JP6561467B2 - Sn−58Bi共晶合金、電子部品および電子装置の製造方法 - Google Patents
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Description
SnおよびBiを含有し、In含有量が6重量%以下の第1領域と、InSn 4 とInBi金属間化合物を含有し、Inの含有量が7重量%以上の第2領域と、を具備し、Inの平均含有量は6重量%以下であり、前記第2領域は、前記第1領域の内部に複数形成されていることを特徴とするSn−58Bi共晶合金を用いる。
(付記1)Sn、Biを含有し、残部は平均含有量が6重量%以下のInと不純物とであり、InBi金属間化合物を含有することを特徴とするはんだ合金。
(付記2)前記Biの含有量は55重量%以上であることを特徴とする付記1記載のはんだ合金。
(付記3)SnおよびBiを含有し、Inの含有量が6重量%以下の第1領域と、InBi金属間化合物を含有し、Inの含有量が7重量%以上の第2領域と、を具備することを特徴とする付記1または2記載のはんだ合金。
(付記4)前記第2領域は、前記第1領域の外面に形成されていることを特徴とする付記3記載のはんだ合金。
(付記5)前記第2領域は、前記第1領域の内部に複数形成されていることを特徴とする付記3記載のはんだ合金。
(付記6)Sn、Biを含有し、残部は平均含有量が6重量%以下のInと不純物とであり、InBi金属間化合物を含有するはんだ合金を備えることを特徴とする電子部品。
(付記7)SnおよびBiを含有し、Inの含有量が6重量%以下の第1領域と、InBi金属間化合物を含有し、Inの含有量が7重量%以上の第2領域と、を具備することを特徴とする付記6記載の電子部品。
(付記8)SnおよびBiを含有し、Inの含有量が6重量%以下の第1領域と、
前記第1領域の外面に形成され、InBi金属間化合物を含有し、Inの含有量が7重量%以上の第2領域と、を具備することを特徴とする付記6記載の電子部品。
(付記9)SnおよびBiを含有し、Inの含有量が6重量%以下の第1領域と、
前記第1領域の内部に複数形成され、InBi金属間化合物を含有し、Inの含有量が7重量%以上の第2領域と、を具備することを特徴とする付記6記載の電子部品。
(付記10)Sn、Biを含有し、残部は平均含有量が6重量%以下のInと不純物とであり、InBi金属間化合物を含有するはんだ合金を用い、電子部品を被実装部に接合する工程を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
12 SnBi領域
13 SnBiIn領域
14 InBi領域
15 In層
20、70 電子部品
30、60 基板
Claims (4)
- SnおよびBiを含有し、In含有量が6重量%以下の第1領域と、
InBi金属間化合物を含有し、Inの含有量が7重量%以上の第2領域と、
を具備し、
Inの平均含有量は6重量%以下であり、
前記第2領域は、前記第1領域の外面に形成されていることを特徴とするSn−58Bi共晶合金。 - SnおよびBiを含有し、In含有量が6重量%以下の第1領域と、
InSn 4 とInBi金属間化合物を含有し、Inの含有量が7重量%以上の第2領域と、
を具備し、
Inの平均含有量は6重量%以下であり、
前記第2領域は、前記第1領域の内部に複数形成されていることを特徴とするSn−58Bi共晶合金。 - リフロー前である請求項1または2に記載のSn−58Bi共晶合金を備えることを特徴とする電子部品。
- 請求項1または2に記載のSn−58Bi共晶合金を用い、電子部品を被実装部に接合する工程を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
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