JP5305442B2 - レーザービーム・ミクロスムージング - Google Patents
レーザービーム・ミクロスムージング Download PDFInfo
- Publication number
- JP5305442B2 JP5305442B2 JP2008556420A JP2008556420A JP5305442B2 JP 5305442 B2 JP5305442 B2 JP 5305442B2 JP 2008556420 A JP2008556420 A JP 2008556420A JP 2008556420 A JP2008556420 A JP 2008556420A JP 5305442 B2 JP5305442 B2 JP 5305442B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- laser
- substrate
- pulses
- scanning direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 4
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 27
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/073—Shaping the laser spot
- B23K26/0738—Shaping the laser spot into a linear shape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0626—Energy control of the laser beam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
- H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
- H01L27/1285—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
“x−軸”はレーザーアニーリングシステムの走査方向を言う。
Claims (13)
- レーザーにより生成されたレーザービームの不均質により起こる効果を均質にするための装置であって、前記レーザービームは基板を走査するレーザービームアニーリングシステムに使用する様に構成され、レーザーアニーリングシステムは、一連のレーザービームパルスを基板の表面の連続する位置に照射することにより、走査方向に基板を走査し、前記装置は、
レーザーからのビームを受けるビーム均質化光システム;
均質化されたビームを受ける、ビーム均質化光システムの下流にある少なくとも一つのミラー;及び
レーザービームの線焦点を、一連のパルスの個々のパルス間の事前に決められた距離を、前記走査方向に実質的に直交する方向に前記基板の表面上に動かすためのミラー傾動用アクチュエーターを含む、前記装置。 - 前記アクチュエーターは圧電アクチュエーターを含む、請求項1の装置。
- 前記アクチュエーターは前記ミラーを実質的に正弦曲線の変動で傾動させるように構成される、請求項1の装置。
- 正弦曲線の変動の周波数はレーザービームパルスの繰り返し周波数の約1/15 から1/10の周波数である、請求項3の装置。
- 前記事前に決められた距離は、前記レーザービームの小規模不均質部分の平均幅におよそ等しい、請求項1の装置。
- レーザービームの不均質により起こる効果を均質にするための装置であって、前記レーザービームは基板を走査するレーザービームアニーリングシステムに使用する様に構成され、レーザーアニーリングシステムは、一連のレーザービームパルスを基板の表面の連続する位置に照射することにより、走査方向に基板を走査し、前記装置は、
前記レーザービームの線焦点を、一連のパルスの個々のパルス間の事前に決められた距離を、前記走査方向に実質的に直交する方向に前記基板の表面上に動かすための手段を含み、前記動かすための手段は、前記ミラーの動きに関連した加速力を最小にするために、第一及び第二のミラーを反対方向に動かすように構成される、第一及び第二のアクチュエーターを持つ第一及び第二のミラーを含む。 - レーザーアニーリングシステムであって、
一連のレーザービームパルスを基板の表面の連続する位置に当てることにより、走査方向に基板を走査するためのレーザービームを発生させるレーザー;
レーザーからのビームを受けるビーム均質化光システム;
均質化されたビームを受ける、ビーム均質化光システムの下流にある少なくとも一つのミラー;及び
前記レーザービームの線焦点を実質的に走査方向に固定化して保持しつつ、一連のパルスの個々のパルスの間の事前に決められた距離を、前記走査方向に実質的に直交する方向に、レーザービームの線焦点を基板の表面上に動かすためのミラー傾動用アクチュエーター、
を含む前記レーザーアニーリングシステム。 - 前記アクチュエーターが圧電アクチュエーターを含む、請求項7のレーザーアニーリングシステム。
- 前記アクチュエーターが、前記ミラーを実質的に正弦曲線の変動で傾動させるように構成される、請求項7の装置。
- 前記正弦曲線の変動の周波数がレーザービームパルスの繰り返し周波数の約1/15 から1/10である、請求項9の装置。
- レーザーアニーリングシステムであって、
前記基板の表面の連続する位置に一連のレーザービームパルスを照射することにより走査方向に基板を走査するレーザービームを生成するレーザー、及び
前記レーザービームの線焦点を前記走査方向に実質的に固定化して保持しつつ、一連のパルスの個々のパルス間の事前に決められた距離を、前記走査方向に実質的に直交する方向に、前記レーザービームの線焦点を前記基板の表面上に動かすための手段を含み、前記動かすための手段は、前記ミラーの動きに関連した加速力を最小にするために、第一及び第二のミラーを反対方向に動かすように構成される、第一及び第二のアクチュエーターを持つ第一及び第二のミラーを含む、前記レーザーアニーリングシステム。 - パルスレーザービームにより作業対象を処理する方法であって、前記ビームは伸長された到達範囲を持つビームスポットを持ち、
(a) ビームをビーム均質化光システムを通してミラーに照射し;
(b) 異なる位置の作業対象に複数のパルスを与えるために、ビームスポットの縦軸に平行な方向に作業対象上でビームを前後に動かすためにミラーを揺動して傾動させ;
(c) ビームスポットの縦軸に直交する方向に、ビームスポットに対して作業対象を並進移動させ、及び
(d) ビームスポットの縦軸の不均質部分を補正する様に、(b)及び(c)のステップを繰り返して作業対象を処理する
ステップを含む、前記方法。 - 前記作業対象が、複数のパルスが走査方向に重複するような速度でビームスポットに対して連続に並進移動される、請求項12の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US77545906P | 2006-02-22 | 2006-02-22 | |
