JP6689540B2 - 膜形成装置及び膜形成方法 - Google Patents

Description

本発明は、膜形成装置及び膜形成方法に関する。

タッチパネルの透明導電膜をパターニングするためのレジストパターンの形成に、フォトリソグラフィ技術またはスクリーン印刷技術が用いられている。フォトリソグラフィ技術を用いる方法では、高精細のパターンを形成することができるが、装置コスト、廃液処理コスト等が嵩む。スクリーン印刷技術を用いる方法では、装置コスト、廃液処理コストの点ではフォトリソグラフィ技術を用いる方法より有利であるが、高精細のパターンを形成することが困難である。インクジェット印刷技術を用いてレジストパターンを形成する技術が提案されている（特許文献１）。

国際公開第２０１３／０８９０４９号

インクジェット印刷技術を用いて複数の基板に同一のパターンの膜を形成したところ、基板間で膜の形状にばらつきが生じることがわかった。本発明の目的は、形成した膜の形状のばらつきを抑制することができる膜形成装置及び膜形成方法を提供することである。

本発明の一観点によると、
基板に膜材料を塗布して膜を形成する膜形成部と、
前記膜形成部に配置された前記基板の表面を撮像する撮像装置と、
前記膜形成部を制御する制御部と
を有し、
前記制御部は、
形成すべき膜の平面形状を定義するパターンデータを記憶しており、
前記パターンデータに基づいて膜を形成する前に、膜を形成するために膜材料を塗布する領域の内側の一部に、形成すべき膜と同一の材料からなる評価パターンを、前記膜形成部に形成させ、
前記評価パターンを前記撮像装置で撮像した画像を取得し、
取得した前記画像に基づき、前記評価パターンの周囲の滲みの幅が許容範囲に納まっているか否かという判定条件に従って、前記基板の表面状態の良否を判定し、判定結果に基づいて異なる処理を実行する膜形成装置が提供される。

本発明の他の観点によると、
基板の表面の、あるパターンを有する膜を形成すべき領域の内部に、インクジェットヘッドから前記膜の膜材料を吐出させて評価パターンを形成し、
前記基板に形成された前記評価パターンに基づいて、前記基板の表面状態の良否を判定し、
判定結果が良である場合には、前記基板の表面に前記パターンを有する前記膜を形成し、
判定結果が不良である場合には、前記基板の表面の洗浄を行った後、前記基板の表面に前記パターンを有する前記膜を形成する膜形成方法が提供される。

膜を形成する前に評価パターンを形成して基板の表面状態の良否を判定することにより、表面状態が不良の基板にそのまま膜を形成してしまうことを避けることが可能になる。これにより、形成した膜の形状のばらつきを抑制することができる。

図１は、実施例による膜形成装置の概略正面図である。 図２は、タッチパネルの透明電極をパターニングするときにエッチングマスクとして用いられるレジスト膜の平面図である。 図３は、実施例による膜形成方法のフローチャートである。 図４は、形成すべき膜と評価パターンとの位置関係を示す平面図である。 図５Ａは、１つの液滴により形成される正常なドットパターンの平面図であり、図５Ｂは、正常なドットパターンより大きなドットパターンの平面図であり、図５Ｃは、滲んだドットパターンの平面図であり、図５Ｄは、平面形状が歪んだドットパターンの平面図である。 図６Ａは、基板に評価パターンを形成した状態（ステップＳ４）の基板の断面図であり、図６Ｂは、基板にレジスト膜を形成した状態（ステップＳ７）の基板の断面図であり、図６Ｃは、レジスト膜をエッチングマスクとして用いて透明導電膜をエッチングした後の基板の断面図であり、図６Ｄは、エッチングマスクとして用いたレジスト膜を除去した状態の基板の断面図である。 図７Ａ及び図７Ｂは、形成すべきレジスト膜の一部分を拡大した平面図である。 図８Ａは、他の実施例による方法で基板に評価パターンを形成した状態（ステップＳ４）の基板の断面図であり、図８Ｂは、基板にレジスト膜を形成した状態（ステップＳ７）の基板の断面図である。

