JP6773110B2 - プラズマエッチング方法 - Google Patents

プラズマエッチング方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6773110B2
JP6773110B2 JP2018505864A JP2018505864A JP6773110B2 JP 6773110 B2 JP6773110 B2 JP 6773110B2 JP 2018505864 A JP2018505864 A JP 2018505864A JP 2018505864 A JP2018505864 A JP 2018505864A JP 6773110 B2 JP6773110 B2 JP 6773110B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
plasma etching
etching
processed
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018505864A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2017159511A1 (ja
Inventor
豪 松浦
豪 松浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zeon Corp
Original Assignee
Zeon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zeon Corp filed Critical Zeon Corp
Publication of JPWO2017159511A1 publication Critical patent/JPWO2017159511A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6773110B2 publication Critical patent/JP6773110B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/0214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being a silicon oxynitride, e.g. SiON or SiON:H
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28158—Making the insulator
    • H01L21/28238—Making the insulator with sacrificial oxide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3343—Problems associated with etching
    • H01J2237/3347—Problems associated with etching bottom of holes or trenches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

本発明は、プラズマエッチング方法に関するものであり、特に、シリコン酸化膜を選択的にプラズマエッチングする方法に関するものである。
半導体デバイスの製造においては、被処理体上に形成された薄膜を微細加工するにあたり、処理ガスを用いてプラズマエッチングを行うことがある。かかる薄膜は、例えば、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等のシリコン化合物膜や、アモルファスカーボン又はフォトレジスト組成物などにより形成されうる、炭素を主成分とする有機膜でありうる。なかでも、シリコン酸化膜をエッチング加工対象とする場合には、同じ被処理体上に形成された、非加工対象のシリコン窒化膜や有機膜等の薄膜に対して、加工対象のシリコン酸化膜を選択的にエッチングする必要がある。即ち、エッチング時の選択性を高める必要がある。
そこで従来、エッチング時の選択性を十分に高めて、加工対象を十分に選択的かつ効率的にエッチングするために、様々なプラズマエッチング用の処理ガスが提案されてきた（例えば、特許文献１参照）。特許文献１には、シリコン酸化膜のエッチングに、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８といったフルオロカーボンや、ＣＨ３Ｆ、Ｃ５ＨＦ７といったハイドロフルオロカーボンを処理ガスとして用いるプラズマエッチング方法が記載されている。
さらに、近年、半導体デバイスの軽量化、小型化、及び高密度化に対する要求が高まっている。これに伴い、シリコン化合物膜や有機膜を備えてなる被処理体上にセルフアラインコンタクトホールのような微小構造をエッチングにより形成する際には、エッチング時の選択性だけではなく、エッチングにより得られる加工形状の精度を向上させることも重要となってきている。ここで、プラズマエッチングにおいて、一般に非加工対象上には保護膜が形成され、非加工対象がエッチングされることを防止するが、特に、セルフアラインコンタクトホールの加工においては、シリコン窒化膜により構成されるスペーサーの肩部上には保護膜が形成されにくい。そのため、スペーサーを構成するシリコン窒化膜に隣接する加工対象であるシリコン酸化膜をエッチングすれば、スペーサーを構成するシリコン窒化膜の肩部がエッチングされ易かった。その結果、エッチング工程を終えた段階でスペーサーの肩部が薄くなっているか、或いは既に消失している場合があった（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）。以下、本明細書では、非加工対象により形成される、スペーサーなどの構造の肩部が消失することを、「肩落ち」とも称する。なお、概して、スペーサーはゲート材料とコンタクトホール内に金属配線材料を埋め込んで形成しうる金属配線とを絶縁するために用いられるが、このスペーサーが薄くなる或いは消失すると、ゲート材料と金属配線との間で短絡が起こり、半導体デバイスとしての機能を失ってしまう。このため、半導体デバイスの製造において、肩落ちは大きな問題とされてきた。
