４の上面（図中のＺ１側の面）は、複数の画素にわたって封止膜４０により覆われている。封止膜４０は、有機ＥＬ層３３や平坦化膜１３への上方向（図中のＺ１側）からの水分の侵入を防ぐ膜である。封止膜４０は、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）からなる。

封止膜４０上は、例えば充填剤４５を介して対向基板５０によって覆われている。対向基板５０としては例えばカラーフィルタを有する基板が挙げられる。対向基板５０がカラーフィルタを有する基板である場合、対向基板５０は例えばガラス基板４８と、ガラス基板４８の下面（図中のＺ２側の面）に格子状に設けられた光不透過膜ＢＭと、光不透過膜ＢＭによってマトリクス状に区分された着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂと、着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂの下面側を覆う、透光性を有する保護膜４９と、を有している。

次いで、周辺領域Ｅの構成について説明する。ＴＦＴ基板１０の周辺領域Ｅには、基板８と、回路層１２と、平坦化膜１３と、有機膜１４と、無機多孔質膜２０と、上部電極３４と、封止膜４０と、が形成されている。ＴＦＴ基板１０の周辺領域Ｅは、充填剤４５を介して対向基板５０によって覆われている。以下、表示領域Ｄと同様の構成については説明を省略し、異なる構成について、その詳細を説明する。

回路層１２の周辺領域Ｅには、図示しない配線、薄膜トランジスタ１１１、配線と上部電極３４とを接続するコンタクト部１７等の回路要素が形成されている。薄膜トランジスタ１１１の構成は、例えば表示領域Ｄにおける薄膜トランジスタ１１と同じであるため、その説明を省略する。

周辺領域Ｅにおける平坦化膜１３は、回路層１２上を覆うように形成され、有機膜１４は平坦化膜１３上を覆うように形成されている。

無機多孔質膜２０は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造工程において、平坦化膜１３と有機膜１４中の水分をＺ１方向側に抜けさせるための、無機材料からなる多孔質の膜である。無機多孔質膜２０は、無機多孔質２０をＺ方向において貫通する複数の孔２０ａを有している。平坦化膜１３と有機膜１４中の水分は、この孔２０ａからＺ１側に抜けることができる。

無機多孔質膜２０は、図２に示すように表示領域Ｄを避けて形成され、周辺領域Ｅにおいて有機膜１４の上面１４ａ全体を覆っていることが好ましい。しかし、有機膜１４の上面１４ａは、少なくともその一部が覆われるのであれば、無機多孔質膜２０によって覆われていない領域があってもよい。

無機多孔質膜２０は、導電材料であってもよい。このような導電材料としては、金属が用いられてもよい。

本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は有機ＥＬ層３３が周辺領域Ｅを避けて形成されているため、周辺領域Ｅにおける上部電極３４は無機多孔質膜２０の上面２０ｂに接触する。このため、無機多孔質膜２０が導電材料からなる場合、無機多孔質膜２０は上部電極３４とともに導電体として機能する。

また、無機多孔質膜２０は絶縁材料であってもよい。例えば無機多孔質膜２０は酸化膜であってもよい。このような無機多孔質膜２０としては、例えば例えばＳｉＮ、ＳｉＯ_２などが挙げられる。

無機多孔質膜２０が絶縁材料からなる場合、周辺領域Ｅにおける上部電極３４と、薄膜トランジスタ１１１などの回路要素との間における絶縁性が保たれる。

図３は、図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＩＩ領域における部分拡大図である。説明の便宜上、図３においては上部電極３４、封止膜４０、充填剤４５および対向基板５０の図示を省略する。

図３に示すように、無機多孔質膜２０には複数の孔２０ａが形成されており、孔２０ａの内側には有機膜１４の上面１４ａが露出している。平面視における孔２０ａの面積は、平面視における無機多孔質膜２０の面積の５％以上３０％以下であることが好ましい。また、孔２０ａの径ｄは、平面視で１０μｍ以下であることが好ましい。

なお、図３に示す例においては、無機多孔質膜２０の孔２０ａの平面視形状は略円形であるが、孔２０ａの平面視形状はその他の形状であってもよい。

図２に示すように、周辺領域Ｅにおける上部電極３４は無機多孔質膜２０の上面２０ｂを覆うように形成されている。周辺領域Ｅにおける上部電極３４は、Ｙ１方向側の端部において、コンタクト部１７と接続している。

