JP6707348B2 - 感光性樹脂組成物、これを用いた色変換パネル及び表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、感光性樹脂組成物、これを用いた色変換パネル及び表示装置に係り、更に詳しくは、光効率及び色再現率に優れた感光性樹脂組成物、これを用いた色変換パネル及び表示装置に関する。

液晶表示装置のカラーフィルターや色変換パネルの色変換層は、２種以上の色相で着色された微細な領域を透明基板の上にコーティングして製造する。

カラーフィルター又は色変換層の製造に用いられる着色感光性樹脂組成物は、一般に、バインダー樹脂、光重合性単量体、光重合開始剤、顔料、溶媒及びその他の添加剤などからなる。

一方、着色感光性樹脂組成物の顔料は、優れた輝度特性を確保するのに限界があるため、顔料以外の構成成分である量子点や蛍光体などを用いて輝度特性を改善させようとする努力がある。

しかしながら、最近の高品質仕様により、輝度、耐熱性などに更に優れたカラーフィルター又は色変換層が求められているが、特に、パターン工程中に発生する熱により光効率や色再現性が低下するという問題がある。

本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、光効率及び色再現性に優れた感光性樹脂組成物、これを用いた色変換パネル及び表示装置を提供することにある。

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による感光性樹脂組成物は、ナノ蛍光体と、光重合開始剤と、光重合化合物と、抗酸化剤及び溶媒を含み、前記抗酸化剤は、フェノール系、リン系及び硫黄系の化合物から選ばれる１種以上を含むことを特徴とする。

前記ナノ蛍光体は、量子点及び無機蛍光体のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。

前記フェノール系抗酸化剤は、２，６−ジターシャリブチル−ｐ−クレゾール、２，６−ジフェニル−４−オクタデシルオキシフェノール、ステアリル（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオナート、ジステアリル（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシベンジル）ホスホナート、トリデシル・３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシベンジルチオアセタート、チオジエチレンビス[（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオナート]、４，４'−チオビス（６−ターシャリブチル−ｍ−クレゾール）、２−オクチルチオ−４，６−ジ（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシフェノキシ）−ｓ−トリアジン、２，２'−メチレンビス（４−メチル−６−ターシャリブチルフェノール）、ビス[３，３−ビス（４−ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニル）酪酸]グリコールエステル、４，４'−ブチリデンビス（２，６−ジターシャリブチルフェノール）、４，４'−ブチリデンビス（６−ターシャリブチル−３−メチルフェノール）、２，２'−エチリデンビス（４，６−ジターシャリブチルフェノール）、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ターシャリブチルフェニル）ブタン、ビス[２−ターシャリブチル−４−メチル−６−（２−ヒドロキシ−３−ターシャリブチル−５−メチルベンジル）フェニル]テレフタラート、１，３，５−トリス（２，６−ジメチル−３−ヒドロキシ−４−ターシャリブチルベンジル）イソシアヌラート、１，３，５−トリス（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌラート、１，３，５−トリス（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２，４，６−トリメチルベンゼン、１，３，５−トリス[（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシエチル]イソシアヌラート、テトラキス[メチレン−３−（３'，５'−ジターシャリブチル−４'−ヒドロキシフェニル）プロピオナート]メタン、２−ターシャリブチル−４−メチル−６−（２−アクリロイルオキシ−３−ターシャリブチル−５−メチルベンジル）フェノール、３，９−ビス[２−（３−ターシャリブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルヒドロシンナモイルオキシ）−１，１−ジメチルエチル]−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ[５．５]ウンデカン、トリエチレングリコールビス[β−（３−ターシャリブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオナート]及びトコフェノールのうちの少なくとも一種を含むことが好ましい。

前記リン系抗酸化剤は、トリフェニルホスファート、トリス（２，４−ジターシャリブチルフェニル）ホスファート、トリス（２，５−ジターシャリブチルフェニル）ホスファート、トリス（ノニルフェニル）ホスファート、トリス（ジノニルフェニル）ホスファート、トリス（モノ、ジ混合ノニルフェニル）ホスファート、ジフェニルアシッドホスファート、２，２'−メチレンビス（４，６−ジターシャリブチルフェニル）オクチルホスファート、ジフェニルデシルホスファート、ジフェニルオクチルホスファート、ジ（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファート、フェニルジイソデシルホスファート、トリブチルホスファート、トリス（２−エチルヘキシル）ホスファート、トリデシルホスファート、トリラウリルホスファート、ジブチルアシッドホスファート、ジラウリルアシッドホスファート、トリラウリルトリチオホスファート、ビス（ネオペンチルグリコール）・１，４−シクロヘキサンジメチルジホスファート、ビス（２，４−ジターシャリブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファート、ビス（２，５−ジターシャリブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファート、ビス（２，６−ジターシャリブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファート、ビス（２，４−ジクミルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファート、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファート、テトラ（Ｃ１２−１５混合アルキル）−４，４'−イソプロピリデンジフェニルホスファート、ビス[２，２'−メチレンビス（４，６−ジアミルフェニル）]・イソプロピリデンジフェニルホスファート、テトラトリデシル（４，４'−ブチリデンビス（２−ターシャリブチル−５−メチルフェノール）ジホスファート、ヘキサ（トリデシル）・１，１，３−トリス（２−メチル−５−ターシャリブチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン・トリホスファート、テトラキス（２，４−ジターシャリブチルフェニル）ビフェニレンジホスファナート、トリス（２−[２，４，７，９−テトラキスターシャリブチルジベンゾ[ｄ，ｆ][１，３，２]ジオキサホスフェピン−６−イル）オキシ]エチル）アミン、９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキシド、トリス（２−[（２，４，８，１０−テトラキスターシャリブチルジベンゾ[ｄ，ｆ][１，３，２]ジオキサホスフェピン−６−イル）オキシ]エチル）アミン及び２−（１，１−ジメチルエチル）−６−メチル−４−[３−[[２，４，８，１０−テトラキス（１，１−ジメチルエチル）ジベンゾ[ｄ，ｆ][１，３，２]ジオキサホスフェピン−６−イル]オキシ]プロピル]フェノール２−ブチル−２−エチルプロパンジオ−ル・２，４，６−トリターシャリブチルフェノールモノホスファートのうちの少なくとも一種を含むことが好ましい。

前記硫黄系抗酸化剤は、ジアルキルチオジプロピオナート及びポリオールのβ−アルキルメルカプトプロピオン酸エステルのうちの少なくとも一種を含むことが好ましい。

前記抗酸化剤は、前記感光性樹脂組成物の固形分の総重量に対して１〜５重量％の含量を有することが好ましい。

前記量子点は、ＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＶ−ＶＩ族化合物、ＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素及びＩＶ族化合物から選ばれるいずれか１種以上を含み、前記量子点は、コア及び前記コアを覆うシェルを有することが好ましい。

前記コアは、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＰｂＳｅ、ＡｇＩｎＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅＳ、ＰｂＳ、ＰｂＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＺｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｓ及びＺｎＯから選ばれる少なくとも一種の化合物を含み、前記シェルは、ＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＰｂＳ、ＳｒＳｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＺｎＯ、ＩｎＰ、ＩｎＳ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＧａＯ、ＩｎＺｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＺｎＳＣｄＳｅ及びＨｇＳｅから選ばれる少なくとも一種の化合物を含むことが好ましい。

前記無機蛍光体は、ガーネット系、シリケート系、硫化物系、酸窒化物系、硝酸塩系及びアルミナート系から選ばれる１種以上を含むことが好ましい。

前記無機蛍光体は、Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂：Ｃｅ³⁺（ＹＡＧ：Ｃｅ）、Ｔｂ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂：Ｃｅ³⁺ （ＴＡＧ：Ｃｅ）、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）₂ＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎ）₂Ｓｉ（ＯＤ）₄：Ｅｕ²⁺ Ｄ＝Ｆ，Ｃｌ，Ｓ，Ｎ，Ｂｒ、Ｂａ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇：Ｅｕ²⁺、Ｂａ₂ＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺、Ｃａ₃（Ｓｃ，Ｍｇ）₂Ｓｉ３Ｏ₁₂：Ｃｅ³⁺、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ²⁺、（Ｓｒ，Ｃａ）Ｇａ₂Ｓ₄：Ｅｕ²⁺、ＳｒＳｉ₂Ｏ₂Ｎ₂：Ｅｕ²⁺、ＳｉＡｌＯＮ：Ｃｅ³⁺、β−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ²⁺、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ²⁺、Ｂａ₃Ｓｉ₆Ｏ₁₂Ｎ₂：Ｅｕ²⁺、ＣａＡｌＳｉＮ₃：Ｅｕ²⁺、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ₃：Ｅｕ²⁺、Ｓｒ₂Ｓｉ₅Ｎ₈：Ｅｕ²⁺、（Ｓｒ，Ｂａ）Ａｌ₂Ｏ₄：Ｅｕ²⁺、（Ｍｇ，Ｓｒ）Ａｌ₂Ｏ₄：Ｅｕ²⁺及びＢａＭｇ₂Ａｌ₁₆Ｏ₂₇：Ｅｕ²⁺から選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましい。

前記感光性樹脂組成物は、分散剤を更に含むことが好ましい。

前記感光性樹脂組成物は、光散乱体を更に含むことが好ましい。

前記光散乱体は、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃及びＳｉＯ₂から選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましい。

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による感光性樹脂組成物を含む表示装置は、下部基板と、前記下部基板の上に配設される薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスターと接続される画素電極と、前記下部基板と向かい合う上部基板と、前記下部基板及び前記上部基板の間に配設されるカラーフィルターと、を備え、前記カラーフィルターは、ナノ蛍光体及び抗酸化剤を含み、前記抗酸化剤は、フェノール系、リン系及び硫黄系化合物から選ばれる１種以上を含むことを特徴とする。

前記ナノ蛍光体は、量子点及び無機蛍光体のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。

前記抗酸化剤は、前記感光性樹脂組成物の固形分の総重量に対して１〜５重量％の含量を有することが好ましい。

前記量子点は、ＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＶ−ＶＩ族化合物、ＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素及びＩＶ族化合物から選ばれる１種以上を含み、前記量子点は、コア及び前記コアを覆うシェルを有するコア−シェル構造であることが好ましい。

前記無機蛍光体は、ガーネット系、シリケート系、硫化物系、酸窒化物系、窒化物系及びアルミナート系から選ばれるいずれか一種以上を含むことが好ましい。

前記感光性樹脂組成物は、分散剤を更に含むことが好ましい。

前記感光性樹脂組成物は、光散乱体を更に含むことが好ましい。

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による色変換パネルは、第１の基板と、前記第１の基板の上に配設される複数の色変換層及び透過層と、前記複数の色変換層のうち隣り合う色変換層の間及び前記複数の色変換層のうちの一つと前記透過層との間に配設される遮光部材と、を備え、前記色変換層は、ナノ蛍光体及び抗酸化剤を含み、前記抗酸化剤は、フェノール系、リン系及び硫黄系化合物から選ばれる１種以上を含むことを特徴とする。

