JP6696113B2 - プリント配線基板用樹脂組成物、プリプレグ、樹脂基板、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、プリント配線基板用樹脂組成物、プリプレグ、樹脂基板、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置に関する。

近年、電子機器の高機能化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んでおり、これらの電子機器に使用される半導体装置の小型化が急速に進行している。そして、半導体装置に使用されるプリント配線基板には、高密度で微細な回路が求められている。
微細な回路を形成する方法として、ＳＡＰ（セミアディティブプロセス）法が提案されている。ＳＡＰ法では、はじめに、絶縁層表面に粗化処理を施し、上記絶縁層表面上に下地になる無電解金属めっき膜を形成する。次いで、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けをおこなう。その後、めっきレジストを除去し、上記回路形成部以外の無電解金属めっき膜をフラッシュエッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する。ＳＡＰ法は、絶縁層上に積層する金属層を薄膜化できるので、より微細な回路配線が可能となる。

半導体装置は、例えば、プリント配線基板上に半導体素子を搭載することにより形成される。このようなプリント配線基板に関する技術としては、例えば、以下の特許文献１に記載のものが挙げられる。特許文献１には、ジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性樹脂及びマレイミド環を有する熱硬化性樹脂を必須成分として含有し、マレイミド環を有する熱硬化性樹脂の含有割合がジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性樹脂及びマレイミド環を有する熱硬化性樹脂の合計量に対して３〜３０重量％であることを特徴とする熱硬化性組成物を用いたプリント配線板が記載されている。

特開平１０−２５９２４８号公報

プリント配線基板上に半導体素子を搭載することにより形成される半導体装置については、配線間の絶縁信頼性に優れることが求められる。このような要求は、近年のプリント配線基板の配線の高密度化に伴って特に顕著となっている。しかしながら、本発明者らの検討によれば、特許文献１に記載の技術では、プリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性を十分に得ることが困難であることが明らかになった。

本発明によれば、
プリント配線基板における絶縁層を形成するために用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
マレイミド化合物（Ａ）と、
ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）と、
無機充填材（Ｃ）と、
を含み、
前記ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）は、下記式（２）により示される化合物、下記式（３）により示される化合物、および下記式（２−３）により示される化合物から選択される一種または二種以上を含み、
前記マレイミド化合物（Ａ）の含有量が、前記マレイミド化合物（Ａ）および前記ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）の合計１００質量％に対して３５質量％以上８０質量％以下であり、
前記マレイミド化合物（Ａ）が、下記式（１）により示されるマレイミド化合物（Ａ１）においてｎ_１が１以上の化合物を含み、
前記マレイミド化合物（Ａ）中に含まれる前記マレイミド化合物（Ａ１）の含有量は、当該樹脂組成物中に含まれる前記マレイミド化合物（Ａ）を１００質量％としたとき、３０．０質量％以上１００．０質量％以下である、
プリント配線基板用樹脂組成物が提供される。

（前記式（１）において、ｎ_１は１以上１０以下の整数であり、Ｘ_１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキレン基、下記式（１ａ）で表される基、式「−ＳＯ_２−」で表される基、「−ＣＯ−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Ｒ_１はそれぞれ独立に炭素数１以上６以下の炭化水素基であり、ａはそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｂはそれぞれ独立に０以上３以下の整数である）

（前記式（１ａ）において、Ｙは芳香族環を有する炭素数６以上３０以下の炭化水素基であり、ｎ_２は１である）

（前記式（２）において、Ｘ _２ はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキレン基、前記式（１ａ）で表される基、式「−ＳＯ _２ −」で表される基、「−ＣＯ−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Ｒ _２ はそれぞれ独立に炭素数１〜６の炭化水素基であり、ｃはそれぞれ独立に０以上４以下の整数である）

（前記式（３）において、Ｘ _３ はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキレン基、前記式（１ａ）で表される基、式「−ＳＯ _２ −」で表される基、「−ＣＯ−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Ｒ _３ はそれぞれ独立に炭素数１〜６の炭化水素基であり、ｄはそれぞれ独立に０以上４以下の整数である）

（前記式（２−３）において、Ｒはそれぞれ独立に炭素数１〜４の炭化水素基である）

さらに、本発明によれば、上記プリント配線基板用樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるプリプレグが提供される。

さらに、本発明によれば、上記プリプレグの硬化物を含む樹脂基板が提供される。

さらに、本発明によれば、上記プリプレグの硬化物または上記プリプレグを２枚以上重ね合わせた積層体の硬化物の片面または両面に金属箔が設けられている金属張積層板が提供される。

さらに、本発明によれば、上記樹脂基板または上記金属張積層板を回路加工して得られるものであり、１層又は２層以上の回路層が設けられているプリント配線基板が提供される。

さらに、本発明によれば、プリント配線基板の上記回路層上に半導体素子を搭載した、半導体装置が提供される。

本発明によれば、微細な回路寸法を有し、かつ、高温高湿下での絶縁信頼性に優れるプリント配線基板を実現できるプリント配線基板用樹脂組成物、プリプレグおよび樹脂基板並びに高温高湿下での絶縁信頼性に優れるプリント配線基板および半導体装置を提供できる。

本実施形態における金属張積層板の構成の一例を示す断面図である。 本実施形態におけるプリント配線基板の構成の一例を示す断面図である。 本実施形態におけるプリント配線基板の構成の一例を示す断面図である。 本実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。 本実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。

以下に、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。なお、文中の数字の間にある「〜」は特に断りがなければ、以上から以下を表す。

本実施形態のプリント配線基板用樹脂組成物（Ｐ）（以下、樹脂組成物（Ｐ）とも呼ぶ。）はプリント配線基板における絶縁層を形成するために用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、マレイミド化合物（Ａ）と、ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）と、無機充填材（Ｃ）と、を含む。そして、マレイミド化合物（Ａ）が、下記式（１）により示されるマレイミド化合物（Ａ１）においてｎ_１が１以上の化合物を少なくとも含む。
マレイミド化合物（Ａ）は、下記式（１）により示されるマレイミド化合物（Ａ１）においてｎ_１が０の化合物をさらに含むこともできる。

（式（１）において、ｎ_１は０以上１０以下の整数であり、Ｘ_１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキレン基、下記式（１ａ）で表される基、式「−ＳＯ_２−」で表される基、「−ＣＯ−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Ｒ_１はそれぞれ独立に炭素数１以上６以下の炭化水素基であり、ａはそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｂはそれぞれ独立に０以上３以下の整数である）

（上記式（１ａ）において、Ｙは芳香族環を有する炭素数６以上３０以下の炭化水素基であり、ｎ_２は０以上の整数である）

本発明者の検討によれば、マレイミド化合物（Ａ）と、ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）と、無機充填材（Ｃ）と、を含む熱硬化性樹脂組成物において、マレイミド化合物（Ａ）が、下記式（１）により示されるマレイミド化合物（Ａ１）においてｎ_１が１以上の化合物を少なくとも含む熱硬化性樹脂組成物を用いて形成された硬化物は高温での熱収縮が小さいことが明らかになった。本発明者は上記知見を元にさらに鋭意検討した。その結果、このような硬化物をプリント配線基板における絶縁層に用いることにより、微細な回路寸法を有しながらも高温高湿下での絶縁信頼性に優れるプリント配線基板を実現できることを明らかにし、本発明を完成させた。
樹脂組成物（Ｐ）により形成される絶縁層は、高温での熱収縮が小さいため、温度変化が激しい状況に長期間置かれても、絶縁層と回路層との密着性を維持することができる。そのため、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性を高めることができると考えられる。
また、樹脂組成物（Ｐ）により形成される絶縁層は高温での熱収縮が小さいため、温度変化が激しい状況に長期間置かれても、半導体素子とプリント配線基板間で発生する応力を低減することができる。その結果、得られる半導体装置について、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれを抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性を高めることができると考えられる。

以下、樹脂組成物（Ｐ）、プリプレグ、樹脂基板、金属張積層板２００、プリント配線基板３００、および半導体装置４００について詳細に説明する。

マレイミド化合物（Ａ１）は上記式（１）により示される。
Ｘ_１における１以上１０以下のアルキレン基としては、特に限定されないが、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。

この直鎖状のアルキレン基としては、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デカニレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等が挙げられる。

また、分岐鎖状のアルキレン基としては、具体的には、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−（イソプロピレン基）、−ＣＨ（ＣＨ_３）−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２−のようなアルキルメチレン基；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２−ＣＨ_２−のようなアルキルエチレン基等が挙げられる。

なお、Ｘ_１におけるアルキレン基の炭素数は、１以上１０以下であればよいが、１以上７以下であることが好ましく、１以上３以下であることがより好ましい。具体的には、このような炭素数を有するアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基が挙げられる。

また、Ｒ_１は、それぞれ独立して、炭素数１以上６以下の炭化水素基であるが、炭素数１または２の炭化水素基、具体的には、例えば、メチル基またはエチル基であるのが好ましい。

さらに、ａは０以上４以下の整数であり、０以上２以下の整数であることが好ましく、０であることがより好ましい。また、ｂは０以上３以下の整数であり、０または１であることが好ましく、０であることがより好ましい。

また、ｎ_１は０以上１０以下の整数であり、０以上６以下の整数であることが好ましく、０以上４以下の整数であるのがより好ましく、０以上３以下の整数であるのが特に好ましい。これにより、樹脂組成物（Ｐ）から得られる絶縁層はより優れた耐熱性を発揮するものとなる。
さらに、上記式（１ａ）において、Ｙは芳香族環を有する炭素数６以上３０以下の炭化水素基であり、ｎ_２は０以上の整数である。

この芳香族環を有する炭素数６以上３０以下の炭化水素基は、芳香族環のみからなるものでもよいし、芳香族環以外の炭化水素基を有していてもよい。Ｙが有する芳香族環は、１つでもよいし、２つ以上でもよく、２つ以上の場合、これら芳香族環は、同一でも異なっていてもよい。また、上記芳香族環は、単環構造および多環構造のいずれでもよい。

具体的には、芳香族環を有する炭素数６以上３０以下の炭化水素基としては、例えば、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、フルオレン、フェナントレイン、インダセン、ターフェニル、アセナフチレン、フェナレン等の芳香族性を有する化合物の核から水素原子を２つ除いた２価の基が挙げられる。

また、これら芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。ここで芳香族炭化水素基が置換基を有するとは、芳香族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部が置換基により置換されたことをいう。置換基としては、例えば、アルキル基が挙げられる。

この置換基としてのアルキル基としては、鎖状のアルキル基であることが好ましい。また、その炭素数は１以上１０以下であることが好ましく、１以上６以下であることがより好ましく、１以上４以下であることが特に好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基等が挙げられる。

このような基Ｙは、ベンゼンまたはナフタレンから水素原子を２つ除いた基を有することが好ましく、上記式（１ａ）で表される基としては、下記式（１ａ−１）、（１ａ−２）のいずれかで表される基であることが好ましい。これにより、樹脂組成物（Ｐ）から得られる絶縁層はより優れた耐熱性を発揮するものとなる。

上記式（１ａ−１）、（１ａ−２）中、Ｒ_４は、それぞれ独立に炭素数１以上６以下の炭化水素基である。ｅはそれぞれ独立に０以上４以下の整数、より好ましくは０である。

さらに、上記式（１ａ）で表される基において、ｎ_２は、０以上の整数であればよいが、０以上５以下の整数であることが好ましく、１以上３以下の整数であることがより好ましく、１または２であることが特に好ましい。

以上のことから、上記式（１）により示されるマレイミド化合物（Ａ１）は、Ｘ_１が、炭素数１以上３以下の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基であり、Ｒ_１が１または２の炭化水素基であり、ａが０以上２以下の整数であり、ｂが０または１であり、ｎ_１が１以上４以下の整数であることが好ましい。または、Ｘ_１は上記式（１ａ−１）、（１ａ−２）のいずれかで表される基であり、ｅが０であることが好ましい。これにより、樹脂組成物（Ｐ）から得られる絶縁層は、より優れた低熱収縮性および耐薬品性を発揮するものとなる。

