JP6566628B2 - 炭素からなるナノ構造の製造装置および方法 - Google Patents

Description

本発明は、はじめに、ハウジング壁により包囲されたハウジング空洞であって、ハウジング空洞内にガス供給ラインが入り込み、ガス供給ラインを介して、例えばガス状の、炭素を含有する出発物質を含む混合物をハウジング空洞内に供給可能な、該ハウジング空洞を備え、ハウジング空洞内に配置されたプラズマ発生器であって、エネルギーを与えることによりガス状出発物質をガス状中間生成物に変換するために、電圧を印加可能な少なくとも１つのプラズマ電極を有する該プラズマ発生器を備え、および多数のガス流出開口を有するガス流出面であって、ガス流出面を介して、ガス状中間生成物がハウジング空洞から流出可能な、該ガス流出面を備えたガス入口機構を有する、単分子層、多層構造（多層シート）、チューブまたは繊維のような、炭素からなるナノ構造の製造装置に関するものである。

本発明は、さらに、この装置を使用した、炭素からなるナノ構造の製造方法に関するものである。

炭素は種々の結晶構造において堆積可能である。例えば、ダイヤモンド構造の形で、単分子層として、グラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）のような多層構造（多層シート）として、「カーボン・ナノチューブ」のようなチューブとしてまたはフラーレン（Ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ）としてあるいは繊維として堆積可能である。１ナノメートルの分数から数百ナノメートルまでの少なくともいずれかの寸法の構造サイズを有する特にナノ構造のこのような炭素構造を堆積させるために、ＣＶＤ装置が使用される。この場合、キャリヤガス例えばアルゴンまたは水素と共に、炭素含有出発物質例えばメタンまたはアセチレンが、ＣＶＤリアクタのプロセスチャンバ内に導入される。導入された炭素含有出発物質を熱的にまたはプラズマにより活性化したりないしは解離したりすることが既知である。例えば米国特許第８３９８９２７Ｂ２号はプラズマＣＶＤ（ＰＥ−ＣＶＤ）を記載し、および米国特許公開第２００６／０１８５５９５Ａ１号はホットフィラメントＣＶＤ（ＨＦ−ＣＶＤ）を記載する。ＰＥ−ＣＶＤの場合、ガス入口機構の内部においてプラズマが点火される。このために、装置はプラズマ電極を有し、プラズマ電極に電圧が印加される。これにより、基（ラジカル）が発生され、基は、ガス入口機構のガス流出開口を介してプロセスチャンバ内に流入可能であり、プロセスチャンバ内において、基は、加熱要素上に配置された基板上に、ナノ構造を形成して堆積される。ＨＦ−ＣＶＤの場合、炭素含有出発物質は、高熱フィラメントにより、ガス入口機構の内部において、または外部においても加熱される。ＨＦ−ＣＶＤの場合、基板のすぐ上方においてプラズマが点火可能であり、プラズマにより基が発生される。しかしながら、基板のすぐ上方におけるプラズマの点火は、基板上にエッチング作用として働く高エネルギーイオンがプラズマ内に形成されるので、不利である。