周辺領域Ｅにおける上部電極３４の上面は封止膜４０により覆われている。封止膜４０上は、充填剤４５を介して対向基板５０によって覆われている。封止膜４０と対向基板５０との間にはシール材Ｓが配置され、充填剤４５を封止している。

本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、無機多孔質膜２０が有機膜１４の上面１４ａの少なくとも一部を覆うように形成されている。このことにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、その製造工程において、平坦化膜１３や有機膜１４から生じた水分が有機膜１４内に残ることが防がれる。このため、水分による有機膜１４や平坦化膜１３、有機ＥＬ層３３の劣化を防ぐことができ、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を実現することができる。

また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、無機多孔質膜２０が表示領域Ｄを避けて形成されていることにより、表示領域Ｄにおける下部電極３２と有機ＥＬ層３３との間の導通に、無機多孔質膜２０が影響を与えることがない。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の信頼性を低下させることなく本発明の効果を得ることができる。

なお、無機多孔質膜２０が絶縁材料からなる場合は、無機多孔質膜２０は表示領域Ｄにおける有機膜１４の上面１４ａ上に形成されていてもよい。絶縁材料からなる無機多孔質膜２０が表示領域Ｄにおける有機膜１４上に形成されていることにより、隣接する下部電極３２同士の短絡を防ぎつつ、表示領域Ｄにおける有機膜１４から生じた水分による影響を防ぐことができる。

なお、無機多孔質膜２０は、無機多孔質膜２０を貫通して有機膜１４の上面１４ａを露出する孔２０ａを有するのであれば、上述した構成に限られない。図４は、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の変形例１ａを図２と同様の視野において示す概略断面図である。

変形例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの有機膜１１４は、対向基板５０側（Ｚ１方向）に突出する複数の凸部１１４ｂを有している。無機多孔質膜１２０は有機膜１１４の上面１１４ａを覆うように形成されているが、凸部１１４ｂの上面１１４ａ１の少なくとも一部は無機多孔質膜１２０に覆われず露出する。このように複数の凸部１１４ｂが無機多孔質膜１２０を貫通することにより、その貫通された箇所は孔１２０ａを構成する。

このように孔１２０ａが、無機多孔質膜１２０を貫通する複数の凸部１１４ｂにより形成されたものであっても、本発明の効果を得ることができる。

次いで、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法について説明する。図５は、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法を図２と同様の視野において示す概略断面図である。

有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法は、基板８上に回路層１２を形成する工程と、回路層１２上に平坦化膜１３を形成する工程と、表示領域Ｄにおける平坦化膜１３上に下部電極３２を形成する工程と、表示領域Ｄと周辺領域Ｅに有機膜１４を形成する工程と、有機膜１４上に無機多孔質膜２０を形成する工程と、有機膜１４を脱水する工程と、下部電極３２の上面３２ｃの一部３２ｃ１をドライクリーニングする工程と、有機ＥＬ層３３を形成する工程と、上部電極３４を形成する工程と、上部電極３４上を覆うように封止膜４０を形成する工程と、封止膜４０上に対向基板５０を配置する工程と、を有する。以下、各工程について詳細を説明する。

まず、基板８上に回路層１２を形成する。はじめに、絶縁性の基板８を準備する。基板８は、複数の画素Ｐを有する表示領域Ｄと、表示領域Ｄの外側の領域である周辺領域Ｅと、を有している。

次いで、基板８上に回路層１２を形成する。回路層１２の構成は先述したとおりであり、その製造方法は既知の方法であってもよいため、詳細な説明を省略する。

次いで、回路層１２の表示領域Ｄおよび周辺領域Ｅ上に、絶縁性を有する有機材料からなる平坦化膜１３を形成する。

次いで、表示領域Ｄにおける平坦化膜１３上に、複数の画素Ｐ毎に反射膜３１と下部電極３２を形成する。

次いで、表示領域Ｄと周辺領域Ｅの双方に、有機材料からなる有機膜１４を形成する。表示領域Ｄにおける有機膜１４は、平面視で下部電極３２の外縁３２ｂを覆うとともに、下部電極３２の上面３２ｃの少なくとも一部を避けるように形成される。周辺領域Ｅにおける有機膜１４は、平坦化膜１３の上面全体を多いように形成される。下部電極３２の上面３２ｃのうち、有機膜１４から露出する部分を上面３２ｃ１とする。

