JP6699195B2 - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents
電子デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6699195B2 JP6699195B2 JP2016010394A JP2016010394A JP6699195B2 JP 6699195 B2 JP6699195 B2 JP 6699195B2 JP 2016010394 A JP2016010394 A JP 2016010394A JP 2016010394 A JP2016010394 A JP 2016010394A JP 6699195 B2 JP6699195 B2 JP 6699195B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- barrier layer
- liquid crystal
- light
- sealing material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Projection Apparatus (AREA)
Description
詳しくは、シール材は、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの有機材料で構成され、僅かな透湿性を有している。このため、僅かな水分がシール材の中を通過し、液晶中に混入(侵入)する。液晶中に混入した水分は、表示領域に拡散(移動)し、表示領域の親水性の高い部分に吸着し、偏在する。表示領域に偏在した水分は、液晶中のイオン性不純物を引き寄せトラップし、イオン性不純物も偏在するようになる。イオン性不純物は、表示領域における水分が偏在した部分にトラップ(拘束)されるので、表示領域の周辺に設けられた横方向の電界によって、イオン性不純物を表示領域の外に排出することが難しくなる。さらに、イオン性不純物が偏在した部分で、焼き付きなどの表示不具合を招くおそれがあった。
すなわち、シール材を通過して液晶の中に混入する水分によって、液晶パネルの表示性能や信頼性が低下するおそれがあった。
本適用例では、樹脂層の機能層が配置される側と反対側の第5面がバリア層で覆われ、バリア層によって機能層が配置されている側への水分の侵入が抑制される。よって、機能層が配置されている側に水分が侵入しにくくなり、水分による機能層の劣化を抑制することができる。従って、電子デバイスの性能低下を抑制し、電子デバイスの信頼性を高めることができる。
従って、バリア層を酸化ハフニウムまたは酸化タンタルで構成することによって、バリア層を酸化アルミニウムで構成する場合と比べて、バリア層の大気中の水分(湿気)に対するバリア性を強くし、機能層が配置されている側への水分侵入をより強く抑制することができる。
さらに、前駆体を形成する工程と、原子層堆積膜を形成する工程とを繰り返すと、化合物の単分子層(原子層堆積膜)が一層ずつ積層され、化合物の単分子層が一層ずつ積層された積層膜(バリア層)が形成される。
さらに、第1面及び第3面を覆うバリア層を除去する工程によって、第1面及び第3面(電子デバイスの性能に影響する部分)はバリア層で覆われないので、電子デバイスの性能に影響する部分がバリア層で覆われることによる悪影響を抑制することができる。
さらに、樹脂層(第5面)の第2面から第4面に向かう方向の寸法(凹部の底面の寸法)が、樹脂層(第5面)の第1の端からの離間距離(凹部の側面の寸法)、及び樹脂層(第5面)の第2の端からの離間距離(凹部の側面の寸法)の1/50以下となるように設定されている。すなわち、凹部の側面の寸法に対する凹部の底面の寸法の割合が、1/50以下となるように、凹部が形成されている。
さらに、第1面及び第3面(電子デバイスの性能に影響する部分)はバリア層で覆われないので、電子デバイスの性能に影響する部分がバリア層で覆われることによる悪影響を抑制することができる。
「液晶パネルの概要」
実施形態1に係る液晶パネル1は、薄膜トランジスター(以降、TFTと称す)30を備えた透過型液晶パネルであり、例えば液晶プロジェクターの光変調素子として好適に用いることができるものである。
なお、液晶パネル1は、「電子デバイス」の一例である。
以下、図1乃至図3を参照し、本実施形態に係る液晶パネル1の概要について説明する。
なお、素子基板10は「第1基板」の一例であり、対向基板20は「第2基板」の一例であり、液晶層50は「機能層」の一例である。
なお、シール材54は「樹脂層」の一例である。
なお、液晶層50は、「電気的に光学特性が変化する機能層」の一例である。
上下導通部106は、例えば金などの導電性粒子が分散された樹脂であり、導電性を有する。
なお、上下導通部106は「樹脂層」の一例である。
TFT30、データ線駆動回路101、及び走査線駆動回路102は、素子基板本体10aの上に形成され、半導体層、複数の導電層、及び複数の絶縁層を有している。TFT30は、例えばnチャネル型TFTで構成されている。データ線駆動回路101及び走査線駆動回路102は、例えばnチャネル型TFTとpチャネル型TFTとを備えたCMOS型TFTで構成されている。
第1配向層41は、例えば酸化シリコンで構成される無機配向層であり、画素電極9を覆う。
本実施形態は、シール材54の耐湿性を高め、大気中の水分(湿気)を液晶層50の中に侵入しにくくする優れた構成を有しているので、以下にその詳細(液晶パネル1の特長)を説明する。
図4は、図2に対応する図であり、図1のA−A線に沿った液晶パネルの概略断面図である。なお、同図では、本実施形態に係る液晶パネル1の特長を分かりやすくするため、素子基板10の構成要素や、対向基板20の構成要素の図示が省略されている。さらに、同図では、液晶パネル1(液晶層50)によって変調される光51が一点鎖線の矢印で示されている。
第2面12から第4面24に向かう方向において、素子基板10の第1の端13とシール材54との間の寸法(離間距離)、及び対向基板20の第2の端25とシール材54との間の寸法(離間距離)は、共にL2である。すなわち、シール材54の第1の端13からの離間距離、及びシール材54の第2の端25からの離間距離は、共にL2である。
以降の説明では、シール材54の寸法L1に対する離間距離L2の割合をアスペクト比と称す。本実施形態では、シール材54は、アスペクト比が50以上となるように、第1の端13及び第2の端25の内側(液晶層50の側)に配置されている。
さらに、第1の端13及び第2の端25は、バリア層57から液晶層50の反対側に張り出して配置されているので、バリア層57は第1の端13及び第2の端25によって保護され、機械的衝撃によって傷つきにくくなっている。従って、シール材54の第5面55をバリア層57で覆うと、バリア層57がシール材54への水分侵入を安定して抑制し、大気中の水分(湿気)が液晶層50の中に侵入しにくくなる。
すなわち、シール材54の第5面55をバリア層57で覆うことによって、シール材54の耐湿性が高められ、焼き付きや表示ムラなどの表示不具合を抑制することができる。
なお、光51の強度を低下させる光の干渉(多重干渉)は、バリア層57の光路長(膜厚×屈折率)や、光51の波長などによって変化する。
換言すれば、本実施形態は、バリア層57が、第1面11及び第3面23の少なくとも一部(表示領域Vの第1面11及び表示領域Vの第3面23)を覆わず、第5面55を覆う構成を有している。
また、素子基板10の外部接続用端子103が形成される部分は、バリア層57で覆われていなく、外部接続用端子103は露出している。
図5は、本実施形態に係る液晶パネルの製造方法を示す工程フローである。図6は、バリア層を形成する薄膜形成装置の概略図である。図7A乃至図7Dは、図4に対応する図であり、図5に示す主要な工程を経た後の液晶パネルの状態を示す概略断面図である。図8A及び図8Bは、図7Bの二点鎖線で囲まれた領域Aの概略断面図であり、反応種の拡散の状態を示す模式図である。図8Cは、図7Bの二点鎖線で囲まれた領域Aの概略断面図であり、ステップS5を経た後の状態を示す模式図である。
なお、図8A及び図8Bでは、反応種72の拡散方向や拡散距離が、図中の矢印で模式的に示されている。
次に、図5と、図6と、図7A乃至図7Dと、図8A乃至図8Cとを参照し、本実施形態に係る液晶パネル1の製造方法について説明する。なお、以降の説明では、バリア層57が形成されていない状態の液晶パネル1を、液晶パネル1Aと称する。
枠形状のシール材54の内側に液晶層50を滴下した後、対向基板20を貼りあわせ、紫外線の照射と熱処理とを施し、シール材54を硬化させて液晶パネル1Aを形成する。なお、枠形状のシール材54の外側の四隅に滴下された樹脂ペーストは、当該熱処理によって硬化され、上下導通部106(図1参照)となる。また、液晶パネル1Aは、図4に示す液晶パネル1からバリア層57が削除された構成を有している。
すなわち、ステップS2とステップS3とステップS4とは、ステップS1以降に処理されている。なお、ステップS1とステップS2との間に他の工程を有していてもよい。
すなわち、前駆体70は、材料ガスの表面吸着によって形成されたTDMAHの単分子層である。
すなわち、原子層堆積膜71は、前駆体70を酸化することによって形成された酸化ハフニウムの単分子層である。
なお、把持部88で把持された部分(把持部88で把持された部分の素子基板10)には、前駆体70や原子層堆積膜71は形成されない。
反応種72は、反応室81と別のチャンバー(リモートプラズマ室84)で形成され、イオン種の影響やプラズマを発生させる電界の影響が抑制されているので、反応室81に導入された反応種72は、特定方向に拡散(進行)するのでなく、等方的に拡散(進行)する。
図8Aに示すように、反応種72Aは、第1面11と第1の端13と第3面23と第2の端25とを覆う原子層堆積膜71に略同時期に到達し、第1面11と第1の端13と第3面23と第2の端25とを覆う原子層堆積膜71をエッチングする。
このため、第5面55を覆う原子層堆積膜71のエッチングが進行しない状態で、第1面11及び第3面23を覆う原子層堆積膜71をエッチング除去する選択エッチングを実現するためには、凹部65のアスペクト比を50以上に大きくする必要がある。仮に、凹部65のアスペクト比を50よりも小さくすると、ステップS4によって第5面55を覆う原子層堆積膜71が局所的にエッチングされるという不具合が生じるおそれがある。
このため、ステップS4を経た後の第2面12及び第4面24を覆う原子層堆積膜71の状態は、凹部65の形状や、反応種72に曝される時間(エッチング時間)によって変化する。
ステップS4では、第5面55を覆う原子層堆積膜71がエッチングされないように、凹部65の形状や、反応種72に曝される時間(エッチング時間)を制御することが重要である。
なお、上述した図4及び図7Dでは、バリア層57A及びバリア層57Bの図示が省略され、第5面55を覆うバリア層57Cの厚さが略均一である状態が、模式的に図示されている。
本実施形態では、上述した材料ガスにTDMAHを使用して形成された酸化ハフニウムをバリア層57とする場合以外に、材料ガスにTBTEMT(トリス(エチルメチルアミノ)ターシャリーブチルイミノタンタル(Ta[NC(CH3)3][N(C2H5)CH3]3))を使用して形成された酸化タンタルをバリア層57とする場合、及び材料ガスにTMA(トリメチルアルミニウム(Al(CH3)3))を使用して形成された酸化アルミニウムをバリア層57とする場合に関しても同様の評価を行った。
さらに、バリア層57(酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化アルミニウム)を形成する場合の材料ガスと反応性ガスとの処理温度は概略120℃であり、バリア層57(酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化アルミニウム)の膜厚は概略20〜30nmである。
また、図10では、バリア層57を酸化ハフニウム、酸化タンタル、または酸化アルミニウムのいずれかで形成した場合の液晶パネル1と、バリア層57を形成していない場合の液晶パネルとが図示されている。
なお、バリア層57が酸化ハフニウムである液晶パネル1は、バリア層57が酸化タンタルである液晶パネル1と比べて、液晶層50の比抵抗の逆数は値が小さいので、より高い信頼性を有している。
図11は、実施形態2に係る液晶パネルの製造方法を示す工程フローである。図12は、図4に対応する図であり、ステップS12の処理の状態を示す模式図である。
本実施形態では、液晶パネル1の製造方法が実施形態1と異なる。
以下、図11及び図12を参照し、本実施形態に係る液晶パネル1の製造方法を、実施形態1との相違点を中心に説明する。また、実施形態1と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
また、ステップS1乃至ステップS3は、実施形態1と同じであるので、説明を省略する。
すなわち、ステップS2とステップS3とステップS11とステップS12とは、ステップS1以降に処理されている。なお、ステップS1とステップS2との間に他の工程を有していてもよい。
図13は、図4に対応する図であり、実施形態3に係る液晶パネルの概略断面図である。図14は、本実施形態に係る液晶パネルの製造方法を示す工程フローである。
本実施形態では、第5面55に加えて、第1面11及び第3面23もバリア層57で覆われている。この点が、本実施形態と、実施形態1及び実施形態2との主な相違点である。
以下、図13及び図14を参照し、本実施形態に係る液晶パネル2の概要を、実施形態1及び実施形態2との相違点を中心に説明する。また、実施形態1及び実施形態2と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
なお、図示を省略するが、素子基板10の外部接続用端子103が形成される部分は、バリア層57で覆われていなく、外部接続用端子103は露出している。
なお、素子基板10の外部接続用端子103が形成される部分は、マスキングテープによって保護され、前駆体70によって覆われないようになっている。
従って、第3面23及び第1面11がバリア層57で覆われても、バリア層57における光の干渉(多重干渉)の影響が小さくなり、バリア層57を透過する光51の強度(輝度)の低下を抑制することができる。
図15は、電子機器としての投射型表示装置(液晶プロジェクター)の構成を示す概略図である。次に、図15を参照し、本実施形態に係る電子機器について説明する。
ダイクロイックミラー1105で反射した緑色光(G)は、リレーレンズ1204を経由して液晶ライトバルブ1220に入射する。
ダイクロイックミラー1105を透過した青色光(B)は、3つのリレーレンズ1201,1202,1203と2つの反射ミラー1107,1108とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ1230に入射する。
他の液晶ライトバルブ1220,1230も同様である。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
図16は、本変形例に係る有機エレクトロルミネッセンス(以降、有機ELと称す)パネルの概要を示す概略平面図である。
本変形例に係る有機ELパネル200は、電子デバイスの一例であり、自発光型の表示装置である。
有機EL素子270は、画素電極と、発光機能層280と、対向電極とを有している。画素電極は、発光機能層280に正孔を供給する陽極として機能する。対向電極は、発光機能層280に電子を供給する陰極として機能する。画素電極から供給される正孔と、対向電極から供給される電子とが発光機能層280で結合し、発光機能層280が白色に発光する。
なお、発光機能層280は、「電気的に光学特性が変化する機能層」の一例である。
さらに、本発明は、「電子デバイス」の一例である圧電素子を有する液体吐出ヘッドに適用することができる。液体吐出ヘッドは、圧電素子を有し、圧電素子の変位によってノズルから液滴を吐出することができる。液体吐出ヘッドは、例えば「電子機器」の一例である液体吐出装置(プリンター)に適用させることができる。
詳しくは、圧電体層が配置された領域を囲むようにシール材54を形成し、圧電体層をシール材54によって大気から隔離する。さらに、シール材54の圧電体層と反対側の面(大気側の面)を、上述した実施形態1,2と同じ構成のバリア層57で覆う。すると、バリア層57によって大気中の水分(湿気)は圧電体層が配置された領域に配置される側に侵入しにくくなるので、水分による圧電体層の劣化が抑制され、液体吐出ヘッドの液滴吐出性能や信頼性を高めることができる。
さらに、本発明は、例えばプリンターなどの画像記録装置に用いられる液体吐出ヘッド以外に、例えば液晶ディスプレイなどのカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、例えば有機ELディスプレイ、FED(電界放出ディスプレイ)などの電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、例えばバイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッドなどにも適用させることができる。
さらに、本発明は、上述した液体吐出ヘッド以外のMEMSデバイスにも適用可能である。すなわち、バリア層57によって大気中の水分(湿気)を、MEMSデバイスの機能層が配置された領域に配置される側に侵入しにくくし、水分によるMEMSデバイスの機能層の劣化を抑制し、MEMSデバイスの信頼性を高めることができる。
例えば、SAWデバイス(表面弾性波デバイス)、超音波デバイス、モーター、圧力センサー、焦電素子、及び強誘電体素子などのMEMSデバイスに対して、本発明を適用させることができる。
Claims (2)
- 第1面と、前記第1面に対向する第2面と、前記第1面及び前記第2面に交差する第1の端とを有する第1基板と、