プラズマを使用した炭素含有構造の堆積装置が米国特許第６４９９４２５号ないしは米国特許第６１６１４９９号から既知である。

米国特許第８３９８９２７Ｂ２号 米国特許公開第２００６／０１８５５９５Ａ１号 米国特許第６４９９４２５号 米国特許第６１６１４９９号

本発明の課題は、炭素からなるナノ構造の改良された製造を目的として、既知の装置ないしは既知の方法を改良することである。

この課題は、請求項に記載の本発明により解決される。本発明により、ガス入口機構の内部においてプラズマが点火される。さらに、ガス状出発物質を結合したりないしは解離したりするためにガス加熱器が使用される。いわゆるＨＦ−ＣＶＤおよびＰＥ−ＣＶＤの利点が利用され、これにより、ガス状出発物質のプラズマ解離と、および熱活性化／熱反応ないしは気相内におけるガスの熱処理との組み合わせにおいて、反応生成物が形成される。炭素含有出発物質の好ましい使用は、ポリマー成分ないしは芳香族成分の形成を導く。特にポリマー基ないしは芳香族基が形成される。プラズマ発生器が接地された遮へい電極を有することが好ましく、遮へい電極により、解離において形成されるイオンを中性化可能ないしは捕獲可能である。遮へい電極の使用はイオンのエネルギーもまた低下させる。本発明によるガス入口機構ないしは本発明により使用されるガス分配器は、「シャワヘッド」として形成されていることが好ましい。基の発生は、プラズマの使用によってのみならず、熱の供給によってもまた行われる。基は、格子状に形成された複数のプレートにより発生可能であり、この場合、電圧が印加可能なプラズマ電極のみならず、プラズマ電極の上流側および／または下流側に配置された遮へい電極もまた、多数の開口を有するプレートとして形成されている。プレートの開口は相互にオフセットされて配置されているので、より良好なガス混合物が得られる。ガス加熱器も同様に格子状構造により形成されているが、プレート内にプレートを加熱する電流を通すために、ガス加熱器は２つの電極を有する。しかしながら、ガス加熱器は蛇行状に形成されていても、渦巻線として形成されていても、および２つ以上の電極を有していてもよく、これにより、加熱要素は電流によって加熱可能である。全てのプレートはガスの流入方向に対して直角に位置し且つガス入口機構の全断面にわたり伸長することが好ましい。ガス加熱器は、流動方向に対して直角に配置された特に平らな物体である。ガス加熱器は、ガス入口機構の内部に、ガス流出面の領域内に、またはガス流出面のすぐ下流側に配置されていてもよい。ガス加熱器の伸長方向はガス流れの流動方向に対して直角に向いている。プレートは、規則的に配置された開口を有する。開口は、矩形、円形または縦長の断面を有していてもよい。ガス加熱器は、その中を通過するガスを加熱することが可能であり、これにより、ガス温度が上昇される。

第１の変更態様において、プラズマ電極は同時に加熱要素を形成可能である。この場合、プラズマ電極には、プラズマを発生するように働く高電圧が印加されるだけではない。プレートを介して、プレートを加熱する電流もまた導かれるので、この加熱されたプレートにより、プラズマが発生されるのみでなく、ガスもまた加熱される。したがって、その同じ場所でプラズマ活性化および熱活性化が行われる。

本発明の第２の変更態様において、プラズマ電極は加熱装置から空間的に離れている。加熱装置はプラズマ発生器の下流側に配置されていてもよい。電極を形成するプレートは、メタル特に高反射メタルから構成されてもよい。ハウジング空洞の方向を向くガス流出面の壁もまた熱を反射するように形成されてもよい。電圧が印加されたプラズマ電極は、接地された２つの遮へい電極の間に配置されていてもよい。これにより、外側に位置するハウジング空洞の領域はイオン衝撃から保護される。

第３の変更態様において、ガス加熱器はガス流出面のすぐ下流側に存在する。ガス加熱器の下流側に、絶縁材料からなる穴あき板が存在する。ガス流出面並びにガス入口機構の側壁は導電材料からなり、且つガス入口機構の内部においてプラズマ電極の下流側に配置された２つの遮へい板と同様に接地されている。プラズマ電極と、その上流側に配置されて接地された遮へい電極との間に、絶縁材料からなる穴あき板が存在してもよい。

本発明の第４の変更態様において、ガス入口機構は導電性中空体から形成される。中空体は円筒形状および円形断面を有する。円筒の上部正面側は、その内側が絶縁板で被覆されている。絶縁板はガス入口機構のいわゆる天井を形成可能である。絶縁板は、その内側において、特に高電圧の交流電圧または直流電圧が印加可能なプラズマ電極を支持し、プラズマ電極は、この実施例においては、ガスにより貫通流動されない。ガス入口機構のハウジング空洞の内部に、相互に平行に且つガス入口機構の正面壁に平行に走行し、ガス貫通開口を有して導電材料からなる２つのプレートが存在する。プレートは保持棒によりガス入口機構の天井に固定され、且つ保持棒を介して接地されている。この場合、保持棒はプラズマ電極内の開口を貫通して絶縁体と係合し、絶縁体にプラズマ電極が隣接する。ここでは、ガス加熱装置はガス入口機構の外側に存在する。加熱装置は平らなメタル帯片により形成され、メタル帯片は、ガス流出面に平行に伸長する１つの面内に構成されている。メタル帯片は蛇行状に走行してもよい。あるいは、円形ディスク状加熱板の中心の周りを渦巻状に走行してもよい。この実施例において、プロセスチャンバの天井はガス貫通開口を有する絶縁板により形成される。このプレートもまた円形ディスク形状を有する。このプレートはガス加熱面のすぐ下流側に位置する。プレートは絶縁材料から製造されている。このプレートの下側にサセプタが存在し、サセプタは、加熱装置により加熱可能であるかまたは冷却装置により冷却可能である。焼き戻しされたサセプタ上に基板が位置する。