次いで、有機膜１４上に無機多孔質膜２０を形成する。まず、周辺領域Ｅにおける有機膜１４の上面１４ａ上を覆うように、無機材料からなる無機膜１２０を形成する。無機膜１２０は、周辺領域Ｅにおける有機膜１４の上面１４ａ全体を覆うことが好ましいが、上面１４ａの一部を覆うものであればよい。

無機膜１２０の材料は導電材料と絶縁材料のいずれであってもよい。材料として導電材料を用いる場合は金属を用いることが好ましく、絶縁材料を用いる場合はＳｉＮ、ＳｉＯ_２などの酸化膜を形成することが好ましい。

無機膜１２０が導電材料からなる場合、無機膜１２０は表示領域Ｄを避けて形成されることが好ましい。無機膜１２０が絶縁材料からなる場合、無機膜１２０は表示領域Ｄにおける有機膜１４の上面１４ａ上に形成されてもよい。

次いで、エッチングにより無機膜１２０に孔２０ａを形成することにより、複数の孔２０ａを有する無機多孔質膜２０が形成される。図６は、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法を図２と同様の視野において示す概略断面図である。

孔２０ａを形成する際、平面視における孔２０ａの面積を、平面視における無機多孔質膜２０の面積の５％以上３０％以下とするように孔の数や大きさを調整することが好ましい。また、このエッチングの際、孔２０ａの平面視での径を１０μｍ以下とするようにエッチング条件を調節することが好ましい。

このように孔２０ａをエッチングで形成することにより、孔２０ａが占める面積や、孔２０ａの径などを、エッチング条件により容易に調節することができる。

次いで、有機膜１４を脱水する。有機膜を脱水する方法としては、加熱乾燥、マイクロ波を照射することによる乾燥など、既知の方法を用いることができる。このように無機多孔質膜２０を形成した後に有機膜１４の脱水を行うことにより、有機膜１４に含まれる水分を、孔２０ａから除去することができる。

次いで、下部電極３２の上面３２ｃのうち、有機膜１４から露出する部分３２ｃ１をドライクリーニングする。ドライクリーニングの方法としては、酸素雰囲気中でUVを照射してＯ_３（オゾン）を発生させる方法や、Ｏ_２Ｐ（プラズマ）を用いる方法が挙げられる。

これにより、上面３２ｃ１に付着していた有機膜１４などのスカムを除去することができる。この際、有機膜１４上に無機多孔質膜２０が形成された状態でドライクリーニングを行うことにより、有機膜１４へのドライクリーニングによる影響が抑えられる。このため、ドライクリーニングにより有機膜１４から水分が発生することを抑えることができる。

なお、有機膜１４の脱水は、下部電極３２の上面３２ｃ１をドライクリーニングした後に行ってもよい。これにより、ドライクリーニングにより生じた水分を脱水工程において除去することができる。

次いで、図２に示すように、表示領域Ｄにおける有機膜１４の上面１４ａと下部電極３２の上面３２ｃ１とを覆うように有機ＥＬ層３３を形成する。次いで表示領域Ｄにおける有機ＥＬ層３３の上面と、周辺領域Ｅにおける無機多孔質膜２０の上面２０ｂを覆うように上部電極３４を形成する。これにより、表示領域Ｄの各画素Ｐに有機エレクトロルミネッセンス素子３０が形成される。

次いで、上部電極３４上を覆うように封止膜４０を形成し、充填剤４５を介して封止膜４０上に対向基板５０を配置することにより、図１，２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１が製造される。

なお、無機多孔質膜２０の孔２０ａを形成する方法は、エッチングに限られず、その他の方法であってもよい。図７は図４に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を図２と同様の視野において示す概略断面図である。

変形例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法においては、有機膜１１４を形成する工程において、有機膜１１４の上面１１４ａに複数の凸部１１４ｂを形成する。上面１１４ａに凸部１１４ｂが形成されていることにより、有機膜１１４上に無機膜を形成すると、凸部１１４ｂの上面１１４ａ１への成膜が妨げられる。これにより、凸部１１４ｂの上面１１４ａ１の少なくとも一部は無機多孔質膜１２０に覆われず露出し、凸部１１４ｂに貫通された孔１２０ａが形成される。

