JP6674726B2 - リアクトル及び直流電圧変換装置 - Google Patents

Description

本発明は、直流電圧変換装置用途に適したリアクトル、及びリアクトルを用いた直流電圧変換装置に関する。

リアクトルのインダクタンスを利用して、昇圧、降圧等の電圧変換を行う直流電圧変換装置の技術が知られている。

例えば特許文献１では、複数の巻線部を有するリアクトルを用い、複数の巻線部により多重化したインダクタンスにより電圧変換を行う直流電圧変換装置の技術が開示されている。

さらに、特許文献１の段落０００９等には、巻線部間に相互インダクタンスを持たせ、巻線部のリップル率を抑制する旨の記載がある。

また、特許文献２の図１１等には、直流電圧変換装置に適した３相に多重化したリアクトルの構成が開示されている。

特開２０１３−１１５８８７号公報 国際公開第２０１１／０６１９８４号

特許文献１では、リアクトルの具体的な構成が示されておらず、特に直流電圧変換装置向けリアクトルで重要となる磁気飽和について考慮されていないという課題がある。

さらに、特許文献２では、大容量出力のため、２相モードを採用せず、３相モードを採用している。しかし、３相モードでは、外側の３つの磁脚部からの磁束の直流成分が中央磁脚部に集中し、磁気飽和を起こしやすいという課題がある。

従って本発明は、軟磁性コアが磁気飽和しにくいリアクトル及び直流電圧変換装置を提供することを目的とする。

上記課題を本発明は、第１磁脚部、第２磁脚部、中央磁脚部、前記第１磁脚部と前記中央磁脚部を連結する第１連結部、及び前記第２磁脚部と前記中央磁脚部を連結する第２連結部を有する軟磁性コアと、前記第１磁脚部を周回するよう装着された第１巻線部と、前記第２磁脚部を周回するよう装着された第２巻線部を備え、前記中央磁脚部は中央磁気抵抗部を有し、前記第１巻線部への直流電流成分を有する第１電流の通電により前記第１磁脚部、前記第１連結部、前記第２連結部、前記第２磁脚部に生じる磁束を第１磁束、前記第２巻線部への直流電流成分を有する第２電流の通電により前記第２磁脚部、前記第２連結部、前記第１連結部、前記第１磁脚部に生じる磁束を第２磁束とした場合、前記第１磁束と前記第２磁束の向きは互いに逆向きであり、前記第１電流と前記第２電流へ絶対値が等しい最大使用電流を同時に通電した場合にも前記軟磁性コアが磁気飽和しないよう、前記中央磁気抵抗部の磁気抵抗が設定されているリアクトルによって解決する。

また、前記第１電流及び前記第２電流の直流成分をＩｄｃと、交流成分のＰｅａｋ−Ｔｏ−Ｐｅａｋ振幅をΔＩとすると、ΔＩ／Ｉｄｃが７５％以下であることが望ましい。

また、前記第２巻線部の両端を開放した状態での前記第１巻線部のみに通電した場合のインダクタンスと、前記第１巻線部の両端を開放した状態での前記第２巻線部のみに通電した場合のインダクタンスが等しいことが望ましい。

また、前記第１磁脚部は第１磁気抵抗部を、前記第２磁脚部は第２磁気抵抗部をさらに備え、前記第１磁束と前記第２磁束の差分であって最大となる磁束により前記軟磁性コアが磁気飽和しないよう、前記第１磁気抵抗部及び前記第２磁気抵抗部の磁気抵抗が設定されていることが望ましい。