本発明によるガス入口機構はＣＶＤリアクタの一部であり、ＣＶＤリアクタはガス気密リアクタ・ハウジングを有し、ガス気密リアクタ・ハウジング内にガス入口機構が存在する。ガス入口機構はその下側にガス流出面を有し、ガス流出面は多数のガス流出開口を有するので、ガス入口機構はシャワヘッド状に形成されている。ガス入口機構によりガス分配が行われる。ガス入口機構の下側にプロセスチャンバが存在し、プロセスチャンバの底部は加熱可能なサセプタにより形成されている。サセプタ上に少なくとも１つの基板が位置し、基板はガラスから構成されてもよい。基板上に、炭素ナノ構造、例えばグラフェンまたは「カーボン・ナノチューブ」が堆積される。基板は、ウェーハ、フォイルであってもよい。基板は、ガラス、石英、メタル、セラミックまたはポリマー並びにケイ素から構成されてもよい。

本方法を実行するために、ガス入口機構内にガス供給ラインを介してガス混合物が供給される。ガス混合物はキャリヤガス例えば水素またはアルゴンであってもよい。ガス入口機構を介して、さらに、炭素キャリヤ例えばメタンまたはアセチレンが供給されてもよい。ガス状出発物質はガス入口機構の反応室の内部において化学的に変換される。特に炭素含有出発物質の変換が行われる。変換は、例えばメタンの供給により、熱およびプラズマによって行われる。この場合、原子基またはイオン化基のような中間生成物が発生する。これは芳香族中間生成物またはポリマー中間生成物であってもよい。これらの炭素原子含有中間生成物はキャリヤガスと共にガス流出開口を通過してプロセスチャンバ内に導入され、プロセスチャンバ内において、中間生成物は基板上に堆積される。このために、基板は３００−１２００℃の間の温度に加熱される。炭素含有出発物質のガス供給はパルス状に行われてもよい。しかしながら、炭素含有出発物質が連続的にガス入口機構内に供給されるように行われてもよい。プラズマは交流電圧または直流電圧により連続的に発生されてもよい。一方、プラズマはパルス状にのみ点火されてもよい。プラズマを発生するために、プラズマ電極は３００−１５００Ｖの電圧に上昇される。プラズマ電極が同時に加熱要素である場合、プラズマ電源および加熱電源は相互に結合されているので、加熱電圧はそれに対応する高い電位を有する。プラズマ発生器およびガス加熱器は洗浄ガスを発生するために使用されてもよい。成膜ステップの前ないしは後に洗浄ステップが実行され、洗浄ステップにおいて、ガス入口機構の内部で中性ガスが例えば洗浄基に変換される。この洗浄基により、ガス入口機構のプロセスチャンバまたはハウジング空洞内に堆積した粒子が除去可能である。典型的な方法は、以下のプロセスステップ、即ち、
ａ）基板または基板上に堆積された層を酸化するために、酸素原子または酸素イオンが本発明によるガス入口機構により形成される酸化ステップ、
ｂ）基板または基板上に堆積された層を還元するために、水素またはアンモニアのような還元剤が原子、イオンまたは基に変換される還元ステップ、
ｃ）炭素ナノ材料を堆積させるために、ガス混合物、炭素含有成分例えばメタン、エチレンまたはアセチレンが、原子、イオン、芳香族基またはポリマー基に変換される成長ステップ、
ｄ）還元性ガスまたはドーピングガスが使用される後処理ステップ、を有してもよい。
以下に本発明の実施例が添付図面により説明される。

図１は、第１の実施例によるＣＶＤリアクタの概略図を示す。 図２は、第２の実施例によるＣＶＤリアクタの概略図を示す。 図３は、本発明の第３の実施例を示す。 図４は、本発明の第４の実施例を示す。