このように有機膜１１４に凸部１１４ｂを形成することで無機多孔質膜１２０の孔１２０ａを形成しても、本発明の効果を得ることができる。

以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。

１、１ａ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、２ フレキシブル回路基板、３ ドライバＩＣ、８ 絶縁基板、１０ ＴＦＴ基板、１１ 薄膜トランジスタ、１２ 回路層、１３ 平坦化膜、１４ 有機膜、１４ａ 上面、２０ 無機多孔質膜、２０ａ 孔、３０ 有機エレクトロルミネッセンス素子、３１ 反射膜、３２ 下部電極、３２ｂ 外縁、３２ｃ、３２ｃ１ 上面、３３ 有機ＥＬ層、３４ 上部電極、４０ 封止膜、５０ 対向基板、ｄ 径、Ｄ 表示領域、Ｅ 周辺領域。

Claims (15)

1. 複数の画素を有している表示領域と、
   前記表示領域の外側の領域である周辺領域と、
   前記複数の画素毎に形成された下部電極と、
   平面視で前記下部電極の外縁を覆うとともに前記下部電極の上面の少なくとも一部を避けて形成された有機膜と、
   前記有機膜の上面の少なくとも一部を覆う無機多孔質膜と、
   前記下部電極の上面および前記有機膜の上面を覆う有機エレクトロルミネッセンス層と、
   前記有機エレクトロルミネッセンス層の上面を覆う上部電極と、を備えている、
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
2. 請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   前記有機膜は前記表示領域と前記周辺領域とに形成され、
   前記無機多孔質膜は前記表示領域を避けて形成されている、ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
3. 請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   前記有機エレクトロルミネッセンス層は前記周辺領域を避けて形成され、
   前記上部電極は前記周辺領域において前記無機多孔質膜の上面を覆うように形成されている、
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
4. 請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   前記無機多孔質膜が導電材料からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
5. 請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   前記無機多孔質膜が金属からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
6. 請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   前記無機多孔質膜が絶縁材料からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
7. 請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   前記無機多孔質膜が酸化膜からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   前記有機膜の上面が複数の凸部を有し、
   前記凸部が前記無機多孔質膜を貫通することにより前記無機多孔質膜の孔が形成されている、ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   平面視で前記無機多孔質膜の孔が占める面積が、前記無機多孔質膜の面積の５％以上３０％以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
    平面視で前記無機多孔質膜の孔の径が１０μｍ以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
11. 複数の画素を有する表示領域と当該表示領域の外側の領域である周辺領域とを有する基板に、前記複数の画素毎に下部電極を形成する工程と、
    平面視で前記下部電極の外縁を覆うとともに前記下部電極の上面の少なくとも一部を避けるように、有機材料からなる有機膜を形成する工程と、
    前記有機膜の上面の少なくとも一部を覆うように無機多孔質膜を形成する工程と、
    前記無機多孔質膜を形成する工程の後に前記有機膜を脱水する工程と、
    前記無機多孔質膜を形成する工程の後に前記有機膜から露出する、前記下部電極の上面の一部をドライクリーニングする工程と、
    前記有機膜を脱水する工程と前記下部電極の上面の一部をドライクリーニングする工程の後に前記下部電極の上面を覆うように有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程と、
    前記有機エレクトロルミネッセンス層の上面を覆うように上部電極を形成する工程と、
    を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
12. 請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
    前記有機膜を脱水する工程を、前記下部電極の上面の一部をドライクリーニングする工程の前に行うことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
13. 請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
    前記有機膜を脱水する工程を、前記下部電極の上面の一部をドライクリーニングする工程の後に行うことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
14. 請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
    前記無機多孔質膜を形成する工程は、
    無機膜を形成する工程と、
    前記無機膜にエッチングにより孔を形成する工程と、
    を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
15. 請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
    前記有機膜を形成する工程において、当該有機膜の上面に複数の凸部を形成し、
    前記無機多孔質膜を形成する工程において、前記有機膜上に無機膜を形成し、前記凸部の上面への成膜が妨げられることにより、前記凸部に貫通された孔を前記無機膜に形成する、
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。

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