上記式（１）により示されるマレイミド化合物（Ａ１）の好ましい具体例としては、例えば、下記式（１−１）により示されるマレイミド化合物が特に好ましく使用される。

樹脂組成物（Ｐ）中に含まれるマレイミド化合物（Ａ）の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物（Ｐ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、１．０質量％以上２５．０質量％以下が好ましく、２．０質量％以上２２．０質量％以下がより好ましく、５．０質量％以上２０．０質量％以下がより好ましい。マレイミド化合物（Ａ）の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の低熱収縮性および耐薬品性のバランスをより一層向上させることができる。

マレイミド化合物（Ａ）中に含まれるマレイミド化合物（Ａ１）の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物（Ｐ）中に含まれるマレイミド化合物（Ａ）を１００質量％としたとき、３０．０質量％以上１００．０質量％以下が好ましく、５０質量％以上１００．０質量％以下がより好ましい。マレイミド化合物（Ａ１）の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の低熱収縮性および耐薬品性のバランスをより一層向上させることができる。

マレイミド化合物（Ａ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、とくに限定されないが、Ｍｗ４００以上が好ましく、とくにＭｗ８００以上が好ましい。Ｍｗが上記下限値以上であると、プリプレグにタック性が生じるのを抑制することができる。Ｍｗの上限は、とくに限定されないが、Ｍｗ４０００以下が好ましく、Ｍｗ２５００以下がより好ましい。Ｍｗが上記上限値以下であると、樹脂基板作製時、繊維基材への含浸性が向上し、より均一な樹脂基板を得ることができる。マレイミド化合物（Ａ１）のＭｗは、例えばＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質：ポリスチレン換算）で測定することができる。

樹脂組成物（Ｐ）は、マレイミド化合物（Ａ１）とは異なる種類のマレイミド化合物（Ａ２）をさらに含むことができる。
このようなマレイミド化合物（Ａ２）としては、１，６'−ビスマレイミド−（２，２，４−トリメチル）ヘキサン、ヘキサメチレンジアミンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−１，２−エチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−１，３−プロピレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−１，４−テトラメチレンビスマレイミド等の脂肪族マレイミド化合物；イミド拡張型ビスマレイミド等を挙げることができる。これらの中でも１，６'−ビスマレイミド−（２，２，４−トリメチル）ヘキサン、イミド拡張型ビスマレイミドが特に好ましい。マレイミド化合物（Ａ２）は、単独で使用しても良く、二種類以上を併用してもよい。
イミド拡張型ビスマレイミドとしては、例えば、以下の式（ａ１）により示されるビスマレイミド化合物、以下の式（ａ２）により示されるビスマレイミド化合物、以下の式（ａ３）により示されるビスマレイミド化合物等が挙げられる。式（ａ１）により示されるビスマレイミド化合物の具体例のとしてはＢＭＩ−１５００（デジグナーモレキュールズ社製、分子量１５００）等が挙げられる。式（ａ２）により示されるビスマレイミド化合物の具体例のとしてはＢＭＩ−１７００（デジグナーモレキュールズ社製、分子量１７００）、ＢＭＩ−１４００（デジグナーモレキュールズ社製、分子量 １４００）等が挙げられる。式（ａ３）により示されるビスマレイミド化合物の具体例のとしてはＢＭＩ−３０００（デジグナーモレキュールズ社製、分子量３０００）等が挙げられる。

上記式（ａ１）において、ｎは１以上１０以下の整数を示す。

上記式（ａ２）において、ｎは１以上１０以下の整数を示す。

上記式（ａ３）において、ｎは１以上１０以下の整数を示す。

ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）はベンゾオキサジン環を有する化合物である。ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）としては、下記式（２）により示される化合物、下記式（３）により示される化合物から選択される一種または二種以上が挙げられる。

（上記式（２）において、Ｘ_２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキレン基、上記式（１ａ）で表される基、式「−ＳＯ_２−」で表される基、「−ＣＯ−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Ｒ_２はそれぞれ独立に炭素数１以上６以下の炭化水素基であり、ｃはそれぞれ独立に０以上４以下の整数である）

（上記式（３）において、Ｘ_３はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキレン基、上記式（１ａ）で表される基、式「−ＳＯ_２−」で表される基、「−ＣＯ−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Ｒ_３はそれぞれ独立に炭素数１以上６以下の炭化水素基であり、ｄはそれぞれ独立に０以上４以下の整数である）

上記式（２）および上記式（３）におけるＸ_２およびＸ_３としては、上記式（１）におけるＸ_１で説明したのと同様のものが挙げられる。また、上記式（２）および上記式（３）におけるＲ_２およびＲ_３としては、上記式（１）におけるＲ_１で説明したのと同様とすることができ、さらに、上記式（２）および上記式（３）におけるｃおよびｄとしては、上記式（１）におけるａで説明したのと同様とすることができる。

このようなベンゾオキサジン化合物（Ｂ）としては、上記式（２）で表される化合物および上記式（３）で表される化合物のうち、上記式（２）で表される化合物であるのが好ましい。これにより、樹脂組成物（Ｐ）から得られる絶縁層は、より優れた低熱収縮性および耐薬品性を発揮するものとなる。

また、この上記式（２）で表される化合物は、上記Ｘ_２が炭素数１以上３以下の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基であり、Ｒ_２が１または２の炭化水素基であり、ｃが０以上２以下の整数であることが好ましい。または、上記Ｘ_２は上記式（１ａ−１）、（１ａ−２）のいずれかで表される基であり、ｃが０であることが好ましい。これにより、樹脂組成物（Ｐ）から得られる絶縁層は、より優れた低熱収縮性および耐薬品性を発揮するものとなる。

ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）の好ましい具体例としては、例えば、下記式（２−１）により示される化合物、下記式（２−２）により示される化合物、下記式（２−３）により示される化合物、下記式（３−１）により示される化合物、下記式（３−２）により示される化合物および下記式（３−３）により示される化合物から選択される一種または二種以上が挙げられる。

（上記式（２−３）において、Ｒはそれぞれ独立に炭素数１〜４の炭化水素基である）

樹脂組成物（Ｐ）中に含まれるベンゾオキサジン化合物（Ｂ）の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物（Ｐ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、１．０質量％以上２５．０質量％以下が好ましく、２．０質量％以上１５．０質量％以下がより好ましい。ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の低熱収縮性および耐薬品性をより一層向上させることができる。

樹脂組成物（Ｐ）中に含まれるマレイミド化合物（Ａ）の含有量は、マレイミド化合物（Ａ）およびベンゾオキサジン化合物（Ｂ）の合計１００質量％に対して３５質量％以上８０質量％以下であることが好ましい。これにより、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の耐熱性、低熱収縮性および耐薬品性をより一層向上させることができる。

本実施形態に係る樹脂組成物（Ｐ）はエポキシ樹脂（Ｄ）をさらに含むことができる。
エポキシ樹脂（Ｄ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，４−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）等のビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂等のナフタレン型エポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。

エポキシ樹脂（Ｄ）として、これらの中の一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用してもよく、一種類または二種類以上とそれらのプレポリマーとを併用してもよい。

エポキシ樹脂（Ｄ）の中でも、得られるプリント配線基板の耐熱性および絶縁信頼性をより一層向上できる観点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上が好ましく、アラルキル型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂およびナフタレン型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上がより好ましい。

ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「エピコート８２８ＥＬ」および「ＹＬ９８０」等を用いることができる。ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「ｊＥＲ８０６Ｈ」および「ＹＬ９８３Ｕ」、ＤＩＣ社製の「ＥＰＩＣＬＯＮ ８３０Ｓ」等を用いることができる。２官能ナフタレン型エポキシ樹脂としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」および「ＨＰ４０３２ＳＳ」等を用いることができる。４官能ナフタレン型エポキシ樹脂としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４７００」および「ＨＰ４７１０」等を用いることができる。ナフトール型エポキシ樹脂としては、新日鐵化学社製の「ＥＳＮ−４７５Ｖ」、日本化薬社製の「ＮＣ７０００Ｌ」等を用いることができる。アラルキル型エポキシ樹脂としては、日本化薬社製の「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３０００Ｓ」、「ＮＣ３０００Ｓ−Ｈ」、「ＮＣ３１００」、新日鐵化学社製の「ＥＳＮ−１７０」、および「ＥＳＮ−４８０」等を用いることができる。ビフェニル型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「ＹＸ４０００」、「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００ＨＫ」および「ＹＬ６１２１」等を用いることができる。アントラセン型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「ＹＸ８８００」等を用いることができる。ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ６０００」、「ＥＸＡ−７３１０」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１Ｌ」および「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」等を用いることができる。

エポキシ樹脂（Ｄ）として、これらの中の一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用してもよく、一種類または二種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。

これらエポキシ樹脂（Ｄ）の中でも特にアラルキル型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、樹脂基板の吸湿半田耐熱性および難燃性をさらに向上させることができる。

エポキシ樹脂（Ｄ）の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、特に限定されないが、Ｍｗ３００以上が好ましく、特にＭｗ８００以上が好ましい。Ｍｗが上記下限値以上であると、プリプレグにタック性が生じるのを抑制することができる。Ｍｗの上限は、特に限定されないが、Ｍｗ２０，０００以下が好ましく、特にＭｗ１５，０００以下が好ましい。Ｍｗが上記上限値以下であると、プリプレグの作製時、繊維基材への含浸性が向上し、より均一なプリプレグを得ることができる。エポキシ樹脂のＭｗは、例えばＧＰＣで測定することができる。

樹脂組成物（Ｐ）中に含まれるエポキシ樹脂（Ｄ）の含有量は、その目的に応じて適宜調整されれば良く特に限定されないが、樹脂組成物（Ｐ）中の無機充填材（Ｃ）を除く成分の全量を１００質量％としたとき、１質量％以上５０質量％以下であることが好ましい。エポキシ樹脂（Ｄ）の含有量が上記下限値以上であると、ハンドリング性が向上し、プリプレグを形成するのが容易となる。エポキシ樹脂（Ｄ）の含有量が上記上限値以下であると、得られるプリント配線基板の強度や難燃性が向上したり、プリント配線基板の線膨張係数が低下し、反りの低減効果が向上したりする場合がある。

本実施形態に係る樹脂組成物（Ｐ）は、必須成分として無機充填材（Ｃ）を含んでいる。これにより、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の貯蔵弾性率Ｅ'を向上させることができる。さらに、得られる絶縁層３０１の線膨張係数を小さくすることができる。

無機充填材（Ｃ）としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカ等の酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。
これらの中でも、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましく、シリカが特に好ましい。無機充填材（Ｃ）としては、これらの中の一種類を単独で用いてもよく、二種類以上を併用してもよい。

無機充填材（Ｃ）の平均粒子径は、特に限定されないが、０．０１μｍ以上が好ましく、０．０５μｍ以上がより好ましい。無機充填材（Ｃ）の平均粒子径が上記下限値以上であると、ワニスの粘度が高くなるのを抑制でき、プリプレグの作製時の作業性を向上させることができる。また、無機充填材（Ｃ）の平均粒子径は、特に限定されないが、５．０μｍ以下が好ましく、２．０μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。無機充填材（Ｃ）の平均粒子径が上記上限値以下であると、ワニス中で無機充填材（Ｃ）の沈降等の現象を抑制でき、より均一な樹脂層を得ることができる。また、プリント配線基板の回路寸法Ｌ／Ｓが２０／２０μｍを下回る際には、配線間の絶縁性に影響を与えるのを抑制することができる。
無機充填材（Ｃ）の平均粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ_５０）を平均粒子径とすることができる。

また、無機充填材（Ｃ）は、特に限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いてもよいし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いてもよい。さらに平均粒子径が単分散および／または多分散の無機充填材を一種類または二種類以上で併用してもよい。

無機充填材（Ｃ）はシリカ粒子が好ましく、平均粒子径５．０μｍ以下のシリカ粒子が好ましく、平均粒子径０．１μｍ以上４．０μｍ以下のシリカ粒子がより好ましく、０．２μｍ以上２．０μｍ以下のシリカ粒子が特に好ましい。これにより、無機充填材（Ｃ）の充填性をさらに向上させることができる。

樹脂組成物（Ｐ）中に含まれる無機充填材（Ｃ）の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物（Ｐ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、５０．０質量％以上８５．０質量％以下が好ましく、６０．０質量％以上８０．０質量％以下がより好ましい。無機充填材（Ｃ）の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板をより低熱膨張、低吸水とすることができる。

樹脂組成物（Ｐ）は、低応力材（Ｅ）をさらに含むことが好ましい。これにより、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の応力を緩和させたり、回路層等の他の部材との密着性をより向上させたりすることができる。
低応力材（Ｅ）としては、例えば、（メタ）アクリル系ブロック共重合体；シリコーン化合物；カルボキシル基、アミノ基、ビニルアクリレート基またはエポキシ基により変性されたアクリロニトリル・ブタジエンゴム；脂肪族エポキシ樹脂；およびゴム粒子等から選択される一種または二種以上が挙げられる。

（メタ）アクリル系ブロック共重合体は（メタ）アクリル系モノマーを必須のモノマー成分として含有するブロック共重合体である。上記アクリル系モノマーとしては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸ラウリル、メタクリル酸ステアリル等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル；アクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル等の脂環構造を有する（メタ）アクリル酸エステル；メタクリル酸ベンジル等の芳香環を有する（メタ）アクリル酸エステル；メタクリル酸２−トリフルオロエチル等の（メタ）アクリル酸の（フルオロ）アルキルエステル；アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等の分子中にカルボキシル基を有するカルボキシル基含有アクリル単量体；アクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、アクリル酸４−ヒドロキシブチル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸２−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸４−ヒドロキシブチル、グリセリンのモノ（メタ）アクリル酸エステル等の分子中に水酸基を有する水酸基含有アクリル単量体；メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸メチルグリシジル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート等の分子中にエポキシ基を有するアクリル単量体；アクリル酸アリル、メタクリル酸アリル等の分子中にアリル基を有するアリル基含有アクリル単量体；γ−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン等の分子中に加水分解性シリル基を有するシラン基含有アクリル単量体；２−（２′−ヒドロキシ−５′−メタクリロキシエチルフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール系紫外線吸収性基を有する紫外線吸収性アクリル単量体等が挙げられる。

なお、上記（メタ）アクリル系ブロック共重合体には、上記アクリル系モノマー以外のモノマーがモノマー成分として用いられていてもよい。上記アクリル系モノマー以外のモノマーとしては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等の芳香族ビニル化合物、ブタジエン、イソプレン等の共役ジエン、エチレン、プロピレン、イソブテン等のオレフィン等が挙げられる。

上記（メタ）アクリル系ブロック共重合体としては、特に限定されないが、例えば、２つの重合体ブロックからなるジブロック共重合体や、３つの重合体ブロックからなるトリブロック共重合体、４つ以上の重合体ブロックより構成されるマルチブロック共重合体等が挙げられる。

中でも、上記（メタ）アクリル系ブロック共重合体としては、耐熱性、耐光性、及び耐クラック性向上の観点で、ガラス転移温度（Ｔｇ）が低い重合体ブロック（Ｓ）（ソフトブロック）と、重合体ブロック（Ｓ）よりも高いＴｇを有する重合体ブロック（Ｈ）（ハードブロック）が交互に並んだブロック共重合体が好ましく、より好ましくは重合体ブロック（Ｓ）を中間に有し、その両端に重合体ブロック（Ｈ）を有するＨ−Ｓ−Ｈ構造のトリブロック共重合体が好ましい。

樹脂組成物（Ｐ）における（メタ）アクリル系ブロック共重合体の好ましい具体例としては、例えば、上記重合体ブロック（Ｓ）がブチルアクリレート（ＢＡ）を主たるモノマーとして構成された重合体であり、上記重合体ブロック（Ｈ）がメチルメタクリレート（ＭＭＡ）を主たるモノマーとして構成された重合体である、ポリメチルメタクリレート−ｂｌｏｃｋ−ポリブチルアクリレート−ｂｌｏｃｋ−ポリメチルメタクリレートターポリマー（ＰＭＭＡ−ｂ−ＰＢＡ−ｂ−ＰＭＭＡ）等が挙げられる。

また、上記（メタ）アクリル系ブロック共重合体としては、例えば、商品名「ナノストレングス Ｍ５２Ｎ」、「ナノストレングス Ｍ２２Ｎ」、「ナノストレングス Ｍ５１」、「ナノストレングス Ｍ５２」、「ナノストレングス Ｍ５３」（アルケマ社製、ＰＭＭＡ−ｂ−ＰＢＡ−ｂ−ＰＭＭＡ）、商品名「ナノストレングス Ｅ２１」、「ナノストレングス Ｅ４１」（アルケマ社製、ＰＳｔ（ポリスチレン）−ｂ−ＰＢＡ−ｂ−ＰＭＭＡ）等の市販品を使用することもできる。

シリコーン化合物としては、例えば、シリコーンゴム、シリコーンオイル、シリコーンパウダー、シリコーン樹脂、シリコーンエポキシ樹脂、アミン変性シリコーン樹脂、エポキシ基およびフェニル基含有３次元架橋型シリコーン樹脂等が挙げられる。

上記脂肪族エポキシ樹脂としては、グリシジル基以外に環状構造を有しない脂肪族エポキシ樹脂であることが好ましく、グリシジル基を２以上有する２官能以上の脂肪族エポキシ樹脂がより好ましい。このような脂肪族エポキシ樹脂は、エポキシ基が酸化されにくいため、熱履歴による弾性率の上昇が起こりにくいため優れている。

上記ゴム粒子としては、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子、シリコーン粒子等が挙げられる。

コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される２層構造、または外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、コア層がガラス状ポリマーで構成される３層構造のもの等が挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メタクリル酸メチルの重合物等で構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物（ブチルゴム）等で構成される。コアシェル型ゴム粒子の具体例としては、スタフィロイドＡＣ３８３２、ＡＣ３８１６Ｎ（商品名、ガンツ化成社製）、メタブレンＫＷ−４４２６（商品名、三菱レイヨン社製）が挙げられる。架橋アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）粒子の具体例としては、ＸＥＲ−９１（平均粒子径０．５μｍ、ＪＳＲ社製）等が挙げられる。

架橋スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）粒子の具体例としては、ＸＳＫ−５００（平均粒子径０．５μｍ、ＪＳＲ社製）等が挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、メタブレンＷ３００Ａ（平均粒子径０．１μｍ）、Ｗ４５０Ａ（平均粒子径０．２μｍ）（三菱レイヨン社製）等が挙げられる。

シリコーン粒子は、オルガノポリシロキサンで形成されたゴム弾性微粒子であればとくに限定されず、例えば、シリコーンゴム（オルガノポリシロキサン架橋エラストマー）そのものからなる微粒子、および二次元架橋主体のシリコーンからなるコア部を三次元架橋型主体のシリコーンで被覆したコアシェル構造粒子等が挙げられる。シリコーンゴム微粒子としては、ＫＭＰ−６０５、ＫＭＰ−６００、ＫＭＰ−５９７、ＫＭＰ−５９４（信越化学社製）、トレフィルＥ−５００、トレフィルＥ−６００（東レ・ダウコーニング社製）等の市販品を用いることができる。

樹脂組成物（Ｐ）中に含まれる低応力材（Ｅ）の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物（Ｐ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、０．１質量％以上１０．０質量％以下が好ましく、１．０質量％以上８．０質量％以下がより好ましい。低応力材（Ｅ）の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の応力をより一層緩和させたり、回路層等の他の部材との密着性をより一層向上させたりすることができる。

このほか、必要に応じて、樹脂組成物（Ｐ）には硬化促進剤、カップリング剤を適宜配合することができる。

硬化促進剤としては、特に限定されず、例えば、ホスフィン化合物、ホスホニウム塩を有する化合物、イミダゾール系化合物等が挙げられ、これらのうちの一種または二種以上を組み合せて用いることができる。これらの中でもイミダゾール系化合物が好ましい。イミダゾール系化合物は、特に優れた触媒としての機能を有するものであることから、マレイミド化合物（Ａ）と、ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）との重合反応をより確実に促進させることができる。

イミダゾール系化合物としては、特に限定されず、例えば、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、１−ビニル−２−メチルイミダゾール、１−プロピル−２−メチルイミダゾール、２−イソプロピルイミダゾール、１−シアノメチル−２−メチル−イミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール等が挙げられ、これらのうちの一種または二種以上を組み合せて用いることができる。これらの中でも、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、および２−エチル−４−メチルイミダゾールであることが好ましい。これらの化合物を用いることにより、マレイミド化合物（Ａ）と、ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）の反応がより促進され、成形加工性が向上するとともに、得られる硬化物の耐熱性が向上するという利点が得られる。

ホスフィン化合物としては、エチルホスフィン、プロピルホスフィンのようなアルキルホスフィン、フェニルホスフィン等の１級ホスフィン；ジメチルホスフィン、ジエチルホスフィンのようなジアルキルホスフィン、ジフェニルホスフィン、メチルフェニルホスフィン、エチルフェニルホスフィン等の２級ホスフィン；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオクチルホスフィンのようなトリアルキルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、アルキルジフェニルホスフィン、ジアルキルフェニルホスフィン、トリベンジルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリ−ｐ−スチリルホスフィン、トリス（２，６−ジメトキシフェニル）ホスフィン、トリ−４−メチルフェニルホスフィン、トリ−４−メトキシフェニルホスフィン、トリ−２−シアノエチルホスフィン等の３級ホスフィン等が挙げられる。これらの中でも、３級ホスフィンが好ましく使用される。

また、ホスホニウム塩を有する化合物としては、テトラフェニルホスホニウム塩、アルキルトリフェニルホスホニウム塩等を有する化合物が挙げられ、具体的には、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−メチルフェニルボレート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。

硬化促進剤の含有量は、マレイミド化合物（Ａ）と、ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）との合計１００質量部に対し、０．０１〜５．０質量部であることが好ましく、０．０５〜３．０質量部であることがより好ましく、０．１〜１．５質量部であることが特に好ましい。硬化促進剤の含有量をかかる範囲内に設定することにより、樹脂組成物（Ｐ）から得られる硬化物の耐熱性をより優れたものとすることができる。

さらに、樹脂組成物（Ｐ）は、カップリング剤を含んでもよい。カップリング剤は樹脂組成物（Ｐ）の調製時に直接添加してもよいし、無機充填材（Ｃ）にあらかじめ添加しておいてもよい。カップリング剤の使用により、繊維基材または無機充填材（Ｃ）と各樹脂との界面の濡れ性を向上させることができる。したがって、カップリング剤を使用することは好ましく、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の耐熱性を改良することができる。

カップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤等のシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられる。カップリング剤は一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用してもよい。
これにより、繊維基材または無機充填材（Ｃ）と各樹脂との界面の濡れ性を高くすることができ、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の耐熱性をより向上させることができる。

シランカップリング剤としては、各種のものを用いることができるが、例えば、エポキシシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン、ビニルシラン等が挙げられる。

具体的な化合物としては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−６−（アミノヘキシル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（３−（トリメトキシシリルプロピル）−１，３−ベンゼンジメタナン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等が挙げられ、これらのうちの一種または二種以上を組み合せて用いることができる。これらのうちエポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシランが好ましく、アミノシランとしては、１級アミノシラン又はアニリノシランがより好ましい。

カップリング剤の添加量は、無機充填材（Ｃ）の比表面積に依存するので特に限定されないが、樹脂組成物（Ｐ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、０．０１質量％以上１質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上０．５質量％以下がより好ましい。
カップリング剤の含有量が上記下限値以上であると、無機充填材（Ｃ）を十分に被覆することができ、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の耐熱性を向上させることができる。また、カップリング剤の含有量が上記上限値以下であると、反応に影響を与えるのを抑制でき、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の曲げ強度等の低下を抑制することができる。

さらに、樹脂組成物（Ｐ）には、本発明の目的を損なわない範囲で、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤等の上記成分以外の添加物を添加してもよい。

顔料としては、カオリン、合成酸化鉄赤、カドミウム黄、ニッケルチタン黄、ストロンチウム黄、含水酸化クロム、酸化クロム、アルミ酸コバルト、合成ウルトラマリン青等の無機顔料、フタロシアニン等の多環顔料、アゾ顔料等が挙げられる。

染料としては、イソインドリノン、イソインドリン、キノフタロン、キサンテン、ジケトピロロピロール、ペリレン、ペリノン、アントラキノン、インジゴイド、オキサジン、キナクリドン、ベンツイミダゾロン、ビオランスロン、フタロシアニン、アゾメチン等が挙げられる。

樹脂組成物（Ｐ）は、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、Ｎ−メチルピロリドン等の有機溶剤中で、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、自転公転式分散方式等の各種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹脂ワニス（Ｉ）とすることができる。
樹脂ワニス（Ｉ）の固形分は、特に限定されないが、４０質量％以上８０質量％以下が好ましく、特に５０質量％以上７０質量％以下が好ましい。これにより、樹脂ワニス（Ｉ）の繊維基材への含浸性をさらに向上させることができる。

以上の樹脂組成物（Ｐ）において、各成分の割合は、例えば、以下のようである。
樹脂組成物（Ｐ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、好ましくは、マレイミド化合物（Ａ）の割合が１．０質量％以上２５．０質量％以下であり、ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）の割合が１．０質量％以上２５．０質量％以下であり、無機充填材（Ｃ）の割合が５０．０質量％以上８５．０質量％以下である。
より好ましくは、マレイミド化合物（Ａ）の割合が５．０質量％以上２０．０質量％以下であり、ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）の割合が２．０質量％以上１５．０質量％以下であり、無機充填材（Ｃ）の割合が６０．０質量％以上８０．０質量％以下である。

つぎに、本実施形態におけるプリプレグについて説明する。

プリプレグは、プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いられるものである。プリプレグは、例えば、本実施形態における樹脂組成物（Ｐ）を繊維基材に含浸させ、その後、半硬化させて得られるシート状の材料である。

また、樹脂基板は、プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いられる。
ここで、樹脂基板はプリプレグの硬化物を含むものであり、例えば、プリプレグを加熱硬化することによって得ることができる。

プリプレグは、例えば、プリント配線基板におけるビルドアップ層中の絶縁層やコア層中の絶縁層を形成するために用いることができる。
プリプレグをプリント配線基板におけるコア層中の絶縁層を形成するために用いる場合は、例えば、２枚以上のプリプレグを重ね、得られた積層体を加熱硬化することによりコア層用の絶縁層とすることもできる。

また、プリプレグを用いて得られるプリント配線基板の剛性や耐熱性を向上させる観点から、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件での動的粘弾性測定により測定される、プリプレグを、例えば、圧力４ＭＰａ、温度２３０℃で２時間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板のガラス転移温度が、好ましくは２６０℃以上であり、より好ましくは２７０℃以上であり、さらに好ましくは２８０℃以上である。上限については、例えば、４００℃以下が好ましい。ガラス転移温度は、動的粘弾性分析装置（ＤＭＡ）を用いて測定することができる。
また、上記硬化物または樹脂基板において、動的粘弾性測定によるガラス転移温度が上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板の剛性が高まり、実装時のプリント配線基板の反りをより一層低減できる。その結果、得られる半導体装置について、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高めることができる。
このようなガラス転移温度を達成するためには、マレイミド化合物（Ａ）、ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）、無機充填材（Ｃ）、エポキシ樹脂（Ｄ）、低応力材（Ｅ）、繊維基材、硬化促進剤等の種類や配合量、プリプレグの製造方法等をそれぞれ適切に制御することが重要である。

また、プリプレグを用いて得られるプリント配線基板の剛性や耐熱性、応力緩和能のバランスをより一層向上させる観点から、プリプレグを、例えば、圧力４ＭＰａ、温度２３０℃で２時間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板の３０℃での貯蔵弾性率Ｅ'_３０が、好ましくは１０ＧＰａ以上であり、さらに好ましくは２０ＧＰａ以上である。上限値については、特に限定されるものではないが、例えば、４０ＧＰａ以下とすることができる。
上記硬化物または樹脂基板において、３０℃での貯蔵弾性率Ｅ'_３０が上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板の剛性や耐熱性、応力緩和能の性能バランスが向上し、実装時のプリント配線基板の反りをより一層低減できる。その結果、得られる半導体装置について、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高めることができる。

また、プリプレグを用いて得られるプリント配線基板の剛性や耐熱性、応力緩和能のバランスをより一層向上させる観点から、プリプレグを、例えば、圧力４ＭＰａ、温度２３０℃で２時間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板の２５０℃での貯蔵弾性率Ｅ'_２５０に対する３０℃での貯蔵弾性率Ｅ'_３０の比（Ｅ'_３０／Ｅ'_２５０）が、１．０５以上１．７５以下であることが好ましい。
上記硬化物または樹脂基板において、Ｅ'_３０／Ｅ'_２５０が上記範囲を満たすと、温度変化に対するプリント配線基板の弾性率の変化をより一層抑制できる。これにより、大きな温度変化が生じても絶縁層の変形等が起きにくく、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれを抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高めることができる。

このような貯蔵弾性率Ｅ'_３０やＥ'_３０／Ｅ'_２５０を達成するためには、マレイミド化合物（Ａ）、ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）、無機充填材（Ｃ）、エポキシ樹脂（Ｄ）、低応力材（Ｅ）、繊維基材、硬化促進剤等の種類や配合量、プリプレグの製造方法等をそれぞれ適切に制御することが重要である。

また、プリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性や、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性を高める観点から、プリプレグを、例えば、圧力４ＭＰａ、温度２３０℃で２時間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板の面内方向における、５０℃から１５０℃の範囲において算出した平均線膨張係数α_１が好ましくは８．０ｐｐｍ／℃以下であり、より好ましくは７．５ｐｐｍ／℃以下であり、特に好ましくは６．５ｐｐｍ／℃以下。下限値については、特に限定されるものではないが、例えば、０．１ｐｐｍ／℃以上とすることができる。
上記硬化物または樹脂基板において、平均線膨張係数α_１が上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板において、環境温度に大きな変化が生じても、回路層と絶縁層との間の線膨張係数差に起因して発生する応力を低減することができる。そのため、得られるプリント配線基板や半導体装置において、温度変化が激しい状況に長期間置かれても、回路層と絶縁層との密着性を維持することができる。これにより、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性をより一層高めることができる。
また、上記硬化物または樹脂基板において、平均線膨張係数α_１が上記範囲を満たすと、得られる半導体装置において、高い温度に曝された際にプリント配線基板と半導体素子との間の線膨張係数差に起因して発生する応力をより低減することができる。その結果、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の高温での接続信頼性や温度サイクル信頼性をより一層高めることができる。

また、プリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性や、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高める観点から、プリプレグを、例えば、圧力４ＭＰａ、温度２３０℃で２時間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板の面内方向における、１５０℃から２５０℃の範囲において算出した平均線膨張係数α_２が好ましくは１０．０ｐｐｍ／℃以下であり、より好ましくは７．５ｐｐｍ／℃以下であり、特に好ましくは７．２ｐｐｍ／℃以下である。下限値については、特に限定されるものではないが、例えば、０．１ｐｐｍ／℃以上とすることができる。
上記硬化物または樹脂基板において、平均線膨張係数α_２が上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板において、半田リフロー等の高い温度に曝された際に回路層と絶縁層との間の線膨張係数差に起因して発生する応力を低減することができる。そのため、得られるプリント配線基板や半導体装置において、温度変化が激しい状況に長期間置かれても、回路層と絶縁層との密着性を維持することができる。これにより、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性をより一層高めることができる。
上記硬化物または樹脂基板において、平均線膨張係数α_２が上記範囲を満たすと、得られる半導体装置において、半田リフロー等の高い温度に曝された際にプリント配線基板と半導体素子との間の線膨張係数差に起因して発生する応力を低減することができる。その結果、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の高温での接続信頼性や温度サイクル信頼性をより一層高めることができる。

また、プリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性や、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高める観点から、プリプレグを、例えば、圧力４ＭＰａ、温度２３０℃で２時間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板の面内方向における、５０℃から１５０℃の範囲において算出した平均線膨張係数α_１に対する１５０℃から２５０℃の範囲において算出した平均線膨張係数α_２の比（α_２／α_１）が好ましくは０．７以上２．０以下、より好ましくは０．７５以上１．５以下、さらに好ましくは０．８以上１．２以下である。
本実施形態において、平均線膨張係数α_１およびα_２とは、ＴＭＡ（熱機械分析）装置（ＴＡインスツルメント社製、Ｑ４００）を用いて、温度範囲３０℃〜２６０℃、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、荷重１０ｇ、圧縮モードの条件で測定される、平面方向（ＸＹ方向）の線膨張係数（ＣＴＥ）の平均値である。
上記硬化物または樹脂基板において、α_２／α_１が上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板において、環境温度に大きな変化が生じても、回路層と絶縁層との間の線膨張係数差に起因して発生する応力の変化を低減することができる。そのため、得られるプリント配線基板や半導体装置において、温度変化が激しい状況に長期間置かれても、回路層と絶縁層との密着性を維持することができる。以上から、プリプレグを用いることにより、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性を高めることができると考えられる。
さらに、上記硬化物または樹脂基板において、α_２／α_１が上記範囲を満たすと、得られる半導体装置において、環境温度に大きな変化が生じても、プリント配線基板と半導体素子との間の線膨張係数差に起因して発生する応力の変化を低減することができる。その結果、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の高温での接続信頼性や温度サイクル信頼性をより一層高めることができる。

このような平均線膨張係数α_１やα_２、α_２／α_１を達成するためには、マレイミド化合物（Ａ）、ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）、無機充填材（Ｃ）、エポキシ樹脂（Ｄ）、低応力材（Ｅ）、繊維基材、硬化促進剤等の種類や配合量、プリプレグの製造方法等をそれぞれ適切に制御することが重要である。

また、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高める観点から、プリプレグを、例えば、圧力４ＭＰａ、温度２３０℃で２時間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板において、熱機械分析装置を用いて、３０℃から２６０℃まで１０℃／ｍｉｎで昇温する過程と、２６０℃で１時間保持する過程とからなる熱機械分析測定を行ったとき、熱機械分析測定前の硬化物の縦方向の長さを基準長Ｌ_０とし、硬化物の基準長Ｌ_０からの最大の熱膨張量をＬ_１とし、硬化物を２６０℃で１時間保持したときの基準長Ｌ_０からの熱膨張量をＬ_２とした場合、１００×（Ｌ_１−Ｌ_２）／Ｌ_０で示される寸法収縮率が０．１５％以下であることが好ましく、０．１０％以下であることがより好ましい。下限値については、特に限定されるものではないが、例えば、０．００％以上とすることができる。
なお、硬化物の縦方向はプリプレグの搬送方向（いわゆるＭＤ）を指す。
上記硬化物または樹脂基板において、寸法収縮率が上記範囲を満たすと、得られる半導体装置において、高い温度に曝された際にプリント配線基板中の絶縁層の収縮に起因して発生する応力を低減することができる。その結果、温度変化が激しい状況に長期間置かれても、絶縁層と回路層との密着性を維持することができるため、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性を高めることができる。また、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の高温での接続信頼性や温度サイクル信頼性をより一層高めることができる。

このような寸法収縮率を達成するためには、マレイミド化合物（Ａ）、ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）、無機充填材（Ｃ）、エポキシ樹脂（Ｄ）、低応力材（Ｅ）、繊維基材、硬化促進剤等の種類や配合量、プリプレグの製造方法等をそれぞれ適切に制御することが重要である。

また、プリプレグの硬化物または樹脂基板の微細配線加工性をより一層高める観点から、プリプレグを、例えば、圧力４ＭＰａ、温度２３０℃で２時間加熱加圧成形して得られる硬化物において、上記硬化物の１２０℃で１時間乾燥後の質量を第１の質量とし、当該硬化物を下記条件で処理した後の硬化物の１２０℃で１時間乾燥後の質量を第２の質量としたとき、［｛（第１の質量）−（第２の質量）｝／（当該硬化物の表裏両面の面積の和）］×１００で定義される減膜量が１．２ｇ／ｍ^２以下であることが好ましい。
＜条件＞
硬化物を３ｇ／Ｌ水酸化ナトリウム溶液（溶媒：ジエチレングリコールモノブチルエーテル１１．１体積％、エチレングリコール３．６体積％、純水８５．３体積％）に６０℃、５分間浸漬することにより硬化物を膨潤させ、次いで、膨潤した硬化物を粗化処理水溶液（過マンガン酸ナトリウム６０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム４５ｇ／Ｌ）に８０℃、５分間浸漬することにより硬化物を粗化処理し、次いで、粗化処理した硬化物を中和液（９８質量％硫酸５．０体積％、硫酸ヒドロキシルアミン０．８体積％、純水９４．２体積％）に４０℃、５分間浸漬することにより硬化物を中和する。

上記硬化物において、減膜量が上記範囲を満たすと、プリプレグの硬化物または樹脂基板の微細配線加工性を向上させることができる。これは、上記式で定義される減膜量が上記上限値以下であるプリプレグの硬化物または樹脂基板は、表面に粗化処理を施しても、金属層（回路層）に対する密着性を維持できるからだと考えられる。

このような減膜量を達成するためには、マレイミド化合物（Ａ）、ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）、無機充填材（Ｃ）、エポキシ樹脂（Ｄ）、低応力材（Ｅ）、繊維基材、硬化促進剤等の種類や配合量、プリプレグの製造方法等をそれぞれ適切に制御することが重要である。

プリプレグの厚さは、例えば、２０μｍ以上２２０μｍ以下である。プリプレグの厚さが上記範囲内であると、機械的強度および生産性のバランスが特に優れ、薄型のプリント配線基板に適した樹脂基板を得ることができる。

図１は、本実施形態における金属張積層板２００の構成の一例を示す断面図である。金属張積層板２００は、プリプレグの硬化物（絶縁層３０１）、またはプリプレグを２枚以上重ね合わせた積層体の硬化物（絶縁層３０１）の片面または両面に金属箔１０５が設けられている。金属張積層板２００は、プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いることができる。

つづいて、プリプレグの製造方法について説明する。
プリプレグは、例えば、本実施形態における樹脂組成物（Ｐ）を繊維基材に含浸させ、その後、半硬化させて得られるシート状の材料である。このような構造のシート状材料は、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れ、プリント配線基板の絶縁層の製造に適している。

樹脂組成物（Ｐ）を繊維基材に含浸させる方法としては、特に限定されないが、例えば、樹脂組成物（Ｐ）を溶剤に溶かして樹脂ワニスを調製し、繊維基材を上記樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより上記樹脂ワニスを繊維基材に塗布する方法、スプレーにより上記樹脂ワニスを繊維基材に吹き付ける方法、繊維基材の両面から樹脂組成物（Ｐ）からなる樹脂層（Ｐ）で繊維基材をラミネートする方法等が挙げられる。

つづいて、上記で得られたプリプレグを用いた金属張積層板２００の製造方法について説明する。プリプレグを用いた金属張積層板２００の製造方法は、例えば以下の通りである。
プリプレグまたはプリプレグを２枚以上重ね合わせた積層体の外側の上下両面または片面に金属箔１０５を重ね、ラミネーター装置やベクレル装置を用いて高真空条件下でこれらを接合する、あるいはそのままプリプレグの外側の上下両面または片面に金属箔１０５を重ねる。また、プリプレグを２枚以上積層するときは、積層したプリプレグの最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔１０５を重ねる。
次いで、プリプレグと金属箔１０５とを重ねた積層体を加熱加圧成形することで金属張積層板２００を得ることができる。ここで、加熱加圧成形時に、冷却終了時まで加圧を継続することが好ましい。

上記の加熱加圧成形するときの加熱温度は、１２０℃以上２５０℃以下が好ましく、１５０℃以上２４０℃以下がより好ましい。
また、上記の加熱加圧成形するときの圧力は、０．５ＭＰａ以上５ＭＰａ以下が好ましく、２．５ＭＰａ以上５ＭＰａ以下の高圧がより好ましい。

また、加熱加圧成形後に、必要に応じて、恒温槽等で後硬化をおこなってもよい。後硬化の温度は、好ましくは１５０℃以上３００℃以下であり、より好ましくは２５０℃以上３００℃以下である。

また、この金属張積層板２００または樹脂基板をコア基板として用いてプリント配線基板を得ることができる。

以下、プリプレグ、金属張積層板２００および樹脂基板を製造する際に使用する各材料について詳細に説明する。

金属箔１０５を構成する金属としては、例えば、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金、銀、銀系合金、金、金系合金、亜鉛、亜鉛系合金、ニッケル、ニッケル系合金、錫、錫系合金、鉄、鉄系合金、コバール（商標名）、４２アロイ、インバー、スーパーインバー等のＦｅ−Ｎｉ系の合金、Ｗ、Ｍｏ等が挙げられる。これらの中でも、金属箔１０５を構成する金属としては、導電性に優れ、エッチングによる回路形成が容易であり、また安価であることから銅または銅合金が好ましい。すなわち、金属箔１０５としては、銅箔が好ましい。
また、金属箔１０５としては、キャリア付金属箔等も使用することができる。
金属箔１０５の厚みは、好ましくは０．５μｍ以上２０μｍ以下であり、より好ましくは１．５μｍ以上１８μｍ以下である。

次いで、本実施形態に用いられる繊維基材について説明する。
繊維基材としては、とくに限定されないが、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材；ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維；ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維；ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維のいずれかを主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材；クラフト紙、コットンリンター紙、あるいはリンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材；等が挙げられる。これらのうち、いずれかを使用することができる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、低吸水性で、高強度、低熱膨張性の樹脂基板を得ることができる。

繊維基材の厚みは、とくに限定されないが、好ましくは５μｍ以上１５０μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下であり、さらに好ましくは１２μｍ以上９０μｍ以下である。このような厚みを有する繊維基材を用いることにより、プリプレグ製造時のハンドリング性がさらに向上できる。
繊維基材の厚みが上記上限値以下であると、繊維基材中の樹脂組成物（Ｐ）の含浸性が向上し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下の発生を抑制することができる。また炭酸ガス、ＵＶ、エキシマ等のレーザーによるスルーホールの形成を容易にすることができる。また、繊維基材の厚みが上記下限値以上であると、繊維基材やプリプレグの強度を向上させることができる。その結果、ハンドリング性が向上できたり、プリプレグの作製が容易となったり、樹脂基板の反りを抑制できたりする。

ガラス繊維基材として、例えば、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｔガラス、ＮＥガラス、ＵＴガラス、Ｌガラス、ＨＰガラスおよび石英ガラスから選ばれる一種または二種以上のガラスにより形成されたガラス繊維基材が好適に用いられる。

次に、本実施形態に係るプリント配線基板３００について説明する。図２および図３は、本実施形態におけるプリント配線基板３００の構成の一例を示す断面図である。

プリント配線基板３００は、ビアホール３０７が設けられた絶縁層３０１と、絶縁層３０１の少なくとも一方の面に設けられた金属層３０３とを少なくとも有する。なお、本実施形態において、ビアホール３０７とは層間を電気的に接続するための孔であり、貫通孔および非貫通孔いずれでもよい。

本実施形態に係るプリント配線基板３００は、図２に示すように、片面プリント配線基板であってもよいし、両面プリント配線基板または多層プリント配線基板であってもよい。両面プリント配線基板とは、絶縁層３０１の両面に金属層３０３を積層したプリント配線基板である。また、多層プリント配線基板とは、メッキスルーホール法やビルドアップ法等により、絶縁層３０１上に、層間絶縁層（ビルドアップ層とも呼ぶ。）を介して金属層３０３を２層以上積層したプリント配線基板である。
ここで、本実施形態に係るプリント配線基板３００において、絶縁層３０１が本実施形態に係る樹脂基板または金属張積層板２００の絶縁層３０１に相当する。

金属層３０３は、例えば、回路層であり、金属箔１０５および／または無電解金属めっき膜３０８と、電解金属めっき層３０９とを有する。

プリント配線基板３００が、図３に示すような多層プリント配線基板の場合は、金属層３０３は、コア層３１１またはビルドアップ層３１７中の回路層である。

金属層３０３は、例えば、薬液処理またはプラズマ処理された金属箔１０５または絶縁層３０１の面上に、ＳＡＰ（セミアディティブプロセス）法により形成される。金属箔１０５または絶縁層３０１上に無電解金属めっき膜３０８を施した後、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより電解金属めっき層３０９付けを行い、めっきレジストの除去とフラッシュエッチングによる無電解金属めっき膜３０８の除去により、金属箔１０５または絶縁層３０１上に金属層３０３を形成する。

金属層３０３の回路寸法は、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）で表わすとき、２５μｍ／２５μｍ以下とすることができ、特に１５μｍ／１５μｍ以下とすることができる。回路寸法を小さくし、微細配線にすると配線間の絶縁信頼性が低下する。しかし、本実施形態に係るプリント配線基板３００は、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）１５μｍ／１５μｍ以下の微細配線が可能であり、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）１０μｍ／１０μｍ程度までの微細化を達成できる。

金属層３０３の厚みは、特に限定されないが、通常は５μｍ以上２５μｍ以下である。

ビルドアップ層３１７中の絶縁層３０５は、絶縁性の材料により構成されていれば特に限定されないが、例えば、樹脂フィルム、プリプレグのいずれかにより構成することができる。これらの中でも、プリプレグはシート状材料であり、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れ、プリント配線基板用のビルドアップ層３１７の製造に適しており好ましい。
プリプレグとしては、前述したプリプレグが特に好ましい。

コア層３１１中の絶縁層３０１（ビルドアップ層３１７を含まないプリント配線基板３００中の絶縁層３０１も含む。）の厚さは、好ましくは０．０２５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である。絶縁層３０１の厚さが上記範囲内であると、機械的強度および生産性のバランスが特に優れ、薄型プリント配線基板に適した絶縁層３０１を得ることができる。

ビルドアップ層３１７中の絶縁層３０５の厚さは、好ましくは０．０１５ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下である。絶縁層３０５の厚さが上記範囲内であると、機械的強度および生産性のバランスが特に優れ、薄型プリント配線基板に適した絶縁層３０５を得ることができる。

つづいて、プリント配線基板３００の製造方法の一例について説明する。ただし、本実施形態に係るプリント配線基板３００の製造方法は、以下の例に限定されない。

はじめに、金属張積層板２００を準備する。
次いで、エッチング処理により、金属箔１０５の一部またはすべてを除去する。

次いで、絶縁層３０１にビアホール３０７を形成する。ビアホール３０７は、例えば、ドリル機やレーザー照射を用いて形成することができる。レーザー照射に用いるレーザーは、エキシマレーザー、ＵＶレーザー、炭酸ガスレーザー等が挙げられる。ビアホール３０７を形成後の樹脂残渣等は、過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤等により除去してもよい。
なお、エッチング処理による金属箔１０５の除去前に、絶縁層３０１にビアホール３０７を形成してもよい。

次いで、金属箔１０５または絶縁層３０１の表面に対して、薬液処理またはプラズマ処理を行う。
薬液処理としては、特に限定されず、有機物分解作用を有する酸化剤溶液等を使用する方法等が挙げられる。また、プラズマ処理としては、対象物となるものに直接酸化作用の強い活性種（プラズマ、ラジカル等）を照射して有機物残渣を除去する方法等が挙げられる。

次に、金属層３０３を形成する。金属層３０３は、例えば、セミアディティブプロセス（ＳＡＰ）またはモディファイドセミアディティブプロセス（ＭＳＡＰ）により形成することができる。以下、具体的に説明する。

はじめに、無電解めっき法を用いて、金属箔１０５または絶縁層３０１の表面やビアホール３０７内に無電解金属めっき膜３０８を形成し、プリント配線基板３００の両面の導通を図る。またビアホール３０７は、導体ペースト、または樹脂ペーストで適宜埋めることができる。無電解めっき法の例を説明する。例えば、まず金属箔１０５または絶縁層３０１の表面上やビアホール３０７内に触媒核を付与する。この触媒核としては、特に限定されないが、例えば、貴金属イオンやパラジウムコロイドを用いることができる。引き続き、この触媒核を核として、無電解めっき処理により無電解金属めっき膜３０８を形成する。無電解めっき処理には、例えば、硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウム等を含むものを用いることができる。なお、無電解めっき後に、１００〜２５０℃の加熱処理を施し、めっき被膜を安定化させることが好ましい。１２０〜１８０℃の加熱処理が酸化を抑制できる被膜を形成できる点で、特に好ましい。また、無電解金属めっき膜３０８の平均厚さは、例えば、０．１〜２μｍ程度である。

次いで、金属箔１０５および／または無電解金属めっき膜３０８上に所定の開口パターンを有するめっきレジストを形成する。この開口パターンは、例えば回路パターンに相当する。めっきレジストとしては、特に限定されず、公知の材料を用いることができるが、液状およびドライフィルムを用いることができる。微細配線形成の場合には、めっきレジストとしては、感光性ドライフィルム等を用いることが好ましい。感光性ドライフィルムを用いた一例を説明する。例えば、無電解金属めっき膜３０８上に感光性ドライフィルムを積層し、非回路形成領域を露光して光硬化させ、未露光部を現像液で溶解、除去する。硬化した感光性ドライフィルムを残存させることにより、めっきレジストを形成する。

次いで、少なくともめっきレジストの開口パターン内部かつ金属箔１０５および／または無電解金属めっき膜３０８上に、電気めっき処理により、電解金属めっき層３０９を形成する。電気めっき処理としては、特に限定されないが、通常のプリント配線基板で用いられる公知の方法を使用することができ、例えば、硫酸銅等のめっき液中に浸漬させた状態で、めっき液に電流を流す等の方法を使用することができる。電解金属めっき層３０９は単層でもよく多層構造を有していてもよい。電解金属めっき層３０９の材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、銅合金、４２合金、ニッケル、鉄、クロム、タングステン、金、半田のいずれか一種以上を用いることができる。

次いで、アルカリ性剥離液や硫酸または市販のレジスト剥離液等を用いてめっきレジストを除去する。

次いで、電解金属めっき層３０９が形成されている領域以外の金属箔１０５および／または無電解金属めっき膜３０８を除去する。例えば、ソフトエッチング（フラッシュエッチング）等を用いることにより、金属箔１０５および／または無電解金属めっき膜３０８を除去することができる。ここで、ソフトエッチング処理は、例えば、硫酸および過酸化水素を含むエッチング液を用いたエッチングにより行うことができる。これにより、金属層３０３を形成することができる。金属層３０３は、金属箔１０５および／または無電解金属めっき膜３０８と、電解金属めっき層３０９と、により構成されることになる。

さらに、プリント配線基板３００上に、必要に応じてビルドアップ層３１７を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返すことにより、多層にすることができる。

以上により、本実施形態のプリント配線基板３００が得られる。

つづいて、本実施形態に係る半導体装置４００について説明する。図４および図５は、本実施形態における半導体装置４００の構成の一例を示す断面図である。プリント配線基板３００は、図４および図５に示すような半導体装置４００に用いることができる。半導体装置４００の製造方法としては、特に限定されないが、例えば以下のような方法がある。

まず、金属層３０３（回路層）上に、必要に応じてビルドアップ層を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返す。そして、必要に応じてソルダーレジスト層４０１をプリント配線基板３００の両面または片面に積層する。

ソルダーレジスト層４０１の形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストをラミネートし、露光、および現像することにより形成する方法、または液状レジストを印刷したものを露光、および現像により形成する方法によりなされる。

つづいて、リフロー処理を行なうことによって、半導体素子４０７を回路層の一部である接続端子上に半田バンプ４１０を介して固着させる。その後、半導体素子４０７、半田バンプ４１０等を封止材４１３で封止することによって、図４および図５に示す様な半導体装置４００が得られる。

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば、本実施形態では、プリプレグが１層の場合を示したが、プリプレグを２層以上積層したものを用いて絶縁層を作製してもよい。
また、上記実施形態では、半導体素子４０７と、プリント配線基板３００の回路層とを半田バンプ４１０で接続したが、これに限られるものではない。例えば、半導体素子４０７とプリント配線基板３００の回路層とをボンディングワイヤで接続してもよい。
以下、実施形態の例を付記する。
１． プリント配線基板における絶縁層を形成するために用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
マレイミド化合物（Ａ）と、
ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）と、
無機充填材（Ｃ）と、
を含み、
前記マレイミド化合物（Ａ）が、下記式（１）により示されるマレイミド化合物（Ａ１）においてｎ _１ が１以上の化合物を少なくとも含むプリント配線基板用樹脂組成物。

（前記式（１）において、ｎ _１ は０以上１０以下の整数であり、Ｘ _１ はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキレン基、下記式（１ａ）で表される基、式「−ＳＯ _２ −」で表される基、「−ＣＯ−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Ｒ _１ はそれぞれ独立に炭素数１以上６以下の炭化水素基であり、ａはそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｂはそれぞれ独立に０以上３以下の整数である）

（前記式（１ａ）において、Ｙは芳香族環を有する炭素数６以上３０以下の炭化水素基であり、ｎ _２ は０以上の整数である）
２． １．に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定される、前記マレイミド化合物（Ａ１）の重量均分子量（Ｍｗ）が４００以上４０００以下であるプリント配線基板用樹脂組成物。
３． １．または２．に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、前記マレイミド化合物（Ａ）の含有量が、前記マレイミド化合物（Ａ）および前記ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）の合計１００質量％に対して３５質量％以上８０質量％以下であるプリント配線基板用樹脂組成物。
４． １．乃至３．いずれかに記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、前記ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）は下記式（２）により示される化合物、下記式（３）により示される化合物から選択される一種または二種以上を含むプリント配線基板用樹脂組成物。

（前記式（２）において、Ｘ _２ はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキレン基、前記式（１ａ）で表される基、式「−ＳＯ _２ −」で表される基、「−ＣＯ−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Ｒ _２ はそれぞれ独立に炭素数１〜６の炭化水素基であり、ｃはそれぞれ独立に０以上４以下の整数である）

（前記式（３）において、Ｘ _３ はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキレン基、前記式（１ａ）で表される基、式「−ＳＯ _２ −」で表される基、「−ＣＯ−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Ｒ _３ はそれぞれ独立に炭素数１〜６の炭化水素基であり、ｄはそれぞれ独立に０以上４以下の整数である）
５． ４．に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、前記ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）が下記式（２−１）により示される化合物、下記式（２−２）により示される化合物、下記式（２−３）により示される化合物、下記式（３−１）により示される化合物、下記式（３−２）により示される化合物および下記式（３−３）により示される化合物から選択される一種または二種以上を含むプリント配線基板用樹脂組成物。

（前記式（２−３）において、Ｒはそれぞれ独立に炭素数１〜４の炭化水素基である）
６． １．乃至５．いずれかに記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、低応力材（Ｅ）をさらに含むプリント配線基板用樹脂組成物。
７． ６．に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、前記低応力材（Ｅ）が（メタ）アクリル系ブロック共重合体；シリコーン化合物；カルボキシル基、アミノ基、ビニルアクリレート基またはエポキシ基により変性されたアクリロニトリル・ブタジエンゴム；脂肪族エポキシ樹脂；およびゴム粒子から選択される一種または二種以上を含むプリント配線基板用樹脂組成物。
８． １．乃至７．いずれかに記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、前記無機充填材（Ｃ）がタルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、ベーマイト、水酸化アルミニウム、および水酸化マグネシウムから選択される一種または二種以上を含むプリント配線基板用樹脂組成物。
９． １．乃至８．いずれかに記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、前記無機充填材（Ｃ）の含有量が、前記プリント配線基板用樹脂組成物の全固形分１００質量％に対し、５０質量％以上８５質量％以下であるプリント配線基板用樹脂組成物。
１０． １．乃至９．いずれかに記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、エポキシ樹脂（Ｄ）をさらに含むプリント配線基板用樹脂組成物。
１１． １０．に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂（Ｄ）の含有量が、前記プリント配線基板用樹脂組成物中の前記無機充填材（Ｃ）を除く成分の全量を１００質量％としたとき、１質量％以上５０質量％以下であるプリント配線基板用樹脂組成物。
１２． １．乃至１１．いずれかに記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、前記マレイミド化合物（Ａ１）とは異なる種類のマレイミド化合物（Ａ２）をさらに含むプリント配線基板用樹脂組成物。
１３． １２．に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、前記マレイミド化合物（Ａ２）が１，６’−ビスマレイミド−（２，２，４−トリメチル）ヘキサンおよびイミド拡張型ビスマレイミドから選択される少なくとも一種を含むプリント配線基板用樹脂組成物。
１４． １．乃至１３．いずれかに記載のプリント配線基板用樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるプリプレグ。
１５． １４．に記載のプリプレグにおいて、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件での動的粘弾性測定により測定される、当該プリプレグを２３０℃、２時間加熱処理して得られる硬化物のガラス転移温度が２６０℃以上であるプリプレグ。
１６． １４．または１５．に記載のプリプレグにおいて、当該プリプレグを２３０℃、２時間加熱処理して得られる硬化物の２５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’ _２５０ に対する３０℃での貯蔵弾性率Ｅ’ _３０ の比（Ｅ’ _３０ ／Ｅ’ _２５０ ）が、１．０５以上１．７５以下であるプリプレグ。
１７． １４．乃至１６．いずれかに記載のプリプレグにおいて、当該プリプレグを２３０℃、２時間加熱処理して得られる硬化物の面内方向における、５０℃から１５０℃の範囲において算出した平均線膨張係数α _１ に対する１５０℃から２５０℃の範囲において算出した平均線膨張係数α _２ の比（α _２ ／α _１ ）が、０．７以上２．０以下であるプリプレグ。
１８． １４．乃至１７．いずれかに記載のプリプレグにおいて、当該プリプレグを２３０℃、２時間加熱処理して得られる硬化物に対し、熱機械分析装置を用いて、３０℃から２６０℃まで１０℃／ｍｉｎで昇温する過程と、２６０℃で１時間保持する過程とからなる熱機械分析測定を行ったとき、前記熱機械分析測定前の前記硬化物の縦方向の長さを基準長Ｌ _０ とし、前記硬化物の前記基準長Ｌ _０ からの最大の熱膨張量をＬ _１ とし、前記硬化物を２６０℃で１時間保持したときの前記基準長Ｌ _０ からの熱膨張量をＬ _２ とした場合、
１００×（Ｌ _１ −Ｌ _２ ）／Ｌ _０ で示される寸法収縮率が０．１５％以下であるプリプレグ。
１９． １４．乃至１８．いずれかに記載のプリプレグにおいて、当該プリプレグを２３０℃、２時間加熱処理して得られる硬化物の質量を第１の質量とし、当該硬化物を下記条件で処理した後の硬化物の質量を第２の質量としたとき、
［｛（第１の質量）−（第２の質量）｝／（当該硬化物の表裏両面の面積の和）］×１００で定義される減膜量が１．２ｇ／ｍ ^２ 以下であるプリプレグ。
＜条件＞
前記硬化物を３ｇ／Ｌ水酸化ナトリウム溶液（溶媒：ジエチレングリコールモノブチルエーテル１１．１体積％、エチレングリコール３．６体積％、純水８５．３体積％）に６０℃、５分間浸漬することにより前記硬化物を膨潤させ、次いで、膨潤した前記硬化物を粗化処理水溶液（過マンガン酸ナトリウム６０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム４５ｇ／Ｌ）に８０℃、５分間浸漬することにより前記硬化物を粗化処理し、次いで、粗化処理した前記硬化物を中和液（９８質量％硫酸５．０体積％、硫酸ヒドロキシルアミン０．８体積％、純水９４．２体積％）に４０℃、５分間浸漬することにより前記硬化物を中和する
２０． １４．乃至１９．いずれかに記載のプリプレグにおいて、前記繊維基材がＥガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｔガラス、ＮＥガラス、ＵＴガラス、Ｌガラス、ＨＰガラスおよび石英ガラスから選ばれる一種または二種以上のガラスにより形成されたガラス繊維基材であるプリプレグ。
２１． １４．乃至２０．いずれかに記載のプリプレグにおいて、当該プリプレグの厚みが２０μｍ以上２２０μｍ以下であるプリプレグ。
２２． １４．乃至２１．いずれかに記載のプリプレグの硬化物を含む樹脂基板。
２３． １４．乃至２１．いずれかに記載のプリプレグの硬化物または前記プリプレグを２枚以上重ね合わせた積層体の硬化物の片面または両面に金属箔が設けられている金属張積層板。
２４． ２２．に記載の樹脂基板または２３．に記載の金属張積層板を回路加工して得られるものであり、１層又は２層以上の回路層が設けられているプリント配線基板。
２５． ２４．に記載のプリント配線基板の前記回路層上に半導体素子を搭載した半導体装置。

以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例では、部は特に特定しない限り質量部を表す。また、それぞれの厚みは平均膜厚で表わされている。

実施例および比較例では、以下の原料を用いた。
マレイミド化合物１：式（１）において、ｎ_１が０以上３以下、Ｘ_１が「−ＣＨ_２−」で表される基、ａが０、ｂが０である化合物（ＢＭＩ−２３００、大和化成工業社製、Ｍｗ＝７５０）
マレイミド化合物２：ビスフェノールＡジフェニルエーテルビスマレイミド（ＢＭＩ−４０００、大和化成工業社製）
マレイミド化合物３：４，４'−ジフェニルメタンビスマレイミド（式（１）において、ｎ_１は０、Ｘ_１が「−ＣＨ_２−」で表される基、ａが０、ｂが０である化合物、ＢＭＩ−１０００、大和化成工業社製）
マレイミド化合物４：１，６'−ビスマレイミド−（２，２，４−トリメチル）ヘキサン（ＢＭＩ−ＴＭＨ、大和化成工業社製）
マレイミド化合物５：イミド拡張型ビスマレイミド（ＢＭＩ−１５００、式（ａ１）により示されるビスマレイミド化合物、デジグナーモレキュールズ社製、分子量１５００）

ベンゾオキサジン化合物１：式（２−１）により示されるベンゾオキサジン化合物（Ｐ−ｄ型ベンゾオキサジン、四国化成工業社製）
ベンゾオキサジン化合物２：式（３−１）により示されるベンゾオキサジン化合物（Ｆ−ａ型ベンゾオキサジン四国化成工業社製）

エポキシ樹脂１：アラルキル型エポキシ樹脂（ＮＣ３０００Ｌ、日本化薬社製）
エポキシ樹脂２：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＥＰＩＣＬＯＮ ８３０Ｓ、ＤＩＣ社製）
エポキシ樹脂３：ナフタレンジオール型エポキシ樹脂（ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−４０３２Ｄ、ＤＩＣ社製）

無機充填材１：シリカ（アドマテック社製、ＳＣ４０５０、平均粒径１．１μｍ、フェニルアミノシラン処理のシリカスラリー）

低応力材１：カルボン酸末端アクリロニトリル・ブタジンゴム（ＰＴＩジャパン社製、ＣＴＢＮ１００８ＳＰ）
低応力材２：アミノ基末端アクリロニトリル・ブタジンゴム（ＰＴＩジャパン社製、ＡＴＢＮ１３００Ｘ１６）
低応力材３：シリコーン化合物（エポキシ基およびフェニル基含有３次元架橋型シリコーン樹脂、東レ・ダウコーニング社製、ＡＹ４２−１１９）
低応力材４：シリコーン化合物（シリコーンエポキシ樹脂、東レ・ダウコーニング社製、ＢＹ１６−１１５）
低応力材５：シリコーン化合物（分子鎖両末端にアミノ基を有する変性シリコーン樹脂、東レ・ダウコーニング社製、ＢＹ１６−８５３）
低応力材６：アクリル系ブロック共重合体（アクリルモノマーのブロック共重合体（ＰＭＭＡ−ｂ−ＰＢＡ−ｂ−ＰＭＭＡ；ｂ＝ブロック）、数平均分子量：約１０，０００、アルケマ社製、ナノストレングスＭ５１）

硬化促進剤１：２−フェニルイミダゾール（四国化成社製、２ＰＺ−ＰＷ）
硬化促進剤２：テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリルボレート（北興化学工業社製、ＴＰＰ−ＭＫ）

次に、プリプレグの製造について説明する。使用した樹脂ワニスの組成を表１（質量部）に示し、得られたプリプレグ１〜１７の厚み等を表２に示す。なお、表２に記載のＰ１〜Ｐ１７とはプリプレグ１〜プリプレグ１７を意味する。

[１]プリプレグ１
１．樹脂ワニス１の調製
表１に示す固形分割合で各成分を溶解または分散させ、メチルエチルケトンで不揮発分７０質量％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス１を調製した。

２．プリプレグの製造
（プリプレグ１）
ガラス織布（クロスタイプ♯２１１８、Ｔガラス、坪量１１４ｇ／ｍ^２）に樹脂ワニス１を塗布装置で含浸させ、１４０℃の熱風乾燥装置で１０分間乾燥して、厚さ１０７μｍのプリプレグ１（Ｐ１）を得た。

（プリプレグ２〜１７）
プリプレグ２〜１７は、樹脂ワニスの種類を表１および２のように変えた以外は、プリプレグ１と同様にして製造した。ただし、ワニス１７は溶解性の観点からジメチルホルムアミドで固形分濃度を調整した。

（実施例１）
１．樹脂基板の製造
プリプレグ１の両面に極薄銅箔（三井金属鉱業社製、マイクロシンＥｘ、２．０μｍ）を重ね合わせ、圧力４ＭＰａ、温度２３０℃で２時間加熱加圧成形することにより、樹脂基板を得た。得られた金属箔付き樹脂基板のコア層（樹脂基板からなる部分）の厚みは、０．１０７ｍｍであった。

２．プリント配線基板の製造
前項で得られた金属箔付き樹脂基板の表面の極薄銅箔層に約１μｍの粗化処理を施した後、炭酸ガスレーザーで、層間接続用のφ８０μｍのスルーホールを形成した。次いで、６０℃の膨潤液（アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント Ｐ）に５分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト ＣＰ）に２分間浸漬後、中和してスルーホール内のデスミア処理を行った。次に、無電解銅メッキを厚さ０．５μｍで行い、電解銅メッキ用レジスト層を厚さ１８μｍ形成し、パターン銅メッキし、温度１５０℃時間３０分加熱してポストキュアした。次いでメッキレジストを剥離し全面をフラッシュエッチングして、Ｌ／Ｓ＝１５／１５μｍのパターンを形成した。

（実施例２〜１６および比較例１）
プリプレグの種類を表２に示すものに変えた以外は、実施例１と同様に樹脂基板、プリント配線板を作製した。

また、各実施例および比較例により得られた樹脂基板について、次の各評価を行った。評価結果を表２に示す。

（１）ガラス転移温度
ガラス転移温度の測定は、動的粘弾性測定（ＤＭＡ装置、ＴＡインスツルメント社製、Ｑ８００））で行った。
得られた樹脂基板から８ｍｍ×４０ｍｍのテストピースを切り出し、エッチング液（第二塩化鉄溶液、３５℃）で銅箔を除去し、プリプレグの硬化物を得た。次いで、得られたプリプレグの硬化物を用いて昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚで動的粘弾性測定をおこなった。なお、ガラス転移温度は、周波数１Ｈｚにおいてｔａｎδが最大値を示す温度とした。

（２）貯蔵弾性率Ｅ'
貯蔵弾性率Ｅ'の測定は、動的粘弾性測定（ＤＭＡ装置、ＴＡインスツルメント社製、Ｑ８００）で行った。得られた樹脂基板から８ｍｍ×４０ｍｍのテストピースを切り出し、エッチング液（第二塩化鉄溶液、３５℃）で銅箔を除去し、プリプレグの硬化物を得た。
得られたプリプレグの硬化物を用いて昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚで、３０℃および２５０℃での貯蔵弾性率測定をおこない、３０℃での貯蔵弾性率Ｅ'_３０、２５０℃での貯蔵弾性率Ｅ'_２５０、Ｅ'_３０／Ｅ'_２５０を算出した。

（３）寸法収縮率
得られた樹脂基板から４ｍｍ×１５ｍｍのテストピースを切り出し、エッチング液（第二塩化鉄溶液、３５℃）で銅箔を除去し、プリプレグの硬化物を得た。次いで、得られたプリプレグの硬化物に対し、熱機械分析装置ＴＭＡ（ＴＡインスツルメント社製、Ｑ４００）を用いて昇温速度１０℃／ｍｉｎ、荷重１０ｇ、圧縮モードの条件で、３０℃から２６０℃まで昇温する過程と、２６０℃で１時間保持する過程とからなる熱機械分析測定を行った。そして、プリプレグの硬化物の基準長Ｌ_０からの最大の熱膨張量Ｌ_１およびプリプレグの硬化物を２６０℃で１時間保持したときの基準長Ｌ_０からの熱膨張量Ｌ_２を求めた。次いで、１００×（Ｌ_１−Ｌ_２）／Ｌ_０で示される寸法収縮率を算出した。

（４）線膨張係数
得られた樹脂基板から４ｍｍ×１５ｍｍのテストピースを切り出し、エッチング液（第二塩化鉄溶液、３５℃）で銅箔を除去し、プリプレグの硬化物を得た。次いで、得られたプリプレグの硬化物に対し、熱機械分析装置ＴＭＡ（ＴＡインスツルメント社製、Ｑ４００）を用いて、温度範囲３０〜２６０℃、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、荷重１０ｇ、圧縮モードの条件で熱機械分析（ＴＭＡ）を２サイクル測定した。５０℃から１５０℃の範囲における平面方向（ＸＹ方向）の線膨張係数の平均値α_１および１５０℃から２５０℃の範囲における平面方向（ＸＹ方向）の線膨張係数の平均値α_２を算出した。
なお、膨脹係数は、２サイクル目の値を採用した。

（５）減膜量
得られた樹脂基板から４ｍｍ×１５ｍｍのテストピースを切り出し、エッチング液（第二塩化鉄溶液、３５℃）で銅箔を除去し、プリプレグの硬化物を得た。次いで、得られたプリプレグの硬化物の１２０℃で１時間乾燥後の質量を第１の質量とし、当該硬化物を下記条件で処理した後の硬化物の１２０℃で１時間乾燥後の質量を第２の質量としたとき、［｛（第１の質量）−（第２の質量）｝／（当該硬化物の表裏両面の面積の和）］×１００で定義される減膜量を算出した。
＜条件＞
硬化物を３ｇ／Ｌ水酸化ナトリウム溶液（溶媒：ジエチレングリコールモノブチルエーテル１１．１体積％、エチレングリコール３．６体積％、純水８５．３体積％）に６０℃、５分間浸漬することにより硬化物を膨潤させ、次いで、膨潤した硬化物を粗化処理水溶液（過マンガン酸ナトリウム６０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム４５ｇ／Ｌ）に８０℃、５分間浸漬することにより硬化物を粗化処理し、次いで、粗化処理した硬化物を中和液（９８質量％硫酸５．０体積％、硫酸ヒドロキシルアミン０．８体積％、純水９４．２体積％）に４０℃、５分間浸漬することにより硬化物を中和する

（６）細線間絶縁信頼性評価
プリント配線基板のＬ／Ｓ＝１５／１５μｍの微細回路パターン上に、ビルドアップ材（住友ベークライト社製、ＢＬＡ−３７００ＧＳ）を積層、硬化した試験サンプルを作製した。この試験サンプルを用いて、温度１３０℃、湿度８５％、印加電圧３．３Ｖの条件で連続湿中絶縁抵抗を評価した。なお、抵抗値１０^６Ω以下を故障とした。評価基準は以下の通りである。
〇：５００時間以上故障なし
△：２００〜５００時間未満で故障あり
×：２００時間未満で故障あり

（７）細線加工性評価
上記したプリント配線基板の製造において、Ｌ／Ｓ＝１５／１５μｍの微細回路パターンを形成した後のプリント配線基板について、レーザー顕微鏡で細線の外観検査および導通チェックにより評価した。評価基準は以下の通りである。
◎：形状、導通ともに問題なし
〇：ショート、配線切れはなく、実質上問題ない
×：ショート、配線切れあり

