JP6763626B1 - メタルマスクの製造方法、およびメタルマスク - Google Patents
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Abstract
Description
前記電気めっき工程は、電流密度が0.5〜2A/dm 2 であり、前記ニッケルめっき皮膜は、ビッカース硬度が450〜580HVである、ことを特徴とするメタルマスクの製造方法である。
ニッケルめっき皮膜を析出させる導電性基材は、厚さ0.5〜1.0mmのステンレス(SUS304等)の平板が使用される。表面処理は、バフによる研磨、アルカリ脱脂、酸洗浄を行い、基材表面に付着した汚れや異物を除去するとともに、基材の表面の粗さを整える。
導電性基材の表面に感光性レジスト層を形成する。感光性レジストには、液状、ドライフィルム状のものがあり、層厚は概ね15〜100μmである。
フォトリソグラフィ法により、工程2で形成された感光性レジストで、メタルマスクのパターン、すなわち開口パターン及びニッケルめっきを析出しない部分を基材上に形成する。パターン形成は、フォトマスクを使用する一括露光法、またはレーザまたはレンズにより集光した光をメタルマスクのパターンに合わせて照射する直描法により感光性レジスト上にパターンを描き、炭酸ソーダなどのアルカリ液で未露光部分を除去してメタルマスクのパターン部分を現像して行う。
めっき浴に導電性基材を設置し、電流密度を設定して通電を開始する。後述するように、電流密度が変化するとニッケルめっき皮膜の硬度も変わるので、所望の硬度が得られるような電流密度に設定する。電流密度が高すぎると、ニッケルめっき皮膜の厚さのばらつきが大きくなり、低すぎると、メタルマスクの生産性が低下してしまうので、メタルマスクの板厚の要求精度と生産状況を考慮して、好適な値に設定する。そして、ニッケルめっき皮膜の膜厚ばらつき、生産性等を考慮すると、0.5〜2.0A/dm2が好ましく、物性までを考慮すると、1.0〜2.0A/dm2がより好ましい。
ニッケルめっき皮膜が形成された導電性基材を、剥離液に一定時間以上浸漬して感光性レジストを除去する。
導電性基材は厚さ0.5mmのSUS304の平板を使用した。また、感光性レジストは、基材に40μmtの厚みでドライフィルムをラミネートした。レーザ直描法による露光と、アルカリ液からなる現像処理により、レジストパターン形成をした。レジストパターンは、後述する硬度測定用の試験片(以下、「硬度試験片」という)、耐刷試験用の試験片(以下、「耐刷試験片」という)と、引張試験の試験片(以下、「引張試験片」という)の形状に形成した。めっき浴は、スルファミン酸ニッケル浴を使用し、めっき浴は、スルファミン酸ニッケル水溶液400g/L、ほう酸30g/L、応力緩和剤5ml/L、界面活性剤10ml/Lを主成分とする水溶液であり、めっき浴の温度は45℃、電流密度は0.5〜2.0A/dm2で段階的に変化させた。キレート剤はEDDS・H・3Naを0.01M添加した。また、電気めっきにより15±1μmの厚さのニッケルめっき皮膜を形成して、耐刷試験片と引張試験片を作製した。
キレート剤の濃度が0.01Mのときは、電流密度1〜2.0A/dm2において、伸び率、最大応力ともに従来技術より優れた物性が得られたので◎とした。0.5A/dm2の場合は、伸び率については優れていたが、延性が低下して最大応力が下がり破断しやすくなったので〇とした。なお、めっき析出面の性状は、いずれも無光沢であった。
Claims (1)
- 電気ニッケルめっき法によるメタルマスクの製造方法であって、キレート剤としてエチレンジアミン−N,N'−ジコハク酸(EDDS・4H)、またはこのナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩のうち、何れか1種類以上が0.01〜0.05mol/L添加されたニッケルめっき浴において、電気めっき法によりニッケルめっき皮膜を形成する電気めっき工程を含み、
前記電気めっき工程は、電流密度が0.5〜2A/dm 2 であり、
前記ニッケルめっき皮膜は、ビッカース硬度が450〜580HVである、
ことを特徴とするメタルマスクの製造方法。
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JP2006150646A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Process Lab Micron:Kk | メタルマスク、スクリーン印刷版及びはんだバンプ形成方法 |
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JP2008279762A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-11-20 | Bonmaaku:Kk | 多層構造メタルマスク及びその製造方法 |
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JP2005236211A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Process Lab Micron:Kk | 導電性ボール定置用マスクの製造方法 |
JP2006150646A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Process Lab Micron:Kk | メタルマスク、スクリーン印刷版及びはんだバンプ形成方法 |
JP2006347165A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-28 | Process Lab Micron:Kk | パターン形成用メタルマスク |
JP2008213472A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-09-18 | Bonmaaku:Kk | メタルマスク及びその製造方法 |
JP2008279762A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-11-20 | Bonmaaku:Kk | 多層構造メタルマスク及びその製造方法 |
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