また、前記第１磁気抵抗部及び前記第２磁気抵抗部は軟磁性体であり、前記軟磁性コアよりも透磁率が低く、飽和磁束密度が高いことが望ましい。

また、上記リアクトルと、入力端子部と、第１スイッチ部と、第２スイッチ部と、第１ダイオードと、第２ダイオードと、出力端子部と、定電位端子部を備え、前記入力端子部は、前記第１巻線部の一端、及び前記第２巻線部の一端と接続され、前記第１巻線部の他端は、前記第１スイッチ部の一端、及び前記第１ダイオードのアノードと接続され、前記第２巻線部の他端は、前記第２スイッチ部の一端、及び前記第２ダイオードのアノードと接続され、前記定電位端子部は、前記第１スイッチ部の他端、及び前記第２スイッチ部の他端と接続され、前記出力端子部は、前記第１ダイオードのカソード、及び前記第２ダイオードのカソードと接続され、前記第１スイッチ部は、一定周期で開閉動作が繰り返され、前記第２スイッチ部は、前記第１スイッチ部から１８０度位相がずれた開閉動作が繰り返され、前記入力端子部には少なくとも直流成分を有する電圧が入力され、前記出力端子部からは少なくとも直流成分を有する電圧が出力され、前記第１巻線部における前記一端から前記他端へ流れる電流は前記第１電流であり、前記第２巻線部における前記一端から前記他端へ流れる電流は前記第２電流であり、前記第１巻線部と前記第２巻線部の間に相互インダクタンスＭを有し、前記第１電流と前記第２電流の絶対値が等しい場合の交流電流通電による自己インダクタンスをＬとすると、結合係数Ｍ／（Ｍ＋Ｌ）は０．１以上、０．６以下である直流電圧変換装置であってもよい。

また、前記出力端子部より出力される電流の直流成分をＩ’ｄｃと、交流成分のＰｅａｋ−Ｔｏ−Ｐｅａｋ振幅をΔＩ’とすると、ΔＩ’／Ｉ’ｄｃが２０％以下であるのが望ましい。

本発明によって、軟磁性コアが磁気飽和しにくいリアクトル及び直流電圧変換装置を提供することができる。

本発明の実施形態１におけるリアクトルの斜視図を示している。 本発明の実施形態１におけるリアクトルの断面図を示し、図１におけるＡ面の断面に対応する。 本発明の実施形態１におけるリアクトルを用いた直流電圧変換装置の回路図を示している。 本発明の実施形態１における直流電圧変換装置の出力電流Ｉｏｕｔ、及び内蔵するリアクトルの第１電流Ｉ１、第２電流Ｉ２の時間変化を示す図である。図４（ａ）は相互インダクタンスＭが０の場合、図４（ｂ）は相互インダクタンスＭを有する場合を示している。 本発明の実施形態１における直流電圧変換装置に内蔵されるリアクトルの結合係数と損失の関係を示す図である。 本発明の実施形態２におけるリアクトルの断面図を示し、図２の変形例を示している。 本発明におけるリアクトルのインダクタンスの直流重畳特性を示す図である。

（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１におけるリアクトルの斜視図を示している。

図１のリアクトルは、Ｅ型の第１軟磁性コア１１、第２軟磁性コア１２の外側の磁脚部にボビン２に巻き回した第１巻線部３１、第２巻線部３２を装着した状態で磁脚部同士を付き合わせることで構成している。ここで、第１軟磁性コア１１、第２軟磁性コア１２の中央磁脚部には磁気ギャップによる磁気抵抗部４が設けられている。また、第１巻線部３１、第２巻線部３２の内周端部からの導線の引き出しのため、切り欠き２０が設けられている。

図２は、本発明の実施形態１におけるリアクトルの断面図を示し、図１におけるＡ面の断面に対応する。

第１軟磁性コアは、中央磁脚部１１０、外側の磁脚部１１１、１１２、中央磁脚部１１０と磁脚部１１１を連結する連結部１１１０、中央磁脚部１１０と磁脚部１１２を連結する連結部１１２０により構成される。

第２軟磁性コアは、中央磁脚部１２０、外側の磁脚部１２１、１２２、中央磁脚部１２０と磁脚部１２１を連結する連結部１２１０、中央磁脚部１２０と磁脚部１２２を連結する連結部１２２０により構成される。

磁脚部１１１と磁脚部１２１の間には磁気抵抗部４１が、磁脚部１１２と磁脚部１２２の間には磁気抵抗部４２が挟み込まれている。

ここで、磁気抵抗部４１、４２は、絶縁性の非磁性体、もしくは第１軟磁性コア、第２軟磁性コアよりも透磁率の低い軟磁性材料により構成される。

中央磁脚部１１０、１２０の間には磁気抵抗部４が設けられている。

磁気抵抗部４は単なる隙間でも良いが、絶縁性の非磁性体、もしくは第１軟磁性コア、第２軟磁性コアよりも透磁率の低い軟磁性材料でも良い。

第１巻線部３１は、磁脚部１１１、１２１、磁気抵抗部４１を周回する配置に装着される。

第２巻線部３２は、磁脚部１１２、１２２、磁気抵抗部４２を周回する配置に装着される。

第１巻線部３１へ電流を通電することで、第１磁束Φ１が生じる。

また、第１巻線部３２へ電流を通電することで、第２磁束Φ２が生じる。

第１磁束Φ１は、一部が第２巻線部３２内側の磁脚部１１２、１２２、磁気抵抗部４２の第２磁束を打ち消す磁束となり、他は中央磁脚部１１０、１２０、磁気抵抗部４の第３磁束Φ３の一部となる。

第２磁束Φ２は、一部が第１巻線部３１内側の磁脚部１１１、１２１、磁気抵抗部４１の第１磁束を打ち消す磁束となり、他は中央磁脚部１１０、１２０、磁気抵抗部４の第３磁束Φ３の一部となる。

第１巻線部３１、第２巻線部３２の相互インダクタンスＭは第１磁束Φ１と第２磁束Φ２の打ち消しにより、自己インダクタンスＬは第３磁束Φ３により生じることとなる。

図３は、本発明の実施形態１におけるリアクトルを用いた直流電圧変換装置の回路図を示している。

入力端子部５１は、リアクトルにおける第１巻線部の一端５２１、及び第２巻線部の一端５２２と接続される。

第１巻線部の他端５３１は、第１スイッチ部ＳＷ１の一端、及び第１ダイオードＤ１のアノードと接続される。

第２巻線部の他端５３２は、第２スイッチ部ＳＷ２の一端、及び第２ダイオードＤ２のアノードと接続される。

接地電位部ＧＮＤは、第１スイッチ部ＳＷ１の他端、及び第２スイッチ部ＳＷ２の他端と接続される。

出力端子部５４は、第１ダイオードＤ１のカソード、及び第２ダイオードＤ２のカソードと接続される。

第１スイッチ部ＳＷ１は、一定周期で開閉動作が繰り返され、第２スイッチ部ＳＷ２は、第１スイッチ部ＳＷ１から１８０度位相がずれた開閉動作が繰り返される。

入力端子部５１には少なくとも直流成分を有する電圧Ｖｉｎが入力され、出力端子部からは少なくとも直流成分を有する電圧Ｖｏｕｔ及び電流Ｉｏｕｔが出力される。

出力された電圧Ｖｏｕｔ及び電流ＩｏｕｔはコンデンサＣにより平滑化され、負荷Ｒにより消費される。

本実施形態の直流電圧変換装置は、後述の理由により、第１巻線部における一端５２１から他端５３１へ流れる電流を第１電流Ｉ１とし、第２巻線部における一端５２２から他端５３２へ流れる電流を第２電流Ｉ２とし、第１巻線部と第２巻線部の間の相互インダクタンスをＭ、第１電流Ｉ１と第２電流Ｉ２の絶対値が等しい場合の交流電流通電による自己インダクタンスをＬとすると、結合係数Ｍ／（Ｍ＋Ｌ）は０．１以上、０．６以下とすることが望ましい。

図４は、本発明の実施形態１における直流電圧変換装置の出力電流Ｉｏｕｔ、及び内蔵するリアクトルの第１電流Ｉ１、第２電流Ｉ２の時間変化を示す図である。図４（ａ）は相互インダクタンスＭが０の場合、図４（ｂ）は相互インダクタンスＭが０．５の場合を示している。

図４は、図３の回路構成を取る直流電圧変換装置の電流波形であり、相互インダクタンスＭが０の図４（ａ）の場合よりも、相互インダクタンスＭが０．５となる図４（ｂ）の場合の方が第１電流Ｉ１、第２電流Ｉ２の交流振幅が小さい。

すなわち、相互インダクタンスＭをある程度有していた方が、第１電流Ｉ１、第２電流Ｉ２の交流振幅が抑制されることで、巻線の交流損失や、軟磁性コアのコアロスを削減することができる。

図５は、本発明の実施形態１における直流電圧変換装置に内蔵されるリアクトルの結合係数と損失の関係を示す図である。

軟磁性コアとしては、比透磁率が２３００のＭｎＺｎフェライトコアを用い、巻線は線径１．７ｍｍの銅線とし、外側の磁脚部に磁気抵抗部は設けず、中央磁脚部には空隙からなる磁気抵抗部を設け、軟磁性コアの各部寸法は、図２の寸法記号より、外側磁脚部長さＬｏを５５ｍｍ、連結部の長さＬｗを４４．１ｍｍ、中央磁脚部の幅Ｗｃを１６ｍｍ、軟磁性コア全体の高さＴａを７１ｍｍ、幅Ｗａを６０ｍｍ、奥行き方向の厚さｔを１６ｍｍとした。

上記条件により、中央磁脚部の磁気抵抗部の磁路に沿った寸法と、巻線部の巻き数によりリアクトルの自己インダクタンス、相互インダクタンスを調整し、図５の結果を得た。

交流成分損失は、結合係数が大となれば、第１電流Ｉ１、第２電流Ｉ２の交流振幅が抑制され、損失が低下する。一方、直流成分損失は、結合係数が大となれば、相互インダクタンスで侵食された自己インダクタンスを確保するために、第１、第２巻線部の巻き数を増やすことで損失が増加する。従って、交流成分損失と直流成分損失の和による総損失は、結合係数が０．３５となる近傍で低い値を取る。

総損失の小さい結合係数の範囲としては、０．１以上、０．６以下が望ましく、０．２以上、０．５以下がより望ましい。

すなわち本発明は、磁脚部１１１、１２１により構成される第１磁脚部、磁脚部１１２、１２２により構成される第２磁脚部、中央磁脚部１１０、１２０、第１磁脚部と中央磁脚部１１０、１２０を連結する連結部１１１０、１２１０より構成される第１連結部、及び第２磁脚部と中央磁脚部１１０、１２０を連結する連結部１１２０、１２２０より構成される第２連結部を有する軟磁性コアと、第１磁脚部を周回するよう装着された第１巻線部３１と、第２磁脚部を周回するよう装着された第２巻線部３２を備え、中央磁脚部１１０、１２０は磁気抵抗部４を有し、第１巻線部３１への直流電流成分を有する第１電流の通電により第１磁脚部、第１連結部、第２連結部、第２磁脚部に生じる磁束を第１磁束、第２巻線部３２への直流電流成分を有する第２電流の通電により第２磁脚部、第２連結部、第１連結部、第１磁脚部に生じる磁束を第２磁束とした場合、第１磁束と第２磁束の向きは互いに逆向きであり、第１電流と第２電流へ絶対値が等しい最大使用電流を同時に通電した場合にも軟磁性コアが磁気飽和しないよう、磁気抵抗部４の磁気抵抗が設定されているリアクトルの実施形態を取り得る。

これにより、軟磁性コア内部の磁束は第１磁束と第２磁束が互いに打ち消しあうことで磁気飽和が防がれ、直流電圧変換装置の電圧変換に必要なインダクタンスは、中央磁脚部１１０、１２０の磁気抵抗部４により確保しつつ、最大使用電流による磁気飽和を防ぐことができる。

さらに、第１磁脚部から第１連結部、第２連結部、第２磁脚部までの軟磁性コアの磁路に垂直な断面積を一様に等しく、もしくは均一にできるため、複雑な構造を取らずとも局所的に磁気飽和が起こりにくい構成となり、リアクトル全体としての小型化、薄型化にもなる。

なお、軟磁性コアをＭｎＺｎフェライトコア、磁気抵抗部４を空隙もしくは非磁性体、磁気抵抗部４１、４２を非磁性体で構成した場合、上記の磁気飽和抑制、及び損失の小さい結合係数の範囲を考慮すると、磁気抵抗部４の磁路に沿った寸法の範囲としては１ｍｍ以上、１０ｍｍ以下が望ましく、２ｍｍ以上、８ｍｍ以下がより望ましい。また、磁気抵抗部４１、４２の磁路に沿った寸法の範囲としては２ｍｍ以下（０を含まず）が望ましい。

ここで、第１電流及び第２電流の直流成分をＩｄｃと、交流成分のＰｅａｋ−Ｔｏ−Ｐｅａｋ振幅をΔＩとすると、ΔＩ／Ｉｄｃが７５％以下であることが望ましい。

リアクトルへの通電電流の直流電流成分が支配的である場合に、本発明の磁気飽和抑制効果を、より好適に享受することができるためである。

また、第２巻線部の両端を開放した状態での第１巻線部のみに通電した場合のインダクタンスと、第１巻線部の両端を開放した状態での第２巻線部のみに通電した場合のインダクタンスが等しいことが望ましい。

このような構成を取ることで、特に第１巻線部３１、第２巻線部への通電電流の直流成分が等しい場合に磁気飽和の抑制効果をより高めることができる。

また、第１磁脚部は磁気抵抗部４１を、第２磁脚部は磁気抵抗部４２をさらに備え、第１磁束と第２磁束の差分であって最大となる磁束により軟磁性コアが磁気飽和しないよう、磁気抵抗部４１及び磁気抵抗部４２の磁気抵抗を設定することが望ましい。

これにより、第１磁束と第２磁束の特に交流成分の差分による軟磁性コアの磁気飽和も防ぐことができる。

また、リアクトルにおける軟磁性コアの体積、透磁率、飽和磁束密度、及び巻線の巻き数、断面積には制約があり、第１巻線部３１と第２巻線部３２の相互インダクタンスが大きすぎるために、中央磁脚部１１０、１２０の磁気抵抗部４のみによって電圧変換に必要な自己インダクタンスを得ることができない場合がある。

このような場合にも、磁気抵抗部４１及び磁気抵抗部４２を設けておけば、相互インダクタンスを小さくすることができ、電圧変換に必要な自己インダクタンスを確保することができる。

また、磁気抵抗部４１、４２は軟磁性体であり、上記軟磁性コアよりも透磁率が低く、飽和磁束密度が高いことが望ましい。

例えば軟磁性コアをＭｎＺｎフェライト、磁気抵抗部４１、４２をＦｅ−Ｓｉ系の圧粉磁芯で構成すれば、磁気抵抗部４１、４２も軟磁性体として機能させつつ磁気飽和をさらに抑制することができる。

（実施形態２）
図６は、本発明の実施形態２におけるリアクトルの断面図を示し、図２の変形例を示している。

実施形態１における図２とは、第１磁脚部が別体軟磁性コア１０１、第２磁脚部が別体軟磁性コア１０２により構成されている点が異なる。

別体軟磁性コア１０１、１０２を、中央磁脚部１１０、１２０等を構成する軟磁性コアよりも透磁率が低く、飽和磁束密度が高い材料とすることで、磁気飽和をさらに抑制することができる。

実施形態１における図２の構成を取り、第１、第２巻線部は線径２．４０ｍｍの銅線を３７回巻き回したものであり、軟磁性コアをＭｎＺｎフェライトであるＮＥＣトーキン社製ＦＥＥ６０Ｗ−ＢＨ２を図２の奥行き方向に重ねたものとし、磁気抵抗部４１、４２を非磁性体であるＰＥＴ繊維圧縮紙、磁気抵抗部４を空隙で構成し、磁気抵抗部４１、４２の磁路に沿った寸法を０．１５ｍｍ、磁気抵抗部４の磁路に沿った寸法を８．００ｍｍとしたリアクトルを実施例１とした。

実施形態２における図６の構成を取り、第１、第２巻線部は線径２．４０ｍｍの銅線を３７回巻き回したものであり、軟磁性コアをＭｎＺｎフェライトであるＮＥＣトーキン社製ＦＥＥ６０Ｗ−ＢＨ２の外側の磁脚部を切除し図６の奥行き方向に重ねたものとし、別体軟磁性コア１０１、１０２を２７．５ｍｍ×３０．０ｍｍ×７．９５ｍｍの寸法のＦｅ−Ｓｉ４．５ｗｔ％圧粉磁芯、磁気抵抗部４を空隙で構成し、磁気抵抗部４の磁路に沿った寸法を２ｍｍとしたリアクトルを実施例２とした。

図７は、本発明におけるリアクトルのインダクタンスの直流重畳特性を示す図である。

第１巻線部と第２巻線部を並列接続するよう結線し、その結線に直流電流を重畳しつつ、４０ｋＨｚでの並列インダクタンスを測定した。

ここで、第１巻線部と第２巻線部への直流電流通電により、第１、第２磁脚部、第１、第２連結部では直流磁束成分の打ち消し合いが起こる。

従って、図７のインダクタンスは、本発明におけるリアクトルの自己インダクタンスＬに対応する。

図７では、実施例１でも充分な直流重畳特性を有しているが、実施例２の方がより直流重畳特性が伸びているため、磁気飽和抑制の面で優れていることを示している。なお、実施例１、実施例２共に第１、第２巻線部を並列接続した際の直流抵抗は８．８ｍΩで等しくなった。

２ ボビン
４ 磁気抵抗部
１１ 第１軟磁性コア
１２ 第２軟磁性コア
２０ 切り欠き
３１ 第１巻線部
３２ 第２巻線部
４１ 磁気抵抗部
４２ 磁気抵抗部
５１ 入力端子部
５４ 出力端子部
１０１、１０２ 別体軟磁性コア
１１０ 中央磁脚部
１１１、１１２ 磁脚部
１２０ 中央磁脚部
１２１、１２２ 磁脚部
５２１、５２２ 一端
５３１、５３２ 他端
１１１０ 連結部
１１２０ 連結部
１２１０ 連結部
１２２０ 連結部
Φ１ 第１磁束
Φ２ 第２磁束
Φ３ 第３磁束
Ｍ 相互インダクタンス
Ｌ 自己インダクタンス
Ｃ コンデンサ
Ｒ 負荷
ＳＷ１ 第１スイッチ部
ＳＷ２ 第２スイッチ部
Ｄ１ 第１ダイオード
Ｄ２ 第２ダイオード
ＧＮＤ 接地電位部
Ｖｉｎ 電圧
Ｖｏｕｔ 電圧
Ｉｏｕｔ 電流
Ｉ１ 第１電流
Ｉ２ 第２電流
Ｌｏ、Ｌｗ 長さ
Ｗｃ、Ｗａ 幅
Ｔａ 高さ
ｔ 厚さ

Claims (4)

1. 第１磁脚部、第２磁脚部、中央磁脚部、
   前記第１磁脚部と前記中央磁脚部を連結する第１連結部、
   及び前記第２磁脚部と前記中央磁脚部を連結する第２連結部を有する軟磁性コアと、
   前記第１磁脚部を周回するよう装着された第１巻線部と、
   前記第２磁脚部を周回するよう装着された第２巻線部を備え、
   前記軟磁性コアはＭｎＺｎフェライトからなり、
   前記第１磁脚部から前記第１連結部、前記第２連結部、前記第２磁脚部までの磁路に垂直な断面積を一様にするとともに、
   前記第１磁脚部は第１磁気抵抗部を、前記第２磁脚部は第２磁気抵抗部を、前記中央磁脚部は中央磁気抵抗部を有し、
   前記第１磁気抵抗部及び前記第２磁気抵抗部は軟磁性体であり、前記軟磁性コアよりも透磁率が低く、飽和磁束密度が高く、
   前記第１巻線部への直流電流成分を有する第１電流の通電により前記第１磁脚部、前記第１連結部、前記第２連結部、前記第２磁脚部に生じる磁束を第１磁束、
   前記第２巻線部への直流電流成分を有する第２電流の通電により前記第２磁脚部、前記第２連結部、前記第１連結部、前記第１磁脚部に生じる磁束を第２磁束とした場合、
   前記第１磁束と前記第２磁束の向きは互いに逆向きであり、
   前記第１電流と前記第２電流へ絶対値が等しい最大使用電流を同時に通電した場合にも前記軟磁性コアが磁気飽和しないよう、前記中央磁気抵抗部の磁気抵抗が設定されていることを特徴とするリアクトル。
2. 前記第２巻線部の両端を開放した状態での前記第１巻線部のみに通電した場合のインダクタンスと、
   前記第１巻線部の両端を開放した状態での前記第２巻線部のみに通電した場合のインダクタンスが等しいことを特徴とする請求項１に記載のリアクトル。
3. 前記第１磁束と前記第２磁束の差分であって最大となる磁束により前記軟磁性コアが磁気飽和しないよう、前記第１磁気抵抗部及び前記第２磁気抵抗部の磁気抵抗が設定されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリアクトル。
4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載のリアクトルと、
   入力端子部と、第１スイッチ部と、第２スイッチ部と、第１ダイオードと、第２ダイオードと、出力端子部と、定電位端子部を備え、
   前記入力端子部は、前記第１巻線部の一端、及び前記第２巻線部の一端と接続され、
   前記第１巻線部の他端は、前記第１スイッチ部の一端、及び前記第１ダイオードのアノードと接続され、
   前記第２巻線部の他端は、前記第２スイッチ部の一端、及び前記第２ダイオードのアノードと接続され、
   前記定電位端子部は、前記第１スイッチ部の他端、及び前記第２スイッチ部の他端と接続され、
   前記出力端子部は、前記第１ダイオードのカソード、及び前記第２ダイオードのカソードと接続され、
   前記第１スイッチ部は、一定周期で開閉動作が繰り返され、
   前記第２スイッチ部は、前記第１スイッチ部から１８０度位相がずれた開閉動作が繰り返され、
   前記入力端子部には少なくとも直流成分を有する電圧が入力され、
   前記出力端子部からは少なくとも直流成分を有する電圧が出力され、
   前記第１巻線部における前記一端から前記他端へ流れる電流は前記第１電流であり、
   前記第２巻線部における前記一端から前記他端へ流れる電流は前記第２電流であり、
   前記第１巻線部と前記第２巻線部の間に相互インダクタンスＭを有し、
   前記第１電流と前記第２電流の絶対値が等しい場合の交流電流通電による自己インダクタンスをＬとすると、
   結合係数Ｍ／（Ｍ＋Ｌ）は０．１以上、０．６以下であることを特徴とする直流電圧変換装置。

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