JP2016050208A - 蛍光体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光効率が高い蛍光体及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る蛍光体の製造方法は、複数の原料を混合し、原料混合物を作製する工程と、前記原料混合物を焼成することにより焼成物を形成する工程と、前記焼成物に前記複数の原料に対して溶解度が相互に異なる溶解液を接触させる工程と、を備える。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、蛍光体及びその製造方法に関する。
蛍光体は、各種の発光装置や波長変換装置に用いられる。例えば、近年、次世代の光源として、発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)と蛍光体とを用いたLEDランプは、PC周辺機器、OA機器、及び携帯機器などの各種表示装置や照明装置などに広く用いられ始めている。これらLEDランプは、高効率化が望まれており、LEDランプの高効率化には、蛍光体の発光効率の向上が有効である。そのため、発光効率がより高い蛍光体に関する研究、開発が盛んに行われている。
実施形態の目的は、発光効率が高い蛍光体及びその製造方法を提供することである。
実施形態に係る蛍光体は、表面の少なくとも一部に、発光光の波長以下の周期の凹凸が形成されている。
実施形態に係る蛍光体の製造方法は、複数の原料を混合し、原料混合物を作製する工程と、前記原料混合物を焼成することにより焼成物を形成する工程と、前記焼成物に前記複数の原料に対して溶解度が相互に異なる溶解液を接触させる工程と、を備える。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
先ず、第1の実施形態について説明する。
図1(a)は、本実施形態に係る蛍光体を例示する断面図であり、(b)は、(a)に示す部分Aの一部拡大断面図であり、(c)は、(b)に示す四面体構造10の分子構造を例示する模式図である。
先ず、第1の実施形態について説明する。
図1(a)は、本実施形態に係る蛍光体を例示する断面図であり、(b)は、(a)に示す部分Aの一部拡大断面図であり、(c)は、(b)に示す四面体構造10の分子構造を例示する模式図である。
以下、蛍光体100の組成例について説明する。
蛍光体100は、後述する所定の金属元素M、発光中心元素R、アルミニウム、ケイ素、酸素及び窒素を含む。蛍光体100の組成は、例えば下記化学式1を満たす。下記化学式1において、係数x、y、z、u及びwは、それぞれ下記の関係を満たす係数である。
蛍光体100は、後述する所定の金属元素M、発光中心元素R、アルミニウム、ケイ素、酸素及び窒素を含む。蛍光体100の組成は、例えば下記化学式1を満たす。下記化学式1において、係数x、y、z、u及びwは、それぞれ下記の関係を満たす係数である。
0<x≦1
−0.1≦y≦0.15
−1≦z≦1
−1<u−w≦1
−0.1≦y≦0.15
−1≦z≦1
−1<u−w≦1
(化1)
(M1−XRX)3−ySi13−zAl3+zO2+uN21−w
(M1−XRX)3−ySi13−zAl3+zO2+uN21−w
金属元素Mは、IA族元素、IIA族元素、アルミニウムを除くIIIA族元素、IIIB族元素、希土類元素、及び、ケイ素を除くIVA族元素からなる群から選択された1種以上の金属元素である。
発光中心元素Rは、ユウロピウム(Eu)、セリウム(Ce)、マンガン(Mn)、テルビウム(Tb)、イッテルビウム(Yb)、ジスプロシウム(Dy)、サマリウム(Sm)、ツリウム(Tm)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、プロメチウム(Pm)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、クロム(Cr)、錫(Sn)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ヒ素(As)、銀(Ag)、カドミウム(Cd)、アンチモン(Sb)、金(Au)、水銀(Hg)、タリウム(Tl)、鉛(Pb)、ビスマス(Bi)及び鉄(Fe)からなる群より選択された1種以上の元素である。
図1(a)及び(b)に示すように、本実施形態に係る蛍光体100においては、粒状の蛍光体100の表面に微細な凹凸αが少なくとも一部分に形成されている。表面の微細な凹凸αの周期は、蛍光体100が発光する光の波長以下の周期である。
蛍光体100は、サイアロン(SiAlON)を含む。蛍光体100において、サイアロンは、アルミニウム(Al)、ケイ素(Si)、酸素(O)及び窒素(N)により四面体構造10を形成している。蛍光体100は、複数の四面体構造10が互いの頂点を共有したネットワーク構造の隙間にストロンチウム(Sr)などの金属元素M、及びセリウム(Ce)などの発光中心元素Rが配置されることで形成されている。
したがって、金属元素M及び発光中心元素Rの周りには、ケイ素と酸素が存在比1:2で存在しているSiO2領域、アルミニウムと酸素が存在比2:3で存在しているAl2O3領域、ケイ素と窒素が主成分であるSiN領域、及びアルミニウムと窒素が主成分であるAlN領域が混在している。
そして、フッ化水素酸への溶解度は、高いものから順に、SiO2領域、SiN領域、Al2O3領域、AlN領域となる。このことから、蛍光体100の金属元素M及び発光中心元素Rの周りは、フッ化水素酸への溶解度がそれぞれで異なる領域で形成されていると推測される。
蛍光体100は、サイアロン(SiAlON)を含む。蛍光体100において、サイアロンは、アルミニウム(Al)、ケイ素(Si)、酸素(O)及び窒素(N)により四面体構造10を形成している。蛍光体100は、複数の四面体構造10が互いの頂点を共有したネットワーク構造の隙間にストロンチウム(Sr)などの金属元素M、及びセリウム(Ce)などの発光中心元素Rが配置されることで形成されている。
したがって、金属元素M及び発光中心元素Rの周りには、ケイ素と酸素が存在比1:2で存在しているSiO2領域、アルミニウムと酸素が存在比2:3で存在しているAl2O3領域、ケイ素と窒素が主成分であるSiN領域、及びアルミニウムと窒素が主成分であるAlN領域が混在している。
そして、フッ化水素酸への溶解度は、高いものから順に、SiO2領域、SiN領域、Al2O3領域、AlN領域となる。このことから、蛍光体100の金属元素M及び発光中心元素Rの周りは、フッ化水素酸への溶解度がそれぞれで異なる領域で形成されていると推測される。
また、図1(c)に示すように、四面体構造10は、アルミニウム又はケイ素を中心とし、酸素又は窒素を四面体構造10の各頂点とすることで形成されている。
次に、本実施形態に係る蛍光体の製造方法について説明する。
図2は、本実施形態に係る蛍光体の製造方法を例示するフローチャート図である。
図2は、本実施形態に係る蛍光体の製造方法を例示するフローチャート図である。
先ず、図2のステップS1に示すように、出発原料を用意する。出発原料としては、例えば、Sr3N2、EuN、Si3N4、Al2O3及びAlNを用意し、これらを混合する。より具体的には、上述の各原料をアルゴン(Ar)を封入したバキュームグローブボックス中で秤量し、Sr3N2を2.500g、EuNを0.647g、Si3N4を5.987g、Al2O3を0.748g、AlNを0.710gとした後、めのう乳鉢内で乾式混合する。
次に、ステップS2に示すように、ステップS1で乾式混合した出発原料を非酸化雰囲気中で焼成し、中間焼成物を得る。具体的には、乾式混合した出発原料を窒化ホウ素製るつぼ内に投入し、7.5気圧の窒素(N2)雰囲気中で、1850℃の温度で4時間焼成する。これにより、設計組成が(Sr0.87Eu0.13)3Si12.8Al3.2O2.2N20.8である中間焼成物を得る。
次に、ステップS3に示すように、ステップS2で作製した中間焼成物を還元雰囲気中で焼成する。具体的には、中間焼成物を蓋付き容器、例えば、蓋付きの窒化ホウ素製のるつぼ内に封入し、この蓋付き容器を、それよりも一回り大きく中蓋及び外蓋を備えた外套容器、例えば、窒化ホウ素製るつぼ内に格納した後、蓋をする。次に、中間焼成物が封入された外套容器を、例えば、1気圧のN2/H2雰囲気中で、1500℃の温度で12時間焼成する。これにより、焼成物として蛍光体100が作製される。
次に、ステップS4に示すように、フッ化水素酸処理を行う。すなわち、蛍光体100をフッ化水素酸(HF)に接触させる。具体的には、蛍光体100を、濃度が例えば1〜5質量%のフッ化水素酸水溶液中に浸漬させ、撹拌しながら5〜30分間程度保持する。これにより、蛍光体100の表面に微細な凹凸αが形成される。
次に、ステップS5に示すように、蛍光体100を乾燥させる。具体的には、蛍光体100をフッ化水素酸水溶液中から取り出し、脱水した後、例えば200℃の温度まで加熱する。これにより、蛍光体100に付着した余分な水分が除去される。このようにして、本実施形態に係る蛍光体100が製造される。
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態においては、蛍光体100の表面に微細な凹凸αが形成されている。微細な凹凸αによって、蛍光体100の表面の少なくとも一部に、微細な網目形状が形成される。この結果、モスアイ(Moth-Eye)効果により、光取り出し効率が向上する。
微細な凹凸αは、図2のステップS4に示す工程において、蛍光体100をフッ化水素酸に接触させることで形成される。これは、蛍光体100が含む複数の化合物のフッ化水素酸への溶解度がそれぞれ異なるため、蛍光体100の表面がフッ化水素酸により不均一に溶解されるためであると推定される。
これにより、蛍光体100の発光効率が向上する。
本実施形態においては、蛍光体100の表面に微細な凹凸αが形成されている。微細な凹凸αによって、蛍光体100の表面の少なくとも一部に、微細な網目形状が形成される。この結果、モスアイ(Moth-Eye)効果により、光取り出し効率が向上する。
微細な凹凸αは、図2のステップS4に示す工程において、蛍光体100をフッ化水素酸に接触させることで形成される。これは、蛍光体100が含む複数の化合物のフッ化水素酸への溶解度がそれぞれ異なるため、蛍光体100の表面がフッ化水素酸により不均一に溶解されるためであると推定される。
これにより、蛍光体100の発光効率が向上する。
なお、本実施形態に係る蛍光体の製造方法としては、発光中心元素Rとしてユウロピウムを用いた場合を示したが、上述したようにセリウム(Ce)などの発光中心元素Rを用いてもよい。
また、本実施形態に係る蛍光体の製造方法は、蛍光体の複数の原料を混合し、原料混合物を作製する工程と、この原料混合物を焼成することにより焼成物を形成する工程と、この焼成物に複数の原料に対して溶解度が相互に異なる溶解液を接触させる工程とを備えていればよい。したがって、本実施形態に示したサイアロン蛍光体をフッ化水素酸を用いてウェット処理する例には限定されない。
また、本実施形態に係る蛍光体の製造方法は、蛍光体の複数の原料を混合し、原料混合物を作製する工程と、この原料混合物を焼成することにより焼成物を形成する工程と、この焼成物に複数の原料に対して溶解度が相互に異なる溶解液を接触させる工程とを備えていればよい。したがって、本実施形態に示したサイアロン蛍光体をフッ化水素酸を用いてウェット処理する例には限定されない。
(試験例)
以下、本実施形態の効果を、試験例を参照して説明する。
以下、本実施形態の効果を、試験例を参照して説明する。
先ず、上述の第1の実施形態によって説明した方法により、6種類の蛍光体を製造した。このとき、1種類の蛍光体は、比較例1として、フッ化水素酸処理を行わずに製造した。また、4種類の蛍光体は、実施例1〜4として、フッ化水素酸処理の時間及びフッ化水素酸濃度を相互に異ならせて製造した。比較例1及び実施例1〜4におけるフッ化水素酸処理の条件を表1に示す。
次に、比較例1及び実施例4に係る蛍光体の表面をSEM及びAFMなどの走査型プローブ顕微鏡によって観察した。
先ず、実施例4の観察結果を図3及び図4に示す。
図3は、実施例4に係る蛍光体の表面を例示するSEM写真である。
図4(a)は、実施例4に係る蛍光体の表面の一部分を例示するAFM像であり、(b)は、横軸に蛍光体の表面に沿った位置をとり、縦軸に高さ方向の位置をとって、(a)に示す線Bにおける凹凸を例示するグラフ図であり、(c)は、実施例4に係る蛍光体の表面の他の一部分を例示するAFM像であり、(d)は、横軸に蛍光体の表面に沿った位置をとり、縦軸に高さ方向の位置をとって、(c)に示す線Cにおける凹凸を例示するグラフ図である。
先ず、実施例4の観察結果を図3及び図4に示す。
図3は、実施例4に係る蛍光体の表面を例示するSEM写真である。
図4(a)は、実施例4に係る蛍光体の表面の一部分を例示するAFM像であり、(b)は、横軸に蛍光体の表面に沿った位置をとり、縦軸に高さ方向の位置をとって、(a)に示す線Bにおける凹凸を例示するグラフ図であり、(c)は、実施例4に係る蛍光体の表面の他の一部分を例示するAFM像であり、(d)は、横軸に蛍光体の表面に沿った位置をとり、縦軸に高さ方向の位置をとって、(c)に示す線Cにおける凹凸を例示するグラフ図である。
図3に示すように、実施例4に係る蛍光体の表面に凹凸αが形成されていた。また、実施例4に係る蛍光体表面の少なくとも一部分には、凹凸αによって網目状の形状が形成されていた。
更に、図4(a)及び(b)に示すように、実施例4に係る蛍光体の表面に形成された凹凸αは、数十nm程度の高さであった。
更にまた、図4(a)に示す領域(250nm2)の平均面粗さは31nmであった。
更にまた、図4(c)及び(d)に示すように、実施例4に係る蛍光体の別部分の表面にも複数の凹凸αが確認できた。図4(c)に示す領域(250nm2)の平均面粗さは、35nmであった。
更に、図4(a)及び(b)に示すように、実施例4に係る蛍光体の表面に形成された凹凸αは、数十nm程度の高さであった。
更にまた、図4(a)に示す領域(250nm2)の平均面粗さは31nmであった。
更にまた、図4(c)及び(d)に示すように、実施例4に係る蛍光体の別部分の表面にも複数の凹凸αが確認できた。図4(c)に示す領域(250nm2)の平均面粗さは、35nmであった。
次に、比較例1に係る蛍光体の観察結果を図5、図6及び図7に示す。
図5は、比較例1に係る蛍光体の表面を例示するSEM写真である。
図6(a)は、比較例1に係る蛍光体の表面の一部分を例示するAFM像であり、(b)は、(a)に示す部分Dの表面を例示する拡大AFM像であり、(c)は、横軸に蛍光体の表面に沿った位置をとり、縦軸に高さ方向の位置をとって、(b)に示す線Eにおける凹凸を例示するグラフ図である。
図5は、比較例1に係る蛍光体の表面を例示するSEM写真である。
図6(a)は、比較例1に係る蛍光体の表面の一部分を例示するAFM像であり、(b)は、(a)に示す部分Dの表面を例示する拡大AFM像であり、(c)は、横軸に蛍光体の表面に沿った位置をとり、縦軸に高さ方向の位置をとって、(b)に示す線Eにおける凹凸を例示するグラフ図である。
図5に示すように、比較例1に係る蛍光体の表面は、網目状の微細な凹凸形状が認められず、少なくとも支配的な形状では無かった。
図6(a)、(b)及び(c)に示すように、比較例1に係る蛍光体表面の凹凸は、1nm以下であり、ほぼ平坦な形状であった。
また、図6(b)に示す領域(250nm2)の平均面粗さは、0.02nmであり、観察した表面全体でも平坦な形状であることが確認された。
更に、図7(a)及び(b)に示すように、比較例1に係る蛍光体表面の別部分を観察した場合も、表面の凹凸が1nm程度であり、ほぼ平坦な形状であった。
更にまた、図7(a)に示す領域(250nm2)の平均面粗さは、0.1nmであり、観察した表面全体でも平坦な形状であることが確認された。
図6(a)、(b)及び(c)に示すように、比較例1に係る蛍光体表面の凹凸は、1nm以下であり、ほぼ平坦な形状であった。
また、図6(b)に示す領域(250nm2)の平均面粗さは、0.02nmであり、観察した表面全体でも平坦な形状であることが確認された。
更に、図7(a)及び(b)に示すように、比較例1に係る蛍光体表面の別部分を観察した場合も、表面の凹凸が1nm程度であり、ほぼ平坦な形状であった。
更にまた、図7(a)に示す領域(250nm2)の平均面粗さは、0.1nmであり、観察した表面全体でも平坦な形状であることが確認された。
次に、比較例1及び実施例2〜4について、蛍光体の発光効率を測定した。測定結果を図8に示す。
図8は、横軸にサンプルをとり、縦軸に蛍光体の発光効率をとって、フッ化水素酸処理が発光効率に及ぼす影響を例示するグラフ図である。
図8に示すように、フッ化水素酸処理を行った実施例2〜4に係る蛍光体の発光効率は、フッ化水素酸処理を行わなかった比較例1に係る蛍光体の発光効率よりも高かった。
図8は、横軸にサンプルをとり、縦軸に蛍光体の発光効率をとって、フッ化水素酸処理が発光効率に及ぼす影響を例示するグラフ図である。
図8に示すように、フッ化水素酸処理を行った実施例2〜4に係る蛍光体の発光効率は、フッ化水素酸処理を行わなかった比較例1に係る蛍光体の発光効率よりも高かった。
次に、第1の実施形態の比較例2について説明する。
図9(a)は、比較例2に係る蛍光体を例示する断面図であり、(b)は(a)に示す部分Gの拡大図である。
図9(a)は、比較例2に係る蛍光体を例示する断面図であり、(b)は(a)に示す部分Gの拡大図である。
図9(a)及び(b)に示すように、比較例2に係る蛍光体200の表面においては、第1の実施形態に係る蛍光体100のような微細な凹凸αは認められず、少なくとも支配的な形状ではない。
蛍光体200においては、ケイ素を中心とし、窒素を頂点とする四面体構造20が形成されている。蛍光体200は、複数の四面体構造20がお互いに結合し、結合した複数の四面体構造20の間にランタン21及びセリウム22が配置されることで形成されている。
蛍光体200においては、ケイ素を中心とし、窒素を頂点とする四面体構造20が形成されている。蛍光体200は、複数の四面体構造20がお互いに結合し、結合した複数の四面体構造20の間にランタン21及びセリウム22が配置されることで形成されている。
蛍光体200のフッ化水素酸処理前後における表面形状の観察をSEMによって行った。
図10は、比較例2に係る蛍光体のフッ化水素酸処理前の表面を例示するSEM写真である。
図11(a)及び(b)は比較例2に係る蛍光体のフッ化水素酸処理後の表面を例示するSEM写真である。
図10は、比較例2に係る蛍光体のフッ化水素酸処理前の表面を例示するSEM写真である。
図11(a)及び(b)は比較例2に係る蛍光体のフッ化水素酸処理後の表面を例示するSEM写真である。
図10、図11(a)及び(b)に示すように、比較例2に係る蛍光体の表面に第1の実施形態に係る蛍光体100のような微細な凹凸αは認められず、少なくとも支配的な形状ではない。また、この表面には、凹凸αと比較して、周期及び振幅が大きい凹凸が形成されていた。
フッ化水素酸処理後の蛍光体200の表面は、大きな凹凸が消失し比較的平坦な表面になっていた。したがって、本比較例に係る蛍光体においては、フッ化水素酸処理を行っても微細な凹凸αは形成されなかった。
フッ化水素酸処理後の蛍光体200の表面は、大きな凹凸が消失し比較的平坦な表面になっていた。したがって、本比較例に係る蛍光体においては、フッ化水素酸処理を行っても微細な凹凸αは形成されなかった。
次に、第2の実施形態について説明する。
本実施形態は、前述の第1の実施形態に係る蛍光体を用いた発光装置の実施形態である。後述する第3及び第4の実施形態も同様である。
図12は、本実施形態に係る発光装置を例示する断面図である。
本実施形態は、前述の第1の実施形態に係る蛍光体を用いた発光装置の実施形態である。後述する第3及び第4の実施形態も同様である。
図12は、本実施形態に係る発光装置を例示する断面図である。
図12に示すように、発光装置1においては、パッケージ501が設けられており、パッケージ501の上面には、凹部502が形成されている。凹部502の形状は、例えばすり鉢状である。また、パッケージ501は、絶縁性の材料、例えば白色のセラミック又は白色の樹脂からなるパッケージ本体501aに、負電極501b及び正電極501cが埋め込まれて構成されている。負電極501b及び正電極501cは、凹部502の底面503において露出している。
凹部502内には発光チップ505が設けられている。発光チップ505は、例えば、青色光を出射する発光素子であり、その形状は矩形の板状である。発光チップ505は、凹部502の底面503の中央部に搭載されており、発光チップ505の下面は、半田層506を介して、負電極501bに接続されている。また、発光チップ505の上面と正電極501cとは、ワイヤ507を介して接続されている。
凹部502内には、透明な樹脂からなる樹脂部材508が充填されている。樹脂部材508は例えば、シリコーン樹脂により形成されている。凹部502の深さは発光チップ505の厚さよりも大きく、樹脂部材508は発光チップ505及びワイヤ507を埋め込んでいる。また、樹脂部材508内には前述の第1の実施形態に係る蛍光体100が混入されており、樹脂部材508の下部、すなわち、底面503並びに発光チップ505の上面及び側面に接する部分に、層状に堆積している。これにより、発光チップ505は、蛍光体100の粒子からなる堆積層504により覆われている。なお、樹脂部材508は、発光チップ505が発する光と、蛍光体が発する光を透過させる。
本実施形態によれば、第1の実施形態に係る蛍光体100を発光装置に用いることで、発光装置の発光効率を向上させることができる。
発光チップ505としては、LED、レーザーダイオード等を用いることができる。さらには、蛍光体100を励起可能な波長の光を発光できる任意の発光チップを用いることができ、特に限定されるものではない。
次に、第3の実施形態について説明する。
図13は本実施形態に係る発光装置を例示する断面図である。
図13に示すように、本実施形態に係る発光装置2においては、半導体層601が設けられている。半導体層601は、例えばガリウム窒化物(GaN)を含む化合物半導体により形成され、下層側から順に、p形クラッド層601p、活性層601a及びn形クラッド層601nが積層されたLED層である。厚さ方向から見て、半導体層601の形状は矩形であり、4つの角部においてはp形クラッド層601p及び活性層601aが除去され、半導体層601の下面にn形クラッド層601nが露出している。
図13は本実施形態に係る発光装置を例示する断面図である。
図13に示すように、本実施形態に係る発光装置2においては、半導体層601が設けられている。半導体層601は、例えばガリウム窒化物(GaN)を含む化合物半導体により形成され、下層側から順に、p形クラッド層601p、活性層601a及びn形クラッド層601nが積層されたLED層である。厚さ方向から見て、半導体層601の形状は矩形であり、4つの角部においてはp形クラッド層601p及び活性層601aが除去され、半導体層601の下面にn形クラッド層601nが露出している。
半導体層601の下面上には、n側電極602n及びp側電極602pが設けられている。n側電極602nは半導体層601のn形クラッド層601nに接続されており、p側電極602pは半導体層601のp形クラッド層601pに接続されている。半導体層601、n側電極602n及びp側電極602pからなる構造体の下面及び側面を覆うように、封止部材603が設けられている。
n側電極602nの下方には配線層604nが設けられており、その下にはn側ピラー605nが設けられている。n側ピラー605nは配線層604nを介してn側電極602nに接続されている。p側電極602pの下方には配線層604pが設けられており、その下にはp側ピラー605pが設けられている。p側ピラー605pは配線層604pを介してp側電極602pに接続されている。そして、配線層604n及び604p、n側ピラー605n、p側ピラー605pを覆うように、例えば黒色樹脂材料からなる封止部材606が設けられている。封止部材606の下面においては、n側ピラー605nの下面及びp側ビラ−605pの下面が露出している。
半導体層601及びその側方に位置する封止部材603の上方には、蛍光層608が設けられている。この蛍光層608は、前述の第1の実施形態に係る蛍光体100を、例えばシリコーン樹脂からなる透明樹脂部材607中に分散させることで形成することができる。蛍光体100は、半導体層601から出射された光に励起されることで、発光する。
蛍光層608上には、樹脂部材609が設けられている。樹脂部材609は、透明又は半透明の樹脂材料により形成されており、特定の色の光を選択的に反射又は散乱し、他の色の光を透過させる層である。樹脂部材609の下面609aは、蛍光体層608の上面608aに接している。
本実施形態によれば、半導体層の大きさと同程度の大きさのパッケージを作製でき、微細な半導体発光装置を効率よく製造することができる。
次に、第4の実施形態について説明する。
図14(a)は本実施形態に係る発光装置を例示する斜視図である。(b)は、その断面図であり、(c)はリードフレーム及び透明樹脂体を例示する平面図である。
図14(a)及び(b)に示すように、本実施形態に係る発光装置3においては、一対のリードフレーム701及び702が設けられている。リードフレーム701及び702の形状は平板状であり、同一平面上に配置されており、相互に離隔している。リードフレーム701及び702は同じ導電性材料からなり、例えば、銅板の上面及び下面に銀めっき層が形成されて構成されている。なお、リードフレーム701及び702の端面上には銀めっき層は形成されておらず、銅板が露出している。
図14(a)は本実施形態に係る発光装置を例示する斜視図である。(b)は、その断面図であり、(c)はリードフレーム及び透明樹脂体を例示する平面図である。
図14(a)及び(b)に示すように、本実施形態に係る発光装置3においては、一対のリードフレーム701及び702が設けられている。リードフレーム701及び702の形状は平板状であり、同一平面上に配置されており、相互に離隔している。リードフレーム701及び702は同じ導電性材料からなり、例えば、銅板の上面及び下面に銀めっき層が形成されて構成されている。なお、リードフレーム701及び702の端面上には銀めっき層は形成されておらず、銅板が露出している。
以下、図14(a)及び(b)の説明については、説明の便宜上、XYZ直交座標系を導入する。リードフレーム701及び702の上面に対して平行な方向のうち、リードフレーム701からリードフレーム702に向かう方向を+X方向とし、リードフレーム701及び702の上面に対して垂直な方向のうち、上方、すなわち、リードフレームから見て後述する発光チップ704が搭載されている方向を+Z方向とし、+X方向及び+Z方向の双方に対して直交する方向のうち一方を+Y方向とする。なお、+X方向、+Y方向及び+Z方向の反対方向を、それぞれ、−X方向、−Y方向及び−Z方向とする。また、例えば、「+X方向」及び「−X方向」を総称して、単に「X方向」ともいう。
リードフレーム701においては、Z方向から見て矩形のベース部701aが1つ設けられており、このベース部701aから4本の吊ピン701b、701c、701d、701eが延出している。吊ピン701bは、ベース部701aの+Y方向に向いた端縁のX方向中央部から+Y方向に向けて延出している。吊ピン701cは、ベース部701aの−Y方向に向いた端縁のX方向中央部から−Y方向に向けて延出している。X方向における吊ピン701b及び701cの位置は相互に同一である。吊ピン701d及び701eは、ベース部701aの−X方向に向いた端縁の両端部から−X方向に向けて延出している。このように、吊ピン701b〜701eは、ベース部701aの相互に異なる3辺からそれぞれ延出している。
リードフレーム701の下面701fにおけるベース部701aのX方向中央部には、凸部701gが形成されている。ベース部701aにおける凸部701gが形成されていない部分、すなわち、+X方向側の端部は、薄板部701tとなっている。薄板部701tの板厚は吊りピン701b〜701eの板厚に等しい。このため、リードフレーム701の厚さは2水準の値をとり、ベース部701aにおける凸部701gが形成されている部分は、相対的に厚い厚板部分となっている。一方、ベース部701aの薄板部701t及び吊ピン701b〜701eは、相対的に薄い薄板部分となっている。
同様に、リードフレーム702の下面702fにおけるベース部702aのX方向中央部には、凸部702gが形成されている。ベース部702aにおける凸部702gが形成されていない部分、すなわち、X方向両端部は、薄板部702tとなっている。薄板部702tの板厚は吊りピン702b〜702eの板厚に等しい。これにより、リードフレーム702の厚さも2水準の値をとり、ベース部702aのX方向中央部は凸部702gが形成されているため相対的に厚く、厚板部分となっている。一方、ベース部702aのX方向両端部及び吊ピン702b〜702eは相対的に薄い薄板部分となっている。なお、図14(c)においては、リードフレーム701及び702における薄板部分、すなわち、各薄板部及び各吊りピンは、破線のハッチングを付して示している。
凸部701g及び702gは、リードフレーム701及び702における相互に対向する端縁から離隔した領域に形成されており、これらの端縁を含む領域は、薄板部701t及び702tとなっている。
リードフレーム701の上面701hのうち、ベース部701aに相当する領域の一部には、ダイマウント材703が被着されている。
ダイマウント材703上には、発光チップ704が設けられている。発光チップ704は、例えば、サファイア基板上に窒化ガリウム(GaN)等からなる半導体層が積層されたものであり、その形状は例えば直方体であり、その上面に端子704a及び704bが設けられている。発光チップ704は、端子704aと端子704bとの間に電圧が供給されることによって、例えば青色の光を出射する。
発光チップ704の端子704aはワイヤ705を介してリードフレーム701に接続されている。一方、端子704bはワイヤ706を介してリードフレーム702に接続されている。ワイヤ705及び706は金属、例えば、Au又はAlによって形成されている。
発光装置3には、透明樹脂体707が設けられている。透明樹脂体707は透明な樹脂、例えば、シリコーン樹脂によって形成されている。なお、「透明」には半透明も含まれる。透明樹脂体707の外形は直方体であり、リードフレーム701及び702、ダイマウント材703、発光チップ704、ワイヤ705及び706を覆っており、透明樹脂体707の外形が発光装置3の外形となっている。リードフレーム701の一部及びリードフレーム702の一部は、透明樹脂体707の下面及び側面において露出している。
透明樹脂体707の内部には、前述の第1の実施形態に係る蛍光体100が分散されている。各蛍光体100は粒状であり、発光チップ704から出射された光を吸収して、より波長が長い光を発光する。例えば、蛍光体100は、発光チップ704から出射された青色の光の一部を吸収し、黄色の光を発光する。これにより、発光装置3からは、発光チップ704が出射し、蛍光体100に吸収されなかった青色の光と、蛍光体100から発光された黄色の光とが出射され、出射光は全体として白色となる。なお、図示の便宜上、図14(a)においては、蛍光体18を示していない。また、図14(b)においては、蛍光体100を実際よりも大きく且つ少なく示している。
本実施形態に係る発光装置3は、例えば以下の方法により、製造することができる。先ず、両面に銀めっき層が形成された銅箔を用意する。次に、この銅箔をエッチングすることにより、リードフレーム701及び702を含む基本パターンがマトリクス状に配列されたパターンを形成する。次に、銅箔上にLEDチップ704を基本パターン毎に搭載し、LEDチップ704とリードフレーム701及び702とを、ワイヤ705及び706によって接続する。次に、銅箔全体を透明樹脂で覆い、固化させて、内部に銅箔及びLEDチップ704を含む透明樹脂板を形成する。次に、この透明樹脂板を基本パターン毎に切り分ける。これにより、例えば数千個の発光装置3を同時に製造することができる。
本実施形態によれば、多数のパッケージを一度に作製でき、発光装置の製造コストを減らすことができる。
以上説明した実施形態によれば、発光効率が高い蛍光体及びその製造方法を実現することができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。
1、2、3:発光装置、α:凹凸、10、20:四面体構造、M:金属元素、R:発光中心元素、100、200:蛍光体、501:パッケージ、501a:パッケージ本体、501b:負電極、501c:正電極、502:凹部、503:底面、504:堆積層、505:発光チップ、506:半田層、507:ワイヤ、508:樹脂部材、601:半導体層、601a:活性層、601n:n形クラッド層、602p:p形クラッド層、602n:n側電極、602p:p側電極、603:封止部材、604n、604p:配線層、605n:n側ピラー、605p:p側ピラー、606:封止部材、607:樹脂部材、608:蛍光体層、608a:上面、609:樹脂部材、609a:下面、701:リードフレーム、701a:ベース部、701b〜701e:吊ピン、701f:下面、701g:凸部、701h:上面、701t:薄板部、702:リードフレーム、702a:ベース部、702b〜702e:吊ピン、702f:下面、702g:凸部、702t:薄板部、703:ダイマウント材、704:発光チップ、704a、704b:端子、705:ワイヤ、706:ワイヤ、707:透明樹脂体
Claims (6)
- 表面の少なくとも一部に、発光光の波長以下の周期の凹凸が形成されている蛍光体。
- 前記凹凸は網目状の形状である請求項1記載の蛍光体。
- ケイ素窒化物、ケイ素酸化物、アルミニウム窒化物、アルミニウム酸化物を含み、
ユウロピウム、セリウム、マンガン、テルビウム、イッテルビウム、ジスプロシウム、サマリウム、ツリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、ホルミウム、エルビウム、クロム、錫、銅、亜鉛、ヒ素、銀、カドミウム、アンチモン、金、水銀、タリウム、鉛、ビスマス及び鉄からなる群より選択された1種以上の元素を有した請求項1または2に記載の蛍光体。 - 前記凹凸の高さは2〜1000nmであり、
走査型プローブ顕微鏡で前記表面のうち、面積が250nm2の領域を測定したとき、算出平均面粗さが30nm以上である請求項1〜3のいずれか1つに記載の蛍光体。 - 複数の原料を混合し、原料混合物を作製する工程と、
前記原料混合物を焼成することにより焼成物を形成する工程と、
前記焼成物に前記複数の原料に対して溶解度が相互に異なる溶解液を接触させる工程と、
を備えた蛍光体の製造方法。 - 前記複数の原料は、ケイ素窒化物、ケイ素酸化物、アルミニウム窒化物、アルミニウム酸化物と、
ユウロピウム、セリウム、マンガン、テルビウム、イッテルビウム、ジスプロシウム、サマリウム、ツリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、ホルミウム、エルビウム、クロム、錫、銅、亜鉛、ヒ素、銀、カドミウム、アンチモン、金、水銀、タリウム、鉛、ビスマス及び鉄からなる群より選択された1種以上の元素であり、
前記溶解液はフッ酸である請求項5記載の蛍光体の製造方法。
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