US60/775,459 | 2006-02-22 | ||
US85728706P | 2006-11-07 | 2006-11-07 | |
US60/857,287 | 2006-11-07 | ||
PCT/US2007/004608 WO2007100608A1 (en) | 2006-02-22 | 2007-02-21 | Laser beam micro-smoothing |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009527925A JP2009527925A (ja) | 2009-07-30 |
JP2009527925A5 JP2009527925A5 (ja) | 2010-02-12 |
JP5305442B2 true JP5305442B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=38283942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008556420A Active JP5305442B2 (ja) | 2006-02-22 | 2007-02-21 | レーザービーム・ミクロスムージング |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7723169B2 (ja) |
JP (1) | JP5305442B2 (ja) |
WO (1) | WO2007100608A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8337618B2 (en) * | 2009-10-26 | 2012-12-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Silicon crystallization system and silicon crystallization method using laser |
JP5154595B2 (ja) * | 2009-10-26 | 2013-02-27 | 三星ディスプレイ株式會社 | レーザーを利用したシリコン結晶化システム及びシリコン結晶化方法 |
US8932898B2 (en) * | 2011-01-14 | 2015-01-13 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior Univerity | Deposition and post-processing techniques for transparent conductive films |
US20130341310A1 (en) * | 2012-06-22 | 2013-12-26 | Coherent Lasersystems Gmbh & Co. Kg | Monitoring method and apparatus for excimer laser annealing process |
KR102001460B1 (ko) | 2013-03-18 | 2019-07-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 빔 요동을 위한 광학 모듈 |
US9335276B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-05-10 | Coherent Lasersystems Gmbh & Co. Kg | Monitoring method and apparatus for control of excimer laser annealing |
KR102250049B1 (ko) | 2014-10-08 | 2021-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광빔 떨림 광학 모듈 |
US9976969B1 (en) | 2016-10-28 | 2018-05-22 | Coherent Lasersystems Gmbh & Co. Kg | Monitoring method and apparatus for excimer-laser annealing process |
KR102555436B1 (ko) | 2016-12-05 | 2023-07-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 가공 장치 및 그 가공 방법 |
DE102020108648A1 (de) | 2020-03-30 | 2021-09-30 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Optische Anordnung und Lasersystem |
US20220359197A1 (en) | 2021-05-06 | 2022-11-10 | Coherent Lasersystems Gmbh & Co. Kg | Method and apparatus for laser annealing |
DE102021121230A1 (de) | 2021-08-16 | 2023-02-16 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Optische Anordnung und Lasersystem |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0763054B2 (ja) * | 1986-03-18 | 1995-07-05 | 富士通株式会社 | レ−ザアニ−ル装置 |
US5484980A (en) * | 1993-02-26 | 1996-01-16 | General Electric Company | Apparatus and method for smoothing and densifying a coating on a workpiece |
JPH10314970A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-12-02 | Tsunezo Sei | レーザービーム照射の均一性を向上する方法 |
JP3812091B2 (ja) * | 1997-10-24 | 2006-08-23 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置、液晶パネル、lcdドライバ、並びにポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法、およびレーザアニール装置 |
JP3528577B2 (ja) * | 1998-03-04 | 2004-05-17 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法及びアニール装置 |