特許第５４４０１７０号公報 特開平９−２１９３９４号公報 特願平１０−３２９７８０号公報
しかし、特許文献１に開示されているような、エッチング時の選択性を高めるために従来から処理ガスとして使用されているフルオロカーボンガスやハイドロフルオロカーボンガスよりなる混合ガスを用いたプラズマエッチング方法では、シリコン酸化膜をプラズマエッチングする際に、非加工対象により形成される構造の肩落ちの発生を抑制することに関して、改善の余地があった。
そこで、本発明は、シリコン酸化膜をプラズマエッチングする際に、肩落ちの発生を十分に抑制することができる、プラズマエッチング方法を提供することを目的とする。
本発明者は、上記課題を解決することを目的として鋭意検討を行った。そして、本発明者は、プラズマエッチング用の処理ガスとして、フルオロカーボンガスと、ある分子構造上の条件を満たすハイドロフルオロエーテルガスとを混合して用いることで、非加工対象よりなる構造の肩落ちを十分に抑制しうることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、この発明は、上記課題を有利に解決することを目的とするものであり、本発明のプラズマエッチング方法は、加工対象であるシリコン酸化膜と、非加工対象とを備える被処理体のプラズマエッチング方法であって、少なくとも一種のフルオロカーボンガスと、化学式（I）で表される少なくとも一種のハイドロフルオロエーテルガスとの混合ガスを処理ガスとして用いることを特徴とする。
Figure 0006773110
 ［式中、Ｒ1は、水素原子、フッ素原子、又はＣxＦ2x+1で示されるフルオロアルキル基を；Ｒ2は、水素原子、フッ素原子、又はＣyＦ2y+1で示されるフルオロアルキル基を；Ｒ3は、水素原子、フッ素原子、又はＣzＦ2z+1で示されるフルオロアルキル基を、それぞれ表す。ここで、ｘ〜ｚはそれぞれ０以上３以下の整数であり、１≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦３を満たす。また、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ同一でも異なっていても良い。］
フルオロカーボンガスと、上記化学式（I）で表されるハイドロフルオロエーテルとの混合ガスを用いてシリコン酸化膜をプラズマエッチングすれば、非加工対象により構成される肩部の肩落ちを十分に抑制することができる。
ここで、本発明のプラズマエッチング方法は、前記処理ガス中における、前記ハイドロフルオロエーテルガスの混合割合が、前記フルオロカーボンガス１００体積部に対して、１体積部以上１００体積部以下であることが好ましい。エッチング時の選択性を向上させるとともに、肩落ちを一層抑制することができるからである。
また、本発明のプラズマエッチング方法は、前記フルオロカーボンガスが、組成式Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、又はＣ５Ｆ８で表される化合物のガスであることが好ましい。エッチング時の選択性を向上させることができるからである。
また、本発明のプラズマエッチング方法は、前記ハイドロフルオロエーテルガスが、組成式Ｃ４Ｈ３Ｆ７Ｏで表される化合物のガスであることが好ましい。ハイドロフルオロエーテルガスが、組成式Ｃ４Ｈ３Ｆ７Ｏで表される化合物のガスであれば、一層十分に肩落ちを抑制することができるとともに、エッチング時の選択性も向上させることができるからである。
本発明によれば、シリコン酸化膜をプラズマエッチングする際に、肩落ちの発生を十分に抑制することができる、プラズマエッチング方法を提供することができる。
実施例及び比較例で用いた、パターン化されたシリコン窒化膜と、シリコン酸化膜とを有する被処理体の概略的な断面図である。 図１に示す積層体を、本発明の実施例１に従うプラズマエッチング方法によりエッチングした後の状態を示す、概略的な断面図である。
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本発明のプラズマエッチング方法は、半導体デバイスの製造プロセスにおいて、ＳＡＣ（Self Aligned Contact）を形成する際に用いられうる。本発明のプラズマエッチング方法は、少なくとも一種のフルオロカーボンガスと、特定の構造を有する少なくとも一種のハイドロフルオロエーテルガスとの混合ガスを処理ガスとして用いて、加工対象であるシリコン酸化膜と、非加工対象とを備える被処理体をプラズマエッチングする方法である。被処理体は、プラズマエッチングにて使用可能である限りにおいて特に限定されることなく、あらゆる対象物でありうる。被処理体は、例えば、ガラス基板、シリコン単結晶ウエハー、ガリウム−砒素基板を含みうる。そして、例えば、被処理体は、シリコン単結晶ウエハー上に、必要に応じて形成された、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、及び／又は、有機膜を備えてなりうる。
なお、本明細書において、「シリコン窒化膜」とは、Ｓｉ３Ｎ４（ＳｉＮ）、ＳｉＣＮ、ＳｉＢＣＮ等の窒素原子を含有するシリコン化合物により形成される膜のことをいう。さらに、本明細書において、「シリコン酸化膜」とは、ＳｉО２、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＨ等の酸素原子を含有するシリコン化合物により形成される膜のことをいう。さらにまた、本明細書において、「有機膜」とは、炭素を主成分とする膜をいう。「炭素を主成分とする」とは膜を形成する材料に含まれる炭素の割合が５０質量％超であることをいい、具体的にはアモルファスカーボン等の炭素系材料や、フォトレジスト組成物などにより形成される膜（以下、レジスト膜とも称する）のことをいう。
また、本発明のプラズマエッチング方法において、「エッチング」とは、半導体デバイスの製造工程などで用いられる、加工対象及び非加工対象とを備える被処理体に、極めて高集積化された微細パターンを食刻する技術をいう。また、「プラズマエッチング」とは、処理ガスに高周波の電場を印加してグロー放電を起こし、処理ガスを化学的に活性なイオン、電子、中性種に分離させて、これらの活性種とエッチング対象材料との化学的反応及び物理的衝突による反応を利用してエッチングを行う技術をいう。
（処理ガス）
処理ガスは、少なくとも一種のフルオロカーボンガスと、特定の構造を有する少なくとも一種のハイドロフルオロエーテルガスとを含み、任意で、その他のガスを含みうる。
＜フルオロカーボンガス＞
フルオロカーボンガスとしては、組成式Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、及びＣ５Ｆ８で表されうる化合物のガスが挙げられる。プラズマ条件下にて、これらの化合物により活性種が生成され、生成された活性種間の相互作用により、各種反応が生じる。よって、これらの組成式により表されうる化合物であれば、それらの実際の構造にかかわらず、本発明のプラズマエッチング方法の効果を奏しうる。そして、これらのフルオロカーボンガスは１種単独で、或いは２種以上を混合して用いることができる。これらの中でも、組成式Ｃ４Ｆ６で表される化合物が好ましく、特に、ヘキサフルオロ−１，３−ブタジエンが好ましい。組成式Ｃ４Ｆ６で表される化合物、中でも、ヘキサフルオロ−１，３−ブタジエンは、シリコン酸化膜に対するエッチング速度が十分高く、かつシリコン窒化膜の肩落ちを抑制する効果が高いからである。
＜ハイドロフルオロエーテルガス＞
ハイドロフルオロエーテルガスとしては、下記化学式（I）で表されるハイドロフルオロエーテルのガスを用いる。
Figure 0006773110
 ［式中、Ｒ1は、水素原子、フッ素原子、又はＣxＦ2x+1で示されるフルオロアルキル基を；Ｒ2は、水素原子、フッ素原子、又はＣyＦ2y+1で示されるフルオロアルキル基を；Ｒ3は、水素原子、フッ素原子、又はＣzＦ2z+1で示されるフルオロアルキル基を、それぞれ表す。ここで、ｘ〜ｚはそれぞれ０以上３以下の整数であり、１≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦３を満たす。また、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ同一でも異なっていても良い。］
上記化学式（I）で表されるハイドロフルオロエーテルガスとしては、例えば、ＣＦ３−Ｏ−ＣＨ２−Ｃ２Ｆ５、ＣＦ３−Ｏ−ＣＨ２−ｎ−Ｃ３Ｆ７、ＣＦ３−Ｏ−ＣＨ２−i−Ｃ３Ｆ７、Ｃ２Ｆ５−Ｏ−ＣＨ２−ＣＦ３、Ｃ２Ｆ５−Ｏ−ＣＨ２−Ｃ２Ｆ５、ｎ−Ｃ３Ｆ７−Ｏ−ＣＨ３、及びｉ−Ｃ３Ｆ７−Ｏ−ＣＨ３のガスが挙げられる。これらのハイドロフルオロエーテルガスは１種単独で、或いは２種以上を混合して用いることができる。中でも、ハイドロフルオロエーテルガスは、ｎ−Ｃ３Ｆ７−Ｏ−ＣＨ３（１，１，２，２，３，３，３−ヘプタフルオロプロピルメチルエーテル）、及び／又は、ｉ−Ｃ３Ｆ７−Ｏ−ＣＨ３（ヘプタフルオロイソプロピルメチルエーテル）のガスであることが好ましい。これらのガスは、シリコン酸化膜に対するエッチング速度が十分高く、かつシリコン窒化膜の肩落ちを抑制する効果が高いからである。
上記化学式（I）より明らかなように、ハイドロフルオロエーテルガスを構成するハイドロフルオロエーテルは、酸素原子と結合しない炭素がフッ素及び水素の両方と結合しないことを特徴としている。換言すると、一つの炭素がフッ素及び水素と結合する場合には、かかる炭素は酸素原子とも結合した構造となっていることを特徴としている。かかる構造を有するハイドロフルオロエーテルのガスにより、肩落ち抑制効果が達成される理由は明らかではないが、以下の通りであると推察される。
まず、同一炭素上にフッ素と水素が存在する場合、ＣαＨγＦβ（α、γ、βはそれぞれ正の整数）の構造で表されるラジカルやイオンが生成する。これらの活性種は、シリコン窒化膜と容易に反応し、シリコン窒化膜をエッチングしてしまう。一方、同一炭素上にフッ素と水素に加えて、酸素が存在する場合、炭素は電子が極端に不足した状態となり、水素が容易に脱離しやすくなる。その結果、シリコン窒化膜との反応性が比較的低いＣαＦβ（α、βはそれぞれ正の整数）やＣαＦβＯの構造で表されるラジカルやイオンが生成しやすくなる。一方、脱離した水素イオンや水素ラジカルは、処理ガスに含まれる少なくとも一種のフルオロカーボンガス等に由来するフッ素ラジカルやフッ素イオンと容易に反応しＨＦを生成して反応性を失い、反応系外に排出されうる。フッ素ラジカルやフッ素イオンもシリコン窒化膜と反応性が高い為、これらが反応性を失い、更には系外に排出されることで、シリコン窒化膜を非加工対象とした場合の、加工対象のエッチング選択比が更に向上しうる。また、ＣαＦβＯの構造で表されるイオンは、被処理体に形成された構造の底部まで酸素原子を供給する効果がある。酸素原子源として、処理ガスに酸素ガスのみを混合した場合は、処理容器内に存在する酸素元素含有成分は酸素ラジカルが主体となるため、被処理体に形成された構造の底部に達する前に、酸素ラジカルが何らかの対象と反応して反応性を失う等して、酸素原子を底部まで到達させることができず、プラズマエッチング工程が途中で停止してしまう。以上のことから、酸素原子と結合しない炭素がフッ素及び水素の両方と結合しない構造を有するハイドロフルオロエーテルのガスを処理ガスに含有させることで、シリコン窒化膜を非加工対象とした場合の、加工対象のエッチング選択比を向上しつつ、エッチング工程を良好に進行させることができると推察される。
