JP6743008B2 - ダミーアレイリーク減少のための相変化メモリセル注入 - Google Patents
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Description
Claims (26)
- ダミーセルと、前記ダミーセルに電気的に結合されたアクティブセルとを含む複数の相変化メモリ(PCM)素子を備える装置であって、前記ダミーセルは、
底部電極層と、
前記底部電極層上に配置されるセレクトデバイス層と、
前記セレクトデバイス層上に配置される中間電極層と、
前記中間電極層上に配置される相変化材料層と、
前記相変化材料層上に配置される上部電極層とを含み、
前記相変化材料層は、前記ダミーセルのセルリークを減少させるべく不純物でドープされ、前記アクティブセルは前記不純物のドープを受けない、装置。 - 前記セレクトデバイス層は、前記ダミーセルのセルリークを減少させるべく不純物でドープされる、請求項1に記載の装置。
- 前記セレクトデバイス層および前記相変化材料層は、同じ不純物でドープされる、請求項2に記載の装置。
- 前記セレクトデバイス層は、前記相変化材料層より前記不純物がより高濃度である、請求項3に記載の装置。
- 複数の相変化メモリ(PCM)素子を含む装置であって、前記複数のPCM素子の個別のPCM素子は、
底部電極層と、
前記底部電極層上に配置されるセレクトデバイス層と、
前記セレクトデバイス層上に配置される中間電極層と、
前記中間電極層上に配置される相変化材料層と、
前記相変化材料層上に配置される上部電極層とを含むダミーセルであり、
前記相変化材料層は、前記ダミーセルのセルリークを減少させるべく不純物でドープされ、
前記セレクトデバイス層は、前記ダミーセルのセルリークを減少させるべく不純物でドープされ、前記セレクトデバイス層は、前記相変化材料層より前記不純物がより高濃度である、
装置。 - 前記相変化材料層および前記セレクトデバイス層は、カルコゲニド材料を備え、前記不純物は、ヒ素(As)、ゲルマニウム(Ge)、酸素(O)、シリコン(Si)、炭素(C)、ホウ素(B)および窒素(N)から成る群から選択される、請求項1から5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記不純物は、Si、CまたはGeである、請求項6に記載の装置。
- 前記不純物は、Siである、請求項7に記載の装置。
- 複数の相変化メモリ(PCM)素子を含む装置であって、前記複数のPCM素子の個別のPCM素子は、
底部電極層と、
前記底部電極層上に配置されるセレクトデバイス層と、
前記セレクトデバイス層上に配置される中間電極層と、
前記中間電極層上に配置される相変化材料層と、
前記相変化材料層上に配置される上部電極層とを含むダミーセルであり、
前記相変化材料層は、前記ダミーセルのセルリークを減少させるべく不純物でドープされ、
前記相変化材料層および前記セレクトデバイス層は、カルコゲニド材料を備え、前記不純物は、Siである、
装置。 - セルアレイを含むセルタイルをさらに備え、前記ダミーセルは、前記セルタイルの縁部に配置される、請求項1から9のいずれか一項に記載の装置。
- 複数の相変化メモリ(PCM)素子を含むPCMデバイスの複数層スタックを形成する段階であって、前記複数のPCM素子は、ダミーセルと、前記ダミーセルに電気的に結合されたアクティブセルとを含み、前記形成する段階は、
ワード線金属層上に底部電極層を堆積する段階と、
前記底部電極層上にセレクトデバイス層を堆積する段階と、
前記セレクトデバイス層上に中間電極層を堆積する段階と、
前記中間電極層上に相変化材料層を堆積する段階と、を含む、段階と、
前記ダミーセルのセルリークを減少させるべく、前記複数層スタックにおける前記ダミーセルに対応する領域にて前記相変化材料層を不純物でドープする段階であって、前記アクティブセルは前記不純物のドープを受けない、段階と、を備える、
方法。 - 前記ダミーセルのセルリークを減少させるべく前記セレクトデバイス層を不純物でドープする段階をさらに備える、請求項11に記載の方法。
- 前記セレクトデバイス層および前記相変化材料層は、同じ注入プロセス中に同じ不純物でドープされる、請求項12に記載の方法。
- 前記セレクトデバイス層をドープする段階は、前記相変化材料層の前記不純物の濃度より高い濃度のセレクトデバイス層の前記不純物を提供する、請求項13に記載の方法。
- ワード線金属層上に底部電極層を堆積する段階と、
前記底部電極層上にセレクトデバイス層を堆積する段階と、
前記セレクトデバイス層上に中間電極層を堆積する段階と、
前記中間電極層上に相変化材料層を堆積する段階と、
ダミーセルのセルリークを減少させるべく、相変化メモリ(PCM)デバイスの複数層スタックにおける前記ダミーセルに対応する領域にて前記相変化材料層を不純物でドープする段階と、
によって、
前記複数層スタックを形成する段階を備える方法であって、前記方法は、