図１〜図７を参照して、実施例による膜形成装置及び膜形成方法について説明する。

図１は、本実施例による膜形成装置の概略正面図である。基台２０に移動機構２１を介してステージ２３が支持されている。ステージ２３は、その上面（支持面）に基板５０を支持する支持部としての機能を有する。移動機構２１は、ステージ２３を支持面に平行な２次元方向に移動させることにより、基板５０を２次元方向に移動させることができる。移動機構２１及びステージ２３に、例えばＸＹステージを用いることができる。通常、ステージ２３の支持面は水平に保たれる。

ステージ２３に支持された基板５０の上方に複数のインクジェットヘッド２６及び複数の撮像装置２７が配置されている。インクジェットヘッド２６及び撮像装置２７は、門型フレーム２４により基台２０に支持されている。インクジェットヘッド２６の各々に複数のノズル孔が設けられている。ノズル孔から基板５０に向けて膜材料の液滴が吐出される。インクジェットヘッド２６、ステージ２３、及び移動機構２１は、基板に膜を形成する膜形成部として機能する。撮像装置２７は、ステージ２３に支持された基板５０の一部分を撮像し、取得された２次元画像の画像データを制御装置（制御部）３０に送信する。

基板５０に付着した液状の膜材料を硬化させることにより膜を形成することができる。膜材料として、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂等を用いることができる。インクジェットヘッド２６の側方に、基板５０に付着した膜材料を硬化させる光源または熱源が配置されている。

制御装置３０が移動機構２１によるステージ２３の移動、及びインクジェットヘッド２６のノズル孔からの膜材料の吐出を制御する。制御装置３０は記憶装置３１を含み、記憶装置３１に、形成すべき膜のパターンデータが格納されている。パターンデータは、例えば行列状に配置された複数の画素（ピクセル）で構成される。制御装置３０がパターンデータに基づいて移動機構２１及びインクジェットヘッド２６を制御することにより、基板５０に所望のパターンの膜を形成することができる。

入力装置３５から制御装置３０に、種々のコマンドやデータが入力される。入力装置３５には、例えばキーボード、ポインティングデバイス、ＵＳＢポート、通信装置等が用いられる。出力装置（出力部）３６が、制御装置３０からの指令に基づき、膜形成装置の動作に関する種々の情報を出力する。出力装置３６には、例えば液晶ディスプレイ、スピーカ、ＵＳＢポート、通信装置等が用いられる。

図２は、タッチパネルの透明電極膜をパターニングするときにエッチングマスクとして用いられるレジスト膜５３の平面図である。ＩＴＯ等からなる透明導電膜を、レジスト膜５３をエッチングマスクとしてエッチングすることにより透明電極が形成される。図２において、レジストが塗布されている領域にドットパターンが付されている。図１に示した膜形成装置は、基板５０にレジスト膜５３を形成する。

レジスト膜５３は、行列状に配置された複数のパッド部５１、及び複数のパッド部５１を列方向に接続する接続部５２を含む。行方向に隣り合う２つのパッド部５１を隔てる間隔Ｇが、パターンの最小寸法となる。

図３を参照して、図１に示した膜形成装置を用いて膜を形成する方法について説明する。

図３は、本実施例による膜形成方法のフローチャートである。まず、ステップＳ１において、膜を形成すべき基板５０（図１）をステージ２３の支持面の上に置き、真空チャック等により基板５０を固定する。ステップＳ２において、制御装置３０が、基板５０の位置合わせが必要か否かを判定する。位置合わせが必要であるか否かは、基板５０の種類によって決まっており、位置合わせ要否の情報は記憶装置３１（図１）に記憶されている。

例えば、基板５０に既に何らかのパターンが形成されている場合には、既に形成されているパターンと新たに形成する膜との位置合わせが必要になる。この場合、基板５０に形成されているアライメントマークに対して位置決めして新たな膜を形成する。基板５０に何らパターンが形成されていない場合、例えば、基板５０の全面にパターニングすべき膜が形成されている場合には、位置合わせは不要である。この場合、ステージ２３に対して定義されたステージ座標を基準として新たな膜を形成する。

基板５０の位置合わせが必要である場合には、ステップＳ３において、ステージ２３の支持面内における基板５０の位置を検出する。具体的には、基板５０に設けられているアライメントマークを撮像装置２７（図１）で撮像し、画像解析を行うことにより、基板５０の位置を検出する。

基板５０の位置を検出した後、ステップＳ４において、膜を形成すべき領域の内部に評価パターンを形成する。基板５０の位置合わせを行う必要がない場合には、ステップＳ３を実行することなくステップＳ４を実行する。

図４を参照して、ステップＳ４の処理について説明する。図４は、形成すべきレジスト膜５３と評価パターン５５との位置関係を示す平面図である。制御装置３０が、形成すべきレジスト膜５３のパターンデータに基づいて、評価パターン５５を形成すべき少なくとも１つの位置を決定する。評価パターン５５は、パターンデータに基づいてレジスト膜５３を形成するときに膜材料を塗布すべき領域の内部に配置される。例えば、１つの評価パターン５５は、相互に離間した複数のドットパターンで構成される。図４では、評価パターン５５が、１つのパッド部５１の内部に配置された５個のドットパターンで構成される例を示している。評価パターン５５に含まれる１つのドットパターンは、１つのノズル孔から吐出された液滴により形成される大きさである。

制御装置３０は、評価パターン５５を形成すべき位置を決定した後、インクジェットヘッド２６及び移動機構２１（図１）を制御して、基板５０に評価パターン５５を形成する。

評価パターン５５を形成した後、制御装置３０は、ステップＳ５（図３）において、形成された評価パターン５５を撮像装置２７の撮像範囲内に移動させ、評価パターン５５を撮像する。その後、ステップＳ６において、評価パターン５５の画像に基づいて基板５０の表面状態の良否を判定する。制御装置３０は表面状態の良否の判定結果に基づいて異なる処理を実行する。

図５Ａ〜図５Ｄを参照して基板５０の表面状態の良否を判定する方法について説明する。基板５０の表面に着弾した液滴は、表面状態に応じて面内方向に広がったり、滲みが生じたり、歪んだりする。本実施例では、形成された評価パターン５５の大きさ、滲みの幅、形状の歪み等に基づいて表面状態の良否を判定する。例えば、形成された評価パターン５５の大きさ、滲みの幅、形状の歪み等が予め定義された許容範囲に納まっている場合に、表面状態を「良」と判定し、許容範囲から外れている場合に、表面状態を「不良」と判定する。

図５Ａは、１つの液滴により形成される正常なドットパターン５６の平面図を示す。正常なドットパターン５６の平面形状はほぼ真円である。

図５Ｂは、評価パターン５５（図４）の１つのドットパターン５７が正常なドットパターン５６より大きい例の平面図を示す。大きなドットパターン５７の大きさが許容範囲から外れている場合、制御装置３０は基板５０の表面状態が不良であると判定する。大きなドットパターン５７の大きさは、例えば相互に直交する２方向の直径で代表させることができる。

図５Ｃは、評価パターン５５（図４）の１つのドットパターン５８に滲み５８ｂが生じている例の平面図を示す。ドットパターン５８の本体５８ａの周囲に滲み５８ｂが観察される。例えば、滲み５８ｂの幅（径方向の寸法）が許容範囲の上限を超えているとき、制御装置３０は基板５０の表面状態が不良であると判定する。

図５Ｄは、評価パターン５５（図４）の１つのドットパターン５９の平面形状が歪んだ例の平面図を示す。例えば、ドットパターン５９は、正常なドットパターン５６よりも一方向（図５Ｄにおいて左右方向）に広がっているが、それに直交する方向（図５Ｄにおいて上下方向）には縮んでいる。歪んだドットパターン５９の歪み量が許容範囲から外れているとき、制御装置３０は、基板５０の表面状態が不良であると判定する。歪み量を表す指標として、長径と短径との比等を採用することができる。

上述の許容範囲は、例えば図２に示したパターンの最小寸法に相当する間隔Ｇの両側のレジスト膜５３が接触しないという条件を満たすように設定することが好ましい。一例として、形成されたドットパターン５７（図５Ｂ）、ドットパターン５８（図５Ｃ）、及びドットパターン５９（図５Ｄ）が正常なドットパターン５６の外周線からはみ出している部分のはみ出し量の上限値が、パターンの最小寸法の１／２未満になるように許容範囲を設定することができる。

その他に、予め表面状態が良好であるとわかっている複数の基板にドットパターンを形成して、その寸法のばらつきに基づいて許容範囲を設定してもよい。例えば、形成されたドットパターンの寸法の平均値に、標準偏差の３倍を加算した寸法を許容範囲の上限値としてもよい。

制御装置３０は、基板５０の表面状態の良否の判定において、評価パターン５５の大きさが許容範囲に納まっているか否か、評価パターン５５の周囲の滲みの幅が許容範囲に納まっているか否か、及び平面形状の歪みが許容範囲に納まっているか否かの少なくとも１つの判定条件に基づいて良否の判定を行う。

制御装置３０は、基板５０の表面状態を「良」と判定した場合、ステップＳ７において、基板５０にパターンデータに基づいてレジスト膜５３（図２）を形成する。レジスト膜５３を形成した後、ステップＳ９において基板５０を膜形成装置から搬出する。

制御装置３０は、基板５０の表面状態を「不良」と判定した場合、ステップＳ８において、表面状態が不良であることを示す情報を出力装置３６から出力させる。この情報の出力の態様として、例えば音による出力、画像による出力、発光による出力等を採用することができる。

次に、図６Ａ〜図６Ｄを参照して、基板５０に膜を形成して基板５０の透明電極膜をエッチングする方法について説明する。図６Ａ〜図６Ｄは、図４の一点鎖線６−６の位置における断面図に相当する。

図６Ａは、基板５０に評価パターン５５を形成した状態（図３のステップＳ４）の基板５０の断面図である。基板５０は、ガラス基板５０ａ、及びその表面に形成されたＩＴＯからなる透明導電膜５０ｂを含む。透明導電膜５０ｂの上にレジスト材料からなる評価パターン５５が形成されている。評価パターン５５は孤立した５個のドットパターンで構成される。各ドットパターンは、インクジェットヘッド２６の１つのノズル孔から吐出された１つの液滴により形成される。図６Ａにおいて、１つの液滴の吐出に対応して１本の矢印が示されている。

図６Ｂは、基板５０にレジスト膜５３を形成した状態（図３のステップＳ７）の基板５０の断面図である。制御装置３０が、形成すべきレジスト膜の形状を定義するパターンデータに基づいて移動機構２１及びインクジェットヘッド２６を制御することにより、レジスト膜５３を形成する。図６Ｂにおいて、１つの液滴の吐出に対応して１本の矢印が示されている。評価パターン５５の各ドットパターンが形成されている位置に、重ねて液滴が塗布されるため、レジスト膜５３の表面に評価パターン５５の形状を反映した盛り上がり５４が形成されている。

図６Ｃに示すように、レジスト膜５３をエッチングマスクとして用いて透明導電膜５０ｂをエッチング（パターニング）する。レジスト膜５３が形成されていない領域の透明導電膜５０ｂがエッチングして除去される。

図６Ｄに示すように、エッチングマスクとして用いたレジスト膜５３を除去する。レジスト膜５３（図６Ｃ）が形成されていた領域に透明導電膜５０ｂが残っている。

次に、図７Ａ及び図７Ｂを参照して、上記実施例の優れた効果について説明する。

図７Ａ及び図７Ｂは、形成すべきレジスト膜５３の一部分を拡大した平面図である。図７Ａ及び図７Ｂにおいて、形成すべきレジスト膜５３の目標とする形状５３ａを破線で示す。

図７Ａは、基板５０の表面の濡れ性が標準の値より高い場合に形成されたレジスト膜５３の平面図を示す。形成されたレジスト膜５３が目標とする形状５３ａよりも広がっている。膜材料の面内方向への広がりが許容範囲を超えると、形成されたレジスト膜５３の行方向に隣り合う２つのパッド部５１が相互に接触してしまう。

図７Ｂは、基板５０の表面が滲みの生じやすい状態である場合に形成されたレジスト膜５３の平面図を示す。目標とする形状５３ａの周囲に滲み５３ｂが発生している。行方向に隣り合う２つのパッド部５１が滲み部分５３ｂを介して連続してしまっている。

図７Ａ及び図７Ｂに示した状態で透明導電膜５０ｂ（図６Ｃ）をエッチングすると、透明導電膜５０ｂの短絡故障が発生する可能性が高い。

本実施例では、レジスト膜５３を形成する前に基板５０の表面状態の良否を検査し、濡れ性が高すぎる状態、滲みが生じやすい状態、膜形状に歪みが生じやすい状態を検出する。ステージ２３に支持された基板５０の表面状態が不良である場合には、膜形成装置は、継続して膜形成を行うことなく、表面状態が不良であることをオペレータに通知する（図３のステップＳ８）。オペレータは、この通知に気付くと、表面状態が不良の基板５０を膜形成装置から搬出し、表面の洗浄等による表面改質処理を行うことができる。これにより、製品の歩留まりの低下を抑制することができる。

本実施例では、図６Ｂに示したように、レジスト膜５３の表面に評価パターン５５（図６Ａ）の形状を反映した盛り上がり５４が形成される。ただし、透明導電膜５０ｂがエッチングされた後このレジスト膜５３が除去される。また、評価パターン５５は、レジスト膜５３を形成すべき領域の内部に配置されるためレジスト膜５３の平面形状に影響を及ぼさない。従って、評価パターン５５は、エッチング後の透明導電膜５０ｂ（図６Ｄ）の形状に影響を及ぼさない。

次に、本実施例の種々の変形例について説明する。

上記実施例では、評価パターン５５（図４）として孤立した複数のドットパターンを用いたが、その他のパターンを用いてもよい。例えば、レジスト膜５３の最小寸法となる間隔Ｇと同一の間隔を持つ２本の帯状パターンを評価パターン５５として用いてもよい。形成された帯状パターンの間隔が許容範囲に収まっているか否かによって基板５０の表面状態の良否を判定してもよい。

上記実施例では、評価パターン５５（図４）を基板５０の少なくとも１箇所に形成した。本願の発明者による評価実験によると、１枚の基板５０でも、表面内の位置によって表面状態が異なることがわかった。例えば、基板５０の周辺部よりも内部の方が高い濡れ性を示す傾向にある場合がある。

１枚の基板５０の表面内における表面状態のばらつきを考慮して、表面状態の良否の判定精度を高めるために、評価パターン５５（図４）を基板５０の表面内に一様に分布させることが好ましい。例えば、基板５０の表面を行方向及び列方向に等間隔に区分し、１つの区画内に１つの評価パターン５５を形成するようにするとよい。

上記実施例では、インクジェットヘッド２６を基台２０に対して静止させ、ステージ２３を移動させることにより、レジスト膜５３を形成したが、その反対に、ステージ２３を基台２０に対して静止させ、インクジェットヘッド２６を移動させてもよい。すなわち、インクジェットヘッド２６及び基板５０の一方を他方に対して移動させればよい。

次に、図８Ａ及び図８Ｂを参照して他の実施例による膜形成方法について説明する。以下、図１〜図７に示した実施例との相違点について説明し、共通の構成については説明を省略する。

図８Ａは、基板５０に評価パターン５５を形成した状態（図３のステップＳ４）の基板５０の断面図である。この工程は、図６Ａに示した実施例の工程と同一である。

図８Ｂは、基板５０にレジスト膜５３を形成した状態（図３のステップＳ７）の基板５０の断面図である。図８Ｂに示した矢印は、レジスト膜５３の液滴を吐出する箇所に対応して表示されている。本実施例においては、制御装置３０（図１）は、形成すべきレジスト膜５３のパターンデータの画素のうち評価パターンを定義する画素を塗布対象から除外して修正パターンデータを作成する。この修正パターンデータに基づいてインクジェットヘッド２６を制御することによりレジスト膜５３を形成する。図８Ｂに矢印で示したように、評価パターン５５（図８Ａ）のドットパターンが形成されている箇所には液滴を重ねて塗布しない。

本実施例においては、評価パターン５５（図８Ａ）を形成した画素に、レジスト膜５３を形成する際に液滴を重ね塗りしない。このため、図６Ｂに示した実施例で現れていた盛り上がり５４の発生を防止することができる。

図１〜図７に示した実施例のように、最終的にレジスト膜５３を除去する場合には、盛り上がり５４が形成されていても問題はないが、最終製品に残留する膜を形成する場合には、図８Ａ及び図８Ｂに示した実施例を適用することが好ましい。

上述の各実施例は例示であり、異なる実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。複数の実施例の同様の構成による同様の作用効果については実施例ごとには逐次言及しない。さらに、本発明は上述の実施例に制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

２０ 基台
２１ 移動機構
２３ ステージ（支持部）
２４ 門型フレーム
２６ インクジェットヘッド
２７ 撮像装置
３０ 制御装置
３１ 記憶装置
３５ 入力装置
３６ 出力装置
５０ 基板
５０ａ ガラス基板
５０ｂ 透明導電膜
５１ パッド部
５２ 接続部
５３ レジスト膜
５３ａ レジスト膜の目標とする形状
５３ｂ 滲み
５４ 盛り上がり
５５ 評価パターン
５６ 正常なドットパターン
５７ 大きなドットパターン
５８ 滲んだドットパターン
５８ａ 滲んだドットパターンの本体
５８ｂ 滲み
５９ 歪んだドットパターン

Claims (8)

1. 基板に膜材料を塗布して膜を形成する膜形成部と、
   前記膜形成部に配置された前記基板の表面を撮像する撮像装置と、
   前記膜形成部を制御する制御部と
   を有し、
   前記制御部は、
   形成すべき膜の平面形状を定義するパターンデータを記憶しており、
   前記パターンデータに基づいて膜を形成する前に、膜を形成するために膜材料を塗布する領域の内側の一部に、形成すべき膜と同一の材料からなる評価パターンを、前記膜形成部に形成させ、
   前記評価パターンを前記撮像装置で撮像した画像を取得し、
   取得した前記画像に基づき、前記評価パターンの周囲の滲みの幅が許容範囲に納まっているか否かという判定条件に従って、前記基板の表面状態の良否を判定し、判定結果に基づいて異なる処理を実行する膜形成装置。
2. 基板に膜材料を塗布して膜を形成する膜形成部と、
   前記膜形成部に配置された前記基板の表面を撮像する撮像装置と、
   前記膜形成部を制御する制御部と
   を有し、
   前記制御部は、
   形成すべき膜の平面形状を定義するパターンデータを記憶しており、
   前記パターンデータに基づいて膜を形成する前に、膜を形成するために膜材料を塗布する領域の内側の一部に、形成すべき膜と同一の材料からなる評価パターンを、前記膜形成部に形成させ、
   前記評価パターンを前記撮像装置で撮像した画像を取得し、
   取得した前記画像に基づいて前記基板の表面状態の良否を判定し、前記基板の表面状態を良と判定した場合、前記評価パターンを形成した前記基板に前記パターンデータに基づいて膜を形成する処理を実行し、不良と判定した場合、他の処理を実行する膜形成装置。
3. 前記制御部は、前記基板の表面状態の良否の判定において、前記評価パターンの大きさが許容範囲に納まっているか否か、前記評価パターンの周囲の滲みの幅が許容範囲に納まっているか否か、及び平面形状の歪みが許容範囲に納まっているか否かの少なくとも１つの判定条件に基づいて良否の判定を行う請求項２に記載の膜形成装置。
4. 前記膜形成部は、
   前記基板を支持する支持部と、
   前記支持部に支持された前記基板に向けて膜材料を吐出するインクジェットヘッドと、
   前記支持部に支持された前記基板と前記インクジェットヘッドとの一方を他方に対して移動させる移動機構と
   を有し、
   前記制御部は、前記インクジェットヘッド及び前記移動機構を制御する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の膜形成装置。
5. 基板に膜材料を塗布して膜を形成する膜形成部と、
   前記膜形成部に配置された前記基板の表面を撮像する撮像装置と、
   前記膜形成部を制御する制御部と、
   前記制御部からの指令により情報を出力する出力部と
   を有し、
   前記制御部は、
   形成すべき膜の平面形状を定義するパターンデータを記憶しており、
   前記パターンデータに基づいて膜を形成する前に、膜を形成するために膜材料を塗布する領域の内側の一部に、形成すべき膜と同一の材料からなる評価パターンを、前記膜形成部に形成させ、
   前記評価パターンを前記撮像装置で撮像した画像を取得し、
   取得した前記画像に基づいて前記基板の表面状態の良否を判定し、
   前記基板の表面状態を不良と判定した場合、前記出力部に前記基板の表面状態が不良であることを知らせる情報を出力し、
   前記基板の表面状態を良と判定した場合、前記基板に前記パターンデータに基づいて前記膜を形成する膜形成装置。
6. 基板に膜材料を塗布して膜を形成する膜形成部と、
   前記膜形成部に配置された前記基板の表面を撮像する撮像装置と、
   前記膜形成部を制御する制御部と
   を有し、
   前記制御部は、
   形成すべき膜の平面形状を定義するパターンデータを記憶しており、
   前記パターンデータに基づいて膜を形成する前に、膜を形成するために膜材料を塗布する領域の内側の一部に、形成すべき膜と同一の材料からなる評価パターンを、前記膜形成部に形成させ、
   前記評価パターンを前記撮像装置で撮像した画像を取得し、
   取得した前記画像に基づいて前記基板の表面状態の良否を判定し、判定結果に基づいて異なる処理を実行し、
   前記評価パターンが形成されている箇所に、前記膜を形成するための液滴を重ねて塗布する膜形成装置。
7. 基板に膜材料を塗布して膜を形成する膜形成部と、
   前記膜形成部に配置された前記基板の表面を撮像する撮像装置と、
   前記膜形成部を制御する制御部と
   を有し、
   前記制御部は、
   形成すべき膜の平面形状を定義するパターンデータを記憶しており、
   前記パターンデータに基づいて膜を形成する前に、膜を形成するために膜材料を塗布する領域の内側の一部に、形成すべき膜と同一の材料からなる評価パターンを、前記膜形成部に形成させ、
   前記評価パターンを前記撮像装置で撮像した画像を取得し、
   取得した前記画像に基づいて前記基板の表面状態の良否を判定し、判定結果に基づいて異なる処理を実行し、
   前記パターンデータに基づいて前記膜を形成するときに、前記パターンデータから前記評価パターンを形成した箇所を除去して得られる修正パターンデータに基づいて、前記膜を形成する膜形成装置。
8. 基板の表面の、あるパターンを有する膜を形成すべき領域の内部に、インクジェットヘッドから前記膜の膜材料を吐出させて評価パターンを形成し、
   前記基板に形成された前記評価パターンに基づいて、前記基板の表面状態の良否を判定し、
   判定結果が良である場合には、前記基板の表面に前記パターンを有する前記膜を形成し、
   判定結果が不良である場合には、前記基板の表面の洗浄を行った後、前記基板の表面に
   前記パターンを有する前記膜を形成する膜形成方法。
   

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