図面に示されたＣＶＤリアクタは、それぞれ、ガス気密リアクタ・ハウジング１を有する。リアクタ・ハウジング１の内部にサセプタ１７が存在し、サセプタ１７は３００−１２００℃の間のプロセス温度に加熱可能である。上方を向くサセプタ１７の上側に基板１６が存在し、上方を向く基板１６の上側に、グラフェンまたはカーボン・ナノチューブの形であっても、グラフェン単層またはグラフェン多層あるいは繊維の形であってもよい、炭素ナノ構造が堆積されることになる。

サセプタから間隔をなしてその上側に、ガス入口機構２のガス流出面４が伸長する。ガス流出面４は碁盤目状に配置された多数のガス流出開口７を有する。ガス入口機構２は、シャワヘッドに類似の形状を有するので、ガス入口機構２はシャワヘッドとも呼ばれる。

ガス入口機構２内にガス供給ライン６が入り込む。相互に異なる複数のプロセスガスがガス入口機構２内に供給されるべきときは、複数のガス供給ラインがであってもよい。プロセスガスは、図示されていないガス混合システム内において提供される。

ガス入口機構２は壁３、３′、３′′によりリング状に包囲されている。ガス入口機構２の壁３、３′、３′′、４の内部に反応室を示すハウジング空洞５が存在し、反応室内においてガスの前反応が行われ、前反応において、例えば炭素含有ガスが解離され且つ芳香族中間生成物ないしはポリマー中間生成物が形成される。中間生成物は特に基（ラジカル）である。基はキャリヤガスによりガス流出開口７を通過して基板１６に搬送され、基板１６において、基は、炭素からなるナノ構造特にグラフェン層またはグラフェンチューブを形成して堆積される。

ガス入口機構２のハウジング空洞５の内部に、相互に平行に且つガス流出面４に平行に伸長する複数のプレート８、９、１０、１１が存在する。これらのプレートはハウジング空洞５の全断面にわたり伸長し且つ規則的に配置された多数の開口を有する。ガスの混合を良好にするために、相互に異なる隣接プレートの開口は相互にオフセットされて配置されている。

プレート９はガス入口機構２のハウジングに対して絶縁され且つ高圧電源１４により高圧交流または高圧直流が印加され、これにより、ハウジング空洞５の内部にプラズマを形成可能である。プラズマ電極９は、それぞれ接地されている２つの遮へい電極８、１０の間に位置する。

加熱要素１１が設けられている。加熱要素１１は２つの接点１２、１３を有し、接点１２、１３は加熱電源１５に接続され、これにより、加熱要素１１内を電流が流動可能であり、電流は、加熱要素１１をその抵抗に基づいて加熱する。加熱要素１１に直接隣接するプレート８ないしは１０およびガス流出面４の内壁は熱を反射するように形成されていてもよい。

図１に示された実施例においては、加熱要素はプラズマ電極９それ自身により形成される。この場合、加熱電源１５はプラズマ電源１４と直列に接続されているので、接続接点１２、１３を有するプラズマ電極９内を電流が流動可能であり、この電流はプラズマ電極９を加熱する。

図２に示された実施例においては、プラズマ電極９および加熱要素１１は空間的に相互に離されている。ここでは、加熱要素１１は、下部遮へい電極１０および遮へい電極１０に平行に走行するガス流出面４の間に位置し、ガス流出面４はガス入口機構２の下部壁により形成されている。ここでもまた、電源１５は電源１４から分離されている。

図１に示された実施例においては、遮へい電極８、１０が、加熱要素１１から放射された熱に対する反射体として働くが、一方で、図２に示された実施例においては、遮へい電極１０およびガス入口機構２の下部壁が反射体として働く。

加熱要素１１はプレートであってもよい。加熱要素１１は、蛇行状要素またはコイル、特に平面コイルであってもよい。

図３に示された第３の実施例は、円形断面の円筒形であってもよいリアクタ・ハウジング１を有する。リアクタ・ハウジング１の内部にサセプタ１７が存在し、サセプタ１７は加熱器または冷却装置を有してもよい。

サセプタ１７上に、成膜されるべき基板１６が存在する。

サセプタ１７の全面にわたり、サセプタ１７の上方の垂直方向間隔は、絶縁材料から製造された、ガス貫通開口を有するプレート２３まで伸長する。プレート２３の上方に狭い間隔をなして、平らな渦巻状または蛇行状のメタル帯片が伸長し、帯片は、その端部において接点１２、１３を形成する。帯片は円筒面にわたり伸長する加熱要素１１を形成し、加熱要素１１に、加熱電源１５から電力が供給可能である。

プレート２３に平行に伸長する、加熱要素１１の上方の平行位置に、ガス入口機構２のガス流出面４が伸長する。ガス流出面４は多数のガス流出開口７を有する。ガス入口機構２のハウジングはメタルからなり且つ接地されている。

ガス流出開口７のすぐ上方において、即ちガス入口機構２のハウジング空洞５の内部において、ガス流出面４に平行に走行する２つのメタルプレート１０、１９が伸長し、プレート１０、１９は接地されている。対をなすこれらの遮へい板１０、１９の上流側にプラズマ電極９が伸長し、プラズマ電極９に高圧電源１４から電圧が供給され、これにより、ガス入口機構２の空洞５の内部にプラズマを形成可能である。

ハウジング空洞５の全断面にわたり伸長するプラズマ電極９の上流側に、ガス貫通開口を有する他の絶縁板１８が存在する。絶縁板１８の上流側に、同様に貫通開口を有する他のメタル接地板が存在する。

ガス供給ライン６を介して流入する、上記のプロセスガスを含むガス流れが、ハウジング空洞５内に流入し、ハウジング空洞５の内部に配置されたプレート８、１８、９、１０、１９の開口を通過し、且つガス流出開口７を介してガス入口機構２から流出する。ハウジング空洞５の内部に設けられたプラズマ電極９によりプラズマが発生される。このプラズマは、空間的に、接地されたプレート８ないし１０の間の領域に限定されている。プラズマ電極９は接地された２つの電極８、１０の間に位置し、この場合、プラズマ電極９の上方に配置された接地遮へい板８とプラズマ電極９との間に、絶縁材料から製造された絶縁板１８が存在する。プラズマにより物理的解離が行われるが、少なくともプロセスガスのイオン化が行われる。このように解離されまたは励起されたプロセスガスはガス流出開口７を介してガス流出面４から流出し、且つ加熱要素１１の加熱された面要素の間の隙間を通過するときに熱的に活性化される。このように熱的に活性化された出発物質は、絶縁板２３のガス流出開口を介して、絶縁板２３とサセプタ１７との間に存在するプロセスチャンバ内に流入する。

図４に示された第４の実施例においては、ガス入口機構２は同様にメタル中空体からなり、メタル中空体はその正面側にガス流出開口７を有する。ここでもまた、ハウジング空洞５の内部に、相互に間隔をなす、メタルからなる２つの遮へい電極１０、１９が存在する。これらの遮へい電極は、導電棒２０、２１により、導電性の接地天井板８に固定されている。

天井板８の下側において、絶縁材料から製造されたプレート１８が伸長する。プレート１８は天井板８に接触当接をなして位置する。

絶縁板１８に接触当接をなして平らなプラズマ電極９が隣接し、プラズマ電極９に電源から電圧を印加可能である。プラズマ電極９および絶縁板１８は開口を有し、開口を貫通して保持棒２１が入り込む。これらの開口は図４に示されていない。

この実施例においては、ガス加熱器はガス入口機構２の外側に配置されている。ガス加熱器は薄いメタルプレートからなり、メタルプレートは蛇行状に走行するかまたは渦巻状に走行するスリットを有する。これにより、薄いメタル帯片が形成され、メタル帯片はその端部において接続接点１２、１３に固定されている。接続接点１２、１３は保持棒２４の端部に位置してもよく、保持棒２４により加熱要素１１はガス流出開口７の下側に僅かな間隔をなして保持される。加熱要素１１の電流供給は保持棒２４を介して行われる。保持棒２４は図示されていない絶縁材により包囲され且つ絶縁されてプレート８を貫通してもよく、これにより、外部から保持棒２４を介して電流を導通可能である。