JP4583004B2 (ja) * | 2003-05-21 | 2010-11-17 | 株式会社 日立ディスプレイズ | アクティブ・マトリクス基板の製造方法 |
EP1547719A3 (en) * | 2003-12-26 | 2009-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing crystalline semiconductor film |
US20050237895A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
US7547866B2 (en) * | 2004-04-28 | 2009-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method and method for manufacturing semiconductor device including an autofocusing mechanism using the same |
JP2006049635A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ照射方法及びレーザ照射装置並びにレーザアニール方法 |
-
2007
- 2007-02-21 US US11/709,041 patent/US7723169B2/en active Active
- 2007-02-21 JP JP2008556420A patent/JP5305442B2/ja active Active
- 2007-02-21 WO PCT/US2007/004608 patent/WO2007100608A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070196967A1 (en) | 2007-08-23 |
US7723169B2 (en) | 2010-05-25 |
WO2007100608A1 (en) | 2007-09-07 |
JP2009527925A (ja) | 2009-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5305442B2 (ja) | レーザービーム・ミクロスムージング | |
JP5094996B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
KR100659478B1 (ko) | 레이저 가공방법 및 가공장치 | |
JP6022038B2 (ja) | レーザビームによるワークピースの処理方法および処理装置 | |
EP2076354B1 (en) | System for employing scanners in an x-y high speed drilling system | |
JP6382796B2 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
JP5791699B2 (ja) | レーザビーム位置決めシステム | |
TWI546146B (zh) | Laser processing device and laser processing method | |
KR100755817B1 (ko) | 액정 표시 장치의 결함 화소를 보정하는 방법 및 장치 | |
TW201134593A (en) | Link processing with high speed beam deflection | |
WO2011016296A1 (ja) | レーザ加工方法 | |
KR20130082449A (ko) | 중첩된 스캐닝 부재를 사용하는 단일 스캔 라인 스캔 결정화 | |
TW201233481A (en) | Method and apparatus for reducing taper of laser scribes | |
WO2014156687A1 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
TW202135965A (zh) | 雷射加工裝置和雷射加工工件的方法 | |
JP2006049635A (ja) | レーザ照射方法及びレーザ照射装置並びにレーザアニール方法 | |
JP2019046910A (ja) | レーザアニール装置及びレーザアニール方法 | |
CN111065759B (zh) | 激光装置和对薄膜进行加工的方法 | |
JP2005262219A (ja) | レーザ加工装置及びレーザ描画方法 | |
KR20130048005A (ko) | 2빔 가공이 가능한 레이저 가공 장치 및 방법 | |
JP2008060314A (ja) | レーザアニール装置、レーザアニール方法、及び半導体装置の製造方法 | |
RU2789410C1 (ru) | Способ создания радужного эффекта на поверхности материала и устройства для выполнения такого способа | |
CN113825587B (zh) | 在材料表面上产生虹彩视觉效应的方法、实施所述方法的设备和由此获得的部件 | |
JP2018195675A (ja) | レーザアニール装置及びレーザアニール方法 | |
CN116194241A (zh) | 激光加工方法和激光加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091216 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121009 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121011 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130109 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130117 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130208 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130218 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130308 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130528 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130621 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5305442 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |