JP6555388B2 - 改質された繊維状ワラストナイト及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、改質された繊維状ワラストナイト及びその製造方法に関する。
ワラストナイトは、CaSiO3を主成分とする繊維状の天然鉱物であり、安価なことから樹脂強化材等として広く用いられている。例えば、特許文献1には、ワラストナイトを含む樹脂組成物を発光装置用反射板材料に適用することが記載されている。しかしながら、ワラストナイトは天然物であるため、例えば、鉄(Fe)、マンガン(Mn)、アルミニウム(Al)、炭素(C)等の不純物元素が混入している場合があり、それによって誘電特性等が低下することがある。例えば、特許文献2には、ワラストナイトを加熱処理して誘電特性のばらつきを少なくする技術が記載されている。
天然由来のワラストナイトを、例えば反射板材料に用いられる樹脂組成物に適用すると十分な反射率が得られない場合があった。本発明の一実施形態は、反射率が向上する改質された繊維状ワラストナイト及びその製造方法を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための具体的手段は以下の通りであり、本発明は以下の態様を包含する。
第一態様は、繊維状ワラストナイトを水熱処理することを含む、改質された繊維状ワラストナイトの製造方法である。
第一態様は、繊維状ワラストナイトを水熱処理することを含む、改質された繊維状ワラストナイトの製造方法である。
第二態様は、飛行時間型二次イオン質量分析法による表面分析において、アルミニウム(Al)、鉄(Fe)及びケイ素(Si)が検出され、Siに対するFeの検出強度比が0.13未満であり、Siに対するAlの検出強度比が0.03を超えて1.08未満である繊維状ワラストナイトである。
第三態様は、前記繊維状ワラストナイトと樹脂とを含む樹脂組成物である。
本発明の一実施形態によれば、反射率が向上する改質された繊維状ワラストナイト及びその製造方法を提供することができる。
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。また組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。以下、本発明を実施形態に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための、改質された繊維状ワラストナイト及びその製造方法を例示するものであって、本発明は、以下に示す改質された繊維状ワラストナイト及びその製造方法に限定されない。
改質された繊維状ワラストナイトの製造方法
改質された繊維状ワラストナイトの製造方法は、繊維状ワラストナイトを水熱処理することを含む。天然由来の繊維状ワラストナイトを水熱処理することで、水熱処理して得られる繊維状ワラストナイトの反射率が向上する。
改質された繊維状ワラストナイトの製造方法は、繊維状ワラストナイトを水熱処理することを含む。天然由来の繊維状ワラストナイトを水熱処理することで、水熱処理して得られる繊維状ワラストナイトの反射率が向上する。
水熱処理により、繊維状ワラストナイト内部に不純物として含まれるナトリウム(Na)、カリウム(K)、鉄(Fe)、アルミニウム(Al)等のうち、Feは表面に拡散移動することはないが、Na、K等のアルカリ金属、Al等は表面に拡散移動すると考えられる。このため、Feが表面に拡散移動して光吸収の大きいFe化合物を形成することを抑制しつつ、拡散移動したAlが表面でSiと化合物(例えばケイ酸アルミニウム)を形成するために反射率が向上するものと考えられる。
改質された繊維状ワラストナイトの550nmにおける反射率の向上率は、水熱処理前に対して例えば1%以上であり、好ましくは2%以上、より好ましくは2.5%以上、さらに好ましくは3%以上である。反射率の向上率の上限は、例えば、20%以下である。反射率の向上率は、改質後の反射率から改質前の反射率を差し引いた値を改質前の反射率で除した値の百分率(%)として算出される。
水熱処理は、繊維状ワラストナイトを水の存在下、加圧状態で加熱処理することで行われる。水熱処理は、例えば、繊維状ワラストナイトと水とを含む混合物を耐圧密閉容器中で加熱処理して行われる。