サセプタ１７の表面と加熱要素１１との間において絶縁材料からなる円形ディスク状プレート２３が伸長し、プレート２３は同様に保持棒により固定されている。絶縁板２３は開口２３′を有し、開口２３′を介して、解離され且つ熱的に励起されたプロセスガスが、サセプタ１７に位置する基板１６上に流動可能である。

ここでもまた、プロセスガスの導入は、ガス供給ライン６を介してガス入口機構２のハウジング空洞５内に行われる。接地されたプレート１０、１９とこれから絶縁されたプラズマ電極９との間にプラズマが形成される。イオン化または解離された出発物質はガス流出開口７から熱励起領域内に流入し、熱励起領域内に加熱要素１１が存在する。熱励起領域はサセプタ１７の方向に絶縁板２３により限定され、絶縁板２３の開口２３′を介して、熱的に活性化された出発物質が基板１６の方向に流出する。この実施例においてもまた、プラズマ電極９は少なくとも１つの開口を有し、この開口を介してプロセスガスを導入可能である。

上記の説明は、少なくとも下記の特徴の組み合わせによって、それぞれ独立に従来技術の変更態様を形成する、全て本出願に含められる発明の説明にも使用される。即ち、これらの特徴とは次のものである。

構成要素８、９、１０の下流側に配置された、変換を支援するためのガス加熱装置１１を特徴とする装置。

ガス入口機構２がＣＶＤリアクタ１のプロセスチャンバ内に配置され、ＣＶＤリアクタ１は加熱可能なサセプタ１７を有し、サセプタ１７は１つまたは複数の基板１６を受け入れるための支持台であり、この場合、サセプタ１７はプロセスチャンバの底部に付属されおよびガス流出面４はプロセスチャンバの天井に付属され、該プロセスチャンバは、ガス流出面４から流出するガス状中間生成物が少なくとも１つの基板１６に搬送されて、基板１６上にナノ構造が堆積されるように形成されていることを特徴とする装置。

プラズマ電極９が格子またはプレートの形を有し、プラズマ電極９が、ガス状出発物質の流動経路内にまたはガス入口機構２の上部壁３に配置されていることを特徴とする装置。

ガス状出発物質の流動経路内に配置された格子の形の、または貫通開口１０′、１９′を有するプレート１０′、１９′の形の１つまたは複数の遮へい電極１０、１９であって、この場合、少なくとも１つの遮へい電極８がプラズマ電極９の上流側に、および／またはこの場合、少なくとも１つの遮へい電極１０、１９がプラズマ電極９の下流側に配置されている、１つまたは複数の該遮へい電極１０、１９を特徴とする装置。

加熱装置１１が、プレート、格子、蛇行またはコイルの形を有し、該加熱装置は、ガス状出発物質の流動経路内において、特に流動に直角に伸長する面内に配置され、この場合、ガス加熱装置１１が、ガス加熱装置１１内に電流を通すために接続電極１２、１３を有することを特徴とする装置。

遮へい電極８、１０、プラズマ電極９および／またはガス加熱器１１がプレートから形成され、これらはそれぞれ多数の開口を有し、この場合、隣接するプレートの開口は、ガス混合のために、相互にオフセットされて配置されていることを特徴とする装置。

電極８、９、１０を形成する１つまたは複数のプレート、および／またはガス入口機構２の、ガス流出開口を有する壁の内側が、熱反射特性を有することを特徴とする装置。

１つの面内に配置されたガス加熱装置１１がガスの流動方向においてガス流出面４の直後に配置され、および／または遮へい電極８が基板１６に直接向かい合って位置し、この場合、遮へい電極８がガスを通過させるための開口８′を有することを特徴とする装置。

ガス入口機構２の上部壁３が絶縁板１８であり、絶縁板１８に沿ってプラズマ電極９が伸長することを特徴とする装置。

相互に間隔をなしてハウジング空洞５の内部に配置された２つの遮へい電極１０、１９であって、導電性保持棒２０、２１により接地電極８と結合されている２つの該遮へい電極１０、１９を特徴とする装置。

場合によりキャリヤガスと共に、酸化性の、または還元性の、または炭素を含有する、少なくとも１つのガス状出発物質を含む混合物、または洗浄ガスが、ガス供給ライン６を介してハウジング空洞５内に供給され、この場合、ガス混合物がプラズマ発生器８、９、１０によってのみならずガス加熱器１１によってもまたエネルギーが与えられることを特徴とする方法。

ハウジング空洞内のガス状出発物質が、加熱装置１１によって発生された熱の供給により、および同時にプラズマ発生器８、９、１０によって発生されたプラズマにより活性化され且つ解離され、これにより、原子基またはイオン化基、特に基の形のガス状のポリマーまたは芳香族中間生成物が形成されることを特徴とする方法。

プラズマが連続的に発生されるかまたはパルス状に発生されること、および／または
ガス状出発物質が連続的にまたはパルス状にガス入口機構２内に供給されること、を特徴とする方法。

プロセスチャンバ内に配置された基板１６に炭素からなるナノ構造が堆積される方法ステップの前または後に洗浄ステップが実行され、洗浄ステップにおいて、ハウジング空洞５内に供給された洗浄ガスが、プラズマの供給により、および／または加熱により活性化され、この場合、洗浄ステップが堆積ステップの前または後に特に周期的に実行されることを特徴とする方法。

プラズマ電極９および／または加熱装置１１の下流側に配置された、遮へい電極１０のような特に接地された要素および／または接地されたガス流出面４により、変換反応において形成された粒子が捕獲されることを特徴とする方法。

開示された全ての特徴は（それ自身）発明の進歩性を有している。したがって、付属の／添付の優先権資料の開示内容（先行出願のコピー）もまた、これらの資料の特徴を本出願の請求の範囲内に組み込むことを目的として、その内容が全て本出願の開示内に含められるものである。従属請求項は、特にこれらの請求項に基づいて部分出願を可能にするために、それらの特徴により、独自に発明力のある従来技術の変更態様を示している。

１ リアクタ・ハウジング
２ ガス入口機構／シャワヘッド
３、３′、３′′ 壁
４ ガス流出面
５ ハウジング空洞
６ ガス供給ライン
７ ガス流出開口
８ プレート
８′ 開口
９ プラズマ電極／プレート
１０ プレート
１０′ 開口
１１ 加熱要素、プレート、蛇行またはコイル
１２ 接点
１３ 接点
１４ 高圧電源
１５ 加熱電源
１６ 基板
１７ サセプタ
１８ 絶縁板
１９ プレート
１９′ 開口
２０ 保持棒
２１ 保持棒
２２ 保持棒
２３ プレート
２３′ 開口
２４ 保持棒

Claims (15)

1. ハウジング壁（３、３′、３′′）により包囲されたハウジング空洞（５）であって、ハウジング空洞（５）内にガス供給ライン（６）が入り込み、ガス供給ライン（６）を介して、ガス状の、特に炭素を含有する出発物質をハウジング空洞（５）内に供給可能な、該ハウジング空洞（５）を備え、少なくとも一部がハウジング空洞（５）内に配置された構成要素（８、９、１０）を有するプラズマ発生器であって、プラズマの点火によりガス状出発物質にエネルギーを与え且つこのようにしてガス状出発物質をガス状中間生成物に変換するために、電圧を印加可能な少なくとも１つのプラズマ電極（９）を有する該プラズマ発生器を備え、および多数のガス流出開口（７）を有するガス流出面（４）であって、ガス流出面（４）を介して、ガス状中間生成物がハウジング空洞（５）から流出可能な、該ガス流出面（４）を備えたガス入口機構（２）を有する、単分子層、多層構造、チューブまたは繊維のような、炭素からなるナノ構造の製造装置において、
   構成要素（８、９、１０）の下流側に配置された、変換を支援するためのガス加熱装置（１１）を備え、
   前記ガス加熱装置（１１）が、ガス流出面（４）とサセプタ（１７）の間に配置された、絶縁材料からなるプレート（２３）の上流側に配置されている、
   ことを特徴とする炭素からなるナノ構造の製造装置。
2. ガス入口機構（２）がＣＶＤリアクタ（１）のプロセスチャンバ内に配置され、ＣＶＤリアクタ（１）は加熱可能なサセプタ（１７）を有し、サセプタ（１７）は１つまたは複数の基板（１６）を受け入れるための支持台であり、この場合、サセプタ（１７）はプロセスチャンバの底部に付属されおよびガス流出面（４）はプロセスチャンバの天井に付属され、該プロセスチャンバは、ガス流出面（４）から流出するガス状中間生成物が少なくとも１つの基板（１６）に搬送されて、基板（１６）上にナノ構造が堆積されるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. プラズマ電極（９）が格子またはプレートの形を有し、プラズマ電極（９）が、ガス状出発物質の流動経路内にまたはガス入口機構（２）の上部壁（３）に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
4. ガス状出発物質の流動経路内に配置された格子の形の、または貫通開口（１０′、１９′）を有するプレート（１０、１９）の形の１つまたは複数の遮へい電極（１０、１９）であって、この場合、少なくとも１つの遮へい電極（８）がプラズマ電極（９）の上流側に、および／またはこの場合、少なくとも１つの遮へい電極（１０、１９）がプラズマ電極（９）の下流側に配置されている、１つまたは複数の該遮へい電極（１０、１９）を特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の装置。
5. 加熱装置（１１）が、プレート、格子、蛇行またはコイルの形を有し、該加熱装置は、ガス状出発物質の流動経路内において、特に流動に直角に伸長する面内に配置され、この場合、ガス加熱装置（１１）が、ガス加熱装置（１１）内に電流を通すために接続電極（１２、１３）を有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の装置。
6. 遮へい電極（８、１０）、プラズマ電極（９）および／またはガス加熱器（１１）がプレートから形成され、これらはそれぞれ多数の開口を有し、この場合、隣接するプレートの開口は、ガス混合のために、相互にオフセットされて配置されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の装置。
7. 電極（８、９、１０）を形成する１つまたは複数のプレート、および／またはガス入口機構（２）の、ガス流出開口（７）を有する壁の内側が、熱反射特性を有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の装置。
8. １つの面内に配置されたガス加熱装置（１１）がガスの流動方向においてガス流出面（４）の直後に配置され、および／または遮へい電極（８）が基板（１６）に直接向かい合って位置し、この場合、遮へい電極（８）がガスを通過させるための開口（８′）を有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の装置。
9. ガス入口機構（２）の上部壁（３）が絶縁板（１８）であり、絶縁板（１８）に沿ってプラズマ電極（９）が伸長することを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の装置。
10. 相互に間隔をなしてハウジング空洞（５）の内部に配置された２つの遮へい電極（１０、１９）であって、導電性保持棒（２０、２１）により接地電極（８）と結合されている２つの該遮へい電極（１０、１９）を特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の装置。
11. 場合によりキャリヤガスと共に、酸化性の、または還元性の、または炭素を含有する、少なくとも１つのガス状出発物質を含む混合物、または洗浄ガスが、ガス供給ライン（６）を介してハウジング空洞（５）内に供給され、この場合、ガス混合物がプラズマ発生器（８、９、１０）によってのみならずガス加熱器（１１）によってもまたエネルギーが与えられることを特徴とする、請求項１ないし１０のいずれかに記載の装置内における、単分子層、多層構造、チューブまたは繊維のような炭素からなるナノ構造の製造方法。
12. ハウジング空洞内のガス状出発物質が、加熱装置（１１）によって発生された熱の供給により、および同時にプラズマ発生器（８、９、１０）によって発生されたプラズマにより活性化され且つ解離され、これにより、原子基またはイオン化基、特に基の形のガス状のポリマーまたは芳香族中間生成物が形成されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
13. プラズマが連続的に発生されるかまたはパルス状に発生されること、および／または
    ガス状出発物質が連続的にまたはパルス状にガス入口機構（２）内に供給されること、を特徴とする請求項１１および１２に記載の方法。
14. プロセスチャンバ内に配置された基板（１６）上に炭素からなるナノ構造が堆積される方法ステップの前または後に洗浄ステップが実行され、洗浄ステップにおいて、ハウジング空洞（５）内に供給された洗浄ガスが、プラズマの供給により、および／または加熱により活性化され、この場合、洗浄ステップが堆積ステップの前または後に特に周期的に実行されることを特徴とする請求項１１ないし１３に記載の方法。
15. プラズマ電極（９）および／または加熱装置（１１）の下流側に配置された、遮へい電極（１０）のような特に接地された要素および／または接地されたガス流出面（４）により、変換反応において形成された粒子が捕獲されることを特徴とする請求項１１ないし１４に記載の方法。

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