さらに、酸素原子と結合しない炭素がフッ素及び水素の両方と結合しない構造を有するハイドロフルオロエーテルからは、ＣαＦβ（α、βは正の整数）のほかにＣＨδ（δは正の整数）の構造で表されるラジカルやイオンが生成しやすい。ＣαＦβ及びＣＨδのラジカルやイオンなどの活性種はＣαＨγＦβよりもシリコン窒化膜との反応性が低いため、シリコン窒化膜を非加工対象とした場合の、加工対象（例えば、シリコン酸化膜）のエッチング選択比を高めることができる。また、水素原子とフッ素原子との間には強い水素結合が形成されうるため、ＣαＦβを前駆体として保護膜上にＣＨδが吸着しやすくなる。その結果、ＣαＦβのみで形成される保護膜よりも強固で厚い保護膜が、非加工対象であるシリコン窒化膜の側面や肩部に形成され、非加工対象であるシリコン窒化膜の肩落ちを抑制可能であると推察される。
なお、ここまで、非加工対象がシリコン窒化膜であると仮定して、酸素原子と結合しない炭素がフッ素及び水素の両方と結合しない構造を有するハイドロフルオロエーテルを処理ガスに含有させることによるエッチング選択比及び肩落ち抑制能の向上について説明してきた。しかし、上述したような非加工対象と反応性が高い活性種、特にフッ素ラジカルやフッ素イオンは、有機膜等の他の非加工対象についても反応性が高い。このため、水素イオンや水素ラジカルを生じさせてフッ素ラジカルやフッ素イオンを失活させうる上記化学式（I）により表されるハイドロフルオロエーテルは、シリコン窒化膜のみならず、有機膜等の他の非加工対象についても有利に保護することができると推察される。また、有機膜を非加工対象とした場合にも、ＣαＦβを前駆体として保護膜上にＣＨδが吸着しやすくなり、強固で厚い保護膜を非加工対象である有機膜の側面や肩部において形成することができ、肩落ちを抑制することができると推察される。
［フルオロカーボンガスとハイドロフルオロエーテルガスとの混合割合］
フルオロカーボンガスに対するハイドロフルオロエーテルガスの混合割合は、エッチングの条件等によって異なるが、フルオロカーボンガス１００体積部に対して、１体積部以上であることが好ましく、３体積部以上であることがより好ましく、５体積部以上であることがさらに好ましく、３０体積部以上であることがさらにより好ましく、１００体積部以下であることが好ましく、９０体積部以下であることがより好ましく、８０体積部以下であることがさらに好ましい。エッチング時の選択性を向上させるとともに、肩落ちを一層抑制することができるからである。
＜その他のガス＞
処理ガスには、任意で、希ガスや酸素ガス等のその他のガスを混合することも可能である。希ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、及びキセノンからなる群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。希ガスや酸素ガスを混合して用いることにより、より十分なエッチング速度と、非加工対象に対するより高いエッチング選択比を同時に得られるプラズマエッチングを実現することができる。
［希ガスの混合割合］
処理ガスに希ガスを混合して用いる場合、希ガスの混合割合は、フルオロカーボンガス１００体積部に対して、通常、１体積部以上、好ましくは、１０体積部以上、より好ましくは２０体積部以上であり、通常、１００００体積部以下、好ましくは、７０００体積部以下、より好ましくは、５０００体積部以下である。
［酸素ガスの混合割合］
処理ガスに酸素ガスを混合して用いる場合、酸素ガスの混合割合は、フルオロカーボンガス１００体積部に対して、通常、２０００体積部以下、好ましくは、１０００体積部以下、より好ましくは５００体積部以下、さらに好ましくは３００体積部以下である。
処理ガスとして用いるフルオロカーボンガス、ハイドロフルオロエーテルガス、及び任意で使用可能な希ガス、酸素ガス等の各ガスは、通常、それぞれ独立して、ボンベ等の容器に充填されて運搬され、ドライエッチング設備（ドライエッチングチャンバー）に対して接続されて、設置される。そして、ボンベ等のバルブを開くことにより、各ガスが、プラズマの作用を受けるドライエッチングチャンバー内に所定割合で導入され、後述するように、各ガスにプラズマが作用し、ドライエッチングを進行させることができる。
（プラズマエッチング方法の流れ）
本発明のプラズマエッチング方法の流れは以下の通りである。被処理体としては、シリコン酸化膜及びレジスト膜が形成されたパターン付き被処理体や、同一基板上にシリコン窒化膜、シリコン酸化膜及びレジスト膜が形成された、パターン付き被処理体を用いる場合等も同様である。なお、「パターン付き」とは、被処理体上に形成された膜により、何らかの構造が形成された状態をいい、例えば、図１に示すような被処理体が「パターン付き被処理体」に相当する。図１については実施例にてより詳細に説明する。
［準備工程］
まず、被処理体を、プラズマ発生装置を有するドライエッチングチャンバー（以下、処理容器ともいう）内に設置し、処理容器内を脱気して真空にする。さらに、準備工程において、被処理体の温度を−５０℃以上とすることが好ましく、−２０℃以上とすることがより好ましく、０℃以上とすることがさらに好ましく、＋１２０℃以下とすることが好ましく、＋１００℃以下とすることがより好ましく、＋８０℃以下とすることがさらに好ましい。被処理体の温度は、例えば、ヘリウムガスなどの冷却ガス及び冷却装置を用いて制御することができる。そこへ、用いる処理ガスに含有されうる各種ガスを、それぞれ所定の速度及び圧力となるように導入する。処理ガスの導入速度は、処理ガス中における各種ガスの混合割合に比例させて決定すればよい。そして、処理容器内に処理ガスを供給している間、処理容器内の圧力は、通常、１Ｐａ以上１３Ｐａ以下の範囲に保持することが好ましい。