前記ナノ蛍光体は、量子点及び無機蛍光体のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。

前記抗酸化剤は、前記感光性樹脂組成物の固形分の総重量に対して１〜５重量％の含量を有することが好ましい。

前記感光性樹脂組成物は、分散剤及び光散乱体のうちの少なくとも一方を更に含むことが好ましい。

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による表示装置は、表示パネルと、前記表示パネルの上に配設される色変換パネルと、を備え、前記色変換パネルは、第１の基板と、前記表示パネルに面する前記第１の基板の一方の面に配設される複数の色変換層及び透過層と、前記複数の色変換層のうち隣り合う色変換層の間及び前記複数の色変換層のうちの一つと前記透過層との間に配設される遮光部材と、を備え、前記色変換層は、ナノ蛍光体及び抗酸化剤を含み、前記抗酸化剤は、フェノール系、リン系及び硫黄系化合物から選ばれる１種以上を含むことを特徴とする。

前記表示パネルは、下部基板と、前記下部基板の上に配設される薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスターと接続される画素電極と、を備えることが好ましい。

本発明の一態様による表示装置は、前記下部基板から離れて向かい合う上部基板と、前記下部基板及び前記上部基板の間に配設される液晶層と、を更に備えることが好ましい。

本発明の一態様による表示装置は、前記画素電極と向かい合うルーフ層と、前記画素電極と前記ループ層との間の複数の微細空間に配設される液晶層と、を更に備えることが好ましい。

本発明の一態様による表示装置は、前記画素電極の上に配設される有機発光部材と、前記有機発光部材の上に配設される共通電極と、を更に備えることが好ましい。

以上述べたように、本発明の一実施形態によれば、ナノ蛍光体を含む感光性樹脂組成物に抗酸化剤を添加することにより、工程の進行中に発生するナノ蛍光体の損傷による消光現象が抑制され、これにより、表示装置の光効率及び色再現性が良好であるというメリットがある。

本発明の一実施形態による実験例及び比較例による感光性樹脂組成物を用いたパターン工程の進行に伴う緑色光の維持率及び光量を測定して示すグラフである。 本発明の一実施形態による実験例及び比較例による感光性樹脂組成物を用いたパターン工程の進行に伴う緑色光の維持率及び光量を測定して示すグラフである。 本発明の一実施形態による実験例及び比較例による感光性樹脂組成物を用いたパターン工程の進行に伴う赤色光の維持率及び光量を測定して示すグラフである。 本発明の一実施形態による実験例及び比較例による感光性樹脂組成物を用いたパターン工程の進行に伴う赤色光の維持率及び光量を測定して示すグラフである。 本発明の一実施形態による感光性樹脂組成物を用いたカラーフィルターの色座標を測定して示すグラフである。 本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。 図４におけるＶ−Ｖ線に沿って切り取った断面図である。 本発明の一実施形態による色変換パネルの断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の概略的な断面図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置における複数の画素に対する平面図である。 図８におけるＩＸ−ＩＸ線に沿って切り取った断面図である。 図９における実施形態に対する変形実施形態を示す断面図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置における複数の画素に対する平面図である。 図１１におけるＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿って切り取った断面図である。 図１１におけるＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿って切り取った断面図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置における複数の画素に対する平面図である。 図１４におけるＸＶ−ＸＶ線に沿って切り取った断面図である。

以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。しかし、本発明は、ここで説明する実施形態に限定されるものではなく、他の形態に具現化可能である。

図中、様々な層及び領域の厚さは、明確性を図るために誇張されている。明細書全体に亘って同じ構成部分に対しては同じ図面符号を付する。また、層、膜、領域、板などの構成部分が他の構成部分の「上」にあるとした場合、それは、他の構成部分の「真上」にある場合だけではなく、これらの間に更に他の構成部分がある場合も含む。逆に、ある構成部分が他の構成部分の「直上」にあるとした場合には、これらの間に他の構成部分がないことを意味する。なお、基準となる部分の「上」にあると言及される場合、「上」と関連する方向は、重力の反対方向又は重力方向である。

本発明の実施形態による感光性樹脂組成物は、ナノ蛍光体と、光重合開始剤と、光重合化合物と、抗酸化剤及び溶媒を含む。

まず、本発明の実施形態によるナノ蛍光体は、量子点又は無機蛍光体から選ばれる少なくとも一方を含む。

本発明の実施形態によるナノ蛍光体に含まれる量子点は、ＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＶ−ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素、ＩＶ族化合物及びこれらの組み合わせを含む。

ＩＩ−ＶＩ族化合物は、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳ、ＳｒＳｅ及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる二元素化合物、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳ及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる三元素化合物及びＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる四元素化合物よりなる群から選ばれる。

ＩＩＩ−Ｖ族化合物は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる二元素化合物、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる三元素化合物及びＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる四元素化合物よりなる群から選ばれる。

ＩＶ−ＶＩ族化合物は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる二元素化合物、ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる三元素化合物及びＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる四元素化合物よりなる群から選ばれる。ＩＶ族元素は、Ｓｉ、Ｇｅ及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる。ＩＶ族化合物は、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる二元素化合物である。

これらに加えて、ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ族化合物又はＩＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物及びこれらの組み合わせを含む。

ＩＩＩ−ＶＩ族化合物は、ＧａＯなどの化合物、ＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ族化合物は、ＩｎＺｎＰなどの化合物、ＩＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物は、ＩｎＺｎＳＣｄＳＥなどの化合物を含むが、これに限定されない。

このとき、二元素化合物、三元素化合物又は四元素化合物は、概ね均一な濃度で粒子内に存在するか、又は濃度の分布が部分的に異なる状態に分かれて同じ粒子内に存在する。また、ある量子点が他の量子点を取り囲むコア／シェル構造を有する。コアとシェルとの間の界面は、シェルに存在する元素の濃度が中心に進むにつれて低くなる濃度勾配を有する。

例えば、量子点は、コア及びコアを覆うシェルを有するコア／シェル構造を有する。

コアは、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＰｂＳｅ、ＡｇＩｎＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅＳ、ＰｂＳ、ＰｂＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＺｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｓ及びＺｎＯよりなる群から選ばれるいずれか一種以上の物質を含むが、これらに限定されない。

シェルは、ＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＰｂＳ、ＳｒＳｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＺｎＯ、ＩｎＰ、ＩｎＳ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＧａＯ、ＩｎＺｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＺｎＳＣｄＳｅ及びＨｇＳｅよりなる群から選ばれるいずれか一種以上の物質を含むが、これらに限定されない。

コア／シェル量子点のうち、コアの平均粒径は２ｎｍ〜５ｎｍである。 一方、シェルの平均厚さは、３ｎｍ〜５ｎｍである。また、量子点の平均粒径は５ｎｍ〜１０ｎｍである。コア、シェル及び量子点が上述した平均粒径又は平均厚さの範囲を満たすとき、量子点としての特徴的な挙動をし、パターン形成用組成物中において優れた分散性を有する。上述した範囲内においてコアの粒径、シェルの平均厚さ、量子点の平均粒径を様々に選択することにより、量子点の発光カラー及び／又は量子点の半導体性特性などが各種多様に変化させられる。

また、量子点の形状は、当分野において一般に用いられる形状であり、特に限定されないが、より具体的に、球状、ピラミッド状、多重枝状、又は立方体のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤー、ナノ繊維、ナノ板状粒子などの形状であることが好ましい。

本発明の実施形態による感光性樹脂組成物は、概ね全発光する量子点を含むので、後述する表示装置に適用される場合に表示装置の視野角が改善される。

本発明の実施形態によるナノ蛍光体に含まれる無機蛍光体は、ガーネット系、シリケート系、硫化物系、酸窒化物系、窒化物系及びアルミナート系から選ばれるいずれか１種以上を含む。

このような無機蛍光体としては、Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂：Ｃｅ³⁺（ＹＡＧ：Ｃｅ）、Ｔｂ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂：Ｃｅ³⁺（ＴＡＧ：Ｃｅ）、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）₂ＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎ）₂Ｓｉ（ＯＤ）₄：Ｅｕ²⁺ Ｄ＝Ｆ，Ｃｌ，Ｓ，Ｎ，Ｂｒ、Ｂａ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇：Ｅｕ²⁺、Ｂａ₂ＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺、Ｃａ₃（Ｓｃ，Ｍｇ）₂Ｓｉ３Ｏ₁₂：Ｃｅ³⁺、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ²⁺、（Ｓｒ，Ｃａ）Ｇａ₂Ｓ₄：Ｅｕ²⁺、ＳｒＳｉ₂Ｏ₂Ｎ₂：Ｅｕ²⁺、ＳｉＡｌＯＮ：Ｃｅ³⁺、β−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ²⁺、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ²⁺、Ｂａ₃Ｓｉ₆Ｏ₁₂Ｎ₂：Ｅｕ²⁺、ＣａＡｌＳｉＮ₃：Ｅｕ²⁺、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ₃：Ｅｕ²⁺、Ｓｒ₂Ｓｉ₅Ｎ₈：Ｅｕ²⁺、（Ｓｒ，Ｂａ）Ａｌ₂Ｏ₄：Ｅｕ²⁺、（Ｍｇ，Ｓｒ）Ａｌ₂Ｏ₄：Ｅｕ²⁺及びＢａＭｇ₂Ａｌ₁₆Ｏ₂₇：Ｅｕ²⁺よりなる群から選ばれるいずれか一種以上の物質を含む。

上述した量子点又は無機蛍光体を含むナノ蛍光体は、感光性樹脂組成物にナノ蛍光体それ自体として直接的に投入されるか、又は分散剤などを含むナノ蛍光体分散液の形で投入される。

ここで、分散剤は、ナノ蛍光体を溶液中に分散させて安定した懸濁液などを作るために添加される物質である。

このとき、ナノ蛍光体分散液に含まれる分散剤としては、非イオン性分散剤、イオン性分散剤、又は陽イオン性分散剤が選択的に使用可能であり、例えば、ポリアルキレングリコール及びそのエステル、ポリオキシアルキレン、多価アルコールエステルアルキレンオキシド付加物、アルコールアルキレンオキシド付加物などが単独で又は適切に組み合わせられて使用可能である。

また、ナノ蛍光体分散液に含まれる溶媒としては、チレングリコールアセタート、エチルセロソルブ、プロピレングリコールメチルエーテルアセタート、エチルラクタート、ポリエチレングリコール、シクロヘキサノン、プロピレングリコールメチルエーテルなどが使用可能である。

本発明の実施形態による感光性樹脂組成物に含まれる光重合開始剤は、感光性樹脂組成物のうち感光性官能基及び感光性物質間の架橋結合及び硬化反応を開始する役割を果たす物質であり、アセトフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン系、トリアジン系、オキシム系及びチオキサントン系光重合開始剤から選ばれるいずれか１種以上が使用可能である。

アセトフェノン系光重合開始剤としては、４−フェノキシジクロロアセトフェノン、４−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、４−ｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチル−プロパン−１−オン、１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル−２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン１−Ｈｙｄｒｏｘｙｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｐｈｅｎｙｌｋｅｔｏｎｅ）、２−メチル−１−[４−（メチルチオ）フェニル]−２−モルフォリノプロパン−１−オン]などが挙げられるが、これらに限定されない。

ベンゾイン系光重合開始剤としては、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジルジメチルケタールなどが使用可能であるが、これらに限定されない。

ベンゾフェノン系光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチルエステル、４−フェニルベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４'−メチルジフェニルスルフィド、３，３'−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどが挙げられるが、これらに限定されない。

トリアジン系光重合開始剤としては、２，４，６−トリクロロ−ｓ−トリアジン、２−フェニル４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３'，４'−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４'−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−トリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ビフェニル４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、ビス（トリクロロメチル）−６−スチリル−ｓ−トリアジン、２−（ナフト−１−イル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−４−メトキシナフト−１−イル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−４−ビス（トリクロロメチル）−６−ピペロニル−ｓ−トリアジン、２−４−ビス（トリクロロメチル）−６−（４−メトキシスチリル）−ｓ−トリアジンなどが挙げられる。

オキシム系光重合開始剤としては、Ｏ−アシルオキシム系化合物、２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）−１−[４−（フェニルチオ）フェニル]−１，２−オクタンジオン、１−（Ｏ−アセチルオキシム）−１−[９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル]エタノン、Ｏ−エトキシカルボニル−α−オキシアミノ−１−フェニルプロパン−１−オンなどが使用可能である。前記Ｏ−アシルオキシム系化合物の具体例としては、１，２−オクタンジオン、２−ジメチルアミノ−２−（４−メチルベンジル）−１−（４−モルフォリン−４−イル−フェニル）−ブタン−１−オン、１−（４−フェニルスルファニルフェニル）−ブタン−１，２−ジオン２−オキシム−Ｏ−ベンゾア−ト、１−（４−フェニルスルファニルフェニル）−オクタン−１，２−ジオン２−オキシム−Ｏ−ベンゾア−ト、１−（４−フェニルスルファニルフェニル）−オクタン−１−オンオキシム−Ｏ−アセタート、１−（４−フェニルスルファニルフェニル）−ブタン−１−オンオキシム−Ｏ−アセタートなどが挙げられる。

チオキサントン系光重合開始剤としては、チオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントンなどが挙げられる。

光重合開始剤の含量は特に限定されず、光重合開始剤の開始性能、形成しようとする感光性樹脂パターンのサイズなどを考慮して適切な範囲内において選ばれる。

本発明の実施形態による感光性樹脂組成物に含まれる溶媒は有機溶媒であり、例えば、ＤＭＦ、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、エチレングリコールモノエチルエーテル及び２−メトキシエタノール、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン及びデカンのうちのいずれか一種以上であるが、これらに限定されない。

本発明の実施形態による感光性樹脂組成物に含まれる光重合化合物は、露光時に感光性化合物又はナノ蛍光体の表面に結合された感光性官能基とともに架橋結合及び硬化反応に与る。このため、感光性樹脂パターンの解像度及び硬化物の耐久性を高める役割を果たす。

光重合化合物は、少なくとも一つのエチレン性不飽和二重結合を有する（メタ）アクリル酸の一官能又は多官能エステルの単独使用又は２種以上併用される。

光重合化合物は、エチレン性不飽和二重結合を有することから、パターンの形成工程において露光時に十分な重合を引き起こし、その結果、耐熱性、耐光性及び耐薬品性に優れたパターンが形成される。

光重合化合物の具体例としては、エチレングリコールジ（メタ）アクリラート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリラート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリラート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリラート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリラート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリラート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリラート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリラート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリラート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリラート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリラート、ペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリラート、ジペンタエリスリトールジ（メタ）アクリラート、ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリラート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリラート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリラート、ビスフェノールＡエポキシ（メタ）アクリラート、エチレングリコールモノメチルエーテル（メタ）アクリラート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリラート、トリス（メタ）アクリロイルオキシエチルホスファート、ノボラックエポキシ（メタ）アクリラートなどが挙げられる。

光重合化合物は、より優れた現像性を与えるために、酸無水物で処理して使用する。

また、光重合化合物は、アクリル基及びビニル基のうちの少なくとも一方以上を含む多官能性アクリラート系化合物、多官能性ポリアルキレンオキシド又はポリシロキサン系重合体である。

光重合化合物は、ウレタンアクリラート、アリルオキシル化シクロヘキシルジアクリレート、ビス（アクリロイルオキシエチル）ヒドロキシルイソシアヌラート、ビス（アクリロイルオキシネオペンチルグリコール）アジパート、ビスフェノールＡジアクリラート、ビスフェノールＡジメタクリラート、１，４−ブタンジオールジアクリラート、１，４−ブタンジオールジメタクリラート、１，３−ブチレングリコールジアクリラート、１，３−ブチレングリコールジメタクリラート、ジシクロペンタニルジアクリラート、ジエチレングリコールジアクリラート、ジエチレングリコールジメタクリラート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリラート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリラート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリラート、エチレングリコールジメタクリラート、グリセロールメタクリラート、１，６−ヘキサンジオールジアクリラート、ネオペンチルグリコールジメタクリラート、ネオペンチルグリコールヒドロキシピバラートジアクリラート、ペンタエリスリトールトリアクリラート、ペンタエリスリトールテトラアクリラート、リン酸ジメタクリラート、ポリエチレングリコールジアクリラート、ポリプロピレングリコールジアクリラート、テトラエチレングリコールジアクリラート、テトラブロモビスフェノールＡジアクリラート、トリエチレングリコールジビニルエーテル、トリグリセロールジアクリラート、トリメチロールプロパントリアクリラート、トリプロピレングリコールジアクリラート、トリス（アクリロイルオキシエチル）イソシアヌラート、リン酸トリアクリラート、リン酸ジアクリラート、アクリル酸プロパルギルエステル、末端にビニル基を有するポリジメチルシロキサン、末端にビニル基を有するジフェニルシロキサン−ジメチルシロキサン共重合体、末端にビニル基をポリフェニルメチルシロキサン、末端にビニル基を有するトリフルオロメチルシロキサン−ジメチルシロキサン共重合体、末端にビニル基を有するジエチルシロキサン−ジメチルシロキサン共重合体、ビニルメチルシロキサン、末端にモノメタクリルオキシプロピル基を有するポリジメチルシロキサン、末端にモノビニル基を有するポリジメチルシロキサン、又は末端にモノアリル基又はモノトリメチルシロキシ基を有するポリエチレンオキシドを含む。

光重合化合物の含量は特に限定されず、光硬化性（硬化速度、硬化フィルム状態など）及びナノ蛍光体表面の感光性官能基の結合数などを考慮して適切に選ばれる。

このような光重合化合物は、精度よいパターンの形成のためにシアニン系物質、メロシアニン系物質、オキソノール系物質、フタロシアニン系物質、アゾ系物質、フルオレン系物質、チオフェン系物質、ジフェニルエテン系物質及びフェノキサジン系物質から選ばれるいずれか一種以上の物質を更に含むが、これらに限定されない。

本発明の実施形態による感光性樹脂組成物は、抗酸化剤を更に含む。

抗酸化剤は、フェノール系、リン系及び硫黄系化合物から選ばれるいずれか一種又は２種以上を含む。

フェノール系抗酸化剤は、例えば、２，６−ジターシャリブチル−ｐ−クレゾール、２，６−ジフェニル−４−オクタデシルオキシフェノール、ステアリル３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオナート、ジステアリル（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシベンジル）ホスファナート、トリデシル３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシベンジルチオアセタート、チオジエチレンビス[（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオナート]、４，４'−チオビス（６−ターシャリブチル−ｍ−クレゾール）、２−オクチルチオ−４，６−ジ（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシフェノキシ）−ｓ−トリアジン、２，２'−メチレンビス（４−メチル−６−ターシャリブチルフェノール）、ビス[３，３−ビス（４−ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニル）酪酸]グリコールエステル、４，４'−ブチリデンビス（２，６−ジターシャリブチルフェノール）、４，４'−ブチリデンビス（６−ターシャリブチル−３−メチルフェノール）、２，２'−エチリデンビス（４，６−ジターシャリブチルフェノール）、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ターシャリブチルフェニル）ブタン、ビス[２−ターシャリブチル−４−メチル−６−（２−ヒドロキシ−３−ターシャリブチル−５−メチルベンジル）フェニル]テレフタラート、１，３，５−トリス（２，６−ジメチル−３−ヒドロキシ−４−ターシャリブチルベンジル）イソシアヌラート、１，３，５−トリス（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌラート、１，３，５−トリス３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２，４，６−トリメチルベンゼン、１，３，５−トリス[３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシエチル]イソシアヌラート、テトラキス[メチレン−３−（３'，５'−ジターシャリブチル−４'−ヒドロキシフェニル）プロピオナート]メタン、２−ターシャリブチル−４−メチル−６−（２−アクリロイルオキシ−３−ターシャリブチル−５−メチルベンジル）フェノール、３，９−ビス[２−（３−ターシャリブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルヒドロシンナモイルオキシ）−１，１−ジメチルエチル]−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ[５．５]ウンデカン、トリエチレンビス[β−（３−ターシャリブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオナート]及びトコフェノールのうちの少なくとも一種を含む。

リン系抗酸化剤は、例えば、トリフェニルホスファート、トリス（２，４−ジターシャリブチルフェニル）ホスファート、トリス（２，５−ジターシャリブチルフェニル）ホスファート、トリス（ノニルフェニル）ホスファート、トリス（ジノニルフェニル）ホスファート、トリス（モノ、ジ混合ノニルフェニル）ホスファート、ジフェニルアシッドホスファート、２，２'−メチレンビス（４，６−ジターシャリブチルフェニル）オクチルホスファート、ジフェニルデシルホスファート、ジフェニルオクチルホスファート、ジ（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファート、フェニルジイソデシルホスファート、トリブチルホスファート、トリス（２−エチルヘキシル）ホスファート、トリデシルホスファート、トリラウリルホスファート、ジブチルアシッドホスファート、ジラウリルアシッドホスファート、トリラウリルトリチオホスファート、ビス（ネオペンチルグリコール）・１，４−シクロヘキサンジメチルジホスファート、ビス（２，４−ジターシャリブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファート、ビス２，５−ジターシャリブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファート、ビス（２，６−ジターシャリブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファート、ビス（２，４−ジクミルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファート、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファート、テトラ（Ｃ１２−１５混合アルキル）−４，４'−イソプロピリデンジフェニルホスファート、ビス[２，２'−メチレンビス（４，６−ジアミルフェニル）]・イソプロピリデンジフェニルホスファート、テトラトリデシル・４，４'−ブチリデンビス（２−ターシャリブチル−５−メチルフェノール）ジホスファート、ヘキサ（トリデシル）・１，１，３−トリス（２−メチル−５−ターシャリブチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン・トリホスファート、テトラキス（２，４−ジターシャリブチルフェニル）ビフェニレンジホスファナート、トリス（２−[２，４，７，９−テトラキスターシャリブチルジベンゾ[ｄ，ｆ][１，３，２]ジオキサホスフェピン−６−イル）オキシ]エチル）アミン、９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキシド、トリス（２−[２，４，８，１０−テトラキスターシャリブチルジベンゾ[ｄ，ｆ][１，３，２]ジオキサホスフェピン−６−イル）オキシ]エチル）アミン及び２−（１，１−ジメチルエチル）−６−メチル−４−[３−[[２，４，８，１０−テトラキス（１，１−ジメチルエチル）ジベンゾ[ｄ，ｆ][１，３，２]ジオキサホスフェピン−６−イル]オキシ]プロピル]フェノール２−ブチル−２−エチルプロパンジオ−ル・２，４，６−トリターシャリブチルフェノールモノホスファートのうちの少なくとも一種を含む。

ファン系抗酸化剤としては、例えば、ジアルキルチオジプロピオナート、ポリオールのβ−アルキルメルカプトプロピオン酸エステルなどが挙げられる。

ここで、ジアルキルチオジプロピオナートは、ジラウリルチオジプロピオン酸、ジミリスチルチオジプロピオン酸、ミリスチルステアリルチオジプロピオン酸、ジステアリルエステルチオジプロピオン酸のうちの少なくともいずれか一種である。また、ポリオールのβ−アルキルメルカプトプロピオン酸エステルは、ペンタエリスリトールテトラ（β−トデシルメルカプトプロピオナート）である。

本発明の実施形態による感光性樹脂組成物に含まれる抗酸化剤は、感光性樹脂組成物の固形分の総重量に対して１〜５重量％の含量を有する。

好ましくは、１〜３重量％の含量を有するが、これに限定されない。

本発明の実施形態による感光性樹脂組成物は、上述した抗酸化剤を含むことから、優れた耐熱性及び耐薬品性を有する。したがって、ナノ蛍光体がパターニング工程中に発生する紫外線（ＵＶ）や熱により損傷されて消光される現象が防がれる。

一般に、感光性樹脂組成物は、高温などの条件下で行われる後工程段階において自由ラジカルを生成するが、これにより、組成物、特にナノ蛍光体の耐熱性及び耐薬品性が低下してしまう。これにより、ナノ蛍光体の損傷による光量の低下現象が生じる。しかしながら、本発明の実施形態による感光性樹脂組成物は、抗酸化剤を更に含むことから、自由ラジカルを不活性化させて優れた耐熱性及び耐薬品性を有する。

具体的に、高温で発生した自由ラジカルは反応性が良好であるため周りの酸素と反応し（反応式１を参照すること）、酸素と反応した自由ラジカルは、抗酸化剤内に含まれている置換基であるジ−ｔ−ブチルフェノールのヒドロキシ基と高速で結合して不活性化される（反応式２を参照すること）。
[反応式１]
Ｒ^・ ＋ Ｏ₂ → ＲＯＯ^・
[反応式２]
ＲＯＯ^・ ＋ ジ−ｔ−ブチルフェノールのヒドロキシ基 → ＲＯＯＨ

本発明の実施形態による感光性樹脂組成物は、光散乱体を更に含む。光散乱体は、入射する光を散乱させて感光性樹脂組成物からなるカラーフィルター層や色変換層などを通過する光の出光量を増加させ、正面輝度及び側面輝度を概ね均一化させる。

光散乱体は、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃及びＳｉＯ₂から選ばれる少なくとも一種を含む。

光散乱体の含量又は大きさなどは特に限定されず、感光性樹脂組成物の構成を考慮して適切に選ばれる。このとき、光散乱体の直径（ｎｍ）は、感光性樹脂組成物からなる層から発せられる光波長（ｎｍ）の１／１０〜５倍の大きさを有し、これは、発光する光の散乱効率を向上させるためである。

本発明の実施形態による感光性樹脂組成物は、カラーフィルター組成物として使用可能である。

以下、図１〜図３を参照して、本発明の実施形態による感光性樹脂組成物の光効率に対する実験結果について説明する。

図１Ａ及び図１Ｂは、本発明の一実施形態による実験例及び比較例による感光性樹脂組成物を用いたパターン工程の進行による緑色光の維持率及び光量を測定して示すグラフであり、図２Ａ及び図２Ｂは、本発明の一実施形態による実験例及び比較例による感光性樹脂組成物を用いたパターン工程の進行による赤色光の維持率及び光量を測定して示すグラフである。

本発明の実施形態による感光性樹脂組成物を用いて形成した層の光効率を測定するために、感光性樹脂組成物の成膜工程を用いて層を形成した後、緑色波長及び赤色波長帯の光維持率及び光量をそれぞれ測定した。

成膜工程（パターン工程）は、基板の上に感光性樹脂組成物を塗布し、常温（１５〜２５℃）で４時間乾燥工程、１００℃で３分間プレベーク工程、４００ｍＪのＵＶ露光工程及び１８０℃で３０分間ハードベーク工程をこの順に行うことにより行われた。

比較例は、抗酸化剤を含んでいない感光性樹脂組成物を用いて製造した層に対し、実験例１は、フェノール系化合物を単独で用いて製造した層に対し、実験例２〜実験例５は、フェノール系及びリン系化合物の混合物を用いて製造した層に対し、実験例６及び実験例７は、フェノール系、リン系及びファン系化合物が混合された抗酸化剤を含む感光性樹脂組成物を用いて製造した層に対して実験を行った。

ここで、実験例２〜実験例７において用いられた各抗酸化剤は、抗酸化剤の総重量に対して下記表１に示す混合比により製造して実験を行い、実験例３及び実験例５において用いられたリン系化合物は、同じ含量で含まれるが、互いに異なるリン系化合物を用いて実験を行った。

まず、図１Ａ及び図１Ｂの実験例を参照すると、感光性樹脂組成物の成膜工程が終わった後の緑色波長帯の光量及び光維持率は、最初光に比べて約８０〜８５％であることが確認された。図１Ｂでは、実験例１について示しているが、その他の実験例２〜７についても同様に、感光性樹脂組成物の成膜工程が終わった後の緑色波長帯の光量及び光維持率は、最初光に比べて約８０〜８５％である。

図２Ａ及び図２Ｂの実験例を参照すると、赤色波長帯の光維持率の測定は、実験例１の感光性樹脂組成物を用いて行い、感光性樹脂組成物の成膜工程が終わった後の赤色波長帯の光量及び光維持率は、最初光に比べて約７６％であることが確認された。その他の実験例２〜７についても実験例１と同レベルの赤色波長帯の光量及び光維持率を示した。

これに対し、図１Ａ，図１Ｂ及び図２Ａ，図２Ｂに示す比較例の実験結果を参照すると、感光性樹脂組成物の成膜工程が終わった後の緑色波長帯の光量及び光維持率は、最初光に比べて４４％のレベルであり、赤色波長帯の光量及び光維持率は、最初光に比べて６４％のレベルであり、抗酸化剤を含む本発明の感光性樹脂組成物の光維持率に優れていることが確認される。

図３を参照して、本発明の実施形態による感光性樹脂組成物を用いて製造したカラーフィルターを用いた場合、色再現率に対する測定結果について説明する。

図３は、本発明の実験例及び比較例による感光性樹脂組成物を用いたカラーフィルターの色座標を測定して示すグラフである。実験例としては、一例として実験例１を図３に表した。

図３に示すように、本発明の実験例１による感光性樹脂組成物を用いて製造したカラーフィルターを用いた場合、抗酸化剤を含んでいない感光性樹脂組成物を用いて製造した比較例のカラーフィルターと比較して、色座標領域が更に広くなって色再現率に優れていることが確認される。その他の実験例においても、同様に比較例よりも色座標領域が更に広くなって色再現率に優れている。

以下、図４及び図５を参照して、本発明の実施形態による感光性樹脂組成物を用いて製造したカラーフィルターを含む表示装置について詳細に説明する。

図４は、本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す平面図であり、図５は、図４におけるＶ−Ｖ線に沿って切り取った断面図である。

図４及び図５を参照すると、本発明の実施形態による液晶表示装置は、下部表示板１００と、上部表示板２００及びこれら２枚の表示板１００、２００の間に挟持されている液晶層３を備える。

まず、下部表示板１００について説明する。

透明なガラス製又はプラスチック製の下部基板１１０の上にゲート線１２１が配設される。

ゲート線１２１はゲート信号を送信し、主としてＸ軸方向に伸びている。各ゲート線１２１は、ゲート線１２１から突出したゲート電極１２４と他の層又はゲート駆動部（図示せず）との接続のための広い先端部１２９を備える。

ゲート電極１２４は、下部膜１２４ｐ及び上部膜１２４ｒからなる二重膜構造を有する。下部膜１２４ｐは、チタン、タンタル、モリブデン及びこれらの合金のうちのいずれか一種により形成され、上部膜１２４ｒは、銅（Ｃｕ）又は銅合金により形成される。なお、ゲート線１２１及びゲート線の端部１２９も下部膜及び上部膜の二重膜構造に形成される。本発明の実施形態においては、ゲート線１２１及びゲート電極１２４が二重膜構造を有すると説明したが、単一膜構造に形成されることも可能である。

ゲート線１２１の上には、窒化ケイ素又は酸化ケイ素などの絶縁物質により製造されるゲート絶縁膜１４０が配設される。

ゲート絶縁膜１４０の上には、水素化非晶質シリコン又は多結晶シリコンなどにより製造される半導体層１５１が配設される。半導体層１５１は、主としてデータ線１７１が伸びる方向に配設され、ゲート電極１２４に向かって伸び出た突出部１５４を備える。

半導体層１５１の上に線状抵抗性オーミック部材１６１及び島状抵抗性オーミック部材１６５が配設される。線状抵抗性オーミック部材１６１は突出部１６３を有しており、この突出部１６３及び島状抵抗性オーミック部材１６５は、対をなして半導体層１５１の突出部１５４の上に配置される。

線状抵抗性オーミック部材１６１はデータ線１７１と重なり合うように配設され、線状抵抗性オーミック部材の突出部１６３はソース電極１７３と重なり合うように配設され、島状抵抗性オーミック部材１６５はドレイン電極１７５と重なり合うように配設される。

抵抗性オーミック部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０の上には、データ線１７１と、データ線１７１に接続されるソース電極１７３及びソース電極１７３と向かい合うドレイン電極１７５が配設される。

データ線１７１はデータ信号を送信し、主としてＹ軸方向に伸びてゲート線１２１と交差する。ソース電極１７３はゲート電極１２４に向かって伸びてＵ字状を有するが、これは一例に過ぎず、様々に変形された形状を有する。

ドレイン電極１７５はデータ線１７１と分離され、ソース電極１７３のＵ字状の中央から上部に向かって伸びる。データ線１７１は、他の層又はデータ駆動部（図示せず）との接続のために大面積の先端部１７９を備える。

図示はしないが、データ線１７１と、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５も上部膜及び下部膜の二重膜構造を有する。上部膜は、銅（Ｃｕ）又は銅合金により形成され、下部膜は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）及びこれらの合金のうちのいずれか一種により形成される。

データ線１７１と、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は、テーパ状の側面を有する。

抵抗性オーミック部材１６１、１６３、１６５は、その下の半導体層１５１と、その上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低める。なお、抵抗性オーミック部材１６１、１６３、１６５は、データ線１７１と、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５と実質的に同じ平面パターンを有する。

半導体層１５１の突出部１５４には、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間をはじめとしてデータ線１７１及びドレイン電極１７５に遮らずに露出された部分がある。半導体層１５１は、突出部１５４の露出された部分を除いて、抵抗性オーミック部材１６１、１６３、１６５と実質的に同じ平面パターンを有する。

一つのゲート電極１２４と、一つのソース電極１７３及び一つのドレイン電極１７５は、半導体層１５１の突出部１５４とともに一つの薄膜トランジスター（ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ−ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の半導体層１５１の突出部１５４に形成される。

データ線１７１と、ドレイン電極１７５及び露出された半導体層１５１の突出部１５４の上には、第１の保護膜１８０ａ及び第２の保護膜１８０ｂを有する保護膜１８０が配設される。

保護膜１８０は、窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機絶縁物により形成される。

保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の先端部１２９を露出させる第１のコンタクト孔１８１が配設される。また、保護膜１８０には、データ線１７１の先端部１７９を露出させる第２のコンタクト孔１８２及びドレイン電極１７５の一方の端をそれぞれ露出させる第３のコンタクト孔１８５が配設される。

保護膜１８０の上には、画素電極１９１と、第１のコンタクト補助部材８１及び第２のコンタクト補助部材８２が配設される。これらは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロム又はその合金などの反射性金属により形成される。

画素電極１９１は、第３のコンタクト孔１８５によりドレイン電極１７５と物理的、電気的に接続され、ドレイン電極１７５からデータ電圧が印加される。

第１のコンタクト補助部材８１は、第１のコンタクト孔１８１を介してゲート線１２１の先端部１２９と接続され、第２のコンタクト補助部材８２は、第２のコンタクト孔１８２を介してデータ線１７１の先端部１７９と接続される。第１及び第２のコンタクト補助部材８１、８２は、それぞれゲート線１２１の先端部１２９と外部装置との接着性及びデータ線１７１の先端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。

図示はしないが、画素電極１９１の上に配向膜が配設される。

次いで、上部表示板２００について説明する。

透明なガラス製又はプラスチック製の下部基板１１０に面する上部基板２１０の一方の面に遮光層２２０が配設される。換言すると、図示の遮光層２２０は、上部基板２１０の下に配設される。遮光層２２０は、隣の画素領域の間に生じる光漏れを遮断する役割を果たす。

下部基板１１０に面する上部基板２１０の一方の面にカラーフィルター２３０が配設される。換言すると、図示のごとく、カラーフィルター２３０は、上部基板２１０の下に配設される。カラーフィルター２３０の周縁部分は遮光層２２０と重なり合う。カラーフィルター２３０は、遮光層２２０により取り囲まれた領域内にほとんど存在し、画素電極１９１の列に沿って長く伸びる。各カラーフィルター２３０は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの一つを表示する。

カラーフィルター２３０は、上述した本発明の実施形態による感光性樹脂組成物により形成される。

本発明の実施形態による液晶表示装置のカラーフィルター２３０に含まれる感光性樹脂組成物は、ランバート散乱状態による広視野角を実現する量子点を含むことから、液晶表示装置の視野角が改善される。

本発明の実施形態においては、遮光層２２０及びカラーフィルター２３０が上部表示板２００に配設されると説明したが、遮光層２２０及びカラーフィルター２３０のうちの少なくとも一方は、下部表示板１００に配設されてもよい。

例えば、下部表示板１００に形成された第２の保護膜１８０ｂの代わりにカラーフィルター２３０が配設され、この場合、上部表示板２００にはカラーフィルター２３０が配設されなくてもよい。

下部基板１１０に面するカラーフィルター２３０の一方の面及び遮光層２２０の一方の面には、オーバーコート層２５０が配設される。換言すると、図示の如く、オーバーコート層２５０はカラーフィルター２３０及び遮光層２２０の下に配設される。オーバーコート層２５０は、（有機）絶縁物により形成され、カラーフィルター２３０が露出されることを防ぎ、平坦面を提供する。オーバーコート層２５０は、必要に応じて省略可能である。

下部基板１１０に面するオーバーコート層２５０の一方の面に共通電極２７０が配設される。換言すると、共通電極２７０は、オーバーコート層２５０と液晶層３との間に配設される。共通電極２７０は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などの透明な導電体などにより形成され、共通電圧Ｖｃｏｍが印加される。

図示はしないが、共通電極２７０と液晶層３との間に配向膜が配設される。

下部表示板１００と上部表示板２００との間に挟持される液晶層３は、負の誘電率異方性又は正の誘電率異方性を有する液晶分子を含み、液晶分子は、電場がない状態でその長軸が２枚の表示板１００、２００の表面に対して垂直になるように配向される。

画素電極１９１及び共通電極２７０は、これらの間の液晶層３の部分と共に液晶キャパシタを構成して薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。

画素電極１９１は、維持電極線（図示せず）と重なり合ってストレージキャパシタを構成し、これにより、液晶キャパシタの電圧維持能力が強化される。

図４及び図５に示すところとは異なり、共通電極２７０は下部表示板１００に配設され、この場合、液晶層３に含まれる液晶分子は、電場がない状態でその長軸が２枚の表示板１００、２００の表面に対して水平に配向される。

本発明の実施形態による感光膜樹脂組成物を図４及び図５に示す液晶表示装置のカラーフィルターに用いる一実施形態について説明したが、本発明の実施形態による感光膜樹脂組成物は、カラーフィルターが使用可能なあらゆる表示装置に適用可能である。

以下、図６を参照して本発明の一実施形態による色変換パネルについて詳細に説明する。

図６は、本発明の一実施形態による色変換パネルの断面図である。

図６に示すように、色変換パネル３０は、第１の基板３１０の上に配設される第１の色変換層３４０Ｒと、第２色変換層３４０Ｇ及び透過層３４０Ｂを備える。

第１の色変換層３４０Ｒと、第２色変換層３４０Ｇ及び透過層３４０Ｂは、上述した本発明の実施形態による感光性樹脂組成物により形成される。

ここで、第１の色変換層３４０Ｒは赤色変換層であり、第２色変換層３４０Ｇは緑色変換層である。

第１の色変換層３４０Ｒ及び第２色変換層３４０Ｇは、色を変換する量子点又は無機蛍光体を含むが、透過層３４０Ｂは、無機蛍光体及び量子点なしに透明ポリマーにより形成されてバックライトアセンブリーから供給される青色光がそのまま透過して青色を表示する。

第１の色変換層３４０Ｒと第２色変換層３４０Ｇとの間、第１の色変換層３４０Ｒと透過層３４０Ｂとの間及び第２色変換層３４０Ｇと透過層３４０Ｂとの間には、遮光部材３７２が配設される。

遮光部材３７２は、第１の色変換層３４０Ｒと、第２色変換層３４０Ｇ及び透過層３４０Ｂが配置される領域を仕切る。遮光部材３７２は、隣り合う色変換層３４０Ｒ、３０４Ｇ及び透過層３４０Ｂの間において生じる混色を防ぐ役割を果たす。

第１及び第２の色変換層及び透過層３４０Ｒ、３４０Ｇ、３４０Ｂの上には、平らな面を提供する平坦膜３５５が配設されるが、平坦膜３５５は、必要に応じて省略可能である。

以下、図７を参照して本発明の一実施形態による液晶表示装置について概略的に説明する。

図７は、本発明の一実施形態による表示装置の概略的な断面図である。

図７を参照して本発明の一実施形態による表示装置について簡略に説明すると、本発明の一実施形態による表示装置は、色変換パネル３０と、表示パネル１０及びライトアセンブリー５００を備える。

本発明の一実施形態による表示装置に組み込まれる色変換パネル３０は、上述した図６の実施形態による色変換パネル３０と同様であるため、重複する説明は省略する。但し、色変換パネル３０は、図６の色変換パネル３０と同様に、第１の基板３１０及び表示パネル１０が当接して配置されるが、これとは異なり、平坦膜３５５及び表示パネル１０が当接して配置されてもよい。

色変換パネル３０の一方の面に配設される表示パネル１０は、映像を表示する液晶パネル５０及び液晶パネル５０の両面に配設される偏光板１２、２２を備える。すなわち、液晶パネル５０の両面にバックライトアセンブリー５００から入射する光を偏光させるための第１の偏光板１２及び第２の偏光板２２が配設される。第１の偏光板１２はバックライトアセンブリー５００と向かい合い、第２の偏光板２２は色変換パネル３０と向かい合ったり接触したりする。バックライトアセンブリー５００は、第１の偏光板１２の下部面に配設され、光源及び光源から発せられた光を表示パネル１０及び色変換パネル３０に向かってガイドする導光板（図示せず）を備える。

例えば、バックライトアセンブリー５００は、少なくとも一つの発光ダイオードを備え、発光ダイオードは、青色発光ダイオード又はＵＶ光源である。本発明の一実施形態による光源は、導光板の少なくとも一方の側面に配置されるエッジ型バックライトアセンブリーであるか、又はバックライトアセンブリー５００の光源が導光板（図示せず）の下部に配設される直下型であるが、これに限定されず、光源の位置は様々に変更可能である。

次いで、図８及び図９を参照して上述した表示パネルの一実施形態である液晶表示装置について詳細に説明する。

図８は、本発明の一実施形態による液晶表示装置における複数の画素に対する平面図であり、図９は、図８におけるＩＸ−ＩＸ線に沿って切り取った断面図である。

図８及び図９に示す色変換パネル３０は、上述した図６の実施形態による色変換パネル３０と同様であるため、重複する説明は省略する。

色変換パネル３０の一方の面に配設される液晶パネル５０は、映像を表示するために、薄膜トランジスター及び下部基板１１０を有する下部表示板１００と、下部表示板１００と向かい合い、上部基板２１０を有する上部表示板２００及び下部表示板１００と上部表示板２００との間に挟持される液晶層３を備える。

液晶パネル５０の両面にはそれぞれ第１及び第２の偏光板１２、２２が配設され、このとき、偏光板１２、２２は、コーティング型偏光板、取付型偏光板、ワイヤーグリッド偏光板のうちのいずれか一種以上が使用可能である。偏光板１２、２２は、フィルム状、塗布形態、取付形態など様々な方法により液晶パネル５０の一方の面に配設される。

下部表示板１００が有する下部基板１１０の上には、多数の画素電極１９１がマトリックス状に配設される。

下部基板１１０の上には、Ｘ軸方向に伸び、ゲート電極１２４を有するゲート線１２１と、ゲート線１２１の上に配設されるゲート絶縁膜１４０と、ゲート絶縁膜１４０の上に配設される半導体層１５４と、半導体層１５４の上に配設され、Ｙ軸方向に伸び、ソース電極１７３を有するデータ線１７１及びドレイン電極１７５と、データ線１７１及びドレイン電極１７５の上に配設される保護膜１８０と、コンタクト孔１８５を介してドレイン電極１７５と物理的・電気的に接続される画素電極１９１と、が配設される。

ゲート電極１２４の上に配設される半導体層１５４は、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５により露出された領域においてチャンネル層を形成し、ゲート電極１２４と、半導体層１５４と、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は、一つの薄膜トランジスターを形成する。

下部基板１１０に面する上部基板２１０の一方の面の上には、遮光層２２０が配設される。下部基板１１０に面する遮光層２２０の上には、平らな面を提供するオーバーコート層２５０が配設され、下部基板１１０に面するオーバーコート層２５０の上には、共通電極２７０が配設される。発明の実施形態によりオーバーコート層２５０は省略可能である。共通電極２７０は、下部表示板１００に形成されてもよい。

共通電圧が印加される共通電極２７０は、画素電極１９１と電界を形成して液晶層３に含まれる液晶物質３１を配列する。

液晶層３は多数の液晶物質３１を含み、液晶物質３１は画素電極１９１と共通電極２７０との間の電界により配列方向が制御される。液晶分子の配列によりバックライトアセンブリー５００から受信された光の透過率を制御して映像を表示する。

また、図示はしないが、画素電極１９１と液晶層３との間及び共通電極２７０と液晶層３との間には、配向膜が配設される。

色変換パネル３０の平坦膜３５５は、表示パネル１０の上部基板２１０に向かって配置される。

図１０を参照して、図８及び図９において説明した実施形態の変形例について説明する。

図１０は、図８におけるＩＸ−ＩＸ線に沿って切り取った他の実施形態による断面図である。

図１０において説明する実施形態において、図９の実施形態と比較して上部表示板２００を除く残りの構成は同様であるため、重複する構成要素についての説明は省略する。

図１０に示すように、本発明の実施形態による表示パネル１０は、下部表示板１００と、下部表示板１００と向かい合い、下部表示板１００から離れた色変換パネル３０及びこれらの間に配設され、液晶物質３１を含む液晶層３を備える。すなわち、図１０における実施形態による表示パネル１０は、図８及び図９において説明した実施形態とは異なり、色変換パネル３０が上部表示板２００の代わりに表示パネル１０の一部を構成する。

表示パネル１０は、下部表示板１００の一方の面に配設される第１の偏光板１２及び下部表示板１００の他方の面に配設される第２の偏光板２２を更に備える。

ここで、第２の偏光板２２は、色変換パネル３０と液晶層３との間に配設される。

また、図示はしないが、画素電極１９１と液晶層３との間及び第２の偏光板２２と液晶層３との間には、配向膜が配設される。

上述した本発明の一実施形態による液晶表示装置は、表示パネルの上に配設され、ランバート散乱状態を有する無機蛍光体又は量子点を含む色変換層を有する色変換パネルを用いて出光率及び色再現性を向上させる。

以下、図１１〜図１３を参照して本発明の一実施形態の液晶表示装置について詳細に説明する。

図１１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置における複数の画素に対する平面図であり、図１２は、図１１におけるＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿って切り取った断面図であり、図１３は、図１１におけるＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿って切り取った断面図である。

図１１〜図１３に示す色変換パネル３０は、上述した図６における実施形態による色変換パネル３０と同様であるため、重複する説明は省略する。

図１１〜図１３を参照すると、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、表示パネル１０と、色変換パネル３０及びバックライトアセンブリー５００を備える。バックライトアセンブリー５００の上に表示パネル１０が配設され、表示パネル１０の上に色変換パネル３０が配設される。

本発明の一実施形態による表示パネル１０は、液晶パネル５０及び液晶パネル５０の両面に配設される第１及び第２の偏光板１２、２２を備える。このとき、偏光板１２、２２は、コーティング型偏光板、取付型偏光板、ワイヤーグリッド偏光板のうちのいずれか一種以上が使用可能であり、このような偏光板１２、２２は、フィルム状、塗布形態、取付形態など多様な方法により液晶パネル５０の両面に配設される。

図１１は、複数の画素のうちの一部である２×２画素部分を示し、本発明の一実施形態による液晶表示装置には、このような画素が上下左右に繰り返し配列される。

図１１〜図１３を参照すると、本発明の実施形態による液晶パネル５０は、基板１１０の上にゲート線１２１が配設される。ゲート線１２１は、ゲート電極１２４を備える。

ゲート線１２１の上には、ゲート絶縁膜１４０が配設される。ゲート絶縁膜１４０の上には、データ線１７１の下部に配設される半導体層１５１及びソース／ドレイン電極１７３、１７５の下部及び薄膜トランジスターＱのチャンネルの部分に配設される半導体層１５４が配設される。

各半導体層１５１，１５４の上であり、データ線１７１、ソース／ドレイン電極１７３、１７５の間には、複数の抵抗性オーミック部材が配設されるが、図示は省略される。

各半導体層１５１，１５４及びゲート絶縁膜１４０の上に、ソース電極１７３及びソース電極１７３と接続されるデータ線１７１、ドレイン電極１７５を有するデータ導電体１７１，１７３、１７５が配設される。

ゲート電極１２４と、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は、半導体層１５４と共に薄膜トランジスターＱを形成し、薄膜トランジスターＱのチャンネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の半導体層１５４の部分に形成される。

データ導電体１７１，１７３、１７５及び露出された半導体層１５４の部分の上には、第１の保護膜１８０ａが配設される。第１の保護膜１８０ａは、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物又は有機絶縁物を含む。

第１の保護膜１８０ａの上には、第２の保護膜１８０ｂ及び遮光層２２０が配設される。

まず、遮光層２２０は、画像を表示する領域に対応する開口部を有する格子構造となっており、光が透過できない物質により形成される。遮光層２２０の開口部には第２の保護膜１８０ｂが配設される。遮光層２２０は、ゲート線１２１と平行な方向であるＸ軸方向に沿って形成された横遮光部材と、データ線１７１と平行な方向であるＹ軸方向に沿って形成された縦遮光部材と、を備える。

第２の保護膜１８０ｂは、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物又は有機絶縁物を含む。

第２の保護膜１８０ｂ及び遮光層２２０の上には、これらを覆う第３の保護膜１８０ｃが形成される。第３の保護膜１８０ｃは、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物又は有機絶縁物を含む。

第２の保護膜１８０ｂと遮光層２２０との間の厚さ差により段差が生じた場合には、第３の保護膜１８０ｃに有機絶縁物を含めるなどして段差を低減又は除去する。

第１乃至第３の保護膜１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ及び遮光層２２０には、ドレイン電極１７５を露出させるコンタクト孔１８５が形成される。

第３の保護膜１８０ｃの上には画素電極１９１が配設される。画素電極１９１は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などの透明な導電物質により形成される。

画素電極１９１は、全体的に矩形を呈する。

画素電極１９１はゲート線１２１に向かって延びた突出部１９７を有し、突出部１９７においてコンタクト孔１８５を介してドレイン電極１７５と物理的・電気的に接続され、ドレイン電極１７５からデータ電圧が印加される。

上述した薄膜トランジスターＱ及び画素電極１９１に関する説明は一つの例示に過ぎず、薄膜トランジスターの構造及び画素電極のデザインは、本発明の実施形態において説明した構造に限定されず、変形して本発明の一実施形態による内容を適用することができる。

画素電極１９１の上には下部配向膜１１が配設され、下部配向膜１１は垂直配向膜である。下部配向膜１１は、ポリアミック酸、ポリシロキサン又はポリイミドなどの液晶配向膜として汎用される物質のうちの少なくとも一つを含んでなる。

下部配向膜１１と向かい合う部分に上部配向膜２１が配設され、下部配向膜１１と上部配向膜２１との間には複数の微細空間３０５に形成される。複数の微細空間３０５に液晶層３が配設される。液晶層３は液晶物質３１を含み、液晶物質３１は、微細空間３０５の周縁部に形成された入口部３０７を介して注入される。微細空間３０５は、画素電極１９１の列方向、換言すると、縦方向に沿って複数配設される。本発明の実施形態において配向膜１１、２１を形成する配向物質と液晶分子を含む液晶物質３１は、毛管力により微細空間３０５に注入される。本発明の実施形態において、下部配向膜１１及び上部配向膜２１は、位置により区別されるだけであり、図１２に示すように互いに接続される。下部配向膜１１及び上部配向膜２１は、同時に形成される。

微細空間３０５は、ゲート線１２１と重なり合う部分に配設される複数のトレンチ３０７ＦＰにより縦方向に画成されて複数の微細空間３０５を形成し、複数の微細空間３０５は、画素電極１９１の列方向、換言すると、縦方向に沿って配設される。トレンチ３０７ＦＰは製造工程中に形成されるが、最終的な構造においては、後述するキャッピング層３９０が配設される。また、後述する隔壁部ＰＷＰにより微細空間３０５はＸ軸方向に画成されて複数の微細空間３０５が形成され、複数の微細空間３０５は、画素電極１９１のＸ軸方向に沿って形成される。複数の微細空間３０５のそれぞれは、画素領域の一つ又は二以上に対応し、画素領域は、画面を表示する領域に対応する。

上部配向膜２１の上には、共通電極２７０及び下部絶縁層３５０が配設される。共通電極２７０には共通電圧が印加され、データ電圧が印加された画素電極１９１と共に電場を生成して２つの電極の間の微細空間３０５に配設される液晶物質３１が傾く方向を決定する。共通電極２７０は画素電極１９１とキャパシタをなして薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。下部絶縁層３５０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）により形成される。本発明の実施形態においては、共通電極２７０が液晶層３の上に配設されると説明したが、他の実施形態によれば、共通電極２７０が微細空間３０５の下部に形成されて水平電界モードによる液晶の駆動も可能である。

下部絶縁層３５０の上にルーフ層３６０が配設される。ルーフ層３６０は、画素電極１９１と共通電極２７０との間の空間である微細空間３０５が形成されるように支持する役割を果たす。ルーフ層３６０は、フォトレジスト又はその他の有機物質を含む。

ルーフ層３６０の上に、上部絶縁層３７０が配設される。上部絶縁層３７０は、ループ層３６０の上部面と接触される。

本発明の実施形態においては、図１２に示すように、横方向に隣り合う微細空間３０５の間に隔壁部ＰＷＰが配設される。隔壁部ＰＷＰは、データ線１７１が伸びる方向であるＹ軸方向に沿って形成され、ルーフ層３６０により覆われる。隔壁部ＰＷＰには、共通電極２７０と、下部絶縁層３５０と、ルーフ層３６０及び上部絶縁層３７０が満たされるが、このような構造物が隔壁を形成して微細空間３０５を区画又は限定する。

図１３に示すように、上部絶縁層３７０はループ層３６０の側面部を覆い、変形の実施形態によれば、下部絶縁層３５０と、ルーフ層３６０及び上部絶縁層３７０の側壁が実質的に同様に整列されるように形成される。

上部絶縁層３７０の上にキャッピング層３９０が配設される。キャッピング層３９０は、有機物質若しくは無機物質を含む。本発明の実施形態において、キャッピング層３９０は、上部絶縁層３７０の上部だけではなく、液晶注入部３０７ＦＰにも配設される。このとき、キャッピング層３９０は、液晶注入部３０７ＦＰにより露出された微細空間３０５の入口部３０７を覆う。

色変換パネル３０は、色変換パネル３０の平坦膜３５５が表示パネル１０のキャッピング層３９０と向かい合うように配置される。

上述した本発明の一実施形態による表示装置は、表示パネルの上に配設され、ランバート散乱状態を有する無機蛍光体又は量子点を含む色変換層を有する色変換パネルにより出光率及び色再現性が向上する。

以下、図１４及び図１５を参照して、本発明の一実施形態による有機発光表示装置について詳細に説明する。

図１４は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置における複数の画素に対する平面図であり、図１５は、図１４におけるＸＶ−ＸＶ線に沿って切り取った断面図である。

本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、色変換パネル３０及び有機発光パネル２０を備える。

図１４及び図１５に示す色変換パネル３０は、上述した図６における実施形態による色変換パネル３０と同様であるため、重複する説明は省略する。

図１４及び図１５を参照すると、下部基板１１０の上に第１のゲート電極１２４ａを有する複数のゲート線１２１及び複数の第２のゲート電極１２４ｂを有する複数のゲート導電体が配設される。

ゲート線１２１はゲート信号を送信し、Ｘ軸方向に伸びる。

第１のゲート電極１２４ａは、ゲート線１２１からＹ軸方向に突出され、第２のゲート電極１２４ｂは、ゲート線１２１から分離され、維持電極線１３１を備える。

ゲート導電体１２１，１２４ａ、１２４ｂの上には、ゲート絶縁膜１４０が配設される。

ゲート絶縁膜１４０の上には、複数の第１及び第２の半導体層１５４ａ、１５４ｂが配設される。
第１及び第２の半導体層１５４ａ、１５４ｂは、それぞれ第１及び第２のゲート電極１２４ａ、１２４ｂの上に配設される。

第１及び第２の半導体層１５４ａ、１５４ｂの上には、それぞれ複数対の抵抗性オーミック部材１６３、１６５が配設される。

抵抗性オーミック部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０の上には、複数のデータ線１７１と、複数の駆動電圧線１７２と、複数の第１及び第２のドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとを有する複数のデータ導電体が配設される。

データ線１７１及び駆動電圧線１７２はデータ信号を送信し、主としてＹ軸方向に伸びてゲート線１２１と交差する。

各データ線１７１は、第１のゲート電極１２４ａに向かって伸びる複数の第１のソース電極１７３ａを備える。

駆動電圧線１７２は駆動電圧を送信し、主としてＹ軸方向に伸びてゲート線１２１と交差する。各駆動電圧線１７２は、第２のゲート電極１２４ｂに向かって伸びる複数の第２のソース電極１７３ｂを備える。駆動電圧線１７２は維持電極線１３１と重なり合い、互いに接続される。

第１及び第２のドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは互いに分離され、データ線１７１及び駆動電圧線１７２からも分離される。第１のソース電極１７３ａ及び第１のドレイン電極１７５ａは、第１のゲート電極１２４ａを中心として向かい合い、第２のソース電極１７３ｂ及び第２のドレイン電極１７５ｂは、第２のゲート電極１２４ｂを中心として向かい合う。

半導体層１５４ａ、１５４ｂには、ソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間において露出された部分がある。

データ導電体１７１，１７２、１７３ａ、１７３ｂ、１７５ａ、１７５ｂ及び露出された半導体層１５４ａ、１５４ｂ部分の上には、保護膜１８０が形成される。

保護膜１８０には、第１及び第２のドレイン電極１７５ａ、１７５ｂをそれぞれ露出させる複数のコンタクト孔１８５ａ、１８５ｂが配設され、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には、第２のゲート電極１２４ｂを露出させるコンタクト孔１８４が配設される。

保護膜１８０の上には、複数の画素電極１９１及び複数の接続部材８５が配設される。

画素電極１９１は、コンタクト孔１８５ｂを介して第２のドレイン電極１７５ｂと物理的・電気的に接続され、接続部材８５は、コンタクト孔１８４、１８５ａを介して第２のゲート電極１２４ｂ及び第１のドレイン電極１７５ａと接続される。

保護膜１８０の上には、隔壁３６１が配設される。隔壁３６１は、画素電極１９１の周縁の周りを堰のように取り囲んで開口部３６５を限定し、有機絶縁物又は無機絶縁物により形成される。また、隔壁３６１は、黒色顔料を含む感光剤により形成されるが、この場合、隔壁３６１は遮光部材の役割を果たす。

隣り合う隔壁３６１の間の開口部３６５内には、有機発光部材４７０が配設される。本発明の実施形態による有機発光表示装置の有機発光部材４７０は、青色の光を発する発光層を備える。

通常の有機発光表示装置の場合、赤色、緑色、青色の三原色など基本色のうちのいずれか一つの光を固有に発する有機物質を全て含むが、本発明の実施形態による有機発光表示装置は、上述した図６における実施形態のような赤色変換層、緑色変換層及び透過層を有する色変換パネル３０及び青色光を発する発光層を備えるので、赤色、緑色、青色の各色を表現することができる。

また、これとは異なり、色変換パネル３０が透過層の代わりに青色変換層を備えるときには、白色光を発する発光層を備える。

有機発光部材４７０は、光を発する発光層（図示せず）に加えて、発光層の発光効率を向上させるための付帯層（図示せず）を備える多層構造を有する。付帯層には、電子及び正孔のバランスを取るための電子輸送層（図示せず）及び正孔輸送層（図示せず）と、電子及び正孔の注入を強化させるための電子注入層（図示せず）及び正孔注入層（図示せず）などがある。

有機発光部材４７０の上には、共通電極２７０が配設される。

このような有機発光表示装置において、ゲート線１２１に接続される第１のゲート電極１２４ａ、データ線１７１に接続される第１のソース電極１７３ａ及び第１のドレイン電極１７５ａは、第１の半導体層１５４ａと共にスイッチング薄膜トランジスターＱｓを構成し、スイッチング薄膜トランジスターＱｓのチャンネルは、第１のソース電極１７３ａと第１のドレイン電極１７５ａとの間の第１の半導体層１５４ａに形成される。 第１のドレイン電極１７５ａに接続される第２のゲート電極１２４ｂ、駆動電圧線１７２に接続される第２のソース電極１７３ｂ及び画素電極１９１に接続される第２のドレイン電極１７５ｂは、第２の半導体層１５４ｂと共に駆動薄膜トランジスターＱｄを構成し、駆動薄膜トランジスターＱｄのチャンネルは、第２のソース電極１７３ｂと第２のドレイン電極１７５ｂとの間の第２の半導体層１５４ｂに形成される。画素電極１９１と、有機発光部材４７０及び共通電極２７０は、有機発光ダイオードを構成し、画素電極１９１がアノードとなり、共通電極２７０がカソードとなるか、逆に、画素電極１９１がカソードとなり、共通電極２７０がアノードとなる。重なり合う維持電極線１３１及び駆動電圧線１７２は、ストレージキャパシタＣｓｔを構成する。

色変換パネル３０の平坦膜３５５は、有機発光パネル２０の共通電極２７０と向かい合うように配置される。

このような有機発光表示装置は、色変換パネル３０に面する下部基板１１０の上側に光を出射して映像を表示する。

ただし、上述した例示とは異なり、色変換パネル３０が有機発光パネル２０の下部基板１１０の下に配設される場合には、下部基板１１０の下側に光を出射して映像を表示する背面発光型である。

上述した本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、表示パネルの上に配設され、ランバート散乱状態を有する無機蛍光体又は量子点を含む色変換層を有する色変換パネルにより出光率及び色再現性が向上する。

以上述べたように、本発明の実施形態によれば、ナノ蛍光体を含む感光性樹脂組成物に抗酸化剤を添加することにより、工程の進行中に生じるナノ蛍光体の損傷による消光現象が抑制され、これにより、優れた表示装置の光効率及び色再現性が得られるというメリットがある。

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれらに限定されるものではなく、下記の特許請求の範囲において定義している基本概念を用いた当業者の色々な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属するものである。

１２４ ゲート電極
１４０ ゲート絶縁膜
１７３ ソース電極
１７５ ドレイン電極
１８０ａ 第１の保護膜
１８０ｂ 第２の保護膜
２３０ カラーフィルター
１０ 表示パネル
１２、２２ 偏光板
３０ 色変換パネル
３１０ 第１の基板
１３１ 維持電極線
１１ 第１の配向膜
２１ 第２配向膜
１１０ 下部基板
１２１ ゲート線
１９１ 画素電極
２２０ 遮光層
３９０ キャッピング層
２７０ 共通電極
３０５ 微細空間
３０７ＦＰ 液晶注入部
３０７ 入口部
３１ 液晶分子
１０ 表示パネル
３０ 色変換パネル
３７２ 遮光部材
３４０Ｂ 透過層
２１０ 上部基板
４７０ 有機発光部材
３４０Ｒ、３４０Ｇ 色変換層

Claims (25)

1. 量子点と、光重合開始剤と、光重合化合物と、抗酸化剤及び溶媒を含み、
   前記抗酸化剤は、フェノール系抗酸化剤３０〜７０重量％、及びリン系抗酸化剤３０〜７０重量％を含み、
   前記量子点を分散させるための前記溶媒として、エチレングリコールアセタート、エチルセロソルブ、プロピレングリコールメチルエーテルアセタート、エチルラクタート、ポリエチレングリコール、シクロヘキサノン、またはプロピレングリコールメチルエーテルを含む感光性樹脂組成物であって、
   前記抗酸化剤は、前記感光性樹脂組成物の固形分の総重量に対して１〜５重量％の含量を有する感光性樹脂組成物。
2. 前記抗酸化剤は、硫黄系の抗酸化剤を１０〜２０重量％含む請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
3. 前記フェノール系抗酸化剤は、２，６−ジターシャリブチル−ｐ−クレゾール、２，６−ジフェニル−４−オクタデシルオキシフェノール、ステアリル（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオナート、ジステアリル（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシベンジル）ホスホナート、トリデシル・３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシベンジルチオアセタート、チオジエチレンビス[（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオナート]、４，４'−チオビス（６−ターシャリブチル−ｍ−クレゾール）、２−オクチルチオ−４，６−ジ（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシフェノキシ）−ｓ−トリアジン、２，２'−メチレンビス（４−メチル−６−ターシャリブチルフェノール）、ビス[３，３−ビス（４−ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニル）酪酸]グリコールエステル、４，４'−ブチリデンビス（２，６−ジターシャリブチルフェノール）、４，４'−ブチリデンビス（６−ターシャリブチル−３−メチルフェノール）、２，２'−エチリデンビス（４，６−ジターシャリブチルフェノール）、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ターシャリブチルフェニル）ブタン、ビス[２−ターシャリブチル−４−メチル−６−（２−ヒドロキシ−３−ターシャリブチル−５−メチルベンジル）フェニル]テレフタラート、１，３，５−トリス（２，６−ジメチル−３−ヒドロキシ−４−ターシャリブチルベンジル）イソシアヌラート、１，３，５−トリス（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌラート、１，３，５−トリス（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２，４，６−トリメチルベンゼン、１，３，５−トリス[（３，５−ジターシャリブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシエチル]イソシアヌラート、テトラキス[メチレン−３−（３'，５'−ジターシャリブチル−４'−ヒドロキシフェニル）プロピオナート]メタン、２−ターシャリブチル−４−メチル−６−（２−アクリロイルオキシ−３−ターシャリブチル−５−メチルベンジル）フェノール、３，９−ビス[２−（３−ターシャリブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルヒドロシンナモイルオキシ）−１，１−ジメチルエチル]−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ[５．５]ウンデカン、トリエチレングリコールビス[β−（３−ターシャリブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオナート]及びトコフェロールのうちの少なくとも一種を含む請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物。
4. 前記リン系抗酸化剤は、トリフェニルホスファート、トリス（２，４−ジターシャリブチルフェニル）ホスファート、トリス（２，５−ジターシャリブチルフェニル）ホスファート、トリス（ノニルフェニル）ホスファート、トリス（ジノニルフェニル）ホスファート、トリス（モノ、ジ混合ノニルフェニル）ホスファート、ジフェニルアシッドホスファート、２，２'−メチレンビス（４，６−ジターシャリブチルフェニル）オクチルホスファート、ジフェニルデシルホスファート、ジフェニルオクチルホスファート、ジ（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファート、フェニルジイソデシルホスファート、トリブチルホスファート、トリス（２−エチルヘキシル）ホスファート、トリデシルホスファート、トリラウリルホスファート、ジブチルアシッドホスファート、ジラウリルアシッドホスファート、トリラウリルトリチオホスファート、ビス（ネオペンチルグリコール）・１，４−シクロヘキサンジメチルジホスファート、ビス（２，４−ジターシャリブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファート、ビス（２，５−ジターシャリブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファート、ビス（２，６−ジターシャリブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファート、ビス（２，４−ジクミルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファート、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファート、テトラ（Ｃ１２−１５混合アルキル）−４，４'−イソプロピリデンジフェニルホスファート、ビス[２，２'−メチレンビス（４，６−ジアミルフェニル）]・イソプロピリデンジフェニルホスファート、テトラトリデシル（４，４'−ブチリデンビス（２−ターシャリブチル−５−メチルフェノール）ジホスファート、ヘキサ（トリデシル）・１，１，３−トリス（２−メチル−５−ターシャリブチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン・トリホスファート、テトラキス（２，４−ジターシャリブチルフェニル）ビフェニレンジホスファナート、トリス（２−[２，４，７，９−テトラキスターシャリブチルジベンゾ[ｄ，ｆ][１，３，２]ジオキサホスフェピン−６−イル）オキシ]エチル）アミン、９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキシド、トリス（２−[（２，４，８，１０−テトラキスターシャリブチルジベンゾ[ｄ，ｆ][１，３，２]ジオキサホスフェピン−６−イル）オキシ]エチル）アミン及び２−（１，１−ジメチルエチル）−６−メチル−４−[３−[[２，４，８，１０−テトラキス（１，１−ジメチルエチル）ジベンゾ[ｄ，ｆ][１，３，２]ジオキサホスフェピン−６−イル]オキシ]プロピル]フェノール２−ブチル−２−エチルプロパンジオ−ル・２，４，６−トリターシャリブチルフェノールモノホスファートのうちの少なくとも一種を含む請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物。
5. 前記硫黄系抗酸化剤は、ジアルキルチオジプロピオナート及びポリオールのβ−アルキルメルカプトプロピオン酸エステルのうちの少なくとも一種を含む請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物。
6. 前記量子点は、ＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＶ−ＶＩ族化合物、ＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素及びＩＶ族化合物から選ばれるいずれか１種以上を含み、
   前記量子点は、コア及び前記コアを覆うシェルを有するコア−シェル構造である、請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物。
7. 前記コアは、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＰｂＳｅ、ＡｇＩｎＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅＳ、ＰｂＳ、ＰｂＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＺｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｓ及びＺｎＯから選ばれる少なくとも一種の化合物を含み、
   前記シェルは、ＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＰｂＳ、ＳｒＳｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＺｎＯ、ＩｎＰ、ＩｎＳ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＧａＯ、ＩｎＺｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＺｎＳＣｄＳｅ及びＨｇＳｅから選ばれる少なくとも一種の化合物を含む請求項６に記載の感光性樹脂組成物。
8. 分散剤を更に含み、
   分散剤は、ポリアルキレングリコール及びそのエステル、ポリオキシアルキレン、多価アルコールエステルアルキレンオキシド付加物、及びアルコールアルキレンオキシド付加物からなる群より選択される請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物。
9. 光散乱体を更に含む請求項８に記載の感光性樹脂組成物。
10. 前記光散乱体は、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃及びＳｉＯ₂から選ばれる少なくとも一種を含む請求項９に記載の感光性樹脂組成物。
11. 下部基板と、
    前記下部基板の上に配設される薄膜トランジスターと、
    前記薄膜トランジスターと接続される画素電極と、
    前記下部基板と向かい合う上部基板と、
    前記下部基板及び前記上部基板の間に配設されるカラーフィルターと、
    を備え、
    前記カラーフィルターは、感光性樹脂組成物を含み、
    前記感光性樹脂組成物は、量子点及び抗酸化剤を含み、
    前記抗酸化剤は、フェノール系抗酸化剤３０〜７０重量％、及びリン系抗酸化剤３０〜７０重量％を含み、
    前記抗酸化剤は、前記感光性樹脂組成物の固形分の総重量に対して１〜５重量％の含量を有する表示装置。
12. 前記感光性樹脂組成物は、エチレングリコールアセタート、エチルセロソルブ、プロピレングリコールメチルエーテルアセタート、エチルラクタート、ポリエチレングリコール、シクロヘキサノン、またはプロピレングリコールメチルエーテルを、残留溶媒として含む請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記抗酸化剤は、硫黄系の抗酸化剤を１０〜２０重量を含む請求項１１に記載の表示装置。
14. 前記量子点は、ＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＶ−ＶＩ族化合物、ＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素及びＩＶ族化合物から選ばれる１種以上を含み、
    前記量子点は、コア及び前記コアを覆うシェルを有するコア−シェル構造である請求項１１〜１３のいずれかに記載の表示装置。
15. 前記感光性樹脂組成物は、分散剤を更に含む請求項１１〜１３のいずれかに記載の表示装置。
16. 前記感光性樹脂組成物は、光散乱体を更に含む請求項１５に記載の表示装置。
17. 第１の基板と、
    前記第１の基板の上に配設される複数の色変換層及び透過層と、
    前記複数の色変換層のうち隣り合う色変換層の間及び前記複数の色変換層のうちの一つと前記透過層との間に配設される遮光部材と、
    を備え、
    前記色変換層は、感光性樹脂組成物を含み、
    前記感光性樹脂組成物は、量子点及び抗酸化剤を含み、
    前記抗酸化剤は、フェノール系抗酸化剤３０〜７０重量％、及びリン系抗酸化剤３０〜７０重量％を含み、
    前記抗酸化剤は、前記感光性樹脂組成物の固形分の総重量に対して１〜５重量％の含量を有するむ色変換パネル。
18. 前記感光性樹脂組成物は、エチレングリコールアセタート、エチルセロソルブ、プロピレングリコールメチルエーテルアセタート、エチルラクタート、ポリエチレングリコール、シクロヘキサノン、またはプロピレングリコールメチルエーテルを、残留溶媒として含む請求項１７に記載の色変換パネル。
19. 前記抗酸化剤は、硫黄系の抗酸化剤を１０〜２０重量を含む請求項１７に記載の色変換パネル。
20. 前記感光性樹脂組成物は、分散剤及び光散乱体のうちの少なくとも一方を更に含む請求項１７に記載の色変換パネル。
21. 表示パネルと、
    前記表示パネルの上に配設される色変換パネルと、
    を備え、
    前記色変換パネルは、
    第１の基板と、
    前記表示パネルに面する前記第１の基板の一方の面に配設される複数の色変換層及び透過層と、
    前記複数の色変換層のうち隣り合う色変換層の間及び前記複数の色変換層のうちの一つと前記透過層との間に配設される遮光部材と、
    を備え、
    前記色変換層は、感光性樹脂組成物を含み、
    前記感光性樹脂組成物は、量子点及び抗酸化剤を含み、
    前記抗酸化剤は、フェノール系抗酸化剤３０〜７０重量％、及びリン系抗酸化剤３０〜７０重量％を含み、
    前記抗酸化剤は、前記感光性樹脂組成物の固形分の総重量に対して１〜５重量％の含量を有する表示装置。
22. 前記感光性樹脂組成物は、エチレングリコールアセタート、エチルセロソルブ、プロピレングリコールメチルエーテルアセタート、エチルラクタート、ポリエチレングリコール、シクロヘキサノン、またはプロピレングリコールメチルエーテルを、残留溶媒として含む請求項２１に記載の色変換パネル。
23. 前記抗酸化剤は、硫黄系の抗酸化剤を１０〜２０重量を含む請求項２１または２２に記載の色変換パネル。
24. 前記表示パネルは、
    下部基板と、
    前記下部基板の上に配設される薄膜トランジスターと、
    前記薄膜トランジスターと接続される画素電極と、
    を備える請求項２１〜２３のいずれかに記載の表示装置。
25. 前記画素電極の上に配設される有機発光部材と、
    前記有機発光部材の上に配設される共通電極と、
    を更に備える請求項２４に記載の表示装置。

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