JP6738279B2 - エキシマレーザアニーリングの制御のための監視方法および装置 - Google Patents
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Description
本願は、2014年3月3日に出願された米国特許出願第14/195,656号の優先権の利益を主張するものであり、該米国特許出願の全体の内容は、参照により本明細書中に援用される。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
(項目1)
少なくとも部分的に、層上にあるエネルギー密度を有する複数のレーザ放射パルスへの暴露によって結晶化された半導体層を評価するための方法であって、前記結晶化は、第1の方向における前記層上の第1の群の周期的表面特徴と、前記第1の方向と垂直な第2の方向における第2の群の周期的特徴とを生成し、前記第1の群および第2の群の周期的特徴の形成は、前記半導体層が暴露された前記レーザ放射パルスのエネルギー密度に依存し、
前記方法は、
前記結晶化された半導体層のある面積を照明するステップと、
前記第1の群および第2の群の周期的特徴によって前記照明された面積から回折された光内の照明された面積の顕微鏡画像を記録するステップであって、前記記録された画像は、前記層の照明された面積内の前記第1の群および第2の群の周期的特徴に対応する、水平群および垂直群の周期的画像特徴を含有する、ステップと、
前記水平群および垂直群の周期的画像特徴のうちの少なくとも1つのコントラストの測定値から前記エネルギー密度を判定するステップと、
を含む、方法。
(項目2)
前記顕微鏡画像は、透過型顕微鏡画像である、項目1に記載の方法。
(項目3)
前記顕微鏡画像は、画素の行および列から形成され、前記コントラストは、前記画像内の画素の全行および全列のうちの1つの振幅を測定し、前記周期的画像特徴のコントラストの測定値として平均振幅から標準偏差を求めることによって判定される、項目1に記載の方法。
(項目4)
前記顕微鏡画像は、画素の行および列から形成される透過型顕微鏡画像であり、前記コントラストは、前記画像内の画素の全行および全列のうちの1つの振幅を測定し、前記周期的画像特徴のコントラストの測定値として最高測定振幅と最低測定振幅との間の差異を求めることによって判定される、項目1に記載の方法。
(項目5)
前記画像は、緑色フィルタリングされた画像である、前記項目のいずれかに記載の方法。
(項目6)
前記画像は、青色フィルタリングされた画像である、項目1〜4のいずれかに記載の方法。
(項目7)
前記測定されたコントラストの最小値は、前記結晶化の最適エネルギー密度を示す、前記項目のいずれかに記載の方法。
Claims (18)
- 半導体層の結晶化品質を評価するための方法であって、前記半導体層は、少なくとも部分的に、前記層上にあるエネルギー密度を有する複数のレーザ放射パルスへの暴露によって結晶化され、前記結晶化は、第1の方向における前記層上の第1の群の周期的表面特徴と、前記第1の方向と垂直な第2の方向における第2の群の周期的表面特徴とを生成し、前記半導体層の前記結晶化品質は、前記第1および第2の群の周期的特徴の特性に依存し、前記第1および第2の群の周期的特徴の前記特性は、前記半導体層が暴露された前記レーザ放射パルスの前記エネルギー密度に依存し、
前記方法は、
前記層の表面に垂直に指向された光のビームを用いて、前記結晶化された半導体層のある面積を照明することと、
前記第1および第2の群の周期的特徴によって前記照明された面積から回折された光を捕捉するように配列された検出器を用いて、画像を生成するように前記照明された面積から回折された前記光を記録することであって、前記画像内における輝度の変動は、前記層の前記照明された面積内の前記第1および第2の群の周期的特徴の前記特性に対応する、ことと、
前記層の前記第1または第2の方向のうちの1つに対応する前記画像の少なくとも1つの方向に沿った輝度のコントラストの計算値と、前記画像内における鮮明なストライプの存在または不在とから、前記エネルギー密度を判定することであって、前記エネルギー密度を判定することは、前記エネルギー密度が最適エネルギー密度を上回るか下回るかを判定することを含み、前記画像内における前記鮮明なストライプの存在または不在は、前記エネルギー密度が前記最適エネルギー密度を上回るか下回るかを判定するために使用される、ことと
を含む、方法。 - 前記画像は、透過型顕微鏡画像である、請求項1に記載の方法。
- 前記画像は、画素の行および列から形成され、前記コントラストは、前記画像内の画素の全行および全列のうちの1つの振幅を測定することと、前記測定された振幅から標準偏差を計算することとによって、計算され、前記計算された標準偏差が、周期的画像特徴のコントラストの計算値である、請求項1に記載の方法。
- 前記画像は、画素の行および列から形成され、前記コントラストは、前記画像内の画素の全行および全列のうちの1つの振幅を測定することと、前記測定された振幅の中の最高値と前記測定された振幅の中の最低値との間の差異を計算することとによって、計算され、前記計算された差異が、周期的画像特徴のコントラストの計算値である、請求項1に記載の方法。
- 前記画像は、緑色フィルタリングされた画像である、請求項1に記載の方法。
- 前記画像は、青色フィルタリングされた画像である、請求項1に記載の方法。
- 前記コントラストの計算値の最小値は、前記結晶化のための最適エネルギー密度を示す、請求項1に記載の方法。
- ゼロ次光の少なくとも一部は、前記検出器に到達することが遮断される、請求項1に記載の方法。
- 前記ゼロ次光は、90度相対回転における偏光板および分析器の組み合わせを使用して、前記検出器に到達することが遮断される、請求項8に記載の方法。
- 前記ゼロ次光は、前記捕捉された光の中心軸に沿って位置付けられた停止部によって、前記検出器に到達することが遮断される、請求項8に記載の方法。
- 半導体層の結晶化品質を評価するための装置であって、前記半導体層は、少なくとも部分的に、前記層上にあるエネルギー密度を有する複数のレーザ放射パルスへの暴露によって結晶化され、前記結晶化は、第1の方向における前記層上の第1の群の周期的表面特徴と、前記第1の方向と垂直な第2の方向における第2の群の周期的特徴とを生成し、前記半導体層の前記結晶化品質は、前記第1および第2の群の周期的特徴の特性に依存し、前記第1および第2の群の周期的特徴の前記特性は、前記半導体層が暴露された前記レーザ放射パルスの前記エネルギー密度に依存し、
前記装置は、
前記結晶化された半導体層のある面積を照明するために、前記層の表面に垂直に指向された光のビームを生成するための光源と、
画像を生成するように前記第1および第2の群の周期的特徴の両方によって前記照明された面積から回折された光を捕捉するように配列された2次元アレイ検出器であって、前記光の輝度の変動は、前記層の前記照明された面積内の前記第1および第2の群の周期的特徴の特性に対応する、2次元アレイ検出器と、
前記第1および第2の方向のうちの少なくとも1つに沿った輝度のコントラストの計算値と、前記画像内における鮮明なストライプの存在または不在とから、前記半導体層が暴露された前記レーザ放射パルスの前記エネルギー密度を判定するためのプロセッサであって、前記エネルギー密度を判定することは、前記エネルギー密度が最適エネルギー密度を上回るか下回るかを判定することを含み、前記画像内における前記鮮明なストライプの存在または不在は、前記エネルギー密度が前記最適エネルギー密度を上回るか下回るかを判定するために使用される、プロセッサと
を備える、装置。 - 前記画像は、画素の行および列から形成され、前記コントラストは、前記画像内の画素の全行および全列のうちの1つの振幅を測定することと、前記測定された振幅から標準偏差を計算することとによって、計算され、前記計算された標準偏差が、周期的画像特徴のコントラストの計算値である、請求項11に記載の装置。
- 前記画像は、画素の行および列から形成され、前記コントラストは、前記画像内の画素の全行および全列のうちの1つの振幅を測定することと、前記測定された振幅の中の最高値と前記測定された振幅の中の最低値との間の差異を計算することとによって、計算され、前記計算された差異が、周期的画像特徴のコントラストの計算値である、請求項11に記載の装置。
- ゼロ次光の少なくとも一部が前記検出器に到達することを遮断するための手段をさらに備える、請求項11に記載の装置。
- ゼロ次光を遮断するための前記手段は、90度相対回転における偏光板および分析器の組み合わせによって定義されている、請求項14に記載の装置。
- ゼロ次光を遮断するための前記手段は、前記捕捉された光の中心軸に沿って位置付けられた停止部によって定義されている、請求項14に記載の装置。
- 前記検出器の前に位置する青色フィルタをさらに含む、請求項11に記載の装置。
- 前記検出器の前に位置する緑色フィルタをさらに含む、請求項11に記載の装置。
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