［プラズマエッチング工程］
次いで、プラズマ発生装置により、処理容器内の処理ガスに高周波の電場を印加してグロー放電を起こさせ、プラズマを発生させる。プラズマ発生装置としては、特に限定されることなく、ヘリコン波方式プラズマ発生装置、高周波誘導方式プラズマ発生装置、平行平板型プラズマ発生装置、マグネトロン方式プラズマ発生装置、又はマイクロ波方式プラズマ発生装置等の一般的なプラズマ発生装置が挙げられる。本発明においては、平行平板型プラズマ発生装置、高周波誘導方式プラズマ発生装置、及びマイクロ波方式プラズマ発生装置が好適に使用されうる。高密度領域のプラズマを容易に発生させることができるからである。
プラズマエッチングの条件は、特に限定されず、従来公知のエッチング条件で行えばよい。例えば、平行平板型プラズマ発生装置の上部電極が６０ＭＨｚ、下部電極が２ＭＨｚで、これらの電極間の距離が３５ｍｍである、高周波型のプラズマエッチング装置を用いる場合、上部電極への供給電力は１００Ｗ以上２０００Ｗ以下、下部電極への供給電力は０Ｗ以上６００Ｗ以下の範囲で自由に組み合わせることができる。なお、プラズマエッチング工程の時間は、通常、５秒から５分、好ましくは１０秒から４分である。
そして、本発明のプラズマエッチング方法は、エッチング速度が２６０ｎｍ／分以上であることが好ましい。かかるエッチング速度は、近年、シリコン酸化膜のエッチングにおいて、処理ガスとして最もよく使用されているＣ４Ｆ６と酸素の混合ガスによるエッチングを行う際に、通常得られるエッチング速度以上である。
以下、実施例及び比較例により、本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、用いる処理ガスの種類、エッチング条件等を変更することができる。実施例及び比較例において使用した被処理体及びプラズマエッチング装置はそれぞれ以下の通りであり、実施例及び比較例において採用したプラズマエッチング条件は以下の通りであった。さらに、実施例、比較例において、エッチング深さ、耐肩落ち性、及びエッチング選択比は、それぞれ、以下のようにして測定及び評価した。
＜被処理体＞
被処理体としては、図１に示す構造のシリコン単結晶ウエハーのチップ片を用いた。図１に示す被処理体１は、シリコン単結晶ウエハー（Ｓｉ）１００上に第１シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）１０１、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）１０２、及びパターン化された第２シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）１０３が順次積層されてなる。被処理体１の最上層を形成する第２のシリコン窒化膜１０３は、一定幅の溝状のパターンを形成している。そして、本発明の実施例１に従うプラズマエッチング後の被処理体の概略的な断面図を図２に示す。図２にかかる被処理体も、図１に示すプラズマエッチング前の被処理体と同様に、各膜を備える。図１と同様の部分については、同一の符号に「’」を付して示す。また、図２において、矢印Ａ〜Ｃとして各構造のサイズを示す。矢印Ａ及びＡ’は、それぞれ、プラズマエッチング前後の第２のシリコン窒化膜１０３、１０３’の厚みを示す。矢印Ｂは、プラズマエッチング前のシリコン酸化膜１０２の厚みを、矢印Ｂ’は、プラズマエッチング後に残存したシリコン酸化膜１０２’の厚みを示す。矢印Ｃは、第２のシリコン窒化膜１０３の最表面における溝の幅（以下、パターンの「入口寸法」とも称する）を示し、矢印Ｃ’は、プラズマエッチング後の第２のシリコン窒化膜１０３’における入口寸法を示す。なお、図２では、プラズマエッチング後の被処理体１’では、プラズマエッチング前の被処理体１と比較すると、溝の幅がＣからＣ’に狭まっているように図示する。しかし、比較例に従うプラズマエッチング方法などによれば、概して、溝の幅Ｃ’は元の溝の幅Ｃよりも広がる。
＜プラズマエッチング装置＞
プラズマエッチング装置としては、平行平板型プラズマ発生装置を備えるプラズマエッチング装置を使用した。平行平板型プラズマ発生装置は、上部電極と、被処理基板を載置する下部電極とを有し、上部電極の下面と下部電極の上面との間隔は３５ｍｍであった。平行平板型プラズマ発生装置の上部電極の周波数は６０ＭＨｚであり、下部電極の周波数は２ＭＨｚであった。また、下部電極は、冷却ユニットを備えており、かかる冷却ユニットは下部電極にヘリウムガスを接触させることにより下部電極を冷却するように構成されていた。なお、冷却ユニットはヘリウムガスが処理容器内部には流出しない態様で構成されていた。
＜プラズマエッチング条件＞
プラズマエッチングは、上部電極の電力を１５０Ｗ、下部電極の電力を５００Ｗとし、チャンバー内圧力を２Ｐａで一定にし、下部電極の冷却は、冷却ユニットを６０℃としヘリウムガスの圧力を１０００Ｐａに設定した。また、実施例、比較例にてプラズマエッチングの時間は全て６０秒間とした。よって、実施例、比較例にて得られた被処理体のエッチング深さの値は、そのまま各プラズマエッチング方法の１分当たりのエッチング速度に相当する。
＜エッチング深さ＞
実施例、比較例において、市販されているエリプソメトリー膜厚計を用いて、計測を行った。
加工対象であるシリコン酸化膜のエッチング深さは、図１及び図２を参照して説明した、プラズマエッチング前後のシリコン酸化膜１０２、１０２’の厚みの差分（Ｂ−Ｂ’）により算出した。また、非加工対象である第２のシリコン窒化膜のエッチング深さは、同様にして（Ａ−Ａ’）により算出した。
＜耐肩落ち性＞
耐肩落ち性の評価指標となる、入口寸法拡大量は、図１及び図２を参照して説明した（Ｃ’−Ｃ）により算出した。当然、Ｃ’がＣよりも小さければ、即ち、プラズマエッチングを経て、溝の幅が狭まっていれば、溝の幅の拡大量は、負の値となる。そして、Ｃ’がＣよりも大きい場合には、プラズマエッチングにて非加工対象である第２のシリコン窒化膜がエッチングされて肩落ちが生じたことを意味し、その値が大きいほど肩落ちの程度が大きいことを意味する。即ち、入口寸法拡大量の値が小さければ、耐肩落ち性に優れ、逆に、入口寸法拡大量の値が大きければ、耐肩落ち性に劣るということを意味する。
なお、プラズマエッチング後の入口寸法Ｃ’は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察に基づいて決定した被処理体の最表面についてＳＥＭ画像を取得し、得られたＳＥＭ画像上で溝の幅を計測して得た。
＜エッチング選択比＞
シリコン酸化膜（１０２）のエッチング深さ（Ｂ−Ｂ’）をシリコン窒化膜（１０３）のエッチング深さ（Ａ−Ａ’）で除した値をシリコン窒化膜に対するシリコン酸化膜のエッチング選択比とした。
シリコン酸化膜（１０２）のエッチング深さ（Ｂ−Ｂ’）を入口寸法拡大量（Ｃ’−Ｃ）で除した値を入口寸法に対する選択比とした。「入口寸法に対する選択比」は、シリコン窒化膜の入口寸法を保ちつつシリコン酸化膜をエッチングする度合いを示すものであり、かかる値が大きいほどシリコン窒化膜に対するシリコン酸化膜のエッチング選択性と耐肩落ち性との両立が良好であったことを表す。ここで入口寸法拡大幅がゼロ以下の値となる場合は、入口寸法に対する選択比は無限大（∞）と定義した。
（実施例１）
＜処理ガス＞
フルオロカーボンガスとしてヘキサフルオロ−１，３−ブタジエン（Ｃ４Ｆ６）を１０ｓｃｃｍ、その他のガスとして酸素ガスを１０ｓｃｃｍ、ハイドロフルオロエーテルガスとして、ヘプタフルオロイソプロピルメチルエーテル（ｉ−Ｃ３Ｆ７−Ｏ−ＣＨ３）を５ｓｃｃｍ、希ガスとしてアルゴンガスを２００ｓｃｃｍで、プラズマエッチング装置の処理容器内に導入した。得られた被処理体について上述の方法に従って各種測定をした結果を表１に示す。
（実施例２）
ハイドロフルオロエーテルガスを１，１，２，２，３，３，３−ヘプタフルオロプロピルメチルエーテル（ｎ−Ｃ３Ｆ７−Ｏ−ＣＨ３）に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、プラズマエッチングを行った。得られた被処理体について上述の方法に従って各種測定をした結果を表１に示す。
（実施例３）
ハイドロフルオロエーテルガスを２，２，２‐トリフルオロエチルジフルオロメチルエーテル（ＣＦ３−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨＦ２）に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、プラズマエッチングを行った。得られた被処理体について上述の方法に従って各種測定をした結果を表１に示す。
（比較例１）
ハイドロフルオロエーテルガスを用いないこと以外は、実施例１と同様にして、プラズマエッチングを行った。得られた被処理体について上述の方法に従って各種測定をした結果を表１に示す。
（比較例２）
ハイドロフルオロエーテルガスを(１,１,２,２-テトラフルオロエチル)メチルエーテル（ＣＨＦ２−ＣＦ２−Ｏ−ＣＨ３）に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、プラズマエッチングを行った。得られた被処理体について上述の方法に従って各種測定をした結果を表１に示す。
（比較例３）
ハイドロフルオロエーテルガスをヘキサフルオロプロピレンオキシド（Ｃ３Ｆ６Ｏ）に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、プラズマエッチングを行った。得られた被処理体について上述の方法に従って各種測定をした結果を表１に示す。
（比較例４）
ハイドロフルオロエーテルガスをオクタフルオロテトラヒドロフラン（Ｃ４Ｆ８Ｏ）に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、プラズマエッチングを行った。得られた被処理体について上述の方法に従って各種測定をした結果を表１に示す。
（比較例５）
ハイドロフルオロエーテルガスをヘプタフルオロシクロペンテン（Ｃ５ＨＦ７）に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、プラズマエッチングを行った。得られた被処理体について上述の方法に従って各種測定をした結果を表１に示す。
Figure 0006773110
表１より、以下のことが分かる。まず、実施例１〜３のように、少なくとも一種のフルオロカーボンガスと、特定の構造を有する少なくとも一種のハイドロフルオロエーテルガスとの混合ガスを処理ガスとして用いるプラズマエッチング方法は、耐肩落ち性に優れる。なお、実施例、比較例では溝状のパターンの形成された被処理体を用いたが、かかる被処理体に基づく評価結果は、ＳＡＣのようなホール状の構造についてもあてはまると推察される。
具体的には、実施例１及び実施例２では、２６０ｎｍ以上のシリコン酸化膜（１０２）のエッチング深さを維持しながら、入口寸法に対する選択比は無限大を実現している。実施例３でも、２６０ｎｍ以上のシリコン酸化膜（１０２）のエッチング深さを維持しながら、入口寸法に対する選択比が５８．６と高い。一方、比較例１ではエッチング深さは実施例１、２と同程度であるが、入口寸法に対する選択比は８．６であり、シリコン窒化膜の肩部がエッチングされてしまう。従ってフルオロカーボンガスを単独で用いるよりも、ハイドロフルオロエーテルガスを混合したほうが、入口寸法に対する選択比を大幅に改善できる。
比較例２では、シリコン酸化膜（１０２）のエッチング深さ、入口寸法に対する選択比ともに実施例１〜３に比べて著しく劣る。
比較例３，４は水素原子を含まないフルオロエーテルガスを用いているが、シリコン酸化膜（１０２）のエッチング深さは、各々３１９ｎｍ、３０６ｎｍであって実施例１〜３よりも深く、エッチング速度が速いものの、いずれも、入口寸法に対する選択比は実施例１〜３に比べて著しく劣る。以上の事から、分子構造に水素を含まないフルオロエーテルは処理ガスとして適切ではない。
比較例５では、同一炭素上に水素原子とフッ素原子が存在しないハイドロフルオロカーボンであるＣ５ＨＦ７を処理ガスとして用いているが、シリコン酸化膜（１０２）のエッチング深さ、入口寸法に対する選択比ともに、比較例１よりも悪化している。このことから、処理ガスが、エーテル結合を分子中に有するハイドロフルオロエーテルガスを含有する必要があることがわかる。
本発明によれば、処理ガスとして、フルオロカーボンガスと上述したような化学式（I）を満たすハイドロフルオロエーテルガスの混合ガスとを用いることで、シリコン窒化膜の肩落ちを抑制することができる。
１，１’ 被処理体
１００，１００’ シリコン単結晶ウエハー
１０１，１０１’ 第１シリコン窒化膜
１０２，１０２’ シリコン酸化膜
１０３，１０３’ パターン化された第２シリコン窒化膜
Ａ プラズマエッチング前の第２のシリコン窒化膜１０３の厚み
Ａ’ プラズマエッチング後の第２のシリコン窒化膜１０３’の厚み
Ｂ プラズマエッチング前のシリコン酸化膜１０２の厚み
Ｂ’ プラズマエッチング後に残存したシリコン酸化膜１０２’の厚み
Ｃ 第２のシリコン窒化膜１０３に形成されたパターンの入口寸法
Ｃ’ プラズマエッチング後の第２のシリコン窒化膜１０３’における入口寸法

Claims (4)

  1. 加工対象であるシリコン酸化膜と、非加工対象とを備える被処理体のプラズマエッチング方法であって、少なくとも一種のフルオロカーボンガスと、化学式（I）で表される少なくとも一種のハイドロフルオロエーテルガスとの混合ガスを処理ガスとして用いる、プラズマエッチング方法。
    Figure 0006773110
     ［式中、Ｒ1は、水素原子、フッ素原子、又はＣxＦ2x+1で示されるフルオロアルキル基を；Ｒ2は、水素原子、フッ素原子、又はＣyＦ2y+1で示されるフルオロアルキル基を；Ｒ3は、水素原子、フッ素原子、又はＣzＦ2z+1で示されるフルオロアルキル基を、それぞれ表す。ここで、ｘ〜ｚはそれぞれ０以上３以下の整数であり、１≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦３を満たす。また、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ同一でも異なっていても良い。］
  2. 前記処理ガス中における、前記ハイドロフルオロエーテルガスの混合割合が、前記フルオロカーボンガス１００体積部に対して、１体積部以上１００体積部以下である、請求項１に記載のプラズマエッチング方法。
  3. 前記フルオロカーボンガスが、組成式Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、又はＣ５Ｆ８で表される化合物のガスである、請求項１又は２に記載のプラズマエッチング方法。
  4. 前記ハイドロフルオロエーテルガスが、組成式Ｃ４Ｈ３Ｆ７Ｏで表される化合物のガスである、請求項１〜３の何れかに記載のプラズマエッチング方法。
JP2018505864A 2016-03-16 2017-03-08 プラズマエッチング方法 Active JP6773110B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016052931 2016-03-16
JP2016052931 2016-03-16
PCT/JP2017/009330 WO2017159511A1 (ja) 2016-03-16 2017-03-08 プラズマエッチング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2017159511A1 JPWO2017159511A1 (ja) 2019-01-24
JP6773110B2 true JP6773110B2 (ja) 2020-10-21

Family

ID=59851628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018505864A Active JP6773110B2 (ja) 2016-03-16 2017-03-08 プラズマエッチング方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10424489B2 (ja)
EP (1) EP3432345A4 (ja)
JP (1) JP6773110B2 (ja)
KR (1) KR102340870B1 (ja)
CN (1) CN108780749B (ja)
TW (1) TWI703631B (ja)
WO (1) WO2017159511A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102104240B1 (ko) 2018-08-13 2020-04-24 아주대학교 산학협력단 플라즈마 식각 방법
KR102327416B1 (ko) * 2019-08-20 2021-11-16 아주대학교산학협력단 플라즈마 식각 방법
KR102389081B1 (ko) * 2020-04-06 2022-04-20 아주대학교산학협력단 PIPVE(perfluoroisopropyl vinyl ether)를 이용한 플라즈마 식각 방법
KR102441772B1 (ko) * 2020-11-13 2022-09-07 아주대학교산학협력단 플라즈마 식각 방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5440170B2 (ja) 1973-10-22 1979-12-01
JPH09219394A (ja) 1996-02-09 1997-08-19 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2972786B2 (ja) * 1996-11-05 1999-11-08 工業技術院長 ドライエッチング用ガス
JPH10329780A (ja) 1997-05-29 1998-12-15 Sanyo Electric Co Ltd 電動車両
JP2000306884A (ja) * 1999-04-22 2000-11-02 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR100338769B1 (ko) * 1999-10-26 2002-05-30 윤종용 반도체 장치의 절연막 식각방법
CN1214444C (zh) * 2000-07-18 2005-08-10 昭和电工株式会社 用于半导体生产设备的净化气
JP2002198357A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Showa Denko Kk 半導体製造装置のクリーニングガス及びクリーニング方法
JPWO2005117082A1 (ja) * 2004-05-31 2008-04-03 独立行政法人産業技術総合研究所 ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法
CN101015044A (zh) * 2004-05-31 2007-08-08 独立行政法人产业技术综合研究所 干式蚀刻气体及干式蚀刻方法
WO2009041560A1 (ja) 2007-09-28 2009-04-02 Zeon Corporation プラズマエッチング方法
KR20110002017A (ko) * 2008-03-31 2011-01-06 제온 코포레이션 플라즈마 에칭 방법
KR101422155B1 (ko) * 2010-02-01 2014-07-22 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 드라이 에칭제 및 그것을 사용한 드라이 에칭 방법
JP5434970B2 (ja) * 2010-07-12 2014-03-05 セントラル硝子株式会社 ドライエッチング剤
CN104781220A (zh) * 2012-11-14 2015-07-15 大金工业株式会社 干式蚀刻气体的制造方法
JP6667215B2 (ja) * 2014-07-24 2020-03-18 キヤノン株式会社 Ｘ線遮蔽格子、構造体、トールボット干渉計、ｘ線遮蔽格子の製造方法
TWI670768B (zh) * 2014-10-30 2019-09-01 日商日本瑞翁股份有限公司 電漿蝕刻方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180124030A (ko) 2018-11-20
TW201802930A (zh) 2018-01-16
CN108780749A (zh) 2018-11-09
WO2017159511A1 (ja) 2017-09-21
CN108780749B (zh) 2022-10-14
TWI703631B (zh) 2020-09-01
JPWO2017159511A1 (ja) 2019-01-24
US10424489B2 (en) 2019-09-24
US20190027368A1 (en) 2019-01-24
EP3432345A4 (en) 2019-10-09
EP3432345A1 (en) 2019-01-23
KR102340870B1 (ko) 2021-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7079872B2 (ja) 半導体構造物上に窒素含有化合物を堆積させる方法
TWI756330B (zh) 用於蝕刻半導體結構之含碘化合物
JP6773110B2 (ja) プラズマエッチング方法
JP6696429B2 (ja) プラズマエッチング方法
KR102546860B1 (ko) 저-k 에치 공정 동안 측벽 손상을 최소화하는 방법
KR100874813B1 (ko) 드라이 에칭 가스 및 드라이 에칭 방법
WO2014104290A1 (ja) ドライエッチング方法
JP2001521283A (ja) ジフルオロメタンおよびトリフルオロメタンを用いたセルフアラインコンタクトエッチング
CN109564868B (zh) 等离子体蚀刻方法
JP2017050413A (ja) プラズマエッチング方法
US11437244B2 (en) Dry etching gas composition and dry etching method
JP6569578B2 (ja) プラズマエッチング方法
TWI838915B (zh) 使用含矽氫氟烴之蝕刻方法
TWI833930B (zh) 乾式蝕刻方法及半導體裝置之製造方法
TW201735159A (zh) 電漿蝕刻方法
JP3834004B2 (ja) エッチング後処理方法
TW202100805A (zh) 乾式蝕刻方法及半導體裝置之製造方法
JP2018032667A (ja) プラズマエッチング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191028

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200901

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200914

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6773110

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250