第3面と、前記第3面に対向する第4面と、前記第3面及び前記第4面に交差する第2の端とを有する第2基板と、
前記第2面と前記第4面との間に配置される機能層と、
前記第2面と前記第4面との間に配置され、前記機能層を大気から隔離する樹脂層と、
前記樹脂層の前記機能層が配置される側と反対側の第5面を覆うバリア層と、
を含み、
前記第1の端及び前記第2の端が、前記樹脂層から前記機能層の反対側に張り出して配置される電子デバイスの製造方法であって、
前記第2面と前記第4面との間の寸法が、前記第1の端からの離間距離及び前記第2の端からの離間距離の1/50以下となるように、前記樹脂層を形成した以降の工程において、
前記第1面と前記第3面と前記第5面とに材料ガスを吸着させて前記バリア層の原子層堆積膜の前駆体を形成する工程と、前記前駆体と反応性ガスとを反応させて前記第1面と前記第3面と前記第5面とを覆う前記原子層堆積膜を形成する工程と、を繰り返して前記バリア層を形成する工程と、
前記バリア層をエッチングする反応種を導入し、前記第1面及び前記第3面を覆う前記バリア層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 第1面と、前記第1面に対向する第2面と、前記第1面及び前記第2面に交差する第1の端とを有する第1基板と、
第3面と、前記第3面に対向する第4面と、前記第3面及び前記第4面に交差する第2の端とを有する第2基板と、
前記第2面と前記第4面との間に配置される機能層と、
前記第2面と前記第4面との間に配置され、前記機能層を大気から隔離する樹脂層と、
前記樹脂層の前記機能層が配置される側と反対側の第5面を覆うバリア層と、
を含み、
前記第1の端及び前記第2の端が、前記樹脂層から前記機能層の反対側に張り出して配置される電子デバイスの製造方法であって、
前記第2面と前記第4面との間の寸法が、前記第1の端からの離間距離及び前記第2の端からの離間距離の1/50以下となるように、前記樹脂層を形成した以降の工程において、
材料ガスを導入し、前記第1面と前記第3面と前記第5面とに前記材料ガスを吸着させ、前記バリア層の原子層堆積膜の前駆体を形成する工程と、
反応性ガスを導入し、前記前駆体と前記反応性ガスとを反応させ、前記第1面と前記第3面と前記第5面とを覆う前記原子層堆積膜を形成する工程と、
前記原子層堆積膜をエッチングする反応種を導入し、前記第1面及び前記第3面を覆う前記原子層堆積膜を除去する工程と、
を繰り返し、前記バリア層を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016010394A JP6699195B2 (ja) | 2016-01-22 | 2016-01-22 | 電子デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016010394A JP6699195B2 (ja) | 2016-01-22 | 2016-01-22 | 電子デバイスの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017129799A JP2017129799A (ja) | 2017-07-27 |
JP2017129799A5 JP2017129799A5 (ja) | 2018-10-18 |
JP6699195B2 true JP6699195B2 (ja) | 2020-05-27 |
Family
ID=59396164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016010394A Active JP6699195B2 (ja) | 2016-01-22 | 2016-01-22 | 電子デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6699195B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7106410B2 (ja) * | 2018-09-24 | 2022-07-26 | シチズンファインデバイス株式会社 | 強誘電性液晶セルの製造方法 |
CN111190310B (zh) * | 2018-11-15 | 2022-11-18 | 立景光电股份有限公司 | 显示面板 |
JP2021001966A (ja) * | 2019-06-21 | 2021-01-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、及び電子機器 |
KR102448198B1 (ko) * | 2020-11-09 | 2022-09-29 | 솔루스첨단소재 주식회사 | 배리어 실란트 조성물 및 이를 이용한 표시패널의 제조방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4082239B2 (ja) * | 2003-02-27 | 2008-04-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
JP2011059374A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その製造方法、および電子機器 |
KR101977708B1 (ko) * | 2012-09-04 | 2019-08-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20140122910A (ko) * | 2013-04-11 | 2014-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP6361327B2 (ja) * | 2014-07-02 | 2018-07-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、及び電子機器 |
-
2016
- 2016-01-22 JP JP2016010394A patent/JP6699195B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017129799A (ja) | 2017-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6699195B2 (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
TWI283142B (en) | Display apparatus | |
KR100794841B1 (ko) | 시일 구조체, 시일 방법, 액정 장치, 그 제조 방법 및프로젝터 | |
TW201547081A (zh) | 密封構造之形成方法、密封構造之製造裝置和有機el元件構造、其製造方法及其製造裝置 | |
JP2008145461A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2007240690A (ja) | 液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
US9812470B2 (en) | Electro-optical apparatus and electronic apparatus | |
US10852600B2 (en) | Electrooptical device and electronic apparatus | |
US8698967B2 (en) | Electro-optic device, electronic device, and method of manufacturing electro-optic device | |
JP2011221435A (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
JP2007219364A (ja) | 液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器 | |
JP6123250B2 (ja) | 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP2012058562A (ja) | 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP2012255960A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
JP6229295B2 (ja) | 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 | |
US10948783B2 (en) | Liquid crystal apparatus and electronic device | |
JP2014010211A (ja) | 液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器 | |
WO2018150910A1 (ja) | 液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器 | |
JP2014010210A (ja) | 液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器 | |
JP2014211592A (ja) | 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP7302398B2 (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
US11656504B2 (en) | Liquid crystal apparatus and electronic device | |
JP5604477B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2008083327A (ja) | 液晶装置の製造方法 | |
JP2008083222A (ja) | 液晶装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20180906 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180910 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180910 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20181119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190702 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190628 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190806 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191210 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191223 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200331 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200413 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6699195 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |