JP6619897B2 - スパッタリングターゲットおよびスパッタリングターゲット製品 - Google Patents

Description

本発明は、スパッタリングターゲットに関する。

従来、スパッタリングターゲットの外周面をバイトにて切削して、スパッタリングターゲットの外周面を仕上げ加工している（特開平５−８４６８２号公報：特許文献１参照）。

特開平５−８４６８２号公報

ところで、本願発明者は、実際に、前記従来のようにスパッタリングターゲットの外周面を切削すると、スパッタリングターゲットの外周面に歪みが発生することを見出した。このようにスパッタリングターゲットの外周面に歪みがある状態で、基板とスパッタリングターゲットの間に高電圧を印加すると、異常放電を引き起こすおそれがある。鋭意検討の結果、４つの側面から構成される外周面を削り工具で切削する際に、１つの側面毎に切削していくと、側面が加工時の熱で歪み易くなることがわかった。

そこで、本発明の課題は、歪みの少ないスパッタリングターゲットを提供することにある。

前記課題を解決するため、スパッタリングターゲットの加工方法の一実施形態は、
スパッタリング面と、前記スパッタリング面の反対側の対向面と、前記スパッタリング面と前記対向面との間の外周面とを含むスパッタリングターゲットを加工する方法であって、
前記スパッタリングターゲットの前記スパッタリング面または前記対向面を固定台に設置して、前記スパッタリングターゲットを前記固定台に固定する工程と、
前記スパッタリングターゲットの前記外周面の周方向に削り工具を回転させながら、前記スパッタリングターゲットの前記外周面を前記削り工具により削る工程と
を備える。

前記スパッタリングターゲットの加工方法によれば、スパッタリングターゲットの外周面の周方向に削り工具を回転させながら、スパッタリングターゲットの外周面を削り工具により削る。これにより、スパッタリングターゲットの外周面に発生する熱を放出しながら、スパッタリングターゲットの外周面を削ることができる。したがって、加工時に発生する熱による歪みを低減し、歪みの少ないスパッタリングターゲットを実現できる。

また、スパッタリングターゲットの加工方法の一実施形態では、前記固定台は、前記スパッタリングターゲットの前記スパッタリング面または前記対向面を真空吸引により吸着して、前記スパッタリングターゲットを固定する。

前記実施形態によれば、固定台は、スパッタリングターゲットのスパッタリング面または対向面を真空吸引により吸着して、スパッタリングターゲットを固定する。これにより、削り工具がスパッタリングターゲットの外周面の周方向を移動する際に、固定台は削り工具の移動を阻止せず、削り工具の軌道を確保できる。

また、スパッタリングターゲットの加工装置の一実施形態では、
スパッタリング面と、前記スパッタリング面の反対側の対向面と、前記スパッタリング面と前記対向面との間の外周面とを含むスパッタリングターゲットを加工する装置であって、
前記スパッタリングターゲットの前記スパッタリング面または前記対向面を設置して前記スパッタリングターゲットを固定する固定台と、
前記スパッタリングターゲットを削る削り工具と、
前記スパッタリングターゲットの前記外周面の周方向に前記削り工具を回転させながら、前記スパッタリングターゲットの前記外周面を前記削り工具により削るように、前記削り工具を制御する制御装置と
を備える。

前記実施形態によれば、制御装置は、スパッタリングターゲットの外周面の周方向に削り工具を回転させながら、スパッタリングターゲットの外周面を削り工具により削るように、削り工具を制御する。これにより、スパッタリングターゲットの外周面に発生する熱を放出しながら、スパッタリングターゲットの外周面を削ることができる。したがって、加工時に発生する熱による歪みを低減し、歪みの少ないスパッタリングターゲットを実現できる。

また、スパッタリングターゲットの一実施形態では、
スパッタリング面と、前記スパッタリング面の反対側の対向面と、前記スパッタリング面と前記対向面との間の外周面とを含むスパッタリングターゲットであって、
前記外周面は、側面側からみて、略長方形であり、
前記スパッタリングターゲットの長辺側の側面の最大歪みは、０．１５ｍｍ以下である。

前記実施形態によれば、最大歪みは、０．１５ｍｍ以下であるので、精度の高いスパッタリングターゲットを実現できる。

また、スパッタリングターゲットの一実施形態では、
前記スパッタリングターゲットの長辺方向の長さに対する前記スパッタリングターゲットの長辺側の側面の最大歪みの割合は、０．００７５％以下である。

前記実施形態によれば、最大歪みの割合は、０．００７５％以下であるので、精度の高いスパッタリングターゲットを実現できる。

また、スパッタリングターゲットの一実施形態では、前記スパッタリングターゲットの長辺方向の長さは、１５００ｍｍ以上４０００ｍｍ以下である。

前記実施形態によれば、スパッタリングターゲットの長辺方向の長さは長くなるが、歪みの少ないスパッタリングターゲットを実現できる。

また、スパッタリングターゲットの一実施形態では、前記スパッタリングターゲットの長辺方向の長さと短辺方向の長さのアスペクト比は、５以上２５以下である。アスペクト比とは、（長辺方向の長さ／短辺方向の長さ）である。

前記実施形態によれば、スパッタリングターゲットは細長い形状となるが、歪みの少ないスパッタリングターゲットを実現できる。

また、スパッタリングターゲット製品の製造方法の一実施形態では、前記スパッタリングターゲットの加工方法を用いてスパッタリングターゲットを加工して、スパッタリングターゲット製品を製造する。

前記実施形態によれば、前記スパッタリングターゲットの加工方法を用いてスパッタリングターゲット製品を製造するので、品質の向上したスパッタリングターゲット製品を得ることができる。

本発明のスパッタリングターゲットの加工方法によれば、歪みの少ないスパッタリングターゲットを実現できる。

本発明のスパッタリングターゲットの加工装置によれば、歪みの少ないスパッタリングターゲットを実現できる。

本発明のスパッタリングターゲットによれば、精度の高いスパッタリングターゲットを実現できる。

本発明のスパッタリングターゲット製品の製造方法によれば、品質の向上したスパッタリングターゲット製品を得ることができる。

スパッタリングターゲットの加工装置の一実施形態を示す平面図である。 スパッタリングターゲットの加工装置の一実施形態を示す断面図である。 スパッタリングターゲットの加工方法の一実施形態を示す平面図である。 スパッタリングターゲットの加工方法の一実施形態を示す平面図である。 加工後のスパッタリングターゲットを示す平面図である。 スパッタリングターゲットの加工方法の比較例を示す平面図である。 スパッタリングターゲットの加工方法の比較例を示す平面図である。 スパッタリングターゲットの加工方法の比較例を示す平面図である。 スパッタリングターゲットの加工方法の比較例を示す平面図である。

以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。

図１は、スパッタリングターゲットの加工装置の一実施形態を示す平面図である。図２は、スパッタリングターゲットの加工装置の断面図である。図１と図２に示すように、スパッタリングターゲットの加工装置（以下、加工装置１という）は、スパッタリングターゲット１０を削り加工する。削りとは、切削や、研削や、研磨などをいう。

スパッタリングターゲット１０は、スパッタリング面１１と、スパッタリング面１１の反対側の対向面１２と、スパッタリング面１１と対向面１２との間の外周面１３とを含む。スパッタリングターゲット１０は、長尺の板状に形成されている。外周面１３は、側面側からみて、略長方形である。外周面１３は、互いに対向する長辺側の第１側面１３ａおよび第２側面１３ｂと、互いに対向する短辺側の第３側面１３ｃおよび第４側面１３ｄとから構成される。

スパッタリング時において、スパッタリングターゲット１０のスパッタリング面１１に、スパッタリングによりイオン化した不活性ガスが衝突する。イオン化した不活性ガスが衝突されたスパッタリング面１１からは、スパッタリングターゲット１０中に含まれるターゲット原子が叩き出される。その叩き出された原子は、スパッタリング面１１に対向して配置される基板上に、堆積され、この基板上に薄膜が形成される。

スパッタリングターゲット１０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、インジウム（Ｉｎ）等の金属およびそれらの合金からなる群から選択される材料から作製することができる。スパッタリングターゲット１０を構成する材料は、これらに限定されるものではない。例えば、電極や配線材料用のスパッタリングターゲット１０における材料としては、Ａｌが好ましく、例えば純度が９９．９９％以上、より好ましくは９９．９９９％以上のＡｌを使用することが特に好ましい。高純度Ａｌは、高電気伝導性であるため、電極や配線材料用のターゲット材１の材料として好適であり、Ａｌの純度が高くなる程、材質上軟らかく変形し易いため、高純度Ａｌを材料としたターゲット材の製造に本発明の加工方法が好適に用いることができる。

加工装置１は、例えば、フライス盤、ＮＣフライス盤、マシニングセンタ等が挙げられ、スパッタリングターゲット１０を固定する固定台２と、スパッタリングターゲット１０を削る削り工具３と、削り工具３を制御する制御装置４とを有する。

固定台２は、スパッタリングターゲット１０の対向面１２を設置してスパッタリングターゲット１０を固定する。具体的に述べると、固定台２は、スパッタリングターゲット１０を設置する設置面２０を含む。設置面２０には、格子状の吸気溝２１が設けられている。吸気溝２１の底面には、複数の吸気孔２２が設けられている。複数の吸気孔２２は、吸気通路２３に連通される。吸気通路２３は、図示しないバキュームに連結される。設置面２０には、吸気溝２１を囲むように、環状のシール部材２４が設けられている。

これにより、スパッタリングターゲット１０をシール部材２４上に載せ、バキュームを作動させると、吸気溝２１、吸気孔２２および吸気通路２３を介して、スパッタリングターゲット１０の対向面１２を真空吸引により吸着する。

削り工具３は、例えば、エンドミル、ラジアンカッター、Ｒカッターなどの刃物である。削り工具３は、軸回りに回転（自転）しながら、スパッタリングターゲット１０に接触することで、スパッタリングターゲット１０を削ることができる。

制御装置４は、削り工具３の動作を制御する。具体的に述べると、制御装置４は、スパッタリングターゲット１０の外周面１３の周方向に削り工具３を回転（公転）させながら、スパッタリングターゲット１０の外周面１３を削り工具３により削るように、削り工具３を制御する。制御装置４は、スパッタリングターゲット１０の自転および公転の回転速度を変更できる。

次に、スパッタリングターゲット１０の加工方法について説明する。

スパッタリングターゲット１０の対向面１２を固定台２に設置して、スパッタリングターゲット１０を固定台２に固定する。このとき、例えば、スパッタリングターゲット１０の対向面１２を真空吸引により吸着して、スパッタリングターゲット１０を固定する。

そして、図３Ａに示すように、削り工具３を矢印方向に移動させて、外周面１３、例えば角部を削り工具３により削る。その後、図３Ｂに示すように、スパッタリングターゲット１０の外周面１３の周方向（矢印方向）に、自転する削り工具３を回転（周回）させながら、スパッタリングターゲット１０の外周面１３を削り工具３により削る。
なお、外周面１３を削る工程において、外周面１３を削り工具３により削る操作を複数回行ってもよいが、１回の操作で、外周面１３を構成する全ての側面（つまり、外周面１３全体）を周回する。例えば、図３Ｂの実施形態では、１回の操作で、第１側面１３ａ、第４側面１３ｄ、第２側面１３ｂおよび第３側面１３ｃを削り工具３が移動し、各側面が削られる。削り工具３の移動方向は逆方向でもよい。
外周面１３を削り工具３により削る際、固定台２は、好ましくは、スパッタリングターゲット１０の対向面１２を真空吸引により吸着して、スパッタリングターゲット１０を固定する。本発明の加工方法では、スパッタリングターゲット１０を固定するので、削り工具３がスパッタリングターゲット１０の外周面１３の周方向を移動する際に、固定台２は削り工具３の移動を阻止せず、削り工具３の軌道を確保できる。適用できる加工条件としては、回転数１００〜１００００ｒｐｍ、工具送り速度１００〜３０００ｍｍ／ｍｉｎに設定することが好ましい。

また、１回あたりの削り量が大きい場合、加工による歪が入りやすいが、１回あたりの削り量を減らすと削り工具３の周回数が増加し、生産性が低下するとともに、加工後に十分な表面状態を得られないことがある。そこで、加工による歪みを押さえ、効率よく良好な表面状態とするうえで、１回あたりの削り量は、通常は０．１〜１０ｍｍ、好ましくは０．３ｍｍ〜７．５ｍｍ、より好ましくは０．５ｍｍ〜５ｍｍに設定することが好ましい。また、加工処理における、削り工具３の周回数は１〜５回、好ましくは１〜３回、より好ましくは１〜２回に設定することが好ましい。

このように、スパッタリングターゲット１０の外周面１３の周方向に削り工具３を回転させながら、スパッタリングターゲット１０の外周面１３を削り工具３により削ることで、スパッタリングターゲット１０の外周面１３に発生する熱を放出しながら、スパッタリングターゲット１０の外周面１３を削ることができる。したがって、加工時に発生する熱による歪みを低減し、歪みの少ないスパッタリングターゲット１０を実現できる。

図４に、加工後のスパッタリングターゲット１０を示す。外周面１３は、側面側からみて、略長方形である。スパッタリングターゲット１０の長辺側の第１、第２側面１３ａ，１３ｂの最大歪みＴは、０．１５ｍｍ以下である。なお、図４では、わかりやすくするために、最大歪みＴを誇張して描いている。

ここで、最大歪みＴとは、歪みのない長方形の長辺を仮想線で示したとき、この仮想線の長辺からの最大のずれ量をいう。そして、最大歪みＴの測定方法は、スパッタリングターゲットの長辺側の側面（第１、第２側面１３ａ，１３ｂ）の両端を結ぶ直線（仮想線）を基準にその直線（仮想線）とスパッタリングターゲットの長辺側の側面（第１、第２側面１３ａ，１３ｂ）との距離を測定し、最大の距離を記録した。
例えば、最大歪みＴの測定方法は、加工機上で、拘束を解いたスパッタリングターゲットの長辺側の側面（１３ａもしくは１３ｂ）の両端を加工機の走査軸に平行な直線（仮想線）上に載るように設置し、加工機に取り付けたダイヤルゲージ等の測定器を用いて、スパッタリングターゲットの長辺側の側面の端部を原点とし、加工機を直線的に動かし、前記長辺側の側面と仮想線の距離を測定し、最大値を最大歪みＴとして記録した。

さらに言い換えると、スパッタリングターゲット１０の長辺方向の長さＬに対するスパッタリングターゲット１０の長辺側の第１、第２側面１３ａ，１３ｂの最大歪みＴの割合は、０．００７５％以下とすることができる。つまり、スパッタリングターゲット１０の長辺方向の長さＬが２０００ｍｍ以上、最大歪みＴが０．１５ｍｍ以下である。スパッタリングターゲット１０の短辺方向の幅Ｗは、例えば２００ｍｍである。要するに、最大歪みＴが０．１５ｍｍ以下であるとき、最大歪みＴの割合は０．００７５％以下とすることができる。

したがって、最大歪みＴが、０．１５ｍｍ以下であり、言い換えると、最大歪みＴの割合が、０．００７５％以下である場合、精度の高いスパッタリングターゲット１０を実現できる。なお、外周面１３の短辺側の第３、第４側面１３ｃ，１３ｄについては、そもそも、長辺側よりも長さが極端に短いため、歪みが発生し難い。この様に短辺に対し極端に長い長辺側で歪みが発生しやすく、スパッタリングターゲット１０の長辺長さは、通常１．５〜４ｍの範囲であるのに対し、スパッタリングターゲット１０の長辺：短辺の長さの比で、５：１〜２５：１の範囲において、その長辺側にて歪みが発生しやすいが、本願発明の製造方法であれば歪みの発生を効果的に抑制することが出来る。
最大歪みＴが０．１５ｍｍ以下、最大歪みＴの割合が０．００７５％以下である場合、スパッタリングターゲットの外周面の歪みに起因する異常放電の発生を効果的に防止することができる。また、スパッタリングターゲットの歪みにより、バッキングプレート材の表面がスパッタされるリスクも効果的に抑制できる。

比較例として、機械式チャック固定による加工方法ついて説明する。図５Ａに示すように、スパッタリングターゲット１００の外周面１３の第１、第２側面１３ａ，１３ｂを複数のチャック部５で挟んで固定し、削り工具３を矢印方向に複数回移動させて、外周面１３の角部を削り工具３により削った後、図５Ｂに示すように削り工具３を矢印方向に複数回移動させて、削り工具３により外周面１３の第３、第４側面１３ｃ，１３ｄを削る。

その後、図５Ｃに示すように、第１側面１３ａのチャック部５を外し、第２側面１３ｂを複数のチャック部５で固定したまま、第１側面１３ａを削り工具３により削る。このとき、削り工具３を矢印方向に複数回移動させながら削るため、第１側面１３ａでは、加工時に発生する熱が放出されず、第１側面１３ａが伸張する。

その後、図５Ｄに示すように、第２側面１３ｂのチャック部５を外し、第１側面１３ａを複数のチャック部５で固定したまま、第２側面１３ｂを削り工具３により削る。このとき、削り工具３を矢印方向に複数回移動させながら削るため、第２側面１３ｂでは、加工時に発生する熱が放出されず、第２側面１３ｂが伸張する。

したがって、加工後のスパッタリングターゲット１００では、第１、第２側面１３ａ，１３ｂの最大歪みＴは、０．１５ｍｍよりも大きくなって、歪みが大きく精度の低いスパッタリングターゲット１００となる。

また、前記スパッタリングターゲットの加工方法を用いてスパッタリングターゲットを加工して、スパッタリングターゲット製品を製造する。

具体的に述べると、ターゲット材料を、例えば溶解や鋳造によって、直方体形状に形成した後、圧延加工や鍛造加工、押出加工などの塑性加工によって、板状のスパッタリングターゲットを得る。その後、スパッタリングターゲットを前記加工方法により加工する。このとき、スパッタリングターゲットの表面を必要に応じて仕上げ加工してもよい。その後、加工されたスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合して、スパッタリングターゲット製品を製造する。なお、バッキングプレートを省略して、加工されたスパッタリングターゲットのみでスパッタリングターゲット製品を製造してもよい。

バッキングプレートは、導電性の材料から構成され、金属またはその合金などからなる。金属としては、例えば、銅、アルミニウム、チタン等がある。スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合には、例えば、はんだが用いられる。はんだの材料としては、例えば、インジウム、スズ、亜鉛、鉛などの金属またはその合金などがある。

したがって、スパッタリングターゲット製品の製造方法では、前記加工方法を用いているので、品質の向上したスパッタリングターゲット製品を得ることができる。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。

前記実施形態では、スパッタリングターゲットを真空吸引により固定台に固定しているが、スパッタリングターゲットの外周面に対する削り工具の周方向の動きを妨げなければ、スパッタリングターゲットを固定台に機械的に固定してもよい。

前記実施形態では、固定台は、スパッタリングターゲットの対向面を設置して固定するようにしているが、スパッタリングターゲットのスパッタリング面を設置して固定するようにしてもよい。スパッタリング面を固定台に設置すると、スパッタリング面の仕上げ工程でスパッタリングターゲットを設置しなおす（スパッタリング面を表側にする）必要があるため、対向面を固定台に設置して固定した方が好ましい。

（実施例）
次に、本願実施例１（図３Ａ、図３Ｂ）と比較例１（図５Ａ〜図５Ｄ）との実験データについて説明する。純度９９．９９９％の高純度Ａｌ製の圧延板を準備し、制御装置、固定台を有する門型マシニングセンタに、該圧延板を固定した。実施例１においては、固定台の設置面に真空チャックで該圧延板を固定し、比較例１については、固定台の設置面にクランプを用いて該圧延板を固定した。該門型マシニングセンタにφ３０ｍｍのエンドミル（削り工具３）を装着し、エンドミル回転数５００ｒｐｍ、工具送り速度２５０ｍｍ／ｍｉｎ、１回の加工動作でのエンドミル（削り工具３）の周回数２回、１周目の削り量４ｍｍ、２周目の削り量１ｍｍ（比較例においては、１辺あたり２回加工し、１回目の削り量４ｍｍ、２回目の削り量１ｍｍ）の加工条件を制御装置により設定し、該圧延板の外周面を削る操作を行い、長辺が２６５０ｍｍであり、短辺が１８５ｍｍであるスパッタリングターゲットを得た。この結果、本願実施例１の加工方法では、最大歪みは０．００６５ｍｍとなり、このとき、最大歪みの割合は、（０．００６５／２６５０）×１００＝０．０００２％となった。これに対して、比較例の加工方法では、最大歪みは０．１７５５ｍｍとなり、このとき、最大歪みの割合は、（０．１７５５／２６５０）×１００＝０．００６６％となった。比較例１では、最大歪みが０．１５ｍｍを超えていた。

このように、本願実施例では、門型マシニングセンタ上に該圧延板を固定し、更にスパッタリングターゲットの外周面の周方向に削り工具を回転させながら、スパッタリングターゲットの外周面を削り工具により削ることで、スパッタリングターゲットの外周面に発生する熱を放出することができ、歪みの少ないスパッタリングターゲットを実現できた。これに対して、比較例では、機械式チャックを用いて、スパッタリングターゲットの外周面の２つの長辺を一辺毎に削るため、加工時に発生する熱が放出されず、歪みの大きなスパッタリングターゲットとなった。
なお、その他の条件で、本願実施例と比較例を検討すると、本願実施例では、最大歪みが０．１５ｍｍ以下となり、比較例では、最大歪みが０．１５ｍｍよりも大きくなった。例えば、本願実施例２として、実施例１と同じ条件にて加工し、長辺が２３００ｍｍであり、短辺が２００ｍｍであるスパッタリングターゲットが得られた際、最大歪みが０．０１８ｍｍとなり、最大歪みの割合が０．０００８％となった。また、本願実施例３として、実施例１と同じ条件にて加工し、長辺が２５００ｍｍであり、短辺が２９５ｍｍであるスパッタリングターゲットが得られた際、最大歪みが０．００９ｍｍとなり、最大歪みの割合が０．０００４％となった。

（好ましい形態）
最大歪みＴは、０．１５ｍｍ以下であるが、好ましくは０．１ｍｍ以下、より好ましくは０．０５ｍｍ以下、さらにより好ましくは０．０１ｍｍ以下である。これにより、一層歪みの少ない精度の高いスパッタリングターゲットを実現できる。

また、スパッタリングターゲットの長辺方向の長さは、１５００ｍｍ以上４０００ｍｍ以下であり、好ましくは、２０００ｍｍ以上３５００ｍｍ以下、より好ましくは２２００ｍｍ以上３２００ｍｍ以下、さらに好ましくは２５００ｍｍ以上２８００ｍｍ以下である。これによれば、スパッタリングターゲットの長辺方向の長さは長くなるが、歪みの少ないスパッタリングターゲットを実現できる。

次に、最大歪みが、０．１５ｍｍ、０．１ｍｍ、０．０５ｍｍ、０．０１ｍｍであり、スパッタリングターゲットの長辺方向の長さが、２０００ｍｍ、２３００ｍｍ、２６５０ｍｍ、３０００ｍｍ、３５００ｍｍであるときの、最大歪みの割合を、表１に示す。表１から分かるように、最大歪みの割合は、０．０００２９％以上０．００７５％以下である。

また、スパッタリングターゲットの長辺方向の長さと短辺方向の長さのアスペクト比は、５以上２５以下であり、好ましくは６以上２０以下、より好ましくは７以上１８以下、さらに好ましくは８以上１５以下である。アスペクト比は、（長辺方向の長さ／短辺方向の長さ）である。これによれば、スパッタリングターゲットは細長い形状となるが、歪みの少ないスパッタリングターゲットを実現できる。
このときの実施例４−６を表２に示す。それぞれの実施例について、３個のサンプルについて、真空チャックを用いてスパッタリングターゲットを固定し、スパッタリングターゲットの外周面の周方向にエンドミルを回転させながら、スパッタリングターゲットの外周面をエンドミルにより実施例１と同じ条件で加工し、得られたスパッタリングターゲットの最大歪み、および、最大歪みの割合を調べた。実施例４−６では、スパッタリングターゲットの大きさ、および、アスペクト比を変えたときの、最大歪み、および、最大歪みの割合を示す。表２からわかるように、アスペクト比が５以上２５以下であるが、最大歪み、および、最大歪みの割合を小さくすることができた。

最大歪みの下限は、好ましくは、０．００３ｍｍ以上、より好ましくは０．００５ｍｍ以上である。これによれば、スパッタリングターゲットとバッキングプレートが異種材料の場合、スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合（例えば、はんだ接合）を行なうと、素材間の線膨張係数が異なるため、接合時の加熱により接合後のスパッタリングターゲット製品に反りが発生する。スパッタリングターゲットがＡｌであり、バッキングプレートがＣｕである場合、Ａｌのほうが線膨張係数が大きいため、加熱によってＡｌのほうが伸びるが、Ａｌが僅かに歪んでいれば、Ａｌの伸びの方向が直線方向から僅かに変わり、Ｃｕであるバッキングプレートの直線方向の伸びとの差が小さくなり、冷却時の収縮量の差が生じにくく、スパッタリングターゲット製品の反りが発生し難くなる。また、加工後に複数のスパッタリングターゲットを並べるとき、スパッタリングターゲットが僅かに歪んでいれば、隣り合うスパッタリングターゲットの接触面積が小さくなって、隣り合うスパッタリングターゲットが接触することにより発生する傷跡を小さくすることができる。

１ スパッタリングターゲットの加工装置
２ 固定台
３ 削り工具
４ 制御装置
５ チャック部
１０ スパッタリングターゲット
１１ スパッタリング面
１２ 対向面
１３ 外周面
１３ａ 第１側面
１３ｂ 第２側面
１３ｃ 第３側面
１３ｄ 第４側面
２０ 設置面
２１ 吸気溝
２２ 吸気孔
２３ 吸気通路
２４ シール部材
Ｌ スパッタリングターゲットの長辺方向の長さ
Ｔ 最大歪み
Ｗ スパッタリングターゲットの短辺方向の幅

Claims (7)

1. スパッタリング面と、前記スパッタリング面の反対側の対向面と、前記スパッタリング面と前記対向面との間の外周面とを含むスパッタリングターゲットであって、
   前記外周面は、側面側からみて、略長方形であり、かつ、前記外周面を構成する全ての各側面全体は、削り加工された面であり、
   前記スパッタリングターゲットの長辺方向の長さと短辺方向の長さのアスペクト比は、５以上１８以下であり、
   前記スパッタリングターゲットの前記外周面の一部を構成する長辺側の側面の最大歪みは、前記側面の両端を結ぶ直線を基準にその直線と前記側面との最大距離であって、０．１５ｍｍ以下である、スパッタリングターゲット。
2. 前記スパッタリングターゲットの長辺方向の長さに対する前記スパッタリングターゲットの長辺側の側面の最大歪みの割合は、０．００７５％以下である、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
3. 前記スパッタリングターゲットの長辺方向の長さは、２２００ｍｍ以上４０００ｍｍ以下である、請求項１または２に記載のスパッタリングターゲット。
4. 前記スパッタリングターゲットの前記外周面の一部を構成する長辺側の側面の最大歪みは、前記側面の両端を結ぶ直線を基準にその直線と前記側面との最大距離であって、０．００３ｍｍ以上０．１５ｍｍ以下である、請求項１から３の何れか一つに記載のスパッタリングターゲット。
5. 前記スパッタリングターゲットが、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、インジウム（Ｉｎ）の金属およびそれらの合金からなる群から選択される材料から作成される、請求項１から４の何れか一つに記載のスパッタリングターゲット。
6. 請求項１から５の何れか一つに記載のスパッタリングターゲットと、
   前記スパッタリングターゲットを接合したバッキングプレートと
   を備える、スパッタリングターゲット製品。
7. 前記スパッタリングターゲットが、アルミニウム（Ａｌ）またはその合金から作成され、前記バッキングプレートが、銅またはその合金からなる、請求項６に記載のスパッタリングターゲット製品。

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