水熱処理に供される繊維状ワラストナイトは、CaSiO3を主成分とする天然物由来であればよく、精製処理等が施されていてもよい。繊維状ワラストナイトに含まれるCa、Si及びO以外の不純物元素の総含有量は、例えば3質量%以下であり、好ましくは1質量%以下である。繊維状ワラストナイトは、例えばキンセイマティック社等から市販されているものから選択すればよい。繊維状ワラストナイトの平均繊維径は例えば0.1μm以上30μm以下、好ましくは0.1μm以上15μm以下、より好ましくは2μm以上7μm以下である。平均繊維長は例えば1μm以上100μm以下、好ましくは3μm以上100μm以下、より好ましくは20μm以上50μm以下である。また繊維長の繊維径に対する比である平均アスペクト比は、例えば3以上、好ましくは3以上50以下、より好ましくは5以上30以下である。繊維状ワラストナイトの平均繊維径、平均繊維長は、走査型電子顕微鏡(SEM)画像の観察から測定される100000個の粒子について算術平均値として求められる。またフィッシャーサブシーブサイザーズナンバー(F.S.S.S.N)として測定される平均粒径は、例えば0.5μm以上10μm以下である。
水熱処理に用いられる水は、イオン交換水、蒸留水、逆浸透水、限外濾過処理水等の精製水であることが好ましい。
水熱処理における温度は、水の沸点以上であればよく、例えば120℃以上、好ましくは140℃以上、150℃以上、160℃以上又は170℃以上である。また水熱処理における温度は例えば250℃以下であり、好ましくは200℃以下である。上記範囲内であれば、反射率がより向上する傾向がある。
水熱処理における圧力は、例えば、水熱処理を行う耐圧容器中の水蒸気圧であり、加熱温度に応じて選択される。水熱処理における圧力は例えば0.2MPa以上、好ましくは0.4MPa以上、0.6MPa以上又は0.8MPa以上である。また水熱処理における圧力は例えば4MPa以下、好ましくは1.6MPa以下である。
水熱処理における時間は、加熱温度等に応じて適宜選択すればよく、例えば1時間以上であり、好ましくは10時間以上又は24時間以上である。また水熱処理における時間は例えば100時間以下、好ましくは72時間以下又は48時間以下である。上記範囲内であれば、より良好な生産性で反射率を向上させることができる傾向がある。
水熱処理は、大気の存在下で実施してもよく、必要に応じて窒素等の不活性ガス雰囲気で実施してもよい。
水熱処理に供される繊維状ワラストナイトと水とを含む混合物における繊維状ワラストナイトの含有率は、例えば50質量%以下であり、好ましくは40質量%以下、30質量%以下又は25質量%以下である。また混合物における繊維状ワラストナイトの含有率は、例えば5質量%以上、好ましくは10質量%以上である。上記範囲内であれば、より良好な生産性で反射率を向上させることができる傾向がある。
水熱処理に供される繊維状ワラストナイトのBET比表面積は、例えば1m2/g以上5m2/g以下である。BET比表面積は例えば、繊維状ワラストナイトを250℃にて乾燥した後、島津製作所社製の自動比表面積測定装置ジェミニを用いて窒素ガスによる動的定圧法により測定される。
水熱処理によって例えば繊維状ワラストナイトに不純物として含まれているAl、K等が表面に拡散移動することがある。これに伴い表面におけるAl、K等の存在量が水熱処理前に比べて増加する。したがって水熱処理は例えば、表面におけるAl、K等の総存在量が水熱処理前の存在量に対して例えば2倍以上、好ましくは5倍以上となる条件で行うことが好ましい。また水熱処理は、水熱処理後の表面のAl、K等の総存在量が水熱処理前の存在量に対して例えば30倍以下、好ましくは20倍以下となる条件で行うことが好ましい。繊維状ワラストナイトの表面における不純物元素は、例えば後述する飛行時間型二次イオン質量分析法によって行うことができる。
改質された繊維状ワラストナイトの製造方法は、必要に応じて、水熱処理後に繊維状ワラストナイトを固液分離により回収する回収工程、付着した水分の少なくとも一部を除去する乾燥工程等を含んでいてもよい。
繊維状ワラストナイト
本実施形態に係る繊維状ワラストナイトは、飛行時間型二次イオン質量分析法による表面分析において、Al、Fe及びSiが検出され、Siに対するFeの検出強度比が0.13未満であり、Siに対するAlの検出強度比が0.03を超えて1.08未満である。係る繊維状ワラストナイトは、天然由来の繊維状ワラストナイトが改質されてなるものであって、例えば、上述した水熱処理によって製造される。繊維状ワラストナイトでは、不純物として含まれるAl及びFeのSiに対する検出強度比が特定の範囲であることで、例えば320nmから730nmの光に対する良好な反射率を有する。
本実施形態に係る繊維状ワラストナイトは、飛行時間型二次イオン質量分析法による表面分析において、Al、Fe及びSiが検出され、Siに対するFeの検出強度比が0.13未満であり、Siに対するAlの検出強度比が0.03を超えて1.08未満である。係る繊維状ワラストナイトは、天然由来の繊維状ワラストナイトが改質されてなるものであって、例えば、上述した水熱処理によって製造される。繊維状ワラストナイトでは、不純物として含まれるAl及びFeのSiに対する検出強度比が特定の範囲であることで、例えば320nmから730nmの光に対する良好な反射率を有する。
繊維状ワラストナイトにおけるSiに対するFeの検出強度比(Fe/Si)は0.13未満であるが、好ましくは0.1以下であり、より好ましくは0.05以下である。また、Siに対するAlの検出強度比(Al/Si)は0.03を超えて1.08未満であるが、好ましくは0.1以上であり、より好ましくは0.5以上であり、また好ましくは1.05以下であり、より好ましくは1以下である。Siに対するFeの検出強度比及びSiに対するAlの検出強度比が上記範囲内であると良好な反射率を示す傾向がある。
繊維状ワラストナイトにおけるFeに対するAlの検出強度比(Al/Fe)は、例えば5以上であり、好ましくは10以上、より好ましくは20以上である。Feに対するAlの検出強度比の上限値は例えば50以下であり、好ましくは40以下である。Feに対するAlの検出強度比が上記範囲内であるとより良好な反射率を示す傾向がある。
繊維状ワラストナイトは、不純物元素としてNa、K等のアルカリ金属を含んでいてもよい。繊維状ワラストナイトがアルカリ金属を含む場合、例えばSiに対するKの検出強度比(K/Si)は0.7以上であり、好ましくは1以上、より好ましくは2以上である。Siに対するKの検出強度比の上限値は例えば40以下であり、好ましくは20以下、より好ましくは10以下である。Siに対するKの検出強度比が上記範囲内であるとより良好な反射率を示す傾向がある。
繊維状ワラストナイトの表面分析は、飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF−SIMS)によって行われる。TOF−SIMSは、例えばION−TOF社製のTOF.SIMS5−200を用いて、一次イオン源Bi+、一次加速電圧30kv、測定面積200μm角、一次イオン照射量:8.2×E10 ions/cm2で測定される。
繊維状ワラストナイトは、微量の不純物として鉄化合物を含む場合がある。これら鉄化合物は、単なる熱処理では酸化状態が変化して350nmから600nm付近の光の吸収が大きい鉄化合物(例えばα−Fe2O3)を生成すると考えられるが、水熱処理では、350nmから600nm付近の光の吸収が大きい鉄化合物(例えばα−Fe2O3)へ変化しにくいと考えられる。水熱処理後の不純物の鉄化合物の酸化状態は、Feに対する酸素原子(O)の比(O/Fe)として、例えば0.5を超えて1.5未満であり、好ましくは0.7以上1.3以下である。ここで不純物におけるFeに対する酸素原子(O)の比は、走査型電子顕微鏡/エネルギー分散型X線分析装置(SEM‐EDX)を用いて測定される。観察される繊維状ワラストナイト以外の粒子のうち、Siを10mol%以上含む粒子又はFeを含んでいない粒子を除いた粒子の5個以上について比(O/Fe)を測定し、得られた測定値の平均値を不純物の鉄化合物の酸化状態とする。具体的には、日立ハイテクノロジーズ社製のSEM‐EDXを用いて、加速電圧5kVの測定条件で測定される。
また、前述の水熱処理後の不純物の鉄化合物には、少なくとも磁性を有しているものが含まれる。磁性を有する鉄化合物としては、例えば鉄やマグネタイト(Fe3O4)などが挙げられる。
本実施形態に係る繊維状ワラストナイトはCaSiO3を主成分とし、不純物として少なくともFe及びAlがその表面に特定の強度で検出されるものである。またその形態は繊維状であり、その平均繊維径は例えば0.1μm以上30μm以下、好ましくは0.1μm以上15μm以下、より好ましくは2μm以上7μm以下である。平均繊維長は例えば1μm以上100μm以下、好ましくは3μm以上100μm以下、より好ましくは20μm以上50μm以下である。また繊維長の繊維径に対する比である平均アスペクト比は、例えば3以上、好ましくは3以上50以下、より好ましくは5以上30以下である。
樹脂組成物
樹脂組成物は、TOF−SIMSによる表面分析において、Al、Fe及びSiが検出され、Siに対するFeの検出強度比が0.13未満であり、Siに対するAlの検出強度比が0.03を超えて1.08未満である繊維状ワラストナイトと、樹脂とを含む。樹脂組成物は、機械強度と光の反射率が良好であることから、例えば反射材の材料として使用することができ、発光装置のパッケージを構成する材料として好適である。
樹脂組成物は、TOF−SIMSによる表面分析において、Al、Fe及びSiが検出され、Siに対するFeの検出強度比が0.13未満であり、Siに対するAlの検出強度比が0.03を超えて1.08未満である繊維状ワラストナイトと、樹脂とを含む。樹脂組成物は、機械強度と光の反射率が良好であることから、例えば反射材の材料として使用することができ、発光装置のパッケージを構成する材料として好適である。
樹脂組成物に含まれる樹脂は、熱可塑性樹脂であっても、熱硬化性樹脂であってもよい。熱可塑性樹脂には、液晶ポリマー、脂肪族ポリアミド、ポリフタルアミド等の芳香族ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステルなどが含まれる。また熱硬化性樹脂には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が含まれる。
樹脂組成物中の繊維状ワラストナイトの含有量は、例えば5質量%以上、好ましくは10質量%以上、より好ましくは15質量%以上であり、また例えば70質量%以下、好ましくは40質量%以下、より好ましくは20質量%以下である。繊維状ワラストナイトは反射率が高いため、天然の繊維状ワラストナイトよりも高い含有率とすることができ、機械強度をより向上させることができる。
樹脂組成物は、必要に応じて、酸化チタン、酸化アルミニウム、タルク、シリカ、酸化亜鉛等の無機充填剤;難燃剤;可塑剤;拡散剤;染料;顔料;離型剤;紫外線吸収剤;酸化防止剤;熱安定剤等の各種添加剤の少なくとも1種を含むことができる。中でも酸化チタン、酸化アルミニウム等の無機充填剤の少なくとも1種を含むことが好ましい。無機充填剤の平均粒径は例えばフィッシャーサブシーブサイザーズナンバー(F.S.S.S.N)として0.08μm以上10μm以下であり、好ましくは0.1μm以上5μm以下である。樹脂組成物が無機充填剤を含む場合、その含有量は樹脂組成物中に例えば10質量%以上60質量%以下であり、好ましくは20質量%以上50質量%以下である。
発光装置
発光装置は、底面と凹部を形成する壁部とを有し、前記樹脂組成物からなるパッケージと、パッケージの底面に配置される発光素子と、パッケージの凹部に充填されて発光素子を被覆する封止部材とを備える。パッケージが前記樹脂組成物から形成されることで、良好な機械強度を有する。またパッケージの凹部が良好な反射率を有し、発光素子からの光を効率良く取り出すことができる。
発光装置は、底面と凹部を形成する壁部とを有し、前記樹脂組成物からなるパッケージと、パッケージの底面に配置される発光素子と、パッケージの凹部に充填されて発光素子を被覆する封止部材とを備える。パッケージが前記樹脂組成物から形成されることで、良好な機械強度を有する。またパッケージの凹部が良好な反射率を有し、発光素子からの光を効率良く取り出すことができる。
発光装置の構成について、図1及び図2を参照して説明する。図1は、実施形態に係る発光装置の構成を示す斜視図である。図2は、実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図であり、図1のIIA−IIA線における断面を示す。図1及び図2において、説明の便宜上、XYZ座標軸を用いて観察方向を示している。細長い略直方体形状の発光装置1の長手方向をX軸方向とし、短手方向をY軸方向とし、厚さ方向をZ軸方向としている。
発光装置1は、凹部2aを有するパッケージ2と、パッケージ2の凹部2aの底面2bに配置される発光素子3と、凹部2a内に設けられて発光素子3を封止する透光性の封止部材4と、を備えている。また、パッケージ2は、一対のリード電極21と、一対のリード電極21を保持する樹脂成形体22と、を有している。発光装置1は、外形が細長い略直方体であり、Z軸方向の寸法である厚さが薄く形成されている。発光装置1は、Z軸のマイナス方向の端面が実装面である。また、凹部2aは、Y軸のマイナス方向の端面側に開口するように設けられている。従って、発光装置1は、実装面に平行な方向に光を出射するサイドビュー型の実装に適している。
発光装置1では、パッケージ2の樹脂成形体22が、飛行時間型二次イオン質量分析法による表面分析において、Al、Fe及びSiが検出され、Siに対するFeの検出強度比が0.13未満であり、Siに対するAlの検出強度比が0.03を超えて1.08未満である繊維状ワラストナイトと、樹脂とを含む樹脂組成物から形成される。
パッケージ2は、一対のリード電極21と、一対のリード電極21を互いに離間するように保持する樹脂成形体22と、を有している。パッケージ2は、実装面であるZ軸のマイナス方向の端面に対して横向きに開口する凹部2aを有している。従って、凹部2aの底面2bは、実装面に対して略垂直に設けられている。凹部2aは、底面2bが一対のリード電極21と樹脂成形体22とで構成され、側面が樹脂成形体22の側壁22aで構成されている。側壁22aは、凹部2aの上下方向であるZ軸方向の端面に設けられた部分が、横方向であるX軸方向の端面に設けられた部分と比べて薄く形成されている。
凹部2a内には発光素子3が配置されており、側壁22aは、発光素子3を囲むように設けられている。側壁22aの内側面は、凹部2aの底面2b側から開口側に向かって広がるように、底面2bに対して所定角度で傾斜して形成されている。これによって、発光素子3から側方へ出射する光は、側壁22aによって開口側へ反射されてパッケージ2から外部に取り出される。また、樹脂成形体22は、発光素子3からの光を反射して凹部2aの開口から効率よく取り出すことができるように、光反射性の良好な繊維状ワラストナイトを含有する樹脂組成物を用いて形成されている。
近年、発光装置の小型化の要望が高まりに伴い、パッケージの薄型化が進んでいる。そのため、具体的には、発光素子3の周囲を囲む樹脂成形体22の一部の厚さが、例えば、100μm以下、更には50μm以下とすることが望まれている。パッケージ2は、凹部2aの開口が長円形であり、凹部2aの開口の長手方向に沿った側壁22aを薄く形成することで、凹部2aの寸法を変えずにパッケージ2の厚さ方向の外形寸法を小さくできる。これによって、薄型の発光装置1を提供することができる。
ここで、側壁22aは、繊維状ワラストナイトを含有する樹脂組成物を用いて形成されることで、薄型に形成しても必要な機械強度を得ることができ、良好な光反射性を有している。なお、本実施形態におけるパッケージ2は、凹部2aの開口が長円形であるが、円形、楕円形、矩形、その他の多角形などであってもよい。
発光素子3は、サファイアなどの基板上にGaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaNなどの半導体を発光層として形成させたものが用いられる。この内、紫外領域から可視光の短波長領域(360nm以上550nm以下)に発光ピーク波長を有する窒化物系化合物半導体素子を用いることができる。
封止部材4は、パッケージ2の凹部2a内に設けられ、凹部2a内に配置されている発光素子3、リード電極21、及び発光素子3とリード電極21とを電気的に接続するためのワイヤなどを封止する部材である。封止部材4は設けなくともよいが、設けることで前記の封止した部材を水分やガスによる劣化や機械的な接触による損傷から保護することができる。封止部材4として用いることができる材料は、特に限定されないが、良好な透光性を有することが好ましい。このような材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂材料、ガラスなどの無機材料を挙げることができる。
また、封止部材4には、発光素子3からの光を波長変換させる蛍光物質や、発光素子3からの光を散乱させる光反射性物質を含有してもよい。光反射性物質としては、酸化チタン(TiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)などの粒子を用いることができる。また、蛍光物質としては、発光素子3からの光を吸収して異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、アルミニウムガーネット系蛍光体;Eu、Ceなどのランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体及びサイアロン系蛍光体;Euなどのランタノイド系、Mnなどの遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ケイ酸塩、アルカリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属チオガレート、アルカリ土類金属窒化ケイ素及びゲルマン酸塩;Ceなどのランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩及び希土類ケイ酸塩;並びにEuなどのランタノイド系元素で主に賦活される有機化合物及び有機錯体化合物などからなる群から選ばれる少なくとも1種以上であることが好ましい。
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
テフロン(登録商標)容器(0.1L)中に繊維状ワラストナイト(キンセイマティック株式会社製、ウォラストナイトSH−1800、平均繊維径3.5μm、平均繊維長28μm)10gと純水70mlを投入し、密閉容器に封入した。密閉容器ごと170℃で加熱時間を60時間として水熱処理した後、固液分離して105℃で乾燥処理して、水熱処理ワラストナイトを得た。
テフロン(登録商標)容器(0.1L)中に繊維状ワラストナイト(キンセイマティック株式会社製、ウォラストナイトSH−1800、平均繊維径3.5μm、平均繊維長28μm)10gと純水70mlを投入し、密閉容器に封入した。密閉容器ごと170℃で加熱時間を60時間として水熱処理した後、固液分離して105℃で乾燥処理して、水熱処理ワラストナイトを得た。
(比較例1)
繊維状ワラストナイト(SH−1800)10gについてアルミナ坩堝を用いて800℃で2時間熱処理して、熱処理ワラストナイトを得た。
繊維状ワラストナイト(SH−1800)10gについてアルミナ坩堝を用いて800℃で2時間熱処理して、熱処理ワラストナイトを得た。
TOF−SIMS評価
上記で得られた水熱処理ワラストナイト、熱処理ワラストナイト及び未処理ワラストナイト(SH−1800)について、TOF−SIMS(ION−TOF社製のTOF.SIMS5−200)を用いて表面分析を行った。測定条件は一次イオン源Bi+、一次加速電圧30kv、測定面積200μm角、一次イオン照射量:8.2×E10 ions/cm2であった。Siに対するAl、Fe及びKの検出強度比をそれぞれ求めた。結果を表1に示す。
上記で得られた水熱処理ワラストナイト、熱処理ワラストナイト及び未処理ワラストナイト(SH−1800)について、TOF−SIMS(ION−TOF社製のTOF.SIMS5−200)を用いて表面分析を行った。測定条件は一次イオン源Bi+、一次加速電圧30kv、測定面積200μm角、一次イオン照射量:8.2×E10 ions/cm2であった。Siに対するAl、Fe及びKの検出強度比をそれぞれ求めた。結果を表1に示す。
反射率評価
上記で得られた水熱処理ワラストナイト、熱処理ワラストナイト及び未処理ワラストナイトについて、大塚電子製QE−2000を用いて、450nm、550nm及び650nmにおける反射率をそれぞれ測定した。水熱処理ワラストナイト又は熱処理ワラストナイトの未処理ワラストナイトとの反射率の差を未処理ワラストナイトの反射率で除した相対値として、反射率向上率(%)を求めた。結果を表1に示す。
上記で得られた水熱処理ワラストナイト、熱処理ワラストナイト及び未処理ワラストナイトについて、大塚電子製QE−2000を用いて、450nm、550nm及び650nmにおける反射率をそれぞれ測定した。水熱処理ワラストナイト又は熱処理ワラストナイトの未処理ワラストナイトとの反射率の差を未処理ワラストナイトの反射率で除した相対値として、反射率向上率(%)を求めた。結果を表1に示す。
SEM‐EDX評価
上記で得られた水熱処理ワラストナイト、熱処理ワラストナイト及び未処理ワラストナイトに日立ハイテクノロジーズ社製のSEM‐EDXを用いて、加速電圧5kVの測定条件にてFeの酸化状態を評価した。Feに対するOの比(O/Fe)としてFe酸化度を求めた。Feに対する酸素原子(O)の比は、走査型電子顕微鏡/エネルギー分散型X線分析装置(SEM‐EDX)にて、観察される繊維状ワラストナイト以外の粒子のうち、Siを10mol%以上含む粒子又はFeを含んでいない粒子を除いた粒子について5個以上測定し、得られた値の平均値とした。結果を表2に示す。
上記で得られた水熱処理ワラストナイト、熱処理ワラストナイト及び未処理ワラストナイトに日立ハイテクノロジーズ社製のSEM‐EDXを用いて、加速電圧5kVの測定条件にてFeの酸化状態を評価した。Feに対するOの比(O/Fe)としてFe酸化度を求めた。Feに対する酸素原子(O)の比は、走査型電子顕微鏡/エネルギー分散型X線分析装置(SEM‐EDX)にて、観察される繊維状ワラストナイト以外の粒子のうち、Siを10mol%以上含む粒子又はFeを含んでいない粒子を除いた粒子について5個以上測定し、得られた値の平均値とした。結果を表2に示す。
磁性評価
上記で得られた水熱処理ワラストナイト、熱処理ワラストナイト及び未処理ワラストナイトについて、純水を用いてスラリー化したものにNd磁石を投入し30分間撹拌した後、付着物の有無を目視にて確認した。結果を表2に示す。
上記で得られた水熱処理ワラストナイト、熱処理ワラストナイト及び未処理ワラストナイトについて、純水を用いてスラリー化したものにNd磁石を投入し30分間撹拌した後、付着物の有無を目視にて確認した。結果を表2に示す。
表1から、水熱処理されたワラストナイトは、熱処理品及び未処理品と比べて、全波長で反射率が向上しているのに対して、熱処理品は、未処理品と比べて550nm越650nm以下の範囲において向上しているものの、450nm以上550nm以下の範囲において低下していることが分かる。また、水熱処理ワラストナイトは、TOF−SIMSによる表面分析において、Siに対するFeの検出強度比が0.13未満であり、Siに対するAlの検出強度比が0.03を超えて1.08未満であることが分かる。これらより、水熱処理されたワラストナイトは、未処理品と比べて内部に含まれるAlの表面への拡散移動が起こり、熱処理品と比べて内部に含まれるFeの表面への拡散移動が抑制されることにより反射率が向上していると考えられる。
表2より、水熱処理ワラストナイトに含まれる不純物の鉄化合物は、熱処理品と比べてFe酸化度が低く、磁性を有していることから、熱処理品に含まれる不純物の鉄化合物とは異なっていることが分かる。
(実施例2−1)
テフロン(登録商標)容器(0.1L)中に繊維状ワラストナイト(SH−1800;実施例1とは別ロット品)10gと純水70mlを投入し、密閉容器に封入した。密閉容器ごと140℃で加熱時間を24時間として水熱処理した後、固液分離して105℃で乾燥処理して、水熱処理ワラストナイトを得た。反射率向上率を表3に示す。なお、表3における濃度は水熱処理物中の繊維状ワラストナイトの質量割合(%)である。
テフロン(登録商標)容器(0.1L)中に繊維状ワラストナイト(SH−1800;実施例1とは別ロット品)10gと純水70mlを投入し、密閉容器に封入した。密閉容器ごと140℃で加熱時間を24時間として水熱処理した後、固液分離して105℃で乾燥処理して、水熱処理ワラストナイトを得た。反射率向上率を表3に示す。なお、表3における濃度は水熱処理物中の繊維状ワラストナイトの質量割合(%)である。
(実施例2−2及び2−3)
水熱処理の温度を170℃又は200℃にそれぞれ変更したこと以外は、実施例2−1と同様にして、水熱処理ワラストナイトを得た。反射率向上率を表3に示す。
水熱処理の温度を170℃又は200℃にそれぞれ変更したこと以外は、実施例2−1と同様にして、水熱処理ワラストナイトを得た。反射率向上率を表3に示す。
(比較例2−1及び2−2)
繊維状ワラストナイト(SH−1800;実施例2−1と同ロット品)20gと純水140mlをビーカーに投入し、15℃又は70℃で24時間撹拌した後、固液分離して105℃で乾燥処理して、水処理ワラストナイトを得た。反射率向上率を表3に示す。
繊維状ワラストナイト(SH−1800;実施例2−1と同ロット品)20gと純水140mlをビーカーに投入し、15℃又は70℃で24時間撹拌した後、固液分離して105℃で乾燥処理して、水処理ワラストナイトを得た。反射率向上率を表3に示す。
(実施例3−1から3−4)
水熱処理の温度を170℃に変更し、水熱処理の時間を10時間、34時間、60時間又は70時間にそれぞれ変更したこと以外は、実施例2−1と同様にして、水熱処理ワラストナイトを得た。反射率向上率を表3に示す。
水熱処理の温度を170℃に変更し、水熱処理の時間を10時間、34時間、60時間又は70時間にそれぞれ変更したこと以外は、実施例2−1と同様にして、水熱処理ワラストナイトを得た。反射率向上率を表3に示す。
(実施例4−1)
繊維状ワラストナイト(SH−1800)5gと純水75mlを用いて、繊維状ワラストナイトの濃度を6.3質量%に変更したこと以外は、実施例3−3と同様にして、水熱処理ワラストナイトを得た。反射率向上率を表3に示す。
繊維状ワラストナイト(SH−1800)5gと純水75mlを用いて、繊維状ワラストナイトの濃度を6.3質量%に変更したこと以外は、実施例3−3と同様にして、水熱処理ワラストナイトを得た。反射率向上率を表3に示す。
(実施例4−2)
繊維状ワラストナイト(SH−1800)20gと純水60mlを用いて、繊維状ワラストナイトの濃度を25.0質量%としたこと以外は、実施例3−3と同様にして、水熱処理ワラストナイトを得た。反射率向上率を表3に示す。
繊維状ワラストナイト(SH−1800)20gと純水60mlを用いて、繊維状ワラストナイトの濃度を25.0質量%としたこと以外は、実施例3−3と同様にして、水熱処理ワラストナイトを得た。反射率向上率を表3に示す。
(実施例4−3)
繊維状ワラストナイト(SH−1800)30gと純水50mlを用いて、繊維状ワラストナイトの濃度を37.5質量%としたこと以外は、実施例3−3と同様にして、水熱処理ワラストナイトを得た。反射率向上率を表3に示す。
繊維状ワラストナイト(SH−1800)30gと純水50mlを用いて、繊維状ワラストナイトの濃度を37.5質量%としたこと以外は、実施例3−3と同様にして、水熱処理ワラストナイトを得た。反射率向上率を表3に示す。
表3から、繊維状ワラストナイトを水熱処理することで、反射率が向上することが分かる。
(実施例5)
実施例1で得られた水熱処理ワラストナイトと、酸化チタン(石原産業株式会社製、CR−90−2、平均粒径0.45μm)と、ポリアミド樹脂(三井化学株式会社製、アーレンC2000)とを15:40:45の質量比となるように、ポリアミド樹脂の融点以上の温度である320℃で溶融混練し、押し出し成形によって樹脂組成物ペレット1を作製した。
実施例1で得られた水熱処理ワラストナイトと、酸化チタン(石原産業株式会社製、CR−90−2、平均粒径0.45μm)と、ポリアミド樹脂(三井化学株式会社製、アーレンC2000)とを15:40:45の質量比となるように、ポリアミド樹脂の融点以上の温度である320℃で溶融混練し、押し出し成形によって樹脂組成物ペレット1を作製した。
(比較例3)
未処理の繊維状ワラストナイト(SH−1800)を用いたこと以外は、実施例5と同様にして樹脂組成物ペレットC1を作製した。
未処理の繊維状ワラストナイト(SH−1800)を用いたこと以外は、実施例5と同様にして樹脂組成物ペレットC1を作製した。
樹脂組成物評価
上記で得られた樹脂組成物ペレット1及びC1より厚さ4mm成形体を作成し、大塚電子製QE−2000を用いて、560nmにおける反射率をそれぞれ測定した。
作製した成形体の反射率を測定したところ、樹脂組成物ペレット1から作製した成形体では、樹脂組成物C1から作製した成形体よりも反射率が1.2%向上した。
上記で得られた樹脂組成物ペレット1及びC1より厚さ4mm成形体を作成し、大塚電子製QE−2000を用いて、560nmにおける反射率をそれぞれ測定した。
作製した成形体の反射率を測定したところ、樹脂組成物ペレット1から作製した成形体では、樹脂組成物C1から作製した成形体よりも反射率が1.2%向上した。
発光装置
上記で得られた樹脂組成物ペレット1及びC1をそれぞれ射出成形することでパッケージを作製し、それぞれ同じ発光素子、封止樹脂、蛍光物質を用いて、図1に示すような発光装置を作製し、発光素子を発光させたときに発光装置から出射される全光束を、積分式全光束測定機を用いて評価した。
作製した発光装置の光束を測定したところ、樹脂組成物ペレット1から作製した発光装置では、樹脂組成物C1から作製した発光装置よりも光束が0.7%向上した。
上記で得られた樹脂組成物ペレット1及びC1をそれぞれ射出成形することでパッケージを作製し、それぞれ同じ発光素子、封止樹脂、蛍光物質を用いて、図1に示すような発光装置を作製し、発光素子を発光させたときに発光装置から出射される全光束を、積分式全光束測定機を用いて評価した。
作製した発光装置の光束を測定したところ、樹脂組成物ペレット1から作製した発光装置では、樹脂組成物C1から作製した発光装置よりも光束が0.7%向上した。
1 発光装置
2 パッケージ
2a 凹部
2b 底面
21 リード電極
22 樹脂成形体
22a 側壁
3 発光素子
4 封止部材
2 パッケージ
2a 凹部
2b 底面
21 リード電極
22 樹脂成形体
22a 側壁
3 発光素子
4 封止部材
Claims (7)
- 繊維状ワラストナイトを水熱処理することを含む、改質された繊維状ワラストナイトの製造方法。
- 前記水熱処理における温度が、100℃超250℃以下である請求項1に記載の製造方法。
- 前記水熱処理における圧力が、4MPa以下である請求項1又は2に記載の製造方法。
- 前記水熱処理における時間が、1時間以上100時間以下である請求項1から3のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記水熱処理における繊維状ワラストナイトの含有率が、40質量%以下である請求項1から4のいずれか1項に記載の製造方法。
- 飛行時間型二次イオン質量分析法による表面分析において、Al、Fe及びSiが検出され、Siに対するFeの検出強度比が0.13未満であり、Siに対するAlの検出強度比が0.03を超えて1.08未満である繊維状ワラストナイト。
- 請求項6に記載の繊維状ワラストナイトと樹脂とを含む樹脂組成物。
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