前記ダミーセルのセルリークを減少させるべく、前記セレクトデバイス層を不純物でドープする段階をさらに備え、
前記セレクトデバイス層をドープする段階は、前記相変化材料層の前記不純物の濃度より高い濃度の前記セレクトデバイス層の前記不純物を提供する、方法。 - 前記相変化材料層および前記セレクトデバイス層は、カルコゲニド材料を備え、前記不純物は、ヒ素(As)、ゲルマニウム(Ge)、酸素(O)、シリコン(Si)、炭素(C)、ホウ素(B)および窒素(N)から成る群から選択される、請求項11から15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記不純物は、Siである、請求項16に記載の方法。
- ワード線金属層上に底部電極層を堆積する段階と、
前記底部電極層上にセレクトデバイス層を堆積する段階と、
前記セレクトデバイス層上に中間電極層を堆積する段階と、
前記中間電極層上に相変化材料層を堆積する段階と、
ダミーセルのセルリークを減少させるべく前記ダミーセルに対応する相変化メモリ(PCM)デバイスの複数層スタックの領域にて前記相変化材料層を不純物でドープする段階と
によって、
前記複数層スタックを形成する段階を備える方法であって、
前記相変化材料層および前記セレクトデバイス層は、カルコゲニド材料を備え、前記不純物は、Siである、方法。 - 前記ダミーセルは、セルアレイを含むセルタイルの縁部に配置される、請求項11から18のいずれか一項に記載の方法。
- 前記セルタイルのアクティブセルの領域は、パターン化されたマスク層によって保護され、それにより、前記アクティブセルは、前記相変化材料層の前記ドープする段階中に前記不純物でドープされない、請求項19に記載の方法。
- 回路基板と、
前記回路基板に結合されるダイとを備えるシステムであって、
前記ダイは、複数の相変化メモリ(PCM)素子を含み、前記複数のPCM素子の個別のPCM素子は、ダミーセルと、前記ダミーセルに電気的に結合されたアクティブセルと、を含み、前記ダミーセルは、
底部電極層と、
前記底部電極層上に配置されるセレクトデバイス層と、
前記セレクトデバイス層上に配置される中間電極層と、
前記中間電極層上に配置される相変化材料層と、
前記相変化材料層上に配置される上部電極層とを含み、
前記相変化材料層は、前記ダミーセルのセルリークを減少させるべく不純物でドープされ、前記アクティブセルは、前記不純物のドープを受けない、
システム。 - 前記セレクトデバイス層は、前記ダミーセルのセルリークを減少させるべく不純物でドープされる、請求項21に記載のシステム。
- 前記セレクトデバイス層は、前記相変化材料層より前記不純物の濃度が高い、請求項22に記載のシステム。
- 回路基板と、
前記回路基板に結合されるダイとを備えるシステムであって、
前記ダイは、複数の相変化メモリ(PCM)素子を含み、前記複数のPCM素子の個別のPCM素子は、
底部電極層と、
前記底部電極層上に配置されるセレクトデバイス層と、
前記セレクトデバイス層上に配置される中間電極層と、
前記中間電極層上に配置される相変化材料層と、
前記相変化材料層上に配置される上部電極層とを含むダミーセル
であり、
前記相変化材料層は、前記ダミーセルのセルリークを減少させるべく不純物でドープされ、
前記セレクトデバイス層は、前記ダミーセルのセルリークを減少させるべく不純物でドープされ、前記セレクトデバイス層は、前記相変化材料層より前記不純物の濃度が高い、
システム。 - 回路基板と、
前記回路基板に結合されるダイとを備えるシステムであって、
前記ダイは、複数の相変化メモリ(PCM)素子を含み、前記複数のPCM素子の個別のPCM素子は、
底部電極層と、
前記底部電極層上に配置されるセレクトデバイス層と、
前記セレクトデバイス層上に配置される中間電極層と、
前記中間電極層上に配置される相変化材料層と、
前記相変化材料層上に配置される上部電極層とを含むダミーセル
であり、
前記相変化材料層は、前記ダミーセルのセルリークを減少させるべく不純物でドープされ、前記相変化材料層および前記セレクトデバイス層は、カルコゲニド材料を備え、前記不純物は、Siである、システム。 - 前記システムは、前記回路基板に結合されるアンテナ、ディスプレイ、タッチスクリーンディスプレイ、タッチスクリーンコントローラ、バッテリ、音声コーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、全地球測位システム(GPS)デバイス、コンパス、ガイガーカウンタ、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、またはカメラの1または複数を含むモバイルコンピューティングデバイスである、請求項21から25のいずれか一項に記載のシステム。
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