JP6691540B2 - ガラス製ハードディスク基板用洗浄剤組成物 - Google Patents

Description

本開示は、ガラス製ハードディスク基板用洗浄剤組成物、基板の洗浄方法、及びガラス製ハードディスク基板の製造方法に関する。

近年、パーソナルコンピュータや各種電子デバイスにおいては動画や音声等の大きなデータが扱われるようになり、大容量の情報記録装置が必要となっている。その結果、情報記録媒体に対する高記録密度化の要求が年々高まっている。これに対応するべく、ハードディスクでは、垂直磁気記録方式の採用、量産化が進められている。垂直磁気記録方式において、情報記録媒体用基板（以下、「ハードディスク基板」ともいう）には、現在の基板と比較して基板の耐熱性及び表面の平滑性がより高いレベルで求められている。さらに、スピンドルモーターへの負担を軽減するための低比重化と、ディスクのクラッシュを防止するための高い機械的強度、落下時のヘッドとの衝撃に耐えうる高い破壊靱性を有することが現在にもまして重要になっている。

情報記録媒体用基板に用いられる材料としてはアルミニウム合金、ガラス等がある。最近では、アルミニウム合金よりもビッカース硬度が高く、表面平滑性が高いガラスが、動的な使用が想定される用途において広く使用されている。

そして、近年では、高記録密度化に対する要求に対応するべく、様々な記録方式の開発が行われている（特許文献１〜２参照）。

特許文献１及び２には、レーザー等を利用した熱アシスト磁気記録方式のハードディスク基板が開示されている。そして、ハードディスク基板として、非晶質（アモルファス）ガラス基板が用いられている。

さらに、表面平滑性に対する要求に対応するべく、様々な洗浄剤組成物の開発も行われている（特許文献３〜６参照）。

特許文献３には、窒素原子を１個以上１０個以下含むアミンと、無機アルカリとを含有する洗浄剤を用いて、シリカ粒子等の研磨粒子のパーティクルの洗浄における結晶化ガラス基板の表面粗さの悪化を抑制し、さらに洗浄性を向上できる結晶化ガラス基板の洗浄方法が開示されている。特許文献４には、アニオン性界面活性剤と有機溶剤を含有し、基板表面の平滑性を損ねることなく優れたパーティクルの除去性を実現し、低起泡性かつ経時安定性に優れた、ハードディスク基板等の電子材料用洗浄剤が開示されている。特許文献５には、硫酸エステル塩、アルカリ、キレート剤及び水を含有し、パーティクルの除去に対して優れた、磁気ディスク基板等の電子材料用洗浄剤が開示されている。特許文献６には、ノニオン性界面活性剤、芳香環及びスルホン酸基を有する高分子型アニオン性界面活性剤及び水を含有し、高温で使用した場合でも砥粒に対する洗浄性が非常に高い、磁気ディスク基板等の電子材料用洗浄剤が開示されている。

特開２０１５−９６４６５号公報 特開２０１５−２４９５４号公報 特開２０１４−１１１２３８号公報 特開２００９−２０６４８１号公報 特開２０１２−１７７０５５号公報 特開２０１３−１５１６７７号公報

近年、ハードディスクの記録密度を高くする上で、基板表面の平滑性の要求及び研磨後の研磨くずや砥粒等の残留による汚染度の低レベル化といった基板表面の清浄度の要求は一段と高くなっている。特に、熱アシスト磁気記録方式では、記録時にレーザー光等によって基板を加熱するため、耐熱性とともに基板には極めて高いレベルの平滑性が要求されている。しかし、従来の洗浄剤組成物の洗浄性では、洗浄後の基板の清浄度及び表面粗さ（平滑性）が不十分であることが判明した。さらに、熱アシスト磁気記録方式に用いられようとしている耐熱アモルファスガラス基板は、従来のガラス基板よりもアルカリ洗浄において基板表面が荒れやすいため、洗浄後の基板の清浄度と平滑性を高いレベルで実現することは難しい。

そこで、本開示は、一態様において、洗浄性が高く、基板の表面粗さの悪化が抑制されうるガラス製ハードディスク基板用洗浄剤組成物、並びに、該洗浄剤組成物を用いた基板の洗浄方法及びガラス製ハードディスク基板の製造方法を提供する。

本開示は、一又は複数の実施形態において、下記式（Ｉ）で表されるアミン（成分Ａ）及び下記式（ＩＩ）で表される界面活性剤（成分Ｂ）を含有する、ガラス製ハードディスク基板用洗浄剤組成物に関する。

［式（Ｉ）において、Ｒ_１は、水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基を示し、Ｒ_２は、水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基を示し、Ｒ_３は、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基を示すか、あるいは、式（Ｉ）において、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基を示し、Ｒ_２とＲ_３は互いに結合して式（Ｉ）中のＮ原子と共にピロリジン環又はピペラジン環を形成する。］

［式（ＩＩ）において、Ｒは、炭素数６〜１８の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を示し、Ｍ^１及びＭ^２は、それぞれ独立して水素原子、金属原子、ＮＨ_４、又は有機アンモニウムを示す。］

本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、本開示に係る洗浄剤組成物を用いて被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含み、被洗浄基板が、研磨液組成物で研磨された基板である、基板の洗浄方法に関する。

本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、本開示に係る洗浄剤組成物を用いて被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含み、被洗浄基板が、研磨液組成物で研磨された基板である、ガラス製ハードディスク基板の製造方法に関する。

本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、本開示に係る洗浄剤組成物の、熱アシスト磁気記録用ガラス製ハードディスク基板への使用に関する。

本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、本開示に係る洗浄剤組成物を製造するためのキットであって、成分Ａと成分Ｂとが互いに混合されない状態で保管されている、キットに関する。

本開示によれば、一又は複数の実施形態において、洗浄性が高く、基板の表面粗さの悪化が抑制されうるガラス製ハードディスク基板用洗浄剤組成物を提供できる。そして、本開示の洗浄剤組成物を用いた洗浄方法及び製造方法によれば、一又は複数の実施形態において、洗浄後の基板表面の清浄度及び平滑性に優れたガラス製ハードディスク基板を得ることができる。

本開示は、特定のアミン（成分Ａ）と特定の界面活性剤（成分Ｂ）とを含む洗浄剤組成物を使用してガラス基板を洗浄すると、ガラス基板の表面粗さを悪化させることなく、清浄度を向上できるという知見に基づく。

すなわち、本開示は、一態様において、前記式（Ｉ）で表されるアミン（成分Ａ）及び前記式（ＩＩ）で表される界面活性剤（成分Ｂ）を含有する、ガラス製ハードディスク基板用洗浄剤組成物（以下、「本開示に係る洗浄剤組成物」ともいう）に関する。

本開示に係る洗浄剤組成物が、一又は複数の実施形態において、ガラス製ハードディスク基板の表面粗さを悪化させることなく、基板表面の清浄度を向上できる理由の詳細は明らかではないが以下のように推定される。

洗浄剤組成物中において成分Ａと成分Ｂがコンプレックス（錯体）を形成する。このコンプレックスは、洗浄剤組成物中の各成分が単独で存在する場合よりもパーティクルであるシリカ粒子に対する吸着力が強い。シリカ粒子に対する吸着力が、単独の成分よりもコンプレックスの方が強くなる理由の詳細は不明であるが、成分Ａ及び成分Ｂのコンプレックスがシリカ粒子表面に吸着することにより、表面がコンプレックスで被覆されたシリカ粒子同士の間には立体的な障壁（立体反発）あるいは電気的な障壁（電荷反発）が生じ、その結果、元来凝集しやすいシリカ粒子同士が凝集しにくくなると推測される。そして、立体反発もしくは電荷反発の効果（作用）によりシリカ粒子の分散性が向上し、洗浄性が向上し、洗浄後の基板表面の清浄度を向上できると推測される。

さらに、アミン（成分Ａ）単独では基板の表面を荒らす要因になると考えられるが、成分Ａと成分Ｂとがコンプレックスを形成することで、洗浄剤組成物中に単独で存在するアミン（成分Ａ）の含有量が低減し、基板の表面粗さの悪化を抑制できると推測される。

従って、本開示に係る洗浄剤組成物によれば、一又は複数の実施形態において、アルカリ洗浄、特に基板表面に残存するシリカ粒子等の砥粒のパーティクルの洗浄におけるガラス基板に対する高い洗浄性を有し、さらに基板の表面粗さの悪化を抑制できる。さらに、本開示に係る洗浄剤組成物によれば、一又は複数の実施形態において、被洗浄基板が洗浄剤組成物に長時間接触される条件においても基板の表面粗さの悪化を抑制できる。そして、本開示に係る洗浄剤組成物を用いた洗浄方法及び製造方法によれば、一又は複数の実施形態において、清浄度及び平滑性に優れるガラス基板が得られる。さらに、本開示の洗浄剤組成物を用いた洗浄方法及び製造方法によれば、洗浄工程及びその他の工程においてトラブルが発生して、長期間の生産ラインの停止が起ったとしても、被洗浄基板が洗浄剤組成物に長時間接触することによる基板表面粗さの悪化が抑制されるため、トラブルの解消後に生産ラインを再開させることができる。そして、本開示に係る洗浄剤組成物は高い洗浄性を有することから、洗浄時間を短縮して基板との接触時間を減少させることができ、さらに本開示に係る洗浄剤組成物は基板表面粗さの悪化抑制効果が高いことから、基板表面の平滑性が極めて高いガラス基板が得られる。さらに、本開示に係る洗浄剤組成物を用いて洗浄したガラス基板を使用することで、高記録密度のハードディスク記録装置を実現できる。

本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、耐熱アモルファスガラスの洗浄に適している。耐熱アモルファスガラス基板は、一般のガラス基板と比較してガラス転移点を高くしさらに熱膨張率を低くする処理が施されていることから、基板表面がアルカリによる浸食を受けやすい。そのため、洗浄性の高いアルカリ性の液体（アルカリ剤）で洗浄すると、基板の表面粗さが悪化しやすい傾向にある。詳細な理由は不明であるが、基板表面が荒れるメカニズムとして次のように推察される。ガラス基板の表面にアルカリ剤が接触すると、基板表面の成分の一部が塩交換等により液中に抜け、基板の表面粗さが悪化すると考えられる。耐熱アモルファスガラス基板の場合、特に耐熱性を高める成分が基板表面から抜けやすく、アルカリ剤の影響を顕著に受けてしまうと考えられる。

しかし、本開示に係る洗浄剤組成物において、洗浄性を向上できるものの基板の表面粗さを悪化させてしまう要因になると考えられる成分Ａ（アミン）は、上述したように、成分Ｂ（界面活性剤）とコンプレックスを形成するため、基板表面の成分の一部（特に、耐熱性を高める成分）との塩交換等が起こりにくくなると考えられる。その結果、基板の表面粗さの悪化が抑制され、さらに、上記のようにシリカ粒子の分散性が向上するため洗浄性も良好になると推察される。

但し、本開示は、これらのメカニズムに限定して解釈されなくてよい。

以下、本開示に係る洗浄剤組成物に含まれる各成分について説明する。

［成分Ａ：アミン］
本開示に係る洗浄剤組成物に含まれる成分Ａは、下記式（Ｉ）で表されるアミンである。

式（Ｉ）において、Ｒ_１は、水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基を示し、Ｒ_２は、水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基を示し、Ｒ_３は、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基を示すか、あるいは、式（Ｉ）において、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基を示し、Ｒ_２とＲ_３は互いに結合して式（Ｉ）中のＮ原子と共にピロリジン環又はピペラジン環を形成する。

成分Ａとしては、一又は複数の実施形態において、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン等のアルカノールアミン、並びにこれらのアルキル化物及びアミノアルキル化物；エチレンジアミン；ジエチレントリアミン；メチル基、エチル基、ヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基からなる群から選択される少なくとも１つの官能基を有するピロリジン化合物又はピペラジン化合物等が挙げられる。

成分Ａとしては、一又は複数の実施形態において、洗浄性の向上及び基板の表面粗さの悪化を抑制する観点から、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルモノエタノールアミン、Ｎ−メチルイソプロパノールアミン、Ｎ−エチルモノエタノールアミン、Ｎ−エチルイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、Ｎ−ジメチルモノエタノールアミン、Ｎ−ジメチルモノイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−メチルジイソプロパノールアミン、Ｎ−ジエチルモノエタノールアミン、Ｎ−ジエチルモノイソプロパノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジイソプロパノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）イソプロパノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）ジエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）ジイソプロパノールアミン、１−メチルピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピロリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、エチレンジアミン及びジエチレントリアミンからなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましく、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルモノエタノールアミン、Ｎ−エチルモノエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン及びジエチレントリアミンからなる群より選ばれる少なくとも１種がより好ましく、モノイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルモノエタノールアミン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン及びＮ−（β−アミノエチル）エタノールアミンからなる群より選ばれる少なくとも１種がさらに好ましく、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミンがよりさらに好ましい。

本開示に係る洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分Ａの含有量は、洗浄性の観点から、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは４５質量％以上、さらに好ましくは６０質量％以上であり、そして、好ましくは８２質量％以下、より好ましくは８０質量％以下である。洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分Ａの含有量は、基板の表面粗さの悪化を抑制する観点から、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは４５質量％以上、さらに好ましくは５０質量％以上であり、そして、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８１質量％以下、さらに好ましくは７７質量％以下である。

本開示に係る洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ａの含有量は、洗浄性の観点から、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０４質量％以上、さらに好ましくは０．０９質量％以上であり、そして、基板の表面粗さの悪化を抑制する観点から、好ましくは０．２２質量％以下、より好ましくは０．１８質量％以下、さらに好ましくは０．１３質量％以下である。さらに、洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ａの含有量は、同様の観点から、０．０１質量％以上０．２２質量％以下が好ましく、０．０４質量％以上０．１８質量％以下がより好ましく、０．０９質量％以上０．１３質量％以下がさらに好ましい。

本開示の洗浄剤組成物は、後述するように、濃縮液として製造され、洗浄する際に希釈して使用してもよいことから、本開示において、「洗浄剤組成物中の洗浄時における含有成分の含有量」とは、一又は複数の実施形態において、洗浄工程に使用される洗浄剤組成物の含有成分の含有量をいう。よって、本開示において洗浄時の洗浄剤組成物、つまり、洗浄工程に使用される洗浄剤組成物とは、一又は複数の実施形態において、希釈された状態での洗浄剤組成物をいう。

［成分Ｂ：界面活性剤］
本開示に係る洗浄剤組成物の成分Ｂは、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＩ）で表される界面活性剤（アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸又はその塩）である。

式（ＩＩ）において、Ｒは、一又は複数の実施形態において、基板への吸着力及び水溶性の観点から、炭素数６〜１８のアルキル基であり、好ましくは炭素数６〜１４のアルキル基である。アルキル基としては、一又は複数の実施形態において、オクチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基等が挙げられる。本明細書における上記アルキル基には直鎖アルキル基も分岐鎖アルキル基も含まれる。例えばオクチル基には、ｎ−オクチル基の如き直鎖のアルキル基も２−エチルヘキシル基の如き分岐鎖アルキル基も含まれる。

式（ＩＩ）において、Ｍ^１及びＭ^２は、一又は複数の実施形態において、それぞれ独立して水素原子、金属原子、ＮＨ_４、又は有機アンモニウムを示す。式（ＩＩ）のＭ^１及びＭ^２が金属原子を示す場合、金属原子としては、一又は複数の実施形態において、ナトリウム、カリウム、リチウム等のアルカリ金属が挙げられるが、解離性の観点から、ナトリウム及びカリウムがより好ましい。式（ＩＩ）のＭ^１及びＭ^２が有機アンモニウムを示す場合、有機アンモニウムとしては、一又は複数の実施形態において、トリエタノールアンモニウム等の炭素数２〜９のアルカノールアンモニウム；トリメチルアンモニウム等の炭素数１〜９のアルキルアンモニウムが挙げられる。

成分Ｂとしては、一又は複数の実施形態において、ドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸二ナトリウム、ドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸二カリウムが挙げられる。

成分Ｂの分子量は、洗浄性の向上及び基板の表面粗さの悪化を抑制する観点から、一又は複数の実施形態において、好ましくは２００以上である。そして、成分Ｂの分子量は、洗浄性の向上及び基板の表面粗さの悪化を抑制する観点から、一又は複数の実施形態において、好ましくは２０００以下、より好ましくは１０００以下である。

本開示に係る洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、洗浄性の向上及び基板の表面粗さの悪化を抑制する観点から、５質量％以上が好ましく、より好ましくは１０質量％以上であり、そして、４０質量％以下が好ましく、より好ましくは３０質量％以下である。さらに、本開示に係る洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、５質量％以上４０質量％以下が好ましく、より好ましくは１０質量％以上３０質量％以下である。

本開示に係る洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、洗浄性の向上及び基板の表面粗さの悪化を抑制する観点から、０．００８質量％以上が好ましく、より好ましくは０．０１質量％以上、さらに好ましくは０．０２質量％以上である。そして、本開示に係る洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、泡立ちを抑制する観点から、０．２質量％以下が好ましく、より好ましくは０．１質量％以下、さらに好ましくは０．０８質量％以下である。さらに、本開示に係る洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、０．００８質量％以上０．２質量％以下が好ましく、より好ましくは０．０１質量％以上０．１質量％以下、さらに好ましくは０．０２質量％以上０．０８質量％以下である。

本開示に係る洗浄剤組成物において、成分Ａと成分Ｂとの質量比Ａ／Ｂは、洗浄性の観点から、好ましくは１以上、より好ましくは２．５以上、さらに好ましくは５以上である。そして、前記質量比Ａ／Ｂは、同様の観点から、好ましくは２０以下、より好ましくは１６以下、さらに好ましくは１０以下である。

［成分Ｃ：水］
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、さらに水（成分Ｃ）を含有してもよい。前記水は、溶媒としての役割を果たすことができるものであれば特に制限はなく、例えば、超純水、純水、イオン交換水、又は蒸留水等を挙げることができるが、超純水、純水、又はイオン交換水が好ましく、超純水がより好ましい。純水及び超純水は、例えば、水道水を活性炭に通し、イオン交換処理し、さらに蒸留したものを、必要に応じて所定の紫外線殺菌灯を照射、又はフィルターに通すことにより得ることができる。

本開示に係る洗浄剤組成物が濃縮液として製造されている場合、濃縮液中の成分Ｃの含有量は、保存安定性の観点から、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは５０質量％以上、さらに好ましくは６０質量％以上であり、そして、同様の観点から、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９３質量％以下、さらに好ましくは９０質量％以下である。

本開示に係る洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ｃの含有量は、一又は複数の実施形態において、洗浄性の向上及び基板の表面粗さの悪化を抑制する観点から、好ましくは９０質量％以上、より好ましくは９３質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上である。そして、本開示に係る洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ｃの含有量は、同様の観点から、好ましくは９９．９質量％以下、より好ましくは９９．８５質量％以下、さらに好ましくは９９．８質量％以下である。

［成分Ｄ：キレート剤］
本開示に係る洗浄剤組成物は、洗浄性の向上の観点から、キレート剤（成分Ｄ）を含有してもよい。キレート剤としては、一又は複数の実施形態において、グルコン酸、グルコヘプトン酸等のアルドン酸類；エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸等のアミノカルボン酸類；クエン酸、リンゴ酸等のヒドロキシカルボン酸類；１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸等のホスホン酸類；及びこれらの塩からなる群より選ばれる少なくとも１種が挙げられる。これらの中でも、洗浄性の向上の観点から、グルコン酸ナトリウム、グルコヘプトン酸ナトリウム、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム、及び１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましく、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）がより好ましい。これらのキレート剤は、単独で又は２種以上を混合して用いてもよい。

本開示に係る洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、洗浄性の観点から、１質量％以上が好ましく、より好ましくは４質量％以上である。そして、本開示に係る洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、基板の表面粗さの悪化を抑制する観点から、２０質量％以下が好ましく、より好ましくは１５質量％以下である。さらに、本開示に係る洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、１質量％以上２０質量％以下が好ましく、より好ましくは４質量％以上１５質量％以下である。

本開示に係る洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、洗浄性の観点から、０．００５質量％以上が好ましく、より好ましくは０．００８質量％以上、さらに好ましくは０．０１質量％以上である。そして、本開示に係る洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、１．０質量％以下が好ましく、より好ましくは０．１質量％以下である。さらに、本開示に係る洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、０．００５質量％以上１．０質量％以下が好ましく、より好ましくは０．００８質量％以上０．１質量％以下、さらに好ましくは０．０１質量％以上０．１質量％以下である。

［成分Ｅ：アニオンポリマー］
本開示に係る洗浄剤組成物は、洗浄性の向上の観点から、カルボン酸系重合体等のアニオンポリマー（成分Ｅ）を含有してもよい。カルボン酸系重合体としては、アクリル酸重合体、メタクリル酸重合体、マレイン酸重合体、アクリル酸／メタクリル酸の共重合体、アクリル酸／マレイン酸の共重合体、メタクリル酸／アクリル酸メチルエステルの共重合体等のメタクリル酸又はアクリル酸を構成単位に含むアニオンポリマーが挙げられるが、アクリル酸（ＡＡ）と２―アクリルアミド―２―メチルプロパンスルホン酸（ＡＭＰＳ）の共重合体（ＡＡ／ＡＭＰＳ）が好ましく、ＡＡとＡＭＰＳのモル比が９１／９〜９５／５である共重合体がより好ましい。アニオンポリマーは、ポリマー中の一部又は全部のアニオン部分が、アルカリ金属あるいはアミンと塩を形成してもよい。洗浄性の向上及び基板の表面粗さの悪化を抑制する観点から、アニオンポリマーは成分Ａ（アミン）の塩が好ましい。

本開示に係る洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分Ｅの含有量は、洗浄性向上の観点から、１質量％以上が好ましく、３質量％以上がより好ましく、５質量％以上がさらに好ましく、そして、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましい。

本開示に係る洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ｅの含有量は、洗浄性向上の観点から、０．００５質量％以上が好ましく、０．００８質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上がさらに好ましく、そして、２質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましく、０．５質量％以下がさらに好ましい。

［その他の成分］
本開示に係る洗浄剤組成物には、上記成分Ａ〜Ｅ以外に、任意成分を水に置き換えて含有させてもよい。任意成分としては、アルカリ金属の水酸化物、ノニオン性界面活性剤、可溶化剤、酸化防止剤、防腐剤、消泡剤、抗菌剤等が挙げられる。洗浄剤組成物中のこれらの任意成分の含有量は、一又は複数の実施形態において、洗浄時の洗浄剤組成物のｐＨが後述の範囲になるような量である。

本開示に係る洗浄剤組成物は、溶媒として上記水に加えて水系溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）をさらに含んでいてもよいが、本開示に係る洗浄剤組成物に含まれる溶媒は水のみからなることが好ましい。

本開示に係る洗浄剤組成物は、洗浄性の向上及びｐＨ調整の観点から、一又は複数の実施形態において、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属水酸化物を含有してもよい。

本開示に係る洗浄剤組成物は、洗浄性の向上の観点から、ノニオン性界面活性剤を含有してもよい。ノニオン性界面活性剤としては、ポリアルキレングリコールアルキルエーテル等が挙げられる。

本開示に係る洗浄剤組成物は、保存安定性向上の観点から、ｐ−トルエンスルホン酸、ジメチルベンゼンスルホン酸、２‐エチルヘキサン酸、及びこれらの塩からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含むことが好ましい。

［アルカリ金属イオン濃度］
本開示に係る洗浄剤組成物中の洗浄時におけるアルカリ金属イオン濃度、すなわちナトリウムイオン及びカリウムイオンの合計濃度は、洗浄性の向上及び基板の表面粗さの悪化を抑制する観点から、好ましくは１質量％（１００００ｐｐｍ）以下であり、より好ましくは０．１質量％（１０００ｐｐｍ）以下であり、さらに好ましくは０．０１質量％（１００ｐｐｍ）以下である。アルカリ金属イオン濃度は、実施例に記載の測定方法により測定できる。

［洗浄剤組成物のｐＨ］
本開示に係る洗浄剤組成物の洗浄時のｐＨは、一又は複数の実施形態において、洗浄性の向上及び基板の表面粗さの悪化を抑制する観点から、好ましくは９．０以上、より好ましくは９．３以上、さらに好ましくは９．５以上である。そして、本開示に係る洗浄剤組成物の洗浄時のｐＨは、同様の観点から、好ましくは１４．０以下、より好ましくは１２．０以下、さらに好ましくは１１．０以下である。本開示に係る洗浄剤組成物のｐＨ調整は、一又は複数の実施形態において、洗浄性の向上の観点から、有機アンモニウムとアルカリ金属の水酸化物とを併用して行うことができる。そして、基板の表面粗さの悪化を抑制する観点から、成分Ａ及び成分Ｄの酸を用いてｐＨ調整を行うことが好ましい。

本開示において「洗浄時のｐＨ」とは、２５℃における洗浄剤組成物の使用時（希釈後）のｐＨであり、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ−３０Ｇ）を用いて測定でき、電極を洗浄剤組成物へ浸漬した３分後の数値である。

［洗浄剤組成物の調製方法］
本開示に係る洗浄剤組成物は、各成分を混合することにより、調製することができる。本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、貯蔵及び輸送の観点から、濃縮液として製造され、使用時に希釈されてもよい。洗浄剤組成物の濃縮液を希釈する場合、その希釈倍率は、特に制限されず、前記濃縮液における各成分の濃度や洗浄条件等に応じて適宜決定できる。一又は複数の実施形態において、洗浄性の向上及び洗浄後の基板表面の平滑性の向上の観点から、本開示に係る洗浄剤組成物の濃縮液を１０質量％以下に希釈することが好ましく、５質量％以下に希釈することがより好ましい。そして、洗浄性の向上の観点から、本開示に係る洗浄剤組成物の濃縮液を０．００５質量％以上に希釈することが好ましく、０．３質量％以上に希釈することがより好ましい。

［洗浄剤組成物の濃縮液］
本開示に係る洗浄剤組成物の濃縮液は、各成分を混合することにより調製することができる。本開示に係る洗浄剤組成物の濃縮液中の水以外の各成分の含有量は、前記本開示に係る洗浄剤組成物と同様である。

本開示に係る洗浄剤組成物の濃縮液のｐＨは、希釈後の洗浄性の観点から、好ましくは９．０以上、より好ましくは９．５以上、さらに好ましくは１０．０以上である。そして、本開示に係る洗浄剤組成物の濃縮液のｐＨは、基板の表面粗さの悪化を抑制する観点から、好ましくは１４．０以下、より好ましくは１３．０以下、さらに好ましくは１２．０以下である。本開示に係る洗浄剤組成物の濃縮液のｐＨは、前記本開示に係る洗浄剤組成物のｐＨと同様の方法で測定することができる。

［被洗浄基板］
本開示に係る洗浄剤組成物を用いる洗浄の対象である被洗浄基板は、一又は複数の実施形態において、研磨液組成物で研磨された基板であり、ハードディスク基板の製造に用いられる基板である。被洗浄基板は、一又は複数の実施形態において、アモルファスガラス基板が好ましく、より好ましくは耐熱アモルファスガラス基板である。ガラス基板の材料としては、一又は複数の実施形態において、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス等が挙げられ、表面平滑性や基板強度の観点から、アルミノシリケートガラスが好ましい。被洗浄基板は、一又は複数の実施形態において、砥粒を含有する研磨液組成物で研磨された後の基板であり、砥粒は、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子である。被洗浄基板は、一又は複数の実施形態において、熱アシスト磁気記録用磁気ディスク基板である。被洗浄基板は、一又は複数の実施形態において、熱アシスト磁気記録用ガラス製ハードディスク基板に用いられる基板である。すなわち、本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、熱アシスト磁気記録用ガラス製ハードディスク基板に使用されうる。本開示に係る洗浄剤組成物の熱アシスト磁気記録用ガラス製ハードディスク基板への使用には、熱アシスト磁気記録用ガラス製ハードディスク基板の製造への使用、又は、研磨液組成物で研磨された基板の洗浄への使用が含まれる。

本開示において、耐熱アモルファスガラス基板とは、ガラス転移点温度の高いアモルファスガラス基板をいう。耐熱アモルファスガラス基板のガラス転移点温度は、熱アシスト磁気記録前後の基板表面の平滑性を保持する観点から、一又は複数の実施形態において、６００℃以上が好ましく、より好ましくは６１０℃以上、さらに好ましくは６２０℃以上、よりさらに好ましくは６３０℃以上、よりさらに好ましくは６４０℃以上である。ガラス転移温度の上限は特に限定されないが、一又は複数の実施形態において、７５０℃以下が好ましく、７１０℃以下がより好ましい。

［基板の洗浄方法］
本開示は、一態様において、本開示に係る洗浄剤組成物を用いて、被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含む、基板の洗浄方法（以下、「本開示に係る洗浄方法」ともいう）に関する。本開示に係る洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、前記本開示に係る洗浄剤組成物の濃縮液を希釈する希釈工程をさらに含むことができる。被洗浄基板としては上述した基板を用いることができる。前記洗浄工程は、一又は複数の実施形態において、浸漬洗浄及び／又はスクラブ洗浄を行うことを含む。

（浸漬洗浄）
被洗浄基板の洗浄剤組成物への浸漬条件としては、特に制限はないが、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物の温度は、作業性及び操業性の観点から２０〜１００℃が好ましく、浸漬時間は、洗浄剤組成物による洗浄性の向上の観点から５秒以上が好ましく、１０秒以上がより好ましく、１００秒以上がさらに好ましい。洗浄された基板の生産効率の向上の観点から３０分以下が好ましく、１０分以下がより好ましく、５分以下がさらに好ましい。残留物の除去性及び残留物の分散性を高める観点から、洗浄剤組成物には超音波振動が付与されていると好ましい。超音波の周波数としては、２０〜２０００ｋＨｚが好ましく、４０〜２０００ｋＨｚがより好ましく、４０〜１５００ｋＨｚがさらに好ましい。

（スクラブ洗浄）
スクラブ洗浄の方法は、一又は複数の実施形態において、砥粒等の残留物の洗浄性や油分の溶解性を促進させる観点から、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出して、被洗浄基板の表面に洗浄剤組成物を接触させて当該表面を洗浄すること、又は、洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に射出により供給し、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。さらに、スクラブ洗浄の方法は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出により洗浄対象の表面に供給し、かつ、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。

洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に供給する手段としては、スプレーノズル等の手段を用いることができる。洗浄用ブラシとしては、特に制限はなく、例えばナイロンブラシやＰＶＡ（ポリビニルアルコール）スポンジブラシ等を使用することができる。超音波の周波数としては、上述の浸漬洗浄で好ましく採用される値と同様である。

本開示に係る洗浄方法は、さらにその他の一又は複数の実施形態において、前記浸漬洗浄及び／又は前記スクラブ洗浄に加えて、揺動洗浄、スピンナー等の回転を利用した洗浄、パドル洗浄等の公知の洗浄を用いる工程を１つ以上含んでもよい。

本開示に係る洗浄方法では、被洗浄基板を一枚ずつ洗浄してもよいが、複数枚の洗浄すべき被洗浄基板を一度にまとめて洗浄してもよい。また、洗浄の際に用いる洗浄槽の数は１つでも複数でもよい。

以下に、本開示に係る洗浄方法の限定されない一又は複数の実施形態を示す。
（１）洗浄−１：本開示に係る洗浄剤組成物を入れた洗浄槽（ａ）を所定の温度に設定し、洗浄槽（ａ）内の洗浄剤組成物に被洗浄基板を浸漬し、該洗浄剤組成物に超音波を照射しながら洗浄する。
（２）すすぎ−１：超純水を入れたすすぎ槽（ｂ）を所定の温度に設定し、被洗浄基板を洗浄槽（ａ）からすすぎ槽（ｂ）に移して、すすぎ槽（ｂ）内の超純水に浸漬し、該超純水に超音波を照射しながらすすぎをする。
（３）本開示に係る洗浄剤組成物を入れた洗浄槽（ｃ）、及び超純水を入れたすすぎ槽（ｄ）を使用して再度（１）と（２）を繰り返す。
（４）洗浄−２：すすぎ槽（ｄ）内の被洗浄基板を、洗浄ブラシがセットされたスクラブ洗浄ユニット（Ａ）に移し、洗浄ブラシに本開示に係る洗浄剤組成物を射出し、該洗浄剤組成物の存在下で洗浄ブラシを該基板の両面に回転させながら押し当てることにより、洗浄する。
（５）すすぎ−２：洗浄ブラシがセットされたスクラブ洗浄ユニット（Ｂ）に被洗浄基板を移し、超純水を射出し、洗浄ブラシを該基板の両面に（４）と同様に回転させながら押し当てることにより、すすぎをする。
（６）スクラブ洗浄ユニット（Ａ）と同様の条件で準備したスクラブ洗浄ユニット（Ｃ）、及びスクラブ洗浄ユニット（Ｂ）と同様の条件で準備したスクラブ洗浄ユニット（Ｄ）を使用して、再度（４）と（５）を繰り返す。
（７）すすぎ−３: 被洗浄基板を、超純水を入れたすすぎ槽（ｅ）に移して、すすぎ槽（ｅ）内の超純水に浸漬し、該超純水に超音波を照射しながらすすぎをする。
（８）乾燥：被洗浄基板を、温めた超純水（温純水）を入れたすすぎ槽（ｆ）に移し、温純水に浸漬した後、所定の速度で水中から被洗浄基板を引き上げ、完全に基板表面を乾燥させる。

［ハードディスク基板の製造方法］
本開示は、一態様において、本開示に係る洗浄剤組成物を用いて、被洗浄基板を洗浄する工程を含む、ハードディスク基板の製造方法（以下、「本開示に係る製造方法」ともいう）に関する。被洗浄基板としては上述した基板を用いることができる。本開示に係る製造方法は、一又は複数の実施形態において、好ましくはガラス製ハードディスク基板の製造方法である。ガラス製ハードディスク基板は、一又は複数の実施形態において、熱アシスト磁気記録用基板である。

一般に、ハードディスク基板の基となる基材が、形状加工工程、粗研削工程、精研削工程、粗研磨工程、仕上げ研磨工程等を経ることにより、ハードディスク基板が製造されうる。そして、前記各工程の間には洗浄工程が含まれることがある。ハードディスク基板は、最終の洗浄工程の後に記録部形成工程を経ることで磁気ハードディスクとなりうる。

記録部形成工程は、一又は複数の実施形態において、スパッタ等の方法により、磁気記録領域を有し金属薄膜を含む磁性層をハードディスク基板上に形成することにより行われる。前記金属薄膜を構成する金属材料としては、例えば、クロム、タンタル、白金等とコバルトとの合金、鉄と白金等との合金等が挙げられる。磁性層は、ハードディスク基板の両主面側に形成されてもよいし、一方の主面側にのみ形成されてもよい。

前記粗研磨工程と前記仕上げ研磨工程は、一又は複数の実施形態において、この順で行われる。前記粗研磨工程の際に用いられる研磨剤組成物に含まれる無機微粒子は、高速研磨が可能であるという理由から、酸化セリウム粒子又はアルミナ粒子が好ましい。前記仕上げ研磨工程の際に用いられる研磨剤組成物に含まれる無機微粒子は、表面の平滑性（表面粗さ）を向上させるという理由から、シリカ粒子が好ましい。

粗研磨工程の後、洗浄剤組成物を用いた洗浄工程（第１洗浄工程）、すすぎ工程（第１すすぎ工程）、乾燥工程（第１乾燥工程）、仕上げ研磨工程、洗浄剤組成物を用いた洗浄工程（第２洗浄工程）、すすぎ工程（第２すすぎ工程）、及び乾燥工程（第２乾燥工程）をこの順で行うことができる。本開示に係る洗浄方法は、前記第１洗浄工程及び/又は前記第２洗浄工程に適用することができる。限定されない一又は複数の実施形態において、本開示に係る洗浄方法は、洗浄性の向上の観点から、第２洗浄工程に用いることが好ましい。

したがって、本開示は、一態様において、以下の工程（１）及び工程（２）を含むハードディスク基板の製造方法に関する。
（１）研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する研磨工程。
（２）工程（１）で得られた基板（被洗浄基板）を、本開示に係る洗浄剤組成物を用いて洗浄する洗浄工程。

前記工程（１）における被研磨基板は、一般に精研削工程を経た後の基板であり、粗研磨工程を経た後の基板であることが好ましい。被研磨基板としては、上述した被洗浄基板に用いられる基板が挙げられる。工程（１）は、被研磨基板の研磨対象面に研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、所定の圧力（荷重）をかけながら、研磨パッドや被研磨基板を動かすこと等によって行うことができる。工程（１）は、最終の基板の品質を向上させる観点から、シリカ粒子を含む研磨液組成物を用いた仕上げ研磨工程であることが好ましい。仕上げ研磨工程においては、研磨液組成物を繰り返し使用することが好ましい。

前記工程（２）の洗浄工程は、上述した本開示に係る洗浄方法と同様に行うことができる。

［ハードディスク記録装置］
本開示は、一態様において、本開示に係る洗浄剤組成物を用いて洗浄したガラス製ハードディスク基板を使用したハードディスク記録装置（以下、「本開示に係るハードディスク記録装置」ともいう）に関する。本開示に係る洗浄剤組成物を用いて洗浄したハードディスク基板を使用することで、高記録密度のハードディスク記録装置を提供できる。記録方式としては、一又は複数の実施形態において、熱アシスト磁気記録方式を用いることができる。

［キット］
本開示は、一態様において、本開示に係る洗浄剤組成物を製造するためのキットであって、成分Ａと成分Ｂとが互いに混合されない状態で保管されている、キット（以下、「本開示に係るキット」ともいう）に関する。
本開示に係るキットとしては、例えば、成分Ａを含有する溶液（第一液）と、成分Ｂを含有する溶液（第二液）とが互いに混合されていない状態で保管されており、これらが使用時に混合されるキットが挙げられる。第一液及び第二液の各々には、必要に応じて、上述した成分Ｃ〜Ｅ及び任意成分が混合されていてもよい。
本開示に係るキットによれば、洗浄性が高く、洗浄後の基板の表面粗さの悪化を抑制しうる洗浄剤組成物が得られる。

本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態に関する。
＜１＞ 下記式（Ｉ）で表されるアミン（成分Ａ）及び下記式（ＩＩ）で表される界面活性剤（成分Ｂ）を含有する、ガラス製ハードディスク基板用洗浄剤組成物。

［式（Ｉ）において、Ｒ_１は、水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基を示し、Ｒ_２は、水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基を示し、Ｒ_３は、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基を示すか、あるいは、式（Ｉ）において、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基を示し、Ｒ_２とＲ_３は互いに結合して式（Ｉ）中のＮ原子と共にピロリジン環又はピペラジン環を形成する。］

［式（ＩＩ）において、Ｒは、炭素数６〜１８の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を示し、Ｍ^１及びＭ^２は、それぞれ独立して水素原子、金属原子、ＮＨ_４、又は有機アンモニウムを示す。］

＜２＞ 水（成分Ｃ)をさらに含有する、＜１＞に記載の洗浄剤組成物。
＜３＞ 洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ｃの含有量は、好ましくは９０質量％以上、より好ましくは９３質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上であり、そして、好ましくは９９．９質量％以下、より好ましくは９９．８５質量％以下、さらに好ましくは９９．８質量％以下である、＜２＞に記載の洗浄剤組成物。
＜４＞ 成分Ａと成分Ｂとの質量比Ａ／Ｂが１以上２０以下である、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜５＞成分Ａと成分Ｂとの質量比Ａ／Ｂは、好ましくは１以上、より好ましくは２．５以上、さらに好ましくは５以上であり、そして、好ましくは２０以下、より好ましくは１６以下、さらに好ましくは１０以下である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜６＞ 洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分Ａの含有量は、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは４５質量％以上、さらに好ましくは６０質量％以上であり、そして、好ましくは８２質量％以下、より好ましくは８０質量％以下である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜７＞ 洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分Ａの含有量は、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは４５質量％以上、さらに好ましくは５０質量％以上であり、そして、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８１質量％以下、さらに好ましくは７７質量％以下である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜８＞ 洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ａの含有量は、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０４質量％以上、さらに好ましくは０．０９質量％以上であり、そして、好ましくは０．２２質量％以下、より好ましくは０．１８質量％以下、さらに好ましくは０．１３質量％以下である、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜９＞ 洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ａの含有量は、好ましくは０．０１質量％以上０．２２質量％以下、より好ましくは０．０４質量％以上０．１８質量％以下、さらに好ましくは０．０９質量％以上０．１３質量％以下である、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１０＞ 洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分Ｂの含有量は、好ましくは５質量％以上、より好ましくは１０質量％以上であり、そして、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下である、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１１＞ 洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分Ｂの含有量は、好ましくは５質量％以上４０質量％以下、より好ましくは１０質量％以上３０質量％以下である、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１２＞ 洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ｂの含有量は、好ましくは０．００８質量％以上、より好ましくは０．０１質量％以上、さらに好ましくは０．０２質量％以上であり、そして、好ましくは０．２質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、さらに好ましくは０．０８質量％以下である、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１３＞ 洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ｂの含有量は、好ましくは０．００８質量％以上０．２質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以上０．１質量％以下、さらに好ましくは０．０２質量％以上０．０８質量％以下である、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１４＞ キレート剤（成分Ｄ）をさらに含む、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１５＞ 洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分Ｄの含有量は、１質量％以上が好ましく、より好ましくは４質量％以上であり、そして、２０質量％以下が好ましく、より好ましくは１５質量％以下である、＜１４＞に記載の洗浄剤組成物。
＜１６＞ 洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分Ｄの含有量は、好ましくは１質量％以上２０質量％以下、より好ましくは４質量％以上１５質量％以下である、＜１４＞又は＜１５＞に記載の洗浄剤組成物。
＜１７＞ 洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ｄの含有量は、好ましくは０．００５質量％以上、より好ましくは０．００８質量％以上、さらに好ましくは０．０１質量％以上であり、そして、好ましくは１．０質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下である、＜１４＞から＜１６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１８＞ 洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ｄの含有量は、好ましくは０．００５質量％以上１．０質量％以下、より好ましくは０．００８質量％以上０．１質量％以下、さらに好ましくは０．０１質量％以上０．１質量％以下である、＜１４＞から＜１７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１９＞ アニオンポリマー（成分Ｅ）をさらに含む、＜１＞から＜１８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２０＞ 洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分Ｅの含有量は、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上であり、そして、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である、＜１９＞に記載の洗浄剤組成物。
＜２１＞ 洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ｅの含有量は、好ましくは０．００５質量％以上、より好ましくは０．００８質量％以上、さらに好ましくは０．０１質量％以上であり、そして、好ましくは２質量％以下、より好ましくは１質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下である、＜１９＞又は＜２０＞に記載の洗浄剤組成物。
＜２２＞ 洗浄剤組成物中の洗浄時におけるアルカリ金属イオン濃度、すなわちナトリウムイオン及びカリウムイオンの合計濃度は、好ましくは１質量％（１００００ｐｐｍ）以下であり、より好ましくは０．１質量（１０００ｐｐｍ）％以下であり、さらに好ましくは０．０１質量％（１００ｐｐｍ）以下である、＜１＞から＜２１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２３＞ 洗浄剤組成物の洗浄時のｐＨは、好ましくは９．０以上、より好ましくは９．３以上、さらに好ましくは９．５以上であり、そして、好ましくは１４．０以下、より好ましくは１２．０以下、さらに好ましくは１１．０以下である、＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２４＞ ガラス製ハードディスク基板が熱アシスト磁気記録用基板である、請求項＜１＞から＜２３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２５＞ ＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含む、ガラス製ハードディスク基板の洗浄方法。
＜２６＞ 被洗浄基板が、研磨液組成物で研磨された基板である、＜２５＞に記載のガラス製ハードディスク基板の洗浄方法。
＜２７＞ ＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含む、ガラス製ハードディスク基板の製造方法。
＜２８＞ 被洗浄基板が、研磨液組成物で研磨された基板である、＜２７＞に記載のガラス製ハードディスク基板の製造方法。
＜２９＞ ＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含み、被洗浄基板が、研磨液組成物で研磨された基板である、基板の洗浄方法。
＜３０＞ ＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含み、被洗浄基板が、研磨液組成物で研磨された基板である、ガラス製ハードディスク基板の製造方法。
＜３１＞ ＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物の、熱アシスト磁気記録用ガラス製ハードディスク基板への使用。
＜３２＞ ＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物の、熱アシスト磁気記録用ガラス製ハードディスク基板の製造への使用。
＜３３＞ ＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物の、研磨液組成物で研磨された基板の洗浄への使用。
＜３４＞ ＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物を製造するためのキットであって、成分Ａと成分Ｂとが互いに混合されない状態で保管されている、キット。

以下の実施例及び比較例に基づいて本開示を説明するが、本開示はこれに限定されるものではない。

［洗浄剤組成物の濃縮液の調製（実施例１〜１１及び比較例１〜６）］
下記表１に記載の組成となるように各成分を表１に記載の割合（質量％）で配合し、混合することにより、実施例１〜１１及び比較例１〜６の洗浄剤組成物の濃縮液を得た。ｐＨは、２５℃における洗浄剤組成物の濃縮液のｐＨであり、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ−３０Ｇ）を用いて、電極を洗浄剤組成物へ浸漬した３分後の数値を測定した。

[洗浄に使用する洗浄剤組成物（洗浄時の洗浄剤組成物）の調製]
洗浄剤組成物の濃縮液を超純水にて１００倍希釈することにより、洗浄時の洗浄剤組成物を得た。ｐＨは、上記洗浄剤組成物の濃縮液と同じ方法で測定した。

［アルカリ金属イオン濃度の測定］
洗浄剤組成物中のアルカリ金属イオン濃度を次のようにして測定した。まず、洗浄剤組成物０．１ｇを石英るつぼに精秤し、乾式灰化を行い、６Ｎ塩酸４ｍＬを加えて溶解して５０ｍＬに超純水でメスアップした。これを超純水で２５倍希釈したものを測定試料とした。そして、測定試料中のアルカリ金属イオンの濃度を原子吸光分光光度計（アジレント・テクノロジー株式会社製、Ｖａｒｉａｎ ＳｐｅｃｔｒＡＡ ２２０）を用いて測定した。ナトリウムイオンの濃度（質量％）及びカリウムイオンの濃度（質量％）をそれぞれ算出し、これらを合計した値（質量％）をｐｐｍ値に換算してアルカリ金属イオン濃度とした。

洗浄剤組成物の成分として下記のものを使用した。
［アミン］
Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミン（日本乳化剤株式会社製、アミノアルコール ＥＡ）：成分Ａ
モノイソプロパノールアミン（ダウ・ケミカル社製）：成分Ａ
Ｎ−メチルモノエタノールアミン（日本乳化剤株式会社製、アミノアルコール ＭＭＡ）：成分Ａ
ジエチレントリアミン（ナカライテスク株式会社製）：成分Ａ
１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン（日本乳化剤株式会社製、ヒドロキシエチルピペラジン）：成分Ａ
トリエタノールアミン（東京化成工業株式会社製）：非成分Ａ
［界面活性剤］
ドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸二ナトリウム（固形分５０質量％、分子量：５４２）：成分Ｂ
ポリオキシエチレン（３）ラウリルエーテル硫酸ナトリウム（花王株式会社製、エマール ２０Ｃ、固形分２５質量％、分子量：４２０）：非成分Ｂ
［水：成分Ｃ］
栗田工業株式会社製の連続純水製造装置（ピュアコンティ ＰＣ-２０００ＶＲＬ型）とサブシステム（マクエース ＫＣ-０５Ｈ型）を用いて製造した超純水
［キレート剤：成分Ｄ］
１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）（イタルマッチジャパン株式会社製、デイクエスト ２０１０、固形分６０質量％）
［アニオンポリマー：成分Ｅ］
アクリル酸／２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸（ＡＡ／ＡＭＰＳ）（モル比：９２／８）の共重合化合物（重量平均分子量１２，０００）のナトリウム塩の水溶液（固形分４０質量％）
［アルカリ金属の水酸化物］
水酸化カリウム（関東化学株式会社製、鹿特級、固形分４８質量％）

[洗浄性試験方法]
下記組成の研磨液スラリー（研磨剤組成物）を用いた研磨を施すことにより、研磨液スラリー由来の砥粒及び基板材料由来の研磨くず等によって汚染された被洗浄基板を用意した。前記被洗浄基板を用いて洗浄剤組成物の洗浄性を評価した。

（評価用基板）
実施例１〜１１及び比較例１〜６の評価用基板として、耐熱アモルファスガラス基板（外径：６５ｍｍφ、内径：２０ｍｍφ、厚さ：０．６３５ｍｍ）を用意した。

（研磨条件）
研磨機：両面９Ｂ研磨機（浜井産業株式会社製）
研磨パッド：株式会社ＦＩＬＷＥＬ製仕上げ研磨用スウェードパッド
研磨剤組成物：コロイダルシリカスラリー（コロイダルシリカ粒子の個数平均粒径２４ｎｍ、コロイダルシリカ粒子の濃度：８質量％、媒体：水、花王株式会社製）
予備研磨：荷重４０ｇ／ｃｍ^２、時間６０秒、研磨液流量１００ｍＬ／分
本研磨：荷重１００ｇ／ｃｍ^２、時間１２００秒、研磨液流量１００ｍＬ／分
水リンス：荷重４０ｇ／ｃｍ^２、時間６０秒、リンス水流量約２Ｌ／分

（洗浄）
研磨後の基板（被洗浄基板）５枚を、洗浄装置を用いて以下の条件で洗浄した。洗浄槽、すすぎ槽は２セットずつ用意した。

（１）洗浄−１：洗浄剤組成物の濃縮液１５０ｇを超純水で１５０００ｇとなるように１００倍希釈し、洗浄に使用する洗浄剤組成物を調製した。調製した洗浄剤組成物を洗浄槽（ａ）に入れ、洗浄槽（ａ）内の液温が４０℃になるように設定した。そして、洗浄槽（ａ）内の洗浄剤組成物に被洗浄基板を浸漬し、超音波（４０ｋＨｚ）を照射しながら１２０秒間洗浄した。
（２）すすぎ−１：超純水をすすぎ槽（ｂ）に入れ、すすぎ槽（ｂ）内の液温が４０℃になるように設定した。そして、洗浄槽（ａ）内の被洗浄基板をすすぎ槽（ｂ）に移してすすぎ槽（ｂ）内の超純水に浸漬し、超音波（４０ｋＨｚ）を照射しながら１２０秒間すすいだ。
（３）洗浄槽（ａ）と同様の条件で準備した洗浄剤組成物を入れた洗浄槽（ｃ）、及び、すすぎ槽（ｂ）と同様の条件で準備した超純水を入れたすすぎ槽（ｄ）を使用して、再度（１）と（２）を繰り返した。
（４）洗浄−２：すすぎ槽（ｄ）内の被洗浄基板を、洗浄ブラシがセットされたスクラブ洗浄ユニット（Ａ）に移した。そして、洗浄ブラシに２５℃の洗浄剤組成物を射出し、該洗浄剤組成物の存在下で洗浄ブラシを被洗浄基板の両面に４００ｒｐｍで回転させながら押し当てることにより、洗浄を２５℃で５秒間行った。洗浄剤組成物には、「（１）洗浄−１」で用いた洗浄剤組成物と同組成のものを用いた。
（５）すすぎ−２：スクラブ洗浄ユニット（Ａ）と同様の条件で準備したスクラブ洗浄ユニット（Ｂ）に被洗浄基板を移し、２５℃の超純水を射出し、洗浄ブラシを被洗浄基板の両面に（４）と同様に４００ｒｐｍで回転させながら押し当てることにより、すすぎを２５℃で５秒間行った。
（６）スクラブ洗浄ユニット（Ａ）と同様の条件で準備したスクラブ洗浄ユニット（Ｃ）、スクラブ洗浄ユニット（Ｂ）と同様の条件で準備したスクラブ洗浄ユニット（Ｄ）を使用して再度（４）と（５）を繰り返した。
（７）すすぎ−３：超純水をすすぎ槽（ｅ）に入れ、すすぎ槽（ｅ）内の液温が２５℃になるように設定した。そして、被洗浄基板をすすぎ槽（ｅ）に移してすすぎ槽（ｅ）内の超純水に浸漬し、超音波（１７０ｋＨｚ）を照射しながら６００秒間すすいだ。
（８）乾燥：被洗浄基板を、３０℃の温純水を入れたすすぎ槽（ｆ）に移し、すすぎ槽（ｆ）内の温純水に６０秒間浸漬した後、９０ｍｍ／分の速度で水中から基板を引き上げ、完全に基板表面を乾燥させた。

［洗浄性の評価方法］
１００００ｒｐｍで回転している洗浄された基板に、光学式微細欠陥検査装置（Ｃａｎｄｅｌａ６１００、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）のＭＯＤＥ Ｑ−Ｓｃａｔｔｅｒでレーザーを照射して、欠陥数（基板上の異物数）の測定を実施した。実施例１〜１１及び比較例１〜６の各洗浄剤組成物について１０枚ずつの基板について前記測定を行い、平均値を算出した。実施例１の値を１００として、相対値を下記表２に示す。値が小さいほど、欠陥数が少なく、洗浄性に優れると評価できる。

［表面粗さの評価方法］
前述の研磨方法により得られた同じ研磨処理を施した基板５枚のうち、無作為に２枚を選択し、実施例１〜１１及び比較例１〜６の各洗浄剤組成物を用いた洗浄を行い、それぞれの基板の表面粗さを測定した。この測定結果を「表面粗さ１」とした。さらに、工程（１）の浸漬時間（１２０秒間）を６０分に変更したこと、及び、工程（３）を行わなかったこと（つまり、工程（１）と工程（２）をそれぞれ１回のみに変更したこと）以外は同様にして、表面粗さの測定を行った。この測定結果を「表面粗さ２」とした。表面粗さは、洗浄後の基板の両面を、以下に示す条件にて、ブルカー・エイエックスエス株式会社製ＡＦＭ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ ＮａｎｏＳｃｏｐｅ ＩＩＩａ Ｍｕｌｔｉ Ｍｏｄｅ ＡＦＭ）を用いて測定した。５枚の基板についてそれぞれ測定し、その平均値から表面粗さＲａを算出した。実施例１の表面粗さ１の値を１００として、表面粗さ１及び表面粗さ２の相対値を下記表２に示す。相対値が小さいほど、平滑性に優れると評価できる。

（ＡＦＭの測定条件）
Ｍｏｄｅ： Ｔａｐｐｉｎｇ ｍｏｄｅ
Ａｒｅａ： １×１μｍ
Ｓｃａｎ ｒａｔｅ： １．０Ｈｚ
Ｃａｎｔｉｌｅｖｅｒ： ＮＣＨ−１０Ｖ
Ｌｉｎｅ： ５１２×５１２

実施例１〜１１及び比較例１〜６の洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する各成分の含有量、洗浄時の洗浄剤組成物の物性（希釈倍率、ｐＨ、アルカリ金属イオン濃度）、洗浄性及び平滑性の評価結果を表２に示した。

表２に示すとおり、実施例１〜１１の洗浄剤組成物は、比較例１〜６に対して高い洗浄性及び高い平滑性を示した。

Claims (12)

1. 下記式（Ｉ）で表されるアミン（成分Ａ）及び下記式（ＩＩ）で表される界面活性剤（成分Ｂ）を含有する、ガラス製ハードディスク基板用の洗浄剤組成物。
   

   

   ［式（Ｉ）において、Ｒ_１は、水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基を示し、Ｒ_２は、水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基を示し、Ｒ_３は、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基を示すか、あるいは、式（Ｉ）において、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基を示し、Ｒ_２とＲ_３は互いに結合して式（Ｉ）中のＮ原子と共にピロリジン環又はピペラジン環を形成する。］
   

   

   ［式（ＩＩ）において、Ｒは、炭素数６〜１８の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を示し、Ｍ^１及びＭ^２は、それぞれ独立して水素原子、金属原子、ＮＨ_４、又は有機アンモニウムを示す。］
2. 水（成分Ｃ)をさらに含有する、請求項１に記載の洗浄剤組成物。
3. 成分Ａと成分Ｂとの質量比Ａ／Ｂが１以上２０以下である、請求項１又は２に記載の洗浄剤組成物。
4. 前記洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分Ａの含有量は、４０質量％以上９０質量％以下である、請求項１から３のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
5. 前記洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Ａの含有量は、０．０１質量％以上０．２８質量％以下である、請求項１から４のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
6. キレート剤（成分Ｄ）をさらに含む、請求項１から５のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
7. アニオンポリマー（成分Ｅ）をさらに含む、請求項１から６のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
8. ガラス製ハードディスク基板が熱アシスト磁気記録用基板である、請求項１から７のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
9. 請求項１から８のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含み、被洗浄基板が、研磨液組成物で研磨された基板である、基板の洗浄方法。
10. 請求項１から８のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含み、被洗浄基板が、研磨液組成物で研磨された基板である、ガラス製ハードディスク基板の製造方法。
11. 請求項１から８のいずれかに記載の洗浄剤組成物の、熱アシスト磁気記録用ガラス製ハードディスク基板への使用。
12. 請求項１から８のいずれかに記載の洗浄剤組成物を製造するためのキットであって、
    成分Ａと成分Ｂとが互いに混合されない状態で保管されている、キット。