JP3746639B2 - プラズマ処理製膜装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマCVD装置、ドライエッチング装置などの、反応性ガスをプラズマ雰囲気で分解反応させて基板加熱用ヒータに載置された基板表面に製膜等の処理を行うプラズマ処理製膜装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、例えばプラズマ処理製膜装置としては、図1(A),(B),(C)に示す構造のものが知られている。ここで、図1(A)は前記装置の斜視図、図1(B)は図1(A)の縦方向に沿う断面図、図1(C)は前記装置の内部が明らかとなるように示した展開図を示す。
【0003】
図中の付番1は、基板2を載置するための基板加熱用ヒータ(以下、製膜用ヒータという)を示す。この製膜用ヒータ1の基板側には、製膜ユニット構造体3が設置されている。この製膜ユニット構造体3は、基板側が開口した箱状の製膜ユニットカバー4と、この製膜ユニットカバー4内に前記基板と向き合うように配置された例えばラダー型タイプのプラズマ電極5と、このプラズマ電極5を挟んで前記基板2と反対側に配置され,前記基2にガスを送るガス供給器6と、このガス供給器6の背後に配置された防着板7と、排気用メッシュ8とから構成されている。前記プラズマ電極5は、断面形状が円の枠体5aと、この枠体5aに平行に支持された複数の断面形状が例えば直径6mmの円の丸棒5bとから構成されている。前記プラズマ電極5には、高周波電源13が接続されている。
【0004】
ここで、前記防着板7は、ガス供給器6からのガスの供給がプラズマ電極側へスムーズに行わせるために設けるものである。前記排気用メッシュ8は、プラズマ電極5と製膜用ヒータ1間の製膜ユニットカバー4の四方方向(左右,上下方向)に複数箇所(図では2個づつ)形成された開口部に夫々設けられている。また、排気用メッシュ8は、製膜ユニット構造体3内で発生させるプラズマエネルギーが製膜ユニット構造体3の外へ漏れないよう、10〜50メッシュ程度の網又は同程度の穴が開いたパンチングメタルなどで構成されている。前記ガス供給器6は、図1(C)に示すように、平行に配置された複数のガス配管9と、これらガス配管群の上部側,下部側に配管9に夫々連結して配置された上部ヘッダー10、下部ヘッダー11と、これらヘッダー10,11に接続するガス供給管12とを有している。
【0005】
こうした構成のプラズマ処理製膜装置においては、反応ガスをプラズマ電極5で分解・反応させ、これを箱状の製膜ユニットカバー4で囲むことで、プラズマの閉じ込め,製膜領域の限定を行っている。また、前記ガスは基板2に向かい製膜されるが、製膜に寄与するものは例えばプラズマCVD装置ではせいぜい数%と少量となり、大部分は製膜ユニット構造体3から排気される。前記製膜ユニット構造体3からの排気は、製膜ユニットカバー4に設けられた排気用メッシュ5から排気される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来のプラズマ処理製膜装置によれば、製膜速度を増加させるためにRF電力を投入すると、製膜ユニットカバー4内でSi系粉末(直径約500×10−10m以上)が発生して基板表面の製膜に混入するため、膜品質を低下させるという問題があった。
【0007】
本願第1の発明はこうした事情を考慮してなされたもので、第1に、基板加熱用ヒータに設置された基板側が開口された箱状のプラズマ処理ユニットカバーと、このプラズマ処理ユニットカバー内に前記基板と向き合うように配置されたラダー型のプラズマ電極と、前記プラズマ処理ユニットカバー内で前記プラズマ電極を挟んで前記基板と反対側に配置され、前記基板にガスを供給するガス供給手段とを具備し、前記プラズマ電極の曲率半径を増加させた構成とすることにより、放電電極近傍での電界集中を緩和させてSiガスの過分解を抑制する事により粉発生量を低減しえるプラズマ処理製膜装置を提供することを目的とする。
【0008】
第2、第3の発明は、複数のガスパイプからのガスの流れに改良を施した構成とすることにより、ガス淀み部による滞留を無くし、粉が成長する前に製膜ユニット外へ排出し、粉発生量を低減し得るプラズマ処理製膜装置を提供することを目的とする。
【0009】
