JP2008103748A - 触媒化学蒸着装置 - Google Patents
触媒化学蒸着装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008103748A JP2008103748A JP2007299648A JP2007299648A JP2008103748A JP 2008103748 A JP2008103748 A JP 2008103748A JP 2007299648 A JP2007299648 A JP 2007299648A JP 2007299648 A JP2007299648 A JP 2007299648A JP 2008103748 A JP2008103748 A JP 2008103748A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thermal catalyst
- vapor deposition
- thermal
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】ガス供給系によって処理容器内に蒸着用ガスを供給し、加熱機構により所定温度に加熱された熱触媒体3の表面付近を蒸着用ガスが通過するようする。基板ホルダーに保持された基板9に蒸着用ガスが到達し、熱触媒体3が関与した蒸着用ガスの反応を利用して基板9に所定の薄膜が作成される。熱触媒体3はコイル状であり、コイルの軸方向が基板9の表面に対して平行である。熱触媒体3は、コイルが成す仮想円筒面の直径をR、隣り合う線の幅をpとしたとき、p/Rが5以下である、
【選択図】図7
Description
また、上記課題を解決するため、請求項2記載の発明は、上記請求項1の構成において、前記コイル状の熱触媒体は、そのコイルが成す仮想円筒面の直径をR、隣り合う線の幅をpとしたとき、p/Rが5以下であるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項3記載の発明は、上記請求項1又は2の構成において、前記熱触媒体は、前記基板に対向する面の熱輻射率が他の面に比べて低くなっているという構成を有する。
また、請求項2の発明によれば、上記効果に加え、コイルに通電して加熱する際の電力効率が向上するという効果が得られる。
まず、参考例の触媒化学蒸着装置について説明する。図1は、第一の参考例の触媒化学蒸着装置の構成を説明する正面概略図である。図1に示す触媒化学蒸着装置は、内部で基板9に対して所定の処理がなされる処理容器1と、処理容器1内に反応性ガスよりなる所定の蒸着用ガスを供給するガス供給系2と、供給された蒸着用ガスが表面付近を通過するように処理容器1内に設けられた熱触媒体3と、熱触媒体3が関与した蒸着用ガスの反応により所定の薄膜が作成される処理容器1内の位置に基板9を保持する基板ホルダー4とを備えている。
ガス供給器22は中空の部材であり、基板ホルダー4に対向した前面を有している。この前面には、小さなガス吹き出し孔220が多数形成されている。ガスボンベ21から配管23を通してガス供給器22にガスが導入され、このガスがガス吹き出し孔220から吹き出して処理容器1内に供給されるようになっている。
尚、「熱輻射の量」とは、厳密には熱輻射のエネルギーを全波長域にわたって積分したものである。但し、特定の波長域の輻射線が基板9に到達することが問題となる場合などには、その波長域で積分したエネルギーの量を「熱輻射の量」とする場合がある。
SiH4(g)→SiH3 * (g)+H* (g)
NH3(g)→NH2 * (g)+H* (g)
aSiH3 * (g)+bNH2 * (g)→cSiNX(s)
となる。尚、gの添え字はガス状態、sの添え字は固体状態であることを意味する。
11 排気系
2 ガス供給系
3 熱触媒体
30 加熱機構
32 被覆材
33 別の部材
4 基板ホルダー
41 ヒータ
Claims (3)
- 内部で基板に対して所定の処理がなされる処理容器と、処理容器内に所定の蒸着用ガスを供給するガス供給系と、供給された蒸着用ガスが表面付近を通過するように処理容器内に設けられた熱触媒体と、熱触媒体が関与した蒸着用ガスの反応により所定の薄膜が作成される処理容器内の位置に基板を保持する基板ホルダーとを備えた触媒化学蒸着装置であって、
前記熱触媒体はコイル状であり、このコイルの軸方向が前記基板の表面に対して平行になるよう設けられていることを特徴とする触媒化学蒸着装置。 - 前記コイル状の熱触媒体は、そのコイルが成す仮想円筒面の直径をR、隣り合う線の幅をpとしたとき、p/Rが5以下であることを特徴とする請求項1記載の触媒化学蒸着装置。
- 前記熱触媒体は、前記基板に対向する面の熱輻射率が他の面に比べて低くなっていることを特徴とする請求項1又は2記載の触媒化学蒸着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007299648A JP4809822B2 (ja) | 2007-11-19 | 2007-11-19 | 触媒化学蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007299648A JP4809822B2 (ja) | 2007-11-19 | 2007-11-19 | 触媒化学蒸着装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25943298A Division JP4099270B2 (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 触媒化学蒸着装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008103748A true JP2008103748A (ja) | 2008-05-01 |
JP4809822B2 JP4809822B2 (ja) | 2011-11-09 |
Family
ID=39437775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007299648A Expired - Fee Related JP4809822B2 (ja) | 2007-11-19 | 2007-11-19 | 触媒化学蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4809822B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117604494A (zh) * | 2024-01-23 | 2024-02-27 | 楚赟精工科技(上海)有限公司 | 一种化学气相沉积设备 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0225575A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-29 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
JPH0569165U (ja) * | 1992-03-02 | 1993-09-17 | セイコー電子工業株式会社 | 気相合成装置 |
JPH08250438A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Res Dev Corp Of Japan | 触媒cvd法によるシリコン薄膜の生成方法および薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ |
JPH1154441A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-26 | Anelva Corp | 触媒化学蒸着装置 |
-
2007
- 2007-11-19 JP JP2007299648A patent/JP4809822B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0225575A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-29 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
JPH0569165U (ja) * | 1992-03-02 | 1993-09-17 | セイコー電子工業株式会社 | 気相合成装置 |
JPH08250438A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Res Dev Corp Of Japan | 触媒cvd法によるシリコン薄膜の生成方法および薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ |
JPH1154441A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-26 | Anelva Corp | 触媒化学蒸着装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117604494A (zh) * | 2024-01-23 | 2024-02-27 | 楚赟精工科技(上海)有限公司 | 一种化学气相沉积设备 |
CN117604494B (zh) * | 2024-01-23 | 2024-05-17 | 楚赟精工科技(上海)有限公司 | 一种化学气相沉积设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4809822B2 (ja) | 2011-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4308818B2 (ja) | 触媒化学気相蒸着装置 | |
JP4671361B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
JP5645718B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2007284717A (ja) | 触媒体化学気相成長装置 | |
JP5919482B2 (ja) | 触媒化学気相成膜装置、それを用いた成膜方法及び触媒体の表面処理方法 | |
JP4099270B2 (ja) | 触媒化学蒸着装置 | |
JP3787816B2 (ja) | 発熱体cvd装置 | |
JP6566628B2 (ja) | 炭素からなるナノ構造の製造装置および方法 | |
JP4809822B2 (ja) | 触媒化学蒸着装置 | |
KR20130098663A (ko) | 박막 제조 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2001358077A (ja) | 薄膜作製装置 | |
JPH1154441A (ja) | 触媒化学蒸着装置 | |
JP5540083B2 (ja) | コーティング装置およびコーティング方法 | |
WO1986006755A1 (en) | Selective chemical vapor deposition method and apparatus | |
JP2001126988A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2016222984A (ja) | ヒートビーム成膜装置 | |
JP2016084507A (ja) | 原料ガス供給装置及び成膜装置 | |
JP5377760B2 (ja) | 成膜設備および成膜方法 | |
JP3887690B2 (ja) | 発熱体cvd装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造 | |
KR101006056B1 (ko) | 성막 장치 및 성막 방법 | |
JP6145032B2 (ja) | 有機単分子膜の形成方法および形成装置 | |
JP2009235426A (ja) | 触媒化学気相堆積法における触媒体の変性防止法 | |
JP4221489B2 (ja) | 発熱体cvd装置及びこれを用いた発熱体cvd方法 | |
CN219568051U (zh) | 汽化器组合件 | |
JP2000299314A (ja) | 化学蒸着装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110125 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110325 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110726 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110819 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140826 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |