JP6771034B2 - 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents
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Description
まず、塗布膜形成装置1の概要について説明する。塗布膜形成装置1は、被処理体W(図6等参照)の表面上に塗布膜R(同図等参照)を形成する装置である。
続いて、図6及び図7を参照して、液処理ユニットU1についてさらに詳しく説明する。液処理ユニットU1は、図6に示されるように、回転保持部40と、駆動部50と、ポンプPと、バルブVと、ヒータ71と、断熱材72とを備える。
続いて、図8及び図9を参照して、熱処理ユニットU2の構成について説明する。熱処理ユニットU2は、筐体100内に、被処理体Wを加熱する加熱室110と、被処理体Wを搬送する搬送機構120とを有する。筐体100のうち搬送機構120に対応する部分の両側壁には、被処理体Wを筐体100の内部に搬入すると共に被処理体Wを筐体100外へと搬出するための搬入出口101が形成されている。
続いて、塗布膜Rを被処理体Wの表面に形成する方法(塗布膜形成方法)について、図10及び図11を参照して説明する。まず、コントローラCUが受け渡しアームA1を制御して、受け渡しアームA1によってキャリア10内の被処理体Wを棚部33に搬送する。次に、コントローラCUが搬送アームA2を制御して、搬送アームA2によって被処理体Wを棚部33から取り出し、熱処理ユニットU2に搬送する。熱処理ユニットU2では、コントローラCUが搬送機構120(搬送板121)を制御して、被処理体Wが加熱室110内に搬送される(ステップS1)。被処理体Wが熱板113上に載置されると、コントローラCUが昇降機構119を制御して、昇降機構119によって蓋部111を下方位置に降下させる。これにより、蓋部111と熱板収容部112とで構成される処理室PR内に被処理体Wが収容される。
以上のような本実施形態では、塗布液を被処理体Wの表面に吹き付けるに際して、塗布液を加熱して加熱液体としている。そのため、加熱液体がノズルNから吹き出されると、その直後から溶媒(溶剤)が揮発して塗布液中の材料粒子(溶質)の濃度が高まるので、塗布液(加熱液体)の流動性が低下した状態となる。従って、被処理体Wの表面(凹凸面)において、液滴同士が凝集して流動することが抑制される。その結果、被処理体Wの表面に塗布液の材料粒子が均一に付着しやすくなる。以上より、凸部W2を含む被処理体Wの表面に沿って塗布膜Rをより均一に形成することが可能となる。
以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、本発明の要旨の範囲内で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。例えば、本実施形態では、被処理体Wを加熱室110により加熱する処理(ステップS2)を熱処理ユニットU2で行い、被処理体Wの表面に塗布液液滴をノズルNから吹き付ける処理(ステップS5)を液処理ユニットU1で行っていたが、液処理ユニットU1及び熱処理ユニットU2の双方の構成を有する処理室を用いて、双方の処理を当該処理室で行ってもよい。この場合、被処理体Wを加熱する際には、被処理体Wの回転を停止させておくとよい。
Claims (15)
- 基板と、前記基板の表面に設けられた凸部とを含む被処理体を加熱する第1の工程と、
塗布液を加熱して第1の加熱液体を得る第2の工程と、
前記第1の工程において加熱された後の前記被処理体の表面に対して、前記第1の加熱液体を液滴の状態にてノズルから吹き付ける第3の工程と、
前記第3の工程の後に、前記塗布液を加熱して第2の加熱液体を得る第4の工程と、
前記第4の工程の後に、塗布膜が形成された前記被処理体の前記表面に対して、前記第2の加熱液体を液滴の状態にて前記ノズルから吹き付ける第5の工程をさらに含み、
前記第4の工程における前記第2の加熱液体の温度は、前記第2の工程における前記第1の加熱液体の温度よりも高く設定されている、塗布膜形成方法。 - 前記第3の工程では、前記被処理体の前記表面に対して前記ノズルから前記液滴を吹き付けると共に、前記ノズルとは別のガスノズルを前記ノズルに追従させつつ、前記被処理体の前記表面のうち前記液滴の吹き付け箇所に対して加熱された窒素ガスを前記ガスノズルから吹き付ける、請求項1に記載の塗布膜形成方法。
- 基板と、前記基板の表面に設けられた凸部とを含む被処理体を加熱する第1の工程と、
塗布液を加熱して第1の加熱液体を得る第2の工程と、
前記第1の工程において加熱された後の前記被処理体の表面に対して、前記第1の加熱液体を液滴の状態にてノズルから吹き付ける第3の工程とを含み、
前記第3の工程では、前記被処理体の前記表面に対して前記ノズルから前記液滴を吹き付けると共に、前記ノズルとは別のガスノズルを前記ノズルに追従させつつ、前記被処理体の前記表面のうち前記液滴の吹き付け箇所に対して加熱された窒素ガスを前記ガスノズルから吹き付ける、塗布膜形成方法。 - 前記第2の工程では、前記ノズルの出口における前記第1の加熱液体の温度が前記塗布液に含まれる溶剤の沸点の1/2以下となるように前記塗布液を加熱する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。
- 前記第2の工程では、前記ノズルの出口における前記第1の加熱液体の温度が35℃〜60℃となるように前記塗布液を加熱する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。
- 前記第2の工程では、前記ノズル内において前記塗布液と加熱されたガスとを混合することにより前記塗布液を加熱して前記第1の加熱液体を得る、請求項1〜5のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。
- 前記第2の工程では、前記ノズルよりも上流側において前記塗布液をヒータにより加熱して前記第1の加熱液体を得る、請求項1〜6のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。
- 塗布液を加熱するように構成された第1の加熱部と、
基板と、前記基板の表面に設けられた凸部とを含む被処理体を加熱するように構成された第2の加熱部と、
ノズルを有する供給部と、
制御部とを備え、
前記制御部は、
前記第2の加熱部を制御して前記被処理体を加熱する第1の処理と、
前記第1の加熱部及び前記供給部を制御して、前記第1の処理によって加熱された後の前記被処理体の表面に対して、前記第1の加熱部によって加熱された前記塗布液である第1の加熱液体を液滴の状態にて前記ノズルから吹き出させる第2の処理と、
前記第2の処理の後に、前記第1の加熱部及び前記供給部を制御して、前記被処理体の前記表面に対して、前記第1の加熱部によって加熱された前記塗布液である第2の加熱液体を液滴の状態にて前記ノズルから吹き出させる第3の処理とを実行し、
前記第3の処理における前記第2の加熱液体の温度は、前記第2の処理における前記第1の加熱液体の温度よりも高く設定されている、塗布膜形成装置。 - 加熱された窒素ガスをガスノズルから吐出させるように構成されたガス供給部を更に備え、
前記制御部は、前記第2の処理において、前記第1の加熱部及び前記供給部を制御して、前記液滴を前記ノズルから吹き付けると共に、前記ガス供給部を制御して、前記ガスノズルを前記ノズルに追従させつつ、前記被処理体の前記表面のうち前記液滴の吹き付け箇所に対して加熱された窒素ガスを前記ガスノズルから吹き付ける、請求項8に記載の塗布膜形成装置。 - 塗布液を加熱するように構成された第1の加熱部と、
基板と、前記基板の表面に設けられた凸部とを含む被処理体を加熱するように構成された第2の加熱部と、
ノズルを有する供給部と、
加熱された窒素ガスをガスノズルから吐出させるように構成されたガス供給部と、
制御部とを備え、
前記制御部は、
前記第2の加熱部を制御して前記被処理体を加熱する第1の処理と、
前記第1の加熱部及び前記供給部を制御して、前記第1の処理によって加熱された後の前記被処理体の表面に対して、前記第1の加熱部によって加熱された前記塗布液である第1の加熱液体を液滴の状態にて前記ノズルから吹き出させる第2の処理とを実行し、
前記第2の処理において、前記第1の加熱部及び前記供給部を制御して、前記液滴を前記ノズルから吹き付けると共に、前記ガス供給部を制御して、前記ガスノズルを前記ノズルに追従させつつ、前記被処理体の前記表面のうち前記液滴の吹き付け箇所に対して加熱された窒素ガスを前記ガスノズルから吹き付ける、塗布膜形成装置。 - 前記第1の加熱部は、前記ノズルの出口における前記第1の加熱液体の温度が前記塗布液に含まれる溶剤の沸点の1/2以下となるように前記塗布液を加熱する、請求項8〜10のいずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
- 前記第1の加熱部は、前記ノズルの出口における前記第1の加熱液体の温度が35℃〜60℃となるように前記塗布液を加熱する、請求項8〜11のいずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
- 前記第1の加熱部は、加熱されたガスを前記ノズルに供給して前記ノズル内において前記ガスと前記塗布液とを混合させることにより前記塗布液を加熱するように構成されている、請求項8〜12のいずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
- 前記第1の加熱部は、前記ノズルよりも上流側において前記塗布液を加熱するヒータである、請求項8〜13のいずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法を塗布膜形成装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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