JP6735950B1 - 炭化珪素半導体装置、電力変換装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る炭化珪素半導体装置の構成を示す縦断面図である。当該炭化珪素半導体装置は、MOSFETとして機能するMOSFET領域10と、ショットキーバリアダイオード(SBD)として機能するSBD領域20とを備えている。なお、以下の説明において、各領域の「不純物濃度」とは、その領域における不純物濃度の最高値を表している。
以下、実施の形態1に係る炭化珪素半導体装置の構成の幾つかの変形例を示す。
本実施の形態は、上述した実施の形態1に係る半導体装置を電力変換装置に適用したものである。実施の形態1に係る半導体装置の適用は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、実施の形態2として、三相のインバータに実施の形態1に係る半導体装置を適用した場合について説明する。
Claims (15)
- 炭化珪素から成る半導体層と、
前記半導体層に形成された第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の表層部に形成された第2導電型のボディ領域と、
前記ボディ領域の表層部に形成された第1導電型のソース領域と、
前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト層に達するゲートトレンチと、
前記ゲートトレンチの内面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲートトレンチ内の前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト層に達し、前記ゲートトレンチよりも側壁の傾斜が緩やかであり、当該側壁が底部までテーパ形状であるSBDトレンチと、
前記SBDトレンチの底部に接するように形成された第2導電型の保護層と、
前記SBDトレンチ内に形成され、前記ドリフト層とショットキーコンタクトを成し、前記保護層とオーミックコンタクトを成すショットキー電極と、
を備える炭化珪素半導体装置。 - 前記ゲートトレンチの底部に接するように形成された第2導電型の保護層をさらに備える、
請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記SBDトレンチの側壁と前記半導体層の表面との成す角は45度以上、85度以下の範囲である、
請求項1または請求項2に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記ゲートトレンチの深さは、前記SBDトレンチよりも深い、
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記ゲートトレンチの深さは、前記SBDトレンチよりも浅い、
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記ゲートトレンチおよび前記SBDトレンチの片方または両方の側壁に隣接して形成され、前記ボディ領域と前記保護層との間に接続する第2導電型の接続層をさらに備える、
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記半導体層の上に形成され、前記ソース領域と電気的に接続するソース電極をさらに備え、
前記ショットキー電極は、前記SBDトレンチの内面に沿って形成されており、
前記ソース電極の一部は、前記SBDトレンチ内の前記ショットキー電極上に形成されている、
請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記ドリフト層内に、前記ゲートトレンチの側壁に隣接するように形成された、前記ドリフト層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第1低抵抗層をさらに備える、
請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記ドリフト層内に、前記SBDトレンチの側壁に隣接するように形成された、前記ドリフト層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第2低抵抗層をさらに備える、
請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記保護層を複数個備え、
前記保護層同士の間に形成された、前記ドリフト層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第3低抵抗層をさらに備える、
請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記ゲートトレンチおよび前記SBDトレンチの長手方向は、前記半導体層のステップフローの方向に平行である、
請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記ゲートトレンチおよび前記SBDトレンチの長手方向は、前記半導体層のステップフローの方向に垂直である、
請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置。 - 請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置を有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記炭化珪素半導体装置を駆動する駆動信号を前記炭化珪素半導体装置に出力する駆動回路と、
前記駆動回路を制御する制御信号を前記駆動回路に出力する制御回路と、
を備えた、電力変換装置。 - 炭化珪素から成る半導体層に第1導電型のドリフト層を形成する工程と、
前記ドリフト層の表層部に第2導電型のボディ領域を形成する工程と、
前記ボディ領域の表層部に第1導電型のソース領域を形成する工程と、
前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト層に達するゲートトレンチを形成する工程と、
前記ゲートトレンチの内面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲートトレンチ内の前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト層に達する、前記ゲートトレンチよりも側壁の傾斜が緩やかであり、当該側壁が底部までテーパ形状であるSBDトレンチを形成する工程と、
前記SBDトレンチの底部に接するように第2導電型の保護層を形成する工程と、
前記SBDトレンチ内に、前記ドリフト層とショットキーコンタクトを成し、前記保護層とオーミックコンタクトを成すショットキー電極を形成する工程と、
を備える炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記ゲート電極は、化学堆積法で形成され、
前記ショットキー電極は、物理蒸着法で形成される、
請求項14に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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