（８）スルーホール絶縁信頼性評価
上記したプリント配線板の製造において、層間接続のΦ８０μｍのスルーホールを壁間８０μｍで２０対形成した。次に、回路パターン上に、ビルドアップ材（住友ベークライト社製、ＢＬＡ−３７００ＧＳ）を積層、硬化した試験サンプルを作製した。この試験サンプルを用いて、温度１３０℃、湿度８５％、印加電圧５．５Ｖの条件で連続湿中絶縁抵抗を評価した。なお、抵抗値１０^６Ω以下を故障とした。評価基準は以下の通りである。
◎：５００時間以上故障なし（良好）
〇：２００〜５００時間未満で故障あり（実質上問題なし）
△：２００時間未満で故障あり（実質上使用不可）
×：１００時間未満で故障あり（使用不可）

（９）半導体装置の反り評価
回路パターンを形成した後のプリント配線基板にビルドアップ材（住友ベークライト社製、ＢＬＡ−３７００ＧＳ）を積層硬化し、セミアディティブ法で回路加工した。その上に、１０ｍｍ×１０ｍｍ×１００μｍ厚みの半田バンプ付半導体素子を実装し、アンダーフィル（住友ベークライト社製、ＣＲＰ−４１６０Ｇ）で封止し、１５０℃で２時間硬化させた。最後に、１５ｍｍ×１５ｍｍにダイシングし半導体装置を作製した。
得られた半導体装置の２６０℃での反りを温度可変レーザー三次元測定機（日立テクノロジーアンドサービス社製、形式ＬＳ２２０−ＭＴ１００ＭＴ５０）を用いて評価した。上記測定機のサンプルチャンバーに半導体素子面を下にして設置し、高さ方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値を反り量とした。評価基準は以下の通りである。
◎ ：反り量が３０μｍ未満
〇 ：反り量が３０μｍ以上５０μｍ未満
× ：反り量が５０μｍ以上

（１０）ヒートサイクル試験
（９）で得られた半導体装置４個を８５℃、８５％の条件下で１６８時間処理後、ＩＲリフロー炉（ピーク温度：２６０℃）で３回処理し、大気中で、−５５℃（１５分）、１２５℃（１５分）で５００サイクル処理した。つぎに、超音波映像装置（日立建機ファインテック社製、ＦＳ３００）を用いて、半導体素子、半田バンプに異常がないか観察した。
◎：半導体素子、半田バンプともに異常なし
〇：半導体素子および／または半田バンプの一部にクラックが見られるが実用上問題なし
×：半導体素子および／または半田バンプの一部または全部にクラックが見られ実用上問題あり

１０５ 金属箔
２００ 金属張積層板
３００ プリント配線基板
３０１ 絶縁層
３０３ 金属層
３０５ 絶縁層
３０７ ビアホール
３０８ 無電解金属めっき膜
３０９ 電解金属めっき層
３１１ コア層
３１７ ビルドアップ層
４００ 半導体装置
４０１ ソルダーレジスト層
４０７ 半導体素子
４１０ 半田バンプ
４１３ 封止材

Claims (23)

1. プリント配線基板における絶縁層を形成するために用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
   マレイミド化合物（Ａ）と、
   ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）と、
   無機充填材（Ｃ）と、
   を含み、
   前記ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）は、下記式（２）により示される化合物、下記式（３）により示される化合物、および下記式（２−３）により示される化合物から選択される一種または二種以上を含み、
   前記マレイミド化合物（Ａ）の含有量が、前記マレイミド化合物（Ａ）および前記ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）の合計１００質量％に対して３５質量％以上８０質量％以下であり、
   前記マレイミド化合物（Ａ）が、下記式（１）により示されるマレイミド化合物（Ａ１）においてｎ_１が１以上の化合物を含み、
   前記マレイミド化合物（Ａ）中に含まれる前記マレイミド化合物（Ａ１）の含有量は、当該樹脂組成物中に含まれる前記マレイミド化合物（Ａ）を１００質量％としたとき、３０．０質量％以上１００．０質量％以下である、
   プリント配線基板用樹脂組成物。
   

   

   （前記式（１）において、ｎ_１は０以上１０以下の整数であり、Ｘ_１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキレン基、下記式（１ａ）で表される基、式「−ＳＯ_２−」で表される基、「−ＣＯ−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Ｒ_１はそれぞれ独立に炭素数１以上６以下の炭化水素基であり、ａはそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｂはそれぞれ独立に０以上３以下の整数である）
   

   

   （前記式（１ａ）において、Ｙは芳香族環を有する炭素数６以上３０以下の炭化水素基であり、ｎ_２は１である）
   

   

   （前記式（２）において、Ｘ _２ はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキレン基、前記式（１ａ）で表される基、式「−ＳＯ _２ −」で表される基、「−ＣＯ−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Ｒ _２ はそれぞれ独立に炭素数１〜６の炭化水素基であり、ｃはそれぞれ独立に０以上４以下の整数である）
   

   

   （前記式（３）において、Ｘ _３ はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキレン基、前記式（１ａ）で表される基、式「−ＳＯ _２ −」で表される基、「−ＣＯ−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Ｒ _３ はそれぞれ独立に炭素数１〜６の炭化水素基であり、ｄはそれぞれ独立に０以上４以下の整数である）
   

   

   （前記式（２−３）において、Ｒはそれぞれ独立に炭素数１〜４の炭化水素基である）
2. 請求項１に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
   ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定される、前記マレイミド化合物（Ａ１）の重量均分子量（Ｍｗ）が４００以上４０００以下であるプリント配線基板用樹脂組成物。
3. 請求項１または２に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
   前記ベンゾオキサジン化合物（Ｂ）が下記式（２−１）により示される化合物、下記式（２−２）により示される化合物、下記式（２−３）により示される化合物、下記式（３−１）により示される化合物、下記式（３−２）により示される化合物および下記式（３−３）により示される化合物から選択される一種または二種以上を含むプリント配線基板用樹脂組成物。
   

   

   

   

   （前記式（２−３）において、Ｒはそれぞれ独立に炭素数１〜４の炭化水素基である）
4. 請求項１乃至３いずれか一項に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
   低応力材（Ｅ）をさらに含むプリント配線基板用樹脂組成物。
5. 請求項４に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
   前記低応力材（Ｅ）が（メタ）アクリル系ブロック共重合体；シリコーン化合物；カルボキシル基、アミノ基、ビニルアクリレート基またはエポキシ基により変性されたアクリロニトリル・ブタジエンゴム；脂肪族エポキシ樹脂；およびゴム粒子から選択される一種または二種以上を含むプリント配線基板用樹脂組成物。
6. 請求項１乃至５いずれか一項に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
   前記無機充填材（Ｃ）がタルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、ベーマイト、水酸化アルミニウム、および水酸化マグネシウムから選択される一種または二種以上を含むプリント配線基板用樹脂組成物。
7. 請求項１乃至６いずれか一項に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
   前記無機充填材（Ｃ）の含有量が、前記プリント配線基板用樹脂組成物の全固形分１００質量％に対し、５０質量％以上８５質量％以下であるプリント配線基板用樹脂組成物。
8. 請求項１乃至７いずれか一項に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
   エポキシ樹脂（Ｄ）をさらに含むプリント配線基板用樹脂組成物。
9. 請求項８に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
   前記エポキシ樹脂（Ｄ）の含有量が、前記プリント配線基板用樹脂組成物中の前記無機充填材（Ｃ）を除く成分の全量を１００質量％としたとき、１質量％以上５０質量％以下であるプリント配線基板用樹脂組成物。
10. 請求項１乃至９いずれか一項に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
    前記マレイミド化合物（Ａ１）とは異なる種類のマレイミド化合物（Ａ２）をさらに含むプリント配線基板用樹脂組成物。
11. 請求項１０に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
    前記マレイミド化合物（Ａ２）が１，６’−ビスマレイミド−（２，２，４−トリメチル）ヘキサンおよびイミド拡張型ビスマレイミドから選択される少なくとも一種を含むプリント配線基板用樹脂組成物。
12. 請求項１乃至１１いずれか一項に記載のプリント配線基板用樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるプリプレグ。
13. 請求項１２に記載のプリプレグにおいて、
    昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件での動的粘弾性測定により測定される、当該プリプレグを２３０℃、２時間加熱処理して得られる硬化物のガラス転移温度が２６０℃以上であるプリプレグ。
14. 請求項１２または１３に記載のプリプレグにおいて、
    当該プリプレグを２３０℃、２時間加熱処理して得られる硬化物の２５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’_２５０に対する３０℃での貯蔵弾性率Ｅ’_３０の比（Ｅ’_３０／Ｅ’_２５０）が、１．０５以上１．７５以下であるプリプレグ。
15. 請求項１２乃至１４いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
    当該プリプレグを２３０℃、２時間加熱処理して得られる硬化物の面内方向における、５０℃から１５０℃の範囲において算出した平均線膨張係数α_１に対する１５０℃から２５０℃の範囲において算出した平均線膨張係数α_２の比（α_２／α_１）が、０．７以上２．０以下であるプリプレグ。
16. 請求項１２乃至１５いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
    当該プリプレグを２３０℃、２時間加熱処理して得られる硬化物に対し、
    熱機械分析装置を用いて、
    ３０℃から２６０℃まで１０℃／ｍｉｎで昇温する過程と、２６０℃で１時間保持する過程とからなる熱機械分析測定を行ったとき、前記熱機械分析測定前の前記硬化物の縦方向の長さを基準長Ｌ_０とし、前記硬化物の前記基準長Ｌ_０からの最大の熱膨張量をＬ_１とし、前記硬化物を２６０℃で１時間保持したときの前記基準長Ｌ_０からの熱膨張量をＬ_２とした場合、
    １００×（Ｌ_１−Ｌ_２）／Ｌ_０で示される寸法収縮率が０．１５％以下であるプリプレグ。
17. 請求項１２乃至１６いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
    当該プリプレグを２３０℃、２時間加熱処理して得られる硬化物の質量を第１の質量とし、当該硬化物を下記条件で処理した後の硬化物の質量を第２の質量としたとき、
    ［｛（第１の質量）−（第２の質量）｝／（当該硬化物の表裏両面の面積の和）］×１００で定義される減膜量が１．２ｇ／ｍ^２以下であるプリプレグ。
    ＜条件＞
    前記硬化物を３ｇ／Ｌ水酸化ナトリウム溶液（溶媒：ジエチレングリコールモノブチルエーテル１１．１体積％、エチレングリコール３．６体積％、純水８５．３体積％）に６０℃、５分間浸漬することにより前記硬化物を膨潤させ、次いで、膨潤した前記硬化物を粗化処理水溶液（過マンガン酸ナトリウム６０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム４５ｇ／Ｌ）に８０℃、５分間浸漬することにより前記硬化物を粗化処理し、次いで、粗化処理した前記硬化物を中和液（９８質量％硫酸５．０体積％、硫酸ヒドロキシルアミン０．８体積％、純水９４．２体積％）に４０℃、５分間浸漬することにより前記硬化物を中和する
18. 請求項１２乃至１７いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
    前記繊維基材がＥガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｔガラス、ＮＥガラス、ＵＴガラス、Ｌガラス、ＨＰガラスおよび石英ガラスから選ばれる一種または二種以上のガラスにより形成されたガラス繊維基材であるプリプレグ。
19. 請求項１２乃至１８いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
    当該プリプレグの厚みが２０μｍ以上２２０μｍ以下であるプリプレグ。
20. 請求項１２乃至１９いずれか一項に記載のプリプレグの硬化物を含む樹脂基板。
21. 請求項１２乃至１９いずれか一項に記載のプリプレグの硬化物または前記プリプレグを２枚以上重ね合わせた積層体の硬化物の片面または両面に金属箔が設けられている金属張積層板。
22. 請求項２０に記載の樹脂基板または請求項２１に記載の金属張積層板を回路加工して得られるものであり、１層又は２層以上の回路層が設けられているプリント配線基板。
23. 請求項２２に記載のプリント配線基板の前記回路層上に半導体素子を搭載した半導体装置。

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