第4の発明は、ラダー型のプラズマ電極として周面に複数のガス噴出孔を有した導電製中空体を用いた構成とすることにより、電極にガス供給機能を備えさせ、粉が発生・成長し易い放電電極周囲での粉の滞留時間を短くする事により、粉発生量を低減し得るプラズマ処理製膜装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本願第1の発明は、反応性ガスをプラズマ雰囲気で分解反応させて基板加熱用ヒータに載置された基板表面に製膜等のプラズマ処理を行うプラズマ処理製膜装置において、前記基板加熱用ヒータに設置された、基板側が開口された箱状のプラズマ処理ユニットカバーと、このプラズマ処理ユニットカバー内に前記基板と向き合うように配置されたラダー型のプラズマ電極と、前記プラズマ処理ユニットカバー内で前記プラズマ電極を挟んで前記基板と反対側に配置され、前記基板にガスを供給するガス供給手段とを具備し、前記プラズマ電極の曲率を増加させたことを特徴とするプラズマ処理製膜装置である。
【0011】
本願第2の発明は、反応性ガスをプラズマ雰囲気で分解反応させて基板加熱用ヒータに載置された基板表面に製膜等のプラズマ処理を行うプラズマ処理製膜装置において、前記基板加熱用ヒータに設置された、基板側が開口された箱状のプラズマ処理ユニットカバーと、このプラズマ処理ユニットカバー内に前記基板と向き合うように配置されたラダー型のプラズマ電極と、前記プラズマ処理ユニットカバー内で前記プラズマ電極を挟んで前記基板と反対側に配置され、前記基板にガスを供給するガス噴出口を有した複数のガスパイプと、これらのガスパイプ間の隙間に埋め込まれたブロックとを具備することを特徴とするプラズマ処理製膜装置である。
【0012】
本願第3の発明は、反応性ガスをプラズマ雰囲気で分解反応させて基板加熱用ヒータに載置された基板表面に製膜等のプラズマ処理を行うプラズマ処理製膜装置において、前記基板加熱用ヒータに設置された、基板側が開口された箱状のプラズマ処理ユニットカバーと、このプラズマ処理ユニットカバー内に前記基板と向き合うように配置されたラダー型のプラズマ電極と、前記プラズマ処理ユニットカバー内で前記プラズマ電極を挟んで前記基板と反対側に配置され、前記基板にガスを供給するガス噴出口を有した複数のガスパイプと、これらのガスパイプ間に配置されたガスパイプ間を仕切る仕切り板とを具備することを特徴とするプラズマ処理製膜装置である。
【0013】
本願第4の発明は、反応性ガスをプラズマ雰囲気で分解反応させて基板加熱用ヒータに載置された基板表面に製膜等のプラズマ処理を行うプラズマ処理製膜装置において、前記基板加熱用ヒータに設置された、基板側が開口された箱状のプラズマ処理ユニットカバーと、このプラズマ処理ユニットカバー内に前記基板と向き合うように配置されたラダー型のプラズマ電極とを具備し、前記プラズマ電極は周面に複数のガス噴出孔を有した導電製中空体であることを特徴とするプラズマ処理製膜装置である。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のプラズマ処理製膜装置について詳述する。第1の発明において、ラダー型のプラズマ電極は、通常、四角形状の枠体と、この枠体に支持された複数な平行な棒状体から構成される。そこで、前記棒状体の断面形状は円形で、かつその直径は10mm以上であることが好ましい。これは、図6から明らかのように直径が10mm未満ではSi系粉末の量が多いからである。ここで、実験的には、単位放電体積・単位時間当たりの粉発生量が3×10−6kg/m3・sec以下の場合、粉の影響がなく高品質膜が製膜できる結果を得ている。従って、同範囲内に粉発生量を抑えるには、直径10mm以上であることが望ましい。但し、棒状体は曲率半径を従来と比べて増加させることが目的であるので、断面形状は必ずしも円形に限らず、楕円形等の形状でもよい。
【0015】
第2の発明において、ガスパイプに形成されるガス噴出口の数や径は、製膜条件等に応じて任意に設定することができる。また、ガスパイプの間の隙間に配置されるブロックはガスパイプからのガスの滞留をなくすために設置するものであるが、これは一体ものでもよいし、あるいは夫々独立していてもよい。前記ブロックの材質としては、例えばSUS304、ニッケル、アルミナが挙げられる。
【0016】
第3の発明において、ガスパイプ間の仕切り板はプラズマ電極近傍のガス流速を増加させる目的のために設置されるもので、その材質としては、アルミナ、ジルコニア等が挙げられる。また、仕切り板の長さは、製膜の条件に応じて任意に設定することができる。
【0017】
第4の発明において、ラダー型のプラズマ電極はガス供給機能を備えている。こうした電極を用いることにより、電極近傍のシース滞在時間を短くして粉発生量を低減できる。そして、前記プラズマ電極は、例えば後述するように、中空の導電製枠体と、この枠体に平行に支持された複数の導電製中空体とから構成されている。ここで、前記枠体の断面形状としては例えば円形、四角形等が挙げられ、中空体の断面形状としては例えば円形、楕円形等の形状が挙げられる。そして、中空体の周面には、ガス噴出のためのガス噴出孔が多数設けられている。ここで、ガス噴出孔の数や径や位置は、基板の製膜条件に応じて任意に設定できる。
【0018】
【実施例】
以下、本発明の各実施例を図面参照して説明する。但し、下記実施例に述べられる各構成部材の材料や寸法等は一例を示すもので、本発明の権利範囲を特定するものではない。
(実施例1)
図2(A),(B)を参照する。ここで、図2(A)は本発明の実施例1に係るプラズマ処理製膜装置の展開図、図2(B)は図2(A)のX−X線に沿う断面図を示す。
図中の付番21は、基板22を載置するための基板加熱用ヒータ(以下、製膜用ヒータという)を示す。この製膜用ヒータ21の基板側には、製膜ユニット構造体23が設置されている。この製膜ユニット構造体23は、基板側が開口した箱状の製膜ユニットカバー24と、この製膜ユニットカバー24内に前記基板22と向き合うように配置された断面形状が例えば円のラダー型のプラズマ電極25と、このプラズマ電極25を挟んで前記基板22と反対側に配置され,前記基22にガスを送るガス供給器(ガス供給手段)26と、このガス供給器26の背後に配置された防着板27と、排気用メッシュ(図示せず)とから構成されている。前記プラズマ電極25には、高周波電源28が接続されている。前記プラズマ電極25は、断面形状が円の枠体25aと、この枠体25aに平行に支持された複数の断面形状が例えば直径10mmの円の丸棒25bとから構成されている。
【0019】
ここで、前記防着板27は、ガス供給器26からのガスの供給がプラズマ電極側へスムーズに行わせるために設けるものである。前記排気用メッシュは、プラズマ電極25と製膜用ヒータ21間の製膜ユニットカバー24の四方方向(左右,上下方向)に複数箇所(図では2個づつ)形成された開口部に夫々設けられている。また、排気用メッシュは、製膜ユニット構造体23内で発生させるプラズマエネルギーが製膜ユニット構造体23の外へ漏れないよう、10〜50メッシュ程度の網又は同程度の穴が開いたパンチングメタルなどで構成されている。前記ガス供給器26は、平行に配置された複数のガス配管29と、これらガス配管群の上部側,下部側に配管29と夫々連結して配置された上部ヘッダー30、下部ヘッダー31と、これらヘッダー30,31に接続するガス供給管32とを有している。
【0020】
こうした構成のプラズマ処理製膜装置においては、反応ガスをプラズマ電極25で分解・反応させ、これを箱状の製膜ユニットカバー24で囲むことで、プラズマの閉じ込め,製膜領域の限定を行っている。また、前記ガスは基板22に向かい製膜されるが、製膜に寄与するものは例えばプラズマCVD装置ではせいぜい数%と少量となり、大部分は製膜ユニット構造体23から排気される。前記製膜ユニット構造体23からの排気は、製膜ユニットカバー24に設けられた排気用メッシュから排気される。
【0021】
上記実施例1によれば、プラズマ電極25を、断面形状が円の枠体25aと、この枠体25aに平行に支持された複数の断面形状が例えば直径10mmの円の丸棒25bとから構成しているため、従来と比べ、放電電極近傍での電界集中を緩和させ、Si系粉末等の粉の発生量を低減することができる。このことは、図6のプラズマ電極を構成する丸棒の直径と粉発生量とを比較した特性図より明らかである。即ち、従来のように直径が6mmの場合は粉発生量が多く膜品質を低下させていたが、直径を10mmとすることにより、粉発生量を著しく低減することが確認できる。なお、丸棒の径は10mmに限らず、10mm以上でもよい。
【0022】
(実施例2)
図3を参照する。但し、図2と同部材は同符番を付して説明を省略し、要部のみ説明する。なお、図3では便宜上プラズマ電極25は丸棒25b部分のみ図示しており、基板はプラズマ電極25の上方に位置する(後述する図4、図5の場合も同様)。
図3中の付番41は、前記プラズマ処理ユニットカバー24内で前記プラズマ電極25を挟んで前記基板22と反対側に配置され、前記基板22にガスを供給する複数のガス噴出口41aを有した複数のガスパイプを示す。これらのガスパイプ41,41間の隙間には、突起状のブロック42が埋め込まれている。
【0023】
こうした構成の実施例2によれば、複数のガス噴出口41aを有したガスパイプ41,41間のガス淀み部を突起状のブロック42で埋め、ガスパイプ41間の隙間を極力なくす構造になっているため、ガスの滞留を無くし、粉成長を抑制して粉発生量を低減できる。
【0024】
(実施例3)
図4を参照する。但し、図2、図3と同部材は同符番を付して説明を省略し、要部のみ説明する。
図4中の付番41は、図3の場合と同様、前記基板22にガスを供給する複数のガス噴出口41aを有した複数のガスパイプを示す。これらのガスパイプ41,41間の隙間には、仕切り板51が夫々配置されている。
【0025】
こうした構成の実施例2によれば、各ガスパイプ41,41間の隙間に仕切り板51を夫々配置した構成となっているため、ガスパイプ41のガス噴出口41aからのガスをプラズマ電極25側にガイドでき、もってプラズマ電極25近傍のガス流速を増加させ、粉成長を抑制して粉発生量を低減できる。
(実施例4)
図5(A),(B)を参照する。ここで、 図5(A)は実施例4に係るプラズマ処理製膜装置の電極周辺の説明図、図5(B)はプラズマ電極の平面図を示す。但し、図2と同部材は同符番を付して説明を省略し、要部のみ説明する。 図中の付番61は、ガス供給機能を備えたラダー型のプラズマ電極を示す。このプラズマ電極61は、断面形状が円の中空の導電製枠体62と、この枠体62内に平行に配置された断面形状が円の複数の中空の導電製中空体63とを備えている。前記導電製中空体63の周面には、複数のガス噴出孔63aが形成されている。
【0026】
上記実施例4によれば、プラズマ電極としてガス供給機能を備えたラダー型のプラズマ電極61を設けた構成となっているため、プラズマと電極間に存在する電界強度が高いシース領域での滞在時間を短くして粉発生量を低減できる。
なお、上記実施例4において、導電製枠体や導電製中空体の断面形状は円である場合について述べたが、これに限定されない。また、ガス噴出孔の数や大きさも特に限定されず、用途に応じて任意に設定できる。
【0027】
【発明の効果】
以上詳述したように第1の発明によれば、プラズマ電極の曲率半径を増加させた構成とすることにより、放電電極近傍での電界集中を緩和させて粉発生量を低減しえるプラズマ処理製膜装置できる。
【0028】
また、第2、第3の発明によれば、複数のガスパイプからのガスの流れに改良を施した構成とすることにより、ガス淀み部による滞留を無くし、粉発生量を低減し得るプラズマ処理製膜装置を提供できる。
【0029】
更に、第4の発明にょれば、ラダー型のプラズマ電極として周面に複数のガス噴出孔を有した導電製中空体を用いた構成とすることにより、電極にガス供給機能を備えさせ、もって上記と同様、粉発生量を低減し得るプラズマ処理製膜装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のプラズマ処理製膜装置の説明図。
【図2】本発明の実施例1に係るプラズマ処理製膜装置の説明図。
【図3】本発明の実施例2に係るプラズマ処理製膜装置の説明図。
【図4】本発明の実施例3に係るプラズマ処理製膜装置の説明図。
【図5】本発明の実施例4に係るプラズマ処理製膜装置の説明図。
【図6】本発明の実施例1におけるプラズマ電極の丸棒の直径と粉発生量殿関係を示す特性図。
【符号の説明】
21…製膜用ヒータ、
22…基板、
23…製膜ユニット構造体、
24…製膜ユニットカバー、
25、61…プラズマ電極、
25a、62…枠体、
25b…丸棒、
27…棒着板、
28…高周波電源、
29…上部ヘッダー、
30…上部ヘッダー、
31…ガス配管、
41…ガスパイプ、
41a…ガス噴出口、
51…仕切り板。
Claims (2)
- 反応性ガスをプラズマ雰囲気で分解反応させて基板加熱用ヒータに載置された基板表面に製膜等のプラズマ処理を行うプラズマ処理製膜装置において、前記基板加熱用ヒータに設置された、基板側が開口された箱状のプラズマ処理ユニットカバーと、このプラズマ処理ユニットカバー内に前記基板と向き合うように配置されたラダー型のプラズマ電極と、前記プラズマ処理ユニットカバー内で前記プラズマ電極を挟んで前記基板と反対側に配置され、前記基板にガスを供給するガス供給手段とを具備し、前記プラズマ電極の断面形状の周縁部が、少なくとも5mm以上の曲率半径を有する曲線により形成されていることを特徴とするプラズマ処理製膜装置。
- 反応性ガスをプラズマ雰囲気で分解反応させて基板加熱用ヒータに載置された基板表面に製膜等のプラズマ処理を行うプラズマ処理製膜装置において、前記基板加熱用ヒータに設置された、基板側が開口された箱状のプラズマ処理ユニットカバーと、このプラズマ処理ユニットカバー内に前記基板と向き合うように配置されたラダー型のプラズマ電極とを具備し、前記プラズマ電極は、それぞれの周面上に各々任意の方向を向いた複数のガス噴出孔を有する導電製中空体であることを特徴とするプラズマ処理製膜装置。
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