JP2014010211A - 液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶中の不純物を効率的にトラップ可能な液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００は、一対の基板と、対向配置された一対の基板を接着し、一対の基板の隙間に液晶を注入するための第１注入口４２が設けられた第１シール部４１と、第１シール部４１よりも内側に配置され、第１シール部４１の第１注入口４２が設けられた辺部以外の辺部側において画素領域Ｅに連通する第２注入口４４を有して液晶の迂回進入経路４５を第１シール部４１との間で構成する第２シール部４３と、一対の基板にそれぞれ設けられた無機配向膜１８，２４と、を有し、一対の基板の少なくとも一方において、迂回進入経路４５の無機配向膜１８，２４は、画素領域Ｅにおける無機配向膜１８，２４よりも表面の粗さが大きい部分を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、液晶装置を備えた電子機器に関する。

液晶装置は、一対の基板間に挟持された液晶層を有している。液晶装置の製造過程において液晶層に不純物が混じると、不純物の影響で初期的な表示欠陥が生じたり、焼き付きなど長期間に渡っての表示品質の確保が困難になったりするといった信頼性に纏わる課題が生ずるおそれがあった。

このような不純物による液晶層の汚染を低減するために、特許文献１〜特許文献３には、一対の基板間に液晶を注入するにあたって、専用の流入経路を設け、流入経路の配向膜に不純物をトラップさせ、表示領域に不純物を到達させ難くする方法が開示されている。

特開平１−２３７６２０号公報 特開平６−１７５１４２号公報 特開２００２−３５０８８２号公報

しかしながら、例えば液晶装置が小型化すると十分な専用の流入経路を設けることが困難になり、流入経路の配向膜に不純物を効率的にトラップさせることができなくなるという課題があった。
また、不純物をトラップさせる配向膜として上記特許文献に示されているポリイミド系の有機配向膜を用いた場合、有機配向膜は外光や照明装置などの光によって劣化し易く、有機配向膜の劣化に伴って一旦トラップされた不純物が表示領域に拡散して、表示品質を低下させるおそれがあった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、一対の基板と、対向配置された前記一対の基板を接着し、前記一対の基板の隙間に液晶を注入するための第１注入口が設けられた第１シール部と、前記第１シール部よりも内側に配置され、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において画素領域に連通する第２注入口を有して前記液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部と、前記一対の基板のそれぞれに設けられた無機配向膜と、を有し、前記一対の基板の少なくとも一方において、前記迂回進入経路の前記無機配向膜は、前記画素領域における前記無機配向膜よりも表面の粗さが大きい部分を有することを特徴とする。

本適用例によれば、液晶注入時に迂回進入経路の無機配向膜において液晶中に含まれる不純物を効率的にトラップさせることができる。これにより、画素領域には不純物が少ない状態の液晶が充填される。また、無機配向膜は有機配向膜に比べて耐光性が優れているので、一旦トラップされた不純物が再び拡散することを抑制できる。すなわち、安定した表示品質を有する液晶装置を提供できる。

［適用例２］上記適用例に係る液晶装置において、前記迂回進入経路のうち前記第１注入口に近い側に前記無機配向膜の表面の粗さが大きい部分を有することが好ましい。
この構成によれば、液晶注入時の早い段階で液晶中に含まれる不純物をトラップできる。

［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記迂回進入経路の前記無機配向膜における表面の粗さが大きい部分には、複数の微孔が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、複数の微孔によって不純物を効率的にトラップできる。

［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、前記画素領域と前記迂回進入経路とに亘って配置された電極を有し、前記電極は前記無機配向膜によって被覆され、前記迂回進入経路の前記電極は、前記画素領域の前記電極よりも表面の粗さが大きい部分を有するとしてもよい。
この構成によれば、迂回進入経路の電極を覆う無機配向膜の表面に粗さが大きい部分を間接的に構成することができる。また、無機配向膜を表面処理してその表面を荒す必要がなく、電極は無機配向膜で覆われるので、該表面処理による残渣が液晶の配向に影響を及ぼし難い。

［適用例５］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、一対の基板の少なくとも一方において、画素領域と前記画素領域の周辺に亘って無機配向膜を形成する工程と、前記画素領域の周辺の無機配向膜の少なくとも一部の表面を荒す表面処理工程と、前記一対の基板うちいずれか一方に、第１注入口を有する第１シール部を形成する工程と、前記第１シール部よりも内側であって、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において前記画素領域に連通する第２注入口を有して液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部を形成する工程と、前記一対の基板を対向配置し、前記第１シール部と前記第２シール部とにより接着する工程と、前記第１注入口から前記迂回進入経路を経由して前記一対の基板の隙間に前記液晶を注入する液晶注入工程と、を備えたことを特徴とする。

本適用例によれば、液晶注入時に迂回進入経路の無機配向膜において液晶中に含まれる不純物を効率的にトラップすることができる。これにより、画素領域には不純物が少ない状態の液晶が充填される。また、無機配向膜は有機配向膜に比べて耐光性が優れているので、一旦トラップされた不純物が再び拡散することを抑制できる。すなわち、安定した表示品質を有する液晶装置を製造することができる。

［適用例６］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、一対の基板の少なくとも一方において、画素領域と前記画素領域の周辺に第１無機配向膜を形成する工程と、前記第１無機配向膜の表面を荒す表面処理工程と、前記第１無機配向膜に積層して、少なくとも前記画素領域に第２無機配向膜を形成する工程と、前記一対の基板うちいずれか一方に、第１注入口を有する第１シール部を形成する工程と、前記第１シール部よりも内側であって、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において前記画素領域に連通する第２注入口を有して液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部を形成する工程と、前記一対の基板を対向配置し、前記第１シール部と前記第２シール部とにより接着する工程と、前記第１注入口から前記迂回進入経路を経由して前記一対の基板の隙間に前記液晶を注入する液晶注入工程と、を備えたことを特徴とする。

本適用例によれば、液晶注入時に迂回進入経路の第１無機配向膜において液晶中に含まれる不純物を効率的にトラップすることができる。これにより、画素領域には不純物が少ない状態の液晶が充填される。また、無機配向膜は有機配向膜に比べて耐光性が優れているので、一旦トラップされた不純物が再び拡散することを抑制できる。すなわち、安定した表示品質を有する液晶装置を製造することができる。
また、画素領域では、表面処理が施された第１無機配向膜に積層して第２無機配向膜が形成されるので、該表面処理の残渣の影響が画素領域に及び難い。

［適用例７］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、一対の基板の少なくとも一方において、画素領域と前記画素領域の周辺に電極を形成する工程と、前記画素領域の周辺の前記電極の少なくとも一部の表面を荒す表面処理工程と、前記電極を覆って無機配向膜を形成する工程と、前記一対の基板うちいずれか一方に、第１注入口を有する第１シール部を形成する工程と、前記第１シール部よりも内側であって、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において前記画素領域に連通する第２注入口を有して液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部を形成する工程と、前記一対の基板を対向配置し、前記第１シール部と前記第２シール部とにより接着する工程と、前記第１注入口から前記迂回進入経路を経由して前記一対の基板の隙間に前記液晶を注入する液晶注入工程と、を備えたことを特徴とする。

本適用例によれば、迂回進入経路の電極を覆う無機配向膜に表面の粗さが画素領域よりも大きい部分が生ずる。したがって、液晶注入時に迂回進入経路の電極を覆う無機配向膜において液晶中に含まれる不純物を効率的にトラップすることができる。これにより、画素領域には不純物が少ない状態の液晶が充填される。また、無機配向膜は有機配向膜に比べて耐光性が優れているので、一旦トラップされた不純物が再び拡散することを抑制できる。すなわち、安定した表示品質を有する液晶装置を製造することができる。

［適用例８］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記表面処理工程は、被処理部にイオンビームを照射して複数の微孔を形成することが好ましい。
この方法によれば、表面処理を施さない部分をマスキングすることなく、被処理部に複数の微孔を形成することができる。つまり、選択的な表面処理を容易に行うことができる。

［適用例９］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、一対の基板の少なくとも一方において、画素領域をマスキングして前記画素領域の周辺に第１の成膜条件で第１のＩＴＯ膜を成膜する工程と、前記第１のＩＴＯ膜が形成された領域をマスキングして、前記画素領域に前記第１の成膜条件よりも酸素ガス流量が多い条件で第２のＩＴＯ膜を成膜する工程と、前記第１のＩＴＯ膜及び前記第２のＩＴＯ膜を覆って無機配向膜を形成する工程と、前記一対の基板うちいずれか一方に、第１注入口を有する第１シール部を形成する工程と、前記第１シール部よりも内側であって、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において前記画素領域に連通する第２注入口を有して液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部を形成する工程と、前記一対の基板を対向配置し、前記第１シール部と前記第２シール部とにより接着する工程と、前記第１注入口から前記迂回進入経路を経由して前記一対の基板の隙間に前記液晶を注入する液晶注入工程と、を備えたことを特徴とする。

例えば真空蒸着法を用いてＩＴＯ膜を成膜する際に、酸素ガス流量を制御することで成膜後のＩＴＯ結晶の成長度合いすなわちＩＴＯ膜の表面の粗さを制御することができる。
本適用例によれば、第１のＩＴＯ膜は、画素領域に形成される第２のＩＴＯ膜に比べて酸素ガス流量が少ない条件で成膜される。したがって、第１のＩＴＯ膜の表面の粗さは第２のＩＴＯ膜よりも大きくなる。よって、迂回進入経路の第１のＩＴＯ膜を覆う無機配向膜の表面に画素領域よりも粗さが大きい部分が生じ、当該部分において液晶中に含まれる不純物を効率的にトラップすることができる。これにより、画素領域には不純物が少ない状態の液晶が充填される。また、無機配向膜は有機配向膜に比べて耐光性が優れているので、一旦トラップされた不純物が再び拡散することを抑制できる。すなわち、安定した表示品質を有する液晶装置を製造することができる。

［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えたことを特徴とする。
これによれば、安定した表示品質が得られる電子機器を提供することができる。

（ａ）は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図。 （ａ）及び（ｂ）は第１実施形態の液晶装置における無機配向膜を示す概略平面図。 画素領域における無機配向膜及び液晶分子の配向状態を示す概略断面図。 第１実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート。 斜方蒸着装置の構成を示す概略図。 （ａ）〜（ｄ）は表面処理工程を示す概略図。 （ａ）及び（ｂ）は貼り合わせ工程と液晶注入・封止工程を説明する概略図。 （ａ）はマザー基板の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＪ−Ｊ’線に沿った概略断面図。 表面処理工程におけるイオンビームの照射条件と膜密度との関係を示す表。 （ａ）及び（ｂ）は無機配向膜の表面が示された電子顕微鏡写真。 第２実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート。 第２実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図。 第３実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート。 第３実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図。 第４実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｅ）は第４実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略図。 電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。 （ａ）〜（ｃ）は変形例の無機配向膜を示す概略平面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

＜液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１（ａ）は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図、図２（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態の液晶装置における無機配向膜を示す概略平面図、図３は画素領域における無機配向膜及び液晶分子の配向状態を示す概略断面図である。

図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０の基材１０ａ及び対向基板２０の基材２０ａは、いずれも透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。

本発明における一方の基板としての素子基板１０は他方の基板としての対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置された第１シール部４１と、第１シール部４１よりも内側に配置された第２シール部４３とを介して接着され、その隙間に負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０が構成されている。第１シール部４１及び第２シール部４３は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。第１シール部４１及び第２シール部４３には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

第２シール部４３の内側に複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅが設けられている。また、第１シール部４１と画素領域Ｅとの間に画素領域Ｅを取り囲んで見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１では図示省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。

素子基板１０には、複数の外部接続端子１０４が設けられている。複数の外部接続端子１０４が配列した素子基板１０の部分を第１の辺部と呼ぶ。
素子基板１０の上記第１の辺部と上記第１の辺部に沿った第１シール部４１との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿った第１シール部４１と第２シール部４３との間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿った第１シール部４１と第２シール部４３との間にそれぞれ走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部の第１シール部４１と第２シール部４３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。

これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と画素領域Ｅとの間において第１シール部４１と第２シール部４３との間に設けてもよい。

図１（ｂ）に示すように、基材１０ａの液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなる透光性の画素電極１５及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う無機配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における基板としての素子基板１０は、少なくとも基材１０ａと、基材１０ａ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、無機配向膜１８を含むものである。

素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、少なくとも基材２０ａと、基材２０ａ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う無機配向膜２４とを含むものである。

見切り部２１は、図１（ａ）に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極１５を覆う無機配向膜１８及び共通電極２３を覆う無機配向膜２４は、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法（蒸着法やスパッタ法など）を用いて成膜することで得られ、負の誘電異方性を有する液晶分子を膜面に対して略垂直配向させるものである。

このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。

本実施形態の液晶装置１００は、上述したように一対の基板が第１シール部４１と第２シール部４３とによって接着された二重シール構造が採用されている。外側の第１シール部４１のデータ線駆動回路１０１に沿った長辺部に第１注入口４２が設けられている。内側の第２シール部４３の検査回路１０３に沿った長辺部に第２注入口４４が設けられている。第１シール部４１と第２シール部４３とにより画素領域Ｅを取り囲んだ液晶の迂回進入経路４５が構成されている。負の誘電異方性を有する液晶（液晶分子）は、真空注入法を用いて第１注入口４２から注入され、迂回進入経路４５を経て第２注入口４４から画素領域Ｅに充填される。液晶が注入された後に、第１注入口４２は、例えば紫外線硬化型のアクリル系樹脂からなる封止材１０８によって封止される。

また、本実施形態では、画素領域Ｅにおける無機配向膜１８，２４の表面の粗さに対して、迂回進入経路４５における無機配向膜１８，２４の表面の粗さを大きくしている。迂回進入経路４５における無機配向膜１８，２４の表面の粗さが大きい部分は、画素領域Ｅの無機配向膜１８，２４に比べて凹凸が多くなり、実質的な表面積を増やすことができる。これにより、液晶中に不純物が含まれていた場合、液晶注入時に当該不純物を上記迂回進入経路４５の無機配向膜１８，２４で効率的にトラップすることが可能となる。
なお、「不純物」とは、液晶自体に本来含まれない金属などの無機物や樹脂などの有機物、またはこれらの混合物、あるいはこれらのイオン性物質を指し、主に液晶装置１００の製造の過程で注入前の液晶に含まれるものを指す。

次に、図２を参照して無機配向膜について説明する。図２（ａ）に示すように、素子基板１０側では、画素領域Ｅとその周辺に亘って無機配向膜１８が形成されている。無機配向膜１８の配向処理方向は、四角形の基材１０ａの右上から左下に向かう実線の矢印で示す方向である。Ｙ方向と当該配向処理方向とがなす角度θａはおよそ４５度である。当該配向処理方向は、無機配向膜１８を成膜するときの成膜方向における方位にほぼ合致している。

画素領域Ｅを含む第１領域Ｅ１における無機配向膜１８に対して、第１領域Ｅ１を取り囲む周辺領域である第２領域Ｅ２における無機配向膜１８の表面の粗さが大きくなっている。

図２（ｂ）に示すように、対向基板２０側では、画素領域Ｅよりも一回り大きな第３領域Ｅ３と、第３領域Ｅ３を取り囲む周辺領域である第４領域Ｅ４とに亘って無機配向膜２４が形成されている。無機配向膜２４の配向処理方向は、四角形の基材２０ａの左下から右上に向かう破線の矢印で示す方向である。Ｙ方向と当該配向処理方向とがなす角度θａは素子基板１０側と同じくおよそ４５度である。当該配向処理方向は、無機配向膜２４を成膜するときの成膜方向における方位にほぼ合致している。

第３領域Ｅ３における無機配向膜２４に対して、第４領域Ｅ４における無機配向膜２４の表面の粗さが大きくなっている。

前述した迂回進入経路４５は、素子基板１０側では第２領域Ｅ２に形成され、対向基板２０側では第４領域Ｅ４に形成される。本実施形態では、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２との境界（あるいは第３領域Ｅ３と第４領域Ｅ４の境界）に第２シール部４３（図１（ａ）参照）が配置されている。

素子基板１０側の無機配向膜１８と対向基板２０側の無機配向膜２４とは互いに１８０度反転した配向処理方向を有するものであって、１軸垂直配向処理と呼ばれている。それぞれの配向処理方向は、上述した方向に限定されない。例えば、無機配向膜１８と無機配向膜２４の配向処理方向を入れ替えてもよい。また、基材１０ａ，２０ａの左上から右下に向かう、あるいは右下から左上に向かう配向処理方向として、当該配向処理方向とＹ方向とがなす角度θａを４５度としてもよい。

図３は画素領域Ｅにおける無機配向膜１８，２４と液晶層５０における液晶分子ＬＣの配向状態を示すものである。図３に示すように、素子基板１０の画素電極１５を覆う無機配向膜１８は、例えば酸化シリコンを斜方蒸着して得られた酸化シリコンの柱状結晶体１８ａの集合体である。基材１０ａの法線と実線の矢印で示した成膜方向とがなす角度θｂは、およそ４５度である。柱状結晶体１８ａが基材１０ａの表面から成長する方向と法線とがなす角度θｃは必ずしも上記角度θｂと同じにならず、この場合は、およそ２０度である。このような無機配向膜１８の膜面において負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは長軸が上記成膜方向側に傾いたプレチルトを有して略垂直配向している。基材１０ａの法線と液晶分子ＬＣの長軸とがなすプレチルト角θｐはおよそ４度である。言い換えれば、液晶分子ＬＣのプレチルト角θｐがおよそ４度となるように、柱状結晶体１８ａの基材１０ａに対する成長の角度θｃが制御されている。つまり成膜時の角度θｂが制御されている。

同様に、対向基板２０側の共通電極２３を覆う無機配向膜２４は、例えば酸化シリコンを斜方蒸着して得られた酸化シリコンの柱状結晶体２４ａの集合体である。基材２０ａの法線と破線の矢印で示した成膜方向とがなす角度θｂは、およそ４５度である。無機配向膜２４の膜面（柱状結晶体２４ａ）に対して液晶分子ＬＣは成膜方向側にプレチルトを有した状態で略垂直配向している。柱状結晶体１８ａ，２４ａの成長方向は断面視で平行しており交差していない。以降、柱状結晶体をカラムと称して説明する。

このような無機配向膜１８，２４を有する一対の基板によって液晶層５０が挟持されたものを液晶パネル１１０と呼ぶ。液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子８１，８２が配置されて用いられる。
基材１０ａ（あるいは基材２０ａ）の法線方向から見た液晶分子ＬＣのプレチルトの所定の方向は、図２（ａ）及び（ｂ）に示したように無機配向膜１８，２４における斜方蒸着の平面的な成膜方向と同じである。このような１軸垂直配向処理の上記所定の方向は、液晶装置１００の光学設計条件に基づいて適宜設定される。本実施形態では、上記所定の方向は光の入射方向と射出方向とに配置される偏光素子８１，８２の透過軸または吸収軸に対して４５°の角度で交わっている。これにより、画素電極１５と共通電極２３との間に所定電位を与えて液晶層５０を駆動したときに最大のコントラストが得られる構成となっている。

迂回進入経路４５における無機配向膜１８，２４の表面の粗さを画素領域Ｅよりも大きくする方法について、液晶装置の製造方法において詳しく説明する。

＜液晶装置の製造方法＞
次に、本実施形態の液晶装置１００の製造方法について、図４〜図８を参照して説明する。素子基板１０における画素電極１５、ＴＦＴ３０、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３、信号配線などは、公知の方法を用いて形成することができる。同様に、対向基板２０における見切り部２１、平坦化層２２、共通電極２３も公知の方法を用いて形成することができる。ここでは、本発明の特徴部分である無機配向膜１８，２４の表面を荒す表面処理について説明する。

図４は第１実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャートである。図４に示すように、本実施形態の液晶装置１００の製造方法は、素子基板１０側における画素電極形成工程（ステップＳ１）と、対向基板２０側における共通電極形成工程（ステップＳ２）と、無機配向膜形成工程（ステップＳ３）と、表面処理工程（ステップＳ４）と、シール形成工程（ステップＳ５）とを有している。また、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる工程（ステップＳ６）と、貼り合わされた素子基板１０と対向基板２０との間に真空注入法を用いて液晶を注入・封止する液晶注入・封止工程（ステップＳ７）とを有している。

前述したように、画素電極１５や共通電極２３を形成する工程（ステップＳ１やステップＳ２）は、ＩＴＯなどの透明導電膜を成膜して、フォトリソグラフィ法により所望の形状にパターニングする公知の方法を適用することができる。

無機配向膜形成工程（ステップＳ３）は、酸化シリコンなどの無機材料を気相成長法を用いて成膜する方法を採用することができる。
図５は斜方蒸着装置の構成を示す概略図である。気相成長法の１つである斜方蒸着法では、例えば図５に示すような斜方蒸着装置３００を用いる。

斜方蒸着装置３００は、内部を減圧可能なチャンバー３０１と、チャンバー３０１の底部に設けられた蒸着源３０２とを有している。蒸着源３０２には、無機配向膜を構成するところの酸化シリコンなどの無機材料が例えばペレットとして装着され、これを減圧下で加熱して蒸発させる。チャンバー３０１の蒸着源３０２の上方には、複数のワークＷを配置することが可能となっている。具体的には、ワークＷの被蒸着面が蒸着源３０２に向かう垂線に対して傾斜するように、ワークＷはチャンバー３０１に配置される。蒸着源３０２に向かう垂線と、被蒸着面の法線とがなす角を仰角と呼ぶ。もちろん、前述した蒸着方向における平面的な方位の角度θａ（４５度；図２（ａ）及び（ｂ）参照）と、被蒸着面に対する蒸着方向の角度θｂ（４５度；図３、図４参照）とが得られるようにワークＷは上記仰角が設定されて配置される。本実施形態では、蒸着方向の角度θｂと上記仰角とが同じとなるように設定されている。

蒸着源３０２から蒸発した無機材料はワークＷに到達して結晶化する。このような斜方蒸着を所定の時間行うことで、無機材料の結晶が成長して柱状結晶体（カラム）となり、カラムの集合体である無機配向膜が形成される。

なお、蒸着源３０２の垂線に対して所定の仰角θｂを与えてワークＷを傾斜させるので、被蒸着面に対する蒸着方向の角度θｂは、ワークＷの大きさにもよるが蒸着源３０２から遠ざかるほど小さくなる。言い換えれば、ワークＷに対する蒸着方向の角度θｂは必ずしも一定ではない。蒸着方向の角度θｂを一定とするために、例えば、ワークＷの被蒸着面に対向するように配置されたスリット状の開口部を有する遮蔽板（図示省略）を設け、蒸着源３０２から飛来する膜成分のビーム平行度を上げる手段がとられる。

図４の無機配向膜形成工程（ステップＳ３）では、前述した斜方蒸着装置３００を用い、膜厚が５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように素子基板１０側には無機配向膜１８を形成する。また、対向基板２０側には無機配向膜２４を形成する。素子基板１０側における斜方蒸着の平面的な方位は、基材１０ａのＹ方向となす角度がθａであって右上から左下に向かう方向である。基材１０ａに対する蒸着方向の角度θｂは前述したように４５度である（図２（ａ）参照）。
対向基板２０側における斜方蒸着の平面的な方位は、基材２０ａのＹ方向となす角度がθａであって左下から右上に向かう方向である。基材２０ａに対する蒸着方向の角度θｂは前述したように４５度である（図２（ｂ）参照）。そして、ステップＳ４へ進む。

図６（ａ）〜（ｄ）は表面処理工程を示す概略図である。
図４の表面処理工程（ステップＳ４）は、素子基板１０側では第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２（対向基板２０側では第３領域Ｅ３を囲む第４領域Ｅ４）の無機配向膜１８（２４）の表面の粗さが第１領域Ｅ１（第３領域Ｅ３）に比べて大きくなるように、表面処理を施す工程である。

具体的には、図６（ａ）に示すように、イオンビーム照射装置４００を用い、ワークＷの被処理部に向けてイオンビームを照射して、被処理部をエッチング（ミーリング）して被処理部の表面を荒す表面処理を行う。イオンビーム照射装置４００は、イオンビームを照射可能なイオン銃４１０と、ワークＷが載置されるステージ４２０とを備えている。イオン銃４１０は、ガス導入部４１１から供給される処理ガスとしてのＡｒ（アルゴン）ガスをその内部においてプラズマ化し、プラズマ中のＡｒイオンを加速してイオンビームとして放射するイオン源である。ステージ４２０はワークＷを載置して、ワークＷの被処理部に対してイオンビームが照射されるように、ワークＷをイオン銃４１０に対して移動させる装置である。なお、ステージ４２０に載置されたワークＷに対して、イオン銃４１０を移動させてもよい。

本実施形態の表面処理工程（ステップＳ４）では、図６（ｂ）に示すように、例えば、素子基板１０側では、基材１０ａに形成された無機配向膜１８に対して、第２領域Ｅ２にイオンビームを照射することにより、無機配向膜１８をエッチング（ミーリング）して微孔１８ｈを形成する。イオン銃４１０に対して、ワークＷ（基材１０ａ）が載置されたステージ４２０を移動させることにより、第２領域Ｅ２に亘って複数の微孔１８ｈを形成する。

対向基板２０においても素子基板１０と同様な方法により、基材２０ａに形成された無機配向膜２４に対して、第４領域Ｅ４にイオンビームを照射することにより、無機配向膜２４をエッチング（ミーリング）して複数の微孔２４ｈを形成する。

なお、微孔１８ｈ（２４ｈ）の深さは、イオンビームの照射時間を制御することにより調整することができる。図６（ｂ）に示すように、無機配向膜１８（２４）の表面からわずかに掘り下げた状態や、図６（ｃ）に示すように、無機配向膜１８（２４）を貫通させた状態としてもよい。あるいは、図６（ｄ）に示すように、ワークＷ（基材１０ａ，２０ａ）に対して、９０度未満の入射角度でイオンビームを入射させれば、無機配向膜１８（２４）の表面に対して傾斜した微孔１８ｈ（２４ｈ）を形成することもできる。
このように複数の微孔１８ｈ（２４ｈ）を形成することにより、第１領域Ｅ１（第３領域Ｅ３）に比べて第２領域Ｅ２（第３領域Ｅ３）の無機配向膜１８（２４）の表面を荒すことができる。そして、ステップＳ５へ進む。

次に、図４のシール形成工程（ステップＳ５）では、無機配向膜１８が形成された素子基板１０側に第１シール部４１と第２シール部４３とを形成する。第１シール部４１は、後に貼り合わされる対向基板２０の外縁と重なる位置に形成する。第２シール部４３は、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２の境界と重なる位置に形成する。あるいは第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２の境界に沿った第２領域Ｅ２側に形成する。第１シール部４１及び第２シール部４３の形成方法としては、スクリーンなどを用いた印刷方式やシール部材をノズルから吐出しながらシールパターンを描画する定量吐出方式（ディスペンサー方式）などを採用できる。無機配向膜１８にスクリーンなどが接触することによる配向不良などの欠陥が生じない点では、定量吐出方式（ディスペンサー方式）のほうが望ましい。なお、第１シール部４１や第２シール部４３を対向基板２０側に形成してもよい。あるいは、第１シール部４１と第２シール部４３とをそれぞれ異なる基板に対して形成してもよい。そして、ステップＳ６へ進む。

図７（ａ）及び（ｂ）は貼り合わせ工程と液晶注入・封止工程を説明する概略図である。図４の貼り合わせ工程（ステップＳ６）では、図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１シール部４１及び第２シール部４３が形成された素子基板１０と対向基板２０とを所定の位置に対向配置し貼り合わせて接着する。第１シール部４１及び第２シール部４３にはスペーサー（図示省略）が含まれているので、例えば一対の基板のうち他方の基板を一方の基板に押しつけて圧着すれば、素子基板１０と対向基板２０とを所望の間隔をおいて接着することができる。

次に、図４の液晶注入・封止工程（ステップＳ７）では、まず、貼り合わされた素子基板１０と対向基板２０との隙間に液晶を注入する。具体的には、貼り合わされた一対の基板を素子基板１０が下方に位置するようにチャンバー内にセットして減圧することにより、上記隙間を略真空状態とする。そして、図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、対向基板２０からはみ出した素子基板１０の端子部１０ｂに液晶５０ａを滴下する。液晶５０ａは第１シール部４１の第１注入口４２を塞ぐように所定量が滴下される。そして、チャンバー内を減圧した状態から大気に開放する。そうすると、上記隙間と大気との圧力差により液晶５０ａは、第１注入口４２から迂回進入経路４５に進入し、第２シール部４３の第２注入口４４から画素領域Ｅ内に充填される。

先の表面処理工程（ステップＳ４）において、迂回進入経路４５における無機配向膜１８，２４の表面の粗さが画素領域Ｅよりも大きくなるように複数の微孔１８ｈ，２４ｈが形成されている。これにより、迂回進入経路４５における無機配向膜１８，２４の実質的な表面積が画素領域Ｅよりも増大し、迂回進入経路４５を液晶５０ａが進入する間に、液晶５０ａに含まれた不純物は、素子基板１０側の無機配向膜１８と対向基板２０側の無機配向膜２４とによって十分にトラップされる。したがって、画素領域Ｅには不純物をほとんど含まない液晶５０ａが充填される。
画素領域Ｅが液晶５０ａによって十分に満たされるまで液晶注入が続行され、その後、第１注入口４２を封止材１０８によって封止する（図１（ａ）参照）。これにより、液晶パネル１１０ができ上がる。

図８（ａ）はマザー基板の構成を示す概略平面図、図８（ｂ）は（ａ）のＪ−Ｊ’線に沿った概略断面図である。なお、図８（ａ）及び（ｂ）は素子基板１０と対向基板２０とが貼り合わされた後のマザー基板を示すものである。
図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、上記のような液晶装置１００の製造方法は、実際には複数の素子基板１０が面付けされたマザー基板１０Ｗを用いて行われる。
本実施形態のマザー基板１０Ｗは、ウェハ状の例えば石英基板やガラス基板であって、一部が切り欠かれたオリフラに沿ったＸ方向と、Ｘ方向に直交するＹ方向とにマトリクッス状に素子基板１０が面付けされて加工が進められる。
素子基板１０側における無機配向膜１８の形成は、マザー基板１０Ｗを用いて実施される。一方、対向基板２０側における無機配向膜２４の形成は、複数の対向基板２０を支持体上に吸着固定して斜方蒸着装置３００にセットする方法が挙げられる。また、素子基板１０と同様にマザー基板に面付けした状態で無機配向膜２４を形成した後に、個別の対向基板２０に分割してからマザー基板１０Ｗに面付けされた素子基板１０と個々に貼り合わせる方法が挙げられる。
液晶注入・封止工程（ステップＳ７）では、チャンバー内にマザー基板１０Ｗが下方になるように配置し、Ｙ方向に配列した複数の対向基板２０の間に液晶５０ａを滴下することになる。

図９は表面処理工程におけるイオンビームの照射条件と膜密度との関係を示す表、図１０（ａ）及び（ｂ）は無機配向膜の表面が示された電子顕微鏡写真である。図１０（ａ）は膜密度が１．９４１ｇ／ｃｍ³であり、図１０（ｂ）は膜密度が１．８３５ｇ／ｃｍ³である。

無機配向膜１８，２４の表面の粗さを示す指標として、例えば膜密度を採用することができる。前述したように無機配向膜１８，２４は、斜方蒸着により酸化シリコンなどの無機材料が基材１０ａ，２０ａ上において成長したカラム（柱状結晶体）１８ａ，２４ａの集合体である。液晶分子の安定した配向状態を実現するにはカラム１８ａ，２４ａが緻密に形成されることが望ましい。これに対して、イオンビームが照射された部分の無機配向膜１８，２４は、カラム１８ａ，２４ａの少なくとも一部が消失して空隙が生ずるため、照射前に比べて膜密度が低下する。

無機配向膜１８，２４の膜密度を求める方法としては、例えば、ＸＲＲ法（Ｘ線反射率法）を挙げることができる。ＸＲＲ法は、Ｘ線を試料表面に極浅い角度で入射させ、その入射角対鏡面方向に反射したＸ線強度プロファイルを測定する。この測定で得られたプロファイルをシミュレーション結果と比較し、シミュレーションパラメーターを最適化することによって、試料の膜厚や密度を求める手法である。

図９の表に示すように、条件１では、ビームエネルギーを７００ｅｖとして、ドーズ量が２．０×１０¹⁶ｉｏｎ／ｃｍ²となるようにＡｒイオンビームを照射した。このときの、無機配向膜における膜密度は１．９４１ｇ／ｃｍ³であった。
条件２では、ビームエネルギーを７００ｅｖとして、ドーズ量が４．０×１０¹⁶ｉｏｎ／ｃｍ²となるようにＡｒイオンビームを照射した。このときの、無機配向膜における膜密度は１．８３５ｇ／ｃｍ³であった。つまり、ドーズ量（イオンビームの照射量）を増やすと膜密度が低下する。
そして、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、ドーズ量を増やすことで無機配向膜のエッチング（ミーリング）が進んで空隙が大きくなり、表面の粗さが大きくなることが分かる。

また、無機配向膜の表面の粗さを膜密度のように間接的に求める方法以外に直接的に求める方法もある。例えば、ＡＦＭ（Atomic Force Microscopy；原子間力顕微鏡法）は、微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測することができる。この方法によれば、画素領域Ｅにおける安定的な液晶分子の配向状態が得られる無機配向膜の平均面粗さ（Ｒａ）は、およそ１．５ｎｍ〜３．５ｎｍである。
これに対して、迂回進入経路４５において液晶中の不純物を効率的にトラップするには、無機配向膜の平均面粗さ（Ｒａ）を５．０ｎｍ〜１２．０ｎｍとすることが好ましい。平均面粗さ（Ｒａ）を１２．０ｎｍよりも大きくすると、表面処理を施した部分の無機配向膜が脆くなって、基材１０ａ，２０ａに対する密着性が損なわれるおそれがある。

上記条件１でイオンビームを照射したときの膜密度が１．８３５ｇ／ｃｍ³である無機配向膜の平均面粗さ（Ｒａ）はおよそ５．０ｎｍであった。また、上記条件２でイオンビームを照射したときの膜密度が１．８３５ｇ／ｃｍ³である無機配向膜の平均面粗さ（Ｒａ）はおよそ８．０ｎｍであった。したがって、膜密度と平均表面粗さとの間に相関関係が成り立つので、Ａｒイオンビームのドーズ量は１．０×１０¹⁶ｉｏｎ／ｃｍ²以上６．０×１０¹⁶ｉｏｎ／ｃｍ²以下とすることが好ましい。

本実施形態の液晶装置１００及びその製造方法の効果は、以下の通りである。
（１）液晶５０ａの迂回進入経路４５における無機配向膜１８，２４の表面の粗さは、画素領域Ｅにおける無機配向膜１８，２４よりも大きい。したがって、迂回進入経路４５の無機配向膜１８，２４の実質的な表面積が画素領域Ｅよりも大きくなる。よって、液晶５０ａ中に含まれる不純物は、迂回進入経路４５において無機配向膜１８，２４に効率的にトラップされる。それゆえに、画素領域Ｅには不純物をほとんど含まない液晶５０ａが充填される。
また、不純物を無機配向膜１８，２４にトラップさせるので有機配向膜にトラップさせる場合に比べて、照射された光による劣化を防ぎ、優れた耐光性を有する。すなわち、不純物による初期的な表示不具合を低減すると共に、高い信頼性を有する液晶装置１００及びその製造方法を提供することができる。
（２）液晶装置１００の製造方法では、迂回進入経路４５の無機配向膜１８，２４にＡｒイオンビームを照射して複数の微孔を形成するので、基材１０ａ，２０ａ上に形成された無機配向膜１８，２４のうち必要な部分の表面を選択的に荒すことができる。言い換えれば、画素領域Ｅの無機配向膜１８，２４が表面処置の影響を受け難いので、画素領域Ｅにおいて安定した液晶分子ＬＣの配向状態を実現できる。
（３）液晶装置１００の製造方法において、液晶注入は、チャンバー内において液晶パネル１１０を素子基板１０側を下方にして略水平に配置して行うので、画素領域Ｅよりも実質的な表面積が大きい迂回進入経路４５の無機配向膜１８に不純物を効果的にトラップさせることができる。

（第２実施形態）
＜液晶装置の製造方法＞
次に、第２実施形態の液晶装置の製造方法について、図１１、図１２を参照して説明する。図１１は第２実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図１２は第２実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図である。
第２実施形態の液晶装置の製造方法は、第１実施形態の液晶装置１００の製造方法に対して、無機配向膜の形成方法及び表面処理の方法を異ならせたものである。したがって、第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

図１１に示すように、本実施形態の液晶装置の製造方法は、画素電極形成工程（ステップＳ１１）と、共通電極形成工程（ステップＳ１２）と、第１無機配向膜形成工程（ステップＳ１３）と、表面処理工程（ステップＳ１４）と、第２無機配向膜形成工程（ステップＳ１５）とを有している。また、シール形成工程（ステップＳ１６）と、貼り合わせ工程（ステップＳ１７）と、液晶注入・封止工程（ステップＳ１８）とを有している。
第１実施形態と異なる工程は、ステップＳ１３〜ステップＳ１５であって、他の工程は第１実施形態と同じである。したがって、以降、異なる工程について説明してゆく。

図１１の第１無機配向膜形成工程（ステップＳ１３）では、図１２（ａ）に示すように、素子基板１０側では、基材１０ａの第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とに亘って第１無機配向膜としての無機配向膜１８ａ１を形成する。対向基板２０側では、基材２０ａの第３領域Ｅ３と第４領域Ｅ４とに亘って第１無機配向膜としての無機配向膜２４ａ１を形成する。無機配向膜１８ａ１，２４ａ１の膜厚は、第１実施形態の無機配向膜１８，２４と同じく５０ｎｍ〜１００ｎｍである。そして、ステップＳ１４へ進む。

図１１の表面処理工程（ステップＳ１４）では、前述したイオンビーム照射装置４００を用いて、素子基板１０側では、無機配向膜１８ａ１の全面に亘ってＡｒイオンビームを照射して、複数の微孔１８ｈを形成する。同様に、対向基板２０側では、無機配向膜２４ａ１の全面に亘ってＡｒイオンビームを照射して、複数の微孔２４ｈを形成する。なお、微孔１８ｈ（２４ｈ）の形成方法は、ドーズ量を制御することによって、厚み方向に途中まで掘り下げたり、貫通させたりしてもよい。さらには、Ａｒイオンビームを傾けて照射して、第１無機配向膜の表面に対して傾斜した微孔１８ｈ（２４ｈ）を形成してもよい。無機配向膜１８ａ１（２４ａ１）に複数の微孔１８ｈ（２４ｈ）を形成することにより、無機配向膜１８ａ１（２４ａ１）の表面の粗さが大きくなる。そして、ステップＳ１５へ進む。

図１１の第２無機配向膜形成工程（ステップＳ１５）では、図１２（ｃ）に示すように、素子基板１０側では、第１領域Ｅ１に第２無機配向膜としての無機配向膜１８ａ２を形成する。対向基板２０側では、第３領域Ｅ３に第２無機配向膜としての無機配向膜２４ａ２を形成する。このように、第１領域Ｅ１あるいは第３領域Ｅ３に第２無機配向膜を形成する方法としては、第１領域Ｅ１あるいは第３領域Ｅ３に対応した開口部を有する蒸着用マスクとワークＷとしての基材１０ａ，２０ａとを所定の位置で重ね合わせて、斜方蒸着する方法が挙げられる。無機配向膜１８ａ２，２４ａ２の膜厚も５０ｎｍ〜１００ｎｍである。

上記第２実施形態によれば、第１実施形態の効果（１）、（３）に加えて、以下の効果が得られる。
（４）表面処理工程（ステップＳ１４）において、Ａｒイオンビームの照射により、第１無機配向膜としての無機配向膜１８ａ１，２４ａ１の残渣が第１領域Ｅ１や第３領域Ｅ３に残っていたとしても、第２無機配向膜としての無機配向膜１８ａ２，２４ａ２によって覆われてしまうので、画素領域Ｅにおいて安定した液晶分子の配向状態を実現できる。

上記第１実施形態の表面処理工程（ステップＳ４）あるいは上記第２実施形態の表面処理工程（ステップＳ１４）において、無機配向膜を部分的あるいは全面的に荒す方法は、Ａｒイオンビームを照射する方法に限定されない。例えば、フッ素系の処理ガス（ＣＦ₄、ＳＦ₆など）を用いたドライエッチングや、ＨＦ（フッ化水素）溶液を用いたウェットエッチングを採用することもできる。特にウェットエッチングを用いれば、ドライエッチングに比べ容易に無機配向膜を全面的に荒すことができる。ウェットエッチングの条件としては、０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％程度のＨＦ溶液に無機配向膜が形成された基材１０ａ，２０ａを１分〜５分程度浸漬すれば、無機配向膜の表面を荒すことができる。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態の液晶装置の製造方法について、図１３、図１４を参照して説明する。図１３は第３実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図１４は第３実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図である。
第３実施形態の液晶装置の製造方法は、第１実施形態の液晶装置１００の製造方法に対して、表面処理の方法を異ならせたものである。したがって、第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

図１３に示すように、本実施形態の液晶装置の製造方法は、画素電極形成工程（ステップＳ２１）と、共通電極形成工程（ステップＳ２２）と、表面処理工程（ステップＳ２３）と、無機配向膜形成工程（ステップＳ２４）と、を有している。また、シール形成工程（ステップＳ２５）と、貼り合わせ工程（ステップＳ２６）と、液晶注入・封止工程（ステップＳ２７）とを有している。
第１実施形態と異なる工程は、ステップＳ２３であって、他の工程は第１実施形態と同じである。したがって、以降、異なる工程について説明してゆく。

図１３の表面処理工程（ステップＳ２３）は、対向基板２０側の共通電極２３の表面を荒す表面処理を行う工程である。具体的には、図１４（ａ）に示すように、対向基板２０の基材２０ａ上には、見切り部２１、平坦化層２２、共通電極２３が順に形成されている。
表面処理工程（ステップＳ２３）では、図１４（ｂ）に示すように、共通電極２３の第３領域Ｅ３を覆うようにレジスト層７０を形成する。続いて、レジスト層７０で覆われていない共通電極２３の第４領域Ｅ４の部分をエッチングして、その表面を荒す。
エッチング方法としては、共通電極２３を構成する透明導電膜（ＩＴＯ膜）のエッチング液に基材２０ａを浸漬するウェットエッチングやフッ素系の処理ガス（ＣＦ₄、ＳＦ₆など）を用いたドライエッチングを挙げることができる。なお、前述したＡｒイオンビームを照射する方法を採用することも可能だが、上記ウェットエッチングや上記ドライエッチングに比べて、エッチング速度が遅くなる。そして、ステップＳ２４へ進む。

図１３の無機配向膜形成工程（ステップＳ２４）では、素子基板１０側の基材１０ａにおいて第１領域Ｅ１と第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２に亘って斜方蒸着により無機配向膜１８を形成する。対向基板２０側では、図１４（ｃ）に示すように、第３領域Ｅ３と第３領域Ｅ３を囲む第４領域Ｅ４に亘って斜方蒸着により無機配向膜２４を形成する。すると、第４領域Ｅ４の無機配向膜２４は、エッチングされて表面が荒された共通電極２３を覆うことでやはりその表面が、第３領域Ｅ３よりも荒れた状態となる。
したがって、先の表面処理工程（ステップＳ２３）では、第１実施形態で述べたように、第４領域Ｅ４の共通電極２３を覆う無機配向膜２４の表面の平均面粗さ（Ｒａ）が５．０ｎｍ〜１２．０ｎｍとなるように共通電極２３をエッチングすることが好ましい。

上記第３実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（５）共通電極２３の表面を部分的にエッチングして荒すことにより、迂回進入経路４５の対向基板２０側の無機配向膜２４の表面の粗さを、画素領域Ｅよりも大きくした。これにより、液晶注入時に液晶中に含まれた不純物を無機配向膜１８，２４によって効率よくトラップすること可能な液晶装置を提供できる。言い換えれば、迂回進入経路４５の無機配向膜１８，２４の双方の表面を荒さなくても片方の無機配向膜２４の表面を荒すことで不純物を効率よくトラップできる。
（６）表面処理工程（ステップＳ２３）では、上記第１実施形態や第２実施形態のように無機配向膜１８，２４の表面を直接荒さずに、無機配向膜２４によって覆われる共通電極２３の表面を荒すので、無機配向膜２４に表面処理の残渣などの異物等が付着することに起因する配向不良が発生しない。したがって、液晶中の不純物を迂回進入経路４５の無機配向膜１８，２４で効率よくトラップ可能な液晶装置を歩留まりよく製造することができる。
（７）上記第３実施形態の液晶装置の製造方法では、上記第１実施形態や第２実施形態のように無機配向膜１８，２４の表面を荒すために、イオンビーム照射装置４００などの専用エッチング装置を必要としない。共通電極２３を構成するところの透明導電膜をパターニングするウェットエッチング装置やドライエッチング装置を使って共通電極２３の表面を部分的にエッチングして荒すことにより、最終的には無機配向膜２４の第４領域Ｅ４の表面の粗さを画素領域Ｅに比べて大きくすることができる。

なお、上記第３実施形態で述べたように無機配向膜２４の第４領域Ｅ４の表面の粗さを画素領域Ｅよりも大きくする方法は、下層の共通電極２３の表面を部分的に荒すことに限定されない。例えば、共通電極２３を第１電極と第２電極との積層構造として、第１電極の表面を全面的に荒した後に、第４領域Ｅ４に相当する部分をマスキングして第３領域Ｅ３に相当する部分に上記第２電極を形成してもよい。

（第４実施形態）
次に、第４実施形態の液晶装置の製造方法について、図１５、図１６を参照して説明する。図１５は第４実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図１６（ａ）〜（ｅ）は第４実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略図である。第４実施形態の液晶装置の製造方法は、上記第３実施形態に対して、エッチング以外の方法で、無機配向膜２４の表面を部分的に荒す方法を示すものである。したがって、上記第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

図１５に示すように、本実施形態の液晶装置の製造方法は、画素電極形成工程（ステップＳ３１）と、第１のＩＴＯ膜形成工程（ステップＳ３２）と、第２のＩＴＯ膜形成工程（ステップＳ３３）と、無機配向膜形成工程（ステップＳ３４）と、を有している。また、シール形成工程（ステップＳ３５）と、貼り合わせ工程（ステップＳ３６）と、液晶注入・封止工程（ステップＳ３７）とを有している。
第１実施形態と異なる工程は、ステップＳ３２とステップＳ３３であって、他の工程は第３実施形態と同じである。したがって、以降、異なる工程について説明してゆく。

図１５の第１のＩＴＯ膜形成工程（ステップＳ３２）では、図１６（ａ）に示すように、対向基板２０の基材２０ａに、成膜用マスクＭ１を所定の位置で重ね合わせて真空蒸着法あるいはスッパタ法によりＩＴＯ膜を成膜する。成膜用マスクＭ１は画素領域Ｅを含む第３領域Ｅ３に対応したマスク部Ｍ１１と、第３領域Ｅ３を囲む第４領域Ｅ４に対応した開口部ＯＰ１とを有している。したがって、図１６（ｂ）に示すように、見切り部２１と平坦化層２２とが形成された基材２０ａ上において、第４領域Ｅ４に対応する部分に第１のＩＴＯ膜２３ａを形成することができる。そして、ステップＳ３３へ進む。

図１５の第２のＩＴＯ膜形成工程（ステップＳ３３）では、図１６（ｃ）に示すように、第１のＩＴＯ膜２３ａが形成された基材２０ａに、成膜用マスクＭ２を所定の位置で重ね合わせて真空蒸着法によりＩＴＯ膜を成膜する。成膜用マスクＭ２は画素領域Ｅを含む第３領域Ｅ３に対応した開口部ＯＰ２を有している。したがって、図１６（ｄ）及び（ｅ）に示すように、見切り部２１と平坦化層２２とが形成された基材２０ａ上において、第３領域Ｅ３に対応する部分に第２のＩＴＯ膜２３ｂを形成することができる。これにより、第１のＩＴＯ膜２３ａと第２のＩＴＯ膜２３ｂとからなる共通電極２３が形成された。

本実施形態の液晶装置の製造方法では、ステップＳ３２における第１のＩＴＯ膜２３ａの形成条件とステップＳ３３における第２のＩＴＯ膜２３ｂの成膜条件を異ならせている。ＩＴＯ膜を真空蒸着法やスパッタ法を用いて成膜する際にチャンバー内に導入される酸素ガス流量を変えることで、成膜後のＩＴＯ膜の表面の粗さを変えることができる。チャンバー内に導入される酸素ガス流量が少ないほどＩＴＯ膜の表面の粗さが大きく（荒く）なる。具体的には、ステップＳ３２では真空蒸着法により酸素ガス流量を０ｓｃｃｍとして第１のＩＴＯ膜２３ａを成膜した。ＡＦＭ法で計測した第１のＩＴＯ膜２３ａの平均表面粗さ（Ｒａ）はおよそ１０．５ｎｍであった。これに対して、ステップＳ３３では真空蒸着法により酸素ガス流量を３ｓｃｃｍとして第２のＩＴＯ膜２３ｂを成膜した。同じくＡＦＭ法で計測した第２のＩＴＯ膜２３ｂの平均表面粗さ（Ｒａ）はおよそ２，２ｎｍであった。そして、ステップＳ３４へ進む。

図１５の無機配向膜形成工程（ステップＳ３４）では、素子基板１０側において基材１０ａの第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２に亘って無機配向膜１８を斜方蒸着により形成した。また、対向基板２０側において基材２０ａの共通電極２３を覆うように、第３領域Ｅ３と第４領域Ｅ４に亘って無機配向膜２４を斜方蒸着により形成した。第４領域Ｅ４の無機配向膜２４の表面には、下層の第１のＩＴＯ膜２３ａの表面状態を反映した凹凸が生じた。つまり、第４領域Ｅ４の無機配向膜２４の表面の粗さがおよそ１０ｎｍとなった。

上記第４実施形態の効果は、以下の通りである。
（８）共通電極２３の成膜条件を部分的に変えることにより表面の粗さを異ならせて、迂回進入経路４５の対向基板２０側の無機配向膜２４の表面の粗さを、画素領域Ｅよりも大きくした。これにより、液晶注入時に液晶中に含まれた不純物を無機配向膜１８，２４によって効率よくトラップすること可能な液晶装置を提供できる。言い換えれば、迂回進入経路４５の無機配向膜１８，２４の双方の表面を荒さなくても片方の無機配向膜２４の表面を荒すことで不純物を効率よくトラップできる。
（９）共通電極２３を構成する第１のＩＴＯ膜２３ａと第２のＩＴＯ膜２３ｂの成膜条件を異ならせて、第１のＩＴＯ膜２３ａの表面の粗さを第２のＩＴＯ膜２３ｂよりも大きくするので、Ａｒイオンビームの照射やエッチングなどの表面処理によって表面を荒す場合に比べて、表面処理による残渣の影響を受け難い。

（第５実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について、図１７を参照して説明する。図１７は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。

図１７に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、製造工程中で液晶に含まれる不純物が画素領域Ｅに拡散しないように迂回進入経路４５においてトラップされた液晶装置１００を用いているので、優れた表示品質と高い耐光性とが実現されている。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置及び該液晶装置の製造方法ならびに該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）迂回進入経路４５の無機配向膜の表面の粗さを画素領域Ｅよりも大きくする構成は、画素領域Ｅを含む第１領域Ｅ１（第３領域Ｅ３）を囲む第２領域Ｅ２（第４領域Ｅ４）の全体に亘って行われることに限定されない。図１８（ａ）〜（ｃ）は変形例の無機配向膜を示す概略平面図である。詳しくは、対向基板２０側の無機配向膜２４の変形例を示すものである。

例えば、図１８（ａ）に示すように、第３領域Ｅ３のＸ方向に沿った２つの長辺部のうちの一方と、Ｙ方向に沿った２つの短辺部に接する部分、すなわち第３領域Ｅ３を３方向から囲む領域Ｅ５の無機配向膜２４に表面を荒す表面処理を施してもよい。
また、図１８（ｂ）に示すように、第３領域Ｅ３のＹ方向に沿った２つの短辺部に接する領域Ｅ６の無機配向膜２４に表面を荒す表面処理を施してもよい。
また、例えば、図１８（ｃ）に示すように、第３領域Ｅ３のＸ方向に沿った２つの長辺部のうち一方に接する領域Ｅ７の無機配向膜２４に表面処理を施してよい。
前述したように、部分的に表面を荒す表面処理の方法としては、Ａｒイオンビームを照射する方法を採用できる。また、全面的に表面を荒したのちに、第３領域Ｅ３を覆って新たに無機配向膜を形成してもよい。
さらには、無機配向膜２４の下層に位置する共通電極２３において、上記領域Ｅ５，Ｅ６，Ｅ７のそれぞれの表面を荒す方法を用いてもよい。
また、前述したように第１シール部４１の第１注入口４２は、第３領域Ｅ３の長辺部に沿った部分に形成されているので、図１８（ａ）や図１８（ｃ）のように無機配向膜２４の表面の粗さが大きい領域を形成することで、液晶５０ａの注入開始時点から不純物を迂回進入経路４５においてトラップすることができる（図７参照）。言い換えれば、迂回進入経路４５の無機配向膜１８，２４において表面の粗さが大きい部分は第１注入口４２に近い側に配置されていることが好ましい。

（変形例２）図１８（ａ）〜（ｃ）では、対向基板２０側における無機配向膜２４の表面の粗さについて示したが、迂回進入経路４５において表面の粗さが大きい無機配向膜を設ける構成は、一対の基板の両方において実施することが好ましい。その一方で、液晶装置の製造における生産性を考慮すると、一対の基板のうち一方の基板において迂回進入経路４５の無機配向膜に表面の粗さが大きい部分を形成しても、液晶中の不純物をトラップできる。その際には、上記実施形態でも述べたように、液晶注入時に下方に配置される基板側の迂回進入経路４５の無機配向膜において表面の粗さが大きい部分を形成することが望ましい。

（変形例３）上記第３実施形態及び上記第４実施形態のように、迂回進入経路４５に設けられた電極の表面の粗さが画素領域Ｅよりも大きくなるようにする液晶装置の製造方法は、対向基板２０側の共通電極２３を対象とすることに限定されない。例えば、素子基板１０側において画素領域Ｅには画素電極１５が存在し、迂回進入経路４５に画素電極１５よりも表面の粗さが大きいダミー電極を設けてもよい。

（変形例４）上記実施形態の液晶装置１００では、第１シール部４１の第１注入口４２を対向基板２０の２つの長辺のうちの一方に沿った位置に設けたが、これに限定されない。例えば、対向基板２０の２つの短辺のうちの一方に沿った位置に第１注入口４２を設け、他方に第２シール部４３の第２注入口４４を設けてもよい。液晶の迂回進入経路４５が実質的に長くなるように第１注入口４２、第２注入口４４を設ければ、不純物のトラップ性能を向上させることができる。

（変形例５）上記実施形態の迂回進入経路４５を適用可能な液晶装置は、透過型に限定されない。光反射性を有する画素電極１５を備えた反射型や半透過反射型の液晶装置にも適用可能である。

（変形例６）液晶装置１００を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。

１０…素子基板、１８，２４…無機配向膜、１８ａ１，２４ａ１…第１無機配向膜としての無機配向膜、１８ａ２，２４ａ２…第２無機配向膜としての無機配向膜、２０…対向基板、２３…共通電極、２３ａ…第１のＩＴＯ膜、２３ｂ…第２のＩＴＯ膜、４１…第１シール部、４２…第１注入口、４３…第２シール部、４４…第２注入口、４５…迂回進入経路、１００…液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ…画素領域。

Claims (10)

1. 一対の基板と、
   対向配置された前記一対の基板を接着し、前記一対の基板の隙間に液晶を注入するための第１注入口が設けられた第１シール部と、
   前記第１シール部よりも内側に配置され、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において画素領域に連通する第２注入口を有して前記液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部と、
   前記一対の基板のそれぞれに設けられた無機配向膜と、を有し、
   前記一対の基板の少なくとも一方において、前記迂回進入経路の前記無機配向膜は、前記画素領域における前記無機配向膜よりも表面の粗さが大きい部分を有することを特徴とする液晶装置。
2. 前記迂回進入経路のうち前記第１注入口に近い側に前記無機配向膜の表面の粗さが大きい部分を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記迂回進入経路の前記無機配向膜における表面の粗さが大きい部分には、複数の微孔が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
4. 前記画素領域と前記迂回進入経路とに亘って配置された電極を有し、
   前記電極は前記無機配向膜によって被覆され、
   前記迂回進入経路の前記電極は、前記画素領域の前記電極よりも表面の粗さが大きい部分を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
5. 一対の基板の少なくとも一方において、画素領域と前記画素領域の周辺に亘って無機配向膜を形成する工程と、
   前記画素領域の周辺の無機配向膜の少なくとも一部の表面を荒す表面処理工程と、
   前記一対の基板うちいずれか一方に、第１注入口を有する第１シール部を形成する工程と、
   前記第１シール部よりも内側であって、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において前記画素領域に連通する第２注入口を有して液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部を形成する工程と、
   前記一対の基板を対向配置し、前記第１シール部と前記第２シール部とにより接着する工程と、
   前記第１注入口から前記迂回進入経路を経由して前記一対の基板の隙間に前記液晶を注入する液晶注入工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
6. 一対の基板の少なくとも一方において、画素領域と前記画素領域の周辺に第１無機配向膜を形成する工程と、
   前記第１無機配向膜の表面を荒す表面処理工程と、
   前記第１無機配向膜に積層して、少なくとも前記画素領域に第２無機配向膜を形成する工程と、
   前記一対の基板うちいずれか一方に、第１注入口を有する第１シール部を形成する工程と、
   前記第１シール部よりも内側であって、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において前記画素領域に連通する第２注入口を有して液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部を形成する工程と、
   前記一対の基板を対向配置し、前記第１シール部と前記第２シール部とにより接着する工程と、
   前記第１注入口から前記迂回進入経路を経由して前記一対の基板の隙間に前記液晶を注入する液晶注入工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
7. 一対の基板の少なくとも一方において、画素領域と前記画素領域の周辺に電極を形成する工程と、
   前記画素領域の周辺の前記電極の少なくとも一部の表面を荒す表面処理工程と、
   前記電極を覆って無機配向膜を形成する工程と、
   前記一対の基板うちいずれか一方に、第１注入口を有する第１シール部を形成する工程と、
   前記第１シール部よりも内側であって、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において前記画素領域に連通する第２注入口を有して液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部を形成する工程と、
   前記一対の基板を対向配置し、前記第１シール部と前記第２シール部とにより接着する工程と、
   前記第１注入口から前記迂回進入経路を経由して前記一対の基板の隙間に前記液晶を注入する液晶注入工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
8. 前記表面処理工程は、被処理部にイオンビームを照射して複数の微孔を形成することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
9. 一対の基板の少なくとも一方において、画素領域をマスキングして前記画素領域の周辺に第１の成膜条件で第１のＩＴＯ膜を成膜する工程と、
   前記第１のＩＴＯ膜が形成された領域をマスキングして、前記画素領域に前記第１の成膜条件よりも酸素ガス流量が多い条件で第２のＩＴＯ膜を成膜する工程と、
   前記第１のＩＴＯ膜及び前記第２のＩＴＯ膜を覆って無機配向膜を形成する工程と、
   前記一対の基板うちいずれか一方に、第１注入口を有する第１シール部を形成する工程と、
   前記第１シール部よりも内側であって、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において前記画素領域に連通する第２注入口を有して液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部を形成する工程と、
   前記一対の基板を対向配置し、前記第１シール部と前記第２シール部とにより接着する工程と、
   前記第１注入口から前記迂回進入経路を経由して前記一対の基板の隙間に前記液晶を注入する液晶注入工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
10. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。